CN117941071A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置包括：基板；第一绝缘层，配置在基板之上；第一组装配线和第二组装配线，配置在基板之上；第二绝缘层，配置在第一组装配线和第二组装配线之上，具有第一孔和朝第一孔的侧方向延伸的至少一个以上的第二孔；半导体发光器件，配置在第一孔；以及连接电极，配置在第二孔。

Description

显示装置
技术领域
实施例涉及显示装置。
背景技术
显示装置将自发光器件诸如发光二极管(Light Emitting Diode)用作像素的光源来显示高画质的图像。发光二极管在恶劣的环境下也表现出优异的耐久性，并且能够实现长寿命和高亮度，从而作为新一代显示装置的光源备受瞩目。
最近，正在进行利用高可靠性的无机结晶结构的材料来制造超小型的发光二极管，并将其配置到显示装置的面板(以下，称为“显示面板”)来用作新一代光源的研究。
这样的显示装置已超越平板显示器，扩展到了如柔性显示器、可折叠(folderable)显示器、可拉伸(strechable)显示器、可收卷(rollable)显示器等多样的形态。
为了实现高分辨率，像素的尺寸逐渐减小，由于发光器件需要与如上所述尺寸变小的众多像素对齐，因此正在积极进行制造微米或纳米级程度的超小型发光二极管的研究。
通常，显示装置包含数千万个以上的像素。因此，很难在尺寸较小的数千万个以上的像素中的每一个像素对齐至少一个以上的发光器件，从而最近正在积极进行在显示面板对齐复数个发光器件的方案的各种研究。
随着发光器件的尺寸变小，将这些发光器件迅速且准确地转移到基板之上成为了非常重要的解决课题。最近正在开发的转移技术有拾取和放置工艺(pick and placeprocess)、激光剥离法(Laser Lift-off method)或自组装方式(self-assembly method)等。尤其，利用磁性体(或磁铁)来将发光器件转移到基板之上的自组装方式最近备受瞩目。
在自组装方式中，在容纳有流体的水槽内投入众多发光器件，并且通过使投入到流体中的发光器件随着磁性体的移动而移动到基板的像素，来使发光器件与各个像素对齐。因此，自组装方式可以将众多发光器件迅速且准确地转移到基板之上，从而作为新一代转移方式备受瞩目。
图1是示出现有的显示装置的一示例图。
如图1所示，在基板1上配置有第一组装配线2、第二组装配线3以及电极配线4。在这种情况下，在利用第一组装配线2和第二组装配线3将发光器件8组装到分隔壁6的组装孔7之后，电极配线4与发光器件8的下侧电连接。
最近，第一组装配线2和第二组装配线3之间的间隔正在减小，以实现越来越要求的高分辨率显示。因此，在第一组装配线2和第二组装配线3之间没有配置电极配线4的空间余量，从而不能再配置电极配线4。
为了解决这样的问题，正在尝试在发光器件8的侧部进行电连接的研究。
图2是示出现有的显示装置的另一示例图。
如图2所示，在基板1上配置有第一组装配线2和第二组装配线3，利用第一组装配线2和第二组装配线3来将发光器件8组装到分隔壁6的组装孔7。
然后，在分隔壁6上沉积金属膜9，并通过蚀刻该金属膜9来在发光器件8的侧部上电连接。
然而，如图2所示，由于发光器件8的外侧面和组装孔7的内侧面之间的间隔过窄，因此沉积到发光器件8的外侧面和组装孔7的内侧面之间的金属膜9难以稳定地沉积，从而产生电断线。这样的电断线存在导致点亮不良的问题。
为了解决这一问题，需要扩大组装孔7以扩大发光器件8的外侧面和组装孔7的内侧面之间的间隔，但这存在与高分辨率背道而驰的问题。
发明内容
发明所要解决的问题
实施例的目的在于，解决前述的问题及其它问题。
实施例的另一目的在于，提供一种能够防止点亮不良的显示装置。
另外，实施例的又一目的在于，提供一种可以通过增强附着力来提高可靠性的显示装置。
另外，实施例的又一目的在于，提供一种能够提高组装率的显示装置。
实施例的技术课题不限于本发明内容中记载的技术课题，还包括通过具体实施方式可以掌握的技术课题。
解决问题的技术方案
为了实现所述又一目的，根据实施例的一个方面，显示装置包括：基板；第一绝缘层，配置在所述基板之上；第一组装配线和第二组装配线，配置在所述基板之上；第二绝缘层，配置在所述第一组装配线和第二组装配线之上，具有第一孔和朝所述第一孔的侧方向延伸的至少一个以上的第二孔；半导体发光器件，配置在所述第一孔；以及连接电极，配置在所述第二孔。
所述第二孔可以包括：第2-1孔，配置在所述第一组装配线之上；以及第2-2孔，配置在所述第二组装配线之上。
所述连接电极可以包括：第一连接电极，配置在所述第2-1孔；以及第二连接电极，配置在所述第2-2孔。
所述连接电极可以包括第三连接电极，所述第三连接电极在所述第一孔内沿所述半导体发光器件的周缘配置。
所述第一连接电极和第二连接电极分别可以包括：第一连接区域，与所述半导体发光器件的侧部相接；第二连接区域，从所述第一连接区域延伸，并且与所述第一组装配线和第二组装配线中的一个组装配线的顶面相接；以及第三连接区域，从所述第二连接区域延伸，并且与所述第二孔的内侧面相接。
所述第二孔可以包括：两个以上的第2-1孔，配置在所述第一组装配线之上；以及两个以上的第2-2孔，配置在所述第二组装配线之上。
发明效果
如图9至图11所示，在实施例中，形成有从供半导体发光器件150组装的第一孔361朝侧方向延伸的至少一个以上的第二孔362、363，并且在该孔配置有连接电极371、372，从而连接电极371、372不会产生电断线，继而能够防止点亮不良。
参照图9至图11所示，在实施例中，连接电极371、372、373配置在第一孔361以及第二孔362、363，并且附着在半导体发光器件150的侧面、穿过第一绝缘层330的第一组装配线321和/或第二组装配线322的顶面、以及第一孔361和第二孔362、363的内侧面，使得半导体发光器件150的结合力增强，从而能够提高可靠性。
如图9至图11所示，在实施例中，由于形成第二孔362、363而去除了较厚的第二绝缘层340，因此在没有第二孔362、363的情况下，在第二孔362、363中电场的强度增强，由此介电泳力增大，从而半导体发光器件150可以被更强的介电泳力拉动，继而能够提高组装率。
如图9至图11所示，在实施例中，由于连接电极371、372、373沿着半导体发光器件150的周缘电连接，因此，即使半导体发光器件150在第一孔361中偏向一侧，也被供应均等的电压，从而在各个子像素之间确保均匀的亮度，继而能够提高画质。
如图21所示，在实施例中，通过使更多的连接电极与半导体发光器件150电连接，能够更顺畅地供应电压，从而能够提高亮度。
如图21所示，在实施例中，通过更多的连接电极，半导体发光器件150更牢固地结合于基板310，因此能够进一步提高结合力。
如图21所示，在实施例中，由于第二孔362～365彼此等间隔地形成，因此在自组装时，组装于第一孔361的半导体发光器件150可以对齐到规定位置，而不会偏向一侧。
如图22和图23所示，在实施例中，在第一组装配线321和第二组装配线322配置在彼此不同的层的情况下，半导体发光器件150的下侧与第二组装配线322直接连接，半导体发光器件150的侧部利用连接电极371、372、373来与第一组装配线321和/或第二组装配线322连接，从而能够以多样的路径供应电压，继而能够提高亮度并防止点亮不良。
实施例可适用的追加范围可以通过以下的详细说明变得更加清楚。但是，本领域技术人员可以清楚地理解实施例的思想和范围内的各种变更和修改，因此应理解为，详细的说明和特定实施例诸如优选实施例仅是示例性的。
附图说明
图1是示出现有的显示装置的一示例图。
图2是示出现有的显示装置的另一示例图。
图3示出了配置有实施例的显示装置的住宅的客厅。
图4是示意性地示出实施例的显示装置的框图。
图5是示出图4的像素的一例的电路图。
图6是图3的显示装置中第一面板区域的放大图。
图7是图6的A2区域的放大图。
图8是示出实施例的发光器件通过自组装方式组装到基板的例子的图。
图9是示出第一实施例的显示装置的俯视图。
图10是沿图9的A-B线剖开示出的剖视图。
图11是沿图9的C-D线剖开示出的剖视图。
图12是示出实施例的半导体发光器件的剖视图。
图13至图20是用于说明制造实施例的显示装置的方法的图。
图21是示出第二实施例的显示装置的俯视图。
图22是示出第三实施例的显示装置的俯视图。
图23是示出第四实施例的显示装置的俯视图。
图中所示的复数个构成要素的尺寸、形状、数值等可以与实际情况不同。另外，即使相同的构成要素在各个图中以彼此不同的尺寸、形状、数值等示出，但这只是图中的一个示例，相同的构成要素可以在各个图中具有彼此相同的尺寸、形状、数值等。
具体实施方式
以下，参照附图对本说明书中公开的实施例进行详细说明，并且与图号无关地，对相同或类似的构成要素赋予相同的附图标记，并省略对其重复说明。以下描述中使用的构成要素的后缀“模块”和“部”出于考虑说明书的容易撰写而赋予或混用，它们本身并不具有彼此区分的含义或作用。并且，附图是用于使本说明书中公开的实施例容易理解，本说明书中公开的技术思想并不受附图限制。并且，当提及层、区域或基板等要素存在于另一构成要素“上”时，应理解为其可以直接存在于另一要素上，或者它们之间还可以存在其它中间要素。
在本说明书中说明的显示装置可以包括TV、招牌(signage)、手机、智能手机(smart phone)、汽车用HUD(head-Up Display，抬头显示器)、笔记本电脑(laptopcomputer)用背光单元、VR或AR用显示器等。但是，本说明书中记载的实施例的构成也可以适用于日后开发的新产品形式的可显示的装置。
以下，对实施例的发光器件及包括该发光器件的显示装置进行说明。
图3示出了配置有实施例的显示装置的住宅的客厅。
参照图3，实施例的显示装置100可以显示洗衣机101、扫地机器人102、空气净化器103等各种电子产品的状态，可以基于IOT来与各个电子产品进行通信，也可以基于用户的设定数据来控制各个电子产品。
实施例的显示装置100可以包括在薄且柔软的基板之上制造的柔性显示器(flexibledisplay)。柔性显示器保持现有的平板显示器的特性，并且可以像纸一样弯曲或卷曲。
在柔性显示器中，可以通过独立地控制以矩阵形式配置的单位像素(unit pixel)的发光来实现视觉信息。单位像素是指用于实现一种颜色的最小单位。柔性显示器的单位像素可以由发光器件来实现。在实施例中，发光器件可以是Micro-LED(微米级发光二极管)或Nano-LED(纳米级发光二极管)，但不限于此。
图4是示意性地示出实施例的显示装置的框图，图5是示出图4的像素的一例的电路图。
参照图4和图5，实施例的显示装置可以包括显示面板10、驱动电路20、扫描驱动部30以及电源供应电路50。
实施例的显示装置100可以以有源矩阵(AM，Active Matrix)方式或无源矩阵(PM，Passive Matrix)方式驱动发光器件。
驱动电路20可以包括数据驱动部21和定时控制部22。
显示面板10可以形成为矩形，但不限于此。即，显示面板10可以形成为圆形或椭圆形。显示面板10的至少一侧可以形成为以规定的曲率弯曲。
显示面板10可以划分为显示区域DA和配置于显示区域DA的周边的非显示区域NDA。显示区域DA是形成有复数个像素PX以显示图像的区域。显示面板10可以包括复数个数据线D1～Dm(m是2以上的整数)、与复数个数据线D1～Dm交叉的复数个扫描线S1～Sn(n是2以上的整数)、被供应高电位电压的高电位电压线、被供应低电位电压的低电位电压线以及与复数个数据线D1～Dm和复数个扫描线S1～Sn连接的复数个像素PX。
复数个像素PX中的每一个像素可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发出第一主波长的第一颜色光，第二子像素PX2可以发出第二主波长的第二颜色光，第三子像素PX3可以发出第三主波长的第三颜色光。第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，第三颜色光可以是蓝色光，但不限于此。另外，图4例示出复数个像素PX中的每一个像素包括三个子像素，但不限于此。即，复数个像素PX中的每一个像素可以包括四个以上的子像素。
第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每一个子像素可以连接到复数个数据线D1～Dm中的至少一个线、复数个扫描线S1～Sn中的至少一个线以及高电位电压线。如图5所示，第一子像素PX1可以包括复数个发光器件LD、用于向复数个发光器件LD供应电流的复数个晶体管以及至少一个电容Cst。
虽未图示，但第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每一个子像素也可以仅包括一个发光器件LD和至少一个电容Cst。
复数个发光器件LD中的每一个发光器件可以是包括第一电极、复数个导电型半导体层以及第二电极的半导体发光二极管。在此，第一电极可以是阳极电极，第二电极可以是阴极电极，但不限于此。
发光器件LD可以是水平型发光器件、倒装芯片型发光器件以及垂直型发光器件中的一种。
如图5所示，复数个晶体管可以包括：驱动晶体管DT，向复数个发光器件LD供应电流；以及扫描晶体管ST，向驱动晶体管DT的栅电极供应数据电压。驱动晶体管DT可以包括：栅电极，与扫描晶体管ST的源电极连接；源电极，与被施加高电位电压的高电位电压线连接；以及漏电极，与复数个发光器件LD的复数个第一电极连接。扫描晶体管ST可以包括：栅电极，与扫描线Sk(k是满足1≤k≤n的整数)连接；源电极，与驱动晶体管DT的栅电极连接；以及漏电极，与数据线Dj(j是满足1≤j≤m的整数)连接。
电容Cst形成在驱动晶体管DT的栅电极和源电极之间。存储电容Cst充电驱动晶体管DT的栅极电压和源极电压的差值。
驱动晶体管DT和扫描晶体管ST可以由薄膜晶体管(thin film transistor)形成。另外，在图5中，以驱动晶体管DT和扫描晶体管ST由P类型MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)形成为中心进行了说明，但本发明不限于此。驱动晶体管DT和扫描晶体管ST也可以由N类型MOSFET形成。在此情况下，驱动晶体管DT和扫描晶体管ST各自的源电极和漏电极的位置可以变更。
另外，在图5中，例示出第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每一个子像素包括具有一个驱动晶体管DT、一个扫描晶体管ST以及一个电容Cst的2T1C(2Transistor-1capacitor，两个晶体管-一个电容器)，但本发明不限于此。第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3中的每一个子像素可以包括复数个扫描晶体管ST和复数个电容Cst。
第二子像素PX2和第三子像素PX3也可以由与第一子像素PX1实质上相同的电路图来表示，因此省略对其详细说明。
驱动电路20输出用于驱动显示面板10的复数个信号和复数个电压。为此，驱动电路20可以包括数据驱动部21和定时控制部22。
数据驱动部21从定时控制部22接收数字视频数据DATA和源控制信号DCS。数据驱动部21根据源控制信号DCS，将数字视频数据DATA转换成复数个模拟数据电压并供应给显示面板10的复数个数据线D1～Dm。
定时控制部22从主机系统接收数字视频数据DATA和复数个定时信号。复数个定时信号可以包括垂直同步信号(vertical sync signal)、水平同步信号(horizontal syncsignal)、数据使能信号(data enable signal)以及点时钟(dot clock)。主机系统可以是智能手机或平板计算机(Tablet PC)的应用处理器、显示器或TV的片上系统等。
定时控制部22生成用于控制数据驱动部21和扫描驱动部30的动作定时的控制信号。复数个控制信号可以包括：源控制信号DCS，用于控制数据驱动部21的动作定时；以及扫描控制信号SCS，用于控制扫描驱动部30的动作定时。
