CN117976688A - 电子装置 - Google Patents

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黄昱嘉
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Abstract

本发明提供了一种显示装置，其包括一基板、接合在所述基板上的至少一发光单元、设置在所述基板上的一透明度可控单元以及重叠于所述基板的一集成电路单元。所述集成电路单元包括一半导体结构与一导电结构，且所述导电结构重叠于所述半导体结构。所述集成电路单元电连接到所述至少一个发光单元与所述透明度可控单元。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，特别是涉及一种可调整透明度的电子装置。
背景技术
微型发光二极管可应用于显示装置，以此提升显示装置的透明度。然而，显示装置中的电子元件，例如驱动元件、开关元件等可能造成显示装置的透明度下降。此外，当显示装置在高透明度时会产生影像对比度较低的问题，进而影响显示装置的显示效果。因此，如何改善显示装置的透明度，或是在提升透明度的情形下改善显示装置的影像对比度为本领域重要的议题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置。
在一些实施例中，本发明提供了一种显示装置，其包括一基板、接合在基板上的至少一发光单元、设置在基板上的一透明度可控单元(transparency controllable unit)以及重叠于基板的一集成电路单元(integrated circuit unit)。集成电路单元包括一半导体结构与一导电结构，且导电结构重叠于半导体结构。集成电路单元电连接到至少一个发光单元与透明度可控单元。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图。
图2为本发明第一实施例的电子装置的剖视示意图。
图3为本发明第二实施例的电子装置的剖视示意图。
图4为本发明第三实施例的电子装置的剖视示意图。
图5为本发明第四实施例的电子装置的剖视示意图。
图6为本发明第五实施例的电子装置的俯视示意图。
图7为本发明第五实施例的电子装置的剖视示意图。
图8为本发明第五实施例的集成电路单元的剖视示意图。
图9为本发明第六实施例的电子装置的剖视示意图。
图10为本发明第七实施例的电子装置的剖视示意图。
图11为本发明第八实施例的电子装置的剖视示意图。
图12为本发明第九实施例的电子装置的俯视示意图。
图13为本发明的一实施例的集成电路单元的控制方式的示意图。
图14为本发明的另一实施例的集成电路单元的控制方式的示意图。
附图标记说明：100、200、300、400、500、600、700、800、900-显示装置；A1-区域；AL-主动层；BF-缓冲层；C1、C2、SML、SML1-半导体层；CB-导电材料；CL、M1、M2、CL1、M3-导电层；CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7、CP8、CP9、CP10、CP11、CP12、CP13、CP14、CP15、CP16、CP17-导电垫；CR1、CR2-通道区；CS-导电结构；CTU-复合单元；CU-电容；DA-主动区域；DE、DE1、DE2-汲极电极；DR、DR1、DR2-汲极区；E1、E2、EC-电极；ED-电子装置；EL-电极；GE、GE1、GE2-闸极电极；GI-闸极绝缘层；HP-第二部分；IC-周边电子元件；IL2、IL3、IL、IL1、INL、IL4、IL5、IL6、IL7、ISL、PL-绝缘层；INS-绝缘基板；ITU-整合单元；IU、IU1、IU2、IU3、IU4、IU5、IU6、IU7、IU8、IU9、IU10-集成电路单元；LE-下电极；LU、LU1、LU2、LU3-发光单元；MS-封装结构；OP、OP1、OP2-开口；PA-周边区域；PX、PX1、PX2、PX3、PX4、PX5-像素；RCP-虚设导电垫；RDL-重布线层；RDS、RDS1-重布线结构；RLU-虚设发光单元；S2-表面；S3-下表面；SB1、SB2、SSB-基板；SE、SE1、SE2-源极电极；SIU-子集成电路单元；SMS-半导体结构；SR、SR1、SR2-源极区；T1-第一晶体管；T2-第二晶体管；TC-时序控制器；TCL-透明可控层；TCR、TCR1、TCR2、TCR3、TCR4、TCR’-透明度可控区域；TCU、TCU1、TCU2、TCU3、TCU4-透明度可控单元；TS、S1-上表面；UE-上电极；V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12-穿孔；VP-第一部分；W1、W2、W3、W4、W5、W6-走线；X、Y、Z-方向。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本发明中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。
在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。
应了解到，当元件或膜层被称为“设置在”另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或膜层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。当元件或膜层被称为“电连接”到另一个元件或膜层时，其可解读为直接电连接或非直接电连接。本发明中所叙述的电连接或耦接皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两个电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两个电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的元件、或上述元件的组合，但不限于此。
虽然术语“第一”、“第二”、“第三”…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
在本发明中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度或宽度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。
另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值的正负20％范围以内，或解释为在所给定的值的正负10％、正负5％、正负3％、正负2％、正负1％或正负0.5％的范围以内。
此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
本发明的电子装置可包括显示装置、感测装置、背光装置、天线装置、拼接装置或其他适合的电子装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折、可挠曲或可拉伸的电子装置。显示装置可例如应用于笔记本电脑、公共显示器、拼接显示器、车用显示器、触控显示器、电视、监视器、智能手机、平板电脑、光源模块、照明设备或例如为应用于上述产品的电子装置，但不以此为限。感测装置可包括生物传感器、触控传感器、指纹传感器、其他适合的传感器或上述类型的传感器的组合。天线装置可例如包括液晶天线装置，但不以此为限。拼接装置可例如包括显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。须注意的是，本发明的电子装置可为上述装置的各种组合，但不以此为限。下文将以电子装置包括显示装置为例说明本发明内容，但本发明不以此为限。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1和图2，图1为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图，图2为本发明第一实施例的电子装置的剖视示意图。根据本发明，图1和图2所示的电子装置ED可例如为显示装置100，或者，显示装置100可应用或包含于电子装置ED中，其中显示装置100可根据使用者的需求与操作而显示静态或动态的影像或画面，但不以此为限。显示装置100可为透明显示装置或是透明度可调整的显示装置。需注意的是，图1仅示例性的示出了显示装置100的元件在显示装置100的俯视方向上(例如平行于方向Z)的配置，并未示出各元件的详细结构。如图2所示，显示装置100可包括基板SB1、发光单元LU、透明度可控单元TCU以及集成电路单元IU，但不以此为限。在本实施例中，发光单元LU、集成电路单元IU以及透明度可控单元TCU可位于基板SB1上，但不以此为限。以下将详述显示装置100所包括的元件和/或膜层。
基板SB1可包括任何适合的支撑材料，用于支撑位于其上的膜层和/或元件。换言之，基板SB1可提供支撑功能。需注意的是，在本发明的各实施例中所提到的“基板”可指具有支撑功能的膜层，故下文不再赘述。根据本实施例，基板SB1可包括硬质基板或可挠曲基板。硬质基板例如包括玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷、其他适合的材料或上述材料的组合，而可挠曲基板例如包括聚酰亚胺(polyimide，PI)基板、聚碳酸(polycarbonate，PC)基板、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)基板、其他适合的基板或上述材料或基板的组合，但不以此为限。
