CN118019880A - 粗糙化处理铜箔及覆铜层叠板、以及印刷电路板的制造方法 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 214
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 183
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 103
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 71
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 65
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 29
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 24
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 6
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 4
- OMTKQJNJACHQNY-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Zn].[Mo] Chemical compound [Ni].[Zn].[Mo] OMTKQJNJACHQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 4
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 4
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 4
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazine Chemical compound C1=CN=NC=N1 FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDDUSDYMEXVQNJ-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazole silane Chemical compound [SiH4].N1C=NC=C1 ZDDUSDYMEXVQNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- PPTYNCJKYCGKEA-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-phenyl-prop-2-enoxysilane Chemical compound C=CCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 PPTYNCJKYCGKEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[5-(oxiran-2-yl)pentyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCC1CO1 VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
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- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
提供用于覆铜层叠板或印刷电路板时，能够实现优异的传输特性的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下。与粗糙化处理面相反侧的面在以180℃加热1小时后通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。
Description
技术领域
本发明涉及粗糙化处理铜箔及覆铜层叠板、以及印刷电路板的制造方法。
背景技术
在印刷电路板的制造工序中，铜箔以与绝缘树脂基材贴合的覆铜层叠板的形态被广泛使用。对于这点，为了防止在印刷电路板制造时发生布线的剥离，希望铜箔与绝缘树脂基材具有高的密合力。因此，对于通常的印刷电路板制造用铜箔，对铜箔的贴合面实施粗糙化处理而形成包含微细的铜颗粒的凹凸，通过压制加工使该凹凸嵌入绝缘树脂基材的内部从而发挥锚固效果，由此提高密合性。
作为进行了这样的粗糙化处理的铜箔，例如专利文献1(日本特开2018-172785号公报)中公开了一种表面处理铜箔，其具有铜箔和位于铜箔的至少一个表面的粗糙化处理层，粗糙化处理层侧表面的算术平均偏差Ra为0.08μm以上且0.20μm以下，粗糙化处理层侧表面的TD(宽度方向)的光泽度为70％以下。根据这样的表面处理铜箔，可良好地抑制设置于铜箔表面的粗糙化颗粒的脱落，并且可良好地抑制与绝缘基板贴合时的褶皱及条纹的产生。
另一方面，随着近年的便携式电子设备等的高功能化，为了进行大容量数据的高速处理，无论是数字信号还是模拟信号，都在推进高频化，要求适于高频用途的印刷电路板。对于这样的高频用印刷电路板，为了能够不使高频信号劣化地进行传输，期望传输损耗的减少。印刷电路板具备被加工成布线图案的铜箔和绝缘基材，作为传输损耗中的主要损耗，可列举出由铜箔引起的导体损耗和由绝缘基材引起的介电损耗。
对于这点，提出了实现传输损耗的减少的粗糙化处理铜箔。例如，专利文献2(日本特开2015-148011号公报)中公开了：出于提供信号的传输损耗小的表面处理铜箔及使用其的层叠板等的目的，通过表面处理将铜箔表面的基于JIS B0601-2001的偏度Rsk控制为-0.35以上且0.53以下这样的规定范围等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-172785号公报
专利文献2：日本特开2015-148011号公报
发明内容
如上所述，近年来，要求印刷电路板进一步减少传输损耗。但是，仅通过专利文献1和2中公开的铜箔中的粗糙化处理面的改善来应对这样的要求是有限的。
本发明人等此次得到了如下见解，在粗糙化处理铜箔中，通过将粗糙化处理面中的界面扩展面积比Sdr控制在规定的范围，并且控制存在于与粗糙化处理面相反侧的面上的规定方位的晶粒的晶界，从而在使用其制造的覆铜层叠板或印刷电路板中，能够实现优异的传输特性。
因此，本发明的目的在于，提供用于覆铜层叠板或印刷电路板时，能够实现优异的传输特性的粗糙化处理铜箔。
