CN117957921A - 组装结构体 - Google Patents
组装结构体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117957921A CN117957921A CN202280060409.5A CN202280060409A CN117957921A CN 117957921 A CN117957921 A CN 117957921A CN 202280060409 A CN202280060409 A CN 202280060409A CN 117957921 A CN117957921 A CN 117957921A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- group
- electronic component
- metal
- external electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 20
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 15
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009071 Sn—Zn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007570 Zn-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/02—Alloys based on copper with tin as the next major constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
Abstract
本发明提供一种电子部件，是具备部件主体和设置在上述部件主体的表面上的外部电极的电子部件，其特征在于，上述外部电极包含Ni/Cu/Sn的层叠结构。
Description
技术领域
本发明涉及电子部件和包含该电子部件的组装结构体。
背景技术
一般来说，电子部件包含部件主体和设置在其表面的外部电极，在将电子部件组装于基板时，外部电极可以与形成于基板的电极部(例如焊盘)被焊料接合(在本说明书中，通过焊料接合而形成的接合部也称为“焊料接合部”)。例如，专利文献1中记载了在层叠陶瓷电容器中，端子电极由Ag系导体膜(基底膜)、镀Ni中间层和外部镀层(镀Sn层)形成，所述层叠陶瓷电容器在内部电极层和电介质层所形成的层叠体(部件主体)的端部具有所述端子电极(外部电极)。专利文献1公开了以下要旨：通过使镀Ni中间层的厚度为规定厚度以上并减少其偏差，能够有效防止焊料接合时可能发生的Ag系导体膜的焊料侵蚀，能够形成耐热性(例如270℃下10秒)优异的端子电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平6-196351号公报
发明内容
将电子部件组装在基板上的组装结构体，例如在汽车的发动机舱的电子燃料喷射控制的电路部中使用时，需要能够承受在更苛刻的温度环境下的使用。在这样的苛刻的高温环境下使用组装结构体时，专利文献1的结构中，镀Ni中间层所含的Ni以较快的速度扩散到焊料接合部(热扩散)，由此，Ag也从Ag系导体膜(基底膜)扩散到焊料接合部。由于向焊料接合部的扩散而使Ag从Ag系导体膜中消失的“焊料侵蚀”，在组装结构体的使用期间也将发生，其结果，电子部件的部件主体与Ag系导体膜之间的连接变得不充分，电子部件的连接可靠性降低。
本公开的目的在于提供一种电子部件，在电子部件的组装后，即使在高温环境下暴露时，也能有效地抑制金属原子从外部电极扩散到焊料或焊料接合部。进而，本公开的目的还在于提供组装有该电子部件的组装结构体。
本公开包括以下方式。
[1]一种电子部件，是具备部件主体和设置在上述部件主体的表面的外部电极的电子部件，
上述外部电极包含M1/Cu/抗氧化膜的层叠结构，
上述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金。
[2]根据上述[1]所述的电子部件，其中，上述M1为Ni或包含Ni的合金。
[3]根据上述[1]或[2]所述的电子部件，其中，上述M1为Ni。
[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的电子部件，其中，上述抗氧化膜为Sn、Ag、Au或OSP的层。
[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的电子部件，其中，上述抗氧化膜为Sn层。
