CN118044357A - 透明导电压电膜、触摸面板以及透明导电压电膜的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，实现透明性优异的导电压电膜。本发明的透明导电压电膜(11)的波长450nm的透射率为75％以上，波长550nm的透射率为85％以上，压电常数d33为5pC/N以上且40pC/N以下，该透明导电压电膜具备透明电极层(4)。

Description

透明导电压电膜、触摸面板以及透明导电压电膜的制造方法
技术领域
本发明涉及一种透明导电压电膜、触摸面板以及透明导电压电膜的制造方法。
背景技术
作为能够通过触摸画面来输入信息的设备，广泛使用触摸面板。触摸面板是将透射光的输入装置配置在液晶面板等显示装置上的触摸面板，作为代表性的形式，有利用在画面与手指之间产生的电容的变化的静电电容式触摸面板。此外，近年来，设计出各种除触摸位置信息以外还对触摸时的压入量进行检测的静电电容式触摸面板。在这样的触摸面板中，为了检测触摸时的压入量，使用有在压电膜上层叠有由包含氧化锡的氧化铟(锡掺杂氧化铟，ITO)或氧化锌等金属氧化物形成的透明导电层的导电压电膜。
再者，已知有在基材并非压电膜的以往的导电性膜的制造过程中，通过退火处理使金属氧化物层结晶化的技术(例如，参照专利文献1)。通过该退火处理，可见光短波长区域的透射率提高，导电性膜的透明性提高，黄色的显色被抑制，表面电阻值变小，由此可以提高导电性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-074792号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，压电膜与其他导电性膜的基材相比耐热性低，因此有时因退火处理而黄色的显色更明显。为了得到不进行退火处理也具有充分的导电性的导电压电膜，需要增加金属氧化物层的厚度，但存在因结晶化不充分的金属氧化物层的厚度增加，导致导电压电膜的透明性下降与黄色的显色变得明显的倾向。在如上所述地将透明性不充分且呈现黄色的导电压电膜用作触摸面板的输入设备的构件的情况下，存在难以准确表现出配置在输入设备下的显示设备的显色的问题。
本发明的一个方案的目的在于，实现透明性优异的导电压电膜。
技术方案
为了解决上述问题，本发明的一个方案的透明导电压电膜是波长450nm的透射率为75％以上，波长550nm的透射率为85％以上，压电常数d33为5pC/N以上且40pC/N以下，所述透明导电压电膜具备透明电极层，所述透明电极层的表面电阻值为50Ω/sq以上且小于300Ω/sq的透明导电压电膜。
此外，为了解决上述问题，本发明的一个方案的透明导电压电膜的制造方法的一个方案为在透明压电膜的至少一个面上依次重叠第一透明涂层、第二透明涂层以及透明电极层而构成的层叠膜的制造方法，所述制造方法包括：第一工序，制造形成折射率为1.30以上且小于1.45的膜的所述透明压电膜；第二工序，在所述透明压电膜的至少一个面上形成折射率为1.60以上且小于1.80的所述第一透明涂层；第三工序，在所述第一透明涂层的表面形成折射率为1.30以上且小于1.50、厚度为10nm以上且70nm以下的所述第二透明涂层；和第四工序，在所述第二透明涂层的表面形成折射率为1.80以上且2.20以下、厚度为20nm以上且小于40nm的所述透明电极层。
有益效果
根据本发明的一个方案，可以实现透明性优异的导电压电膜。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的透明导电压电膜11。
图2为本发明的一个实施方式的透明导电压电膜12。
具体实施方式
以下，对本发明的一个实施方式进行详细说明。
〔透明导电压电膜〕
本发明的一个实施方式的透明导电压电膜为对压电膜赋予透明电极层而成的膜。本实施方式的透明导电压电膜的波长450nm的透射率为75％以上，波长550nm的透射率为85％以上，压电常数d33为5pC/N以上且40pC/N以下。该透明导电压电膜的压电特性、透明性以及导电性优异，可以优选地用于触摸面板等设备。
(透射率)
本实施方式的透明导电压电膜中，只要波长450nm的透射率为75％以上，波长550nm的透射率为85％以上即可。通过使透明导电压电膜的波长450nm和波长550nm的透射率在该范围，可以成为抑制了颜色且无浑浊的透明导电压电膜。因此，可以优选地用于要求透明性的设备。例如，在用于触摸面板等设备的情况下，透明便不会妨碍触摸面板的显示画面，因此优选。
波长450nm的透射率优选为78％以上，更优选为80％以上。可以判断波长450nm的透射率在该范围内的透明导电压电膜为特别抑制了黄色的膜。
此外，透明导电压电膜的波长550nm的透射率为85％以上，优选为87％以上，更优选为89％以上。可以判断波长550nm的透射率在该范围内的透明导电压电膜为在设备等中以光学用途使用时充分让光透射，且具有高透明性的透明导电压电膜。
该透明导电压电膜的波长450nm透射率和波长550nm透射率只要在上述情况下可以充分得到所期望的效果即可以，例如波长450nm透射率和波长550nm透射率分别可以为97％以下。波长450nm透射率和波长550nm透射率越接近100％越优选。以下，本说明书中，“透明性”是指通过波长450nm透射率和波长550nm透射率所评价的光学特性，“透明”或“透明性高”是指波长450nm透射率为75％以上和波长550nm透射率为85％以上的状态。
(压电常数)
本实施方式的透明导电压电膜的压电常数d33只要为5pC/N以上即可，优选为8pC/N以上，更优选为10pC/N以上。此外，透明导电压电膜的压电常数d33只要为40pC/N以下即可，优选为30pC/N以下，更优选为20pC/N以下。这样的压电常数经由透明导电压电膜所具备的压电膜实现。
压电常数d33表示相对于施加应力的应力方向的电压的位移量。压电常数d33越大，对于应力所产生的电压越大，用于任意设备时越优选。从对透明导电压电膜赋予充分的压电特性的观点考虑，优选为压电常数d33尤其不要低于下限。此外，从膜的表面性的方面考虑，优选为压电常数d33尤其不要超过上限。