根据本发明，提供下述的实施方式。
[实施方式1]
一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，
所述粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下，
与所述粗糙化处理面相反侧的面在以180℃加热1小时后通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。
[实施方式2]
根据实施方式1所述的粗糙化处理铜箔，其中，与所述粗糙化处理面相反侧的面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)为0.10以上且0.60以下。
[实施方式3]
根据实施方式1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述L/S的平均值为2.0μm/μm2以上且11.0μm/μm2以下。
[实施方式4]
根据实施方式1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及无L滤波器的条件测定的中心部的水平差Sk为1.70μm以下。
[实施方式5]
根据实施方式1～4中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔为电解铜箔，所述粗糙化处理面存在于电解铜箔的电极面侧。
[实施方式6]
根据实施方式1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面具备多个粗糙化颗粒，所述粗糙化颗粒由金属构成。
[实施方式7]
一种覆铜层叠板，其具备树脂层和设置于该树脂层的至少一个表面的粗糙化处理铜箔，
所述粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面与所述树脂层接触，
所述粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下，
所述粗糙化处理铜箔的与所述粗糙化处理面相反侧的面在通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。
[实施方式8]
根据实施方式7所述的覆铜层叠板，其中，所述粗糙化处理铜箔的与所述粗糙化处理面相反侧的面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)为0.10以上且0.60以下。
[实施方式9]
一种印刷电路板的制造方法，其包括如下工序：
准备粗糙化处理铜箔的工序，所述粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下；
在树脂层的至少一个表面上以所述粗糙化处理面与所述树脂层接触的方式层叠所述粗糙化处理铜箔，从而制作覆铜层叠板的工序；
对所述覆铜层叠板的所述粗糙化处理铜箔进行加工，从而形成电路的工序；以及，
对所述电路进行基于蚀刻的粗糙化处理的工序，
进行所述基于蚀刻的粗糙化处理之前的所述电路的表面在通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。
[实施方式10]
根据实施方式9所述的印刷电路板的制造方法，其中，进行所述基于蚀刻的粗糙化处理之前的所述电路的表面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)为0.10以上且0.60以下。
附图说明
图1为用于对依据ISO25178确定的面的负载曲线和负载面积率Smr(c)进行说明的图。
图2为用于对依据ISO25178确定的中心部的水平差Sk进行说明的图。
图3为用于对粗糙化处理铜箔的表面凹凸包含粗糙化颗粒成分和波纹度成分的情况进行说明的图。
图4为示出本发明中的印刷电路板的制造方法的一例的工序流程图，为示出初始的工序(工序(i)～(iii))的图。
图5为示出本发明中的印刷电路板的制造方法的一例的工序流程图，为示出图4所示工序接下来的后续工序(工序(iv)～(v))的图。
具体实施方式
定义
以下，示出用于规定本发明的术语或参数的定义。
在本说明书中，“界面扩展面积比Sdr”或“Sdr”是指依据ISO25178测定的、以百分比表示定义区域的扩展面积(表面积)相对于定义区域的面积增大多少的参数。该值越小，表示越为接近平坦的表面形状，完全平坦的表面的Sdr为0％。另一方面，该值越大，表示越为凹凸多的表面形状。
在本说明书中，“面的负载曲线”是指依据ISO25178确定的、表示负载面积率从0％到100％高度的曲线。如图1所示，负载面积率是表示某一高度c以上的区域的面积的参数。高度c下的负载面积率相当于图1中的Smr(c)。如图2所示，沿着负载曲线从负载面积率为0％起取将负载面积率的差设为40％而画出的负载曲线的割线，使该负载曲线的割线从负载面积率为0％起移动，将割线的斜率最平缓的位置称作面的负载曲线的中央部分。将与该中央部分相比的纵轴方向的偏差的平方和最小的直线称作等价直线。将等价直线的负载面积率0％到100％的高度的范围中所含的部分称为中心部。将比中心部高的部分称为突出峰部，将比中心部低的部分称为突出谷部。
在本说明书中，“中心部的水平差Sk”或“Sk”是指依据ISO25178测定的、中心部的最大高度减去最小高度的值，如图2所示，是由等价直线的负载面积率0％与100％的高度差算出的参数。
Sdr和Sk可以通过使用市售的激光显微镜测定粗糙化处理面中的规定测定面积的表面轮廓来计算。在本说明书中，Sdr采用以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的数值。另一方面，Sk采用以倍率200倍、无S滤波器、以及无L滤波器的条件测定的数值。需要说明的是，在利用激光显微镜的测定中，使用物镜和光学变焦这两者的情况下，上述倍率相当于将物镜的倍率乘以光学变焦的倍率而得到的值。例如，在物镜倍率为100倍、光学变焦倍率为2倍的情况下，倍率为200倍(＝100×2)。此外，关于利用激光显微镜的表面轮廓的优选的测定条件和解析条件，如后述的实施例所示。
在本说明书中，电解铜箔的“电极面”是指在电解铜箔制造时与阴极接触的一侧的面。
在本说明书中，电解铜箔的“析出面”是指在电解铜箔制造时电解铜析出的一侧的面、即不与阴极接触的一侧的面。
粗糙化处理铜箔
