CN117946601A - 剥离衬垫 - Google Patents

Abstract

本发明涉及剥离衬垫。本发明提供适合于在抑制聚硅氧烷剥离层的厚度的同时确保轻剥离性的剥离衬垫。剥离衬垫(X)具有基材膜(10)和作为聚硅氧烷剥离层的剥离层(20)。基材膜(10)具有第一面(11)和与该第一面(11)相反的一侧的第二面(12)。剥离层(20)配置在基材膜(10)的第一面(11)上。剥离层(20)具有100nm以下的厚度。基材膜(10)的第一面(11)的最大高度粗糙度Rz相对于剥离层(20)的厚度的比率为1以下。

Description

剥离衬垫

技术领域

本发明涉及剥离衬垫。

背景技术

作为覆盖粘合片的表面的保护材料，已知有剥离衬垫。粘合片例如以该粘合片的单面或两个面被剥离衬垫覆盖的带有剥离衬垫的粘合片的形态制造。带有剥离衬垫的粘合片中的剥离衬垫在使用粘合片时从该粘合片上剥离。

作为剥离衬垫，已知具有基材膜和该膜上的聚硅氧烷剥离层的剥离衬垫。这样的剥离衬垫在聚硅氧烷剥离层侧贴合在粘合片上。而且，通过聚硅氧烷剥离层能够确保从粘合片上剥离的剥离衬垫的轻剥离性。关于这样的与带有聚硅氧烷剥离层的剥离衬垫有关的技术，例如记载在下述专利文献1中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-244667号公报

发明内容

发明所要解决的问题

根据粘合片的用途，对剥离衬垫要求高度的轻剥离性。例如，对于显示面板用途的光学粘合片的剥离衬垫要求高度的轻剥离性。而且，在带有聚硅氧烷剥离层的剥离衬垫中，聚硅氧烷剥离层越厚，则越能够降低从粘合片上将剥离衬垫剥离时所需要的力(剥离力)。

但是，在带有聚硅氧烷剥离层的剥离衬垫中，聚硅氧烷剥离层越厚，则在从粘合片上将剥离衬垫剥离时，聚硅氧烷剥离层的形成材料(剥离层材料)越容易从该聚硅氧烷剥离层转印到粘合片上。剥离层材料向粘合片的转印成为粘合片的粘合力降低的原因，是不令人满意的。转印到粘合片上的剥离层材料对于粘合片而言是异物，是不令人满意的。

另外，关于这样的带有聚硅氧烷剥离层的剥离衬垫，本发明人得到如下的见解。如图4所示，在剥离衬垫40中，在基材膜41上形成的聚硅氧烷剥离层42的厚度在微观上与基材膜41的表面41a的表面粗糙度对应地而具有变动(バラつき)。因此，从微观上来说，从粘合片50上剥离的剥离力与聚硅氧烷剥离层42的厚度的变动对应地而具有变动。另外，在从粘合片50上将剥离衬垫40剥离时所需要的力中，聚硅氧烷剥离层42的薄壁部42a(由于比周围薄而剥离力大的部分)的剥离力起支配作用。

本发明提供适合于在抑制聚硅氧烷剥离层的厚度的同时确保轻剥离性的剥离衬垫。

用于解决问题的手段

本发明[1]包含一种剥离衬垫，其中，所述剥离衬垫具有：基材膜，所述基材膜具有第一面和与该第一面相反的一侧的第二面；和聚硅氧烷剥离层，所述聚硅氧烷剥离层配置在所述基材膜的所述第一面上，所述聚硅氧烷剥离层具有100nm以下的厚度，所述第一面的最大高度粗糙度Rz相对于所述聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为1以下。

本发明[2]包含上述[1]所述的剥离衬垫，其中，所述第一面的算术平均粗糙度Ra相对于所述聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为0.1以下。

本发明[3]包含一种剥离衬垫，所述剥离衬垫具有：基材膜，所述基材膜具有第一面和与该第一面相反的一侧的第二面；和聚硅氧烷剥离层，所述聚硅氧烷剥离层配置在所述基材膜的所述第一面上，所述聚硅氧烷剥离层具有100nm以下的厚度，所述第一面的算术平均粗糙度Ra相对于所述聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为0.1以下。

本发明[4]包含上述[1]～[3]中任一项所述的剥离衬垫，其中，所述基材膜为无填料膜。

本发明[5]包含上述[1]～[4]中任一项所述的剥离衬垫，其中，所述基材膜为环烯烃聚合物膜。

发明效果

如上所述，本发明的剥离衬垫的聚硅氧烷剥离层的厚度薄至100nm以下。这样的剥离衬垫适合于在以聚硅氧烷剥离层侧贴合于粘合片然后在从该粘合片上剥离时，抑制聚硅氧烷剥离层材料向粘合片的转印。另外，如上所述，本发明的剥离衬垫的基材膜的第一面的最大高度粗糙度Rz相对于聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为1以下或基材膜的第一面的算术平均粗糙度Ra相对于聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为0.1以下。基材膜的第一面(形成有聚硅氧烷剥离层的面)的平滑性如此程度地高这一点适合于即使在厚度为100nm以下的薄的聚硅氧烷剥离层中也抑制该层的厚度的变动。因此，本发明的剥离衬垫适合于在抑制聚硅氧烷剥离层的厚度的同时确保轻剥离性(在平均厚度相同的聚硅氧烷剥离层彼此的比较中，该层的厚度的变动越小，则对于剥离力占支配地位的上述薄壁部的厚度越大，因此剥离衬垫从粘合片剥离的总体的剥离力越小)。

