CN117897909A - 功率放大器 - Google Patents

Abstract

功率放大器(1)具备晶体管(10)和偏置电路(20)，偏置电路(20)具有偏置检测电路(30)、误差放大电路(40)、偏置输出缓冲电路(50)及偏置检测电路(60)，误差放大电路(40)具有比较器(41)，偏置输出缓冲电路(50)具有晶体管(51)、节点(N1)及节点(N2)，偏置检测电路(30)连接在晶体管(10)的漏极与比较器(41)之间，晶体管(51)连接在比较器(41)与节点(N1)之间，节点(N1)连接在晶体管(51)与节点(N2)之间及晶体管(51)与偏置检测电路(60)之间，节点(N2)连接在节点(N1)与晶体管(10)的栅极之间，偏置检测电路(60)连接在节点(N1)与节点(N2)之间。

Description

功率放大器

技术领域

本发明涉及功率放大器。

背景技术

在专利文献1中公开了如下技术：检测功率放大用晶体管的漏极电流，并进行反馈以使得漏极电流成为作为目标的电流值，由此使功率放大器的性能稳定。

专利文献1：日本特开2004-193846号公报

然而，在上述专利文献1所公开的技术中，能够维持进行反馈的偏置电路的输出阻抗较低的状态的频带(环路频带)较窄，作为对近年来的宽频带的调制信号进行处理的功率放大器的偏置电路，有时性能不足。另一方面，若欲实现环路频带的宽频带化(换言之，反馈的高速化)，则作为功率放大器的特性的GB积(Gain Band width product：增益带宽积)恒定，因此偏置电路的环路增益变小，功率放大器的精度下降。这样，偏置电路的宽频带化与高精度化的兼得变得困难。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供容易兼得偏置电路的宽频带化和高精度化的功率放大器。

本发明的一方式的功率放大器具备第一功率放大用晶体管和偏置电路，上述偏置电路具有第一偏置检测电路、误差放大电路、偏置输出缓冲电路以及第二偏置检测电路，上述第一功率放大用晶体管具有第一输出端子和第一控制端子，上述误差放大电路具有比较器，上述偏置输出缓冲电路具有第一p型晶体管、第一节点以及第二节点，上述第一偏置检测电路连接在上述第一输出端子与上述比较器之间，上述第一p型晶体管连接在上述比较器与上述第一节点之间，上述第一节点连接在上述第一p型晶体管与上述第二节点之间以及上述第一p型晶体管与上述第二偏置检测电路之间，上述第二节点连接在上述第一节点与上述第一控制端子之间，上述第二偏置检测电路连接在上述第一节点与上述第二节点之间。

根据本发明，能够实现容易兼得偏置电路的宽频带化和高精度化的功率放大器。

附图说明

图1是表示实施方式1的功率放大器的一个例子的电路结构图。

图2是用于对实施方式1的功率放大器的动作进行说明的图。

图3是表示实施方式1以及比较例中的偏置电路的输出阻抗的频率依赖性的曲线图。

图4是表示实施方式2的功率放大器的一个例子的电路结构图。

具体实施方式

以下，使用附图详细地说明本发明的实施方式。此外，以下说明的实施方式都表示总括性的或者具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不是限定本发明的主旨。关于以下的实施方式中的构成要素中的、未记载于独立权利要求中的构成要素，作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比不一定是严格的。另外，在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或者简化重复的说明。另外，在以下的实施方式中，“连接”不仅包括直接连接的情况，还包括经由其他元件(例如，电容器、电感器、二极管或晶体管等半导体元件等)而电连接的情况。例如，“连接在A与B之间”是指在A以及B之间直接或者经由其他元件而与A以及B双方连接。

(实施方式1)

使用图1至图3对实施方式1进行说明。

图1是表示实施方式1的功率放大器1的一个例子的电路结构图。

功率放大器1是对所输入的高频信号进行放大并输出的电路，例如是PA(PowerAmplifier：功率放大器)。功率放大器1具备输入端子t1以及输出端子t2。输入端子t1是输入高频信号的端子，输出端子t2是输出放大后的高频信号的端子。

功率放大器1具备晶体管10和偏置电路20。另外，功率放大器1具备电容器C1及C2、以及电感器L1及L2。电容器C1是阻止直流电流从输入端子t1向晶体管10泄漏的电容器。电容器C2是阻止来自电源的直流电流向输出端子t2泄漏的电容器。电感器L1是阻止来自输入端子t1的高频信号向偏置电路20泄漏的电感器。电感器L2是阻止向输出端子t2的高频信号向偏置电路20泄漏的电感器。

晶体管10是第一功率放大用晶体管的一个例子。晶体管10具有第一输出端子和第一控制端子。第一控制端子是栅极或者基极，第一输出端子是漏极或者集电极。另外，晶体管10具有与接地端子(接地)连接的源极或者发射极。例如，晶体管10是N沟道型的场效应晶体管(FET)，在该情况下，第一控制端子为栅极，第一输出端子为漏极，源极与接地端子连接。

晶体管10的栅极经由电容器C1与输入端子t1连接，另外，经由电感器L1与偏置电路20(具体而言，后述的节点N2)连接。晶体管10的漏极经由电容器C2与输出端子t2连接，另外，经由电感器L2与偏置电路20(具体而言，后述的偏置检测电路30)连接。

偏置电路20是检测晶体管10的漏极电流以及栅极电压，对晶体管10施加栅极电压以抑制栅极电压的变动以及漏极电流的变动的电路。偏置电路20具有偏置检测电路30、误差放大电路40、偏置输出缓冲电路50以及偏置检测电路60。

误差放大电路40具有比较器41以及基准值生成电路42。比较器41例如具有正侧输入端子、负侧输入端子以及输出端子，从输出端子输出与施加给正侧输入端子的电压值与施加给负侧输入端子的电压值之间的差分对应的信号。基准值生成电路42是生成对比较器41的正侧输入端子施加的电压值亦即基准值的电路，例如，具有电阻R2和电流源A2。电阻R2的一端与电源连接，电阻R2的另一端与电流源A2的一端以及比较器41的正侧输入端子连接。电流源A2的一端与电阻R2的另一端以及比较器41的正侧输入端子连接，电流源A2的另一端与接地端子连接。通过适当地设定通过电流源A2流动的电流值和电阻R2的电阻值，能够生成对比较器41的正侧输入端子施加的基准值。另外，通过在基准值的生成中使用电流源A2，能够生成稳定的基准值。

偏置检测电路30是第一偏置检测电路的一个例子。偏置检测电路30检测晶体管10的漏极电流。偏置检测电路30连接在晶体管10的漏极与比较器41之间。具体而言，偏置检测电路30连接在晶体管10的漏极与比较器41的负侧输入端子之间。偏置检测电路30具有作为电阻元件的电阻R1和电容器C3。电阻R1的一端与电容器C3的一端连接，电阻R1的另一端与电容器C3的另一端连接，电阻R1与电容器C3并联连接。电容器C3是用于使功率放大器1的动作稳定的电容器。此外，偏置检测电路30也可以不具有电容器C3。电阻R1的一端与电源连接，电阻R1的另一端经由电感器L2与晶体管10的漏极连接。另外，电阻R1的另一端与比较器41的负侧输入端子连接。

晶体管10的漏极电流由偏置检测电路30变换为电阻R1的另一端的电压，将该电压施加给比较器41的负侧输入端子。比较器41将与由基准值生成电路42生成的基准值与在偏置检测电路30中检测的值(与漏极电流对应的电压值)之间的差分对应的信号输出到偏置输出缓冲电路50(具体而言，后述的晶体管51的栅极)。

偏置输出缓冲电路50是向晶体管10(具体而言，晶体管10的栅极)输出偏置的缓冲电路，具有晶体管51、52、53及54、节点N1及N2、电流源A1。

晶体管51是第一p型晶体管的一个例子。例如，晶体管51是P沟道型的FET。晶体管51连接在比较器41与节点N1之间。具体而言，晶体管51的栅极与比较器41的输出端子连接，晶体管51的漏极经由晶体管52与节点N1连接，晶体管51的源极与电源连接。

节点N1是第一节点的一个例子。节点N1是将晶体管51(具体而言，晶体管51的漏极)和偏置检测电路60连结的路径上的节点。节点N1连接在晶体管51与节点N2之间以及晶体管51与偏置检测电路60之间。具体而言，节点N1经由晶体管52与晶体管51连接，经由晶体管53与偏置检测电路60连接，经由晶体管54与节点N2连接。

节点N2是第二节点的一个例子。节点N2是将偏置检测电路60和晶体管10的栅极连结的路径上的节点。节点N2连接在节点N1与晶体管10的栅极之间。具体而言，节点N2经由晶体管54与节点N1连接，经由电感器L1与晶体管10的栅极连接。

晶体管52是第二p型晶体管的一个例子。例如，晶体管52是P沟道型的FET。晶体管52的栅极与端子t3连接，晶体管52的漏极与节点N1连接，晶体管52的源极与晶体管51的漏极连接。

晶体管53是第一n型晶体管的一个例子。例如，晶体管53是N沟道型的FET。晶体管53的栅极与端子t3连接，晶体管53的漏极与节点N1连接，晶体管53的源极与偏置检测电路60(具体而言，后述的晶体管61)连接。对端子t3输入用于决定晶体管52及53的动作点的电压。

晶体管54是第三n型晶体管的一个例子。例如，晶体管54是N沟道型的FET。晶体管54在节点N1与节点N2之间与偏置检测电路60并联连接。具体而言，晶体管54的栅极经由节点N1以及晶体管53与偏置检测电路60连接，晶体管54的源极经由节点N2与偏置检测电路60连接。另外，晶体管54的漏极与电源连接。

电流源A1连接在节点N2与接地端子之间。通过电流源A1能够流过稳定的电流，其结果是，能够使节点N2处的电压稳定，能够使偏置检测电路60(具体而言，后述的晶体管61)的动作稳定。

偏置检测电路60是第二偏置检测电路的一个例子。偏置检测电路60检测晶体管10的栅极电压。偏置检测电路60具有晶体管61。晶体管61是第二n型晶体管的一个例子。例如，晶体管61是N沟道型的FET。偏置检测电路60(晶体管61)连接在节点N1与节点N2之间。具体而言，晶体管61的栅极与节点N2连接，晶体管61的漏极经由晶体管53与节点N1连接，晶体管61的源极与接地端子连接。

此外，功率放大器1所具备的晶体管10、51、52、53、54及61也可以是双极晶体管。在该情况下，在上述说明以及以下的说明中，也可以将设为栅极的部分置换为基极，也可以将设为漏极的部分置换为集电极，也可以将设为源极的部分置换为发射极。

接下来，使用图2对功率放大器1的动作进行说明。

图2是用于对实施方式1的功率放大器1的动作进行说明的图。

在功率放大器1中，组合基于偏置检测电路30、误差放大电路40以及晶体管51的反馈电路与基于偏置检测电路60的反馈电路而构成。如图2所示，基于偏置检测电路30、误差放大电路40以及晶体管51的反馈电路构成第一反馈路径。在第一反馈路径中设置有增益较大的误差放大电路40以及晶体管51，环路增益变大，但相应地，环路频带变窄。因此，基于偏置检测电路30、误差放大电路40以及晶体管51的反馈电路成为虽然环路频带窄但环路增益大的高精度的低速反馈电路。如图2所示，基于偏置检测电路60的反馈电路构成第二反馈路径。在第二反馈路径中仅设置晶体管61，环路增益变小，但相应地，环路频带变宽。此外，晶体管54对晶体管10的栅极的输出成为源极，没有放大作用。因此，基于偏置检测电路60的反馈电路成为环路增益小且低精度但环路频带宽的高速反馈电路。

例如，有时晶体管10的栅极电压因干扰或者温度变化等而变动，构成第一反馈路径的低速反馈电路和构成第二反馈路径的高速反馈电路进行动作以抑制各变动。

例如，在晶体管10的栅极电压变动而变大的情况下，低速反馈电路通过以下的动作来抑制变动。根据晶体管10的栅极电压的增加，晶体管10的漏极电流变大。与漏极电流变大相应地，电阻R1中的电压下降变大，施加给比较器41的负侧输入端子的电压变小。因此，从比较器41输出的电压变大，流过晶体管51以及晶体管52的电流变小，节点N1的电压变小。其结果是，流过晶体管54的电流变小，节点N2即晶体管10的栅极电压变小。另外，在晶体管10的栅极电压变动而变大的情况下，高速反馈电路通过以下的动作来抑制变动。根据晶体管10的栅极电压的增加，晶体管61的漏极电流变大，节点N1的电压变小。其结果是，流过晶体管54的电流变小，节点N2即晶体管10的栅极电压变小。这样，通过低速反馈电路以及高速反馈电路，抑制晶体管10的栅极电压增加的变动。

另外，例如，在晶体管10的栅极电压变动而变小的情况下，低速反馈电路通过以下的动作来抑制变动。根据晶体管10的栅极电压的降低，晶体管10的漏极电流变小。与漏极电流变小相应地，电阻R1中的电压下降变小，施加给比较器41的负侧输入端子的电压变大。因此，从比较器41输出的电压变小，流过晶体管51以及晶体管52的电流变大，节点N1的电压变大。其结果是，流过晶体管54的电流变大，节点N2即晶体管10的栅极电压变大。另外，在晶体管10的栅极电压变动而变小的情况下，高速反馈电路通过以下的动作来抑制变动。根据晶体管10的栅极电压的降低，晶体管61的漏极电流变小，节点N1的电压变大。其结果是，流过晶体管54的电流变大，节点N2即晶体管10的栅极电压变大。这样，通过低速反馈电路以及高速反馈电路，抑制晶体管10的栅极电压降低的变动。

这样，功率放大器1是组合用于正确地检测并控制偏置状态的高精度且低速的反馈电路和用于检测从偏置平衡点的变动量并迅速进行校正的低精度且高速的反馈电路而构成的。

像以上说明的那样，功率放大器1具备晶体管10和偏置电路20。偏置电路20具有偏置检测电路30、误差放大电路40、偏置输出缓冲电路50以及偏置检测电路60。晶体管10具有漏极和栅极，误差放大电路40具有比较器41，偏置输出缓冲电路50具有晶体管51、节点N1以及节点N2。偏置检测电路30连接在晶体管10的漏极与比较器41之间，晶体管51连接在比较器41与节点N1之间，节点N1连接在晶体管51与节点N2之间以及晶体管51与偏置检测电路60之间，节点N2连接在节点N1与晶体管10的栅极之间，偏置检测电路60连接在节点N1与节点N2之间。

由此，在功率放大器1中，在偏置电路20中，设置有基于偏置检测电路30、误差放大电路40中的比较器41以及偏置输出缓冲电路50中的晶体管51的低速反馈电路、以及基于偏置检测电路60的高速反馈电路。低速反馈电路构成通过晶体管10、偏置检测电路30、误差放大电路40、偏置输出缓冲电路50中的晶体管51、节点N1以及N2的第一反馈路径，环路增益大，因此能够进行高精度的电流检测，另外，环路频带窄，因此能够抑制环路的异常振荡。另一方面，高速反馈电路构成通过偏置检测电路60以及偏置输出缓冲电路50中的节点N1以及N2的第二反馈路径，将用于检测相对的变动值的电路结构简化，能够使环路频带变宽。在功率放大器1中，组合这样的环路频带窄但环路增益大的高精度的低速反馈电路和环路增益小且低精度但环路频带宽的高速反馈电路而构成，因此能够弥补各自的弱点。例如，如图3所示，能够将偏置电路20的输出阻抗维持得较低直到高频为止。

图3是表示实施方式1以及比较例中的偏置电路的输出阻抗的频率依赖性的曲线图。在比较例中，表示设置有低速反馈电路、未设置高速反馈电路的偏置电路的输出阻抗，在实施方式1中，表示偏置电路20的输出阻抗。在比较例中，可知反馈动作较慢，因此输出阻抗与频率一同上升。另一方面，在实施方式1中，可知通过追加了高速反馈电路，从而能够将输出阻抗维持得较低直到高频为止。

这样，根据组合低速反馈电路和高速反馈电路而构成的功率放大器1，容易兼得偏置电路20的宽频带化和高精度化。例如，即使在输入了包络线振幅高速变动的宽频带调制信号的情况下，也能够使偏置电路20稳定地动作，能够提高功率放大器1的性能。

例如，也可以偏置输出缓冲电路50还具有晶体管52和晶体管53，晶体管51经由晶体管52与节点N1连接，节点N1经由晶体管53与偏置检测电路60连接。

在偏置检测电路60(例如晶体管61)的寄生电容较大，基于偏置检测电路30、误差放大电路40以及晶体管51的第一反馈路径受到偏置检测电路60的影响的情况下，基于偏置检测电路30、误差放大电路40以及晶体管51的低速反馈电路的环路频带有进一步变窄之虞。因此，通过设置晶体管53，能够抑制偏置检测电路60对第一反馈路径的影响，能够抑制低速反馈电路的环路频带进一步变窄。

另外，在晶体管51的寄生电容较大，基于偏置检测电路60的第二反馈路径受到晶体管51的影响的情况下，基于偏置检测电路60的高速反馈电路的环路频带有变窄之虞。因此，通过设置晶体管52，能够抑制晶体管51对第二反馈路径的影响，能够抑制高速反馈电路的环路频带变窄。

例如，偏置检测电路30也可以具有电阻元件(电阻R1)。

由此，能够将漏极电流变换为电压。

例如，偏置检测电路60也可以具有晶体管61。

这样，在高速反馈电路中，通过n型的晶体管61，与使用p型的晶体管的情况相比，能够实现更高速的反馈。

例如，也可以误差放大电路40具有基准值生成电路42，比较器41将与由基准值生成电路42生成的基准值与在偏置检测电路30中检测的值之间的差分对应的信号输出到晶体管51。

由此，通过使用由基准值生成电路42生成的稳定的基准值，能够使晶体管10的输出更稳定。

例如，也可以偏置输出缓冲电路50还具有晶体管54，晶体管54在节点N1与节点N2之间与偏置检测电路60并联连接。

由此，能够使第一反馈路径与第二反馈路径在晶体管54中合流。

例如，也可以偏置输出缓冲电路50还具有电流源A1，电流源A1连接在节点N2与接地端子之间。

由此，能够使偏置检测电路60稳定地动作。

例如，功率放大器1所具备的晶体管也可以是FET或者双极晶体管。

这样，功率放大器1所具备的晶体管可以是FET，也可以是双极晶体管。

(实施方式2)

使用图4对实施方式2进行说明。

图4是表示实施方式2的功率放大器2的一个例子的电路结构图。

功率放大器2是将所输入的高频信号放大并输出的电路，例如是PA。功率放大器2在取代偏置电路20而具备偏置电路20a并且还具备晶体管100的方面与实施方式1中的功率放大器1不同。另外，晶体管10与其他结构要素之间的连接关系与实施方式1中的功率放大器1不同。以下，以与实施方式1不同的点为中心进行说明。

晶体管10的栅极经由电容器C1与输入端子t1连接，经由电感器L1与偏置电路20a(具体而言，节点N2)以及晶体管100的栅极连接。晶体管10的漏极经由电容器C2与输出端子t2连接，经由电感器L2以及偏置电路20a(具体而言，后述的偏置检测电路30a)与晶体管100连接。

晶体管100是第二功率放大用晶体管的一个例子。晶体管100具有第二输出端子和第二控制端子。第二控制端子是栅极或者基极，第二输出端子是漏极或者集电极。另外，晶体管100具有与接地端子连接的源极或者发射极。例如，晶体管100为N沟道型的FET，在该情况下，第二控制端子为栅极，第二输出端子为漏极，源极与接地端子连接。

晶体管100的栅极经由电感器L1与晶体管10连接，另外，与偏置电路20a(具体而言节点N2)连接。晶体管100的漏极与偏置电路20a(具体而言，后述的偏置检测电路30a)连接。

偏置电路20a是检测晶体管100的漏极电流以及晶体管10以及100的栅极电压，对晶体管10以及100施加栅极电压以抑制晶体管10以及100的栅极电压的变动以及晶体管10以及100的漏极电流的变动的电路。偏置电路20a具有偏置检测电路30a、误差放大电路40、偏置输出缓冲电路50、偏置检测电路60。

偏置检测电路30a是第一偏置检测电路的一个例子。偏置检测电路30a检测晶体管100的漏极电流。偏置检测电路30a连接在晶体管100的漏极与比较器41之间。具体而言，偏置检测电路30a连接在晶体管100的漏极与比较器41的负侧输入端子之间。偏置检测电路30a具有作为电阻元件的电阻R11。电阻R11的一端与电源连接，电阻R11的另一端与晶体管100的漏极连接。另外，电阻R11的另一端与比较器41的负侧输入端子连接。

偏置检测电路30a检测晶体管100的漏极电流。晶体管100的漏极电流由偏置检测电路30a变换为电阻R11的另一端处的电压，将该电压施加给比较器41的负侧输入端子。

晶体管100是晶体管10的复制电路，设定晶体管100的参数以及电阻R11的参数，以使得在施加了与晶体管10相同的栅极电压时，流过与晶体管10的漏极电流相同的漏极电流。

在实施方式1中，说明了晶体管10的漏极经由偏置检测电路30的电阻R1与电源连接的例子，但在实施方式2中，晶体管10的漏极不经由电阻而与电源连接。这是因为，取代晶体管10的漏极电流而检测作为晶体管10的复制电路的晶体管100的漏极电流，不需要用于检测晶体管10的漏极电流的电阻。

关于功率放大器2的其他的结构，由于与实施方式1中的功率放大器1相同，因此省略说明。

像以上说明的那样，功率放大器2具备晶体管10、晶体管100以及偏置电路20a。偏置电路20a具有偏置检测电路30a、误差放大电路40、偏置输出缓冲电路50以及偏置检测电路60。晶体管10具有漏极和栅极，晶体管100具有漏极和栅极，误差放大电路40具有比较器41，偏置输出缓冲电路50具有晶体管51、节点N1以及节点N2。偏置检测电路30a连接在晶体管100的漏极与比较器41之间，晶体管51连接在比较器41与节点N1之间，节点N1连接在晶体管51与节点N2之间以及晶体管51与偏置检测电路60之间，节点N2连接在节点N1与晶体管100的栅极之间，偏置检测电路60连接在节点N1与节点N2之间，晶体管100的栅极与晶体管10的栅极连接，晶体管10的漏极经由偏置检测电路30a与晶体管100的漏极连接。

由此，与实施方式1相同，容易兼得偏置电路20a的宽频带化和高精度化。并且，在功率放大器2中，设置有作为晶体管10的复制电路的晶体管100，通过偏置检测电路30a检测晶体管100的输出电流(漏极电流)。晶体管10不受到基于偏置检测电路30a的电压下降的影响，因此能够降低能够使功率放大器2进行动作的电源电压的下限，能够使用输出电压较低的电源。

(其他的实施方式)

以上，列举实施方式说明了本发明的功率放大器1、2，但本发明不限于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的结构要素组合而实现的其他的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内针对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得的变形例、内置了本发明的功率放大器1、2的各种设备也包含于本发明。

例如，在上述实施方式中，对偏置输出缓冲电路50具有晶体管52以及53的例子进行了说明，但偏置输出缓冲电路50也可以不具有晶体管52以及53。在该情况下，晶体管51与偏置检测电路60也可以不经由晶体管等其他元件而连接。

例如，在上述实施方式中，对偏置检测电路60具有晶体管61的例子进行了说明，但偏置检测电路60也可以不具有晶体管61。例如，偏置检测电路60只要具有检测晶体管10的栅极电压等的功能，则也可以由晶体管以外的元件构成。

例如，在上述实施方式中，对基准值生成电路42具有电流源A2的例子进行了说明，但基准值生成电路42也可以不具有电流源A2。例如，基准值生成电路42也可以取代电流源A2而具有电阻等。

例如，在上述实施方式中，对偏置输出缓冲电路50具有晶体管54的例子进行了说明，但偏置输出缓冲电路50也可以不具有晶体管54。在该情况下，节点N1与节点N2也可以是同一节点。

例如，在上述实施方式中，对偏置输出缓冲电路50具有电流源A1的例子进行了说明，但偏置输出缓冲电路50也可以不具有电流源A1。例如，偏置输出缓冲电路50也可以取代电流源A1而具有电阻等。

产业上的可利用性

本发明能够作为放大高频信号的功率放大器而广泛地利用于移动电话等通信设备。

附图标记说明：1、2…功率放大器；10、51、52、53、54、61、100…晶体管；20、20a…偏置电路；30、30a、60…偏置检测电路；40…误差放大电路；41…比较器；42…基准值生成电路；50…偏置输出缓冲电路；A1、A2…电流源；C1、C2、C3…电容器；L1、L2…电感器；N1、N2…节点；R1、R2、R11…电阻；t1…输入端子；t2…输出端子；t3…端子。

Claims (9)

1.一种功率放大器，其中，

具备第一功率放大用晶体管和偏置电路，

所述偏置电路具有第一偏置检测电路、误差放大电路、偏置输出缓冲电路以及第二偏置检测电路，

所述第一功率放大用晶体管具有第一输出端子和第一控制端子，

所述误差放大电路具有比较器，

所述偏置输出缓冲电路具有第一p型晶体管、第一节点以及第二节点，

所述第一偏置检测电路连接在所述第一输出端子与所述比较器之间，

所述第一p型晶体管连接在所述比较器与所述第一节点之间，

所述第一节点连接在所述第一p型晶体管与所述第二节点之间以及所述第一p型晶体管与所述第二偏置检测电路之间，

所述第二节点连接在所述第一节点与所述第一控制端子之间，

所述第二偏置检测电路连接在所述第一节点与所述第二节点之间。

2.一种功率放大器，其中，

具备第一功率放大用晶体管、第二功率放大用晶体管以及偏置电路，

所述偏置电路具有第一偏置检测电路、误差放大电路、偏置输出缓冲电路以及第二偏置检测电路，

所述第一功率放大用晶体管具有第一输出端子和第一控制端子，

所述第二功率放大用晶体管具有第二输出端子和第二控制端子，

所述误差放大电路具有比较器，

所述偏置输出缓冲电路具有第一p型晶体管、第一节点以及第二节点，

所述第一偏置检测电路连接在所述第二输出端子与所述比较器之间，

所述第一p型晶体管连接在所述比较器与所述第一节点之间，

所述第一节点连接在所述第一p型晶体管与所述第二节点之间以及所述第一p型晶体管与所述第二偏置检测电路之间，

所述第二节点连接在所述第一节点与所述第二控制端子之间，

所述第二偏置检测电路连接在所述第一节点与所述第二节点之间，

所述第二控制端子与所述第一控制端子连接，

所述第一输出端子经由所述第一偏置检测电路与所述第二输出端子连接。

3.根据权利要求1或2所述的功率放大器，其中，

所述偏置输出缓冲电路还具有第二p型晶体管、第一n型晶体管，

所述第一p型晶体管经由所述第二p型晶体管与所述第一节点连接，

所述第一节点经由所述第一n型晶体管与所述第二偏置检测电路连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率放大器，其中，

所述第一偏置检测电路具有电阻元件。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率放大器，其中，

所述第二偏置检测电路具有第二n型晶体管。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的功率放大器，其中，

所述误差放大电路具有基准值生成电路，

所述比较器将与由所述基准值生成电路生成的基准值与在所述第一偏置检测电路中检测的值之间的差分对应的信号输出到所述第一p型晶体管。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率放大器，其中，

所述偏置输出缓冲电路还具有第三n型晶体管，

所述第三n型晶体管在所述第一节点与所述第二节点之间与所述第二偏置检测电路并联连接。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的功率放大器，其中，

所述偏置输出缓冲电路还具有电流源，

所述电流源连接在所述第二节点与接地端子之间。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的功率放大器，其中，

所述功率放大器所具备的晶体管是场效应晶体管或者双极晶体管。