本发明的铜箔为粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。该粗糙化处理面的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下。另外，粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面在以180℃加热1小时后通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。这样，在粗糙化处理铜箔中，通过将粗糙化处理面中的界面扩展面积比Sdr控制在规定的范围，并且控制存在于与粗糙化处理面相反侧的面上的规定方位的晶粒的晶界，在使用其制造的覆铜层叠板或印刷电路板中，能够实现优异的传输特性。
通过本发明的构成能够实现优异的传输特性的机制虽然未必确定，但可以认为如下。首先，铜箔的粗糙化处理面中的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下时，该粗糙化处理面成为适合于实现优异的传输特性的凹凸形状。此处，如图3所示，粗糙化处理面的凹凸包含“粗糙化颗粒成分”和比粗糙化颗粒成分更长周期的“波纹度成分”。该粗糙化颗粒成分和波纹度成分可以通过使用激光显微镜的S滤波器和L滤波器来进行区别。具体而言，通过以无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面，能够得到波纹度成分的影响被去除的粗糙化颗粒成分的参数。另外，通过以倍率200倍这样的高倍率测定粗糙化处理面，可以正确地评价影响传输特性的粗糙化处理面的细小的凹凸。因此，可以说本发明中的界面扩展面积比Sdr是更正确地反映了铜箔的粗糙化处理面中的粗糙化颗粒的形状的参数。
另一方面，如上所述，虽然要求印刷电路板进一步减少传输损耗，但仅通过铜箔中的粗糙化处理面的改善来应对这样的要求是有限的。对于这点，本发明的粗糙化处理铜箔不仅是粗糙化处理面，与粗糙化处理面相反侧的面也是由上述规定的参数控制。对粗糙化处理铜箔中的与粗糙化处理面相反侧的面与传输特性的关系可以进行如下说明。在印刷电路板的制造工序的一例中，对在粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面贴合有绝缘树脂基材的覆铜层叠板进行光致抗蚀剂层的形成或蚀刻等加工而形成电路后，以覆盖电路的方式进一步层叠树脂。此时，在树脂层叠前，进行用于提高电路与其周围的树脂的可靠性(密合性或耐热性等)的处理。作为这种用于提高可靠性的处理，代表性的是将电路表面部分溶解(蚀刻)而粗糙化的处理。这样，由于基于蚀刻的粗糙化处理是在电路形成后进行的，因此受到该处理的影响的是电路中不与树脂基材接触的面、即粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面。对于这点，与铜箔制造时赋予的粗糙化颗粒同样地，基于蚀刻的粗糙化处理的粗糙化越大，传输特性越恶化。因此，为了实现更优异的传输特性，不仅控制粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面(与树脂基材密接一侧的面)的表面性状，而且控制与其相反侧的面的表面性状是重要的。
一般而言，由多晶构成的金相组织的溶解沿着晶粒彼此接触的部分(晶界)进行。因此，存在于电路表面的晶粒的晶界越少，被强蚀刻的部位越减少，与晶界多的情况相比，传输特性变得相对良好。另外，根据存在于进行蚀刻的面上的晶体的方位不同，与蚀刻液接触的原子的数量不同，可以认为与蚀刻液同时接触的原子越多，越能高效溶解。因此，可以说自最密排结构(111)面的偏离角(倾斜角)小的晶粒的溶解尤其快。这样，晶粒的方位和晶界对蚀刻的进展产生影响，其结果，对传输特性也产生影响。
对于这点，本发明的粗糙化处理铜箔着眼于在与粗糙化处理面相反侧的面中对蚀刻的影响大的自(111)面的偏离角为20度以下的晶粒，将各晶粒中的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值控制在13.0μm/μm2以下。即，满足上述参数的粗糙化处理铜箔由于溶解特别快的自(111)面的偏离角小的颗粒的晶界少，因此局部快速地被蚀刻的部位变少。其结果，基于蚀刻的粗糙化处理后的电路表面形状变得平滑，能够提高传输特性。
粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下，优选为5.0％以上且60.0％以下，更优选为10.0％以上且50.0％以下，进一步优选为20.0％以上且45.0％以下。为上述范围内的Sdr时，可以确保与树脂基材的高密合性，并且粗糙化处理面成为适合于实现优异的传输特性的富有凹凸的形状。
粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的中心部的水平差Sk优选为1.70μm以下，更优选为0.10μm以上且1.50μm以下，进一步优选为0.50μm以上且1.40μm以下，特别优选为0.90μm以上且1.20μm以下。如上所述，本发明中的Sk是(与Sdr不同)以无L滤波器的条件测定铜箔表面而得到的参数，由此可以更正确地反映铜箔整体的表面形状。对于这点，为上述范围内的Sk时，可以有效地发挥锚固效果，确保与树脂基材的高密合性，并且能够提高电路形成性。
粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面的L/S的平均值为13.0μm/μm2以下，优选为2.0μm/μm2以上且11.0μm/μm2以下，更优选为3.0μm/μm2以上且10.0μm/μm2以下，进一步优选为5.0μm/μm2以上且9.0μm/μm2以下。为上述范围内的L/S的平均值时，可以使基于蚀刻的粗糙化适度进行，并且可以抑制局部快速地被蚀刻的部位，因此，在电路形成后进行基于蚀刻的粗糙化处理时，可以实现原本的提高可靠性的目的，并且电路表面形状变得平滑，可以减少传输损耗。
粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面在通过上述EBSD进行解析时，在观察视场中，自(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)优选为0.10以上且0.60以下，更优选为0.15以上且0.55以下，进一步优选为0.20以上且0.50以下。为上述范围内的A1/(A2+A3+A4)时，蚀刻时溶解特别快的自(111)面的偏离角小的晶粒虽然少，但会适量存在。其结果，在电路形成后进行基于蚀刻的粗糙化处理时，可以实现原本的提高可靠性的目的，并且电路表面形状变得平滑，进一步减少传输损耗成为可能。
粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面中的L/S的平均值以及A1/(A2+A3+A4)可以将粗糙化处理铜箔在以180℃加热1小时后通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析来确定。基于电子背散射衍射法(EBSD)的解析可以优选按照后述的实施例所示的步骤进行。需要说明的是，将粗糙化处理铜箔在以180℃加热1小时后进行基于EBSD的解析的理由如下。即，如上所述，通过上述参数控制粗糙化处理铜箔中的与粗糙化处理面相反侧的面的理由在于形成电路后，进行基于蚀刻的粗糙化处理时，使电路表面成为传输特性优异的平滑的形状。然后，电路形成通常采用粗糙化处理铜箔与树脂基材通过热压制接合的方式(即覆铜层叠板的方式)进行。另一方面，构成铜箔的晶体的状态可以根据热负载而发生变化。因此，通过以上述条件加热粗糙化处理铜箔后，进行基于EBSD的解析，可以在接近进行基于蚀刻的粗糙化处理之前的状态下评价晶粒。
粗糙化处理铜箔的厚度没有特别限定，优选为0.1μm以上且210μm以下，更优选为0.3μm以上且105μm以下，进一步优选为7μm以上且70μm以下，特别优选为15μm以上且20μm以下。需要说明的是，本发明的粗糙化处理铜箔不限于对通常的铜箔的表面进行了粗糙化处理的粗糙化处理铜箔，也可以是对带载体铜箔的铜箔表面进行了粗糙化处理或微细粗糙化处理的粗糙化处理铜箔。
本发明的粗糙化处理铜箔可以优选地通过以期望的低粗糙化条件对平滑的铜箔表面(例如电解铜箔的电极面)进行粗糙化处理而形成微细的粗糙化颗粒来制造。因此，根据本发明的优选的实施方式，粗糙化处理铜箔为电解铜箔，粗糙化处理面存在于电解铜箔的电极面侧。需要说明的是，粗糙化处理铜箔可以是在两侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，也可以是仅在一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔。典型地，粗糙化处理面具备多个粗糙化颗粒，所述多个粗糙化颗粒优选各自由金属构成，进一步优选由铜构成。构成粗糙化颗粒的金属可以含有由原料成分或形成工序等引起的不可避免的杂质。粗糙化颗粒由铜构成时，铜可以是由金属铜形成的铜，也可以是由铜合金形成的铜。
电解铜箔优选通过使用除去了明胶等高分子化合物的铜电解液进行电解析出来制造。即，明胶等高分子化合物容易被带入铜箔中，容易阻碍热引起的晶体生长。因此，通过使用除去了高分子化合物的铜电解液，容易满足本发明的粗糙化处理铜箔所要求的参数。例如，通过对铜电解液进行活性炭处理，可以除去铜电解液中的高分子化合物。
上述电解析出时，优选将通过下式定义的非金属杂质供给比RN设为0.020以上且0.100以下，更优选设为0.030以上且0.100以下。
RN＝C×U/m
(式中，RN为非金属杂质供给比(-)，C为非金属杂质浓度(g/m3)，U为供液流量(m3/s)，m为铜析出速度(g/s))
此处，非金属杂质浓度C是根据铜电解液中的总有机碳量(TOC)和氯离子(Cl-)浓度之和算出的值，铜析出速度m是根据下式算出的值。
m＝I×M/(n×F)
(式中，I为电流值(A)，M为铜的摩尔质量(g/mol)，n为铜的价数，F为法拉第常数(C/mol))
非金属杂质供给比RN在上述范围内时，能够相对于铜箔的析出以适当的速度范围供给氯或低分子有机物等。其结果，将电解铜箔的析出面的粗糙度控制在合适的范围成为可能，容易满足本发明的粗糙化处理铜箔所要求的参数。
用于形成粗糙化处理面的粗糙化处理优选通过在铜箔上使用铜或铜合金形成粗糙化颗粒来进行。进行粗糙化处理前的铜箔可以是无粗糙化的铜箔，也可以是实施了预粗糙化的铜箔。要进行粗糙化处理的铜箔的表面的依据JIS B0601-1994测定的十点平均粗糙度Rz优选为0.50μm以上且15.00μm以下，更优选为0.50μm以上且2.00μm以下。在上述范围内时，容易赋予粗糙化处理面以本发明的粗糙化处理铜箔所要求的表面轮廓。
粗糙化处理例如优选在包含铜浓度7g/L以上且17g/L以下、硫酸浓度50g/L以上且200g/L以下的硫酸铜溶液中，在20℃以上且40℃以下的温度下以2.00A/dm2以上且50A/dm2以下进行电解析出。该电解析出优选进行0.5秒以上且30秒以下，更优选进行1秒以上且30秒以下，进一步优选进行1秒以上且5秒以下。当然，根据本发明的粗糙化处理铜箔不限于上述方法，可以为通过任何方法制造的粗糙化处理铜箔。
上述电解析出时，优选将通过下式定义的液阻指数RL设为9.0mm·L/mol以上且20.0mm·L/mol以下，更优选设为11.0mm·L/mol以上且17.0mm·L/mol以下。
RL＝L/DC
(式中，RL为液阻指数(mm·L/mol)，L为极间(阳极-阴极间)距离(mm)，DC为电荷载体密度(mol/L))
可见，通过增大液阻指数RL，体系整体的电压变大，凸起形成反应时的电压也变大。这会影响凸起形状，其结果，能够优选地形成适于赋予本发明的粗糙化处理铜箔所要求的表面轮廓的形状的凸起。需要说明的是，电荷载体密度DC可以通过对存在于镀液中的所有的离子的各自的离子浓度与价数的乘积进行合计来算出。例如，在使用含有硫酸铜和硫酸的溶液作为镀液时，电荷载体密度DC可以通过下式算出。
Dc＝[H+]×1+[Cu2+]×2+[SO4 2-]×2
(式中，[H+]为溶液中的氢离子浓度(mol/L)，[Cu2+]为溶液中的铜离子浓度(mol/L)，[SO4 2-]为溶液中的硫酸根离子浓度(mol/L))
对液阻指数RL与电压的关系进行如下说明。首先，根据欧姆定律，导出下式。
V＝ρ×L×I/S
(式中，V为电压，ρ为电阻率，L为极间距离，I为电流，S为极间的截面积)
即，电压V与电阻率ρ、极间距离L和电流密度(＝I/S)成比例。并且，电阻率ρ与上述电荷载体密度DC成反比。因此，在电流密度一定的情况下，通过增大(与极间距离L成比例、与电荷载体密度DC成反比的)液阻指数，电压也变大。因此，可以说液阻指数是与溶液的电阻有关的指标。
根据期望，粗糙化处理可以包含在规定的条件下对上述粗糙化处理(第一粗糙化处理)后的表面进行电解析出的第二粗糙化处理，也可以进一步包含在规定的条件下对第二粗糙化处理后的表面进行电解析出的第三粗糙化处理。对于第二粗糙化处理的优选的条件，可以直接采用涉及第一粗糙化处理的上述优选的条件。
另一方面，对于第三粗糙化处理，例如优选在包含铜浓度65g/L以上且80g/L以下、硫酸浓度50g/L以上且200g/L以下的硫酸铜溶液中，在45℃以上且55℃以下的温度下以1A/dm2以上且5A/dm2以下进行电解析出。该电解析出优选进行1秒以上且10秒以下，更优选进行5秒以上且8秒以下。另外，电解析出时，优选将液阻指数RL设为2.0mm·L/mol以上且9.0mm·L/mol以下，更优选设为5.0mm·L/mol以上且8.0mm·L/mol以下。
