CN117976757A - 单光子雪崩二极管 - Google Patents
单光子雪崩二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117976757A CN117976757A CN202410362118.2A CN202410362118A CN117976757A CN 117976757 A CN117976757 A CN 117976757A CN 202410362118 A CN202410362118 A CN 202410362118A CN 117976757 A CN117976757 A CN 117976757A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- single photon
- avalanche diode
- photon avalanche
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 26
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及光学检测技术领域，尤其涉及一种单光子雪崩二极管，单光子雪崩二极管包括外延层，外延层顶部有埋层以及环绕于埋层外的阱层，阱层朝向埋层的内侧设置有保护环，埋层开设有尖头朝下的锥型凹槽，在锥型凹槽的周向外设置有包裹锥型凹槽的掺杂区；外延层、阱层和埋层为P型和N型中的其中一种，保护环和掺杂区均为P型和N型中的另一种。本申请通过锥型凹槽改变内部掺杂浓度的分布，通过调整内部电场的分布进而调整电子进入雪崩区的位置分布，调整电场强度分布和掺杂浓度分布共同使得雪崩触发概率分布更加均匀，从而提高可实现的PDE最大探测效率，同时在阱层内侧设置有保护环，可实现对于耗尽层内电场的调控，实现对于PDE的提高。
Description
技术领域
本发明涉及光学检测技术领域，尤其涉及一种单光子雪崩二极管。
背景技术
单光子雪崩二极管（Single Photon Avalanche Diode)又称为SPAD，是一种工作在盖革模式(工作电压大于击穿电压)下的雪崩光电二极管。因其具有探测效率高、功耗低、响应速度快等优点，在光谱学、量子通信与三维成像等方面都得到广泛应用。SPAD工作原理是在盖革模式下，当SPAD 吸收光子时，在雪崩区产生电子-空穴对，并在强电场作用下发生雪崩倍增效应，形成雪崩电流。
硅制造技术为 SPAD 的集成提供了一个成熟的加工平台。但硅在近红外波段的吸收率偏低，为了优化光子探测效率 (Photon Detection Efficiency，PDE)，现有技术中的SPAD通常通过加厚吸收区域来增加吸收率以提高PDE，但是这会导致高工作电压、高过偏压以及对制造过程中产生的缺陷更加敏感；或是通过曲面结SPAD来提高PDE，但是曲面结SPAD的雪崩触发区域为一近似半球型的曲面结构，这导致了该结构下电子进入雪崩区域的位置不同，对应的雪崩触发概率会发生比较大的变化，引起雪崩触发概率分布不均匀，从而导致可实现的PDE最大探测效率不足。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种单光子雪崩二极管，旨在解决现有的曲面结SPAD雪崩触发概率分布不均匀，导致可实现的PDE最大探测效率不足的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括：
外延层，所述外延层顶部有埋层以及环绕于所述埋层外的阱层，所述阱层朝向所述埋层的内侧设置有保护环，所述埋层开设有尖头朝下的锥型凹槽，在所述锥型凹槽的周向外设置有包裹所述锥型凹槽的掺杂区，所述掺杂区与所述埋层形成非平面PN结；
所述外延层、所述阱层和所述埋层为P型和N型中的其中一种，所述保护环和所述掺杂区均为P型和N型中的另一种。
优选地，所述锥型凹槽为圆锥形凹槽或金字塔形凹槽。
优选地，所述外延层的掺杂浓度小于所述埋层的掺杂浓度，所述埋层的掺杂浓度小于所述阱层的掺杂浓度。
优选地，所述外延层外包裹有一层导流层，所述导流层的材质与所述外延层的材质相同，且所述导流层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
优选地，所述导流层的外周还包裹有一层金属深沟道隔离层。
优选地，所述金属深沟道隔离层包括一层Al2O3层以及位于所述Al2O3层及所述外延层之间的SiO2层。
优选地，所述锥形凹槽处设置有与所述锥型凹槽形状适配的阴电极，所述阴电极填满并外露于所述锥型凹槽，所述阱层的顶部设置有阳电极。
优选地，所述单光子雪崩二极管还包括位于所述阳电极和所述阴电极背离所述外延层的一侧的金属反射层，所述金属反射层与所述阳电极和所述阴电极间隔设置。
优选地，所述外延层的底部设置有陷光结构，所述陷光结构背离所述外延层的一侧设置有微透镜。
优选地，所述陷光结构为尖头朝上的锥形结构。
在本发明的技术方案中，通过在外延层顶部离子注入的方式形成埋层和环绕于埋层外的阱层，在埋层上刻蚀形成尖头朝下的锥型凹槽，并在锥型凹槽的周向离子注入包裹锥形凹槽的掺杂区，通过锥型凹槽改变了内部掺杂浓度分布，通过调整内部电场的分布进而调整电子进入雪崩区的位置分布，调整电场强度分布和掺杂浓度分布共同使得雪崩触发概率分布更加均匀，从而提高了可实现的PDE最大探测效率，同时针对倒锥形曲面结SPAD，在阱层朝向所述埋层的内侧设置有保护环，可实现对于耗尽层内电场的调控，从而控制电子进入雪崩区域的角度，进一步地实现对于PDE的提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明一实施例单光子雪崩二极管的结构示意图；