具有这样的压电常数d33的透明导电压电膜被期待应用于广泛的器件。例如，期待在音响、安保、交通以及医疗领域中应用于任意压力传感器和振动传感器等传感器、开关、能量收集元件、以及致动器等。压电常数d33的范围在上述范围内的透明导电压电膜特别适合用于触摸面板。
(透明电极层)
透明导电压电膜具备透明电极层。透明电极层是具有透明性、导电性以及平面状范围的构造。俯视时的透明电极层的形状可以根据透明导电压电膜的用途而适当设定。需要说明的是，透明电极层的详细情况在<透明导电压电膜的具体例子>中详述。
透明导电压电膜的表面电阻值可以根据用途决定。例如，从实现同时具有高透明性与导电性的透明导电压电膜的观点考虑，表面电阻值可以为50Ω/sq以上，可以为70Ω/sq以上，进一步可以为90Ω/sq以上。此外，该表面电阻值也可以小于480Ω/sq。通过使表面电阻值在该范围，可以作为具有导电性的膜用于任意器件。进而，该表面电阻值可以小于300Ω/sq。表面电阻值在该范围的透明导电压电膜的表面电阻值小，可以优选地用于例如触摸面板这样的设备。
<透明导电压电膜的具体例子>
为了制成上述透明导电压电膜，透明导电压电膜也可以为重叠多层任意层而构成的层叠膜。透明导电压电膜为具有在透明压电膜的至少一个面上依次重叠有第一透明涂层、第二透明涂层以及透明电极层的构造的层叠膜。
本实施方式中，“依次重叠”是指在包含上述层的层叠物中该层以列举出的顺序邻接配置的状态。
在此，将透明导电压电膜11作为透明导电压电膜的一个例子而示于图1。透明导电压电膜11为在透明压电膜1的一个面上依次重叠第一透明涂层2、第二透明涂层3以及透明电极层4而构成的层叠膜。需要说明的是，透明导电压电膜11并不限定于图1所示的构成，也可以为进一步具备其他层构造的构成。
透明导电压电膜11也可以为透明压电膜1与第一透明涂层2隔着第三透明涂层5而重叠的透明导电压电膜。即，也可以制成在透明压电膜1与第一透明涂层2之间具备第三透明涂层5的透明导电压电膜。将这样的透明导电压电膜作为透明导电压电膜12示于图2。透明导电压电膜12为在透明压电膜1的一个面上依次重叠第三透明涂层5、第一透明涂层2、第二透明涂层3以及透明电极层4而构成的层叠膜。
透明导电压电膜11中，例如透明压电膜1的折射率为1.30以上且小于1.45，第一透明涂层2的折射率为1.60以上且小于1.80，第二透明涂层3的折射率为1.30以上且1.50以下，透明电极层4的折射率为1.80以上且2.20以下。通过使各层的折射率在该范围内，可以成为透明性高的透明导电压电膜11。特别是通过使第一透明涂层2和第二透明涂层3的折射率在该范围内，波长550nm的透射率提高。
在透明导电压电膜11为透明导电压电膜12的情况下，第三透明涂层5的折射率可以为1.45以上且小于1.60。通过使透明导电压电膜12具备第三透明涂层5，可以提高透明性。
需要说明的是，在本实施方式中，“折射率”是指波长589nm时的折射率。
第一透明涂层2和第二透明涂层3的折射率根据JIS K7142测定出。具体而言，对于试验性制作出的各涂层，使用阿贝折射率计，使波长589nm的测定光入射到各层，在25.0±1.0℃下测定3次，将测定值的平均作为折射率。
透明电极层4的折射率为通过多入射角高速光谱椭偏仪(J.A.Woollam公司制：M-2000)测定Psi(Ψ)以及Delta(Δ)，由此计算出波长589nm时的折射率。
透明压电膜1的折射率依据ASTM D542测定出。
此外，透明导电压电膜11中，例如第二透明涂层3的厚度为10nm以上且70nm以下。即使各层的折射率在规定的范围，若第二透明涂层3的厚度在该范围外，则也有时波长450nm的透射率变低，且有时成为带有黄色的透明导电压电膜。通过在将各层的折射率设为规定的范围的基础上，将第二透明涂层3的厚度设为该范围，可以使透明导电压电膜11以高水准兼顾波长450nm的透射率和波长550nm的透射率。
进而，透明导电压电膜11中，透明电极层4的厚度例如为13nm以上且小于40nm。通过使透明电极层4的厚度在该范围，可以对透明导电压电膜11赋予优选的表面电阻值和透明性。
以下，对透明导电压电膜11和透明导电压电膜12中的各层进行详细说明。需要说明的是，透明导电压电膜11中，通过将各层的折射率设为后述的“进一步优选的”范围，可以成为透明性更高的透明导电压电膜。
(透明压电膜1)
透明导电压电膜11中所含的透明压电膜1是指具有压电性且透明的膜。在此，透明压电膜1的“透明”是指波长450nm的透射率和波长550nm的透射率优异的膜。具体而言，透明压电膜1的波长450nm的透射率可以为88％以上，优选为90％以上。此外，透明压电膜1的波长550nm的透射率也可以为89％以上，优选为91％以上。
透明压电膜1的折射率例如为1.30以上且小于1.45。透明压电膜1的折射率只要在该范围内即可，优选为1.34以上，进一步优选为1.36以上。此外，折射率优选为1.44以下，进一步优选为1.43以下。
在本实施方式中，透明压电膜1为树脂制膜。关于本实施方式中的树脂，只要膜具有压电常数d33所示的压电特性就可以为任意树脂，可以为一种树脂，也可以为组合两种以上的树脂。作为满足上述条件的树脂，可列举出氟树脂、聚酰胺11、纤维素、聚氨酯以及聚脲等。
上述树脂中，优选氟树脂。通过使透明压电膜为氟树脂制，可以得到透明性和压电常数d33所示的压电特性优异的透明导电压电膜。需要说明的是，在本实施方式中，实施方式中的“氟树脂制”是指在构成透明压电膜的组合物中氟树脂为主要成分。此外，“氟树脂为主要成分”是指，在该组合物中氟树脂为树脂成分中最多的成分。该组合物中的氟树脂的含量优选为51质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为100质量％。即，透明压电膜1特别优选为由氟树脂形成的膜。
氟树脂中优选偏氟乙烯树脂。在偏氟乙烯树脂的例子中包括偏氟乙烯的均聚物和偏氟乙烯的共聚物。源自偏氟乙烯的共聚物中的偏氟乙烯以外的单体的结构单元的含量可以在能够表现与透明压电膜的用途对应的特性的范围内适当地决定。