根据期望，粗糙化处理铜箔也可以是实施防锈处理而形成了防锈处理层的粗糙化处理铜箔。防锈处理优选包含使用锌的镀覆处理。使用锌的镀覆处理可以任选为镀锌处理和锌合金镀覆处理，锌合金镀覆处理特别优选锌-镍合金处理。锌-镍合金处理只要为至少包含Ni和Zn的镀覆处理即可，还可以包含Sn、Cr、Co、Mo等其它元素。例如，通过使防锈处理层在Ni和Zn的基础上进一步包含Mo，从而粗糙化处理铜箔的处理表面与树脂的密合性、耐化学药品性和耐热性更优异，并且蚀刻残渣不易残留。
锌-镍合金镀覆中的Ni附着量与Zn附着量和Ni附着量的总量的比率Ni/(Zn+Ni)以质量比计优选为0.3以上且0.9以下，更优选为0.4以上且0.9以下，进一步优选为0.4以上且0.8以下。另外，锌-镍合金镀覆中的Zn和Ni的总附着量优选为8mg/m2以上且160mg/m2以下，更优选为13mg/m2以上且130mg/m2以下，进一步优选为19mg/m2以上且80mg/m2以下。另一方面，锌-镍-钼合金镀覆中的Ni附着量与Zn附着量、Ni附着量和Mo附着量的总量的比率Ni/(Zn+Ni+Mo)以质量比计优选为0.20以上且0.80以下，更优选为0.25以上且0.75以下，进一步优选为0.30以上且0.65以下。另外，锌-镍-钼合金镀覆中的Zn、Ni和Mo的总附着量优选为10mg/m2以上且200mg/m2以下，更优选为15mg/m2以上且150mg/m2以下，进一步优选为20mg/m2以上且90mg/m2以下。Zn、Ni和Mo的各附着量可以通过将粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面中的规定的面积(例如25cm2)在酸中溶解，基于ICP发射光谱分析法对得到的溶解液中的各元素浓度进行分析来算出。
防锈处理优选进一步包含铬酸盐处理，该铬酸盐处理优选在使用锌的镀覆处理之后对包含锌的镀层的表面进行。由此能够进一步提高防锈性。特别优选的防锈处理为锌-镍合金镀覆处理(或锌-镍-钼合金镀覆处理)与之后的铬酸盐处理的组合。
根据期望，粗糙化处理铜箔也可以是对表面实施硅烷偶联剂处理而形成了硅烷偶联剂处理层的粗糙化处理铜箔。由此能够提高耐湿性、耐化学药品性和与粘接剂等的密合性等。硅烷偶联剂处理层可以通过将硅烷偶联剂适当稀释并涂布，使其干燥来形成。作为硅烷偶联剂的例子，可列举出4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等环氧基官能性硅烷偶联剂；或3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性硅烷偶联剂；或3-巯基丙基三甲氧基硅烷等巯基官能性硅烷偶联剂或乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷等烯烃官能性硅烷偶联剂；或3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等丙烯酰基官能性硅烷偶联剂；或咪唑硅烷等咪唑官能性硅烷偶联剂；或三嗪硅烷等三嗪官能性硅烷偶联剂等。
基于上述理由，粗糙化处理铜箔优选在粗糙化处理面具备防锈处理层和/或硅烷偶联剂处理层，更优选具备防锈处理层和硅烷偶联剂处理层这两者。在粗糙化处理面上形成有防锈处理层和/或硅烷偶联剂处理层的情况下，本说明书中的Sdr和Sk的各数值是指对形成有防锈处理层和/或硅烷偶联剂处理层之后的粗糙化处理铜箔的表面进行测定和解析而得到的数值。需要说明的是，防锈处理层和硅烷偶联剂处理层不仅可以形成在粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面侧，还可以形成在未形成粗糙化处理面的一侧。
覆铜层叠板
根据本发明的优选的实施方式，提供一种覆铜层叠板。该覆铜层叠板具备树脂层和设置于树脂层的至少一个表面的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面与树脂层接触。粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下。另外，粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面在通过EBSD进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。根据该覆铜层叠板，能够实现如上所述的优异的传输特性。
覆铜层叠板所具备的树脂层包含树脂而成，优选包含绝缘性树脂而成。树脂层优选为预浸料和/或树脂片。预浸料是使合成树脂浸渗至合成树脂板、玻璃板、玻璃织布、玻璃无纺布、纸等基材而成的复合材料的总称。作为绝缘性树脂的优选的例子，可列举出环氧树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、聚苯醚树脂、酚醛树脂等。另外，作为构成树脂片的绝缘性树脂的例子，可列举出环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂等绝缘树脂。另外，从提高绝缘性等角度出发，树脂层中可以含有由二氧化硅、氧化铝等各种无机颗粒形成的填料颗粒等。树脂层的厚度没有特别限定，优选为1μm以上且1000μm以下，更优选为2μm以上且400μm以下，进一步优选为3μm以上且200μm以下。树脂层可以由多个层构成。预浸料和/或树脂片等的树脂层可以隔着预先涂布于铜箔表面的底漆树脂层而设置在粗糙化处理铜箔上。
覆铜层叠板所具备的粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面中的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下，优选为5.0％以上且60.0％以下，更优选为10.0％以上且50.0％以下，进一步优选为20.0％以上且45.0％以下。另外，粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的中心部的水平差Sk优选为1.70μm以下，更优选为0.10μm以上且1.50μm以下，进一步优选为0.50μm以上且1.40μm以下，特别优选为0.90μm以上且1.20μm以下。
粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面的L/S的平均值为13.0μm/μm2以下，优选为2.0μm/μm2以上且11.0μm/μm2以下，更优选为3.0μm/μm2以上且10.0μm/μm2以下，进一步优选为5.0μm/μm2以上且9.0μm/μm2以下。另外，粗糙化处理铜箔的与粗糙化处理面相反侧的面在通过EBSD进行解析时，在观察视场中，自(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)优选为0.10以上且0.60以下，更优选为0.15以上且0.55以下，进一步优选为0.20以上且0.50以下。