图2为本发明一实施例单光子雪崩二极管的掺杂浓度示意图；
图3为本发明一实施例单光子雪崩二极管的雪崩概率随角度变化折线图；
图4为本发明一实施例单光子雪崩二极管的PDE随着波长变化曲线图。
附图标号说明：
本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实施例中的附图，对本实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提出一种单光子雪崩二极管1。
请结合图1和图2，本实施例的单光子雪崩二极管1，包括外延层10，外延层10顶部有埋层12以及环绕于埋层12外的阱层11，阱层11朝向埋层12的内侧设置有保护环13，埋层12开设有尖头朝下的锥型凹槽14，在锥型凹槽14的周向外设置有包裹锥型凹槽14的掺杂区15，掺杂区15与埋层12形成非平面PN结；外延层10、阱层11和埋层12为P型和N型中的其中一种，保护环13和掺杂区15均为P型和N型中的另一种。
具体地，阱层11、埋层12、保护环13和掺杂区15均为在外延层10上离子注入不同的离子制成，在一实施例中，外延层10、阱层11和埋层12均为P型掺杂，保护环13和掺杂区15均为N型掺杂，在另一实施例中，阱层11和埋层12均为N型掺杂，保护环13和掺杂区15均为P型掺杂，掺杂区15和埋层12组成非平面PN结，使得雪崩区域位于掺杂区15和埋层12的交界区域，保护环13用于避免出现边缘击穿。通过采用上述结构的单光子雪崩二级管，可以将击穿电压控制在30V内，同时优化雪崩触发概率分布，使得雪崩触发概率分布更加均匀，请参阅图3，除了接近器件表面的位置外，雪崩触发概率随电子进入雪崩区域的位置与中轴线间的夹角α的变化幅度很小，通过对于埋层12的尺寸以及掺杂的调控，实现对外延层10内电场强度分布控制。在此基础上，实现了对光生载流子的运动轨迹的调控，并影响运动轨迹上雪崩触发概率分布，从而实现对于PDE的调控，请参阅图4，普通的Chargefocus-SPAD（汇聚型单光子雪崩二级管）在3V过偏压下900nm波段的PDE为27.50%，PDE与吸收率的比值为0.65；通过使用本专利中设计的倒锥型SPAD结构，可将900nm波段的PDE提高到了32.82%，PDE与吸收率的比值提高到0.77，很接近雪崩触发概率峰值（0.83）。
在本发明的技术方案中，通过在外延层10顶部离子注入的方式形成埋层12和环绕于埋层12外的阱层11，在埋层12上刻蚀形成尖头朝下的锥型凹槽14，并在锥型凹槽14的周向离子注入包裹锥形凹槽的掺杂区15，通过锥型凹槽14改变了内部掺杂浓度的分布，通过调整内部电场的分布进而调整电子进入雪崩区的位置分布，调整电场强度分布和掺杂浓度分布共同使得雪崩触发概率分布更加均匀，从而提高了可实现的PDE最大探测效率，同时针对倒锥形曲面结SPAD，在阱层11朝向埋层12的内侧设置有保护环13，可实现对于耗尽层内电场的调控，从而控制电子进入雪崩区域的角度，进一步地实现对于PDE的提高。
在一实施例中，锥型凹槽14为圆锥形凹槽或金字塔形凹槽。圆锥形或金字塔形凹槽均可实现调节电子进入雪崩区域的位置，可以理解地，锥型凹槽14还可以是任意正多棱锥形。
在一实施例中，外延层10的掺杂浓度小于埋层12的掺杂浓度，埋层12的掺杂浓度小于阱层11的掺杂浓度。通过对外延层10、埋层12和阱层11的掺杂浓度的调节，优化器件内的电场分布，从而调节电子的运动路径，使得雪崩触发概率分布更加均匀，从而提高PDE。
进一步地，外延层10外包裹有一层导流层30，导流层30的材质与外延层10的材质相同，且导流层30的掺杂浓度大于外延层10的掺杂浓度。通过设置导流层30对电流进行导通，可以优化电场分布，进而调节电子的移动路径。
在一实施例中，导流层30的外周还包裹有一层金属深沟道隔离层31。金属深沟道隔离层31位于导流层30沿水平向的外周，金属深沟道隔离层31可以将电场屏蔽在自身范围内，阻止电场的扩散和相邻器件之间的电磁耦合，从而减小了相邻的SPAD之间的干扰和串扰。
具体地，金属深沟道隔离层31包括一层Al2O3层以及位于所述Al2O3层及所述外延层之间的SiO2层。可以理解地，金属深沟道隔离层31选用现有技术中常规的FTI结构。氧化铝具有良好的绝缘性能，能够有效地阻止电流的传导，从而提高了金属深沟道隔离层31的隔离效果，有助于减小相邻器件之间的电磁耦合和串扰，提高器件的稳定性和可靠性。同时氧化铝具有良好的化学稳定性，能够抵抗酸、碱等化学腐蚀的侵蚀，保持隔离层的性能不受外部环境的影响，延长了器件的使用寿命。
在一实施例中，锥形凹槽处设置有与锥型凹槽14形状适配的阴电极32，阴电极32填满并外露于锥型凹槽14，阱层11的顶部设置有阳电极33。阴电极32与锥型凹槽14形状适配，以填满锥型凹槽14并外露于锥形凹槽。
进一步地，单光子雪崩二极管1还包括位于阳电极33和阴电极32背离外延层10的一侧的金属反射层20，金属反射层20与阳电极33和阴电极32间隔设置。金属反射层20能够有效地反射光线，将光线反射回SPAD内，从而增加光路中的光子数目，提高光学器件的光利用率和灵敏度。
