CN118057947A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置。课题之一在于提供不良少、劣化被抑制的显示装置。课题之一在于提供成品率高的显示装置。显示装置包含：具有氧化物半导体层的多个晶体管；与多个晶体管电连接的第1端子；与多个晶体管电连接、且与第1端子相邻的第2端子；与多个晶体管及第1端子电连接、且位于多个晶体管与第1端子之间的第1布线；和与多个晶体管及第2端子电连接、且位于多个晶体管与第2端子之间的第2布线，第1布线由金属材料形成，第2布线包含具有与氧化物半导体层相同的组成的氧化物导电层。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施方式之一涉及显示装置。
背景技术
对于在显示区域中使用利用了有机电致发光(EL：Electro Luminescence)的元件、液晶元件等的显示装置而言，例如具有在基板上设置显示区域和多个端子的构成。该多个端子通过将设置于显示区域的像素与该多个端子连接的布线而与显示区域的像素电连接，并被输入各种信号(例如，图像信号或控制信号)或电源电位。这样的布线(引出布线)有时使用铝、铜、钛、钼、铬等金属膜(例如，专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2013/021866号
发明内容
发明所要解决的课题
近年来，显示装置为了实现高精细的图像显示而存在输入各种信号或电源电位的布线的数目增多的倾向。另外，存在使设置有该多个端子的显示装置的显示区域的周边区域变窄，而将显示区域设置得较宽的倾向。由于这些倾向，采用了从显示区域内到端子倾斜设置引出布线的方法。这样的布线容易发生布线的形成不良等不良情况，为了实现高精细化及窄边框化，要求针对引出布线的各种方法。
本发明的一实施方式是鉴于上述问题而做出的，课题之一在于提供不良少、劣化被抑制的显示装置。另外，本发明的一实施方式的课题之一在于提供成品率高的显示装置。
用于解决课题的手段
本发明的一实施方式中的显示装置包含：具有氧化物半导体层的多个晶体管；与多个晶体管电连接的第1端子；与多个晶体管电连接、且与第1端子相邻的第2端子；与多个晶体管及第1端子电连接、且位于多个晶体管与第1端子之间的第1布线；与多个晶体管及第2端子电连接、且位于多个晶体管与第2端子之间的第2布线，
第1布线由金属材料形成，第2布线包含具有与氧化物半导体层相同的组成的氧化物导电层。
附图说明
[图1]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的构成的示意性俯视图。
[图2A]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的像素电路的构成的图。
[图2B]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的像素电路的构成的图。
[图3]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。
[图4]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。
[图5]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性端面图。
[图6A]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的构成的示意性端面图。
[图6B]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6C]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6D]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6E]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6F]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6G]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6H]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6I]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6J]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6K]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图6L]为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的示意性端面图。
[图7]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。
[图8]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。
[图9]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性端面图。
[图10]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。
[图11]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。
[图12]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。
[图13]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。