作为覆铜层叠板所具备的粗糙化处理铜箔，典型地，直接使用本发明的粗糙化处理铜箔。因此，本发明的粗糙化处理铜箔的优选的实施方式可以直接作为覆铜层叠板所具备的粗糙化处理铜箔的优选的实施方式。当然，覆铜层叠板所具备的粗糙化处理铜箔只要满足上述参数，也可以为对本发明的粗糙化处理铜箔进行适当变更后的粗糙化处理铜箔。
印刷电路板的制造方法
本发明的粗糙化处理铜箔或覆铜层叠板优选用于印刷电路板的制造。即，根据本发明的优选的实施方式，提供一种印刷电路板的制造方法。该方法包括如下各工序：(1)粗糙化处理铜箔的准备、(2)覆铜层叠板的制作、(3)电路的形成、(4)基于蚀刻的粗糙化处理、以及(5)根据期望进行的树脂的层叠。以下，参照图4和5，对工序(1)～(5)分别进行说明。
(1)粗糙化处理铜箔的准备
如图4的(i)所示，准备粗糙化处理铜箔10。粗糙化处理铜箔10在至少一侧具有粗糙化处理面10a。该粗糙化处理面10a的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下，优选为5.0％以上且60.0％以下，更优选为10.0％以上且50.0％以下，进一步优选为20.0％以上且45.0％以下。为上述范围内的Sdr时，可以确保与后述的树脂层的高密合性，并且成为适合于实现优异的传输特性的富有凹凸的形状。
粗糙化处理铜箔10的粗糙化处理面10a的中心部的水平差Sk优选为1.70μm以下，更优选为0.10μm以上且1.50μm以下，进一步优选为0.50μm以上且1.40μm以下，特别优选为0.90μm以上且1.20μm以下。
(2)覆铜层叠板的制作
如图4的(ii)所示，在树脂层12的至少一个表面上以粗糙化处理面10a与树脂层12接触的方式层叠备好的粗糙化处理铜箔10。由此，制作覆铜层叠板14。
粗糙化处理铜箔10与树脂层12的层叠优选通过热压制进行。热压制的热负载条件(温度、时间等)根据树脂的种类适当确定即可，无特别限定。对于树脂层12的优选的实施方式，如上面关于覆铜层叠板所叙述的那样。
(3)电路的形成
如图4的(iii)所示，对覆铜层叠板14的粗糙化处理铜箔10进行加工，形成电路16。粗糙化处理铜箔10的加工按照公知的方法进行即可，无特别限定。例如，可以使用减成法、半加成法(SAP)、改良型半加成法(MSAP)等方法形成规定图案的电路16。
后述的进行基于蚀刻的粗糙化处理之前的电路16的表面在通过EBSD进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下，优选为2.0μm/μm2以上且11.0μm/μm2以下，更优选为3.0μm/μm2以上且10.0μm/μm2以下，进一步优选为5.0μm/μm2以上且9.0μm/μm2以下。为上述范围内的L/S的平均值时，基于蚀刻的处理后的电路16的表面形状变得平滑，能够实现优异的传输特性。
后述的进行基于蚀刻的粗糙化处理之前的电路16的表面在通过EBSD进行解析时，在观察视场中，自(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)优选为0.10以上且0.60以下，更优选为0.15以上且0.55以下，进一步优选为0.20以上且0.50以下。
(4)基于蚀刻的粗糙化处理
如图5的(iv)所示，对电路16进行基于蚀刻的粗糙化处理。由此，电路16表面被赋予粗糙化形状16a。由此，在后述的树脂层的层叠时，能够提高电路16与其周围的树脂的可靠性(密合性、耐热性等)。
基于蚀刻的粗糙化处理优选通过对电路16表面进行部分蚀刻来进行。蚀刻按照公知的方法进行即可，无特别限定。作为代表性的蚀刻液，可列举出包含硫酸和过氧化氢的液体、包含过硫酸钠的液体等。需要说明的是，这些液体中也可以含有以控制基于蚀刻的粗糙化的形状、稳定蚀刻速度等为目的的添加剂。
(5)树脂的层叠(任意工序)
根据期望，如图5的(v)所示，也可以以覆盖基于蚀刻的处理后的电路16的方式进一步层叠树脂层12’。由此，可以将电路16设为内层电路。树脂层12’的材质和/或厚度可以与树脂层12相同，也可以不同。
根据需要，也可以在树脂层12’上交替地形成进一步的电路和树脂层从而形成多层电路板。另外，本发明的方法可以在上述工序的基础上，适当增加通常在印刷电路板中采用的公知的工艺方法。
实施例
通过下述例子更具体地对本发明进行说明。
例1～5
如下进行本发明的粗糙化处理铜箔的制造。
(1)电解铜箔的制造
制备铜浓度80g/L和硫酸浓度300g/L的硫酸酸性硫酸铜溶液作为铜电解液，对1L该硫酸酸性硫酸铜溶液，以约3.0g的活性炭接触20秒左右的方式进行活性炭处理。之后，仅针对例4，向铜电解液中添加明胶，使其浓度为5ppm。使用活性炭处理后(例1～3和5)或添加明胶后(例4)的铜电解液，阴极使用钛制的电极，阳极使用DSA(尺寸稳定性阳极)，在溶液温度45℃、电流密度40A/dm2以上且100A/dm2以下、以及表1所示的非金属杂质供给比的条件下进行电解，得到厚度18μm的电解铜箔。
(2)粗糙化处理
对上述电解铜箔所具备的电极面和析出面中的电极面侧进行粗糙化处理。该粗糙化处理如表1所示，对例1进行了2步粗糙化处理(第一粗糙化处理和第二粗糙化处理)，对例2和4进行了1步粗糙化处理(第一粗糙化处理)，对例3和5进行了3步粗糙化处理(第一粗糙化处理、第二粗糙化处理和第三粗糙化处理)。
各阶段的粗糙化处理的条件如下。
-第一粗糙化处理通过如下方式进行：在粗糙化处理用铜电解溶液(铜浓度：7g/L以上且17g/L以下、硫酸浓度：50g/L以上且200g/L以下、液温：30℃)中，在表1所示的液阻指数、电流密度和时间的条件下电解并进行水洗。
-第二粗糙化处理通过如下方式进行：在与第一粗糙化处理相同的组成的粗糙化处理用铜电解溶液中，在表1所示的液阻指数、电流密度和时间的条件下电解并进行水洗。
-第三粗糙化处理通过如下方式进行：在粗糙化处理用铜电解溶液(铜浓度：65g/L以上且80g/L以下、硫酸浓度：50g/L以上且200g/L以下、液温：45℃)中，在表1所示的液阻指数、电流密度和时间的条件下电解并进行水洗。
(3)防锈处理
对粗糙化处理后的电解铜箔进行表1所示的防锈处理。作为该防锈处理，针对例1～4，对电解铜箔的进行了粗糙化处理的面使用焦磷酸浴，以焦磷酸钾浓度100g/L、锌浓度1g/L、镍浓度2g/L、钼浓度1g/L、液温40℃、电流密度0.5A/dm2进行防锈处理A(锌-镍-钼系防锈处理)。另外，对电解铜箔的未进行粗糙化处理的面使用焦磷酸浴，以焦磷酸钾浓度80g/L、锌浓度0.2g/L、镍浓度2g/L、液温40℃、电流密度0.5A/dm2进行防锈处理B(锌-镍系防锈处理)。另一方面，针对例5，对电解铜箔的两面，在与例1～4中的电解铜箔的未进行粗糙化处理的面相同的条件下进行防锈处理B。
