CN118007106A - 一种立式parylene镀覆装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及镀覆技术领域，具体涉及一种立式parylene镀覆装置，包括：依次设置的料仓、蒸发室、裂解室和沉积室；所述蒸发室的入口与所述料仓连接，所述蒸发室的出口与所述裂解室的入口连接，所述裂解室的出口与所述沉积室的入口连接；所述裂解室的出口设置有气流打散装置，用于改变经所述裂解室裂解后的气体流向；所述沉积室的入口设置有进气格栅，用于分散进入到所述沉积室的气体。通过将气流打散装置与进气格栅配合使用，从而将裂解后的气流无序分散，避免沉积室内的局部气体浓度过高，保证了沉积室内的气流均匀分布，从而有利于提升镀膜均匀性。

Description

一种立式parylene镀覆装置

技术领域

本申请涉及镀覆技术领域，尤其是涉及一种立式parylene镀覆装置。

背景技术

聚对二甲苯（parylene，派瑞林）为一种新型热塑性塑料，用于制作极薄薄膜或沉积涂层，聚对二甲苯具有良好的气体、水汽阻隔性能、物理机械性能、电绝缘性以及防腐蚀性，是最有效的防潮、防霉、防腐以及防盐雾涂层材料。

现有聚对二甲苯膜层形成的原理是：粉末状的对二甲苯二聚体原料经过大约150℃的加热，升华为气态二聚体分子状态，然后经过大约700℃的高温，裂解成气态单分子自由基状态，最后在室温真空沉积腔体中自由基聚合形成聚对二甲苯高分子膜层;而对于无法在沉积室成膜的气态分子，则会沉积在冷机部位进行回收。

自动化真空气相沉积系统是通过气相沉积方式制备聚对二甲苯涂层的一种设备，将待镀膜的工件放置在镀膜室内的工件架上，然后向腔体内通入带有派瑞林的气体，带有派瑞林的气体与腔体内的物体表面接触从而在物体表面形成派瑞林镀膜。但是现有的派瑞林镀膜设备大都采用通孔喷淋类设计，在镀膜过程中，气体易在其它非孔的空间沉积或受到非孔空间的阻挡，导致气体流动能量急剧下降，气体沉积浪费、污染装置、镀膜效率低等问题；长时间使用后喷淋头的孔被部分或全部堵塞，导致镀膜产品表面难以均匀附着镀膜层甚至无法镀膜，镀膜效果不理想的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种立式parylene镀覆装置，以解决现有parylene镀覆装置镀膜存在气体浪费、污染装置、镀膜均匀性差、速度损耗效率低的问题。

本申请实施例提供了一种立式parylene镀覆装置，包括：依次设置的料仓、蒸发室、裂解室和沉积室；所述蒸发室的入口与所述料仓连接，所述蒸发室的出口与所述裂解室的入口连接，所述裂解室的出口与所述沉积室的入口连接；所述裂解室的出口设置有气流打散装置，用于改变经所述裂解室裂解后的气体流向；所述沉积室的入口设置有进气格栅，用于分散进入到所述沉积室的气体。

在一个可能的实现方式中，所述沉积室包括腔体，所述腔体的一侧为所述沉积室的入口，另一侧为所述沉积室的出口，所述沉积室的出口与冷机连接；所述腔体内设置有挡板，所述挡板正对着所述沉积室的入口，用于缓解进入到所述腔体内气体的冲击力。