[6]根据上述[1]～[5]中任一项所述的电子部件，其中，上述Cu层的厚度为0.1μm～10μm。
[7]根据上述[1]～[6]中任一项所述的电子部件，其中，上述Cu层的厚度为0.3μm～5μm。
[8]一种组装结构体，是包括电子部件和焊料接合部的组装结构体，该电子部件具备部件主体和设置在该部件主体的表面的外部电极，
上述电子部件通过焊料接合部与其他电子部件接合，
上述外部电极在与上述焊料接合部的界面具有由(Cu，M2)xSny或CuxSny表示的金属间化合物层，
上述M2为第9族～第11族的金属，
上述x为5～7，
上述y为4～6。
[9]根据上述[8]所述的组装结构体，其中，上述外部电极包含M1/(Cu，M2)xSny或M1/CuxSny的层叠结构，
上述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金，
上述M2为第9族～第11族的金属，
上述x为5～7，
上述y为4～6。
[10]根据上述[8]所述的组装结构体，其中，上述外部电极包含M1/Cu/(Cu，M2)xSny或M1/Cu/CuxSny的层叠结构，
上述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金，
上述M2为第9族～第11族的金属，
上述x为5～7，
上述y为4～6。
[11]根据上述[10]所述的组装结构体，其中，上述M1/Cu/(Cu，M2)xSny或M1/Cu/CuxSny的层叠结构中的Cu层的厚度为0.1μm～5μm。
[12]根据上述[9]～[11]中任一项所述的组装结构体，其中，上述M1为Ni或包含Ni的合金，上述M2为Ni。
[13]根据上述[8]～[12]中任一项所述的组装结构体，其中，上述(Cu，M2)xSny层或CuxSny层相对于下层的覆盖率为50％～100％。
[14]根据上述[8]～[13]中任一项所述的组装结构体，其中，上述(Cu，M2)xSny层或CuxSny层的厚度为0.1μm以上。
[15]根据上述[8]～[14]中任一项所述的组装结构体，其中，x+y为10～12。
[16]根据上述[8]～[15]中任一项所述的组装结构体，其中，x为6，y为5。
根据本公开，可以提供一种电子部件，其在电子部件组装后，即使在高温环境下暴露的情况下也能有效地抑制金属原子从外部电极扩散到焊料接合部。
附图说明
图1是本公开的一个实施方式的层叠陶瓷电容器1a的简要剖面图。
图2是本公开的一个实施方式的组装结构体21的简要剖面图
具体实施方式
关于本公开的电子部件和组装结构体，以下，参照附图进行详细说明。但是，各实施方式的电子部件和组装结构体的形状及配置等不限于图示的例子。
本公开的电子部件是具备部件主体和设置在上述部件主体的表面的外部电极的电子部件，上述外部电极包括M1/Cu/抗氧化膜的层叠结构。这里，上述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金。
在本实施方式中，本公开的电子部件可以为图1所示的层叠陶瓷电容器1a。层叠陶瓷电容器1a具有部件主体2和设置在部件主体的表面的外部电极3a、3b。部件主体2具有内部电极5a、5b、电介质部分(电介质层)6。外部电极3a、3b分别由基底层11a、11b，M1层12a、12b，Cu层13a、13b和抗氧化膜14a、14b构成。
本公开的电子部件的外部电极中包含M1/Cu/抗氧化膜的层叠结构。由于这样的层叠结构，在将本公开的电子部件通过焊料组装于其他电子部件时，在外部电极与焊料接合部的界面上形成来自上述M1/Cu/抗氧化膜的层叠结构的金属间化合物层。这样的金属间化合物层可以起到对抗焊料侵蚀的阻挡膜的作用，特别是在高温下使用时，也能起到长时间阻挡膜的作用，因此可靠性提高。
在本实施方式中上述部件主体2是电容器的主体，但只要在其表面设置外部电极即可，不限于此。例如可以举出，部件主体为可用作电感器、电阻器、LC复合部件等的电子部件的主体。
上述部件主体没有特别限定，可以使用通常的方法来形成。
上述部件主体的材质没有特别限定，可以使用通常使用的材质。作为材质，可以举出例如陶瓷、树脂、金属、它们的复合材料等，具体而言，可以举出陶瓷。
图1所示的层叠陶瓷电容器1a具有两个外部电极，但本公开的电子部件不限于此方式，可以设置三个以上的外部电极。
如图1所示，外部电极3a、3b分别由基底层11a、11b，M1层12a、12b，Cu层13a、13b和抗氧化膜14a、14b构成。即，外部电极在基底层上包含M1/Cu/抗氧化膜的层叠结构。
上述基底层没有特别限定，可以为Cu、Ag、Ni或Pd、或者它们的合金层。基底层优选为Cu或Ag，更优选为Cu层。基底层可以为单层，也可以为两层以上。