附图说明

图1为本发明的剥离衬垫的一个实施方式的剖面示意图。

图2为具有本发明的剥离衬垫的带有剥离衬垫的粘合片的一例(单面带有剥离衬垫的粘合片)的剖面示意图。

图3为具有本发明的剥离衬垫的带有剥离衬垫的粘合片的其它例(两个面带有剥离衬垫的粘合片)的剖面示意图。

图4为覆盖粘合片的现有的剥离衬垫的局部放大剖面示意图。

标号说明

X 剥离衬垫

H 厚度方向

10 基材膜

11 第一面

12 第二面

20 剥离层(聚硅氧烷剥离层)

30、50 粘合片

具体实施方式

如图1所示，作为本发明的剥离衬垫的一个实施方式(第一实施方式、第二实施方式)的剥离衬垫X在厚度方向H上依次具有基材膜10和剥离层20。剥离衬垫X在与厚度方向H正交的方向(面方向)上扩展。基材膜10为具有挠性的树脂膜。基材膜10具有第一面11和与该第一面相反的一侧的第二面12。剥离层20为聚硅氧烷剥离层。剥离层20配置在基材膜10的第一面11上。剥离层20与第一面11接触。这样的剥离衬垫X为粘合片的保护材料。图2表示剥离衬垫X覆盖粘合片30的单面的情况。在图2所示的带有剥离衬垫X的粘合片30中，剥离衬垫X配置在粘合片30的厚度方向H的一个面上。图3表示剥离衬垫X分别覆盖粘合片30的两个面的情况。在图3所示的带有剥离衬垫X的粘合片30中，一个剥离衬垫X配置在粘合片30的厚度方向H的一个面上。另一个剥离衬垫X配置在粘合片30的厚度方向H的另一面上。

在作为第一实施方式的剥离衬垫X中，剥离层20具有100nm以下的厚度H₁，基材膜10的第一面11的最大高度粗糙度Rz相对于该厚度H₁的比率(Rz/H₁)为1以下。剥离层20的厚度H₁的测定方法具体而言如后述的实施例所述。最大高度粗糙度Rz是指在作为粗糙度评价对象的轮廓线中最高的峰的顶部与最深的谷的底部之间在高度方向上的距离(JIS B0601：2001)。这样的最大高度粗糙度Rz例如可以在剥离衬垫的厚度方向的截面上出现的基材膜的剥离层侧表面中进行测定(对于后述的算术平均粗糙度Ra也同样)。在剥离衬垫的厚度方向的截面上出现的基材膜的剥离层侧表面可以利用电子显微镜对其进行观察并进行拍摄。另外，最大高度粗糙度Rz例如也可以在形成剥离层之前的基材膜的表面中进行测定(对于后述的算术平均粗糙度Ra也同样)。第一面11的最大高度粗糙度Rz的测定方法具体而言如后述的实施例所述。

剥离层20的厚度薄至100nm以下，这适合于在将剥离衬垫X以剥离层20侧贴合于粘合片30然后从粘合片30上将剥离衬垫X剥离时，抑制剥离层材料从剥离层20向粘合片30的转印。另外，随着上述比率(Rz/H1)为1以下，基材膜10的第一面11(形成有剥离层20的面)的平滑性提高，这适合于即使在具有厚度为100nm以下的薄的剥离层20中也抑制该层的厚度的变动。因此，作为第一实施方式的剥离衬垫X适合于在抑制剥离层20的厚度的同时确保轻剥离性(在平均厚度相同的聚硅氧烷剥离层彼此的比较中，该层的厚度的变动越小，则对于聚硅氧烷剥离层的剥离力起支配作用的上述薄壁部的厚度越大，因此剥离衬垫从粘合片剥离的总体的剥离力越小)。具体而言，如后述的实施例和比较例所示。

从抑制剥离层材料的转印的观点考虑，剥离层20的厚度H₁优选为80nm以下，更优选为70nm以下，进一步优选为60nm以下。从剥离衬垫X的轻剥离性的观点考虑，剥离层20的厚度H₁优选为20nm以上，更优选为30nm以上，进一步优选为40nm以上。

从抑制剥离层20的厚度变动的观点考虑，比率(Rz/H₁)优选为0.92以下，更优选为0.8以下，进一步优选为0.6以下。从确保剥离层20对基材膜10的粘附性的观点考虑，比率(Rz/H₁)优选为0.05以上，更优选为0.1以上，进一步优选为0.2以上。