在一个可能的实现方式中，所述挡板为与所述腔体侧壁相适应的弧形结构；所述挡板的下端与所述腔体的底部接触，所述挡板的顶部低于所述腔体侧壁的上端边沿。

在一个可能的实现方式中，所述挡板的顶部与所述腔体侧壁的上端边沿的高度差为8mm~15mm。

在一个可能的实现方式中，所述挡板的弧度与所述腔体侧壁的弧度一致，所述挡板的半径小于所述腔体侧壁的半径。

在一个可能的实现方式中，所述沉积室的入口在所述挡板上的正投影位于所述挡板沿宽度方向的中点位置；和/或，所述挡板的宽度为150mm~250mm。

在一个可能的实现方式中，所述腔体的顶部为曲面顶盖，所述曲面顶盖的R角为20~25度。

在一个可能的实现方式中，所述腔体内部设置有两个偶联剂支架，两个所述偶联剂支架分别用于放置不同的偶联剂；两个所述偶联剂支架上下设置且都与位于所述腔体正对于所述沉积室的入口的侧壁上；或者，两个所述偶联剂支架布置在待镀膜工件的上方，且位于同一高度位置，所述偶联剂支架与所述曲面顶盖的下边沿之间留有预设间距。

在一个可能的实现方式中，所述预设间距为100mm~150mm。

在一个可能的实现方式中，所述裂解室的出口设置有裂解气体出口通道，所述气流打散装置包括至少一个叶轮，所述叶轮固定在所述裂解气体出口通道内；所述叶轮包括多个沿周向均匀分布的弧形叶片，经所述裂解室裂解后的气体从相邻的所述弧形叶片之间流出。

在一个可能的实现方式中，所述进气格栅包括格栅框架以及设置在所述格栅框架上的多个格栅板，所述格栅框架上设有多个格栅条，各所述格栅板的上端与对应的所述格栅条铰接以形成进气格栅。

本申请实施例至少具有以下技术效果：

本申请实施例提供的立式parylene镀覆装置，舍弃了传统采用通孔喷淋类设计，通过将气流打散装置与进气格栅配合使用，从而将裂解后的气流无序打散，避免形成涡流，并结合可开闭的铰接式进气格栅和弧形挡板协同配合，减少气体回冲能量损耗，减少气体流入速率的过度衰减，保证了镀膜效率的同时，减少气流在其他空间的沉积，防止污染装置情形的发生；而且通过使小管道水平气流改为大空间的竖直多向混匀效果更佳的均匀气流，避免沉积室内的局部气体浓度过高，保证了沉积室内的气流均匀分布，从而有利于提升镀膜均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的整体结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的沉积室内的气流方向示意图；

图3为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的沉积室的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的沉积室内部的俯视图；

图5为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的挡板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的挡板与沉积室入口的相对位置关系示意图；

图7为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的沉积室底部的转盘及其传动结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的沉积室内的偶联剂支架的布置示意图；

图9为本申请实施例提供的另一种立式parylene镀覆装置的沉积室内的偶联剂支架的布置示意图；

图10为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的叶轮的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的一种立式parylene镀覆装置的进气格栅的结构示意图。

图标：1-料仓；110-料仓门；2-蒸发室；3-裂解室；4-沉积室；410-腔体侧壁；411-沉积室的入口；412-沉积室的出口；413-偶联剂支架；420-转盘；430-曲面顶盖；5-冷机；6-冷凝管；7-气流打散装置；710-叶轮；711-弧形叶片；8-进气格栅；810-格栅框架；820-格栅条；830-格栅板；9-挡板。

具体实施方式

下面将结合实施例对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语），具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式 “一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

结合图1和图2所示，本申请实施例提供了一种立式parylene镀覆装置，包括：依次设置的料仓1、蒸发室2、裂解室3和沉积室4。料仓1中存储有粉末状的对二甲苯二聚体原料，料仓1包括料仓门110，通过打开料仓门110可向料仓1内添加对二甲苯二聚体原料，而关闭料仓门110可起到密封料仓1的作用。蒸发室2的入口与料仓1连接，在蒸发室2内经过大约150℃的加热，升华为气态二聚体分子状态。蒸发室2的出口与裂解室3的入口连接，在裂解室3内经过大约700℃的高温，裂解成气态单分子自由基状态，裂解室3的出口与沉积室的入口411连接。