在偏氟乙烯的共聚物中的偏氟乙烯以外的单体的例子中包括烃系单体和氟化合物。作为该烃系单体的例子，可列举出：氟乙烯(VF)、三氟乙烯(TrFE)、四氟乙烯(TeFE)、六氟丙烯(HFP)、1-氯-1-氟乙烯(1，1-CFE)、1-氯-2-氟乙烯(1，2-CFE)、1-氯-2，2-二氟乙烯(CDFE)、氯三氟乙烯(CTFE)、三氟乙烯单体、1，1，2-三氟丁烯-4-溴-1-丁烯、1，1，2-三氟丁烯-4-硅烷-1-丁烯、全氟烷基乙烯基醚、全氟甲基乙烯基醚(PMVE)、全氟丙基乙烯基醚(PPVE)、全氟丙烯酸酯、丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、以及丙烯酸2-(全氟己基)乙酯等氟单体；以及乙烯、丙烯、顺丁烯二酸酐、乙烯醚、乙烯酯、烯丙基缩水甘油醚、丙烯酸系单体、甲基丙烯酸系单体、以及乙酸乙烯酯等烃系单体。作为共聚物中的偏氟乙烯以外的单体，其中优选为三氟乙烯、四氟乙烯、以及六氟丙烯。
例如，偏氟乙烯共聚物可以为偏氟乙烯和三氟乙烯共聚而成的偏氟乙烯共聚物(VDF/TrFE)、偏氟乙烯和六氟丙烯共聚而成的偏氟乙烯共聚物(VDF/HFP)、以及偏氟乙烯和四氟乙烯共聚而成的偏氟乙烯为共聚物(VDF/TeFE)这样的二元系共聚物。二元系共聚物优选为偏氟乙烯与共聚单体的混合比为50∶50～90∶10的二元系共聚物。可列举出使偏氟乙烯与四氟乙烯以80∶20的混合比共聚而成的偏氟乙烯共聚物(VDF/TeFP)。此外也可以为使偏氟乙烯、三氟乙烯以及六氟丙烯以40∶40∶20的混合比共聚而成的偏氟乙烯共聚物(VDF/TFE/HFP)这样的三元系共聚物。
在本实施方式中，优选地使用偏氟乙烯的均聚物、以及偏氟乙烯与四氟乙烯的共聚物。
本实施方式的透明压电膜也可以在能得到本实施方式的效果的范围内包含各种添加剂。该添加剂可以为一种也可以为一种以上，在其例子中包括：增塑剂、润滑剂、交联剂、紫外线吸收剂、pH调整剂、稳定剂、抗氧化剂、表面活性剂以及颜料。
本实施方式中的透明压电膜1的厚度可以根据透明导电压电膜11的用途，从得到本实施方式的效果的范围内适当决定。透明压电膜1的厚度若过薄，则有时机械强度不足，若过厚，则有时效果有限，或透明性不足而难以用于光学用途。从这样的观点考虑，透明压电膜1的厚度也可以为20μm以上，优选为30μm以上，进一步优选为35μm以上。而且，透明压电膜1的厚度也可以小于200μm，优选为120μm以下，进一步优选为80μm以下。
(透明电极层4)
本实施方式中的透明电极层4为重叠在第二透明涂层3上的层状电极。
本实施方式中的透明电极层4为具有平面状范围且具有导电性与充分的透明性的构造，也称为透明导电层。构成透明电极层4的材料本身也可以为不具有透明性的材料，只要在透明电极层4能够发挥其功能的构造中，该层表现出充分的透明性即可。例如，透明电极层4可以由具有高透明性的导电性构件或组成构成，也可以为由不具有透明性的导电性材料构成但可表现出充分的透明性的极薄或极细的微细构造。
透明电极层4也可以形成在透明基板上，与该基板一起粘接于第二透明涂层3。透明电极层4只要配置于透明压电膜1的至少单面侧即可。在将第一透明涂层2和第二透明涂层3形成在透明压电膜的两面侧的情况下，透明电极层4只要配置于至少任一侧的第二透明涂层3上即可。
构成透明电极层4的材料并无限定，优选地使用选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd以及W构成的组中的至少一种金属的金属氧化物。该金属氧化物优选为使用ITO(IndiumTinOxide，铟-锡复合氧化物)、氧化锌或锑-锡复合氧化物(ATO)等，特别优选为使用ITO。该金属氧化物中也可以根据需要掺杂上述组中所示的金属原子。
就本实施方式中的透明导电压电膜11而言，为了避免透明压电膜1的变色，需要避免在其加工中以高温加热。因此，在透明电极层4的材料为金属氧化物的情况下，有时金属氧化物成为无定形物质。例如可以利用穿透式电子显微镜的观察像确认透明电极层4由无定形物质的材料构成。本说明书中，将未观察到微晶以外的结晶的物质称为无定形物质，将结晶生长至观察到晶粒的程度的物质称为结晶质。
透明电极层4中的非晶性可以利用X射线绕射法求出，且该非晶性可以通过如下方式调整：形成透明电极层4后的退火这样的在透明电极层4制作中促进结晶化的工序的实施有无和实施程度。
在一个方案中，透明电极层4由铟-锡复合氧化物构成。在又一方案中，透明电极层4由铟-锡复合氧化物构成，且成为X射线衍射中未检测到铟-锡复合氧化物的峰。根据该构成，可以制成无定形物质且折射率在优选范围内的透明电极层4。
透明电极层4的折射率例如为1.80以上且2.20以下。只要透明电极层4的折射率在该范围内就无限制，优选为1.83以上，进一步优选为1.85以上。此外，透明电极层4的折射率优选为2.00以下，进一步优选为1.94以下。
特别是包含折射率为1.94以下的透明电极层4的透明导电压电膜为未以高温加热而制造的膜。因此，透明压电膜1的透明性和色调未因高温处理而受损，可以制成优选的透明导电压电膜。其中，优选为包含折射率为1.94以下且无定形物质的透明电极层4的透明导电压电膜。
另一方面，在透明电极层4的材料为无定形物质的情况下，透明电极层4的材料本身为有黄色色调的材料。堆积有这样的透明电极层4的透明导电压电膜11中，即使其他层为透明，也有成为具有色调的膜的倾向。然而，通过如本发明的一个实施方式的透明导电压电膜11那样地调节各层的折射率，可以实现具有优选光学特性的透明导电压电膜11。
透明电极层4的厚度只要为13nm以上即可，优选为15nm以上，进一步优选为20nm以上。若透明电极层4的厚度过薄，则有可能透明导电压电膜11的电阻变高，此外有可能透明电极层4中形成非连续部分。通过使透明电极层4的厚度不低于上述下限，可以制成透明导电压电膜11的电阻小于480Ω/sq的具有良好的导电性的连续覆膜。
特别是透明电极层4的厚度优选为20nm以上。通过使透明电极层4的厚度为20nm以上，可以成为表面电阻值小于300Ω/sq的更优选的透明导电压电膜。
另一方面，透明电极层4的厚度只要小于40nm即可，优选为小于38nm，进一步优选为小于35nm。若透明电极层4的厚度变得过厚，则有时导致透明性下降等。通过不超过透明电极层4的上述上限，可以提高透明导电压电膜的透明性。需要说明的是，透明电极层4的厚度通过根据透明导电压电膜11的剖面的观察来求得的以下方法求出。