发光单元LU可作为显示装置100的显示光源。根据本实施例，发光单元LU可接合在基板SB1上，但不以此为限。此处的“发光单元LU接合在基板SB1上”可表示先形成发光单元LU，而后将发光单元LU通过任何适合的方法转移到基板SB1上，但不以此为限。下文中关于“接合”的定义可参考上述内容。在一些实施例中，发光单元LU可直接形成在基板SB1上。详言之，显示装置100可包括设置在基板SB1上的绝缘层IL2，其中绝缘层IL2可被图案化而在其中形成复数个开口OP，而发光单元LU可位于开口OP中。绝缘层IL2可视为像素定义层，其开口OP用来定义出显示装置100的发光区，但不以此为限。绝缘层IL2可包括任何适合的绝缘材料。发光单元LU可例如包括发光二极管，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、量子点二极管(quantum light-emitting diode,QLED或QDLED)、无机发光二极管(light emitting diode，LED)、其他任何适合的发光元件或上述的组合。无机发光二极管可例如包括次毫米发光二极管(mini LED)或微型发光二极管(micro LED)，但不以此为限。在一些实施例中，发光二极管的芯片尺寸约为300微米(μm)到10毫米(mm)，次毫米发光二极管(mini LED)的芯片尺寸约为100微米到300微米，微型发光二极管(micro LED)的芯片尺寸约为1微米到100微米，但不以此为限。例如，在本实施例中，发光单元LU可包括无机发光二极管(例如微型发光二极管)，而可包括半导体层C1、半导体层C2、位于半导体层C1和半导体层C2之间的主动层AL、连接到半导体层C1的电极E1和连接到半导体层C2的电极E2，但不以此为限。在一些实施例中，发光单元LU可包括其他适合的发光材料。
如图2所示，显示装置100还可包括绝缘层IL3，其中绝缘层IL3可设置在绝缘层IL2上并填入开口OP中，以此覆盖绝缘层IL2以及发光单元LU以提供发光单元LU保护效果。绝缘层IL3可例如作为封装层以将绝缘层IL3与基板SB1之间的膜层及电子元件(例如发光单元LU)予以封装。另一方面，绝缘层IL3的上表面TS(或是说绝缘层IL3远离发光单元LU的表面)可例如为一平坦表面，其有助于在绝缘层IL3上设置其他元件和/或膜层。
本发明的透明度可控单元TCU可包括通过任何适合的方式改变其透明度的元件。换言之，透明度可控单元TCU的透明度可被调整。透明度可控单元TCU可设置在基板SB1上，但不以此为限。此处的“透明度可控单元TCU可设置在基板SB1上”可包括在基板SB1上形成透明度可控单元TCU的实施例，以及包括先形成透明度可控单元TCU，而后将透明度可控单元TCU通过任何适合的方法转移到基板SB1上的实施例，本发明不以此为限。
如图2所示，透明度可控单元TCU可包括上电极UE、下电极LE以及透明可控层TCL，其中透明可控层TCL位于上电极UE与下电极LE之间，但不以此为限。具体来说，透明度可控单元TCU由上电极UE、下电极LE和位于上电极UE与下电极LE之间的透明可控层TCL所组成。在本实施例中，上电极UE和透明可控层TCL可例如是以一整层的方式设置，横向跨越透明度可控单元TCU的设置区域以及发光单元LU设置区域的上方，而下电极LE可被图案化，例如对应透明度可控单元TCU的设置区域但曝露出发光单元LU的设置区域，但不以此为限。在此情形下，透明度可控单元TCU的其中一个可通过上电极UE的一部分、对应到上电极UE的所述部分的下电极的一部分以及位于上电极UE的所述部分与下电极LE的所述部分之间的透明可控层TCL的一部分所组成，而显示装置100可包括复数个透明度可控单元TCU。此外，上电极UE和透明可控层TCL未对应到下电极LE的部分不构成透明度可控单元TCU。在一些实施例中，上电极UE可被图案化而具有对应到下电极LE的复数个部分。上述的“上电极UE对应到下电极LE”可包括上电极UE与下电极LE在显示装置100的俯视方向上至少部分重叠的实施例。
如图2的左半部所示，下电极LE可设置在绝缘层IL3上，透明可控层TCL可设置在下电极LE与绝缘层IL3上，而上电极UE可设置在透明可控层TCL上，但不以此为限。上电极UE和下电极LE可包括任何适合的导电材料，例如透明导电材料，但不以此为限。透明导电材料可例如包括氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、其他适合的材料或上述材料的组合。透明可控层TCL可包括会受到电场影响而改变其透明度或颜色的任何适合的材料。例如，透明可控层TCL的材料可包括染料液晶(dichroic dye liquidcrystal，DDLC)、聚合物分散液晶(polymer dispersed liquid crystal，PDLC)、聚合物网络液晶(polymer network liquid crystal，PNLC)、胆固醇液晶(cholesteric liquidcrystal，CLC)、电致变色材料(electrochromic，EC)、悬浮粒子变色材料(suspendedparticle device，SPD)、电子墨水(electronic ink)或上述材料的组合，但不以此为限。当上电极UE与下电极LE之间因电压差产生电场时，透明可控层TCL中的材料可受到电场影响而改变其透明度或颜色，进而改变透明度可控单元TCU的透明度。本实施例的透明度可控单元TCU的结构并不以上述结构为限，而可依据产品设计需求包括任何适合的结构。
需注意的是，透明度可控单元TCU的上电极UE、下电极LE和/或透明可控层TCL的设置位置并不以上述为限。在一些实施例中，如图2的右半部所示，下电极LE可设置在绝缘层IL2上，而绝缘层IL3可覆盖下电极LE，但不以此为限。在一些实施例中，根据产品设计需求，上电极UE和/或下电极LE可设置在显示装置100的任何适合的位置，而透明可控层TCL可选择设置在上电极UE与下电极LE之间的任何适合的位置。
如图1和图2所示，显示装置100可具有至少一透明度可控区域TCR，其中透明度可控区域TCR可通过透明度可控单元TCU的设置位置所定义。具体来说，可将透明度可控单元TCU的外缘所围成的区域定义为透明度可控区域TCR，但不以此为限。显示装置100的透明度可控区域TCR的透明度为可调整的。由于本实施例的显示装置100可包括复数个透明度可控单元TCU，因此显示装置100可具有复数个透明度可控区域TCR，但不以此为限。需注意的是，图1所示的透明度可控区域TCR的形状及尺寸仅为示例性的，本发明并不以此为限。透明度可控区域TCR的形状及尺寸可根据上电极UE、下电极LE和/或透明可控层TCL的结构而定。
根据本实施例，透明度可控单元TCU可不对应于发光单元LU设置，即透明度可控单元TCU在显示装置100的俯视方向上可不重叠于发光单元LU，但不以此为限。此处的“透明度可控单元TCU不对应于发光单元LU”可例如指透明度可控单元TCU不重叠于发光单元LU的发光层(例如主动层AL)，但不以此为限。例如，如图2所示，设置在绝缘层IL3上的下电极LE可被图案化以曝露出发光单元LU，例如将导电材料层对应于发光单元LU的部分移除以形成下电极LE，但不以此为限。由于下电极LE可不对应于发光单元LU，因此由下电极LE、上电极UE以及透明可控层TCL所组成的透明度可控单元TCU可不对应于发光单元LU。需注意的是，可通过其他方式使透明度可控单元TCU不对应于发光单元LU。在一些实施例中，上电极UE对应于发光单元LU的部分可被移除。在一些实施例中，透明可控层TCL对应于发光单元LU的部分可被移除。如图1所示，由于透明度可控单元TCU可不对应于发光单元LU设置，因此透明度可控区域TCR在显示装置100的俯视方向上(或是说在垂直于显示装置100的法线的XY平面上)可不重叠于发光单元LU。通过使透明度可控单元TCU不对应于发光单元LU设置，可降低透明度可控单元TCU对于显示装置100的显示效果的影响，进而改善显示装置100的表现。
根据本实施例，集成电路单元IU可接合在基板SB1上，并可重叠于基板SB1。详言之，集成电路单元IU可接合在基板SB1的上表面S1上，其中基板SB1的上表面S1可为基板SB1面向发光单元LU和/或透明度可控单元TCU的表面。此外，在显示装置100的俯视方向上，集成电路单元IU可位于发光单元LU以及透明度可控单元TCU下方，但不以此为限。集成电路单元IU可例如包括芯片(chip)，但不以此为限。换言之，显示装置100可包括接合在基板SB1上的芯片。具体来说，可先形成集成电路单元IU的芯片，而后将集成电路单元IU的芯片转移到基板SB1并接合到基板SB1的上表面S1上。
图2示出了本实施例的集成电路单元IU的结构。如图2(下半部)所示，集成电路单元IU可包括至少一晶体管，其包括源极区SR、汲极区DR、电连接到源极区SR的源极电极SE、电连接到汲极区DR的汲极电极DE以与闸极电极GE，但不以此为限。此外，集成电路单元IU还可包括设置在闸极电极GE与源极区SR和/或汲极区DR之间的闸极绝缘层GI以及设置在闸极绝缘层GI一侧的绝缘层PL，其中绝缘层PL在闸极绝缘层GI相反于闸极电极GE的一侧并可覆盖闸极电极GE，但不以此为限。源极电极SE可在集成电路单元IU的表面S2上延伸，并填入穿过闸极绝缘层GI和绝缘层PL的穿孔V1以电连接到源极区SR，而汲极电极DE可在集成电路单元IU的表面S2上延伸，并填入穿过闸极绝缘层GI和绝缘层PL的穿孔V2以电连接到汲极区DR。集成电路单元IU的表面S2可为集成电路单元IU中较远离源极区SR和/或汲极区DR的表面，例如为绝缘层PL的表面，但不以此为限。源极电极SE、汲极电极DE和闸极电极GE可包括任何适合的导电材料，例如金属材料，但不以此为限。闸极绝缘层GI和绝缘层PL可包括任何适合的绝缘材料。需注意的是，图2所示的集成电路单元IU的结构仅为示例性的，本实施例并不以此为限。