在一实施例中，外延层10的底部设置有陷光结构21，陷光结构21背离外延层10的一侧设置有微透镜22。陷光结构21用于通过折射或反射作用改变入射光线的入射角度，使得光线能够更有效地进入到敏感区域，从而提高器件的光电探测效率和灵敏度，透镜则用于聚焦入射光线，将光线集中到SPAD的敏感区域，提高光电探测器的光收集效率和灵敏度。
具体地，陷光结构21为尖头朝上的锥形结构。可以理解地，陷光结构21的数量为多个，且沿外延层10的底部间隔设置，通过设置多个陷光结构21，来提高对于入射光线的角度调整，使得光线更有效的进入敏感区域，提高光收集效率。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：
外延层，所述外延层顶部有埋层以及环绕于所述埋层外的阱层，所述阱层朝向所述埋层的内侧设置有保护环，所述埋层开设有尖头朝下的锥型凹槽，在所述锥型凹槽的周向外设置有包裹所述锥型凹槽的掺杂区，所述掺杂区与所述埋层形成非平面PN结；
所述外延层、所述阱层和所述埋层为P型和N型中的其中一种，所述保护环和所述掺杂区均为P型和N型中的另一种。
2.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述锥型凹槽为圆锥形凹槽或金字塔形凹槽。
3.如权利要求1所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述外延层的掺杂浓度小于所述埋层的掺杂浓度，所述埋层的掺杂浓度小于所述阱层的掺杂浓度。
4.如权利要求3所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述外延层外包裹有一层导流层，所述导流层的材质与所述外延层的材质相同，且所述导流层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
5.如权利要求4所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述导流层的外周还包裹有一层金属深沟道隔离层。
6.如权利要求5所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述金属深沟道隔离层包括一层Al2O3层以及位于所述Al2O3层及所述外延层之间的SiO2层。
7.如权利要求1-6中任一项所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述锥形凹槽处设置有与所述锥型凹槽形状适配的阴电极，所述阴电极填满并外露于所述锥型凹槽，所述阱层的顶部设置有阳电极。
8.如权利要求7所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述单光子雪崩二极管还包括位于所述阳电极和所述阴电极背离所述外延层的一侧的金属反射层，所述金属反射层与所述阳电极和所述阴电极间隔设置。
9.如权利要求1-6中任一项所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述外延层的底部设置有陷光结构，所述陷光结构背离所述外延层的一侧设置有微透镜。
10.如权利要求9所述的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述陷光结构为尖头朝上的锥形结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410362118.2A CN117976757B (zh) | 2024-03-28 | 2024-03-28 | 单光子雪崩二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410362118.2A CN117976757B (zh) | 2024-03-28 | 2024-03-28 | 单光子雪崩二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117976757A true CN117976757A (zh) | 2024-05-03 |
| CN117976757B CN117976757B (zh) | 2024-07-16 |
Family
ID=90846365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410362118.2A Active CN117976757B (zh) | 2024-03-28 | 2024-03-28 | 单光子雪崩二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117976757B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110169093A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | BauaBTech | Electrostatic discharge protection device for high voltage operation |
| CN102184960A (zh) * | 2011-04-22 | 2011-09-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 功率金属氧化物半导体场效应管及其形成方法 |