将透明导电压电膜包埋于环氧树脂中，且以透明导电压电膜的剖面露出的方式将环氧树脂块切断。使用扫描型电子显微镜(“SU3800”，株式会社Hitachi HighTech制)在加速电压3.0kV、倍率50000倍的条件下对露出的透明导电压电膜的剖面进行观察，对透明导电压电膜中的各涂层和透明电极层的厚度进行测定。
需要说明的是，在各涂层和透明电极层的厚度的测定中，测定各涂层和透明电极层中任意两处的厚度，将在各层所得的测定值的平均值设为各层的厚度。需要说明的是，在上述的观察条件下，观察到各层的界面为大致平滑的线。在该情况下，各层的厚度的测定为测定该线间的距离。
如上所述，从维持透明导电压电膜11的导电性和提高透明性的观点考虑，透明电极层4的厚度是重要的。进而，通过透明导电压电膜11的第一透明涂层、第二透明涂层以及透明电极层以及任意设置的第三透明涂层的折射率和各自厚度的优选组合，优选地调整为消除各层的界面反射，从而透明性进一步提高。
(第一透明涂层2)
本实施方式中的第一透明涂层2是位于透明压电膜1与第二透明涂层3之间的层。
第一透明涂层2的折射率为1.60以上且小于1.80。第一透明涂层2的折射率只要在该范围内就没有限制，优选为1.63以上，进一步优选为1.65以上。此外，第一透明涂层2的折射率优选为1.75以下，进一步优选为1.72以下。
第一透明涂层2的材料只要是满足这样的折射率的材料就可以从能够使用的所有材料中适当选择。该材料可以为无机材料也可以为有机材料，也可以为无机-有机混合材料或它们的复合材料。此外，可以为一种材料也可以为两种以上的混合材料或复合材料，从提高透明导电压电膜的透明性的观点考虑，优选为一种材料或其中进一步含有后述的金属氧化物粒子的复合材料。此外，所述涂层的材料也可以是硬涂层的材料。在该材料的例子中包括：三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、(甲基)丙烯酸酯树脂、硅烷化合物以及金属氧化物。需要说明的是，“(甲基)丙烯酸”是丙烯酸和甲基丙烯酸的总称，是指它们中的一方或两方。特别是，从充分的透明性、材料种类的丰富性以及原料价格的低廉性的观点考虑，优选为(甲基)丙烯酸酯树脂。
第一透明涂层2的材料也可以包含构成透明涂层所需的其他材料。若为(甲基)丙烯酸酯树脂制透明涂层的材料，通常可以使用将引发剂、低聚物、单体以及其他成分混合而成的组合物。在该情况下，透明涂层的物性主要由低聚物和单体决定。该低聚物的例子中，包含单官能或多官能的(甲基)丙烯酸酯。上述单体的例子中，包含聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯。
也可以通过在上述材料中加入金属氧化物粒子来调整第一透明涂层2的折射率。金属氧化物微粒的折射率优选为1.50以上的该金属氧化物微粒，可列举出：氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化锌以及氧化锡，其中，优选为氧化钛以及氧化锆。
第一透明涂层2还可以进一步包含用于表现出任意功能的材料。例如，第一透明涂层2也可以包含防带电剂。在防带电剂的例子中包括：表面活性剂、五氧化锑、铟-锡复合氧化物(ITO)以及导电性高分子。
第一透明涂层2的优选厚度根据透明导电压电膜中的第三透明涂层5的有无而不同。在不具备第三透明涂层5的透明导电压电膜11中，第一透明涂层2的厚度可以为400nm以上，优选为450nm以上，进一步优选为500nm以上。此外，第一透明涂层2的厚度可以小于1300nm，优选为1000nm以下，进一步优选为800nm以下。
在不具备第三透明涂层5的透明导电压电膜的情况下，第一透明涂层不仅需要具有规定折射率以提高透明导电压电膜的透明性，也需要防止透明压电膜1的表面的损伤和凹凸等。通过使第一透明涂层2的厚度特别不低于下限，可以防止透明压电膜1的表面的损伤和凹凸等，因此透明压电膜1的透明性提高。另一方面，从提高透明压电膜的薄膜化和膜透明性的观点考虑，优选使第一透明涂层2的厚度特别不超过上限。
具备第三透明涂层5的透明导电压电膜12中，第一透明涂层2的厚度可以为60nm以上，优选为70nm以上，进一步优选为83nm以上。此外，第一透明涂层2的厚度可以小于300nm，优选为250nm以下，进一步优选为230nm以下。通过使第一透明涂层的厚度在该范围，可以对透明导电压电膜11赋予透明性。
(第二透明涂层3)
本实施方式中的第二透明涂层3为位于第一透明涂层2与透明电极层4之间的层。
第二透明涂层3的折射率例如为1.30以上且1.50以下。第二透明涂层3的折射率只要在该范围内即可，优选为1.35以上，进一步优选为1.37以上。此外，第二透明涂层3的折射率优选为1.48以下，进一步优选为1.47以下。
第二透明涂层3的材料只要为满足这样的折射率的材料就可以从能够使用的所有材料中适当选择。例如，从作为第一透明涂层2的材料所例示的材料中以成为恰当折射率的方式适当选择材料即可。此外，为了调整折射率，可以包含选自由NaF、Na3AlF6、LiF、MgF2、CaF2以及BaF2构成的组中的一种以上的金属氟化物或二氧化硅。其中，优选为二氧化硅。
此外，第二透明涂层3的材料也可以与关于第一透明涂层2的材料所记载的材料同样地包含构成透明涂层所需的其他材料。
第二透明涂层3的厚度只要为10nm以上且70nm以下即可。第二透明涂层3的厚度优选为15nm以上，进一步优选为20nm以上。此外，第二透明涂层3的厚度优选为68nm以下，进一步优选为65nm以下。通过使第二透明涂层3的厚度在上述范围内，可以提高透明导电压电膜11的透明性和色调。
(第三透明涂层5)
第三透明涂层5为透明导电压电膜中任意设置的层。在存在第三透明涂层5的情况下，第三透明涂层5为与透明压电膜1直接接触的层。例如为如透明导电压电膜12那样地位于透明压电膜1与第一透明涂层2之间的层。此外，在第一透明涂层2仅存在于透明压电膜1的一个面的情况下，也可以在透明压电膜1的另一个面具备第三透明涂层5。透明导电压电膜11也可以在透明压电膜1的两面具备第三透明涂层5。
