CN117957944A - 显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
本公开提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。显示基板包括衬底、驱动电路层,以及发光单元;驱动电路层包括源漏金属层,源漏金属层包括源漏电极和辅助电极,发光单元包括沿远离衬底方向依次层叠设置的第一电极结构、发光层和第二电极结构,第一电极结构与源漏电极电连接,第二电极结构与辅助电极电连接,显示基板还包括辅助连接结构,辅助连接结构与第一电极结构同层同材料设置;显示基板还包括保护孔,辅助连接结构在衬底上的正投影位于保护孔在衬底上的正投影之内,且辅助连接结构远离衬底的一侧表面与衬底之间的距离小于平坦层远离衬底的一侧表面与衬底之间的距离。
Description
本公开实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
透明显示产品由于具有画质清晰、显示效果逼真等显著优点,可以应用于汽车、地铁等车载状态下的展示以及商等橱窗等展示。大尺寸透明显示产品为了提升透明效果会将阴极做的很薄,所以大都具有阴极IR drop(压降)较大问题,相关技术中,通常将阴极与辅助阴极进行搭接,从而降低IR drop问题。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。
第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,包括衬底、形成于所述衬底上的驱动电路层,以及位于所述驱动电路层远离所述衬底一侧的发光单元;
所述驱动电路层包括源漏金属层,所述源漏金属层包括源漏电极和辅助电极,所述发光单元包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极结构、发光层和第二电极结构,所述第一电极结构与所述源漏电极电连接,所述第二电极结构与所述辅助电极电连接,所述显示基板还包括辅助连接结构,所述辅助连接结构与所述第一电极结构同层同材料设置;
所述驱动电路层和所述发光单元之间还包括沿远离所述衬底方向层叠设置的保护层和平坦层,所述显示基板还包括保护孔,所述保护孔开设于所述平坦层远离所述衬底的一侧,且所述保护孔贯穿所述平坦层的至少部分,所述辅助连接结构在所述衬底上的正投影位于所述保护孔在所述衬底上的正投影之内,且所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离小于所述平坦层远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离。
在其中一些实施例中,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离,小于所述平坦层远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离。
在其中一些实施例中,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述平坦层远离所述衬底的一侧表面之间的距离大于所述平坦层厚度的二分之一。
在其中一些实施例中,沿垂直于所述衬底的方向上,所述辅助连接结构的厚度小于所述平坦层的厚度。
在其中一些实施例中,所述平坦层的厚度大于2100纳米,所述辅助连接结构的厚度为600至800纳米,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述平坦层远离所述衬底的一侧表面之间的距离大于1400纳米。
在其中一些实施例中,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离,小于位于所述显示基板的发光区域的所述第二电极结构靠近所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离。
在其中一些实施例中,所述保护孔贯穿所述平坦层和所述保护层,所述保护孔在所述衬底上的正投影的范围覆盖所述辅助电极在所述衬底上的正投影的范围。
在其中一些实施例中,所述辅助电极远离所述衬底的一侧表面与所述辅助连接结构靠近所述衬底的一侧表面接触。
在其中一些实施例中,所述辅助连接结构包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一子电极层、反射子层和第二子电极层,其中,所述第一子电极层在所述衬底上的正投影的范围大于所述反射子层在所述衬底上的正投影的范围,所述第二子电极层在所述衬底上的正投影的范围大于所述反射子层在所述衬底上的正投影的范围。