(4)铬酸盐处理
对进行了上述防锈处理的电解铜箔的两面进行铬酸盐处理，在防锈处理层上形成铬酸盐层。该铬酸盐处理在铬酸浓度1g/L、pH11、液温25℃和电流密度1A/dm2的条件下进行。
(5)硅烷偶联剂处理
对实施了上述铬酸盐处理的铜箔进行水洗，然后立即进行硅烷偶联剂处理，使硅烷偶联剂吸附于粗糙化处理面的铬酸盐层上。该硅烷偶联剂处理通过利用喷淋将以纯水为溶剂的硅烷偶联剂的溶液吹喷到粗糙化处理面从而进行吸附处理来进行。作为硅烷偶联剂，使用3-氨基丙基三甲氧基硅烷，其浓度为3g/L。在硅烷偶联剂吸附后，最终利用电热器使水分蒸发，得到规定厚度的粗糙化处理铜箔。
[表1]
评价
对制造的粗糙化处理铜箔进行以下所示的各种评价。
(a)EBSD测定
将粗糙化处理铜箔在180℃下加热1小时，作为EBSD测定用的铜箔样品。使用规定的夹具以与粗糙化处理面相反侧的表面(以下，称为“非处理面”)成为外侧的方式固定该铜箔样品。之后，从铜箔样品的非处理面开始，进行利用截面抛光机(CP)的平面铣削。该平面铣削在加速电压6kV和倾斜角度5°的条件下实施。并且，将实施了10分钟(相当于厚度500nm)平面铣削后的铜箔样品中的非处理面侧的表面作为最表面，进行标记和FIB标记加工。需要说明的是，平面铣削也可以根据铜箔表面的粗糙度，适当变更条件至能够进行后述的EBSD测定的程度。此处，“能够进行EBSD测定”是指EBSD测定中的命中率达到70％以上。命中率是指在试样的整个面积中，电子射线适当地击中试样表面而能够测定的面积的比例。命中率为70％以上是指在使用扫描型电子显微镜观察时，电子射线击中整个铜箔表面，其结果，得到了合适的EBSD数据。
使用搭载了EBSD检测器(Oxford Instruments公司制、Symmetry)的FE枪型扫描型电子显微镜(卡尔蔡司株式会社制、Crossbeam540)对平面铣削后的铜箔样品表面进行观察。并且，使用EBSD测定软件(Oxford Instruments公司制、AZtec5.0 HF1)获得EBSD数据，将得到的EBSD数据转换为OIM形式。观察时的扫描型电子显微镜的测定条件如下。需要说明的是，测定倍率选择的是1000倍和3000倍中在视场内可检出的颗粒(晶粒)达到700个以上的倍率、且是尽可能高的倍率。
＜扫描型电子显微镜测定条件＞
-加速电压：15kV
-步长：0.2μm(倍率1000倍)或60nm(倍率3000倍)
-区域宽度：90μm(倍率1000倍)或30μm(倍率3000倍)
-区域的高度：78.6μm(倍率1000倍)或26μm(倍率3000倍)
-Scan Phase：Cu
-试样角度：70°
对于转换成上述OIM形式的EBSD数据，使用晶粒直径计算软件(AMETEK公司制、OIMAnalysis v7.3.1x64)，将方位差5°以上视为晶界，由此鉴定各个晶体。不过，由于铜的晶体结构为立方晶结构，考虑到孪晶界，符合下述(i)或(ii)的情况不视为晶界。
(i)处于绕＜111＞轴旋转60°的方位关系的孪晶界
(ii)处于绕＜110＞轴旋转38.9°的方位关系的孪晶界
接着，使用上述晶粒直径计算软件，以z轴与铜箔样品的表面垂直的方式设定座标后，输出下述数据。
-Average orientation phi(φ1)、PHI(Φ)、phi(φ2)
-Area of grain(颗粒面积S)
-Grain circularity(颗粒形状的真圆度R)
使用输出的数据，基于下式计算各颗粒的晶界长度(周长)L，
同时基于下式分别计算各颗粒朝向铜箔样品表面的晶面的法线矢量(h，k，l)。
h＝sinΦ×sinφ2
k＝-sinΦ×cosφ2
l＝cosΦ
如下计算各颗粒的自基准面(u，v，w)的偏离角。首先，设定作为对象的基准面(u，v，w)。例如，计算自(111)面的偏离角的情况下，设定(u，v，w)＝(1，1，1)。并且，基于下式计算已算出的各颗粒的晶面的法线矢量(h，k，l)与基准面(u，v，w)的法线矢量所成的角，得到自基准面的偏离角θ。
此处，由此计算的θ的值为90度以上且小于180度时，将从180度减去该值得到的值作为最终的θ的值。例如，通过上式算出θ为150度时，将从180度减去其得到的30度作为最终的θ的值。由此，分别确定了自(111)面的偏离角为20度以下的颗粒、自(100)面的偏离角为20度以下的颗粒、自(010)面的偏离角为20度以下的颗粒、及自(001)面的偏离角为20度以下的颗粒。
针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个颗粒，求出晶界长度(周长)L与占有面积(颗粒面积)S之比L/S，计算其平均值。另外，计算自(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)。结果如表3所示。
(b)激光显微镜测定
通过使用激光显微镜(奥林巴斯株式会社制、OLS-5000)的表面粗糙度解析，依据ISO25178进行粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的测定。此时，如表2所示，将测定倍率设为200倍(物镜倍率100倍×光学变焦2倍)进行测定。其它具体的的测定条件如表2所示。针对得到的粗糙化处理面的表面轮廓，按照表2所示的条件进行解析，计算Sdr和Sk。结果如表3所示。
[表2]
表2
(c)传输特性
作为绝缘树脂基材准备高频用基材(Panasonic Corporation制、MEGTRON6N)。将粗糙化处理铜箔以其粗糙化处理面与绝缘树脂基材抵接的方式层叠于该绝缘树脂基材的两面，使用真空压制机，在温度190℃、压制时间120分钟的条件下进行热压制，得到绝缘厚度136μm的覆铜层叠板。对得到的覆铜层叠板的一面实施蚀刻加工，得到形成有电路的电路基板。使用以硫酸-过氧化氢为主要成分的蚀刻液对电路基板的电路实施粗糙化处理。该粗糙化处理通过将例4中铜的厚度的平均减少量为1.5μm的蚀刻条件适用至所有的例1～5中来进行。在粗糙化处理后的电路基板的电路侧的面上层叠上述绝缘树脂基材，使用真空压制机，在温度190℃、压制时间120分钟的条件下进行热压制。由此，得到总绝缘厚度(无电路的部分)为254μm、形成了特性阻抗为50Ω的带线的传输损耗测定用基板。对得到的传输损耗测定用基板使用网络分析仪(Keysight Technologies制、N5225B)测定50GHz的传输损耗(dB/cm)。按照下述基准评价得到的传输损耗的好坏。结果如表3所示。
＜传输损耗评价基准＞
-良好：传输损耗为-0.55dB/cm以上
-不良：传输损耗小于-0.55dB/cm
[表3]
表3
*表示比较例。