第三透明涂层5的折射率可以为1.45以上，优选为1.48以上，进一步优选为1.50以上。此外，第三透明涂层5的折射率可以小于1.60，优选小于1.58，进一步优选小于1.55。通过在透明压电膜1的至少一个面具备这样的第三透明涂层5，可以提高透明导电压电膜12的透明性。
第三透明涂层5的材料只要为满足这样的折射率的材料就可以从能够使用的所有材料中适当选择即可。例如，从作为第一透明涂层2的材料所例示的材料中以成为恰当折射率的方式适当选择材料即可。此外，第三透明涂层5可以是也被称为所谓硬涂层的用于防止损伤的透明表面保护层。优选为实现优选折射率的材料且进一步耐擦伤性优异的材料。
从膜彼此的结块防止和粘接性的观点考虑，也可以在第三透明涂层5的材料中添加无机粒子和聚合物珠等。该无机粒子例如可以使用合成二氧化硅、滑石、硅藻土、碳酸钙、长石类或石英类等，特别是从塑料膜的高品质化的观点考虑，可以更优选使用合成二氧化硅。合成二氧化硅例如可列举出SiO2。
第三透明涂层5的厚度可以为500nm以上，优选为700nm以上，进一步优选为900nm以上。通过使第三透明涂层5的厚度不低于下限，可以期待透明压电膜1的保护效果。此外，从膜的薄膜化的观点考虑，第三透明涂层5的厚度可以为1400nm以下，优选为1200nm以下，进一步优选为1100nm以下。通过使第三透明涂层的厚度不超过上限，可以抑制压电常数d33所示的压电特性下降。此外，可以抑制龟裂和因将透明导电压电膜组入器件的工序中的加热所引起的透明导电压电膜的卷曲等品质下降。通过使第三透明涂层5的厚度在上述范围内，可以成为透明性提高的透明导电压电膜12。
〔器件〕
本发明的一个实施方式的器件具有上述的一个实施方式的透明导电压电膜。该器件只要具备本实施方式中的透明导电压电膜，就可以为任意的器件。例如，透明导电压电膜的位置和个数可以根据器件的用途或所需功能而适当决定。
一个实施方式的透明导电压电膜如上所述具有优选的导电性和高压电常数。此外，透明导电压电膜的各层可以油墨化，可以通过涂布或印刷形成。进而，一个实施方式的透明导电压电膜具有化学稳定性和膜的柔软性。由于这些特征，研究一个实施方式的透明导电压电膜对具有挠性的压力传感器和振动传感器等传感器、能量收集元件、以及致动器等器件的应用。需要说明的是，本发明的一个实施方式的透明导电压电膜基于其导电性和压电性而言特别优选应用于触摸面板等。
需要说明的是，在将一个实施方式的透明导电压电膜应用于器件的情况下，其制造中，透明粘合片不仅可以形成在任意透明涂层上，也可形成在要通过透明粘合片而与透明涂层粘接的其他层上。在该情况下，透明粘合片层可以位于透明涂层侧，也可以不位于透明涂层侧。
组装有一个实施方式的透明导电压电膜的器件中，透明导电压电膜也作为电极发挥功能，因此可以削减以往器件中所包含的例如由PET/ITO形成的电极层。因此，可以使器件的层构成比以往简化。
〔透明压电膜的制造方法〕
以下，对于透明导电压电膜的制造方法，以透明导电压电膜11的制造方法为例进行说明。透明导电压电膜11的制造方法为在透明压电膜1的至少一个面上依次重叠第一透明涂层2、第二透明涂层3以及透明电极层4而构成的层叠膜的制造方法。该制造方法包括：第一工序，制造形成折射率为1.30以上且小于1.45的膜的透明压电膜1；第二工序，在透明压电膜1的至少一个面上形成折射率为1.60以上且小于1.80的第一透明涂层2；第三工序，在第一透明涂层2的表面形成折射率为1.30以上且小于1.50、厚度为10nm以上且70nm以下的第二透明涂层3；和第四工序，在第二透明涂层3的表面形成折射率为1.80以上且2.20以下、厚度为20nm以上且小于40nm的透明电极层4。
第一工序只要为制作透明压电膜1的工序即可，也可以根据要制作的透明压电膜1的种类而适当变更或追加工序。例如，可以通过连续进行利用浇铸法、热压法以及熔融挤出法等以往公知的方法制作树脂膜的工序、使树脂膜延伸的工序、以及对非极化的树脂膜进行极化处理的工序而制作透明压电膜1。
第二工序至第四工序可以利用湿式涂布法和干式涂布法等公知涂布方法优选地实施。通常，湿式涂布法为涂布材料来形成层，因此适于形成膜厚大的层，干式涂布法为使材料微细地堆积来形成层，因此适于形成膜厚小的层。通过根据这样的优点来应用公知技术，可以优选地实施第二工序至第四工序的各工序。
第二工序为形成第一透明涂层的工序。第二工序可以通过公知的方法实施，例如可以利用湿式涂布法实施，也可以利用干式涂布法实施。
从生产性和制造成本的方面考虑，特别优选湿式涂布法。利用湿式涂布法的第二工序中，只要将第一透明涂层的材料涂布于第一工序中所制作的透明压电膜1的至少一个面即可。涂布方法可以为以往公知的方法，没有特别限制。从生产性和制造成本的方面考虑，特别优选为湿式涂布法。湿涂法可以为公知的方法，例如作为代表性的方法，可列举出：辊涂法、旋涂法、浸渍涂布法、凹版涂布法等。其中，从生产性的方面考虑，更优选辊涂法、凹版涂布法等能连续地形成层的方法。
在第一透明涂层2的材料的涂布时，例如使用棒涂机和凹版涂布机等即可。材料的涂布后也可以在50℃～180℃的条件下使其干燥0.5～60分钟。进而，也可以利用UV(Ultraviolet，紫外线)照射使干燥的第一透明涂层2的涂膜固化。利用UV照射的固化例如使用UV照射器件以50～1200mJ/cm2的累积光量照射UV即可。第二工序中使用的器件、材料的浓度以及温度等条件可以参照第一透明涂层2的材料和膜厚等而适当变更。
在利用干式涂布法的第二工序中，只要利用公知的干式涂布法使第一透明涂层的材料附着在第一工序中制作的透明压电膜1的至少一个面即可。干式涂布法例如可列举出：溅射法、真空蒸镀法、离子电镀法等作为代表性方法。这些方法只要根据所需膜厚适当选择即可。
作为一个例子，在采用溅射法作为第二工序的情况下，作为靶材，使用构成第一透明涂层的金属等。该靶材可以根据第一透明涂层的所需折射率，从公知的靶材中适当选择。此外，作为溅射气体，例如可列举出Ar等惰性气体。此外，根据需要，可以并用氧气等反应性气体。
第三工序为形成第二透明涂层的工序。第三工序中，只要利用公知方法将第二透明涂层3的材料所形成的覆膜应用于第二工序中制作的第一透明涂层2即可。例如，可以与第一透明涂层2同样地使用湿式涂布法涂布第二透明涂层3的材料。此外，也可以根据第二透明涂层3的材质，利用溅射法等干式涂布法形成覆膜。第三工序的装置、材料的浓度以及温度等条件可以与第二工序相同。需要说明的是，第二透明涂层3的膜厚的调整可以通过调整材料的浓度或溅射时间来实现。