从抑制剥离层20的厚度变动的观点考虑，第一面11的最大高度粗糙度Rz优选为100nm以下，进一步优选为70nm以下，进一步优选为50nm以下，特别优选为30nm以下。从确保剥离层20对基材膜10的粘附性的观点考虑，第一面11的最大高度粗糙度Rz优选为10nm以上，更优选为20nm以上，进一步优选为25nm以上。作为第一面11的最大高度粗糙度Rz的调节方法，例如可以列举形成基材膜的树脂材料的种类和组成的调节、基材膜中的填料的有无和填料含量的调节。

从抑制剥离层20的厚度变动的观点考虑，基材膜10的第一面11的算术平均粗糙度Ra相对于剥离层20的厚度H₁的比率(Ra/H₁)优选为0.1以下，更优选为0.08以下，进一步优选为0.06以下，特别优选为0.04以下。从确保剥离层20对基材膜10的粘附性的观点考虑，比率(Ra/H₁)优选为0.005以上，更优选为0.01以上，进一步优选为0.02以上。算术平均粗糙度Ra是指从作为粗糙度评价对象的轮廓线的高度方向的平均位置起算的高度方向的距离(绝对值)的平均值(JIS B0601：2001)。第一面11的最大高度粗糙度Ra的测定方法具体而言如后述的实施例所述。

从抑制剥离层20的厚度变动与确保剥离层20的剥离衬垫X的轻剥离性的平衡的观点考虑，第一面11的最大高度粗糙度Rz相对于算术平均粗糙度Ra的比率(Rz/Ra)优选为10以上，更优选为15以上，进一步优选为18以上，另外，第一面11的最大高度粗糙度Rz相对于算术平均粗糙度Ra的比率(Rz/Ra)优选为30以下，更优选为28以下，进一步优选为26以下，特别优选为24以下。

从抑制剥离层20的厚度变动的观点考虑，第一面11的算术平均粗糙度Ra优选为20nm以下，更优选为10nm以下，进一步优选为5nm以下，特别优选为3nm以下。从确保剥离层20对基材膜10的粘附性的观点考虑，第一面11的算术平均粗糙度Ra优选为0.2nm以上，更优选为0.5nm以上，进一步优选为0.8nm以上，进一步优选为1nm以上，特别优选为1.5nm以上。作为第一面11的算术平均粗糙度Ra的调节方法，例如可以列举形成基材膜的树脂材料的种类和组成的调节、基材膜中的填料的有无和填料含量的调节。

在作为第二实施方式的剥离衬垫X中，剥离层20具有100nm以下的厚度H₁，基材膜10的第一面11的算术平均粗糙度Ra相对于该厚度H₁的比率(Ra/H₁)为0.1以下。另外，在作为第二实施方式的剥离衬垫X中，关于第一实施方式在上面叙述的比率(Rz/H₁)可以大于1。除了关于比率(Ra/H₁)和比率(Rz/H₁)的这些构成以外，第二实施方式与第一实施方式相同。

如上所述，剥离层20的厚度薄至100nm以下这一点适合于抑制剥离层材料从剥离层20向粘合片30的转印。另外，随着上述比率(Ra/H₁)为0.1以下，基材膜10的第一面11(形成有剥离层20的面)的平滑性提高，这适合于即使在具有厚度为100nm以下的薄的剥离层20中也抑制该层的厚度的变动。因此，作为第二实施方式的剥离衬垫X也与作为第一个实施方式的剥离衬垫X同样地适合于在抑制剥离层20的厚度的同时确保轻剥离性。具体而言，如后述的实施例和比较例所示。

在这样的第二实施方式中，从抑制剥离层20的厚度变动的观点考虑，比率(Ra/H₁)优选为0.08以下，更优选为0.06以下，进一步优选为0.04以下。从确保剥离层20对基材膜10的粘附性的观点考虑，比率(Ra/H₁)优选为0.005以上，更优选为0.01以上，进一步优选为0.02以上。

基材膜10例如为具有挠性的树脂膜。作为基材膜10的树脂材料，例如可以列举：聚烯烃、聚酯、丙烯酸类、聚酰胺、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纤维素、改性纤维素、聚苯乙烯和聚碳酸酯。作为聚烯烃，例如可以列举：聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物(COP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和乙烯-乙烯醇共聚物。作为聚酯，例如可以列举：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯。作为聚酰胺，例如可以列举聚酰胺6、聚酰胺6,6和部分芳香族聚酰胺。作为改性纤维素，例如可以列举三乙酰纤维素(TAC)。这些树脂材料可以单独使用，也可以并用两种以上。作为基材膜10的材料，优选为选自由COP和PET构成的组中的至少一种，更优选为COP。基材膜10优选为COP膜或PET膜，更优选为COP膜。