本申请的发明人发现，由于气态二聚体分子经高温裂解后，会因气体所在空间高位面浓度过高，前期会形成气流集束上升形成气流涡旋，从而使沉积室4内局部气体浓度过高。为了解决上述问题，本申请实施例提供的立式parylene镀覆装置，通过在裂解室3的出口处设置气流打散装置7，通过气流打散装置7改变经裂解室3裂解后的气体流向，同时在沉积室的入口411处设置进气格栅8，通过进气格栅8用于分散进入到沉积室4的气体，进入到沉积室4内的气流方向参阅图2所示。

传统parylene镀覆装置采用通孔喷淋类设计，设置在沉积室口的喷淋装置未将气流切割形成了涡流，所以镀膜的均匀性不好，而为避免此情况发生，常需要降低镀膜速率；而在长期镀膜时，易堵塞喷孔，存在着污染装置、气流受到非孔空间阻挡导致效率低的问题，且使用一段时间后会出现喷淋孔部分或全部堵塞导致镀膜不均匀或无法镀膜的问题；本申请实施例提供的立式镀覆装置，舍弃了上述设计，通过将气流打散装置与进气格栅配合使用可有效解决上述问题，且能够长期使用，减少维护。本申请实施例提供的立式parylene镀覆装置，通过将气流打散装置7与进气格栅8配合使用，从而将裂解后的气流无序分散，避免沉积室4内的局部气体浓度过高，保证了沉积室内的气流均匀分布，从而有利于提升镀膜均匀性。

在一些实施例中，结合图1至图7所示，沉积室4包括腔体，腔体相当于沉积室4的外壳，腔体底部设有用于装载工件的转盘420，转盘420由电机驱动其旋转，从而带动待镀膜的工件转动，有利于提升镀膜的均匀性。腔体的一侧为沉积室的入口411，沉积室的入口411与裂解室3的出口连接；腔体的另一侧为所述沉积室的出口412，沉积室的出口412与冷机5通过冷凝管6连接，冷机5主要用于对无法在沉积室4成膜的气态分子进行回收。

本申请的发明人进一步发现，由于沉积室的入口411一般比较小，会导致进入到沉积室4的气体冲击力过大。因此，为了解决上述问题，本实施例在腔体内设置挡板9，并且挡板9正对着沉积室的入口411，利用挡板9可缓解进入到所述腔体内气体的冲击力，使得气体平稳过渡，从而避免大气流直接对准工件，有利于提升腔体内的气流均匀性；本申请通过气流打散装置7、进气格栅8分散后的气体，在冲上挡板9时，可减少气体反冲，避免气体回冲导致能量损失，保证沉积效率。

可选地，继续参阅图3至图6，本申请实施例中的挡板9为一块弧形结构的板材，挡板9与腔体侧壁410的弧面相适应，也就是说挡板9具有与腔体侧壁410同样弯曲的弧面，二者之间留有一定的间隙供气体缓冲。挡板9的下端与腔体的底部接触，挡板9通过连接件与腔体的内壁连接，或者挡板9的下端直接与腔体的底部固定连接，由此将小管道水平的气流初步的导流成大空间的竖直多向混匀效果更佳的均匀气流，而且弧形挡板与腔体侧壁的间隙进行导流，形成局部弧形导流面，将气体进行向上及周围的导流形成均匀的气流，从而实现气体进行向上及周围方向的导流以及气体更为均匀的从三个方向周围式进入腔体用于沉积。

本申请实施例提供的立式parylene镀覆装置，通过将气流打散装置7、进气格栅8、挡板9配合使用，由此通过上述多个结构协同配合，形成让小管道的水平气流改为大空间的竖直多向均匀气流，保证气流的能量损耗尽量小，以提高沉积效率，减少气流在其他空间的沉积，防止污染装置，浪费派拉纶原料，且能够确保长期正常使用。