第四工序为形成透明电极层的工序。第四工序中，只要利用公知方法使透明电极层4形成在第三工序中制作的第二透明涂层3上即可。在透明电极层4的形成时，例如利用溅射法、真空蒸镀法、离子电镀法等方法使透明电极层4的材料附着即可。或者，在透明电极层4的形成时，也可以与第一透明涂层2和第二透明涂层3同样地使用湿式涂布法涂布透明电极层的材料。
以下，以在第四工序中采用溅射法形成透明电极层的构成为一个例子，对第四工序更详细地进行说明。在采用溅射法的情况下，作为靶材，可列举出构成透明电极层4的上述无机物，优选为可列举出ITO。ITO的氧化锡浓度例如为0.5质量％以上，优选为2质量％以上，且例如为15质量％以下，优选为13质量％以下，进一步优选为7质量％以下。
作为溅射气体，例如可列举出Ar等惰性气体。此外，根据需要，可以并用氧气等反应性气体。在并用反应性气体的情况下，反应性气体的流量比没有特别限定，相对于溅射气体和反应性气体的合计流量比，例如为0.1流量％以上且5流量％以下。
从抑制溅射速率降低、放电稳定性等观点考虑，溅射时的气压例如为1Pa以下，优选为0.7Pa以下。
在溅射法中使用的电源例如可以为DC(DirectCurrent，直流)电源、AC(AlternatingCurrent，交流)电源、MF(MediumFrequency，中频)电源以及RF(RadioFrequency，射频)电源中的任意种，此外，也可以为它们的组合。
本实施方式的制造方法只要包括第一工序～第四工序，就还可以包括其他工序。例如，也可以在第一工序与第二工序之间，在透明压电膜1上形成第三透明涂层5。第三透明涂层5只要利用公知方法将第三透明涂层5的材料涂布在第一工序中制作的透明压电膜1上即可。
进而，也可以添加将其他层构成追加于透明导电压电膜11的工序。此外，也可以添加对透明压电膜1进行电晕处理来提高与第一透明涂层2的密接性的工序。
根据本实施方式的制造方法，可以制造具有高透明性和优选色调的透明导电压电膜11。
在本实施方式的制造方法中，也可以在第四工序后不实施透明电极层4的退火处理。通过不进行退火处理，不损害透明压电膜1的色调，因此可以制作能优选地用于显示器等器件的透明导电压电膜11。
本发明不限定于上述的各实施方式，可以在权利要求所示的范围内进行各种变更。将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包括在本发明的技术的范围内。
(总结)
本发明也可以表示如下。
本方案1的透明压电膜的波长450nm的透射率为75％以上，波长550nm的透射率为85％以上，压电常数d33为5pC/N以上且40pC/N以下，所述透明导电压电膜具备透明电极层，所述透明电极层的表面电阻值为50Ω/sq以上且小于300Ω/sq。这样的透明导电压电膜的压电特性、透明性以及导电性优异，可以优选地用于广泛的器件。
本方案2的透明导电压电膜是在本方案1中，在压电膜的至少一个面上依次重叠第一透明涂层、第二透明涂层以及透明电极层而构成的，所述透明压电膜的折射率为1.30以上且小于1.45，所述第一透明涂层的折射率为1.60以上且小于1.80，所述第二透明涂层的折射率为1.30以上且小于1.50，所述透明电极层的折射率为1.80以上且2.20以下。通过该构成，可以对透明导电压电膜赋予优选透明性。
本方案3的透明导电压电膜为在本方案2中，在所述透明压电膜与所述第一透明涂层之间进一步具备折射率为1.45以上且小于1.60的第三透明涂层，所述第一透明涂层的厚度为60nm以上且300nm以下，所述第二透明涂层的厚度为10nm以上且70nm以下，所述透明电极层的厚度为20nm以上且小于40nm。通过该构成，可以对透明导电压电膜赋予优选的透明性与电特性(表面电阻值)。
本方案4的透明导电压电膜是在本方案3中，在所述透明压电膜的一个面上依次重叠所述第三透明涂层、所述第一透明涂层、所述第二透明涂层以及所述透明电极层而构成的，所述透明导电压电膜在所述透明压电膜的另一个面具备其他所述第三透明涂层。通过该构成，可以提高透明导电压电膜的透明性。
本方案5的透明导电压电膜是在本方案2中，所述第一透明涂层的厚度为400nm以上且1000nm以下，所述第二透明涂层的厚度为10nm以上且70nm以下，所述透明电极层的厚度为20nm以上且小于40nm。通过该构成，可以对透明导电压电膜赋予优选的透明性与电气特性(表面电阻值)。
本方案6的透明导电压电膜是在本方案5中，在所述透明压电膜的一个面上依次重叠所述第一透明涂层、所述第二透明涂层以及所述透明电极层而构成的，所述透明导电压电膜在所述透明压电膜的另一个面具备其他第三透明涂层，且所述第三透明涂层的折射率为1.45以上且小于1.60。通过该构成，可以提高透明导电压电膜的透明性。
本方案7的透明导电压电膜为在本方案1～6的任一项中，所述透明压电膜包含氟系树脂作为主要成分。通过该构成，可以制成折射率优选的透明压电膜。
本方案8的透明导电压电膜是在本方案1～7的任一项中，所述透明电极层的折射率为1.94以下。这样的透明导电压电膜为未以高温加热而制造的膜，因此在无损透明压电膜的色调的方面是优选的。
本方案9的触摸面板为具备本方案1～8的任一项中的透明导电压电膜的触摸面板。
本方案10的制造方法为透明导电压电膜的制造方法，该制造方法是在透明压电膜的至少一个面上依次重叠第一透明涂层、第二透明涂层以及透明电极层而构成的层叠膜的制造方法，所述制造方法包括：第一工序，制造形成折射率为1.30以上且小于1.45的膜的所述透明压电膜；第二工序，在所述透明压电膜的至少一个面上形成折射率为1.60以上且小于1.80的所述第一透明涂层；第三工序，在所述第一透明涂层的表面形成折射率为1.30以上且小于1.50、厚度为10nm以上且70nm以下的所述第二透明涂层；和第四工序，在所述第二透明涂层的表面形成折射率为1.80以上且2.20以下、厚度为20nm以上且小于40nm的所述透明电极层。
实施例
以下，对本发明的一个实施例进行说明。