从确保第一面11的平滑性的观点考虑，基材膜10优选为无填料膜。即，基材膜10优选不含有或实质上不含有填料。基材膜10实质上不含有填料是指基材膜10中的填料含有比例为0.05质量％以下。

在基材膜10含有填料的情况下，从确保第一面11的平滑性的观点考虑，该填料优选为纳米填料。纳米填料是指一次粒子的平均粒径为100nm以下的粒子。基材膜10中的纳米填料的平均粒径优选为80nm以下，更优选为60nm以下，进一步优选为50nm以下。基材膜10中的纳米填料的平均粒径例如为2nm以上。

从确保剥离衬垫X的强度的观点考虑，基材膜10的厚度H₂优选为5μm以上，更优选为10μm以上，更优选为20μm以上。另外，从在剥离衬垫X中确保适度的挠性的观点考虑，基材膜10的厚度H₂优选为200μm以下，更优选为150μm以下，进一步优选为100μm以下。

从基材膜10和剥离层20的功能分担的平衡的观点考虑，剥离层20的厚度H₁相对于基材膜10的厚度H₂的比率(H₁/H₂)优选为0.0005以上，更优选为0.0008以上，另外，剥离层20的厚度H₁相对于基材膜10的厚度H₂的比率(H₁/H₂)优选为0.01以下，更优选为0.008以下。

基材膜10优选具有透明性。基材膜10的雾度优选为3％以下，更优选为2％以下，进一步优选为1％以下。基材膜10的雾度例如为0.05％以上。基材膜10的雾度可以根据JISK7136(2000年)进行测定。基材膜10的总透光率优选为90％以上，更优选为95％以上。基材膜10的总透光率例如为100％以下。总透光率可以根据JIS K 7375(2008年)进行测定。

剥离层20为用于确保剥离衬垫X的剥离性的聚硅氧烷剥离层。剥离层20为具有固化性的聚硅氧烷树脂组合物的固化物层。聚硅氧烷树脂组合物例如含有固化型聚硅氧烷树脂、固化催化剂和溶剂。

作为固化型聚硅氧烷树脂，可以列举具有可聚合官能团的有机聚硅氧烷。作为可聚合官能团，例如可以列举烯基。作为烯基，例如可以列举乙烯基、烯丙基、丙烯基和己烯基。另外，固化型聚硅氧烷树脂可以为加成反应型聚硅氧烷树脂，也可以为缩合反应型聚硅氧烷树脂。作为缩合反应型聚硅氧烷树脂的市售品，例如可以列举：信越化学工业公司制造的“X-52-195”和“X-52-170”以及东丽道康宁公司制造的“SRX290”和“SRX244”。作为加成反应型聚硅氧烷树脂的市售品，例如可以列举：信越化学工业公司制造的“KS-847H”、“KM-3951”、“X-52-151”、“X-52-6068”和“X-52-6069”。

作为固化催化剂，可以列举铂催化剂和有机锡催化剂。作为铂催化剂，可以列举：微粒状铂、氯铂酸、醇改性氯铂酸和氯铂酸的烯烃络合物。作为有机锡催化剂，例如可以列举有机锡酰化物催化剂。作为加成反应型聚硅氧烷树脂的固化催化剂，优选铂催化剂。作为铂催化剂的市售品，例如可以列举信越化学工业公司制造的“CAT-PM-10”。作为缩合反应型聚硅氧烷树脂的固化催化剂，优选有机锡催化剂。作为有机锡催化剂的市售品，例如可以列举信越化学工业公司制造的“CAT-PL10”。每100质量份聚硅氧烷树脂，固化催化剂的量优选为0.5质量份以上，更优选为1质量份以上，另外，优选为7质量份以下，更优选为5质量份以下。

作为溶剂，例如可以列举甲苯、正己烷和甲基乙基酮。溶剂可以单独使用，也可以并用两种以上。聚硅氧烷树脂组合物的固体成分的浓度例如为0.1质量％～1质量％。在固体成分中包含聚硅氧烷树脂、固化催化剂以及在含有交联剂的情况下的后述的交联剂。

聚硅氧烷树脂组合物可以含有交联剂。作为交联剂，例如可以列举：氢硅氧烷(在一分子中具有至少2个与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷)。作为氢硅氧烷，例如可以列举：二甲基氢甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢聚硅氧烷、和聚(氢倍半硅氧烷)。交联剂可以单独使用，也可以并用两种以上。每100质量份聚硅氧烷树脂，交联剂的量优选为1质量份以上，更优选为3质量份以上，另外，交联剂的量优选为10质量份以下，更优选为7质量份以下。

从确保剥离衬垫X的强度的观点考虑，剥离衬垫X的厚度优选为5μm以上，更优选为10μm以上，更优选为20μm以上。另外，从在剥离衬垫X中确保适度的挠性的观点考虑，剥离衬垫X的厚度优选为200μm以下，更优选为150μm以下，进一步优选为100μm以下。