挡板9的顶部低于腔体侧壁410的上端边沿，二者之间具有一定的高度差，使得进入到沉积室4内的气体能够顺利从挡板9的上端流入到腔体内。可选地，如图3所示，挡板9的顶部与腔体侧壁410的上端边沿的高度差d为8mm~15mm，这样既能保证留出安全操作距离和最大装炉空间，又能够缓解气流压力，因为高度差过小会使得挡板9顶部的气流压力仍较大，高度差过大会使得气流在挡板9与腔体侧壁410之间的缓冲不够。可选地，挡板9的顶部与腔体侧壁410的上端边沿的高度差d为10mm。

在一些实施例中，继续参阅图4，挡板9的弧度与腔体侧壁410的弧度一致，挡板9的半径小于腔体侧壁410的半径，即挡板9正对着腔体侧壁410的表面为具有一定弧度的曲面结构，挡板9的弯曲程度与腔体侧壁410的弯曲程度一致，这样挡板9与腔体内壁之间的间距在不同位置均能保持一致，有利于提高气流的均匀性，进而提高镀膜质量。可选地，挡板9与腔体侧壁410之间的间隙为15mm~25mm，间隙太小会增加对冲压，间隙太大会降低对冲压。可选地，挡板9与腔体侧壁410之间的间隙为20mm，对于气流打散装置7打散气流之后20mm对冲，使其整高等量同时转动，带动微气流沿着挡板9顺序引导形成最大均匀度。

可选地，继续参阅图6，沉积室的入口411在挡板9上的正投影位于挡板9沿宽度方向的中点位置，即挡板9以沉积室的入口411为中心向两侧分别延伸，使得从挡板9两侧流出的气流压力和流速基本保持一致。

可选地，挡板9以沉积室的入口411为中心向两侧分别延伸宽度h，宽度h的取值为75mm~125mm之间，这样不仅能够缓解气流高压的冲击影响，同时也能保证从挡板9缝隙流出的气体充分沉积在工件表面。

在一些实施例中，继续参阅图3所示，腔体包括侧壁和顶部，腔体的顶部为曲面顶盖430，因平顶盖在气流速度非常高的情况下相对容易产生气流对冲，其为了确保均匀不能过度提高涂敷速率。设计曲面顶盖由于给了气流缓冲和引导所以不易形成对冲，所以不会造成局部过多沉积，在加快镀膜速率的前提下也能够确保均匀性，且均匀性还有所提升；曲面顶盖430的下端边沿与腔体侧壁410的上端边沿密封连接或者一体成型，从而形成一个密封的壳体结构。曲面顶盖430需要具有一定的弧度，否则容易压到产品，同时曲面顶盖430不能尺寸太大，尺寸太大导致产品之外的剩余真空空间过大，从而降低沉积效率，曲面顶盖430的R角需要控制在20度~25度，能使进气口进来的气体，在最开始气体向上走，到了曲面顶盖430的位置，则在20度~25度的这种角度下，会达到最大限度的气体分散，进而达到整个腔体内尽可能大的气流分散性。需要说明的是，R角是指曲面顶盖430所跨越的最大弧面所对应的圆心角。

在一些实施例中，如图8所示，腔体内部设置有两个偶联剂支架413，两个偶联剂支架413分别用于放置不同的偶联剂，例如：其中一个偶联剂支架413上放置比重轻的偶联剂材料，另一个偶联剂支架413上放置比重重的偶联剂材料。

具体地，两个偶联剂支架413上下设置且都与位于腔体正对于沉积室的入口411的侧壁上，待镀膜的工件位于沉积室的入口411与偶联剂支架413之间，并且两个偶联剂支架413之间具有一定的间距，靠近上方的偶联剂支架413上放置比重较重的材料，靠近下方的偶联剂支架413上放置比重较轻的材料，这样比重轻的材料气化上升，比重重的材料气化下沉，这两种不同的材料接触融合后形成新的复合耦合剂并自由沉积，从而在工件表面形成镀膜层。