[图14A]为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子周边的示意性端面图。
[图14B]为示出比较例涉及的显示装置的端子周边的示意性端面图。
附图标记说明
10：显示装置、102：基板、103：对置基板、104：像素、106：显示区域、107：周边区域、108：扫描线驱动电路、110：信号线驱动电路、111：密封件、112：端子、112-1：端子、112-11：端子、112-12：端子、112-2：端子、112-3：端子、112-4：端子、112-5：端子、112-6：端子、116：连接器(connector)、118：布线、118-1：布线、118-10：布线、118-11：布线、118-12：布线、118-2：布线、118-2a：布线、118-2b：布线、118-2c：布线、118-3：布线、118-4：布线、118-5：布线、118-6：布线、118-6a：布线、118-6b：布线、118-6c：布线、118-8：布线、118b：布线、122：扫描线、124：数据信号线、128：基底膜、129：基底膜、130：绝缘层、132：绝缘层、134：绝缘层、135：布线、136：绝缘层、136：栅极绝缘层、138：绝缘层、138-1：绝缘层、138-2：绝缘层、140：绝缘层、152：绝缘层、162：氧化物半导体层、164：氧化物半导体层、164C：沟道区域、164D：漏极区域、164S：源极区域、166：金属氧化物层、172D：漏电极、172S：源电极、180：布线、182：栅电极、200：区域、210：开口、212：端子、212-1：端子、212-11：端子、212-12：端子、212-2：端子、212-5：端子、212-6：端子、218：布线、218-1：布线、218-11：布线、218-12：布线、218-2：布线、218-2a：布线、218-2b：布线、218-2c：布线、218-2ex：布线、218-5：布线、218-6：布线、218-6a：布线、220：开口、238：绝缘层、240：开口、250：开口、300：像素电路、301：晶体管、301：驱动晶体管、302：晶体管、302：选择晶体管、303：保持电容、304：发光元件、305：阳极电源线、306：阴极电源线、307：晶体管、308：保持电容、309：液晶元件
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的各实施方式。以下的公开内容只不过是一例。本领域技术人员在保证发明的主旨的同时通过适当变更实施方式的构成而能够容易想到的构成当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更加清楚，存在与实际的方式相比，附图中各部分的宽度、膜厚或形状等示意性表示的情况。但是，图示的形状只不过是一例，并不限定本发明的解释。在本说明书和各图中，对于与关于前述附图而在前文陈述的同样的要素，有时标注相同的附图标记并适当省略详细说明。
“半导体器件”是指能够通过利用半导体特性来发挥功能的全部器件。晶体管、半导体电路为半导体器件的一个形态。以下所示的实施方式的半导体器件例如可以为显示装置、微处理器(Micro-Processing Unit：MPU)等的集成电路(Integrated Circuit：IC)、或存储电路中使用的晶体管。
“显示装置”是指使用电光层来显示影像的结构体。例如，显示装置这样的术语有时也指包含电光层的显示面板，或者有时指对显示单元安装其他光学部件(例如，偏振部件、背光灯、触摸面板等)而成的结构体。只要不产生技术上的矛盾，则“电光层”中可以包含液晶层、电致发光(EL)层、电致变色(EC)层、电泳层。因此，关于后述的实施方式，作为显示装置，示例含有液晶层的液晶显示装置、及含有有机EL层的有机EL显示装置进行说明，但本实施方式中的结构能够适用于含有上述的其他电光层的显示装置。
本发明的各实施方式中，将从基板朝向氧化物半导体层的方向称为上或上方。相反地，将从氧化物半导体层朝向基板的方向称为下或下方。如此，为方便说明，使用上方或下方这样的语句进行说明，但例如也可以将基板与氧化物半导体层的上下关系配置成与图示相反。以下的说明中，例如基板上的氧化物半导体层这样的表述只不过如上文所述对基板与氧化物半导体层的上下关系进行说明，也可以在基板与氧化物半导体层之间配置其他部件。上方或下方是指使多个层层叠而成的结构中的层叠顺序，在表述为晶体管的上方的像素电极的情况下，也可以是俯视下晶体管与像素电极不重叠的位置关系。另一方面，表述为晶体管的铅垂上方的像素电极的情况下，是指俯视下晶体管与像素电极重叠的位置关系。
本说明书中，只要没有特别说明，“α包含A、B或C”、“α包含A、B及C中的任一者”、“α包含选自由A、B及C组成的组中的一者”这样的表述不排除α包含A～C的多个组合的情况。此外，这些表述也不排除α包含其他要素的情况。
＜第1实施方式＞
1.显示装置的构成
图1中示出本发明的一实施方式的显示装置10的示意性俯视图。如图1所示，显示装置10具有基板102及对置基板103，在基板102之上设置有多个像素104。包含多个像素104的单一区域、及包围其的区域被分别定义为基板102的显示区域106和周边区域107。
周边区域中，设置有用于驱动像素104的驱动电路。图1所示的例子中，设置有夹着显示区域106的二个扫描线驱动电路108、包含模拟开关等的信号线驱动电路110。显示装置10中设置液晶元件的情况下，以包围这些结构物的方式设置密封件111。密封件111以基板102和对置基板103夹着液晶层的方式将基板102和对置基板103固定。布线118从显示区域106、扫描线驱动电路108、信号线驱动电路110向基板102的一边延伸，在基板102的端部露出而形成端子112。布线118位于显示区域106与端子112之间。另外，布线118位于扫描线驱动电路108、信号线驱动电路110与端子112之间。图1所示的端子112包含多个端子112，详细情况在后文陈述。端子112与柔性印刷电路(FPC)基板等连接器116电连接。可以在连接器116上或基板102上还搭载用于控制像素104的驱动IC114。需要说明的是，也可以不在周边区域上设置信号线驱动电路110，而通过驱动IC114实现该功能。
以下的说明中，为方便起见，将显示装置10的端子112侧设为下部，将与端子112相反的一侧作为上部。在基板102、显示区域106能够视为主要由四条边构成的四边形的情况下，将端子112侧的边称为下边，将与端子112相反的一侧的边称为上边。
此处，使用图2A及图2B对用于进行各个像素104的控制的像素电路300进行说明。图2A示出在像素104中使用利用了有机电致发光的发光元件(有机EL元件)的像素电路的例子。另外，图2B表示像素104中使用液晶元件的像素电路的例子。
2.像素
2-1.像素电路-1
图2A为示出本发明的一实施方式的显示装置10中的像素电路300的构成的图。为方便说明，示例使用2个半导体装置(薄层晶体管)的基本构成来进行说明。如图2A所示，像素电路300包含驱动晶体管301、选择晶体管302、保持电容303、及发光元件304等元件。驱动晶体管301及选择晶体管302由薄层晶体管等半导体装置构成。
驱动晶体管301的源极与阳极电源线305连接，驱动晶体管301的漏极与发光元件304的一端(阳极)连接。发光元件304的另一端(阴极)与阴极电源线306连接。本实施方式中，对阳极电源线305施加高于阴极电源线306的电源电压。图1中，省略阳极电源线305的图示。
选择晶体管302的栅极与扫描线122连接，选择晶体管302的源极与数据信号线124连接。选择晶体管302的漏极与驱动晶体管301的栅极连接。需要说明的是，选择晶体管302的源极及漏极有时根据施加于数据信号线124的电压与蓄积于保持电容303中的电压的关系而调换。
保持电容303与驱动晶体管301的栅极及漏极、以及选择晶体管302的漏极连接。向数据信号线124供给影像信号，供给决定发光元件304的发光强度的灰度信号。向扫描线122供给用于对写入灰度信号的像素进行选择的扫描信号。
接着，参照图2B，对像素104中使用了液晶元件的像素电路的例子进行说明。
2-2.像素电路-2
图2B为示出本发明的一实施方式的显示装置10中的像素电路300的构成的图。如图2B所示，像素电路300包含晶体管307、保持电容308、及液晶元件309等元件。晶体管307由薄层晶体管等半导体装置构成。
晶体管307的栅极与扫描线122连接，晶体管307的源极与数据信号线124连接。晶体管307的漏极与保持电容308及液晶元件309连接。详细情况未图示，保持电容308的一个电极与晶体管307的漏极连接，另一电极与像素104的公共电极连接。另外，液晶元件309的一个电极介由像素电极与晶体管307的漏极连接，另一电极与公共电极连接。需要说明的是，晶体管307的源极及漏极有时根据施加于数据信号线124的电压与蓄积于保持电容308中的电压的关系而调换。
回到对图1的说明。多个端子112与连接器116电连接。多个端子112的各自介由布线118而与像素104的晶体管307或信号线驱动电路110、扫描线驱动电路108电连接。多个端子112被输入从连接器116供给的信号或电源电位。该信号为用于使像素104的晶体管工作的信号，例如是示出显示区域106中显示的图像的图像信号、或者用于控制扫描线驱动电路108或信号线驱动电路110的控制信号。需要说明的是，显示装置10所具备的端子112的数目只要为多个，则为几个都可以。
连接器116将从外部电路(省略图示)输入的信号输出至多个端子112。连接器116可以为在具有挠性的基板上配置多个布线的构成。该多个布线的各自与任一端子112电连接。
接着，参照图3，对将端子112与显示区域106中设置的晶体管或者扫描线驱动电路108或信号线驱动电路110电连接的布线118进行说明。
3.端子周边结构
3-1.布线-1
图3为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，图3表示由图1所示的虚线包围的区域200中的端子112及与端子112连接的布线118。为方便说明，图3中，省略基板102与对置基板103之间的构成及连接器116等来表示，进行端子112及布线118的说明。
多个布线118以倾斜地跨越密封件111的方式配置。多个布线118与密封件111重叠地配置。多个布线118各自与端子112直接连接或电连接。向相邻的端子输入相同的信号或相同的电源电位。例如，向端子112-1、端子112-2、端子112-3、端子112-4、端子112-5、及端子112-6输入影像信号。
端子112-1、端子112-2、端子112-3、端子112-4、端子112-5、及端子112-6能够分别与布线118-1、布线118-2、布线118-3、布线118-4、布线118-5、布线118-6连接。如上所述，这些布线例如能够与数据信号线124电连接。
布线118可以根据所供给的信号来变更构成的布线的种类。例如，布线118-1～布线118-6各自可以使用由与扫描线122相同的金属材料形成的布线。另外，布线118-1～布线118-6各自可以使用具有与构成像素104或者扫描线驱动电路108或信号线驱动电路110的晶体管的有源层相同的组成的布线。晶体管的有源层使用透光性比由金属材料形成的布线高的材料，详细情况在后文陈述。
此处，在如上所述显示装置10中使用液晶元件309的情况下，为了以基板102和对置基板103夹持液晶层，以包围显示区域106的方式配置密封件111。布线118由于配置在端子112(其配置在基板102的端部)与显示区域106之间，因此与包围显示区域106的密封件111重叠。密封件111大多使用光固性树脂，详细情况在后文陈述。用于将密封件111固化的光从基板102的与形成有晶体管的面相反的面照射至密封件111。
用于将密封件111固化的光能够从透光性高的布线118-2、布线118-4、及布线118-6中通过。因此，用于将密封件111固化的光被照射至与布线118-2、布线118-4、及布线118-6重叠的密封件111。另外，如图3所示，由金属材料形成的布线118-1、布线118-3、布线118-5与布线118-2、布线118-4、及布线118-6交替地配置、或相邻地配置，因此从透光性高的布线118-2、布线118-4、及布线118-6中通过的光的散射光能够照射密封件111。
此处，参照图4，对仅在与密封件111重叠的部分使用透光性高的布线的布线118进行说明。
3-2.布线-2
图4为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，图4示出由以金属材料形成的布线118-2a及布线118-2c、和透光性高的布线118-2b构成布线118-2的例子。
布线118-2在与密封件111重叠的部分使用透过性高的布线118-2b。布线118-2b位于由金属材料形成的布线118-2a与由金属材料形成的布线118-2c之间。由金属材料形成的布线118-2a与端子112-2连接。另外，由金属材料形成的布线118-2c与构成像素104或者扫描线驱动电路108或信号线驱动电路110的晶体管直接连接或电连接。
布线118-4、布线118-6、布线118-8、及布线118-10也可以使用与布线118-2相同的构成。如图4所示，通过在与密封件111重叠的部分中，将由金属材料形成的布线118与透光性高的布线118交替地配置、或相邻地配置，从而从基板102的未设置晶体管的面照射的光也能够到达与由金属材料形成的布线118重叠的密封件111。另外，在透光性高的布线118与由金属材料形成的布线118中，布线电阻产生不小的差别，因此通过仅在布线118的与密封件111重叠的部分使用透光性高的布线118b、而其他部分使用与由金属材料形成的布线118-1同样地形成的布线118-2a及布线118-2c，从而能够缩小布线118-1的布线电阻与布线118-2的布线电阻之差。因此，能够降低布线118-1的布线电阻与布线118-2之间的布线电阻的偏差。
参照图5，对在与密封件111重叠的部分使用透过性高的布线118-2b的布线118-2的截面结构进行说明。
图5为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性端面图。具体而言，相当于表示沿着图4的A1-A3切断的截面的端面图。
显示装置10具有基板102。基板102具有对形成于其上的电路进行支承的功能，可以包含玻璃、石英、或高分子。通过在基板102中使用聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯等高分子，能够对显示装置10赋予挠性，还能提供所谓的柔性显示器(flexibledisplay)。
基底膜128可以设置于基板102之上。基底膜128能够防止来自基板102的污染，例如，可以使用无机绝缘材料。无机绝缘材料例如可以使用氮化硅、氧化硅、及它们的复合体。另外，如图5所示，也可以将基底膜129设置于基底膜128之上，制成具有层叠结构的基底膜。
绝缘层130可以设置于基底膜129之上。显示区域106中设置的晶体管采用底栅结构或双栅结构的情况下，绝缘层130能够在与设置于晶体管的底栅电极与有源层之间的绝缘层相同的工序中形成。绝缘层130可以使用与基底膜128同样的材料。
布线118-2b可以设置于绝缘层130之上。布线118-2b可以使用与显示区域106中设置的晶体管的有源层同样的材料。另外，布线118-2b能够在与显示区域106中设置的晶体管的有源层形成的工序相同的工序中形成。作为晶体管的有源层，可以使用氧化物半导体层，通过使该氧化物半导体层低电阻化，能够用于布线118-2b，详细情况在后文陈述。因此，布线118-2b为具有与显示区域106中设置的晶体管的有源层相同的组成的氧化物导电层。
绝缘层136可以设置于布线118-2b及绝缘层130之上。显示区域106中设置的晶体管具有顶栅结构或双重结构的情况下，绝缘层136能够在与形成设置于晶体管的有源层与栅电极之间的栅极绝缘层的工序相同的工序中形成。绝缘层136可以使用与基底膜128同样的材料。
绝缘层138可以设置于绝缘层136之上。绝缘层138可以使用单层或层叠的结构。绝缘层138中，例如，可以使用氮化硅、氧化硅等。
布线118-2a可以设置于绝缘层138之上。在绝缘层138及绝缘层136中形成到达布线118-2b的开口210，介由该开口210，布线118-2a能够与布线118-2b连接。布线118-2a能够在与形成显示区域106中设置的晶体管的源电极、漏电极的工序相同的工序中形成。布线118-2a可以使用通常的金属材料来形成。作为金属材料，例如，可以使用铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铋(Bi)、银(Ag)、铜(Cu)、及它们的合金或化合物。布线118-2a可以为单层结构，也可以为层叠结构。
绝缘层140可以设置于布线118-2a及绝缘层138之上。绝缘层140可以使用与基底膜128同样的材料。
端子112-2可以设置于绝缘层140之上。在绝缘层140中形成到达布线118-2a的开口220，介由开口220，端子112-2能够与布线118-2a连接。如图5所示，端子112-2具有从绝缘层152露出的部分，露出的部分能够与驱动IC114连接。对端子112-2使用布线118-2a中使用的材料即可。
绝缘层152可以设置于绝缘层134之上。绝缘层152可以设置于端子112-2上，使得如上述那样端子112-2部分地露出。像素104中设置的发光元件或液晶元件形成于绝缘层152之上。绝缘层152可以使用包含丙烯酸树脂、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚酯等感光性的有机树脂材料，能够作为有机绝缘层发挥功能。
密封件111可以设置于绝缘层152之上。如图5所示，以与布线118-2b重叠的方式设置。布线118-2b的透光性高，因此如上所述，能够透过从基板102的与设置有基底膜128的面相反的面朝向密封件111照射的光。密封件111例如可以使用光固性树脂。
对置基板103未在图4中示出，可以如图5所示那样设置于密封件111之上。对置基板103与基板102相对地配置。对置基板103可以使用与基板102同样的基板。