剥离衬垫X优选具有透明性。剥离衬垫X的雾度优选为3％以下，更优选为2％以下，进一步优选为1％以下。剥离衬垫X的雾度例如为0.05％以上。剥离衬垫X的雾度可以根据JIS K7136(2000年)进行测定。剥离衬垫X的总透光率优选为90％以上，更优选为95％以上。剥离衬垫X的总透光率例如为100％以下。总透光率可以根据JIS K 7375(2008年)进行测定。

剥离衬垫X例如可以如下制造。

首先，准备基材膜10。基材膜10例如可以通过将熔融的树脂材料成型为膜来制作。作为成型的方法，例如可以列举：挤出成型、吹胀成型和压延成型。

接着，在基材膜10上形成聚硅氧烷剥离层20。具体而言，首先，将上述聚硅氧烷树脂组合物涂布在基材膜10的第一面11上而形成涂膜。接着，使该涂膜干燥。作为聚硅氧烷树脂组合物的涂布方法，例如可以列举：辊涂法、辊舐涂布法、凹版涂布法、反向涂布法、辊刷法、喷涂法、浸渍辊涂布法、刮棒涂布法、刮刀涂布法、气刀涂布法、幕帘涂布法、唇模涂布法和口模式涂布机。涂膜的干燥温度例如为50℃～200℃。干燥时间例如为5秒～20分钟。

通过如上操作能够制造剥离衬垫X。

粘合片30例如为光学透明的粘合片(光学粘合片)。粘合片30具有规定厚度的片状，在与厚度方向正交的方向(面方向)上扩展。另外，粘合片30例如为配置在柔性器件中的光通过部位的光学透明的粘合片。作为柔性器件，例如可以列举柔性显示面板。作为柔性显示面板，例如可以列举可折叠显示面板和可卷绕显示面板。柔性显示面板具有包含例如像素面板、偏振膜、触控面板和覆盖膜等元件的层叠结构。粘合片30例如在柔性显示面板的制造过程中用于层叠结构中包含的元件彼此的接合。

粘合片30由粘合剂组合物形成。粘合剂组合物包含基础聚合物。基础聚合物为表现出粘合性的粘合成分。作为基础聚合物，例如可以列举丙烯酸类聚合物、聚氨酯聚合物、聚酰胺聚合物和聚乙烯基醚聚合物。基础聚合物可以单独使用，也可以并用两种以上。从确保粘合片30中的良好的透明性和粘合性的观点考虑，作为基础聚合物，优选可以使用丙烯酸类聚合物。

丙烯酸类聚合物为以50质量％以上的比例包含(甲基)丙烯酸酯的单体成分的共聚物。“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。作为(甲基)丙烯酸酯，优选使用(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选使用烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯。

作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以列举：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(即丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸异十三烷基酯和(甲基)丙烯酸十四烷基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，优选为选自由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、丙烯酸月桂酯(LA)和丙烯酸正丁酯构成的组中的至少一种。从在粘合片30中适当地表现出粘合性等基本特性的观点考虑，单体成分中的(甲基)丙烯酸烷基酯的比例优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为90质量％以上，另外，单体成分中的(甲基)丙烯酸烷基酯的比例例如为99质量％以下。

单体成分可以包含能够与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的可共聚单体。作为可共聚单体，例如可以列举具有极性基团的单体。作为含有极性基团的单体，例如可以列举：含羟基单体、含羧基单体和具有含氮原子环的单体。含有极性基团的单体有助于在丙烯酸类聚合物中引入交联点、确保丙烯酸类聚合物的凝聚力等丙烯酸类聚合物的改性。

作为含羟基单体，例如可以列举：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯和(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯。作为含羟基单体，优选可以使用选自由(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯和(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯构成的组中的至少一种。从向丙烯酸类聚合物中引入交联结构以及确保粘合片30中的凝聚力的观点考虑，单体成分中的含羟基单体的比例优选为0.2质量％以上，更优选为0.5质量％以上，进一步优选为1质量％以上。从调节丙烯酸类聚合物的极性(关系到粘合片30中的各种添加剂成分和丙烯酸类聚合物的相容性)的观点考虑，该比例优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下。

作为具有含氮原子环的单体，例如可以列举：N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑和N-(甲基)丙烯酰基-2-吡咯烷酮。作为具有含氮原子环的单体，优选可以使用N-乙烯基-2-吡咯烷酮。从确保粘合片30中的凝聚力和确保粘合片30对被粘物的粘附力的观点考虑，单体成分中的具有含氮原子环的单体的比例优选为0.1质量％以上，更优选为0.5质量％以上，进一步优选为0.8质量％以上。从丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度的调节和丙烯酸类聚合物的极性(关系到粘合片30中的各种添加剂成分和丙烯酸类聚合物的相容性)的调节的观点考虑，该比例优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下。

基础聚合物优选具有交联结构。作为向基础聚合物中引入交联结构的引入方法，可以列举如下方法：将具有能够与交联剂反应的官能团的基础聚合物和交联剂配合到粘合剂组合物中，使基础聚合物与交联剂在粘合片中反应的方法(第一方法)；和在形成基础聚合物的单体成分中包含作为交联剂的多官能单体，通过该单体成分的聚合，形成在聚合物链中引入了支链结构(交联结构)的基础聚合物的方法(第二方法)。这些方法可以并用。

作为在上述第一方法中使用的交联剂，例如可以列举与基础聚合物中所含的官能团(羟基和羧基等)反应的化合物。作为这样的交联剂，例如可以列举：异氰酸酯交联剂、过氧化物交联剂和环氧交联剂。交联剂可以单独使用，也可以并用两种以上。

在上述第二方法中，单体成分(包含用于引入交联结构的多官能单体和其它单体)可以一次性聚合，也可以多步聚合。在多步聚合的方法中，首先使用于形成基础聚合物的单官能单体聚合(预聚合)，由此制备含有部分聚合物(低聚合度的聚合物和未反应的单体的混合物)的预聚物组合物。接着，在预聚物组合物中添加作为交联剂的多官能单体，然后使部分聚合物和多官能单体聚合(主聚合)。作为多官能单体，例如可以列举在一分子中含有两个以上的烯属不饱和双键的多官能(甲基)丙烯酸酯。作为多官能单体，从能够通过活性能量射线聚合(光聚合)引入交联结构的观点考虑，优选多官能丙烯酸酯。作为多官能(甲基)丙烯酸酯，例如可以列举：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯和二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。作为多官能(甲基)丙烯酸酯，优选可以使用1,6-己二醇二丙烯酸酯。

丙烯酸类聚合物可以通过使上述单体成分聚合而形成。作为聚合方法，例如可以列举：溶液聚合、无溶剂下的光聚合(例如UV聚合)、本体聚合和乳液聚合。作为溶液聚合的溶剂，例如可以使用乙酸乙酯和甲苯。另外，作为聚合的引发剂，例如可以使用热聚合引发剂和光聚合引发剂。

粘合剂组合物根据需要可以含有其它成分。作为其它成分，例如可以列举溶剂、硅烷偶联剂、紫外线吸收剂、增粘剂、软化剂和抗氧化剂。作为溶剂，例如可以列举：在丙烯酸类聚合物的聚合时根据需要可以使用的聚合溶剂以及在聚合后添加到聚合反应溶液中的溶剂。作为该溶剂，例如可以使用乙酸乙酯和甲苯。

粘合片30例如可以通过将上述粘合剂组合物涂布在剥离衬垫X的剥离层20上形成涂膜后，使该涂膜干燥来制造。由此，能够制造图2所示的单面带有剥离衬垫的粘合片30(单面具有剥离衬垫X)。另外，通过将另外的剥离衬垫X的剥离层20侧贴合在剥离衬垫X上的粘合片30的露出面上，能够制造图3所示的两个面带有剥离衬垫的粘合片30(在两个面具有剥离衬垫X)。

从确保对被粘物的充分的粘合性的观点和操作性的观点考虑，粘合片30的厚度优选为10μm以上，更优选为15μm以上。从柔性器件的薄型化的观点考虑，粘合片30的厚度优选为300μm以下，更优选为200μm以下，进一步优选为100μm以下，特别优选为50μm以下。

实施例

以下示出实施例对本发明具体地进行说明。但是，本发明不限于实施例。另外，以下记载的配合量(含量)、物性值、参数等具体数值可以替换为在上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配合量(含量)、物性值、参数等的上限(定义为“以下”或“小于”的数值)或下限(定义为“以上”或“大于”的数值)。

[实施例1]

＜剥离衬垫的制作＞

首先，将100质量份聚硅氧烷剥离剂(商品名“KS-847H”，加成反应型聚硅氧烷树脂，信越化学工业制造)、3.3质量份聚硅氧烷固化用铂催化剂(商品名“CAT-PL-50T”，信越化学工业制造)和溶剂进行混合，由此制备了聚硅氧烷固体成分浓度为0.3质量％的聚硅氧烷树脂组合物。溶剂为甲苯(出光石油化学制造)与正己烷(丸善石油化学制造)与甲基乙基酮(出光兴产制造)的重量比1：2：1的混合溶剂。

接着，将上述聚硅氧烷树脂组合物涂布在作为基材膜的厚度为50μm的环烯烃聚合物(COP)膜(商品名“Zeonor Film ZF14-050”，无填料，日本瑞翁制造)的单面上，由此形成了涂膜。在涂布中使用了线棒#9。接着，利用热风干燥机在130℃下将基材膜上的涂膜加热1分钟，从而使其干燥。由此，在基材膜上形成了厚度为50nm的聚硅氧烷剥离层。