在另一些实施例中，如图9所示，两个偶联剂支架413设置在待镀膜工件的上方，且位于同一高度位置，偶联剂支架413与曲面顶盖430之间留有预设间距。

在一些实施例中，偶联剂支架413与曲面顶盖430的下边沿之间的间距为100mm~150mm，这样能够保证从挡板9上方流入到腔体内的气体能够与偶联剂充分接触，以在最短时间内气化完结。

可以理解的是，偶联剂支架413通过连接件与腔体固定连接，偶联剂支架413上方可设置高压喷头对准偶联剂，偶联剂支架413距离腔体法兰口5英寸（大约17cm）的距离，选择这个高度，是考虑到偶联剂支架413的喷发角度大约为20度，刚好在喷发角度20度~25度之内。之所以放在上部，是保证偶联剂喷发出来后，被腔体内部转动带动，和自由落体运动轨迹下，最大范围的覆盖整个腔体。

在一些实施例中，结合图1、图2和图10所示，裂解室3的出口设置有裂解气体出口通道，气流打散装置7包括至少一个叶轮710，叶轮710固定在裂解气体出口通道内。叶轮710包括多个沿周向均匀分布的弧形叶片711，经裂解室3裂解后的气体从相邻的弧形叶片711之间流出。其中，弧形叶片711的具体结构可以根据气流大小和裂解气体出口通道的尺寸进行设置，本申请实施例对此不作具体限定。

可选地，气流打散装置7包括两个叶轮710，两个叶轮710分别安装在裂解气体出口通道的两端，叶轮710与裂解气体出口通道固定连接，并且这两个叶轮710对应位置的弧形叶片711不重叠，也就是说两个叶轮710的弧形叶片711错位设置，这样更有利于提升气流的打散效果。

本实施例提供的立式parylene镀覆装置，通过在裂解室3出口通道内设置多个带有弧形叶片711的叶轮710，并且利用不同叶轮710的叶轮710错位设置，可提升对裂解气体的气流打散效果，进一步降低局部气流浓度过高的风险，有利于提升镀膜均匀性。

在一些实施例中，如图11所示，本申请实施例提供的进气格栅8具体包括：格栅框架810以及设置在格栅框架810上的多个格栅板830，格栅框架810的外轮廓为环形结构，环形结构内部设有多个格栅条820，多个格栅在竖直方向上采用相等的间隔距离进行设置，从而保证相邻的两个格栅条820之间具有相同的距离，有利于格栅板830的安装。可以理解的是，由于格栅框架810的外轮廓呈环形结构，不同位置的格栅条820的长度可能相同，也可能不相同，具体需要根据格栅条820之间的间距进行调整设置，本实施例对此不作具体限定。

各格栅板830的上端分别与对应的格栅条820铰接以形成进气格栅8，这样格栅板830在自然状态下呈竖直状态，从而将格栅框架810封闭。当有气流从沉积室的入口411进入时，气流首先会将入口处的格栅框架810上的格栅板830顶开，从而使对应位置的格栅板830呈开启状态，这样气流就会从不同的格栅板830进入到沉积室4内，即，通过铰接连接的可开闭的格栅板830，气体通过在进入腔室前，打开格栅板并抵抗格栅板的重力，可进一步减少气体进入腔室时对腔室的冲击，防止气体回冲，避免气体回冲导致能量损失，保证沉积效率。

本实施例提供的立式parylene镀覆装置，通过将进气格栅8分解为多个可开闭的格栅板830，从而将气流进行分散，不同位置的格栅板830在气流作用下被顶开实现开启，从而将集中的气流进一步打散，防止局部的气流压力过高，同时通过与气流打散装置7的配合，可进一步提升气流分散的均匀性，进而提高镀膜均匀性，且能够长期正常使用。