根据本实施例，集成电路单元IU可包括半导体结构SMS以及导电结构CS，其中导电结构CS可重叠于半导体结构SMS。具体来说，集成电路单元IU可包括由半导体结构SMS和导电结构CS堆叠所形成的结构。半导体结构SMS可定义为集成电路单元IU中包括半导体材料的部分或区域。半导体材料可例如包括碳化硅(SiC)、硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、其他适合的材料或上述材料的组合。半导体材料可例如包括低温多晶硅(low temperature polysilicon，LTPS)、低温多晶氧化物(low temperaturepolysilicon oxide，LTPO)或非晶硅(amorphous silicon，a-Si)，但不以此为限。半导体材料可包括但不限于非晶硅、多晶硅、锗、化合物半导体(例如氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(例如硅锗(SiGe)合金、镓砷磷(GaAsP)合金、铝铟砷(AlInAs)合金、铝镓砷(AlGaAs)合金、镓铟砷(GaInAs)合金、镓铟磷(GaInP)合金、镓铟砷磷(GaInAsP)合金)，或上述材料的组合，但不以此为限。半导体材料可包括但不限于金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、或包含多环芳香族化合物的有机半导体，或上述材料的组合。在本实施例中，集成电路单元IU中的源极区SR和汲极区DR可通过对包括半导体材料的半导体结构SMS的部分区域进行掺杂而形成，而半导体结构SMS位于源极区SR和汲极区DR之间的未掺杂区域可以视为晶体管的通道区或主动区。导电结构CS可包括导电层CL以及至少一绝缘层IL，其中绝缘层IL可设置在半导体结构SMS与导电层CL之间，但不以此为限。具体来说，导电层CL可包括集成电路单元IU中的导电元件，例如上述的源极电极SE、汲极电极DE和闸极电极GE，而绝缘层IL可例如包括上述的闸极绝缘层GI和绝缘层PL，其中闸极绝缘层GI和绝缘层PL可设置在半导体结构SMS与源极电极SE、汲极电极DE和/或闸极电极GE之间，但不以此为限。换言之，在集成电路单元IU中，包括半导体材料(例如源极区SR、汲极区DR、主动区)的部分可定义为半导体结构SMS，而包括导电元件(例如源极电极SE、汲极电极DE和闸极电极GE)和绝缘层(例如闸极绝缘层GI和绝缘层PL)的部分可定义为导电结构CS。在一些实施例中，导电结构CS还可包括其他适合的绝缘层和/或导电层。
本实施例的集成电路单元IU可以覆晶(flip chip)的方式设置在基板SB1上，亦即是以集成电路单元IU的导电结构CS面向基板SB1的上表面S1的方式将集成电路单元IU接合到基板SB1上，但不以此为限。因此，集成电路单元IU的表面S2面向基板SB1的上表面S1。基板SB1的上表面S1上可设置有复数个导电垫CP1，而集成电路单元IU中在表面S2上延伸的源极电极SE、汲极电极DE和/或闸极电极GE可电连接到导电垫CP1，以此将集成电路单元IU接合到基板SB1上。在此情形下，集成电路单元IU的导电结构CS的导电层CL、导电结构CS的绝缘层IL及半导体结构SMS由下而上依序位于基板SB1上。换言之，导电层CL可设置在基板SB1与绝缘层IL之间，而绝缘层IL可设置在导电层CL与半导体结构SMS之间。需注意的是，本发明的集成电路单元IU的接合方式并不以上述为限，而可根据产品设计需求包括任何适合的接合方式。
根据本实施例，集成电路单元IU可电连接到至少一个发光单元LU以及透明度可控单元TCU，以此控制发光单元LU的发光以及透明度可控单元TCU的透明度。具体来说，集成电路单元IU可电连接到透明度可控单元TCU的下电极LE，并通过提供电信号的方式改变下电极LE与上电极UE之间的电压差以调整透明度可控单元TCU的透明度，但不以此为限。详言之，显示装置100还可包括设置在基板SB1上的重布线层RDL、设置在重布线层RDL上的导电垫CP2、设置在重布线层RDL上并覆盖导电垫CP2的绝缘层IL1以及设置在绝缘层IL1上的导电垫CP3，但不以此为限。绝缘层IL1可包括任何适合的绝缘材料。集成电路单元IU可通过重布线层RDL电连接到导电垫CP2。绝缘层IL1中可包括对应于导电垫CP3的穿孔V3，而导电垫CP3可填入穿孔V3并接触于导电垫CP2，以此电连接到导电垫CP2。发光单元LU的电极(例如图2所示的电极E1)可电连接到导电垫CP3。因此，集成电路单元IU可通过重布线层RDL、导电垫CP2和导电垫CP3电连接到发光单元LU，以此控制发光单元LU的发光。此外，本实施例的显示装置100还可包括设置在重布线层RDL上的导电垫CP4、设置在绝缘层IL1上的导电垫CP5、设置在绝缘层IL2上的导电垫CP6以及设置在绝缘层IL3上的导电垫CP7，但不以此为限。集成电路单元IU可通过重布线层RDL电连接到导电垫CP4。绝缘层IL1中可包括对应于导电垫CP4的穿孔V4，而导电垫CP5可填入穿孔V4并接触于导电垫CP4，以此电连接到导电垫CP4。类似地，导电垫CP6可通过穿孔V5电连接于导电垫CP5，而导电垫CP7可通过穿孔V6电连接于导电垫CP6。导电垫CP7可电连接到透明度可控单元TCU的电极，例如下电极LE，但不以此为限。因此，集成电路单元IU可通过重布线层RDL、导电垫CP4、导电垫CP5、导电垫CP6和导电垫CP7电连接到透明度可控单元TCU，以此控制透明度可控单元TCU的透明度。在一些实施例中，当透明度可控单元TCU的下电极LE设置在绝缘层IL3下(如图2右半部所示)，显示装置100可不包括导电垫CP7，而导电垫CP6可电连接到下电极LE。上述的导电垫可包括任何适合的导电材料，例如金属材料，但不以此为限。在本实施例中，导电垫CP2与导电垫CP4可由同一导电层所形成，而导电垫CP3与导电垫CP5可由同一导电层所形成，但不以此为限。需注意的是，本实施例的显示装置100的走线设计并不以上述为限。在一些实施例中，显示装置100可依据产品设计需求包括任何适合的走线设计，使得集成电路单元IU可电连接到发光单元LU和透明度可控单元TCU。
重布线层RDL可包括可调整信号输入端和信号输出端的位置，或是可调整走线布局的任何适合的膜层。例如，分别位于重布线层RDL两侧的信号输入端和信号输出端可不对应于彼此，但不以此为限。举例来说，当集成电路单元IU通过重布线层RDL电连接到发光单元LU时，信号输入端的位置可例如位于集成电路单元IU的汲极电极DE的穿孔V2处，而信号输出端的位置可例如位于对应到导电垫CP2的穿孔V7处，其中穿孔V2的位置可不对应到穿孔V7的位置，但不以此为限。类似地，当集成电路单元IU通过重布线层RDL电连接到透明度可控单元TCU时，穿孔V2的位置可不对应到对应于导电垫CP4的穿孔V8的位置。本实施例的重布线层RDL可例如包括由复数个绝缘层(图未示)和复数个导电层(例如导电层M1、导电层M2，但不以此为限)交替堆叠所形成的结构，但不以此为限。重布线层RDL中的走线布局可通过导电层(例如导电层M1、导电层M2)的设置位置而定。此外，重布线层RDL的绝缘层中可包括穿孔，使得走线在重布线层RDL中可转层。重布线层RDL的导电层可包括任何适合的导电材料，例如但不限于金属材料。重布线层RDL的绝缘层可包括任何适合的绝缘材料，例如但不限于聚酰亚胺。根据本实施例，由于显示装置100的集成电路单元IU可包括芯片，而可具有较小的尺寸，因此可通过重布线层RDL降低集成电路单元IU与发光单元LU和/或透明度可控单元TCU之间的电连接难度，进而改善显示装置的表现或空间配置。
需注意的是，图2仅示例性地示出了集成电路单元IU电连接到重布线层RDL的情形，并不代表显示装置100的实际结构。如图2所示，本实施例的集成电路单元IU可以覆晶方式接合到基板SB1上，其中集成电路单元IU的源极电极SE、汲极电极DE和/或闸极电极GE可电连接到基板SB1上的导电垫CP1。在本实施例中，显示装置100还可包括电连接到导电垫CP1的走线W1，其中走线W1可电连接于集成电路单元IU的电极(例如汲极电极DE，但不以此为限)与重布线层RDL的导电层之间，以此将集成电路单元IU电连接到重布线层RDL。换言之，本实施例的集成电路单元IU可通过导电垫CP1和走线W1电连接到重布线层RDL。在一些实施例中，集成电路单元IU可通过其他适合的方式电连接到重布线层RDL。
根据本实施例，集成电路单元IU可不对应于透明度可控单元TCU设置。换言之，在显示装置100的俯视方向上，集成电路单元IU可不重叠于透明度可控单元TCU。通过使集成电路单元IU不对应于透明度可控单元TCU设置，可降低集成电路单元IU对于透明度可控单元TCU的透明度的影响，进而改善显示装置100的表现。此外，在本实施例中，集成电路单元IU在显示装置100的俯视方向上可不重叠于发光单元LU，但不以此为限。在一些实施例中，集成电路单元IU在显示装置100的俯视方向上可重叠于至少一个发光单元LU。
如图1所示，在本实施例中，显示装置100可包括复数个集成电路单元IU，其中一个集成电路单元IU可电连接到至少三个发光单元LU以及一个透明度可控单元TCU，但不以此为限。详言之，显示装置100可包括发光单元LU1、发光单元LU2、发光单元LU3、集成电路单元IU1以及透明度可控单元TCU1，其中集成电路单元IU1可电连接到发光单元LU1、发光单元LU2以及发光单元LU3，以控制发光单元LU1、发光单元LU2以及发光单元LU3的发光。此外，集成电路单元IU1可电连接到透明度可控单元TCU1，以控制透明度可控单元TCU1的透明度。透明度可控单元TCU1可定义出一透明度可控区域TCR1。在本实施例中，发光单元LU1、发光单元LU2以及发光单元LU3可例如组成一像素PX，例如像素PX1，但不以此为限。换言之，同一像素PX中的发光单元LU可电连接到同一个集成电路单元IU，而由同一个集成电路单元IU所控制。在一些实施例中，发光单元LU1、发光单元LU2以及发光单元LU3可分别发射不同颜色的光，例如分别发射红光、蓝光和绿光，但不以此为限。在一些实施例中，发光单元LU1、发光单元LU2以及发光单元LU3可发射相同颜色的光线。在一些实施例中，当一个像素PX中包括多于三个发光单元LU时，集成电路单元IU可电连接到多于三个发光单元LU。此外，在本实施例中，电连接到集成电路单元IU1的透明度可控单元TCU1可例如邻近于像素PX1，或是说邻近于像素PX1中的发光单元LU1、发光单元LU2和发光单元LU3，但不以此为限。换言之，集成电路单元IU可电连接到一像素PX中的发光单元LU以及邻近于该像素PX的透明度可控单元TCU。例如，显示装置100还可包括由发光单元LU1、发光单元LU2以及发光单元LU3所组成的像素PX2、集成电路单元IU2以及邻近于像素PX2的透明度可控单元TCU2(或透明度可控区域TCR2)，其中集成电路单元IU2可电连接到像素PX2中的发光单元LU1、发光单元LU2和发光单元LU3以及透明度可控单元TCU2，但不以此为限。根据本实施例，当集成电路单元IU控制一发光单元LU发光或显示影像时，可通过集成电路单元IU控制邻近于该发光单元LU的透明度可控单元TCU的透明度，例如降低其透明度，以此提升该发光单元LU所显示的影像的对比度，但不以此为限。如此，可改善显示装置100的显示效果。
需注意的是，集成电路单元IU与发光单元LU(或透明度可控单元TCU)之间的电连接关系并不以上述为限。在一些实施例中，一个集成电路单元IU可电连接到一个发光单元LU和邻近于该发光单元LU的一个透明度可控单元TCU。在一些实施例中，一个集成电路单元IU可电连接到一个发光单元LU和邻近于该发光单元LU的复数个透明度可控单元TCU。在一些实施例中，一个发光单元LU和邻近于该发光单元LU的透明度可控单元TCU可电连接到不同的集成电路单元IU。
如图1所示，本实施例的显示装置100可包括主动区域DA以及周边区域PA。主动区域DA可为显示装置100中包括发光单元LU的区域，并可用于显示影像。换言之，主动区域DA可视为显示装置100的显示区域。本实施例的主动区域DA可例如由显示装置100的发光单元LU所定义，但不以此为限。具体来说，主动区域DA可例如定义为复数个发光单元LU中位于最外围的发光单元LU的外缘所围成的区域，而主动区域DA以外的区域则可被定义为周边区域PA，但不以此为限。在本实施例中，发光单元LU、集成电路单元IU以及透明度可控单元TCU可例如位于主动区域DA中，但不以此为限。在本实施例中，一个集成电路单元IU与所电连接的像素PX和透明度可控单元TCU(或透明度可控区域TCR)可构成一复合单元CTU，而复合单元CTU可以阵列方式排列在主动区域DA中。
如图1与图2所示，根据本实施例，显示装置100还可包括走线W2、导电材料CB、导电垫CP8、导电垫CP9以及走线W3，但不以此为限。走线W2可设置在显示装置100的周边区域PA，并可电连接到透明度可控单元TCU的上电极UE。此外，在显示装置100的俯视方向上，走线W2可具有环形形状，并围绕发光单元LU、集成电路单元IU以及透明度可控单元TCU设置，但不以此为限。例如，走线W2可沿着上电极UE的侧边而围绕上电极UE设置，但不以此为限。走线W2可包括任何适合的导电材料。导电材料CB可设置在显示装置的周边区域PA，并可设置在走线W2与导电垫CP8之间，但不以此为限。换言之，导电材料CB可电连接于走线W2与导电垫CP8之间。导电材料CB可例如包括金属材料，例如金(Au)，但不以此为限。导电垫CP8和导电垫CP9可设置在显示装置100的周边区域PA，其中导电垫CP8可设置在绝缘层IL3上，而导电垫CP9可设置在绝缘层IL2与绝缘层IL3之间，但不以此为限。导电垫CP8和导电垫CP9可包括任何适合的导电材料。绝缘层IL3中可包括对应于导电垫CP8的穿孔V9，而导电垫CP8可填入穿孔V9并接触于导电垫CP9，以此电连接到导电垫CP9。走线W3可电连接到导电垫CP9。走线W3可包括穿过绝缘层IL2、绝缘层IL1以及重布线层RDL的第一部分VP以及在基板SB1的上表面S1上延伸的第二部分HP。第一部分VP可位于周边区域PA。第一部分VP可由多组转接走线组成，但不以此为限。第二部分HP可例如从周边区域PA延伸到主动区域DA，并电连接于集成电路单元IU。例如，如图2下半部所示，集成电路单元IU还可包括一电极EL，电极EL可在集成电路单元IU的表面S2上延伸，并填入穿过闸极绝缘层GI和绝缘层PL的穿孔并电连接到半导体结构SMS，其中电极EL可电连接到位于基板SB1的上表面S1上的导电垫CP1，而走线W3的第二部分HP可电连接到电极EL所电连接的导电垫CP1，以此使第二部分HP电连接到集成电路单元IU，但不以此为限。走线W3可包括任何适合的导电材料。以此，透明度可控单元TCU的上电极UE可通过走线W2、导电材料CB、导电垫CP8、导电垫CP9、走线W3以及导电垫CP1电连接到集成电路单元IU的电极EL，以此电连接到集成电路单元IU，但不以此为限。在一些实施例中，可通过其他方式将透明度可控单元TCU的上电极UE电连接到集成电路单元IU。通过将电连接上电极UE与集成电路单元IU的导电结构设置在周边区域PA，可改善显示装置100的显示区域DA的空间配置的弹性。
由于透明度可控单元TCU的上电极UE可电连接到集成电路单元IU，因此可通过集成电路单元IU提供一共同电压(common voltage)给上电极UE。换言之，上电极UE可视为不同透明度可控单元TCU中的共同电极，但不以此为限。在另一些实施例中，集成电路单元IU可提供共同电压给透明度可控单元TCU中的下电极LE，并提供可改变透明度可控单元TCU的透明度的电信号给上电极UE，即下电极LE可视为不同透明度可控单元TCU中的共同电极。
在本实施例中，上电极UE所电连接到的集成电路单元IU可例如为显示装置100中最外围的集成电路单元IU，但不以此为限。换言之，走线W3的第二部分HP可从周边区域PA向主动区域DA延伸，并接触于最外围的集成电路单元IU，以此降低走线W3在主动区域DA所占据的空间，进而改善主动区域DA的空间配置的弹性或改善显示装置100的显示效果。此外，本实施例的上电极UE例如可电连接到多于一个集成电路单元IU。具体来说，显示装置100可包括电连接到走线W2的复数个导电材料CB、复数个导电垫CP8、复数个导电垫CP9以及复数条走线W3，因而包括复数个走线W3的第二部分HP，其中复数个第二部分HP可从周边区域PA向主动区域DA延伸，并分别电连接到最外围的集成电路单元IU的其中一个，但不以此为限。在一些实施例中，主动区域DA内可设置有电连接到走线W2的走线结构以提升电场均匀度，以此改善透明度可控区域TCR的对比均匀度。在一些实施例中，位于最外围的集成电路单元IU的每一个可电连接到一条走线W3。通过上述设计，集成电路单元IU所提供的共同电压的稳定性可增加，进而改善透明度可控单元TCU的表现。
在一些实施例中，如图1所示，显示装置100还可包括周边电子元件IC，其中周边电子元件IC可设置在周边区域PA，但不以此为限。周边电子元件IC可电连接到集成电路单元IU，使电信号可往返于集成电路单元IU与外部电子元件IU之间。例如，集成电路单元IU可通过重布线层RDL电连接到周边电子元件IC，但不以此为限。周边电子元件IC还可电连接到显示装置100的其他适合的电子元件。周边电子元件IC可例如包括芯片、软性印刷电路板(flexible printed circuit board，FPCB)、其他适合的电子元件或上述元件的组合，但不以此为限。
在一些实施例中，如图2所示，显示装置100还可包括基板SB2，其中基板SB2可设置在透明度可控单元TCU上。换言之，发光单元LU、透明度可控单元TCU和集成电路单元IU可设置在基板SB1与基板SB2之间，但不以此为限。基板SB2的材料可参考上述基板SB1的材料，故不再赘述。基板SB2的材料可与基板SB1相同或不同，本发明并不以此为限。
如上文所述，显示装置100可包括发光单元LU、透明度可控单元TCU以及集成电路单元IU，其中集成电路单元IU可例如为接合到基板SB1上的芯片。此外，集成电路单元IU可电连接到发光单元LU与透明度可控单元TCU，以控制发光单元LU与透明度可控单元TCU。换言之，集成电路单元IU可作为发光单元LU与透明度可控单元TCU的驱动单元。根据本实施例，由于集成电路单元IU(例如芯片)的尺寸可小于传统显示装置中的驱动元件(例如薄膜晶体管)的尺寸，因此可提升显示装置100的透明度，进而改善显示装置100的显示效果。此外，在本实施例中，集成电路单元IU可控制发光单元LU以及邻近于该发光单元LU的透明度可控单元TCU。因此，当集成电路单元IU控制发光单元LU发光并显示影像时，可通过集成电路单元IU使邻近于该发光单元LU的透明度可控单元TCU的透明度降低，以此增加发光单元LU所显示的影像的对比度，进而改善显示装置100的显示效果。如此一来，可在提高显示装置100的透明度的情形下改善显示装置100的显示效果。
须注意的是，本实施例的显示装置100所包括的元件和/或膜层并不以上述为限，还可包括任何可应用于显示装置100的元件和/或膜层。下文中将描述本发明更多的实施例。为了简化说明，下述实施例中相同的膜层或元件会使用相同的标注，且其特征不再赘述，而各实施例之间的差异将会于下文中详细描述。
请参考图3，图3为本发明第二实施例的电子装置的剖视示意图。在本实施例中，显示装置200的透明度可控单元TCU的下电极LE可设置在绝缘层IL1与绝缘层IL2之间，其中绝缘层IL2可覆盖下电极LE，但不以此为限。导电垫CP5可直接电连接到下电极LE，并通过穿孔V4电连接到导电垫CP4，而导电垫CP4可通过重布线层RDL电连接到集成电路单元IU，以此将集成电路单元IU电连接到下电极LE。
本实施例的显示装置200可包括接合在基板SB1上的集成电路单元IU3，其中集成电路单元IU3中的晶体管可为薄膜晶体管。例如，集成电路单元IU3可包括半导体结构SMS、导电结构CS以及重布线结构RDS，而导电结构CS可设置在半导体结构SMS与重布线结构RDS之间。半导体结构SMS可包括绝缘基板INS以及半导体层SML，其中半导体层SML可设置在绝缘基板INS表面。绝缘基板INS可包括任何可提供支撑功能的绝缘材料。例如，绝缘基板INS可包括玻璃基板，但不以此为限。半导体层SML可包括源极区SR、汲极区DR以及位于源极区SR与汲极区DR之间的通道区CR。导电结构CS可包括导电层CL与绝缘层IL，其中导电层CL可例如包括电连接到源极区SR的源极电极SE、电连接到汲极区DR的汲极电极DE以及对应于通道区CR设置的闸极电极GE，而绝缘层IL可包括闸极绝缘层GI以及绝缘层PL，但不以此为限。半导体层SML可设置在绝缘基板INS与绝缘层IL之间，而绝缘层IL可设置在半导体层SML与导电层CL之间。半导体层SML、源极电极SE、汲极电极DE、闸极电极GE与闸极绝缘层GI可构成集成电路单元IU3中的薄膜晶体管元件。此外，半导体结构还可选择性地包括缓冲层BF，设置在绝缘基板INS与半导体层SML之间。
重布线结构RDS可包括由复数层绝缘层INL以及复数层导电层(例如导电层CL1，但不以此为限)交替堆叠所形成的结构，其中绝缘层INL可包括至少一穿孔，使得各导电层CL1可彼此电连接以形成走线，但不以此为限。集成电路单元IU3的导电结构CS的导电层CL(例如汲极电极DE)可通过电连接到重布线结构RDS(或是说重布线结构RDS中的导电层CL1)引出到设置在重布线结构RDS相反于导电结构CS的一侧的表面的导电垫CP10，而导电垫CP10可电连接到发光单元LU和透明度可控单元TCU。例如，在集成电路单元IU3接合到基板SB1上后，导电垫CP10可电连接到图2所示的导电垫CP1，进而电连接到发光单元LU以及透明度可控单元TCU，但不以此为限。发光单元LU和透明度可控单元TCU可通过集成电路单元IU3中的重布线结构RDS电连接到导电结构CS。重布线结构RDS可具有调整信号输入端和信号输出端的位置，或是调整走线的布局(例如可整并走线，但不以此为限)的功能。具体来说，重布线结构RDS可调整信号输出端的位置，使其不对应于信号输入端。例如，在集成电路单元IU3中，分别位于重布线结构RDS的两侧的信号输入端以及信号输出端的位置大致上可分别对应到穿孔V10(对应于导电层CL，例如对应于汲极电极DE)和穿孔V11(对应于导电垫CP10)的位置，而在显示装置200的俯视方向(例如平行于方向Z)上，穿孔V10可不对应于穿孔V11。通过使集成电路单元IU3包括重布线结构RDS，可降低集成电路单元IU3与基板SB1的接合制程的难度，或可提升接合制程的弹性。
请参考图4，图4为本发明第三实施例的电子装置的剖视示意图。在本实施例中，显示装置300的发光单元LU可例如包括垂直式(vertical type)发光二极管，即发光单元LU的电极E1和电极E2可分别位于发光单元LU的两侧，但不以此为限。在此情形下，发光单元LU的电极的其中一个(例如电极E1)可电连接到设置在绝缘层IL1上的导电垫CP3，而另一个电极(例如电极E2)可电连接到设置在绝缘层IL3上的透明度可控单元TCU的下电极LE。换言之，由同一集成电路单元IU控制的发光单元LU可与透明度可控单元TCU共享下电极LE，但不以此为限。此外，在本实施例中，下电极LE可通过绝缘层IL3中的穿孔V6电连接到导电垫CP6，进而使透明度可控单元TCU电连接到集成电路单元IU。
本实施例的显示装置300可包括接合在基板SB1上的集成电路单元IU4，其中集成电路单元IU4可包括两个子集成电路单元SIU，但不以此为限。两个子集成电路单元SIU可通过一封装结构MS封装成集成电路单元IU4。换言之，集成电路单元IU4可包括封装结构MS，其中封装结构MS可围绕两个子集成电路单元SIU的半导体结构SMS和导电结构CS。封装结构MS可包括任何适合的封装材料。封装材料例如包括但不限于树脂、环氧树脂、其他适合的材料或上述材料的组合。子集成电路单元SIU的结构可参考图2的集成电路单元IU的结构，故不再赘述。换言之，集成电路单元IU4可包括将两个集成电路单元IU封装所形成的结构。由于集成电路单元IU4可包括两个子集成电路单元SIU，发光单元LU和透明度控制单元TCU可分别由两个子集成电路单元SIU所控制。例如，图4中位于左侧的子集成电路单元SIU可电连接到发光单元LU，而位于右侧的子集成电路单元SIU可电连接到透明度可控单元TCU，但不以此为限。在一些实施例中，集成电路单元IU4可包括更多个子集成电路单元SIU。需注意的是，图2所示的集成电路单元IU和图3所示的集成电路单元IU3可视为集成电路单元IU包括一个子集成电路单元SIU的实施例。在此情形下。发光单元LU和透明度可控单元TCU可通过集成电路单元IU(或集成电路单元IU3)以分时(time-sharing)的方式控制，但不以此为限。
集成电路单元IU4还可包括重布线结构RDS1，其中子集成电路单元SIU的导电层CL可通过重布线结构RDS1电连接到发光单元LU和/或透明度可控单元TCU。例如，集成电路单元IU4中左侧的子集成电路单元SIU的导电层CL(例如汲极电极DE)可通过重布线结构RDS1引出到导电垫CP11，其中导电垫CP11可电连接到发光单元LU，而集成电路单元IU4中右侧的子集成电路单元SIU的导电层CL(例如汲极电极DE)可通过重布线结构RDS1引出到导电垫CP12，其中导电垫CP12可电连接到透明度可控单元TCU，但不以此为限。重布线结构RDS1可例如由半导体材料以及在半导体材料中延伸的走线W4所组成，但不以此为限。在一些实施例中，可以集成电路单元IU3中的重布线结构RDS替代重布线结构RDS1。在一些实施例中，集成电路单元IU4还可包括绝缘基板INS，而封装结构MS可位于绝缘基板INS与重布线结构RDS1之间。
请参考图5，图5为本发明第四实施例的电子装置的剖视示意图。在一些实施例中，如图5(左半部)所示，显示装置400的透明度可控单元TCU的下电极LE可设置在绝缘层IL1上，而发光单元LU的其中一个电极(例如电极E2)可电连接到下电极LE。换言之，由同一集成电路单元IU控制的发光单元LU与透明可控单元TCU可共享下电极LE，但不以此为限。在此情形下，透明度可控单元TCU的下电极LE可例如作为共同电极，而上电极UE可接收来自集成电路单元IU5的电信号(例如通过图2所示的走线W2、导电材料CB…等)以调整透明度可控单元TCU的透明度。
在一些实施例中，如图5(右半部)所示，显示装置400的透明度可控单元TCU的下电极LE可设置在绝缘层IL1上，而绝缘层IL2和绝缘层IL3对应于下电极LE1的至少一部分可被移除以形成至少一个开口OP1，其中开口OP1可至少部分暴露下电极LE，但不以此为限。此外，透明度可控单元TCU的透明可控层TCL可填入开口OP1中，并接触于下电极LE。换言之，透明可控层TCL可例如设置在图案化的绝缘层IL2之间和/或图画化的绝缘层IL3之间。在一些实施例中，开口OP1可仅通过移除绝缘层IL3对应于下电极LE的至少一部分所形成。根据本实施例，由于绝缘层IL2和/或绝缘层IL3对应到下电极LE的一部分可被移除以形成开口OP1，而透明可控层TCL可设置在开口OP1中，可降低显示装置400的整体厚度，进而改善显示装置400的表现。
在一些实施例中，显示装置400可包括接合在基板SB1上的集成电路单元IU5，其中集成电路单元IU5可例如通过打线接合(wire bonding)的方式接合在基板SB1上。具体来说，如图5(下半部)所示，可先将集成电路单元IU5转移到基板SB1上。在此情形下，集成电路单元IU5的导电结构CS的导电层CL(例如源极电极SE、汲极电极DE和闸极电极GE)可面朝上，或是说可远离基板SB1的上表面S1。接着，可通过走线W5将集成电路单元IU5的汲极电极DE和/或源极电极SE电连接到基板SB1的上表面S1上的导电垫CP1，以此将集成电路单元IU5接合到基板SB1上。集成电路单元IU5可包括半导体结构SMS和导电结构CS，而导电结构CS可包括绝缘层IL和导电层CL，其中半导体结构SMS可设置在基板SB1与绝缘层IL之间，而绝缘层IL可设置在半导体结构SMS与导电层CL之间。在一些实施例中，半导体结构SMS和基板SB1之间可包括一基板(图未示)，其中走线W5可先通过打线结合的方式接合到该基板上，然后再通过该基板将走线W5电连接到基板SB1(或是说基板SB1上的导电垫CP1)。
请参考图6到图8，图6为本发明第五实施例的电子装置的俯视示意图，图7为本发明第五实施例的电子装置的剖视示意图，图8为本发明第五实施例的集成电路单元的剖视示意图。根据本实施例，显示装置500可包括电连接到发光单元LU以及透明度可控单元TCU的集成电路单元IU6，其中在显示装置500的俯视方向(例如平行于方向Z)上，集成电路单元IU6可至少部分重叠于发光单元LU。换言之，集成电路单元IU6可对应于其所电连接的发光单元LU。例如，如图6所示，显示装置500可包括由发光单元LU1、发光单元LU2和发光单元LU3所组成的像素PX3，而在显示装置500的俯视方向上，集成电路单元IU6可重叠于且电连接于发光单元LU1、发光单元LU2和发光单元LU3，但不以此为限。在一些实施例中，集成电路单元IU6在显示装置500的俯视方向上可仅重叠于发光单元LU1、发光单元LU2和发光单元LU3的其中一个或其中两个。此外，集成电路单元IU6还可电连接到邻近于像素PX3的透明度可控单元TCU，但不以此为限。通过使集成电路单元IU6对应于发光单元LU，可改善显示装置500的透明度，或可降低集成电路单元IU6对于显示装置500的显示效果的影响。
在一些实施例中，显示装置500的透明度可控单元TCU的尺寸可不相同。换言之，显示装置500可包括尺寸不同的复数个透明度可控区域TCR。透明度可控区域TCR的尺寸可例如指透明度可控区域TCR的宽度、长度或面积，但不以此为限。例如，如图6所示，显示装置500可包括尺寸不同的透明度可控区域TCR以及透明度可控区域TCR’，其中透明度可控区域TCR可邻近于一个像素PX，而透明度可控区域TCR’可邻近于多个像素PX(例如三个，但不以此为限)。在此情形下，控制透明度可控区域TCR’的透明度的集成电路单元IU可同时控制邻近于该透明度可控区域TCR’的复数个像素PX，但不以此为限。需注意的是，图6仅示例性地绘示出透明度可控区域TCR具有不同尺寸的结构，但本发明并不以此为限。
本实施例的显示装置500还可包括设置在基板SB1上的第一晶体管T1以及第二晶体管T2，但不以此为限。详言之，显示装置500的重布线层RDL还可包括缓冲层BF，而显示装置500可包括设置在缓冲层BF上的半导体层SML1、设置在缓冲层BF上并覆盖半导体层SML1上的绝缘层IL4、设置在绝缘层IL4上的导电层M3以及设置在绝缘层IL4上并覆盖导电层M3的绝缘层IL5。半导体层SML1可形成第一晶体管T1的源极区SR1、汲极区DR1、通道区CR1以及第二晶体管T2的源极区SR2、汲极区DR2、通道区CR2。绝缘层IL4可作为第一晶体管T1和第二晶体管T2的闸极绝缘层。导电层M3可形成第一晶体管T1的闸极电极GE1以及第二晶体管T2的闸极电极GE2。绝缘层IL4、绝缘层IL5可包括任何适合的绝缘材料。导电层M3的材料可参考上述导电层M1的材料。
根据本实施例，第一晶体管T1可电连接于发光单元LU与集成电路单元IU(例如集成电路单元IU6)之间，而第二晶体管T2可电连接于透明度可控单元TCU与集成电路单元IU(例如集成电路单元IU6)之间，但不以此为限。详言之，第一晶体管T1还可包括电连接到源极区SR1的源极电极SE1以及电连接到汲极区DR1的汲极电极DE1，其中源极电极SE1可电连接到集成电路单元IU6，而汲极电极DE1可电连接到发光单元LU。源极电极SE1可例如通过穿过缓冲层BF的穿孔(未标示)电连接到重布线层RDL，而汲极电极DE1可例如通过穿过绝缘层IL4、绝缘层IL5的穿孔(未标示)电连接到发光单元LU，但不以此为限。第二晶体管T2还可包括电连接到源极区SR2的源极电极SE2以及电连接到汲极区DR2的汲极电极DE2，其中源极电极SE2可电连接到集成电路单元IU6，而汲极电极DE2可电连接到透明度可控单元TCU。源极电极SE2可例如通过穿过缓冲层BF的穿孔(未标示)电连接到重布线层RDL，而汲极电极DE2可例如通过穿过绝缘层IL4、绝缘层IL5、绝缘层IL2、绝缘层IL3的穿孔(未标示)电连接到透明度可控单元TCU，但不以此为限。上述的第一晶体管T1与第二晶体管T2的电连接方式仅为示例性的，本发明并不以此为限。在一些实施例中，集成电路单元IU6可电连接到第一晶体管T1的闸极电极GE1和第二晶体管T2的闸极电极GE2。
在本实施例中，集成电路单元IU6可通过第一晶体管T1(或第二晶体管T2)控制发光单元LU的发光(或透明度可控单元TCU的透明度)。换言之，集成电路单元IU6与第一晶体管T1可搭配作为发光单元LU的驱动单元，而集成电路单元IU6与第二晶体管T2可搭配作为透明度可控单元TCU的驱动单元。具体来说，集成电路单元IU6可控制第一晶体管T1和第二晶体管T2的开关，而第一晶体管T1和第二晶体管T2可分别控制发光单元LU的发光和透明度可控单元TCU的透明度。此外，在本实施例中，集成电路单元IU6可同时电连接到复数个第一晶体管T1和复数个第二晶体管T2，以控制复数个发光单元LU和复数个透明度可控单元TCU，但不以此为限。具体来说，可通过复数个第一晶体管T1和复数个第二晶体管T2分别控制复数个发光单元LU和复数个透明度可控单元TCU，其中该复数个第一晶体管T1和该复数个第二晶体管T2可电连接到同一个集成电路单元IU6，并通过该集成电路单元IU6控制该复数个第一晶体管T1和该复数个第二晶体管T2的开关。例如，图6中的集成电路单元IU6除了像素PX3还可电连接到其他像素(例如位于像素PX3上方和/或下方的像素)中的发光单元LU以控制该复数个发光单元LU，但不以此为限。通过上述设计，可通过一个集成电路单元IU6控制复数个发光单元LU(或是像素PX)和复数个透明度可控单元TCU。以此，可降低集成电路单元IU6和/或走线的数量以简化走线布局，或可降低生产成本。
根据本实施例，第一晶体管T1和第二晶体管T2可对应于发光单元LU的设置区域设置，但不以此为限。例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2可对应于绝缘层IL2中的开口OP设置。以此，可降低第一晶体管T1和第二晶体管T2对于显示装置500的透明度的影响，进而改善显示装置500的显示效果。
在一些实施例中，如图7(右半部)所示，显示装置500还可包括虚设发光单元RLU，其中虚设发光单元RLU可与发光单元LU设置在同一开口OP中，但不以此为限。虚设发光单元RLU可例如作为发光单元LU的备援发光单元，但不以此为限。位于同一开口OP中的发光单元LU与虚设发光单元RLU可电连接到同一个第一晶体管T1，以简化走线设计，但不以此为限。在一些实施例中，如图7(左半部)所示，显示装置500可包括虚设导电垫RCP而不包括虚设发光单元RLU，其中虚设导电垫RCP可和与其位于同一开口OP中的发光单元LU电连接到同一个第一晶体管T1。
如图8所示，本实施例的集成电路单元IU6可包括两个子集成电路单元SIU，其中该两个子集成电路单元SIU可分别通过封装结构MS封装。换言之，封装结构MS可分别围绕两个子集成电路单元SIU的半导体结构SMS以及导电结构CS，而该两个子集成电路单元SIU可不通过封装结构MS而彼此连接。子集成电路单元SIU的结构特征可参考上文，故不再赘述。
根据本实施例，集成电路单元IU6可接合在基板SB1下，并通过穿过基板SB1的穿孔V12电连接到重布线层RDL，但不以此为限。具体来说，基板SB1可包括相对于上表面S1的下表面S3，下表面S3上可设置有导电垫CP1，而集成电路单元IU6的子集成电路单元SIU可以导电结构CS面向下表面S3的方式接合到导电垫CP1，以此接合到基板SB1下。此外，导电垫CP1可通过基板SB1中的穿孔V12电连接到基板SB1上的重布线层RDL，以此使集成电路单元IU6电连接到发光单元LU和/或透明度可控单元TCU。集成电路单元IU6可包括半导体结构SMS和导电结构CS，导电结构CS可包括导电层CL和绝缘层IL，其中导电层CL可设置在基板SB1与绝缘层IL之间，而绝缘层IL可设置在导电层CL与半导体结构SMS之间。
请参考图9，图9为本发明第六实施例的电子装置的剖视示意图。在一些实施例中，如图9(左半部)所示，显示装置600还可包括设置在基板SB1上的绝缘层IL6和电极EC，其中电极EC可设置在绝缘层IL5上，而绝缘层IL6可设置在绝缘层IL5上并覆盖电极EC。透明度可控单元TCU的下电极LE可设置在绝缘层IL6上，但不以此为限。根据本实施例，在显示装置600的俯视方向(例如平行于方向Z)上，电极EC可至少部分重叠于透明度可控单元TCU，或是说可至少部分重叠于下电极LE和/或上电极UE。电极EC与下电极LE和上电极UE的其中一个可组成电容CU，而在显示装置600的俯视方向上，电容CU可至少部分重叠于透明度可控单元TCU。例如，本实施例的电容CU可由电极EC与下电极LE组成，但不以此为限。由于显示装置600还可包括对应于透明度可控单元TCU的电容CU，电容CU可例如作为透明度可控单元TCU的储存电容，以此改善透明度可控单元TCU的稳定性，进而改善显示装置600的显示效果。需注意的是，电极EC可设置在显示装置600的任何适合的位置，并不以图9所示为限。此外，在本实施例中，发光单元LU和透明度可控单元TCU可分别通过穿过绝缘层IL6、绝缘层IL5和绝缘层IL4的穿孔(未标示)电连接到第一晶体管T1和第二晶体管T2，但不以此为限。
在一些实施例中，如图9(右半部)所示，显示装置600还可包括设置在重布线层RDL上的绝缘层IL7，其中绝缘层IL7对应到绝缘层IL2的一部分可被移除并形成开口OP2，但不以此为限。换言之，开口OP2可不对应到发光单元LU。根据本实施例，透明度可控单元TCU可设置在移除绝缘层IL7的一部分所形成的开口OP2中。例如，可先在重布线层RDL上设置下电极LE以及覆盖下电极LE的绝缘层IL7，接着，可移除绝缘层IL7对应到绝缘层IL2的一部分以形成开口OP2，并依序在开口OP2中设置透明可控层TCL以及上电极UE，以此形成透明度可控单元TCU。由于开口OP2可不对应于发光单元LU，因此开口OP2中的透明度可控单元TCU可不对应于发光单元LU设置。此外，显示装置600还可包括设置在重布线层RDL上的导电垫CP13和导电垫CP14，其中绝缘层IL7可覆盖导电垫CP13和导电垫CP14。发光单元LU可通过穿过绝缘层IL7的穿孔(未标示)电连接到导电垫CP13，透明度可控单元TCU的下电极LE可电连接到导电垫CP14，而导电垫CP13和导电垫CP14可通过重布线层RDL和穿过基板SB1的穿孔(未标示)电连接到集成电路单元IU，但不以此为限。上述集成电路单元IU与发光单元LU(或透明度可控单元TCU)的电连接方式仅为示例性的，本实施例并不以此为限。通过使透明度可控单元TCU设置在移除绝缘层IL7的一部分所形成的开口OP2中，可降低显示装置600的整体厚度，进而改善显示装置600的表现。
本实施例的显示装置600可包括集成电路单元IU7，其中集成电路单元IU7可以打线接合的方式设置在基板SB1下。集成电路单元IU7的结构特征可参考上述实施例的内容，故不再赘述。具体来说，如图9(下半部)所示，可先将集成电路单元IU7以集成电路单元IU7的表面S2远离基板SB1的下表面S3的方式转移到基板SB1下。接着，可通过走线W6将集成电路单元IU7的汲极电极DE和/或源极电极SE电连接到基板SB1的下表面S3上的导电垫CP1，以此完成集成电路单元IU7与基板SB1的接合。集成电路单元IU7可包括半导体结构SMS和导电结构CS，导电结构CS可包括导电层CL和绝缘层IL，其中半导体结构SMS可设置在基板SB1与绝缘层IL之间，而绝缘层IL可设置在半导体结构SMS与导电层CL之间。
请参考图10，图10为本发明第七实施例的电子装置的剖视示意图。根据本实施例，显示装置700可包括整合单元ITU，其中整合单元ITU可设置在基板SB1上。具体来说，整合单元ITU可设置在绝缘层IL2的开口OP中，并电连接到导电垫CP3，但不以此为限。整合单元ITU可包括发光单元LU、集成电路单元IU、复数层绝缘层ISL以及复数条走线和/或导电垫(未标示)，其中走线可穿过绝缘层ISL，使得集成电路单元IU可通过走线和/或导电垫电连接到发光单元LU，但不以此为限。换言之，在本实施例中，可先将集成电路单元IU与电连接到该集成电路单元IU的发光单元LU整合为整合单元ITU，而后再将整合单元ITU设置在开口OP中。需注意的是，本实施例的整合单元ITU的结构并不以图10所示为限，而可根据产品设计需求包括任何适合的结构。此外，在本实施例中，整合单元ITU的集成电路单元IU可通过将整合单元ITU电连接到导电垫CP3的方式而电连接到导电垫CP3，而导电垫CP3可通过穿过绝缘层IL2和绝缘层IL3的走线和/或导电垫(未标示)电连接到透明度可控单元TCU的下电极LE，但不以此为限。以此，整合单元ITU的集成电路单元IU可电连接到透明度可控单元TCU。
如图10(右半部)所示，本实施例的显示装置700可包括集成电路单元IU8，其中集成电路单元IU8可位于绝缘层IL2的开口OP中，而发光单元LU可设置在集成电路单元IU8上。具体来说，集成电路单元IU8可接合在导电垫CP3上，而发光单元LU可接合在集成电路单元IU8上，但不以此为限。在一些实施例中，集成电路单元IU8可先接合到导电垫CP3上，再将发光单元LU接合到集成电路单元IU8上。在一些实施例中，可先将发光单元LU接合到集成电路单元IU8上(即整合发光单元LU和集成电路单元IU8)，再将集成电路单元IU8接合到导电垫CP3。集成电路单元IU8可包括半导体结构SMS、导电结构CS、围绕半导体结构SMS以及导电结构CS的封装结构MS以及电连接到导电结构CS的重布线结构RDS，但不以此为限。关于集成电路单元IU8的各元件特征可参考上文，故不再赘述。重布线结构RDS可将导电结构CS的源极电极SE和/或汲极电极DE引出到重布线结构RDS相对于导电结构CS的一侧上的导电垫CP15。此外，集成电路单元IU8还可例如包括位于半导体结构SMS的一侧的导电元件，例如导电垫CP16，但不以此为限。在本实施例中，分别位于集成电路单元IU8的两侧的导电垫CP15和导电垫CP16的其中一个可电连接到导电垫CP3，进而电连接到透明度可控单元TCU的下电极LE，而导电垫CP15和导电垫CP16的另外一个可电连接到发光单元LU的电极E1和/或电极E2，进而电连接到发光单元LU。需注意的是，集成电路单元IU8的结构并不以图10所示为限，而可包括任何适合的结构。
请参考图11，图11为本发明第八实施例的电子装置的剖视示意图。根据本实施例，显示装置800的透明度可控单元TCU可设置在基板SB1下，或是说可设置在基板SB1的下表面S3上。例如，可先形成包括下电极LE、透明可控层TCL和上电极UE的透明度可控单元TCU，之后再将透明度可控单元TCU设置在基板SB1的下表面S3上，但不以此为限。下电极LE、透明可控层TCL和上电极UE可例如设置在一基板SSB上，但不以此为限。上述所称的“下电极LE和上电极UE”是根据制程顺序考虑，并不表示下电极LE和上电极UE在显示装置800中的位置关系。换言之，本实施例的透明度可控单元TCU可为外贴式的单元，但不以此为限。在一些实施例中，透明度可控单元TCU可以下电极LE面向下表面S3的方式设置在下表面S3上。在一些实施例中，透明度可控单元TCU可以上电极UE面向下表面S3的方式设置在下表面S3上。
此外，透明度可控单元TCU的上电极UE和/或下电极LE可被图案化，但不以此为限。以图11所示为例，透明度可控单元TCU的下电极LE可被图案化，但不以此为限。以此，可形成复数个透明度可控单元TCU。在一些实施例中，下电极LE可为一整层，而上电极UE可被图案化。在一些实施例中，下电极LE和上电极UE可被图案化。在一些实施例中，下电极LE和上电极UE可为一整层。通过使上电极UE和下电极LE的至少一个被图案化，可达到在显示装置800中局部控制透明度的效果，进而改善显示装置800的表现。具体来说，可通过图案化上电极UE和/或下电极LE来调整透明度可控单元TCU的尺寸或位置，以此达到控制显示装置800的任意区域的透明度的效果。
为了简化附图，图11中并未示出走线布局，但本实施例并不以此为限。在一些实施例中，发光单元LU可电连接到导电垫CP3，并通过导电垫CP3和重布线层RDL电连接到接合到基板SB1下的集成电路单元IU。在一些实施例中，下电极LE可电连接到导电垫CP17，并通过导电垫CP17电连接到集成电路单元IU。在一些实施例中，上电极UE可电连接到导电材料CB，并通过导电材料CB电连接到集成电路单元IU。在一些实施例中，集成电路单元IU可接合到基板SB1上。
请参考图12，图12为本发明第九实施例的电子装置的俯视示意图。为了简化附图，图12仅示例性地示出了发光单元LU、透明度可控单元TCU和集成电路单元IU的设置位置，其详细结构并不以图12所示为限。根据本实施例，在显示装置900的俯视方向(例如平行于方向Z)上，透明度可控单元TCU可围绕集成电路单元IU以及/或发光单元LU，但不以此为限。具体来说，透明度可控单元TCU在显示装置900的俯视方向(例如平行于方向Z)上可为环形，并可围绕一区域A1，而集成电路单元IU与发光单元LU的接合位置可对应于区域A1。透明度可控单元TCU可不对应于区域A1设置。换言之，区域A1中可不包括上电极UE、下电极LE和透明可控层TCL的至少一个。此外，集成电路单元IU在显示装置900的俯视方向上可重叠于发光单元LU的至少一个，或是集成电路单元IU与发光单元LU的其中一个或多个可部分重叠，但不以此为限。由于透明度可控区域TCR的范围可由透明度可控单元TCU所定义，因此透明度可控区域TCR可围绕集成电路单元IU和发光单元LU。需注意的是，图12所示的透明度可控单元TCU(或透明度可控区域TCR)的形状仅为示例性的，本实施例并不以此为限。
如图12所示，在本实施例中，一个透明度可控单元TCU可围绕一个集成电路单元IU和一个像素PX中的发光单元LU(例如发光单元LU1、发光单元LU2和发光单元LU3)，而该集成电路单元IU可电连接到该透明度可控单元TCU和该像素PX中的发光单元LU，但不以此为限。在另一些实施例中，一个透明度可控单元TCU可围绕设置在复数个区域A1中的复数个像素PX与一个集成电路单元IU，其中该集成电路单元IU可对应到复数个区域A1的其中一个，而该集成电路单元IU可电连接到该透明度可控单元TCU与该复数个像素PX中的发光单元LU。换言之，可通过一个集成电路单元IU控制一个透明度可控单元TCU以及该透明度可控单元TCU所围绕的复数个像素PX中的发光单元LU。