通过如上操作制作了实施例1的剥离衬垫。实施例1的剥离衬垫具有作为基材膜的COP膜(厚度为50μm)与聚硅氧烷剥离层(厚度为50nm)的层叠结构。

＜带有剥离衬垫的粘合片的制作＞

首先，对包含78质量份丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、18质量份N-乙烯基-2-吡咯烷酮(NVP)、4质量份丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)、0.035质量份光聚合引发剂(商品名“Irgacure184”，1-羟基环己基苯基甲酮，BASF公司制造)和0.035质量份第二光聚合引发剂(商品名“Irgacure651”，2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮，BASF公司制造)的混合物照射紫外线(聚合反应)，由此得到了预聚物组合物(聚合率为约8％)(预聚物组合物含有未经过聚合反应的单体成分)。继续进行紫外线照射直至组合物的粘度达到约20Pa·s。该粘度为利用B型粘度计在转子No.5、转子转速10rpm和温度30℃的条件下测定的值。

接着，将100质量份预聚物组合物、0.15质量份作为交联剂的1,6-己二醇二丙烯酸酯(HDDA)、0.2质量份光聚合引发剂(商品名“Irgacure819”，双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦，BASF公司制造)、0.3质量份硅烷偶联剂(商品名“KBM-403”，3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷，信越化学工业制造)和1.4质量份紫外线吸收剂(商品名“Tinosorb S”，2,4-双-[{4-(4-乙基己基氧基)-4-羟基}-苯基]-6-(4-甲氧基苯基)-1,3,5-三嗪，BASF公司制造)进行混合，由此得到了紫外线固化型粘合剂组合物。

接着，将粘合剂组合物涂布在实施例1的剥离衬垫(第一剥离衬垫)的聚硅氧烷剥离层上，由此形成了涂膜。接着，将厚度为38μm的PET膜作为第二剥离衬垫贴合在剥离衬垫上的涂膜上。接着，从第二剥离衬垫侧对涂膜照射紫外线，使涂膜紫外线固化，由此形成了厚度为50μm的粘合剂层。在紫外线照射中，使用了黑光灯(ブラックライト)作为照射光源，并将照射强度设定为了6.5mW/cm²。

通过如上操作制作了实施例1的带有剥离衬垫的粘合片(第一剥离衬垫/粘合片/第二剥离衬垫)。

[实施例2]

除了使用厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(商品名“LumirrorU403”，无填料，东丽制造)作为基材膜以外，与实施例1的剥离衬垫同样地制作了实施例2的剥离衬垫。实施例2的剥离衬垫具有作为基材膜的PET膜(厚度为50μm)与聚硅氧烷剥离层(厚度为50nm)的层叠结构。另外，除了使用实施例2的剥离衬垫代替实施例1的剥离衬垫作为第一剥离衬垫以外，与实施例1的带有剥离衬垫的粘合片同样地制作了实施例2的带有剥离衬垫的粘合片。

[比较例1]

除了使用厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(商品名“LumirrorXD500P”，含有填料，东丽制造)作为基材膜以外，与实施例1的剥离衬垫同样地制作了比较例1的剥离衬垫。比较例1的剥离衬垫具有作为基材膜的PET膜(厚度为50μm)与聚硅氧烷剥离层(厚度为50nm)的层叠结构。另外，除了使用比较例1的剥离衬垫代替实施例1的剥离衬垫作为第一剥离衬垫以外，与实施例1的带有剥离衬垫的粘合片同样地制作了比较例1的带有剥离衬垫的粘合片。

[比较例2]

除了使用厚度为50μm的PET膜(商品名“Diafoil T100C50”，含有填料，三菱树脂制造)作为基材膜以外，与实施例1的剥离衬垫同样地制作了比较例2的剥离衬垫。比较例2的剥离衬垫具有作为基材膜的PET膜(厚度为50μm)与聚硅氧烷剥离层(厚度为50nm)的层叠结构。另外，除了使用比较例2的剥离衬垫代替实施例1的剥离衬垫作为第一剥离衬垫以外，与实施例1的带有剥离衬垫的粘合片同样地制作了比较例2的带有剥离衬垫的粘合片。

[比较例3]

除了使用厚度为75μm的PET膜(商品名“XD3DA2”，含有填料，东丽制造)作为基材膜以外，与实施例1的剥离衬垫同样地制作了比较例3的剥离衬垫。比较例3的剥离衬垫具有作为基材膜的PET膜(厚度为75μm)与聚硅氧烷剥离层(厚度为50nm)的层叠结构。另外，除了使用比较例3的剥离衬垫代替实施例1的剥离衬垫作为第一剥离衬垫以外，与实施例1的带有剥离衬垫的粘合片同样地制作了比较例3的带有剥离衬垫的粘合片。

＜基材膜的表面粗糙度＞

对于在实施例1、2和比较例1～3中使用的各基材膜，在形成聚硅氧烷剥离层之前测定了表面粗糙度。具体而言，利用作为非接触式表面粗糙度测定装置的三维光学轮廓仪(商品名“NewView7300”，ZYGO制造)，在23℃和相对湿度50％的环境下测定基材膜的第一面(将要形成聚硅氧烷剥离层的一侧的面)的形状。在本测定中，使用Micro7k作为测定用应用软件，将物镜设定为10倍透镜，将内部透镜设定为1.0倍透镜，将视场尺寸设定为0.70mm×0.52mm。然后，基于关于基材膜的表面形状测定的数据，计算出基于JIS B0601：2001的算术平均粗糙度Ra(nm)和最大高度粗糙度Rz(nm)。将其值示于表1中。将Rz相对于Ra的比率(Rz/Ra)也示于表1中。