〔透明导电压电膜的制造〕
<实施例1>
(第一工序：透明压电膜的制作)
使由比浓对数粘度为1.3dl/g的聚偏氟乙烯(株式会社KUREHA制)成型的树脂膜(厚度120μm)以拉伸倍率为4.2倍的方式进行拉伸。拉伸后，使膜通过极化辊进行极化处理，得到了压电膜。此时，将直流电压从一边从0kV增加至12.0kV一边施加，由此进行了极化处理。通过进一步在130℃下对极化处理后的膜进行1分钟热处理，得到了折射率为1.42、厚度为40μm的透明压电膜。
(第二工序：第一透明涂层的形成)
在透明压电膜的上表面(A面)涂布由丙烯酸树脂形成的含无定形物质二氧化硅的紫外线固化性树脂组合物，在80℃干燥后，以400mJ/cm2的累积光量照射紫外线，形成第三透明涂层(厚度为1000nm，折射率为1.52)。接着，通过同样的方法也在透明压电膜的下表面(B面)形成第三透明涂层(厚度为1000nm，折射率为1.52)。接着，在第三透明涂层(A面)的上表面涂布含氧化锆粒子的紫外线固化型树脂组合物，在80℃干燥后，以400mJ/cm2的累积光量照射紫外线，形成第一透明涂层(厚度为99nm，折射率为1.65)。
(第三工序：第二透明涂层的形成)
接着，在第一透明涂层上涂布由丙烯酸树脂形成的含中空二氧化硅的紫外线固化性树脂组合物，在80℃干燥后，以400mJ/cm2的累积光量照射紫外线，形成第二透明涂层(厚度为44nm，折射率为1.37)。
(第四工序：透明电极层的形成)
接着，在第二透明涂层上，通过使用含有97质量％的氧化铟和3质量％的氧化锡的烧结体材料作为靶材的反应性溅射法，形成作为透明电极层的折射率为1.88、厚度为30nm的ITO膜。如此，得到透明导电压电膜，将所得的透明导电压电膜设为实施例1。
<实施例2>
将第二透明涂层的厚度设为61nm，除此以外，以与实施例1同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例2。
<实施例3>
将第一透明涂层的折射率设为1.70、厚度设为105nm，将第二透明涂层的折射率设为1.40、厚度设为20nm，除此以外，以与实施实施例1同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例3。
<实施例4>
不在透明压电膜的A面和B面形成第三透明涂层，在透明压电膜的A面依次形成第一透明涂层、第二透明涂层以及透明电极层。将第一透明涂层的厚度设为533nm、第二透明涂层的厚度设为69nm，除此以外，以与实施例3同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例4。
<实施例5>
将第一透明涂层的厚度设为219nm、折射率设为1.74、第二涂层的厚度设为34nm，除此以外，以与实施例3同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例5。
<实施例6>
将透明电极层的厚度设为22nm，除此以外，以与实施例1同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例6。
<实施例7>
将透明电极层的厚度设为34nm，除此以外，以与实施例1同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例7。
<实施例8>
(第一透明涂层的形成)
通过与实施例1同样的方法使第三透明涂层形成在透明压电膜的两面，在A面进一步形成第一透明涂层(厚度为83nm，折射率为1.65)。
(第二透明涂层的形成)
接着，在第一透明涂层上，通过使用Si作为靶材的溅射法形成SiO2膜。具体而言，将腔室内真空排气至成为7×10-4Pa以下后，在腔室内导入Ar气体与氧气的混合气体并堆积厚度为25nm的SiO2膜，形成第二透明涂层(厚度为25nm，折射率为1.46)。
(透明电极层的形成)
在第二透明涂层上以与实施例1同样的方式形成透明电极层。如此，得到透明导电压电膜，将所得的透明导电压电膜设为实施例8。
<实施例9>
将第一透明涂层的厚度设为99nm，除此以外，以与实施例8同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例9。
<实施例10>
将第一透明涂层的厚度设为139nm，除此以外，以与实施例8同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例10。
<实施例11>
将第一透明涂层的厚度设为105nm、折射率设为1.70，除此以外，以与实施例8同样的方式得到透明导电压电膜。将所得的透明导电压电膜设为实施例11。
<比较例1>
不形成第三透明涂层、第一透明涂层、第二透明涂层，除此以外，以与实施例1同样的方式得到导电压电膜。将所得的导电压电膜设为比较例1。
<比较例2>
将第二透明涂层的厚度设为80nm，除此以外，以与实施例1同样的方式得到导电压电膜。将所得的导电压电膜设为比较例2。
<比较例3>
将第二透明涂层的厚度设为151nm，除此以外，以与实施例2同样的方式得到导电压电膜。将所得的导电压电膜设为比较例3。
<比较例4>
将透明电极层的厚度设为45nm，除此以外，以与实施例1同样的方式得到导电压电膜。将所得的导电压电膜设为比较例4。
<比较例5>
将第一透明涂层的厚度设为100nm、折射率设为1.52，将第二透明涂层的厚度设为80nm、折射率设为1.40，除此以外，以与实施例1同样的方式得到导电压电膜。将所得的导电压电膜设为比较例5。
<比较例6>
将第一透明涂层的厚度设为105nm，将第二透明涂层的厚度设为29nm、折射率设为1.51，除此以外，以与实施例1同样的方式得到导电压电膜。将所得的导电压电膜设为比较例6。
<比较例7>
将透明电极层的厚度设为15nm，除此以外，以与实施例1同样的方式得到导电压电膜。将所得的导电压电膜设为比较例7。
<比较例8>
将第一透明涂层的厚度设为40μm、折射率设为1.55、第二透明涂层的厚度设为40μm，且将含有36质量％氧化锡的氧化铟设为靶进行溅射，除此以外，以与实施例8同样的方式得到导电压电膜。将所得的导电压电膜设为比较例8。