参见下表1，示例1-4示出了不同镀膜装置下相关镀膜数据：

表1

涂覆速率：是指镀膜设备每小时所镀膜层的厚度（μm/h）；

膜层均匀性：试验以沉积20μm为标准，所镀膜层厚度正负百分比。示例1是根据本申请实施例提供的镀膜装置进行镀膜的相关数据，其中腔体的顶部为平面顶盖，涂覆速率为2.5-3μm/h，其膜层均匀性，短期和长期均匀性均非常良好。

示例2是根据本申请实施例提供的镀膜装置进行镀膜的相关数据，其中腔体的顶部为曲面顶盖，涂覆速率为4-6μm/h，其膜层均匀情况，短期和长期均优于示例1。

示例3为裂解室的出口设置未设有气流打散装置，在沉积室入口设置有气体喷淋头结构的；可以看出其涂覆效率低；膜层均匀情况方面，喷淋头短期使用无明显问题，但使用一段时间后有堵塞，均匀性短期差，长期更差。

示例4为仅沉积腔室设有挡板，可以看出其涂覆效率低，挡板沉积现象严重，长期、短期膜层均匀情况均很差。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体状况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种立式parylene镀覆装置，其特征在于，包括：依次设置的料仓、蒸发室、裂解室和沉积室；所述蒸发室的入口与所述料仓连接，所述蒸发室的出口与所述裂解室的入口连接，所述裂解室的出口与所述沉积室的入口连接；

所述裂解室的出口设置有气流打散装置，用于改变经所述裂解室裂解后的气体流向；所述沉积室的入口设置有进气格栅，用于分散进入到所述沉积室的气体；

所述沉积室包括腔体，所述腔体的一侧为所述沉积室的入口，另一侧为所述沉积室的出口，所述沉积室的出口与冷机连接；

所述腔体内设置有挡板，所述挡板正对着所述沉积室的入口，用于缓解进入到所述腔体内气体的冲击力；所述挡板为与所述腔体侧壁相适应的弧形结构；所述挡板的下端与所述腔体的底部接触，所述挡板的顶部低于所述腔体侧壁的上端边沿；

所述进气格栅包括格栅框架以及设置在所述格栅框架上的多个格栅板，所述格栅框架上设有多个格栅条，各所述格栅板的上端与对应的所述格栅条铰接以形成进气格栅。

2.根据权利要求1所述的立式parylene镀覆装置，其特征在于，所述挡板的顶部与所述腔体侧壁的上端边沿的高度差为8mm~15mm。

3.根据权利要求1所述的立式parylene镀覆装置，其特征在于，所述挡板的弧度与所述腔体侧壁的弧度一致，所述挡板的半径小于所述腔体侧壁的半径。

4.根据权利要求1所述的立式parylene镀覆装置，其特征在于，所述沉积室的入口在所述挡板上的正投影位于所述挡板沿宽度方向的中点位置；和/或，所述挡板的宽度为150mm~250mm。

5.根据权利要求1所述的立式parylene镀覆装置，其特征在于，所述腔体的顶部为曲面顶盖，所述曲面顶盖的R角为20~25度。

6.根据权利要求5所述的立式parylene镀覆装置，其特征在于，所述腔体内部设置有两个偶联剂支架，两个所述偶联剂支架分别用于放置不同的偶联剂；

两个所述偶联剂支架上下设置且都与位于所述腔体正对于所述沉积室的入口的侧壁上；或者，两个所述偶联剂支架布置在待镀膜工件的上方，且位于同一高度位置，所述偶联剂支架与所述曲面顶盖的下边沿之间留有预设间距。

7.根据权利要求6所述的立式parylene镀覆装置，其特征在于，所述预设间距为100mm~150mm。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的立式parylene镀覆装置，其特征在于，所述裂解室的出口设置有裂解气体出口通道，所述气流打散装置包括至少一个叶轮，所述叶轮固定在所述裂解气体出口通道内；所述叶轮包括多个沿周向均匀分布的弧形叶片，经所述裂解室裂解后的气体从相邻的所述弧形叶片之间流出。