＜聚硅氧烷剥离层的厚度＞

通过FE-TEM观察测定实施例1、2和比较例1～3的各剥离衬垫的聚硅氧烷剥离层的厚度。具体而言，首先，将保护层设置在剥离衬垫的聚硅氧烷剥离层表面上，然后在对该剥离衬垫进行冷却的状态下，通过FIB微量采样法对剥离层进行薄片化加工，制作了截面观察用样品。在FIB微量采样法中，使用FIB装置(商品名“FB2200”，Hitachi制造)，将加速电压设定为30kV。接着，通过FE-TEM观察测定了截面观察用样品中的剥离层的厚度。在FE-TEM观察中，使用FE-TEM装置(商品名“JEM-2800”，JEOL制造)，将加速电压设定为200kV。将观察区域(3mm宽度)中的聚硅氧烷剥离层的厚度的平均值作为厚度H₁(nm)示于表1中。另外，将最大高度粗糙度Rz相对于厚度H₁的比率(Rz/H₁)和算术平均粗糙度Ra相对于厚度H₁的比率(Ra/H₁)也示于表1中。

＜剥离力＞

对于实施例1、2和比较例1～3的各带有剥离衬垫的粘合片，测定了用于从粘合片剥离第一剥离衬垫的剥离力。

在试验片的制作中，首先，从带有剥离衬垫的粘合片切出样品片(宽度50mm×长度100mm)。接着，从样品片上剥离第二剥离衬垫，将由此而露出的粘合片露出面贴合在玻璃板上，由此得到了试验片。

接着，在23℃下将试验片静置60分钟，然后实施从粘合片上剥离试验片中的第一剥离衬垫的剥离试验，测定剥离所需要的力并将其作为剥离力。在本测定中，使用牵拉试验机(商品名“Autograph AG-50NX plus”，岛津制作所制造)，将测定温度设定为23℃，将剥离角度设定为180°，将牵拉速度设定为300mm/分钟。将测定的剥离力(N/50mm)示于表1中。

[评价]

实施例1、2的剥离衬垫的聚硅氧烷剥离层和比较例1～3的剥离衬垫的聚硅氧烷剥离层彼此的组成和厚度相同。但是，在实施例1、2的剥离衬垫中，与比较例1～3的剥离衬垫相比，对粘合片实现了更轻的剥离性。具体而言，如下所述。

在比较例1～3的各剥离衬垫中，基材膜的上述最大高度粗糙度Rz相对于厚度为100nm以下的聚硅氧烷剥离层的厚度H₁的比率(Rz/H₁)大于1。另外，在比较例1～3的各剥离衬垫中，基材膜的上述算术平均粗糙度Ra相对于厚度H₁的比率(Ra/H₁)大于0.1。这样的比较例1～3的剥离衬垫的从上述粘合片上剥离的剥离力高达0.44N/50mm以上。与此相对，在实施例1、2的各剥离衬垫中，基材膜的上述最大高度粗糙度Rz相对于厚度为100nm以下的聚硅氧烷剥离层的厚度H₁的比率(Rz/H₁)为1以下。另外，在实施例1、2的各剥离衬垫中，基材膜的上述算术平均粗糙度Ra相对于厚度H₁的比率(Ra/H₁)为0.1以下。这样的实施例1、2的剥离衬垫的从上述粘合片上剥离的剥离力低至0.31N/50mm以下。

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Claims (5)

1.一种剥离衬垫，其中，所述剥离衬垫具有：

基材膜，所述基材膜具有第一面和与该第一面相反的一侧的第二面；和

聚硅氧烷剥离层，所述聚硅氧烷剥离层配置在所述基材膜的所述第一面上，

所述聚硅氧烷剥离层具有100nm以下的厚度，

所述第一面的最大高度粗糙度Rz相对于所述聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为1以下。

2.如权利要求1所述的剥离衬垫，其中，所述第一面的算术平均粗糙度Ra相对于所述聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为0.1以下。

3.一种剥离衬垫，所述剥离衬垫具有：

基材膜，所述基材膜具有第一面和与该第一面相反的一侧的第二面；和

聚硅氧烷剥离层，所述聚硅氧烷剥离层配置在所述基材膜的所述第一面上，

所述聚硅氧烷剥离层具有100nm以下的厚度，

所述第一面的算术平均粗糙度Ra相对于所述聚硅氧烷剥离层的厚度的比率为0.1以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的剥离衬垫，其中，所述基材膜为无填料膜。

5.如权利要求1～3中任一项所述的剥离衬垫，其中，所述基材膜为环烯烃聚合物膜。