在其中一些实施例中,所述显示基板的第一距离差大于所述辅助连接结构的悬空部的厚度;
其中,所述第一距离差为所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离,和所述第一电极结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离的差值,所述辅助连接结构的悬空部包括所述第二子电极层。
在其中一些实施例中,沿垂直于所述衬底的方向上,所述悬空部的厚度大于所述第二电极结构的厚度。
第二方面,本公开实施例提供了一种显示装置,包括以上任一项所述的显示基板。
第三方面,本公开实施例提供了一种显示基板的制作方法,包括以下步骤:
提供一衬底;
在所述衬底上制作驱动电路层,其中,所述驱动电路层包括源漏金属层,所述源漏金属层包括源漏电极和辅助电极;
所述驱动电路层上依次制作保护层和平坦层;
开设保护孔,其中,所述保护孔开设于所述平坦层远离所述衬底的一侧,所述保护孔贯穿所述平坦层的至少部分;
通过一次构图工艺制作第一电极结构和辅助连接结构,其中,所述第一电极结构与所述源漏电极电连接,所述辅助连接结构在所述衬底上的正投影位于所述保护孔在所述衬底上的正投影之内,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离小于所述平坦层远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离;
制作发光层和第二电极结构,其中,所述第一电极结构、所述发光层和所述第二电极结构形成发光单元,所述第二电极结构与所述辅助电极电连接。
在其中一些实施例中,所述开设保护孔,包括:
开设贯穿所述保护层和所述平坦层的保护孔,以使所述辅助电极远离所述衬底的一侧表面暴露。
在其中一些实施例中,所述通过一次构图工艺制作第一电极结构和辅助连接结构,包括:
在所述保护孔对应的区域制作辅助连接结构,其中,所述辅助电极远离所述衬底的一侧表面与所述辅助连接结构靠近所述衬底的一侧表面接触。
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对本公开实施例描 述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的显示基板的结构示意图;
图2A是相关技术中显示基板的辅助连接结构的电镜扫描图;
图2B是相关技术中显示基板的辅助连接结构的又一电镜扫描图;
图3是本公开实施例提供的显示基板的又一结构示意图;
图4是图3的又一视角试图;
图5是本公开实施提供的显示基板的制作方法的流程图。
下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
本公开实施例中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外,本申请中使用“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,例如A和/或B和/或C,表示包含单独A,单独B,单独C,以及A和B都存在,B和C都存在,A和C都存在,以及A、B和C都存在的7种情况。
本公开实施例提供了一种显示基板。
如图1所示,在其中一个实施例中,该显示基板包括衬底101、形成于衬底101上的驱动电路层,以及位于驱动电路层远离衬底101一侧的发光单 元。
如图1所示,在一个示例性的实施例中,驱动电路层主要包括半导体层104、栅极绝缘层105、栅极层106、介电层107和源漏金属层,在其中一些实施例中,该显示基板还可以根据需要设置遮光层102、缓冲层103等,实施时,可以根据需要对显示基板的结构做适应性调整,本实施例中不对显示基板的结构做进一步限定和描述。
在其中一些实施例中,驱动电路层包括源漏金属层,源漏金属层包括源漏电极1081。
更为具体的,半导体层104的一部分形成薄膜晶体管的有源层,半导体层104的一部分经过导体化处理,经过导体化处理的半导体层104分别与源漏电极1081连接,且分别形成薄膜晶体管的源极和漏极,栅极层106形成薄膜晶体管的栅极,或称薄膜晶体管的控制极,栅极层106还形成栅极走线。
请继续参阅图1,发光单元包括沿远离衬底101方向依次层叠设置的第一电极结构111、发光层112和第二电极结构阶段。
显示基板还包括像素界定层114,以限定出各子像素的发光区的范围。
在一个示例性的实施例中,第一电极结构111可以是发光单元的阳极,第二电极结构113可以是发光单元的阴极。第一电极结构111与源漏电极1081电连接。
源漏电极1081还包括辅助电极1082,辅助电极1082与发光单元的第二电极结构113连接,以减轻IR drop现象。
驱动电路层和发光单元之间还包括沿远离衬底101方向层叠设置的保护层109和平坦层110,其中,保护层109用于保护驱动电路层中的各结构,经过平坦化处理的平坦层110用于提供相对平坦的表面,从而能够提高第一电极结构111的平坦程度。
请继续参阅图1,在其中一些实施例中,显示基板还包括辅助连接结构220,辅助连接结构220与第一电极结构111同层同材料设置。
辅助连接结构220具有突出的尖角结构,辅助连接结构220通过过孔与辅助电极1082电连接。
在第一电极结构111制作完毕之后,并进行发光层112的沉积时,辅助连接结构220能够切断发光层112的材料,使得辅助连接结构220的一部分暴露出来,这样,当继续制作第二电极结构113时,第二电极结构113能够与暴露出来的辅助连接结构220搭接,从而实现辅助电极1082与第二电极结构113的电连接,以减轻IR drop现象。
如图2A所示,需要理解的是,制作像素界定层114的工艺之前以及制作发光层112之前通常包括清洗显示基板的步骤,这一过程中,通常利用毛刷对显示基板进行清洗。然而清洗过程中,很容易导致辅助连接结构220损坏,损坏的辅助连接结构220可能导致后续无法正常切断发光层112。
如图2B所示,损坏脱落的辅助连接结构220还可能散落在显示基板上并刺穿后续制作的发光层112,导致第一电极结构111和第二电极结构113之间短路,造成局部不良,一般来说,为局部暗点不良等对于显示效果的不良影响。
如图1所示,本实施例的技术方案中,进一步设置了保护孔210,保护孔210开设于平坦层110远离衬底101的一侧,且保护孔210贯穿平坦层110的至少部分。
在一个实施例中,保护孔210为开设于平坦层110上的盲孔,也就是说,保护孔210未完全贯穿平坦层110,保护孔210的深度小于平坦层110的厚度。需要理解的是,本公开实施例中结构的厚度均指的是结构垂直于衬底101基板的表面的方向上的尺寸。
如图3和图4所示,在另外一个实施例中,保护孔210为开设于平坦层110上的通孔,换句话说,保护孔210完全贯穿平坦层110,使得保护孔210下方的保护层109暴露出来。
开设保护孔210的目的在于通过保护孔210保护辅助连接机构,辅助连 接结构220在衬底101上的正投影位于保护孔210在衬底101上的正投影之内。在一个示例性的实施例中,保护孔210的尺寸为40微米*40微米,显然,实施时,可以根据需要调整保护孔210的尺寸,其尺寸并不局限于此。
进一步的,辅助连接结构220远离衬底101的一侧表面与衬底101之间的距离小于平坦层110远离衬底101的一侧表面与衬底101之间的距离。
如图1、图3和图4所示,可以理解为,辅助连接结构220容纳于保护孔210内,辅助连接结构220远离衬底101的一端没有突出平坦层110的表面,这样,在后续的清洗操作过程中,由于辅助连接机构隐藏于保护孔210内,降低了清洗操作过程中毛刷与辅助连接结构220接触的可能性,从而能够降低辅助连接机构损坏的可能性,有助于提高显示基板的可靠性。
在一些实施例中,辅助连接结构220远离衬底101的一侧表面与衬底101之间的距离小于平坦层110远离衬底101的一侧表面与衬底101之间的距离,从而有助于降低清洗过程中,毛刷对辅助连接结构220造成的损害。进一步的,在一些实施例中,辅助连接结构220远离衬底101的一侧表面与平坦层110远离衬底101的一侧表面之间的距离大于平坦层110厚度的二分之一。
在一些实施例中,沿垂直于衬底101的方向上,辅助连接结构220的厚度小于平坦层110的厚度。在其中一些实施例中,平坦层110的厚度大于1000纳米,还可以大于2000纳米,辅助连接结构220的厚度小于1000纳米。更为具体的,在一个实施例中,平坦层110的厚度大于2100纳米,以提供更好的平坦和效果,辅助连接结构220的厚度为600至800纳米,辅助连接结构220远离衬底101的一侧表面与平坦层110远离衬底101的一侧表面之间的距离大于1400纳米。
如图3所示,在一个示例性的实施例中,保护层109的厚度约为450纳米,平坦层110的厚度约为2200纳米,而辅助连接结构220的厚度约为700纳米,这样,辅助连接结构220远离衬底101的一侧表面与平坦层110远离衬底101的一侧表面之间的距离约为1500纳米,能够有效的保护辅助连接结 构220。
本实施例的技术方案中,通过控制辅助连接结构220远离衬底101的一侧表面与平坦层110远离衬底101的一侧表面之间的距离,能够提高对于辅助连接结构220的保护效果,降低辅助连接结构220损坏的可能性。
在其中一些实施例中,辅助连接结构220远离衬底101的一侧表面与衬底101之间的距离,小于位于显示基板的发光区域的第二电极结构113靠近衬底101的一侧表面与衬底101之间的距离,这样,有助于确保第二电极结构113能够与辅助连接结构220有效搭接的可能性,有助于提高显示基板的可靠性。
如图1所示,在一些实施例中,辅助连接结构220包括沿远离衬底101方向依次层叠设置的第一子电极层1111、反射子层1112和第二子电极层1113,其中,第一子电极层1111在衬底101上的正投影的范围大于反射子层1112在衬底101上的正投影的范围,第二子电极层1113在衬底101上的正投影的范围大于反射子层1112在衬底101上的正投影的范围。
可以理解为,辅助连接结构220大致呈“工”字形状的两端尺寸较大,中间尺寸相对较小的形状,从而确保能够有效切断发光层112。
在其中一些实施例中,第一子电极层1111和第二子电极层1113的材料可以选择透明导电材料,示例性的,可以是氧化铟锡(ITO),在第一子电极层1111和第二子电极层1113之间进一步设置了反射子层1112,反射子层1112的材料可以选择铜(Cu)、钼(Mo)、铌(Nb)等金属,有助于提高显示效果。
在其中一个实施例中,在保护孔210贯穿平坦层110的情况下,保护孔210还可以贯穿至少部分保护层109。
具体而言,在其中一些实施例中,保护孔210仅贯穿保护层109的一部分,此时,为了实现辅助连接结构220与辅助电极1082之间的电连接,辅助连接结构220通过过孔与辅助电极1082电连接。
如图1所示,在一些实施例中,保护孔210贯穿平坦层110和保护层109,保护孔210在衬底101上的正投影的范围覆盖辅助电极1082在衬底101上的正投影的范围。在保护孔210贯穿平坦层110和保护层109的情况下,能够使得辅助电极1082远离衬底101的一侧表面完全暴露出来,此时,辅助连接结构220的下表面能够直接与辅助电极1082的上表面解除,以实现辅助电极1082和辅助连接结构220之间的电连接,有助于提高辅助电极1082和辅助连接机构的之间的电连接效果,同时,能够使得辅助连接结构220的上表面与平坦层110的上表面之间的距离更大,以进一步降低辅助连接结构220损坏的可能性。
显示基板的第一距离差大于辅助连接结构220的悬空部的厚度。本实施例中,第一距离差为辅助连接结构220远离衬底101的一侧表面与衬底101之间的距离,和第一电极结构111远离衬底101的一侧表面与衬底101之间的距离的差值,也就是辅助连接结构220的上表面和第一电极结构111的上表面之间的距离差。
辅助连接结构220的悬空部包括第二子电极层1113,可以理解为,由于对反射子层1112进行过量刻蚀,使得反射子层1112的侧向缩进,这样,第二子电极层1113在衬底101上的正投影的范围大于反射子层1112在衬底101上的正投影的范围,如图1所示,辅助连接结构220呈部分“悬空”状态。
进一步的,在一些实施例中,沿垂直于衬底101的方向上,悬空部的厚度大于第二电极结构113的厚度。
通过控制悬空部的厚度,有助于保证悬空部的强度,减低辅助连接结构220损害的可能性,从而有助于提高第二电极结构113与辅助电极1082之间点连接的可靠性。
这里,结构的上表面指的是远离衬底101的一侧表面,结构的下表面指的是靠近衬底101的一侧表面。
本公开实施例提供了一种显示装置,包括以上任一项的显示基板。
由于本实施例的技术方案包括了上述显示基板实施例的全部技术方案,因此至少能够实现上述全部技术效果,此处不再赘述。
本公开实施例提供了一种显示基板的制作方法。
如图5所示,在其中一个实施例中,该显示基板的制作方法包括以下步骤:
步骤501:提供一衬底;
步骤502:在所述衬底上制作驱动电路层,其中,所述驱动电路层包括源漏金属层,所述源漏金属层包括源漏电极和辅助电极;
步骤503:所述驱动电路层上依次制作保护层和平坦层。
本实施例的技术方案中,依次在衬底上制作遮光层、缓冲层、半导体层栅极绝缘层和栅极层,然后利用栅极层上的光刻胶采用自对准导体化工艺对半导体层进行导体化处理,使得半导体层形成沟道区和导电区。
接下来制作介电层,并在介电层上开设过孔,进一步的,通过图形化工艺制作源漏金属层,以形成源漏电极、电源线图形、辅助电极、传感器图形等,最后,沉积保护层和平坦层。
需要理解的是,制作平坦层以及平坦层之前的各步骤可以参考相关技术的工艺步骤以及材料选择等,此处不做进一步限定和描述。
步骤504:开设保护孔,其中,所述保护孔开设于所述平坦层远离所述衬底的一侧,所述保护孔贯穿所述平坦层的至少部分。
接下来,开设保护孔,请同时参阅上述显示基板实施例,保护孔可以为开设于平坦层上的盲孔;保护孔也可以是贯穿平坦层的通孔。在保护孔贯穿平坦层的情况下,保护孔可以仅贯穿平坦层而未延伸至保护层;保护孔还可以延伸至保护层的一部分。
在一些实施例中,步骤504包括:
开设贯穿所述保护层和所述平坦层的保护孔,以使所述辅助电极远离所述衬底的一侧表面暴露。
本实施例的技术方案中,保护孔还可以同时贯穿平坦层和保护层,以使辅助电极暴露出来。
步骤505:通过一次构图工艺制作第一电极结构和辅助连接结构。
所制作的第一电极结构和辅助连接结构可以参考上述显示基板实施例。
其中,辅助连接结构位于保护孔所在的区域,这样,制作得到的辅助连接结构的高度小于平坦层的高度。
在一些实施例中,在开设的保护孔贯穿保护层和平坦层的情况下,步骤505包括:
在所述保护孔对应的区域制作辅助连接结构,其中,所述辅助电极远离所述衬底的一侧表面与所述辅助连接结构靠近所述衬底的一侧表面接触。
本实施例中,如果开设的保护孔贯穿保护层和平坦层,能够使得辅助电极远离衬底的一侧表面暴露,这样,所制作的辅助连接结构靠近衬底的一侧表面能够直接与辅助电极接触以实现两者之间的电连接。
在其他情况下,即在保护孔未同时贯穿保护层和平坦层的情况下,还需要在平坦层和/或保护层上开设过孔,以使辅助连接结构通过过孔与辅助电极电连接。
在一些实施例中,所述辅助连接结构包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一子电极层、反射子层和第二子电极层。
上述步骤505包括:
制作第一子电极层;
在所述第一子电极层远离所述衬底的一侧制作所述反射子层;
在所述反射子层远离所述衬底的一侧制作所述第二子电极层;
刻蚀所述反射子层,以使所述第二子电极层在所述衬底上的正投影的范围大于所述反射子层在所述衬底上的正投影的范围。
本实施例中,在沉积第一子电极层、反射子层和第二子电极层之后,再次进行图形化工艺。具体而言,先对第二子电极层进行刻蚀,然后对反射子 层进行过量刻蚀,使得反射子层的侧向缩进,这样,第二子电极层在衬底上的正投影的范围大于反射子层在衬底上的正投影的范围,辅助连接结构形成了类似“工”字形状的结构。
由于反射子层与第一子电极层以及第二子电极层之间的材料不同,所以刻蚀工艺不会对其他结构造成影响。
实施时,可以有针对性的选择刻蚀液,示例性的,在刻蚀第二子电极层时,可以选择浓度相对较小的稀硫酸,稀硫酸不会对铜等材料制作的反射子层造成影响。在对反射子层进行刻蚀时,则可以选择浓度相对较大的磷酸,以实现对于反射子层进行较大的过量刻蚀,使得反射子层的侧向具有相对较大的缩进量。这里,侧向指的是平行于衬底的方向。
步骤506:制作发光层和第二电极结构,其中,所述第一电极结构、所述发光层和所述第二电极结构形成发光单元,所述第二电极结构与所述辅助电极电连接。
最后,制作发光层和第二电极结构,制作发光层时,由于辅助连接结构的尖角的存在,发光层能够在辅助连接结构处被切断,使得辅助连接结构暴露出来,这样,制作第二电极结构时,第二电极结构能够与暴露出来的辅助连接结构搭接,从而实现第二电极结构与辅助电极之间的电连接,以降低IR drop现象,有助于提高显示效果。
以上所述是本公开实施例的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本公开所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。
Claims (15)
- 一种显示基板,包括衬底、形成于所述衬底上的驱动电路层,以及位于所述驱动电路层远离所述衬底一侧的发光单元;所述驱动电路层包括源漏金属层,所述源漏金属层包括源漏电极和辅助电极,所述发光单元包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一电极结构、发光层和第二电极结构,所述第一电极结构与所述源漏电极电连接,所述第二电极结构与所述辅助电极电连接,所述显示基板还包括辅助连接结构,所述辅助连接结构与所述第一电极结构同层同材料设置;所述驱动电路层和所述发光单元之间还包括沿远离所述衬底方向层叠设置的保护层和平坦层,所述显示基板还包括保护孔,所述保护孔开设于所述平坦层远离所述衬底的一侧,且所述保护孔贯穿所述平坦层的至少部分,所述辅助连接结构在所述衬底上的正投影位于所述保护孔在所述衬底上的正投影之内,且所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离小于所述平坦层远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离。
- 如权利要求1所述的显示基板,其中,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离,小于所述平坦层远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离。
- 如权利要求2所述的显示基板,其中,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述平坦层远离所述衬底的一侧表面之间的距离大于所述平坦层厚度的二分之一。
- 如权利要求3所述的显示基板,其中,沿垂直于所述衬底的方向上,所述辅助连接结构的厚度小于所述平坦层的厚度。
- 如权利要求4所述的显示基板,其中,所述平坦层的厚度大于2100纳米,所述辅助连接结构的厚度为600至800纳米,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述平坦层远离所述衬底的一侧表面之间的距离大于1400纳米。
- 如权利要求1所述的显示基板,其中,所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离,小于位于所述显示基板的发光区域的 所述第二电极结构靠近所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离。
- 如权利要求1所述的显示基板,其中,所述保护孔贯穿所述平坦层和所述保护层,所述保护孔在所述衬底上的正投影的范围覆盖所述辅助电极在所述衬底上的正投影的范围。
- 如权利要求7所述的显示基板,其中,所述辅助电极远离所述衬底的一侧表面与所述辅助连接结构靠近所述衬底的一侧表面接触。
- 如权利要求1至8中任一项所述的显示基板,其中,所述辅助连接结构包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一子电极层、反射子层和第二子电极层,其中,所述第一子电极层在所述衬底上的正投影的范围大于所述反射子层在所述衬底上的正投影的范围,所述第二子电极层在所述衬底上的正投影的范围大于所述反射子层在所述衬底上的正投影的范围。
- 如权利要求9所述的显示基板,其中,所述显示基板的第一距离差大于所述辅助连接结构的悬空部的厚度;其中,所述第一距离差为所述辅助连接结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离,和所述第一电极结构远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离的差值,所述辅助连接结构的悬空部包括所述第二子电极层。
- 如权利要求10所述的显示基板,其中,沿垂直于所述衬底的方向上,所述悬空部的厚度大于所述第二电极结构的厚度。
- 一种显示装置,包括权利要求1至7中任一项所述的显示基板。
- 一种显示基板的制作方法,包括以下步骤:提供一衬底;在所述衬底上制作驱动电路层,其中,所述驱动电路层包括源漏金属层,所述源漏金属层包括源漏电极和辅助电极;所述驱动电路层上依次制作保护层和平坦层;开设保护孔,其中,所述保护孔开设于所述平坦层远离所述衬底的一侧,所述保护孔贯穿所述平坦层的至少部分;通过一次构图工艺制作第一电极结构和辅助连接结构,其中,所述第一电极结构与所述源漏电极电连接,所述辅助连接结构在所述衬底上的正投影位于所述保护孔在所述衬底上的正投影之内,所述辅助连接结构远离所述衬 底的一侧表面与所述衬底之间的距离小于所述平坦层远离所述衬底的一侧表面与所述衬底之间的距离;制作发光层和第二电极结构,其中,所述第一电极结构、所述发光层和所述第二电极结构形成发光单元,所述第二电极结构与所述辅助电极电连接。
- 如权利要求13所述的制作方法,其中,所述开设保护孔,包括:开设贯穿所述保护层和所述平坦层的保护孔,以使所述辅助电极远离所述衬底的一侧表面暴露。
- 如权利要求14所述的制作方法,其中,所述通过一次构图工艺制作第一电极结构和辅助连接结构,包括:在所述保护孔对应的区域制作辅助连接结构,其中,所述辅助电极远离所述衬底的一侧表面与所述辅助连接结构靠近所述衬底的一侧表面接触。
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