Claims (10)
1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，
所述粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下，
与所述粗糙化处理面相反侧的面在以180℃加热1小时后通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。
2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，与所述粗糙化处理面相反侧的面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)为0.10以上且0.60以下。
3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述L/S的平均值为2.0μm/μm2以上且11.0μm/μm2以下。
4.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及无L滤波器的条件测定的中心部的水平差Sk为1.70μm以下。
5.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔为电解铜箔，所述粗糙化处理面存在于电解铜箔的电极面侧。
6.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面具备多个粗糙化颗粒，所述粗糙化颗粒由金属构成。
7.一种覆铜层叠板，其具备树脂层和设置于该树脂层的至少一个表面的粗糙化处理铜箔，
所述粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面与所述树脂层接触，
所述粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下，
所述粗糙化处理铜箔的与所述粗糙化处理面相反侧的面在通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。
8.根据权利要求7所述的覆铜层叠板，其中，所述粗糙化处理铜箔的与所述粗糙化处理面相反侧的面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)为0.10以上且0.60以下。
9.一种印刷电路板的制造方法，其包括如下工序：
准备粗糙化处理铜箔的工序，所述粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下；
在树脂层的至少一个表面上以所述粗糙化处理面与所述树脂层接触的方式层叠所述粗糙化处理铜箔，从而制作覆铜层叠板的工序；
对所述覆铜层叠板的所述粗糙化处理铜箔进行加工，从而形成电路的工序；以及，
对所述电路进行基于蚀刻的粗糙化处理的工序，
进行所述基于蚀刻的粗糙化处理之前的所述电路的表面在通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。
10.根据权利要求9所述的印刷电路板的制造方法，其中，进行所述基于蚀刻的粗糙化处理之前的所述电路的表面在所述观察视场中，自所述(111)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A1与自(100)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A2、自(010)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A3、及自(001)面的偏离角为20度以下的晶粒的总占有面积A4的和(A2+A3+A4)之比A1/(A2+A3+A4)为0.10以上且0.60以下。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-161959 | 2021-09-30 | ||
| JP2021161959 | 2021-09-30 | ||
| PCT/JP2022/036024 WO2023054398A1 (ja) | 2021-09-30 | 2022-09-27 | 粗化処理銅箔及び銅張積層板、並びにプリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118019880A true CN118019880A (zh) | 2024-05-10 |
Family
ID=85782784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280065412.6A Pending CN118019880A (zh) | 2021-09-30 | 2022-09-27 | 粗糙化处理铜箔及覆铜层叠板、以及印刷电路板的制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118019880A (zh) |
| TW (1) | TW202323594A (zh) |
| WO (1) | WO2023054398A1 (zh) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102480377B1 (ko) * | 2018-08-10 | 2022-12-23 | 미쓰이금속광업주식회사 | 조화 처리 구리박, 캐리어 구비 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판 |
| TWI764170B (zh) * | 2019-06-19 | 2022-05-11 | 金居開發股份有限公司 | 微粗糙電解銅箔以及銅箔基板 |
-
2022
- 2022-09-27 CN CN202280065412.6A patent/CN118019880A/zh active Pending
- 2022-09-27 WO PCT/JP2022/036024 patent/WO2023054398A1/ja active Application Filing
- 2022-09-30 TW TW111137154A patent/TW202323594A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023054398A1 (ja) | 2023-04-06 |
| TW202323594A (zh) | 2023-06-16 |
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