在本实施例中，如图12所示，由不同的集成电路单元IU控制的透明度可控单元TCU(或是说透明度可控区域TCR)在显示装置900的俯视方向上可彼此不重叠。例如，集成电路单元IU9可控制透明度可控单元TCU3和像素PX4，而集成电路单元IU10可控制透明度可控单元TCU4和像素PX5，其中透明度可控单元TCU3和透明度可控单元TCU4在显示装置900的俯视方向上可彼此不重叠。在此情形下，当集成电路单元IU9和集成电路单元IU10分别控制像素PX4和像素PX5中的发光单元LU发光时，可分别控制透明度可控单元TCU3和透明度可控单元TCU4，以降低透明度可控区域TCR3和透明度可控区域TCR4的透明度，以此增加像素PX4和像素PX5中的发光单元LU所显示的影像的对比度。本发明的集成电路单元IU与透明度可控单元TCU的配置不以上述为限。在另一些实施例中，由不同的集成电路单元IU控制的透明度可控单元TCU(或是说透明度可控区域TCR)在显示装置900的俯视方向上可部分重叠于彼此。换言之，一部分的透明度可控单元TCU可被两个或以上的集成电路单元IU控制。
请参考图13和图14，图13为本发明的一实施例的集成电路单元的控制方式的示意图，图14为本发明的另一实施例的集成电路单元的控制方式的示意图。具体来说，图13示出了包括两个子集成电路单元SIU的集成电路单元IU的控制方式，而图14示出了包括一个子集成电路单元SIU的集成电路单元IU的控制方式。图13所示的集成电路单元IU可例如包括图4所示的集成电路单元IU4或图7所示的集成电路单元IU6，但不以此为限。图14所示的集成电路单元IU可例如包括图2所示的集成电路单元IU、图3所示的集成电路单元IU3、图5所示的集成电路单元IU5、图9所示的集成电路单元IU7或图10所示的集成电路单元IU8，但不以此为限。
如图13所示，当集成电路单元IU包括两个子集成电路单元SIU时，两个子集成电路单元SIU的其中一个可电连接到发光单元LU，而另一个可电连接到透明度可控单元TCU。此外，两个子集成电路单元SIU还可电连接到一时序控制器TC，但不以此为限。图13的右半部示出了在一帧画面(frame)中发光单元LU和透明度可控单元TCU的电压变化。在本实施例中，由于发光单元LU和透明度可控单元TCU可由不同的子集成电路单元SIU控制，发光单元LU和透明度可控单元TCU可同时被驱动，但不以此为限。此外，因应发光单元LU与透明度可控单元TCU的特性或反应时间，发光单元LU和透明度可控单元TCU可具有不同的驱动时间。例如，在一帧画面中，发光单元LU和透明度可控单元TCU可在同一时间开始驱动，而透明度可控单元TCU的驱动时间可较发光单元LU的驱动时间长，使得发光单元LU可早于透明度可控单元TCU结束驱动，但不以此为限。在一些实施例中，在一帧画面中，透明度可控单元TCU可早于发光单元LU开始驱动，并可与发光单元LU同时结束驱动。由于透明度可控单元TCU的反应时间可能较发光单元LU慢，而此驱动方式可改善透明度可控单元TCU的表现，进而改善显示效果。在一些实施例中，在一帧画面中，发光单元LU可早于透明度可控单元TCU开始驱动，并可早于透明度可控单元TCU结束驱动。在一些实施例中，在一帧画面中，发光单元LU可例如通过脉冲宽度调变(pulse width modulation，PWM)的方式驱动，即发光单元LU的驱动时间可小于透明度可控单元TCU的驱动时间，而表示发光单元LU的电压变化的振幅(如图13所示)可大于表示透明度可控单元TCU的电压变化的振幅。需注意的是，上述的驱动方式仅为示例性的，本实施例并不以此为限。
如图14所示，当集成电路单元IU包括单一子集成电路单元SIU时，该子集成电路单元SIU可电连接到时序控制器TC，而发光单元LU和透明度可控单元TCU可电连接到该子集成电路单元SIU。图14的右半部示出了在一帧画面(frame)中发光单元LU和透明度可控单元TCU的电压变化。在本实施例中，由于发光单元LU和透明度可控单元TCU是由同一子集成电路单元SIU控制，因此发光单元LU的驱动时间区间可不重叠于透明度可控单元TCU的驱动时间区间。具体来说，可通过时序控制器TC提供分时信号，使得子集成电路单元SIU以分时控制的方式在不同时间点分别驱动发光单元LU和透明度可控单元TCU。例如，如图14所示，在一帧画面中，发光单元LU可被驱动两次，而透明度可控单元TCU可在发光单元LU的两次驱动的时间间隔内被驱动，但不以此为限。换言之，在一帧画面中，发光单元LU的驱动次数可不同于透明度可控单元TCU的驱动次数。在一些实施例中，在一帧画面中，发光单元LU可例如通过脉冲宽度调变的方式驱动一次，而透明度可控单元TCU可在不同于发光单元LU的驱动时间区间的另一时间区间被驱动，其中表示发光单元LU的电压变化的振幅(如图14所示)可大于表示透明度可控单元TCU的电压变化的振幅。
综上所述，本发明提供了一种透明度可调控的显示装置，其包括发光单元、透明度可控单元以及电连接到发光单元和透明度可控单元的集成电路单元。由于集成电路单元可包括接合到基板的芯片，可提升显示装置的透明度，进而改善显示装置的显示效果。此外，当集成电路单元控制发光单元发光并显示影像时，可通过集成电路单元使邻近于该发光单元的透明度可控单元的透明度降低，以此增加发光单元所显示的影像的对比度，进而改善显示装置的显示效果。如此一来，可在提高显示装置的透明度的情形下改善显示装置的显示效果。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
一基板；
至少一个发光单元，接合在所述基板上；
一透明度可控单元，设置在所述基板上；以及
一集成电路单元，重叠于所述基板且包括一半导体结构与一导电结构，所述导电结构重叠于所述半导体结构；
其中，所述集成电路单元电连接到所述至少一个发光单元与所述透明度可控单元。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述导电结构包括一导电层和一绝缘层，所述绝缘层设置在所述半导体结构与所述导电层之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述半导体结构的材料包括碳化硅、硅、锗、砷化镓、磷化铟或氮化镓。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述集成电路单元接合在所述基板上，所述半导体结构设置在所述基板与所述绝缘层之间，而所述绝缘层设置在所述半导体结构与所述导电层之间。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述集成电路单元接合在所述基板上，所述导电层设置在所述基板与所述绝缘层之间，而所述绝缘层设置在所述导电层与所述半导体结构之间。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述集成电路单元接合在所述基板下，所述半导体结构设置在所述基板与所述绝缘层之间，而所述绝缘层设置在所述半导体结构与所述导电层之间。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述集成电路单元接合在所述基板下，所述导电层设置在所述基板与所述绝缘层之间，而所述绝缘层设置在所述导电层与所述半导体结构之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述半导体结构包括一绝缘基板和一半导体层，所述导电结构包括一导电层和一绝缘层，其中所述半导体层设置在所述绝缘基板与所述绝缘层之间，而所述绝缘层设置在所述半导体层与所述导电层之间。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述集成电路单元包括一封装结构，所述封装结构围绕所述半导体结构和所述导电结构。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述集成电路单元包括一重布线结构，其中所述至少一个发光单元和所述透明度可控单元通过所述重布线结构而电连接到所述导电结构。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述至少一个发光单元包括至少三个发光单元，且所述集成电路单元电连接到所述至少三个发光单元并电连接到所述透明度可控单元。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述显示装置的一俯视方向上，所述透明度可控单元围绕所述集成电路单元。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述集成电路单元重叠于所述至少一个发光单元。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述显示装置的一俯视方向上，所述透明度可控单元围绕所述至少一个发光单元。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括设置在所述基板上的一电极，所述电极重叠于所述透明度可控单元，其中所述透明度可控单元包括一上电极、一下电极和位于所述上电极与所述下电极之间的一透明可控层，而所述电极与所述上电极和所述下电极的其中一个组成一电容。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括设置在所述基板上的一第一晶体管，所述第一晶体管电连接于所述至少一个发光单元与所述集成电路单元之间。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，还包括设置在所述基板上的一第二晶体管，所述第二晶体管电连接于所述透明度可控单元与所述集成电路单元之间。
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