〔各层的厚度的测定〕
构成实施例1～11和比较例1～8的透明导电压电膜和导电压电膜(以下，也简称为“导电压电膜”)的透明涂层以及透明电极层的厚度通过以下所示的利用电子显微镜进行观察的方法而求出。该方法为首先将透明导电压电膜包埋于环氧树脂中，且以透明导电压电膜的剖面露出的方式将环氧树脂块切断。使用扫描型电子显微镜(“SU3800”，株式会社Hitachi HighTech制)在加速电压3.0kV、倍率50000倍的条件下对露出的透明导电压电膜的剖面进行观察。然后，测定透明导电压电膜和该透明导电压电膜中的各膜或层的厚度。
将实施例1～11和比较例1～8的导电压电膜的各层的折射率示于表1。
[表1]
表1
将实施例1～11和比较例1～8的导电压电膜的各层的厚度示于表2。
[表2]
表2
〔评价〕
对于实施例1～11和比较例1～8的导电压电膜，评价膜的物性和光学特性。
<物性评价>
(表面电阻值)
关于实施例1～11和1～8的导电压电膜各自的表面电阻值(Ω/sq)，使用电阻率计(“LorestaGP MCP-T610”，MITSUBISHI CHEMICAL ANALYTECH公司制)依据JIS K 7194来进行。测定进行3次，将3次的平均值作为代表值而求出。当表面电阻值为50Ω/sq以上且小于480Ω/sq时，可以判断在触摸面板等设备用途中无实用上的问题。
(压电常数d33值)
关于实施例1～11和比较例1～8的导电压电膜各自的压电常数d33，使用压电常数测定设备(“PiezoMeter System PM300”，PIEZOTEST公司制造)，以0.2N夹持样品，读取施加0.15N、110Hz的力时的产生电荷。压电常数d33的实测值根据所测定的膜的表里而为正值或负值，但在本说明书中记载了绝对值。当压电常数d33值为5pC/N以上且40pC/N以下时，可以判断为在触摸面板等设备的用途中实用上无问题。
<光学特性评价>
(透射率)
关于实施例1～11和比较例1～8的导电压电膜各自的波长450nm的透射率和波长550nm的透射率，使用分光色彩计(日本电色工业株式会社制SD7000)进行测定。当波长450nm的透射率为75％以上时，可以判断在触摸面板等设备用途中无实用上的问题，78％以上时可以判断为更优选，80％以上时可以判断为进一步优选。当波长550nm的透射率为85％以上时，可以判断在触摸面板等设备用途中无实用上的问题，87％以上时可以判断为更优选，89％以上时可以判断为进一步优选。
将上述评价结果示于表3。
[表3]
表3
如表3所示，实施例1～11的导电压电膜均具有在触摸面板等设备用途中无实用上的问题的物性，且具有满足波长450nm透射率和波长550nm透射率这两者的高透明性。与此相对，比较例1～8的导电压电膜均未满足波长450nm透射率和550nm透射率这两者。
工业上的可利用性
本发明可以用于需要压电特性的器件。
附图标记说明
1：透明压电膜
2：第一透明涂层
3：第二透明涂层
4：透明电极层
5：第三透明涂层
11、12：透明导电压电膜。

Claims (10)

1.一种透明导电压电膜，其中，
波长450nm的透射率为75％以上，波长550nm的透射率为85％以上，
压电常数d33为5pC/N以上且40pC/N以下，
所述透明导电压电膜具备透明电极层，
所述透明电极层的表面电阻值为50Ω/sq以上且小于300Ω/sq。
2.根据权利要求1所述的透明导电压电膜，其中，
所述透明导电压电膜是在透明压电膜的至少一个面上依次重叠第一透明涂层、第二透明涂层以及透明电极层而构成的，
所述透明压电膜的折射率为1.30以上且小于1.45，
所述第一透明涂层的折射率为1.60以上且小于1.80，
所述第二透明涂层的折射率为1.30以上且小于1.50，
所述透明电极层的折射率为1.80以上且2.20以下。
3.根据权利要求2所述的透明导电压电膜，其中，
在所述透明压电膜与第一透明涂层之间进一步具备折射率为1.45以上且小于1.60的第三透明涂层，
所述第一透明涂层的厚度为60nm以上且300nm以下，
所述第二透明涂层的厚度为10nm以上且70nm以下，
所述透明电极层的厚度为20nm以上且小于40nm。
4.根据权利要求2所述的透明导电压电膜，其中，
所述第一透明涂层的厚度为400nm以上且1000nm以下，
所述第二透明涂层的厚度为10nm以上且70nm以下，
所述透明电极层的厚度为20nm以上且小于40nm。
5.根据权利要求3或4所述的透明导电压电膜，其中，
所述透明压电膜包含氟系树脂作为主要成分。
6.根据权利要求3或4所述的透明导电压电膜，其中，
所述透明电极层的折射率为1.94以下。
7.根据权利要求3所述的透明导电压电膜，其中，
所述透明导电压电膜是在所述透明压电膜的一个面上依次重叠所述第三透明涂层、所述第一透明涂层、所述第二透明涂层以及所述透明电极层而构成的，
所述透明导电压电膜在所述透明压电膜的另一个面具备其他所述第三透明涂层。
8.根据权利要求4所述的透明导电压电膜，其中，
所述透明导电压电膜是在所述透明压电膜的一个面上依次重叠所述第一透明涂层、所述第二透明涂层以及所述透明电极层而构成的，
所述透明导电压电膜在所述透明压电膜的另一个面具备其他第三透明涂层，
所述第三透明涂层的折射率为1.45以上且小于1.60。
9.一种触摸面板，所述触摸面板具备如权利要求3或4所述的透明导电压电膜。
10.一种透明导电压电膜的制造方法，所述制造方法是在透明压电膜的至少一个面上依次重叠第一透明涂层、第二透明涂层以及透明电极层而构成的层叠膜的制造方法，所述制造方法包括：
第一工序，制造形成折射率为1.30以上且小于1.45的膜的所述透明压电膜；
第二工序，在所述透明压电膜的至少一个面上形成折射率为1.60以上且小于1.80的所述第一透明涂层；
第三工序，在所述第一透明涂层的表面形成折射率为1.30以上且小于1.50、厚度为10nm以上且70nm以下的所述第二透明涂层；和
第四工序，在所述第二透明涂层的表面形成折射率为1.80以上且2.20以下、厚度为20nm以上且小于40nm的所述透明电极层。
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