| CN116031324A (zh) * | 2023-03-29 | 2023-04-28 | 季华实验室 | 一种单光子雪崩二极管及制作方法 |
-
2024
- 2024-03-28 CN CN202410362118.2A patent/CN117976757B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110169093A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | BauaBTech | Electrostatic discharge protection device for high voltage operation |
| CN102184960A (zh) * | 2011-04-22 | 2011-09-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 功率金属氧化物半导体场效应管及其形成方法 |
| CN116031324A (zh) * | 2023-03-29 | 2023-04-28 | 季华实验室 | 一种单光子雪崩二极管及制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| P.N. LEBEDEV: "Tip Avalanche Photodiode—A spherical-junction SiPM concept", NUCLEAR INST. AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH, A, vol. 1045, 20 October 2022 (2022-10-20), pages 1 - 8 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117976757B (zh) | 2024-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9178100B2 (en) | Single photon avalanche diode for CMOS circuits | |
| CA2451295C (en) | Avalanche photodiode for use in harsh environments | |
| CN101546789B (zh) | 半导体光电二极管及其制造方法 | |
| EP3467882A1 (en) | Photodiode and photodiode array | |
| CN113314638B (zh) | 近红外单光子雪崩二极管探测器及制作方法 | |
| US9660112B2 (en) | Semiconductor light trap devices | |
| CN209804690U (zh) | 半导体紫外光光电检测器和紫外辐射检测系统 | |
| EP3809472B1 (en) | A single-photon avalanche diode and a sensor array | |
| KR20200049816A (ko) | 개선된 작동 전압 범위를 가지는 반도체 광전자증배관 | |
| CN111106201A (zh) | 一种新型结构的apd四象限探测器及其制备方法 | |
| CN108538865B (zh) | 一种硅基三光电探测器 | |
| CN113270508A (zh) | 一种雪崩光电二极管和光电倍增管探测器 | |
| CN112825339A (zh) | 光电探测单元、光电探测结构和光电探测器及其制备方法 | |
| CN117976757B (zh) | 单光子雪崩二极管 | |
| CN211017104U (zh) | 光电探测单元、光电探测结构及光电探测器 | |
| CN116598369B (zh) | 低噪声单光子探测器及其制备方法 | |
| CN110544731A (zh) | 一种紫外探测器及其制备方法 | |
| CN116053339A (zh) | 一种基于绝缘柱的光电二极管及其制造方法 | |
| CN109494276B (zh) | 一种高速高效可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列 | |
| CN110690314A (zh) | 吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法 | |
| CN117690986B (zh) | 高温工作单光子探测器、单光子焦平面探测器及制备方法 | |
| KR102653478B1 (ko) | 단일 광자 검출 소자, 전자 장치, 및 라이다 장치 | |
| CN116097456A (zh) | 单光子雪崩二极管、图像传感器及电子设备 | |
| CN115799362A (zh) | 一种硅基双区雪崩光电二极管 | |
| CN114242827A (zh) | 横向光电探测器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |