CN117926255A - 退镀方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000011536 re-plating Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
一种退镀方法，用于去除手机中框的基底表面的第一膜层和第二膜层，基底包括边框和插孔环，边框上开设有通孔，插孔环绝缘嵌设于通孔，第一膜层位于边框的表面，第二膜层位于插孔环的表面，第一膜层的厚度和/或面积大于第二膜层的厚度和/或面积，其中，退镀方法包括：将第一导电件的一端连接边框；将第二导电件的一端连接插孔环，第二导电件的电阻大于第一导电件的电阻，第二导电件包括本体与位于本体表面的氧化层，氧化层的电阻大于本体的电阻；将第一导电件的另一端以及第二导电件的另一端均连接电源的正极电连接，将对电极连接电源的负极，将中框置于退镀液中进行退镀，以使第一膜层以及第二膜层去除。
Description
技术领域
本申请涉及退镀技术领域，尤其涉及一种退镀方法。
背景技术
镀膜工艺在工业领域有着广泛的应用。手机中框的生产过程中，若中框上的表面镀层不符合产品品质要求，需要去除表面镀层重新进行镀膜处理，以重复利用，节约成本。
由于产品对于中框外观以及镀膜工艺的影响，中框中不同区域的膜层的面积或者厚度不一致，而在退镀过程中会存在退镀时间的差异，中框优先完全退镀的区域暴露于退镀液中且处于电解条件下，中框优先完全退镀的区域被腐蚀，进而影响整个中框的表面平整度和外观，导致中框无法重新镀膜。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种改善工件的基底被腐蚀的退镀方法，以解决上述问题。
一种退镀方法，用于去除手机中框的基底表面的第一膜层和第二膜层，基底包括边框和插孔环，边框上开设有通孔，插孔环绝缘嵌设于通孔，第一膜层位于边框的表面，第二膜层位于插孔环的表面，第一膜层的厚度和/或面积大于第二膜层的厚度和/或面积，其中，退镀方法包括：将第一导电件的一端连接边框；将第二导电件的一端连接插孔环，第二导电件的电阻大于第一导电件的电阻，第二导电件包括本体与位于本体表面的氧化层，氧化层的电阻大于本体的电阻；将第一导电件的另一端以及第二导电件的另一端均连接电源的正极电连接，将对电极连接电源的负极，将中框置于退镀液中进行退镀，以使第一膜层以及第二膜层去除。
在一些实施方式中，本体与第一导电件的材质均为钛。
在一些实施方式中，退镀方法包括在采用第一导电件连接边框之前，还包括对钛金属片经过阳极氧化处理生成氧化层并形成第二导电件的步骤。
在一些实施方式中，在将置于退镀液中进行退镀的步骤之前，将第二导电件的一端插入通孔中并与第二膜层接触。
在一些实施方式中，将插孔环和边框并联接入同一电源中。
在一些实施方式中，氧化层的厚度小于5μm且大于0。
在一些实施方式中，氧化层的电阻为1Ω/m-10Ω/m。
在一些实施方式中，退镀温度为10℃-40℃。
在一些实施方式中，边框的材质包括不锈钢，插孔环的材质包括钛或者钛合金。
在一些实施方式中，基底还包括中板，边框围设于中板的周缘，中板的材质包括铝或铝合金以及位于铝或铝合金表面的阳极氧化膜，中板暴露于第一膜层和第二膜层。
本申请实施例提供的退镀方法，通过设置有氧化层的第二导电件，以增加第二导电件的电阻，在退镀过程中，第二导电件用于连接面积或者厚度较小的第二膜层，以减小经过第二膜层的电流，延长第二膜层退镀完全的时间，以减小或消除第二膜层与第一膜层退镀完全的时间差距，进而减小或消除插孔环被腐蚀的可能性。
附图说明
图1为本申请实施例提供的中框退镀前的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的中框退镀前的局部截面示意图。
图3为本申请实施例提供的退镀方法的流程图。
图4为本申请实施例提供的第二导电件插入通孔的结构示意图。
图5为图4所示的第二导电件沿IV-IV方向的截面示意图。
图6为本申请实施例提供的电解退镀原理示意图。
图7为本申请实施例和对比例退镀后得到的基底的部分区域的图片。
主要元件符号说明
| 中框 | 100 |
| 基底 | 10 |
| 边框 | 11 |
| 通孔 | 112 |
| 插孔环 | 13 |
| 中板 | 15 |
| 绝缘层 | 17 |
| 第一膜层 | 21 |
| 第二膜层 | 23 |
| 对电极 | 30 |
| 第二导电件 | 40 |
| 本体 | 41 |
| 氧化层 | 43 |
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的所有的和任意的组合。
在本申请的各实施例中，为了便于描述而非限制本申请，本申请专利申请说明书以及权利要求书中使用的术语“连接”并非限定于物理的或者机械的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“上方”、“下方”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
请参阅图1和图2，图1为本申请实施例提供的手机中框100退镀前的结构示意图。图2为沿中框100的厚度方向的局部截面示意图。本申请实施例提供一种用于去除手机中框100的基底10表面的第一膜层21和第二膜层23的退镀方法。
具体的，中框100包括边框11、插孔环13和中板15。边框11围设于中板15的周缘，中板15由含铝的板材以及形成于板材表面的阳极氧化膜形成，中板15的表面未设置第一膜层21或第二膜层23，边框11的材质包括钛合金。边框11上开设有通孔112，插孔环13绝缘嵌设于通孔112，插孔环13的材质通常为不锈钢。其中，插孔环13用于作为手机的充电孔，插孔环13与边框11通过绝缘层17绝缘连接，以使边框11与插孔环13之间绝缘，以防止手机充电过程中边框11和中板15导通。在本实施例中，第一膜层21与第二膜层23的主要成分包括氧化镉。其中，当采用沉积工艺形成第一膜层21和第二膜层23时，随着插孔环13的深入，插孔环13表面的第二膜层23的厚度会逐渐减小。位于插孔环13内侧的外观难以被察觉，插孔环13与边框11的连接处为中框100的高光倒角区域，此处的基底10在退镀过程中容易被腐蚀，且高光倒角区域的粗糙度小于其他区域，被腐蚀后，对外观影响较大。
第一膜层21和第二膜层23位于边框11的表面，第二膜层23位于插孔环13的表面，第一膜层21的厚度和/或面积小于第二膜层23的厚度和/或面积。在相同的退镀条件下，若将第一膜层21和第二膜层23均退镀完全，则第一膜层21退镀所需要的时间大于第二膜层23退镀所需要的时间。因此，在退镀过程中，在相同的退镀条件下，第一膜层21和第二膜层23难以同时完全去除，当第二膜层23完全去除后，但第一膜层21未被完全去除，则第二膜层23所覆盖的基底10的表面暴露于退镀液中并与第一膜层21同时退镀，导致基底10被腐蚀。本申请实施例提供的退镀方法，可以改善退镀过程中，基底10被腐蚀的现象。
在一具体实施例中，第一膜层21与第二膜层23的面积比为40:1，且边框11的粗糙度较大，边框11与第一膜层21之间的结合力较强，插孔环13的粗糙度较小，插孔环13与第二膜层23之间的结合力较弱，第一膜层21退镀完全所需要的时间为60min，第二膜层23退镀完全所需要的时间为15min，则第二膜层23退镀完全后，插孔环13持续处于电解状态并需被腐蚀45min。
可以通过镀膜工艺在基底10的表面形成第一膜层21和第二膜层23，例如物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)等。第一膜层21和第二膜层23可以是在同一镀膜工艺中形成且位于基底10的不同区域的膜层。第一膜层21和第二膜层23位于基底10的外表面，可以作为中框100的外观层。当在镀膜过程中出现不良品时，需要经过退镀工艺将第一膜层21和第二膜层23去除，以在退镀后的基底10上重新镀膜。若退镀过程中基底10被腐蚀，会影响重新镀膜的质量以及基底10的外观，进而难以实现基底10的重复利用。而在消费类电子产品领域，电子产品的壳体在兼顾性能和外观的前提下，经常需要几十甚至上百道工序，中框100镀膜一般是比较靠后的制程，若镀膜制程中的不良品无法重新加工，则会损失镀膜制程之前工序的成本。故退镀对于整个电子产品壳体的制程的成本控制而言非常重要。
请一并参阅图3，本申请实施例提供的退镀方法可以包括步骤S1-S3。
步骤S1：将第一导电件的一端(图未示)连接边框11。
在一些具体实施例中，第一导电件为固定件，即第一导电件既具有电导通的作用，还具有固定中框100的作用，以便于退镀过程的实施。在本实施例中，第一导电件与中板直接连接，中板与边框11的材质均为导电材质，中板与边框11能够相互导通。
第一导电件的材质为钛，钛材质性能稳定，具有较低的电阻，耐酸、耐碱、耐腐蚀性能良好，可以多次重复使用。
步骤S2：将第二导电件40(图未示)的一端连接插孔环13，第二导电件40的电阻大于第一导电件的电阻。
请参阅图4和图5，第二导电件40可以包括本体41以及形成在本体41表面的氧化层43，氧化层43可以由本体41的材质氧化后形成。氧化层43的电阻大于本体41的电阻，相对于单独的本体41作为第二导电件40，在本体41的表面形成氧化层43后的第二导电件40的电阻增加。第二导电件40的一端可插入通孔112中，并与插孔环13表面的第二膜层23连接。
本体41的材质为钛，氧化层43的材质可以包括二氧化钛(TiO2)和四氧化三钛(Ti3O4)中的至少一种。其中，二氧化钛(TiO2)和四氧化三钛(Ti3O4)的性质均稳定，耐酸、耐碱、耐腐蚀性能良好，也可以多次重复使用。钛的电阻约为5.56×10-7Ω/m，在钛的表面形成氧化层43后，氧化层43的电阻可为1Ω/m-10Ω/m，从而增加了第二导电件40的电阻。相对于其他单独采用电阻较大的材质，采用钛的氧化物包覆钛的第二导电件40，耐酸碱性能好，在退镀条件下不易被腐蚀，第二导电件40的使用寿命长，可以多次重复利用，减小成本。
在一些实施例中，氧化层43的厚度小于5μm且大于0。
在本实施例中，对钛进行阳极氧化，位于表面的钛氧化形成氧化层43，从而得到第二导电件40。
步骤S3：将第一导电件的另一端以及第二导电件40的另一端均与电源的正极电连接，将对电极30连接电源的负极，将中框100置于退镀液中进行退镀，以使第一膜层21以及第二膜层23去除。
请参阅图6，具体地，将中框100作为阳极，采用对电极30为阴极，对电极30可以是不锈钢板或者石墨板，边框11和插孔环13并联接入同一电源中。在直流电的作用下，阳极发生氧化反应，第一膜层21和第二膜层23从基底10上逐渐溶解，第一膜层21和第二膜层23中的金属以离子的形式进入退镀液中。阴极发生还原反应，析氢或者金属离子被还原。退镀的温度可以是10℃-40℃，退镀时间可以为50min-90min。
其中，本申请实施例中，第二导电件40包括电阻较大的氧化层43，第二导电件40的电阻大于第一导电件的电阻，在相同的电压下，经过插孔环13的电流小于经过边框11的电流，则第二膜层23的退镀速率小于第一膜层21的退镀速率，即相当于延长第二膜层23退镀完全的时间，以减小或消除第二膜层23与第一膜层21退镀完全的时间差距，进而减小或消除插孔环13被腐蚀的可能性。中板15的表面暴露于第一膜层21和第二膜层23，由于中板15的表面为铝的阳极氧化膜，铝的阳极氧化膜性能稳定，在退镀条件下不会被腐蚀。
以理论进行计算说明，例如，每一个中框100的退镀电压为0.0125V，则经过边框11的电流为22482A，以氧化层43的电阻为5Ω/m计算，经过插孔环13的电流为0.0025A，相当于减小了经过插孔环13的电流。需要说明的是，实际的退镀速率还受膜层(即第一膜层21和第二膜层23)的材质、退镀的膜层的面积大小、膜层的位置等因素的影响。
以下通过具体的实施例和对比例来对本申请进行说明，实施例和对比例均对多个中框100进行测试，以测试良率。
对比例
提供一中框100，采用第一导电件和第二导电件40分别与边框11和插孔环13连接，第二导电件40与第一导电件的材质均为钛，并分别与电池形成回路，以在退镀液中进行退镀。将第一膜层21和第二膜层23均退镀完全后，观察退镀后的基底10。
实施例
与对比例不同的是：实施例中的第二导电件40的材质为钛和位于钛表面的二氧化钛和四氧化三钛。
请参阅图7，图7中的(a)为中框100的基底10被腐蚀后的部分区域的图片，图7中的(b)为中框100的基底10未被腐蚀的部分区域的图片。经过多个实施例和对比例测试后，对比例的良率约为74.79％，25.21％的中框100退镀后，插孔环13被腐蚀，基底10难以重复利用；实施例的良率为100％，即所有的中框100采用实施例的方式退镀后，均可以重复利用。
本申请实施例提供的退镀方法，通过设置有氧化层43的第二导电件40，以增加第二导电件40的电阻，在退镀过程中，第二导电件40用于连接面积或者厚度较小的第二膜层23，以减小经过第二膜层23的电流，延长第二膜层23退镀完全的时间，以减小或消除第二膜层23与第一膜层21退镀完全的时间差距，进而减小或消除插孔环13被腐蚀的可能性。
以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种退镀方法，用于去除手机中框的基底表面的第一膜层和第二膜层，所述基底包括边框和插孔环，所述边框上开设有通孔，所述插孔环绝缘嵌设于所述通孔，所述第一膜层位于所述边框的表面，所述第二膜层位于所述插孔环的表面，所述第一膜层的厚度和/或面积大于所述第二膜层的厚度和/或面积，其中，所述退镀方法包括：
将第一导电件的一端连接所述边框；
将第二导电件的一端连接所述插孔环，所述第二导电件的电阻大于所述第一导电件的电阻，所述第二导电件包括本体与位于所述本体表面的氧化层，所述氧化层的电阻大于所述本体的电阻；以及
将所述第一导电件的另一端以及所述第二导电件的另一端均连接电源的正极电连接，将对电极连接所述电源的负极，将所述中框置于退镀液中进行退镀，以使所述第一膜层以及所述第二膜层去除。
2.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，所述本体与所述第一导电件的材质均为钛。
3.根据权利要求2所述的退镀方法，其中，所述退镀方法包括在采用所述第一导电件连接所述边框之前，还包括对钛金属片经过阳极氧化处理生成所述氧化层并形成所述第二导电件的步骤。
4.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，在将所述置于所述退镀液中进行退镀的步骤之前，将所述第二导电件的一端插入所述通孔中并与所述第二膜层接触。
5.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，将所述插孔环和所述边框并联接入同一电源中。
6.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，所述氧化层的厚度小于5μm且大于0。
7.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，所述氧化层的电阻为1Ω/m-10Ω/m。
8.根据权利要求1所述的退镀方法，其中，退镀温度为10℃-40℃。
9.根据权利要求1-8中任意一项所述的退镀方法，其中，所述边框的材质包括不锈钢，所述插孔环的材质包括钛或者钛合金。
10.根据权利要求9所述的退镀方法，其中，所述基底还包括中板，所述边框围设于所述中板的周缘，所述中板的材质包括铝或铝合金以及位于铝或铝合金表面的阳极氧化膜，所述中板暴露于所述第一膜层和第二膜层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311803394.XA CN117926255A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 退镀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311803394.XA CN117926255A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 退镀方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117926255A true CN117926255A (zh) | 2024-04-26 |
Family
ID=90762087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311803394.XA Pending CN117926255A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 退镀方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117926255A (zh) |
-
2023
- 2023-12-26 CN CN202311803394.XA patent/CN117926255A/zh active Pending
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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