驱动电路20可以配置在设置于显示面板10的一侧的非显示区域NDA。驱动电路20由集成电路(integrated circuit，IC)形成，可以以COG(chip on glass，玻璃上芯片)方式、COP(chip on plastic，塑料上芯片)方式或超声波接合方式安装在显示面板10上，但本发明不限于此。例如，驱动电路20可以安装在电路板(未图示)上，而不是显示面板10。
数据驱动部21可以以COG(chip on glass，玻璃上芯片)方式、COP(chip onplastic，塑料上芯片)方式或超声波接合方式安装在显示面板10上，定时控制部22可以安装在电路板上。
扫描驱动部30从定时控制部22接收扫描控制信号SCS。扫描驱动部30根据扫描控制信号SCS生成复数个扫描信号并供应到显示面板10的复数个扫描线S1～Sn。扫描驱动部30包括复数个晶体管，可以形成在显示面板10的非显示区域NDA。或者，扫描驱动部30可以由集成电路形成，在此情况下，可以安装在附着于显示面板10的另一侧的栅极柔性膜上。
电路板可以利用各向异性导电膜(anisotropic conductive film)来附着在设置于显示面板10的一侧边缘的复数个焊盘上。因此，电路板的复数个引线可以与复数个焊盘电连接。电路板可以是柔性印刷电路板(flexible printed circuit board)、印刷电路板(printed circuit board)或诸如覆晶薄膜(chip on film)的柔性膜(flexible film)。电路板可以向显示面板10的下部弯曲(bending)。因此，电路板的一侧可以附着于显示面板10的一侧边缘，而另一侧可以配置于显示面板10的下部并可以与安装有主机系统的系统板连接。
电源供应电路50可以由从系统板施加的主电源生成显示面板10的驱动所需的复数个电压并供应给显示面板10。例如，电源供应电路50可以从主电源生成用于驱动显示面板10的复数个发光器件LD的高电位电压VDD和低电位电压VSS，并供应到显示面板10的高电位电压线和低电位电压线。另外，电源供应电路50可以从主电源生成并供应用于驱动驱动电路20和扫描驱动部30的驱动电压。
图6是图3的显示装置中第一面板区域的放大图。
参照图6，在实施例的显示装置100中，可以通过平铺来机械、电连接而制造复数个面板区域诸如第一面板区域A1。
第一面板区域A1可以包括按单位像素(图4的PX)配置的复数个发光器件150。
例如，单位像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2以及第三子像素PX3。例如，复数个红色发光器件150R可以配置于第一子像素PX1，复数个绿色发光器件150G可以配置于第二子像素PX2，复数个蓝色发光器件150B可以配置于第三子像素PX3。单位像素PX还可以包括未配置发光器件的第四子像素，但不限于此。
图7是图6的A2区域的放大图。
参照图7，实施例的显示装置100可以包括基板200、组装配线201、202、绝缘层206以及复数个发光器件150。可以包括更多的构成要素。
组装配线可以包括彼此隔开的第一组装配线201和第二组装配线202。第一组装配线201和第二组装配线202可以配置为生成介电泳力以组装发光器件150。例如，发光器件150可以是水平型发光器件、倒装芯片型发光器件以及垂直型发光器件中的一种。
为了实现各个单位像素(sub-pixel)，发光器件150可以包括红色发光器件150、绿色发光器件150G以及蓝色发光器件150B0，但不限于此，也可以设置红色荧光体和绿色荧光体等来分别实现红色和绿色。
基板200可以是支撑配置于该基板200上的复数个构成要素的支撑构件，或者可以是保护复数个构成要素的保护构件。
基板200可以是刚性(rigid)基板或柔性(flexible)基板。基板200可以由玻璃或聚酰亚胺(Polyimide)形成。另外，基板200可以包括PEN(Polyethylene Naphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(Polyethylene Terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)等具有柔韧性的材质。另外，基板200可以是透明的材质，但不限于此。
绝缘层206可以包括具有绝缘性和柔韧性的材质，例如聚酰亚胺、PEN、PET等，其也可以与基板200一体形成而形成单个基板。
绝缘层206可以是具有粘合性和导电性的导电性粘合层，导电性粘合层具有柔性，从而能够实现显示装置的柔性功能。例如，绝缘层206可以是各向异性导电性膜(ACF，anisotropy conductive film)或各向异性导电介质、含有导电性粒子的溶液(solution)等的导电性粘合层。导电性粘合层可以是在厚度的垂直方向上具有导电性，而在厚度的水平方向上具有电绝缘性的层。
绝缘层206可以包括用于插入发光器件150的组装孔203。因此，在自组装时，发光器件150可以容易地插入到绝缘层206的组装孔203。组装孔203可以被称为插入孔、固定孔、对齐孔等。
图8是示出实施例的发光器件通过自组装方式组装到基板的例子的图。
参照图7和图8，说明发光器件的自组装方式。
基板200可以是显示装置的面板基板。在以下的说明中，以基板200为显示装置的面板基板的情况进行说明，但实施例不限于此。
基板200可以由玻璃或聚酰亚胺(Polyimide)形成。另外，基板200可以包括PEN(Polyethylene Naphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(Polyethylene Terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)等具有柔韧性的材质。另外，基板200可以是透明的材质，但不限于此。
参照图8，发光器件150可以投入到填充有流体1200的腔室1300。流体1200可以是水，例如超纯水等，但不限于此。腔室可以被称为水槽、盛器、容器等。
接着，基板200可以配置在腔室1300之上。根据实施例，基板200也可以投入到腔室1300内。
如图7所示，在基板200可以配置有与要组装的发光器件150中的每一个发光器件对应的一对组装配线201、202。
组装配线201、202可以由透明电极(ITO)形成，或者可以包括导电性优异的金属物质。例如，组装配线201、202可以由钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)、钼(Mo)中的至少任一种或它们的合金形成。
组装配线201、202可以通过从外部供应的电压来形成电场，并且通过该电场可以在组装配线201、202之间形成介电泳力。可以通过该介电泳力来将发光器件150固定在基板200上的组装孔203。
组装配线201、202之间的间隔可以形成为小于发光器件150的宽度和组装孔203的宽度，从而可以更精确地固定利用电场的发光器件150的组装位置。
在组装配线201、202上可以形成有绝缘层206，可以保护组装配线201、202免受流体1200的影响，并且能够防止流过组装配线201、202的电流泄漏。绝缘层206可以由二氧化硅、氧化铝等无机物绝缘体或有机物绝缘体以单层或多层形成。
另外，绝缘层206可以包括具有绝缘性和柔韧性的材质，例如聚酰亚胺、PEN、PET等，也可以与基板200一体形成而形成单个基板。
绝缘层206可以是具有粘合性的绝缘层或具有导电性的导电性粘合层。绝缘层206具有柔性，从而能够实现显示装置的柔性功能。
绝缘层206具有分隔壁，可以通过该分隔壁来形成组装孔203。例如，通过在形成基板200时去除绝缘层206的一部分，可以使复数个发光器件150中的每一个发光器件组装于绝缘层206的组装孔203。
在基板200形成有供复数个发光器件150结合的组装孔203，形成有组装孔203的面可以与流体1200接触。组装孔203可以引导发光器件150的准确的组装位置。
另一方面，组装孔203可以具有与组装到对应位置的发光器件150的形状对应的形状和大小。由此，可以防止其它发光器件或复数个发光器件组装到组装孔203。
再次参照图8，在配置基板200之后，包括磁性体的组装装置1100可以沿基板200移动。作为磁性体，例如，可以使用磁铁或电磁铁。为了使影响磁场的区域在流体1200内最大化，组装装置1100可以以与基板200接触的状态移动。根据实施例，组装装置1100可以包括复数个磁性体，或者也可以包括与基板200对应的大小的磁性体。在这种情况下，组装装置1100的移动距离也可以被限制在规定范围以内。
腔室1300内的发光器件150可以利用由组装装置1100产生的磁场朝组装装置1100移动。
在朝组装装置1100移动的过程中，发光器件150可以进入到组装孔203并与基板200接触。
此时，通过由形成于基板200的组装配线201、202施加的电场，能够防止与基板200接触的发光器件150因组装装置1100的移动而脱离。
即，通过上述的利用电磁场的自组装方式，可以大幅缩短复数个发光器件150中的每一个发光器件组装到基板200所需的时间，因此能够更迅速且经济地实现大面积高像素显示器。
在基板200的组装孔203上组装的发光器件150和基板200之间还形成有规定的焊料层(未图示)，从而能够提高发光器件150的结合力。
之后，发光器件150与电极配线(未图示)连接，可以被施加电源。
接着，虽未图示，但通过后续工序，可以形成至少一个以上的绝缘层。至少一个以上的绝缘层可以是透明树脂或包含反射物质、散射物质的树脂。
另一方面，在实施例中，通过将连接电极配置在从组装有半导体发光器件的第一孔延伸的至少一个以上的第二孔，能够防止在连接电极上发生电气断线，从而能够防止点亮不良。
以下，说明能够获得上述技术效果的各种实施例。
[第一实施例]
图9是示出第一实施例的显示装置的俯视图。图10是沿图9的A-B线剖开示出的剖视图。图11是沿图9的C-D线剖开示出的剖视图。
参照图9至图11，第一实施例的显示装置300可以包括基板310、第一绝缘层330、第一组装配线321、第二组装配线322、第二绝缘层340、半导体发光器件150以及连接电极371、372、373。
基板310可以是支撑配置于该基板310上的复数个构成要素的支撑构件，或者可以是保护复数个构成要素的保护构件。
第一组装配线321和第二组装配线322可以配置在基板310之上。例如，第一组装配线321和第二组装配线322可以配置在同一层之上。例如，第一组装配线321和第二组装配线322可以与基板310的顶面相接，但不限于此。例如，第一组装配线321和第二组装配线322可以配置在同一层。例如，第一组装配线321和第二组装配线322可以彼此并排配置。第一组装配线321和第二组装配线322可以在自组装方式中起到将半导体发光器件150组装到第一孔361的作用。即，在自组装时，通过供应到第一组装配线321和第二组装配线322的电压，在第一组装配线321和第二组装配线322之间生成电场，通过由该电场形成的介电泳力可以将由组装装置(图10中的1100)移动的半导体发光器件150组装于第一孔361。
第一绝缘层330可以配置在基板310之上。例如，第一绝缘层330可以由无机物质或有机物质构成。例如，第一绝缘层330可以由具有与介电泳力相关的介电常数的物质构成。
第二绝缘层340可以配置在第一组装配线321和第二组装配线322之上。第二绝缘层340可以具有用于组装半导体发光器件150的第一孔361。例如，第二绝缘层340可以在第一孔361内露出。例如，第一孔361的底部面可以是第二绝缘层340的顶面。
第二绝缘层340的厚度可以考虑半导体发光器件150的厚度来确定。例如，第二绝缘层340的厚度可以小于半导体发光器件150的厚度。因此，半导体发光器件150的上侧可以位于比第二绝缘层340的顶面更高的位置。即，半导体发光器件150的上侧可以从第二绝缘层340的顶面朝上部方向凸出。
可以考虑用于形成第一孔361的公差余量和用于使半导体发光器件150容易地组装到第一孔361内的余量等来确定第一孔361的大小。例如，第一孔361的大小可以大于半导体发光器件150的大小。例如，在半导体发光器件150组装于第一孔361的中心时，半导体发光器件150的外侧面和第一孔361的内侧面之间的距离可以是2μm以下，但不限于此。
例如，第一孔361可以具有与半导体发光器件150的形状对应的形状。例如，在半导体发光器件150为圆形的情况下，第一孔361也可以是圆形。例如，在半导体发光器件150为矩形的情况下，第一孔361也可以是矩形。
第二绝缘层340可以具有朝第一孔361的侧方向延伸的至少一个以上的第二孔362、363。
例如，第二孔可以包括形成在第一组装配线321上的第2-1孔362和形成在第二组装配线322上的第2-2孔363。例如，第2-1孔362和第2-2孔363可以沿Y方向配置。例如，第2-1孔362可以从第一孔361沿-Y方向延伸形成，第2-2孔363可以从第一孔361沿+Y方向延伸形成。
另一方面，第二孔362、363可以具有充分的空间，以使用于形成连接电极371、372、373的金属膜不间断地连续衔接沉积。例如，第二孔362、363的宽度W11和长度L11可以相同，但不限于此。例如，宽度W11可以是2μm至4μm。例如，长度L11可以是2μm至4μm。在宽度W11或长度L11小于2μm的情况下，第二孔362、363的空间狭窄，从而金属膜可能断开。在宽度W11或长度L11超过4μm的情况下，空间较大，从而在自组装时，又一半导体发光器件可能附着在第二孔362、363而发生组装不良，导致半导体发光器件的浪费，使得制造单价上升。
例如，第二孔362、363的宽度W11或长度L11可以小于第一组装配线321和第二组装配线322之间的间隔。例如，第二孔362、363的宽度W11或长度L11可以是半导体发光器件150的直径的1/2以下。在第二孔362、363的宽度W11或长度L11超过半导体发光器件150的直径的1/2的情况下，第二孔362、363的空间较大，又一半导体发光器件可能附着在第二孔362、363而发生组装不良，导致半导体发光器件的浪费，使得制造单价上升。
例如，第二孔362、363的宽度W11或长度L11可以大于半导体发光器件150的外侧面和第一孔361的内侧面之间的间隔L。由于第二孔362、363的宽度W11或长度L11大于半导体发光器件150的外侧面和第一孔361的内侧面之间的间隔L，因此在金属膜沉积于第二孔362、363而形成连接电极371、372、373的情况下，在连接电极371、372、373不会形成电断线，从而能够防止点亮不良。
根据实施例，由于形成第二孔362、363而去除了较厚的第二绝缘层340，因此在没有第二孔362、363的情况下，在第二孔362、363中电场的强度增强，由此介电泳力增大，从而半导体发光器件150可以被更强的介电泳力拉动，继而能够提高组装率。
另一方面，半导体发光器件150可以配置在第一孔361。
半导体发光器件150可以包括生成红色光的红色半导体发光器件、生成绿色光的绿色半导体发光器件以及生成蓝色光的蓝色半导体发光器件。
例如，在自组装时，分散在同一个腔室(图8的1300)中的红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件通过同一个组装装置1100同时移动，并可以组装于对应的子像素(图4的PX1、PX2、PX3)中的每一个子像素的第一孔361。在子像素(图4的PX1、PX2、PX3)中的每一个子像素的第一孔361的大小相同的情况下，红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件可能会组装到其它第一孔361中，而不是组装到自身要组装的第一孔361中。为了解决这样的问题，可以使红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件各自具有不同的形状，并且使第一孔361形成为与红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件各自不同的形状对应。因此，具有彼此不同的形状的红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件分别组装到与自身的形状对应的第一孔361，从而能够防止组装不良。