上述基底层还可以含有例如玻璃等其他材料。
上述基底层设置在部件主体的表面上，优选与部件主体接触而设置。
上述基底层的厚度没有特别限定，例如可以为1μm～500μm，优选为3μm～300μm，更优选为5μm～100μm，例如可以为5μm～50μm或10μm～30μm。
上述基底层的形成方法没有特别限定，可以举出例如镀覆(如电镀或非电镀)、溅射、涂覆糊料并进行固化或烧结的方法等。
上述M1层设置在上述基底层上。
上述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金。
在一个方式中，M1为Ni或包含Ni的合金。
上述合金优选为Ni与选自Zn、W、Re、Os、Mo、Nb、Ir、Ru、Rh、Cr、Pt、Ti、Lu、Pd、Fe、Cu和Co中的一种或一种以上的金属的合金。
在优选的方式中，M1为Ni。
上述M1层的厚度没有特别限定，例如可以为0.01μm～100μm，优选为0.1μm～50μm，更优选为0.3μm～10μm，例如可以为0.3μm～3μm或1μm～5μm。
上述M1层的形成方法没有特别限定，可以举出例如镀覆(如电镀或非电镀)、溅射等。
上述Cu层的厚度优选为0.1μm～10μm，更优选为0.2μm～8μm，进一步优选为0.3μm～5.0μm。通过使Cu层的厚度为0.3μm以上，当组装于其他电子部件时，可更广泛地、优选地在整个外部电极表面形成下述的(Cu，M2)xSny或CuxSny的层，从而能够更可靠地抑制焊料侵蚀。另外，通过使Cu层的厚度为10μm以下，易于成为小型化。通过使Cu层的厚度为0.1μm以上，容易均匀地形成(Cu，M2)xSny或CuxSny的层，抑制焊料侵蚀的效果变大。这认为是由于Cu层的厚度如果为0.1μm以上，焊料中的Cu也会提供到界面上。
上述Cu层的形成方法没有特别限定，可以举出例如镀覆(如电镀或非电镀)、溅射等。
上述抗氧化膜优选为Sn、Ag、Au或OSP(Organic Solderability Preservative，即水溶性预焊剂)的层。
上述抗氧化膜优选为Sn、Ag或Au的层，更优选为Sn层。
上述抗氧化膜的厚度没有特别限定，例如可以为0.01μm～100μm，优选为0.1μm～50μm，更优选为0.3μm～10μm，例如可以为0.3μm～3μm或1μm～5μm。
上述抗氧化膜的形成方法没有特别限定，可以举出例如镀覆(如电镀或非电镀)、溅射等。
上述M1/Cu/抗氧化膜的层叠结构的厚度优选为1.0μm～300μm，更优选为5.0μm～100μm。
上述M1层、Cu层和抗氧化膜也可以分别包含其他微量物质，例如不可避免地混入的微量原子等。
上述M1/Cu/抗氧化膜优选为Ni/Cu/Sn。
上述本公开的电子部件可以使用焊料组装于其他电子部件上，由此得到组装结构体。本公开还提供一种包含本公开的电子部件和焊料接合部的组装结构体。
本公开的组装结构体是包含电子部件和焊料接合部的组装结构体，该电子部件具备部件主体和设置在该部件主体的表面的外部电极，
上述电子部件通过焊料接合部与其他电子部件接合，
上述外部电极在与上述焊料接合部的界面上具有由(Cu，M2)xSny或CuxSny表示的金属间化合物层。这里，上述M2为第9族～第11族的金属，x为5～7，y为4～6。
在本实施方式中，本公开的组装结构体可以为图2所示的组装结构体21。组装结构体21包含层叠陶瓷电容器1b和焊料接合部22a、22b。组装结构体21的层叠陶瓷电容器1b通过焊料接合部与作为其他电子部件的基板23接合。层叠陶瓷电容器1b是将上述层叠陶瓷电容器1a通过焊料与基板23接合而成的电容器，除了外部电极3a、3b变为外部电极3c、3d以外，与上述的电子部件具有相同的构成。
在本实施方式中，其他电子部件为基板23，但并不局限于此，只要是通过焊料与本公开的电子部件连接的电子部件即可，没有特别限定。
上述焊料接合部22a、22b将基板23与层叠陶瓷电容器1接合，具体而言，将设置在基板23的表面的电极部24a、24b与层叠陶瓷电容器1b的外部电极3c、3d接合。
设置在上述基板的表面的电极部24a、24b没有特别限定，可以使用通常使用的电极。电极部可以由例如Ni、Cu、Ag、Sn、Au、Pd等导电性物质形成，并且在一些情况下可以由预焊剂等形成。
上述焊料接合部可以通过一般的方法形成，例如可以通过使用焊膏进行回焊而形成。
在本实施方式中，焊料没有特别限定，可以使用通常使用的焊料。作为焊料，例如可以使用Sn－Ag－Cu系合金(SAC)、Sn－Zn－Bi系合金、Sn－Cu系合金、Sn－Ag－In－Bi系合金、Sn－Zn－Al系合金、Sn－Sb系合金等。
在优选的方式中，焊料为SAC。