如上文那样，在与密封件111重叠的部分中，布线118-2由透过性高的布线118-2b构成。接着，对在与透过性高的布线118-2b同样的工序中形成有源层的晶体管的制造方法进行说明。
参照图6B至6L，对显示区域106中设置的晶体管的制造方法的一例进行说明。图6B至6L为对本发明的一实施方式涉及的显示装置的制造方法进行说明的图。图6B至6L所示的晶体管的制造方法为与例如图6A所示的顶栅结构的晶体管有关的制造方法。
4.显示装置的制造方法
图6A为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的构成的端面图。图6A中，图2A或图2B所示的晶体管301、晶体管302、晶体管307表示信号线驱动电路110、扫描线驱动电路108中设置的晶体管。作为例子，图6A表示图2A所示的晶体管301。
如图6A所示，晶体管在基板102之上包含基底膜128、绝缘层130、氧化物半导体层164、栅极绝缘层136、栅电极182、绝缘层138-1、绝缘层138-2、源电极172S、及漏电极172D。
接着，对晶体管301的制造方法进行说明。
如图6B所示，基底膜128及绝缘层130形成于基板102之上。
接着，如图6C所示，氧化物半导体层162形成于绝缘层130之上。氧化物半导体层162中可以使用具有半导体特性的金属氧化物。作为氧化物半导体层162，例如，可使用包含含铟(In)在内的2种以上金属的氧化物半导体。另外，2种以上金属中的铟的比率为50％以上。作为氧化物半导体层162，除了铟以外，还使用镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)、铪(Hf)、钇(Y)、锆(Zr)、或镧系元素。作为氧化物半导体层162，可以使用上述以外的元素。本实施方式中，作为氧化物半导体层162，使用包含铟(In)及镓(Ga)的金属氧化物(IGO系氧化物半导体)。
在通过氧化物半导体层162的烧成而将氧化物半导体层162结晶化的情况下，成膜后且氧化物半导体层162的烧成前的氧化物半导体层162优选为无定形(氧化物半导体的结晶成分少的状态)。即，氧化物半导体层162的成膜方法优选为刚成膜后的氧化物半导体层162尽可能不结晶化的条件。例如，在利用溅射法将氧化物半导体层162成膜的情况下，一边控制被成膜对象物(例如基板102)的温度一边将氧化物半导体层162成膜。为了控制被成膜对象物的温度，例如，一边将被成膜对象物冷却一边进行成膜。例如，可以以被成膜对象物的被成膜面的温度(以下，称为“成膜温度”)成为100℃以下、70℃以下、50℃以下、或30℃以下的方式，将被成膜对象物从该被成膜面的相反侧的面进行冷却。通过如此一边将被成膜对象物冷却一边进行氧化物半导体层162的成膜，能够在刚成膜后的状态下将结晶成分少的氧化物半导体层162成膜。
接着，如图6D所示，形成氧化物半导体层162的图案。氧化物半导体层162优选在氧化物半导体层162的烧成之前形成图案。若通过氧化物半导体层162的烧成，氧化物半导体层162结晶化，则存在难以蚀刻的倾向。另外，即使因蚀刻而在氧化物半导体层162中产生损伤，也能够通过氧化物半导体层162的烧成而修复损伤。
在氧化物半导体层162的图案形成之后，对氧化物半导体层162进行烧成。在氧化物半导体层162的烧成中，氧化物半导体层162于规定的到达温度保持规定的时间。规定的到达温度为300℃以上500℃以下，优选为350℃以上450℃以下。另外，到达温度下的保持时间为15分钟以上120分钟以下，优选为30分钟以上60分钟以下。通过进行氧化物半导体层162的烧成，氧化物半导体层162结晶化，形成具有多晶结构的氧化物半导体层164。
接着，如图6E所示，在氧化物半导体层162之上形成栅极绝缘层136。栅极绝缘层136中，优选使用缺陷少的绝缘层。为了形成缺陷少的绝缘层作为栅极绝缘层136，可以于350℃以上的成膜温度将栅极绝缘层136成膜。另外，在将栅极绝缘层136成膜之后，可以进行向栅极绝缘层136的一部分打入氧的处理。
接着，如图6F所示，在栅极绝缘层136之上，将以铝作为主成分的金属氧化物层166成膜、并进行烧成后，将所成的金属氧化物层166除去。
金属氧化物层166中，使用氧化铝(AlOx)、氧化氮化铝(AlOxNy)、氮化氧化铝(AlNxOy)、氮化铝(AlNx)等无机绝缘层。此处，金属氧化物层166中所含的铝的比率可以为金属氧化物层166整体的1％以上。另外，金属氧化物层166中所含的铝的比率可以为金属氧化物层166整体的5％以上70％以下、10％以上60％以下、或30％以上50％以下。
金属氧化物层166的膜厚例如可以为5nm以上100nm以下、5nm以上50nm以下、5nm以上30nm以下、或7nm以上15nm以下。
在金属氧化物层166被成膜后，进行金属氧化物层166的烧成。金属氧化物层166的烧成后，除去金属氧化物层166。金属氧化物层166的至少与氧化物半导体层164重叠的部分全部被除去即可。
接着，如图6G所示，在栅极绝缘层136之上形成栅电极182。栅电极182以与通过除去金属氧化物层166而露出的栅极绝缘层136相接的方式形成。栅电极182例如可以使用铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铋(Bi)、银(Ag)、铜(Cu)、及它们的合金或化合物等。
形成氧化物半导体层164的源极区域164S及漏极区域164D。具体而言，利用离子注入或离子掺杂法，以栅电极182作为掩模，经由栅极绝缘层136而向氧化物半导体层164中注入杂质元素。针对未被栅电极182覆盖的氧化物半导体层164的一部分，例如，注入氩(Ar)、磷(P)、硼(B)等杂质元素。通过将这样的杂质注入氧化物半导体层164的一部分，其一部分被低电阻化。具体而言，图6H所示的氧化物半导体层164的夹着沟道区域164C的源极区域164S及漏极区域164D相当于未被栅电极182覆盖的氧化物半导体层164的一部分，被注入杂质元素。氧化物半导体层164的沟道区域164C由于被栅电极182覆盖，因此未被注入杂质元素。
此处，图4所示的布线118-2及图5所示的布线118-2b也在与晶体管301的有源层相同的工序中形成。由于布线118-2及布线118-2b不具有如晶体管301这样被栅电极覆盖的部分，因此杂质元素被注入布线118-2及布线118-2b的整体。因此，布线118-2及布线118-2b具有与氧化物半导体层164相同的组成，并且通过杂质元素的注入而被低电阻化，因此成为氧化物导电层。就作为氧化物导电层的布线118-2及布线118-2b而言，如上述那样与氧化物半导体层164的源极区域164S及漏极区域164D同样地被注入杂质元素，因此变得包含与源极区域164S及漏极区域164D相同的杂质元素。
接着，如图6I所示，在栅电极182及栅极绝缘层136之上，形成绝缘层138-1及绝缘层138-2。
接着，如图6J所示，在栅极绝缘层136、绝缘层138-1、及绝缘层138-2中形成开口240及开口250。通过开口240，源极区域164S露出，通过开口250，漏极区域164D露出。源极区域164S及漏极区域164D通过开口240及开口250而露出后，形成图6K所示的源电极172S及漏电极172D。
经由以上的制造工序，能够形成作为顶栅结构的晶体管301。形成作为底栅结构及双栅结构的晶体管的情况下，在基底膜128与绝缘层130之间形成底栅电极，使绝缘层130作为该底栅电极与氧化物半导体层164的栅极绝缘膜发挥功能即可。
另外，在显示装置10中搭载有机EL元件或液晶元件的情况下，将图5所示的绝缘层152形成于绝缘层140之上，形成有机EL元件或液晶元件。如图6L所示，将绝缘层140形成于绝缘层132、源电极172S、及漏电极172D之上。图5所示的端子112-2形成于绝缘层140之上。
与以上的晶体管的各制造工序一起，能够形成布线118-2及布线118-2b。
5.布线的变形例
5-1.变形例1
参照图7，对显示装置10的端子及其周边的变形例进行说明。图7为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，示出由图1所示的虚线包围的区域200中的、端子112及布线118的构成的变形例。需要说明的是，关于与图1至图6所示的显示装置10相同或类似的构成，有时省略说明。
与图3所示的布线118不同的点在于，连接于端子112-1的布线118-1与和供给影像信号的端子112-2连接的布线118-2重叠。此外，如图7所示，不同点在于，连接于端子112-5的布线118-5也可以与和供给影像信号的端子112-6连接的布线118-6重叠。
如图7所示，布线118-1在跨越密封件111的部分及相对于密封件111倾斜地配置的部分中与布线118-2重叠。就布线118-1而言，通过以与布线118-2重叠的方式被配置而能够设置与将端子112-1与相邻的端子112-11连接的布线118-11的距离。此时，由于布线118-11由金属材料形成，因此借助该距离而在与密封剂111重叠的部分中也设置布线118-11与布线118-1的距离，用于使密封剂111固化而照射的光从这些布线之间通过，能充分地到达密封剂111。
布线118可以将显示装置10的制造工序中使用的任意层组合而使用。但是，在如图7所示布线118-2使用氧化物导电层的情况下，与其重叠的布线118-1优选不使用构成供给扫描线驱动电路108或扫描线122的电极或布线的层。换言之，在重叠的布线118中的一个布线118使用了氧化物导电层的情况下，用于另一布线118的层优选不使用与作为构成像素104或扫描线驱动电路108及信号线驱动电路110的晶体管的栅电极发挥功能的层相同的层。在与使用了氧化物导电层的布线118重叠的布线118中使用作为晶体管的栅电极发挥功能的层的情况下，布线118有时丧失作为布线的功能，因此上述构成不优选。
接着，参照图8，对图7所示的布线118的变形例进行说明。
5-2.变形例2
图8为表示本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，示出由图1所示的虚线包围的区域200中的、端子112及布线118的构成。需要说明的是，关于与图1至图7所示的显示装置10相同或类似的构成，有时省略说明。
与图7所示的布线118不同的点在于，在布线118-2的与密封件111重叠的部分的布线118-2b中使用氧化物导电层，在布线118-2b与端子112-2之间使用由金属材料形成的布线118-2a。
如图8所示，为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，图8表示构成由金属材料形成的布线118-2a及布线118-2c(未图示)和使用氧化物导电层的布线118-2b的布线118-2。
布线118-6包含与布线118-2同样的构成。布线118-6在与密封件111重叠的部分的布线118-6b中使用氧化物导电层。另外，在布线118-6b与端子112-6之间使用由金属材料形成的布线118-6a，由金属材料形成的布线118-6c连接至与连接于布线118-6a的端部不同的一端。
接着，参照图9，对在与密封件111重叠的部分中使用了氧化物导电层的布线118-2b与由金属材料形成的布线118-1重叠的部分的截面结构进行说明。
图9为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性端面图。具体而言，相当于表示沿着图8的B1-B3切断的截面的端面图。
布线118-1配置于基底膜128之上。布线118-1位于基底膜129与布线118-2b之间，在与布线118-2b之间具有绝缘层130。布线118-1能够在与构成像素104及扫描线驱动电路108或信号线驱动电路110的晶体管的制造工序中的底栅电极相同的层中形成。布线118-1例如可以使用铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铋(Bi)、银(Ag)、铜(Cu)、及它们的合金或化合物等。
接着，参照图10，对图7所示的布线118的变形例进行说明。
5-3.变形例3
图10为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，示出由图1所示的虚线包围的区域200中的、端子112及布线118的构成的变形例。需要说明的是，关于与图1至图9所示的显示装置10相同或类似的构成，有时省略说明。
与图7所示的布线118不同的点在于，布线118-1与布线118-11重叠。此外，不同点在于，布线118-5与布线118-12可以进一步重叠。
如图10所示，布线118-1在跨越密封件111的部分及相对于密封件111倾斜地配置的部分中与布线118-11重叠。由金属材料形成的布线118-1与布线118-11重叠，使用氧化物导电层的布线118-2与它们相邻地配置。通过将光的透过率低的布线118-1与布线118-11与光的透过率高的布线118-2相邻地配置，从而无需将布线118间的距离设置为较大。另外，通过这样的配置，重叠的布线118的数目变少。结果，与大量布线118重叠的部分的高度相比，重叠了少量布线118的部分的高度例如低于布线118-1与布线118-11重叠的部分的高度。通过如此使重叠的部分的高度降低，能够抑制因重叠的部分的高度高而产生的布线118的形成不良。
接着，参照图11，对图10所示的布线118的变形例进行说明。
5-4.变形例4
图11为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，示出由图1所示的虚线包围的区域200中的、端子112及布线118的构成。需要说明的是，关于与图1至图10所示的显示装置10相同或类似的构成，有时省略说明。
图11为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，示出由图1所示的虚线包围的区域200中的、端子112及布线118的构成。需要说明的是，关于与图1至图10所示的显示装置10相同或类似的构成，有时省略说明。
与图10所示的布线118不同的点在于，布线118-2在与密封件111重叠的部分的布线118-2b中使用氧化物导电层，在布线118-2b与端子112-2之间使用由金属材料形成的布线118-2a。另外，布线118-2b的一端与布线118-2a连接，虽未图示，布线118-2b的另一端与布线118-2c连接。
布线118-6包含与布线118-2同样的构成。布线118-6在与密封件111重叠的部分的布线118-6b中使用氧化物导电层。另外，在布线118-6b与端子112-6之间使用由金属材料形成的布线118-6a，由金属材料形成的布线118-6c连接至与连接于布线118-6a的端部不同的一端。
就本实施方式的显示装置10而言，可以将与晶体管的氧化物半导体层的源极区域164S及漏极区域164D的形成同样地形成的氧化物导电层用于布线118，所述布线118将构成像素104或扫描线驱动电路108及信号线驱动电路110的晶体管与用于连接外部电路的端子112连接。由于氧化物导电层的光的透过性高，因此通过在与密封件111重叠的布线118中使用氧化物导电层，从而能够经由氧化物导电层而向密封件111照射光，在布线的重叠部分中也能够将密封件111充分地固化。因此，本实施方式能够提供由密封件111的固化不足导致的不良、劣化被抑制的显示装置。
此外，本实施方式的显示装置10能够使多个布线118之间变窄，能够紧密地配置。由此，本实施方式的显示装置10能够在狭窄的区域内具有较多数量的布线118。因此，本实施方式能够实现高精细化及窄边框化。
＜第2实施方式＞
本实施方式中，对本发明的实施方式之一涉及的显示装置10的布线218的结构进行记述。布线218与第1实施方式的布线118的不同点之一在于，相邻地设置多个由金属材料形成的布线218，使用了氧化物导电层的布线218与多个由金属材料形成的布线218中的至少一者重叠。关于与第1实施方式相同、类似的构成，有时省略说明。
图12为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。可以向图12所示的端子212-2及端子212-5输入自动增益控制电压，向端子212-2及端子212-6供给影像信号，向端子212-11及端子212-12供给扫描信号。
布线218-1及布线218-5分别与端子212-1及端子212-5连接。布线218-2及布线218-6分别与端子212-2及端子212-6连接。布线218-11及布线218-12分别与端子212-11及端子212-12连接。
布线218-1、布线218-5、布线218-11、及布线218-12为由金属材料形成的布线。布线218-2及布线218-6使用氧化物导电层。布线218-2及布线218-6分别介由由金属材料形成的布线218-2a及布线218-6a而与端子212-2及端子212-6连接。
布线218-1与布线218-2能够在相对于多个端子212排列的方向倾斜的方向上延伸的部分中重叠。但是，根据布线218的迂回方法，在相对于多个端子212的排列方向大致垂直或平行地延伸的部分中，布线218-1与布线218-2也可以重叠。布线218-5及布线218-6能够与布线218-1和布线218-2同样地配置。
布线218-11配置于布线218-2与布线218-6之间。布线218-12也同样配置于布线218-2与布线218-6之间。
如上这样，能够使由金属材料形成的布线218-1与使用氧化物导电层的布线218-2重叠，并且，将由金属材料形成的布线218-11如图12所示那样与重叠的布线218-1及布线218-2接近而配置。
另外，布线218-2中使用的氧化物导电层在与作为构成像素104或扫描线驱动电路108及信号线驱动电路110的晶体管的有源层的氧化物半导体层相同的工序中形成。因此，氧化物导电层的膜厚小于由金属材料形成的布线218-1及布线218-11的膜厚。由此，在由金属材料形成的布线218-1与使用氧化物导电层的布线218-2重叠的情况下，重叠的部分的高度能够显著低于由金属材料形成的布线218-1与布线218-11重叠时的所重叠的部分的高度。
接着，参照图13，对图12所示的布线218的变形例进行说明。
图13为示出本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性俯视图。具体而言，示出由图1所示的虚线包围的区域200中的、相当于端子112的端子212及相当于布线118的布线218的构成。需要说明的是，关于与图1至图12所示的显示装置10相同或类似的构成，有时省略说明。
与图12不同的点在于，布线218-2在与布线218-1重叠的部分采用使用了氧化物导电层的布线218-2b，在与布线218-1不重叠的部分使用由金属材料形成的布线218-2a。如图13所示，在端子212周边，布线218-2在与布线218-1不重叠的部分使用由金属材料形成的布线218-2a。另外，虽未图示，在构成像素104及扫描线驱动电路108或信号线驱动电路110的晶体管与端子212之间，不与布线218-1重叠的部分可以使用由金属材料形成的布线218-2c。
此处，参照图14A及图14B，对布线218-2与布线218-1重叠的部分的截面结构进行说明。
图14A为表示本发明的一实施方式涉及的显示装置的端子及其周边的示意性端面图。具体而言，相当于表示沿着图13的C1-C2切断的截面的端面图。图14B为示出比较例涉及的显示装置的端子周边的示意性端面图。在比较例涉及的显示装置中，与布线218-1重叠的布线218-2使用由金属材料形成的布线。
图14A表示在布线218-1之上设置布线218-2b的本实施方式的例子。图14B表示在布线218-1之上设置由金属材料形成的布线218-2ex的比较例。
将图14A所示的布线218-1与布线218-2b重叠而层叠的部分的高度、与图14B所示的布线218-1与布线218-2ex重叠而层叠的部分的高度相比，重叠布线218-2b的部分低于布线218-2ex重叠而层叠的部分的高度。
此外，若将图14A所示的绝缘层238的凹凸与图14B所示的绝缘层238的凹凸相比，则可知图14B所示的绝缘层238的凹凸大。该凹凸对布线218的形成后或绝缘层238的形成后的制造工序产生很大影响，主要多产生布线等形成不良。特别是，在布线的形成不良中，布线所使用的金属材料等在图案以外的部位未被完全除去，未能除去的金属材料有时会引起布线的短路。
就本实施方式的显示装置10而言，可以将与晶体管的氧化物半导体层同等的膜厚的氧化物导电层用于布线218-2。由此，布线218-2与布线218-1重叠的部分能够减少对布线218-2的形成后的后续工序的影响。因此，本实施方式能够提供不良少、劣化被抑制的显示装置。
另外，就本实施方式的显示装置10而言，通过层叠地设置多个布线218，能够缩小多个布线218在显示装置内所占的面积。因此，本实施方式能够提供窄边框化的显示装置。
此外，就本实施方式的显示装置10而言，通过层叠地设置多个布线218，能够将更多的布线218设置于显示装置中，因此能够提供高精细的显示装置。
作为本发明的实施方式的上述各实施方式只要彼此不矛盾，就可以适当组合而实施。以各实施方式为基础，本领域技术人员适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更而得的实施方式、或者进行工序的追加、省略、或条件变更而得的实施方式只要具备本发明的主旨，则也包含在本发明的范围内。
另外，应理解，根据本说明书的记载能明确的或本领域技术人员能够容易预料的作用效果，即使是不同于通过上述的各实施方式的形态所获得的其他作用效果，当然也是通过本发明可获得的。

Claims (10)

1.显示装置，其包含：
具有氧化物半导体层的多个晶体管；
与所述多个晶体管电连接的第1端子；
与所述多个晶体管电连接、且与所述第1端子相邻的第2端子；
与所述多个晶体管及所述第1端子电连接、且位于所述多个晶体管与所述第1端子之间的第1布线；和
与所述多个晶体管及所述第2端子电连接、且位于所述多个晶体管与所述第2端子之间的第2布线，
所述第1布线由金属材料形成，
所述第2布线包含具有与所述氧化物半导体层相同组成的氧化物导电层。
2.如权利要求1所述的显示装置，其还包含：
分别配置有所述多个晶体管中的至少一个的多个像素；和
将所述多个像素包围的密封件，
所述密封件与所述第2布线重叠。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第2布线还包含由金属材料形成的第3布线及第4布线、和位于所述第3布线与所述第4布线之间的第5布线，
所述第3布线与所述第2端子连接，
所述第4布线与所述多个晶体管连接，
所述密封件与所述第5布线重叠。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第2布线与所述第1布线重叠。
5.如权利要求4所述的显示装置，其还具有配置有所述多个晶体管的基板，
所述第1布线设置于所述基板与所述氧化物半导体层之间的层。
6.如权利要求5所述的显示装置，其还包含：
与所述多个晶体管电连接、且与所述第1端子相邻的第3端子；和
与所述多个晶体管及所述第3端子电连接、且位于所述多个晶体管与所述第3端子之间的第6布线，
所述多个晶体管在所述基板与栅电极之间具有所述氧化物半导体层，
所述栅电极与所述第6布线电连接，
所述第6布线与所述第2布线相邻地配置。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第6布线与所述第1布线重叠。
8.如权利要求7所述的显示装置，其还包含：
分别配置有所述多个晶体管中的至少一个的多个像素；和
将所述多个像素包围的密封件，
所述第2布线还包含由金属材料形成的第3布线及第4布线、和位于所述第3布线与所述第4布线之间的第5布线，
所述第3布线与所述第2端子连接，
所述第4布线与所述多个晶体管连接，
所述密封件与所述第5布线重叠。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述氧化物半导体层具有沟道区域、和夹着沟道区域的源极区域及漏极区域，
所述氧化物导电层包含与所述源极区域及所述漏极区域相同的杂质元素。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述第2布线与所述源极区域或所述漏极区域电连接。
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