例如，红色半导体发光器件的形状可以是圆形，绿色半导体发光器件的形状可以是具有第一短轴和第一长轴的第一椭圆形，蓝色半导体发光器件的形状可以是具有比第一短轴短的第二短轴和比第一长轴长的第二长轴的第二椭圆形。
半导体发光器件150可以配置在第一孔361内并生成颜色光。如上所述，半导体发光器件150可以包括红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件以及蓝色半导体发光器件。例如，红色半导体发光器件可以配置在第一子像素(图4的PX1)，绿色半导体发光器件可以配置在第二子像素PX2，蓝色半导体发光器件可以配置在第三子像素PX3。因此，可以通过从第一子像素PX1发出的红色光、从第二子像素PX2发出的绿色光以及从第三子像素PX3发出的蓝色光来显示彩色图像。
实施例的半导体发光器件150可以是垂直型半导体发光器件，但不限于此。在这样的情况下，在半导体发光器件150组装到第一孔361之后，半导体发光器件150的第一电极154可以与下部电极配线电连接，半导体发光器件150的第二电极155可以与电极配线360电连接。在此，下部电极配线可以是第二组装配线322，但不限于此。如果在半导体发光器件150组装到第一孔361后进行热压，则可以通过热来使半导体发光器件150的第一电极154的粘结层熔化，并且可以通过按压来使半导体发光器件150更牢固地紧贴于基板310。半导体发光器件150可以以所述熔化的粘结层为媒介附着于基板310。
图12是示出实施例的半导体发光器件的剖视图。
参照图12，实施例的半导体发光器件150可以包括发光部151、152、153、第一电极154、第二电极155以及钝化层157。第一实施例的半导体发光器件150也可以包括更多的构成要素。
发光部151、152、153包括第一导电型半导体层151、活性层152以及第二导电型半导体层153，但也可以包括更多的构成要素。
第一导电型半导体层151、活性层152以及第二导电型半导体层153可以利用沉积设备例如MOCVD来在晶片(未图示)上依次生长。之后，可以通过蚀刻工序来以第二导电型半导体层153、活性层152以及第一导电型半导体层151的顺序沿垂直方向蚀刻。之后，可以通过沿着第一导电型半导体层151的侧面的一部分以外的其余区域，即第一导电型半导体层151的侧面的另一部分、活性层152的侧面以及第二导电型半导体层153的侧面周缘形成钝化层157来制造半导体发光器件150。
第一导电型半导体层151可以包括第一导电型掺杂剂，第二导电型半导体层153可以包括第二导电型掺杂剂。例如，第一导电型掺杂剂可以是n型掺杂剂，例如硅(Si)，第二导电型掺杂剂可以是p型掺杂剂，例如硼(B)。
例如，第一导电型半导体层151可以生成电子，第二导电型半导体层153可以形成空穴(hole)。活性层152生成光，可以将其称作发光层。
在实施例的半导体发光器件150以台面蚀刻(mesa etching)方式形成的情况下，半导体发光器件150的直径可以随着从上侧靠近下侧而逐渐变大。
第一电极154可以配置在第一导电型半导体层151的下侧。第一电极154可以包括至少一个以上的层。例如，第一电极154可以包括：粘结层，用于将半导体发光器件150粘结于基板310；以及接合层，用于将粘结层接合于发光部151、152、153的下侧，例如第一导电型半导体层151。例如，粘结层可以由铟(In)、锡(Sn)等构成。例如，接合层154_2可以由钛(Ti)、铬(Cr)等构成。
第二电极155可以配置在第二导电型半导体层153之上。第二电极155可以包括至少一个以上的层。第二电极155可以包括透明导电层和磁性层。透明导电层可以由透明的导电性物质，例如ITO构成。透明导电层可以获得电流扩散效应，使得由从电极配线360供应的电压产生的电流均匀扩散到第二导电型半导体层153的整个区域。即，通过透明导电层，电流均匀地扩散到第二导电型半导体层153的整个区域，从而在第二导电型半导体层153的整个区域生成空穴，因此通过增加空穴生成量，使得在活性层152中通过空穴和电子的重组来生成的光量增加，能够提高光效率。光效率的增加可以提高亮度。
磁性层可以包括镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)等。磁性层可以包括SmCo(钐钴)、Gd(钆)系、La(镧)系、Mn(锰)系金属。在自组装时，磁性层由设置于组装装置(图1100)的磁性体磁化，起到使半导体发光器件150与磁性体形成引力的作用。因此，半导体发光器件150可以随着磁性体的移动而相同地移动。
为了不阻碍半导体发光器件150的光的行进，磁性层可以形成为纳米(nm)级的非常薄的厚度而透光。
在磁性组装时，通过使半导体发光器件150随着磁性体的移动而更快且迅速地移动，能够缩短工序时间并提高组装产量。
钝化层157可以保护发光部151、152、153。例如，钝化层157可以包围发光部151、152、153。例如，钝化层157可以包围第二电极155。例如，钝化层157可以沿发光部151、152、153的侧部周缘配置，并且可以配置在第二电极155之上。
在自组装时，钝化层157可以使半导体发光器件150不翻转，并且可以使半导体发光器件150的下侧、即第一导电型半导体层151的底面与第一绝缘层330的顶面面对。即，在自组装时，半导体发光器件150的钝化层157可以位于与第一组装配线321和第二组装配线322远离的位置。由于在半导体发光器件150的下侧没有配置钝化层157，因此半导体发光器件150的下侧可以位于与第一组装配线321和第二组装配线322接近的位置。因此，在自组装时，半导体发光器件150的下侧配置为与第一绝缘层330面对，半导体发光器件150的上侧配置为朝上部方向，从而能够防止半导体发光器件150翻转组装的错误对齐。
另一方面，钝化层157配置在发光部151、152、153的侧部一部分、即第一侧部158a的周缘，而不会配置在发光部151、152、153的侧部的另一部分、即第二侧部158b的周缘。例如，发光部151、152、153的第一侧部158a可以是第一导电型半导体层151的侧部一部分、活性层152的侧部以及第二导电型半导体层153的侧部，发光部151、152、153的第二侧部158b可以是第一导电型半导体层151的侧部的另一部分。
例如，由于在发光部151、152、153的第二侧部158b没有配置钝化层157，因此可以露出到外部。配置在发光部151、152、153的下方的第一电极154的侧部也可以露出到外部。实施例的连接电极371、372、373可以与发光部151、152、153的第二侧部158b和/或第一电极154的侧部电连接。
连接电极371、372可以配置在第二绝缘层340的第二孔362、363。连接电极371、372可以在第二绝缘层340的第二孔362、363与半导体发光器件150的侧部电连接。例如，连接电极371、372的第一侧可以穿过第一绝缘层330来与第一组装配线321和/或第二组装配线322电连接，连接电极371、372的第二侧可以与半导体发光器件150的侧部电连接。
另外，连接电极373可以配置在第二绝缘层340的第一孔361。连接电极373可以在第二绝缘层340的第一孔361与半导体发光器件150的侧部电连接。例如，连接电极373的第一侧可以穿过第一绝缘层330来与第一组装配线321和/或第二组装配线322电连接，连接电极373的第二侧可以与半导体发光器件150的侧部电连接。
例如，连接电极371、372、373可以由导电性优异的至少一个以上的层构成。例如，连接电极371、372、373可以包括包含钼(Mo)的第一层、包含铝(Al)的第二层以及包含钼(Mo)的第三层。
例如，连接电极371、372、373可以具有300nm至800nm的厚度。在连接电极371、372、373小于300nm的情况下，可能产生沉积时不会均匀地沉积而断开的现象。在连接电极371、372、373超过800nm的情况下，用于形成相应厚度的沉积时间可能过长。
在现有技术中，由于第一孔361的内侧面和半导体发光器件150外侧面之间的间隔L非常窄，并且用于形成连接电极373的金属膜沉积在具有这样窄的间隔L的区域之上，因此产生金属膜非连续地形成而断开的现象。即使对金属膜进行图案化而形成连接电极373，也会在相应的断开部分产生电断线而发生点亮不良。
然而，根据实施例，通过从供半导体发光器件150组装的第二绝缘层340的第一孔361朝侧方向延伸而形成第二孔362、363，并且在该第二孔362、363配置连接电极371、372，可以使连接电极371、372无断线地与半导体发光器件150的侧部电连接，从而能够防止点亮不良。
即，在从第一孔361延伸的第二孔362、363可以是不配置半导体发光器件150的空的空间。因此，在半导体发光器件150组装于第一孔361之后，金属膜沉积到第二绝缘层340和半导体发光器件150上的情况下，由于第二孔362、363的内侧面和配置于第一孔361的半导体发光器件150的外侧面之间的间隔L至少增加与第二孔362、363的延伸长度L11相应的量，因此沉积到第二孔362、363的内侧面和配置于第一孔361的半导体发光器件150的外侧面之间的区域上的金属膜可以不间断地连续地形成。因此，在对相应的金属膜进行图案化而形成连接电极371、372的情况下，连接电极371、372无电断线地电连接于半导体发光器件150的侧部，从而能够防止点亮不良。
另一方面，连接电极可以包括配置于第2-1孔362的第一连接电极371和配置于第2-2孔363的第二连接电极372。
例如，第一连接电极371可以在第2-1孔362通过第一孔361来与半导体发光器件150的第一侧部158a电连接。例如，第二连接电极372可以在第2-2孔363通过第一孔361来与半导体发光器件150的第二侧部158b电连接。
在实施例中，半导体发光器件150的侧部与两个连接电极、即第一连接电极371和第二连接电极372电连接，但是也可以仅使第一连接电极371和第二连接电极372中的一个连接电极与半导体发光器件150的侧部连接，而另一连接电极可以被省略。
第一连接电极371和第二连接电极372分别可以包括与半导体发光器件150的侧部相接的第一连接区域371_1、372_1、从第一连接区域371_1、372_1延伸并与第一组装配线321和第二组装配线322中的一个组装配线的顶面相接的第二连接区域371_2、372_2以及从第二连接区域371_2、372_2延伸并与第二孔362、363的内侧面相接的第三连接区域371_3、372_3。
第一连接区域371_1、372_1的上侧可以与半导体发光器件150的钝化层157相接，第一连接区域371_1、372_1的下侧可以与半导体发光器件150的第一导电型半导体层151的侧面和/或第一电极154的侧面相接。
第一连接区域371_1、372_1和第三连接区域371_3、372_3可以具有相同的高度，但不限于此。
另一方面，连接电极可以包括在第一孔361内沿半导体发光器件150的周缘配置的第三连接电极373。例如，第三连接电极373可以配置在第一孔361的内侧面和半导体发光器件150的外侧面之间。
例如，第一孔361的第三连接电极373的第一侧可以在第二孔362、363与第一连接电极371连接，第一孔361的第三连接电极373的第二侧可以在第二孔362、363与第二连接电极372连接。
第三连接电极373可以包括与半导体发光器件150的侧部相接的第一连接区域373_1、从第一连接区域373_1延伸并与第一组装配线321和第二组装配线322中的一个组装配线的顶面相接的第二连接区域373_2以及从第二连接区域373_2延伸并与第一孔361的内侧面相接的第三连接区域373_3。
第一连接区域373_1的上侧可以与半导体发光器件150的钝化层157相接，第一连接区域373_1的下侧可以与半导体发光器件150的第一导电型半导体层151的侧面和/或第一电极154的侧面相接。
第一连接区域373_1和第三连接区域373_3可以具有相同的高度，但不限于此。
另一方面，由于第一孔361和第二孔362、363连通，因此在沉积金属膜以形成连接电极371、372、373的情况下，沉积膜可以在第一孔361和第二孔362、363之间连续衔接形成。因此，在第二孔362、363内，第一连接电极371和/或第二连接电极372的第一连接区域371_1、372_1可以是第一孔361内的第三连接电极373的第一连接区域373_1。换言之，第一连接区域373_1可以由第一连接电极371、第二连接电极372、第三连接电极373共有。
因此，第一连接区域371_1、372_1、273_1在第一孔361沿着半导体发光器件150的周缘与半导体发光器件150的侧部相接，第二连接区域273_2可以在第二孔362、363沿着半导体发光器件150的周缘与第一组装配线321和第二组装配线322中的一个组装配线的顶面相接。另外，第一孔361的第二连接区域273_2可以在第二孔362、363朝第二连接区域271_2、272_2延伸，第二孔362、363的第三连接区域271_3、272_3可以在第二孔362、363从第二连接区域271_2、272_2延伸并与第二孔362、363的内侧面相接。另外，第一孔361的第三连接区域273_3可以从第二连接区域273_2延伸并与第一孔361的内侧面相接。
根据实施例，连接电极371、372、373配置在第一孔361以及第二孔362、363，并且附着在半导体发光器件150的侧面，穿过第一绝缘层330附着在第一组装配线321和/或第二组装配线322的顶面，以及附着在第一孔361和第二孔362、363的内侧面，使得半导体发光器件150的结合力增强，从而能够提高可靠性。
另一方面，第一连接电极371可以具有第一槽376，第二连接电极372可以具有第二槽377，第三连接电极373可以具有第三槽378。第一槽376、第二槽377、第三槽378可以因第一连接电极371、第二连接电极372、第三连接电极373分别以沉积方式形成为较薄的厚度而形成。
例如，第一槽376的宽度W1或第二槽377的宽度W2可以大于第三槽378的宽度W3。
另一方面，第一实施例的显示装置300可以包括第三绝缘层350。
第三绝缘层350可以配置在第一槽376、第二槽377、第三槽378中的每一个槽中。稍后在制造工序中说明，第二绝缘层340可以用作确定连接电极371、372、373的高度的止动件(stopper)。即，连接电极371、372、373的高度可以形成为与第三绝缘层350的高度对应。即，若提高第三绝缘层350的高度，则连接电极371、372、373的高度也可以提高。
另一方面，第一实施例的显示装置300可以包括第四绝缘层360和电极配线380。
第四绝缘层360可以配置在第二绝缘层340和第三绝缘层350之上。第四绝缘层360可以是平坦化层，以便于形成电极配线380或其它层。因此，第四绝缘层360的顶面可以具有平坦的面。
电极配线380可以配置在第四绝缘层360之上，并且可以穿过第四绝缘层360来与半导体发光器件150电连接。
例如，电极配线380可以穿过第四绝缘层360和半导体发光器件150的钝化层157来与第二电极155电连接。
可以将第一组装配线321和/或第二组装配线322称作下部电极配线，可以将电极配线380称作上部电极配线。
因此，通过由第二组装配线322和电极配线380供应的电压，半导体发光器件150可以发光。
在以上说明中遗漏的说明可以从图7和与其相关的说明容易地理解。
第一绝缘层330至第四绝缘层360可以由有机物质或无机物质构成。例如，第一绝缘层330至第四绝缘层360中的至少一个以上的绝缘层可以由有机物质构成。例如，第一绝缘层330至第四绝缘层360中的至少两个以上的绝缘层可以由相同的物质构成。
根据第一实施例，形成有从供半导体发光器件150组装的第一孔361朝侧方向延伸的至少一个以上的第二孔362、363，并且在该孔配置有连接电极371、372，从而在连接电极371、372不会产生电断线，继而能够防止点亮不良。
根据第一实施例，连接电极371、372、373配置在第一孔361以及第二孔362、363，并且附着在半导体发光器件150的侧面，穿过第一绝缘层330附着在第一组装配线321和/或第二组装配线322的顶面，以及附着在第一孔361和第二孔362、363的内侧面，使得半导体发光器件150的结合力增强，从而能够提高可靠性。
根据第一实施例，由于形成第二孔362、363而去除了较厚的第二绝缘层340，因此在没有第二孔362、363的情况下，在第二孔362、363中电场的强度增强，由此介电泳力增大，从而半导体发光器件150可以被更强的介电泳力拉动，继而能够提高组装率。
根据第一实施例，由于连接电极371、372、373沿着半导体发光器件150的周缘电连接，因此，即使半导体发光器件150在第一孔361中偏向一侧，也被供应均等的电压，从而在各个子像素之间确保均匀的亮度，继而能够提高画质。
图13至图20是用于说明制造实施例的显示装置的方法的图。
如图13所示，在配置于基板310上的第二绝缘层340可以形成有第一孔361以及从第一孔361沿侧方向延伸的第二孔362、363。第一孔361和第二孔362、363可以位于第一组装配线321之上。
如图14所示，通过执行自组装工序(图8)，可以将半导体发光器件150组装到第一孔361。
接着，通过执行蚀刻工序来去除第一孔361和第二孔362、363中露出的第一绝缘层330，从而第一组装配线321和/或第二组装配线322可以露出到外部。因此，在第一孔361和第二孔362、363中第一绝缘层330被去除，从而可以形成使第一组装配线321和/或第二组装配线322露出到外部的开口331、332。
虽然没有图示，但第一组装配线321和/或第二组装配线322也可以与所述被去除的第一绝缘层330对应地被去除。在这样的情况下，基板310的顶面的一部分可以露出到外部。
如图15所示，金属膜370可以沉积在第二绝缘层340和半导体发光器件150之上。金属膜370可以在第一孔362和第二孔363中通过开口331、332分别与第一组装配线321和/或第二组装配线322相接。
由于金属膜370形成得较薄，因此通过沉积于第一孔361和第二孔362、363的金属膜370，可以形成槽376、377。
根据实施例，可以形成有从第一孔361延伸的第二孔362、363，并且在该第二孔362、363可以形成有金属膜370。由于第二孔362、363的宽度W11或长度L11比较大，因此沉积于第二孔362、363的金属膜370可以不间断地连续衔接。
如图16所示，在金属膜370上可以形成有绝缘膜351。绝缘膜351还可以形成在由沉积于第一孔361和第二孔362、363的金属膜370形成的槽376、377。
绝缘膜351可以形成在半导体发光器件150的上侧，但不限于此。
如图17所示，通过执行灰化(ashing)工序，可以去除除了形成于槽376、377的绝缘膜351之外的其余绝缘膜351。形成于槽376、377的绝缘膜351可以成为第三绝缘层350。
如图18所示，通过执行图案化工序，可以去除金属膜370。由于第三绝缘层350起到掩模作用，因此沉积于第一孔361和第二孔362、363的金属膜370可以不被去除。因此，在第一孔361和第二孔362、363中没有被去除的金属膜370可以成为连接电极371、372、373。
通过图案化工序，可以去除第二绝缘层340、第三绝缘层350以及半导体发光器件上的金属膜370。然而，沉积于第一孔361和第二孔362、363的金属膜370在第二绝缘层和第三绝缘层350之间具有较薄的厚度，从而可以不再被去除。
如图19所示，在第二绝缘层340、第三绝缘层350以及半导体发光器件150上可以形成第四绝缘层360，并且可以去除第四绝缘层360和半导体发光器件150的钝化层157而形成接触孔365。
如图20所示，可以形成有电极配线380，其形成在第四绝缘层360之上，通过接触孔365来与半导体发光器件150的第二电极155电连接。
[第二实施例]
图21是示出第二实施例的显示装置的俯视图。
除了四个第二孔362～365之外，第二实施例与第一实施例相同。在第二实施例中，对于具有与第一实施例相同的形状、结构和/或功能的构成要素，赋予相同的附图标记并省略详细的说明。
参照图21，在第二实施例的显示装置300A中，复数个第二孔362～365可以从第一孔361沿侧方向延伸形成。
复数个第二孔可以包括第2-1孔362、第2-2孔363、第2-3孔364以及第2-4孔365。
例如，第2-1孔362和第2-2孔363可以位于第一对角线391上。例如，第2-3孔364和第2-4孔365可以位于第二对角线392上。第一对角线391和第二对角线392可以彼此交叉90度，但不限于此。因此，第2-1孔362、第2-2孔363、第2-3孔364以及第2-4孔365可以以第一孔361的中心为基准彼此隔开90度。
例如，第2-1孔362、第2-2孔363、第2-3孔364以及第2-4孔365可以以第一孔361为中心以放射状配置。
例如，第2-1孔362和第2-3孔364可以配置在第一组装配线321之上，第2-2孔363和第2-4孔365可以配置在第二组装配线322之上。
连接电极(图10和图11的371、372、373)可以配置在第一孔361和复数个第二孔362～365。例如，第一连接电极371可以配置在第一孔361，两个第二连接电极可以配置在第2-1孔362和第2-3孔364，两个连接电极可以配置在第2-2孔363和第2-4孔365。
根据第二实施例，通过使更多的连接电极与半导体发光器件150电连接，能够更顺畅地供应电压，从而能够提高亮度。
根据第二实施例，通过更多的连接电极，半导体发光器件150更牢固地结合于基板310，因此能够进一步提高结合力。
根据第二实施例，由于第二孔362～365彼此等间隔地形成，因此在自组装时，组装于第一孔361的半导体发光器件150可以对齐到规定位置，而不会偏向一侧。
[第三实施例]
图22是示出第三实施例的显示装置的俯视图。
除了第一组装配线321和第二组装配线322配置在不同的层，并且第二组装配线322和半导体发光器件150利用连接电极371、372、373来电连接之外，第三实施例与第一实施例或第二实施例相同。在第三实施例中，对于具有与第一实施例或第二实施例相同的形状、结构和/或功能的构成要素赋予相同的附图标记并省略详细的说明。
参照图22，第三实施例的显示装置300B可以包括基板310、第一绝缘层330、第一组装配线321、第二组装配线322、第二绝缘层340、半导体发光器件150、连接电极371、372、373、第三绝缘层350、第四绝缘层360以及电极配线380。
第一组装配线321和第二组装配线322可以配置在不同的层。例如，第一组装配线321可以配置在基板310和第一绝缘层330之间。例如，第二组装配线322可以配置在第一绝缘层330之上，可以通过第一孔361和第二孔362、363露出到外部。另外，第一绝缘层330的顶面一部分也可以通过第一孔361和第二孔362、363露出到外部。
在第一孔361和第二孔362、363可以配置有连接配线。配置于第二孔362、363的连接配线可以包括第一连接配线371和第二连接配线372。第一连接配线的第一侧可以与半导体发光器件150的第一侧部158a电连接，第一连接配线的第二侧可以与第一绝缘层330的顶面一部分电连接。第二连接配线的第一侧可以与半导体发光器件150的第二侧部158b电连接，第二连接配线的第二侧可以与第二组装配线322的顶面一部分电连接。
半导体发光器件150例如是垂直型半导体发光器件，在其下侧可以设置有作为第一电极154的一部分的粘结层。通过热压工序，粘结层熔化，可以使半导体发光器件150和基板310粘结。此时，以粘结层作为媒介，半导体发光器件150和第二组装配线322可以电连接。第二组装配线322不仅可以生成用于自组装的电场，而且第二组装配线322还可以供应用于使半导体发光器件150发光的电压。第二组装配线322可以是下部电极配线。
作为粘结层使用锡(Sn)或铟(In)，但是这些膜质不好，使电阻增大，从而可能导致亮度降低。另外，粘结层可能因热压而逸出到半导体发光器件150周边，而不在半导体发光器件150和基板310之间，从而可能产生半导体发光器件150和基板310之间的电连接不良。
为了解决这样的问题，在实施例中，可以利用连接电极371、372、373来使半导体发光器件150的侧部和第二组装配线322电连接。
根据第三实施例，半导体发光器件150的下侧可以与第二组装配线322直接连接，半导体发光器件150的侧部利用连接电极371、372、373来与第二组装配线322连接，从而能够提高亮度并防止点亮不良。
[第四实施例]
图23是示出第四实施例的显示装置的俯视图。
除了连接电极371、372、373与第二组装配线322以及第一组装配线321电连接之外，第四实施例与第三实施例相同。在第四实施例中，对于具有与第三实施例相同的形状、结构和/或功能的构成要素赋予相同的附图标记并省略详细的说明。
参照图23，第四实施例的显示装置300C可以包括基板310、第一绝缘层330、第一组装配线321、第二组装配线322、第二绝缘层340、半导体发光器件150、连接电极371、372、373、第三绝缘层350、第四绝缘层360以及电极配线380。
第一组装配线321和第二组装配线322可以配置在不同的层。例如，第一组装配线321可以配置在基板310和第一绝缘层330之间。例如，第二组装配线322可以配置在第一绝缘层330之上，可以通过第一孔361和第二孔362、363露出到外部。另外，第一绝缘层330的顶面一部分也可以通过第一孔361和第二孔362、363露出到外部。
在第一孔361和第二孔362、363可以配置有连接配线。配置于第二孔362、363的连接配线可以包括第一连接配线371和第二连接配线372。第一连接配线的第一侧可以与半导体发光器件150的第一侧部158a电连接，第一连接配线的第二侧可以穿过第一绝缘层330与第一组装配线321的顶面一部分电连接。第二连接配线的第一侧可以与半导体发光器件150的第二侧部158b电连接，第二连接配线的第二侧可以与第二组装配线322的顶面一部分电连接。
例如，第一组装配线321和第二组装配线322可以在自组装工序完毕后彼此电连接，相同的电压可以通过第一组装配线321和第二组装配线322供应到半导体发光器件150。第一组装配线321和第二组装配线322可以是下部电极配线。
根据第四实施例，连接电极371、372、373与第二组装配线322以及第一组装配线321电连接，从而可以从第二组装配线322以及第一组装配线321供应电压，继而能够提高亮度并防止点亮不良。
以上所述的详细说明在所有方面上不应被解释为限制性的，而是应当被理解为是示例性的。实施例的范围应由所附的权利要求的合理解释来确定，实施例的等同范围内的所有变更包括在实施例的范围。
产业上的可利用性
实施例可以应用于显示图像或信息的显示领域。
实施例可以应用于利用半导体发光器件来显示图像或信息的显示领域。半导体发光器件可以是微米级半导体发光器件或纳米级半导体发光器件。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，包括：
基板；
第一绝缘层，配置在所述基板之上；
第一组装配线和第二组装配线，配置在所述基板之上；
第二绝缘层，配置在所述第一组装配线和第二组装配线之上，具有第一孔和朝所述第一孔的侧方向延伸的至少一个以上的第二孔；
半导体发光器件，配置在所述第一孔；以及
连接电极，配置在所述第二孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二孔包括：
第2-1孔，配置在所述第一组装配线之上；以及
第2-2孔，配置在所述第二组装配线之上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述连接电极包括：
第一连接电极，配置在所述第2-1孔；以及
第二连接电极，配置在所述第2-2孔。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第2-1孔和所述第2-2孔沿一方向配置。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述连接电极包括第三连接电极，
所述第三连接电极在所述第一孔内沿所述半导体发光器件的周缘配置。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第三连接电极的第一侧与所述第一连接电极连接，
所述第三连接电极的第二侧与所述第二连接电极连接。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极具有第一槽，
所述第二连接电极具有第二槽，
所述第三连接电极具有第三槽，
所述第一槽、所述第二槽、所述第三槽包括第三绝缘层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第一槽的宽度大于所述第三槽的宽度。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第二槽的宽度大于所述第三槽的宽度。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极和第二连接电极各自包括：
第一连接区域，与所述半导体发光器件的侧部相接；
第二连接区域，从所述第一连接区域延伸，并且与所述第一组装配线和第二组装配线中的一个组装配线的顶面相接；以及
第三连接区域，从所述第二连接区域延伸，并且与所述第二孔的内侧面相接。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第三连接电极包括：
第一连接区域，与所述半导体发光器件的所述侧部相接；
第二连接区域，从所述第一连接区域延伸，并且与所述第一组装配线和第二组装配线中的一个组装配线的顶面相接；以及
第三连接区域，从所述第二连接区域延伸，并且与所述第一孔的内侧面相接。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
在所述第二孔内，所述第一连接电极和第二连接电极中每一个连接电极的第一连接区域为所述第一孔内的所述第三连接电极的第一连接区域。
13.根据权利要求7所述的显示装置，其中，包括：
第四绝缘层，配置在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层之上；以及
电极配线，穿过所述第四绝缘层与所述半导体发光器件电连接。
14.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第二孔包括：
两个以上的第2-1孔，配置在所述第一组装配线之上；以及
两个以上的第2-2孔，配置在所述第二组装配线之上。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述连接电极包括：
两个以上的第一连接电极，配置在两个以上的所述第2-1孔；以及
两个以上的第二连接电极，配置在两个以上的所述第2-2孔。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
两个以上的所述第2-1孔和两个以上的所述第2-2孔以所述第一孔为中心配置为放射状。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二孔的宽度大于所述半导体发光器件的外侧面和所述第一孔的内侧面之间的间隔。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述半导体发光器件包括：
发光部；
第一电极，配置在所述发光部之下；
第二电极，配置在所述发光部之上；以及
钝化层，配置在所述发光部的第一侧部和所述第二电极之上；
所述连接电极与所述发光部的第二侧部和所述第一电极的侧面相接；
所述发光部的所述第二侧部位于所述发光部的所述第一侧部的下方。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一组装配线和第二组装配线配置在相同的层，
所述连接电极与所述第一组装配线和所述第二组装配线中的至少一个组装配线电连接。
20.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一组装配线和第二组装配线配置在不同的层，
所述连接电极与所述第一组装配线和所述第二组装配线中的至少一个组装配线电连接。
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