上述外部电极3c、3d在与焊料接合部的界面上具有由(Cu，M2)xSny或CuxSny表示的金属间化合物层。由于存在这样的金属间化合物层，能够抑制金属原子从外部电极扩散到焊料接合部即焊料侵蚀。
上述金属间化合物层存在于外部电极与焊料接合部的整个界面。由于金属间化合物层存在于外部电极与焊料接合部的整个界面，能够更可靠地抑制金属原子从外部电极扩散到焊料接合部。
上述组装结构体中的外部电极包含M1/(Cu，M2)xSny或CuxSny、M1/Cu/(Cu，M2)xSny或CuxSny的层叠结构。
同上，上述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金。
上述M2为第9族～第11族的金属。
在优选的方式中，M2为Ni。
上述x为5～7，上述y为4～6。
在一个方式中，x为5.5～6.5，y为4.5～5.5。
x+y优选为10～12，更优选为10.5～11.5。
在优选的方式中，x为6，y为5。
上述M1/(Cu，M2)xSny或CuxSny以及M1/Cu/(Cu，M2)xSny或CuxSny的层叠结构是在通过焊料将上述层叠陶瓷电容器1a与基板23接合时，将M1/Cu/抗氧化膜中的Sn和焊料中的Sn形成金属间化合物而形成。
上述(Cu，M2)xSny中的M2含量优选为0.01at％～25at％，更优选为0.1at％～20at％。
上述M1层的厚度优选为0.1μm～10μm，更优选为0.5μm～8μm。
当存在Cu层时，上述Cu层的厚度优选为0.1μm～5μm，更优选为0.3μm～3μm。
上述(Cu，M2)xSny或CuxSny层的厚度优选为0.01μm～20μm。通过使(Cu，M2)xSny或CuxSny层的厚度为0.01μm以上，能够更可靠地抑制金属原子从外部电极扩散到焊料接合部。通过使(Cu，M2)xSny或CuxSny层的厚度为20μm以下，能够使组装结构体更加小型化。
实施例
以下，使用实施例具体说明本公开的电子部件和组装结构体，但本公开的电子部件和组装结构体不限于这些实施例。
实施例1～3
(电子部件的制作)
将芯片状的陶瓷层叠体浸渍在Cu粉与玻璃混合而成的糊料中，然后拉起，使糊料附着。然后，在800℃下烧制，在陶瓷层叠体的表面形成包含Cu和玻璃的复合层，作为基底层。接下来，在上述基底层上通过溅射法形成Ni层、Cu层和Sn层，得到实施例1～3的试样。各层的厚度如表1所示。
比较例1
在Ni层与Sn层之间不形成Cu层，除此以外，与上述实施例1～3同样地得到比较例1的试样。
[表1]
实施例4～6
(组装结构体的制作)
使用SAC焊料将上述实施例1～3的试样在印刷电路基板上进行回流组装，得到实施例4～6的组装结构体。回流是在预热温度150℃下保持60秒后，以最高温度250℃进行100秒。
比较例2
使用SAC焊料将比较例1的试样在印刷电路基板上进行回流组装，得到比较例2的组装结构体。
试验例1
对于实施例4～6和比较例2的组装结构体，通过扫描电子显微镜(FE－SEM/EDX)(日立High-Technologies株式会社制，FE－SEM：SU8230/EDX：5060FQ)观察外部电极的剖面。
对于实施例4～6的组装结构体，确认了外部电极在基底层上形成有Ni/(Cu，Ni)6Sn5层。另一方面，对于比较例2的试样，确认了在基底层上形成有Ni/Ni3Sn4/(Cu，Ni)6Sn5层。
试验例2(耐热试验)
将上述实施例4～6和比较例2中得到的组装结构体在温度静置于175℃的环境，观察是否发生焊料侵蚀。是否产生焊料侵蚀是通过扫描电子显微镜(FE－SEM/EDX)(日立High-Technologies株式会社制，FE－SEM：SU8230/EDX：5060FQ)观察外部电极的剖面来判断的。另外，根据初始膜厚与175℃静置后的膜厚差，计算焊料侵蚀的反应速度常数。将结果示于下表。
[表2]
| 反应速度常数 | |
| 实施例4 | 4.15×10-21 |
| 实施例5 | 0 |
| 实施例6 | 8.35×10-22 |
| 比较例2 | 3.46×10-19 |
实施例4～6的组装结构体在经过500小时后仍未观察到焊料侵蚀。另一方面，比较例2的组装结构体确认发生了局部焊料侵蚀。
工业上的可利用性
本公开的电子部件可在需要高温下使用的用途中得到适当的使用。
符号说明
1a、1b…层叠陶瓷电容器
2…部件主体
3a、3b…外部电极
3c、3d…外部电极
5a、5b…内部电极
6…电介质部分(电介质层)
11a、11b…基底层
12a、12b…M1层
13a、13b…Cu层
14a、14b…抗氧化膜
21…组装结构体
22a、22b…焊料接合部
23…基板
24a、24b…电极部
Claims (16)
1.一种电子部件，具备部件主体和设置在所述部件主体的表面的外部电极，
所述外部电极包含M1/Cu/抗氧化膜的层叠结构，
所述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述M1为Ni或包含Ni的合金。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其中，所述M1为Ni。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其中，所述抗氧化膜为Sn、Ag、Au或OSP的层。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子部件，其中，所述抗氧化膜为Sn层。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子部件，其中，所述Cu层的厚度为0.1μm～10μm。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子部件，其中，所述Cu层的厚度为0.3μm～5μm。
8.一种组装结构体，是包含电子部件和焊料接合部的组装结构体，该电子部件具备部件主体和设置在该部件主体的表面的外部电极，
所述电子部件通过焊料接合部与其他电子部件接合，
所述外部电极在与所述焊料接合部的界面具有由(Cu，M2)xSny或CuxSny表示的金属间化合物层，
所述M2为第9族～第11族的金属，
所述x为5～7，
所述y为4～6。
9.根据权利要求8所述的组装结构体，其中，所述外部电极包含M1/(Cu，M2)xSny或M1/CuxSny的层叠结构，
所述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金，
所述M2为第9族～第11族的金属，
所述x为5～7，
所述y为4～6。
10.根据权利要求8所述的组装结构体，其中，所述外部电极包含M1/Cu/(Cu，M2)xSny或M1/Cu/CuxSny的层叠结构，
所述M1为第9族～第11族的金属或包含第9族～第11族的金属的合金，
所述M2为第9族～第11族的金属，
所述x为5～7，
所述y为4～6。
11.根据权利要求10所述的组装结构体，其中，所述M1/Cu/(Cu，M2)xSny或M1/Cu/CuxSny的层叠结构中的Cu层的厚度为0.1μm～5μm。
12.根据权利要求8～11中任一项所述的组装结构体，其中，所述M1为Ni或包含Ni的合金，所述M2为Ni。
13.根据权利要求8～12中任一项所述的组装结构体，其中，所述(Cu，M2)xSny层或CuxSny层对于下层的覆盖率为50％～100％。
14.根据权利要求8～13中任一项所述的组装结构体，其中，所述(Cu，M2)xSny层或CuxSny层的厚度为0.1μm以上。
15.根据权利要求8～14中任一项所述的组装结构体，其中，x+y为10～12。
16.根据权利要求8～15中任一项所述的组装结构体，其中，x为6，y为5。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-146115 | 2021-09-08 | ||
| JP2021146115 | 2021-09-08 | ||
| PCT/JP2022/026970 WO2023037747A1 (ja) | 2021-09-08 | 2022-07-07 | 実装構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117957921A true CN117957921A (zh) | 2024-04-30 |
Family
ID=85506455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280060409.5A Pending CN117957921A (zh) | 2021-09-08 | 2022-07-07 | 组装结构体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117957921A (zh) |
| WO (1) | WO2023037747A1 (zh) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021027196A (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-22 | 国立大学法人大阪大学 | 電子部品および実装構造体 |
| WO2021033387A1 (ja) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
2022
- 2022-07-07 WO PCT/JP2022/026970 patent/WO2023037747A1/ja unknown
- 2022-07-07 CN CN202280060409.5A patent/CN117957921A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023037747A1 (ja) | 2023-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3861927B1 (ja) | 電子部品、電子部品の実装構造および電子部品の製造方法 | |
| KR101645625B1 (ko) | 전자 부품, 전자 부품과 접합 대상물의 접합 구조체의 형성방법 | |
| EP0660651B1 (en) | Multilayer ceramic circuit substrate, process for producing the same, and electrically conductive material for use in multilayer ceramic circuit substrate | |
| US7570477B2 (en) | Ceramic electronic component and method for manufacturing the same | |
| JP4423707B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| EP1837119B1 (en) | Solder paste and electronic device | |
| CN110891733B (zh) | 用于活性焊接的焊接材料和用于活性焊接的方法 | |
| KR100991626B1 (ko) | 구리 합금 분말 및 그 제조 방법 | |
| US20120043854A1 (en) | Ceramic electronic component and method for manufacturing the same | |
| JPWO2013132965A1 (ja) | 電子部品 | |
| KR101751058B1 (ko) | 적층 세라믹 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
| US5128827A (en) | Electronic devices, method for forming end terminations thereof and paste material for forming same | |
| JP2009141292A (ja) | 外部端子電極具備電子部品、その搭載電子用品及び外部端子電極具備電子部品の製造方法 | |
| EP0905775A2 (en) | Electrically conductive paste for via-hole and method of producing monolithic ceramic substrate using the same | |
| CN117957921A (zh) | 组装结构体 | |
| JP2001230151A (ja) | リードレスチップ部品 | |
| JP4081865B2 (ja) | 導体組成物の製造方法 | |
| JPH10106883A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2021027196A (ja) | 電子部品および実装構造体 | |
| JP2021027195A (ja) | 電子部品および実装構造体 | |
| JP2001155955A (ja) | 外部端子電極具備電子部品及びその搭載電子用品 | |
| EP2309830A1 (en) | Plating film, printed wiring board, and module substrate | |
| JP2013065728A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2007009250A (ja) | 電子部品の結線方法及び電子部品 | |
| US11329023B2 (en) | Interconnection of copper surfaces using copper sintering material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |