CN117894711A - 降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法 - Google Patents

降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117894711A
CN117894711A CN202311671090.2A CN202311671090A CN117894711A CN 117894711 A CN117894711 A CN 117894711A CN 202311671090 A CN202311671090 A CN 202311671090A CN 117894711 A CN117894711 A CN 117894711A
Authority
CN
China
Prior art keywords
drying
silicon wafer
drying groove
groove
metal pollution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311671090.2A
Other languages
English (en)
Inventor
郑斌
魏鹏鹏
王炳官
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
Original Assignee
Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd filed Critical Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
Priority to CN202311671090.2A priority Critical patent/CN117894711A/zh
Publication of CN117894711A publication Critical patent/CN117894711A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,所属硅片加工技术领域,包括如下操作步骤:第一步:将烘干槽内的红外加热管移至烘干槽外壁上。第二步:更换烘干槽的材质,由原来的金属材质更换成石英材质作为外框架。第三步:当在烘干槽内进行烘干后,在烘干槽两侧设置磁块,通过磁块对烘干槽形成磁场,在烘干槽过程中使得硅片水分被蒸发的同时,附着的金属污染和颗粒脱离硅片表面。具有操作便捷、效果好和质量稳定性高的特点。解决了金属污染控制难度大的问题。有效杜绝颗粒污染,提高硅片洗净工艺的高效性和合格率,改善硅片品质,减少报废率。

Description

降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法
技术领域
本发明涉及硅片加工技术领域,具体涉及一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法。
背景技术
洗净机的作业流程:先通过化学槽进行碱腐蚀或酸洗,接着在清洗槽进行纯水清洗,然后进入烘干槽完成烘干。由于当前洗净设备烘干槽材质选择是金属材质,长期使用中出现产品金属规格要求超标异常问题。
同时在烘干槽内部使用的红外加热管进行80度进行烘干。但长期使用会造成红外线加热管外包装材料释放颗粒从而也会引起颗粒污染。
发明内容
本发明主要解决现有技术中存在的不足,提供了一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,其具有操作便捷、效果好和质量稳定性高的特点。解决了金属污染控制难度大的问题。有效杜绝颗粒污染,提高硅片洗净工艺的高效性和合格率,改善硅片品质,减少报废率。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,包括如下操作步骤:
第一步:将烘干槽内的红外加热管移至烘干槽外壁上。
第二步:更换烘干槽的材质,由原来的金属材质更换成石英材质作为外框架。
第三步:当在烘干槽内进行烘干后,在烘干槽两侧设置磁块,通过磁块对烘干槽形成磁场,在烘干槽过程中使得硅片水分被蒸发的同时,附着的金属污染和颗粒脱离硅片表面。
作为优选,在烘干槽过程,磁块通电生成电磁场,采用侧边及上方吹入带压力和流速的氮气,对硅片避免的金属污染和颗粒进行吹除。
作为优选,吹入烘干槽内的氮气通过加热后进行吹入,实现烘干槽内温度的上升。
作为优选,红外加热管的温度为65度进行烘干,降低工作温度提高红外加热管的使用寿命。
作为优选,烘干槽进行烘干工艺前,在对清洗槽内的硅片进行浸泡清洗和冲淋清洗的操作过程,在浸泡清洗过程采用通入氮气进行气爆,通过氮气气爆使得金属污染和颗粒脱离硅片表面;在浸泡清洗工艺中同时进行脉冲式声波清洗。
本发明能够达到如下效果:
本发明提供了一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,与现有技术相比较,具有操作便捷、效果好和质量稳定性高的特点。解决了金属污染控制难度大的问题。有效杜绝颗粒污染,提高硅片洗净工艺的高效性和合格率,改善硅片品质,减少报废率。
具体实施方式
下面通过实施例,对发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例:一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,包括如下操作步骤:
烘干槽进行烘干工艺前,在对清洗槽内的硅片进行浸泡清洗和冲淋清洗的操作过程,在浸泡清洗过程采用通入氮气进行气爆,通过氮气气爆使得金属污染和颗粒脱离硅片表面;在浸泡清洗工艺中同时进行脉冲式声波清洗。
第一步:将烘干槽内的红外加热管移至烘干槽外壁上,红外加热管的温度为65度进行烘干,降低工作温度提高红外加热管的使用寿命。吹入烘干槽内的氮气通过加热后进行吹入,实现烘干槽内温度的上升。
第二步:更换烘干槽的材质,由原来的金属材质更换成石英材质作为外框架。
第三步:当在烘干槽内进行烘干后,在烘干槽两侧设置磁块,通过磁块对烘干槽形成磁场,在烘干槽过程中使得硅片水分被蒸发的同时,附着的金属污染和颗粒脱离硅片表面。
在烘干槽过程,磁块通电生成电磁场,采用侧边及上方吹入带压力和流速的氮气,对硅片避免的金属污染和颗粒进行吹除。
综上所述,该降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,具有操作便捷、效果好和质量稳定性高的特点。解决了金属污染控制难度大的问题。有效杜绝颗粒污染,提高硅片洗净工艺的高效性和合格率,改善硅片品质,减少报废率。
以上所述仅为本发明的具体实施例,但本发明的结构特征并不局限于此,任何本领域的技术人员在本发明的领域内,所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。

Claims (5)

1.一种降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,其特征在于包括如下操作步骤:
第一步:将烘干槽内的红外加热管移至烘干槽外壁上;
第二步:更换烘干槽的材质,由原来的金属材质更换成石英材质作为外框架;
第三步:当在烘干槽内进行烘干后,在烘干槽两侧设置磁块,通过磁块对烘干槽形成磁场,在烘干槽过程中使得硅片水分被蒸发的同时,附着的金属污染和颗粒脱离硅片表面。
2.根据权利要求1所述的降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,其特征在于:在烘干槽过程,磁块通电生成电磁场,采用侧边及上方吹入带压力和流速的氮气,对硅片避免的金属污染和颗粒进行吹除。
3.根据权利要求2所述的降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,其特征在于:吹入烘干槽内的氮气通过加热后进行吹入,实现烘干槽内温度的上升。
4.根据权利要求1所述的降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,其特征在于:红外加热管的温度为65度进行烘干,降低工作温度提高红外加热管的使用寿命。
5.根据权利要求1所述的降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法,其特征在于:烘干槽进行烘干工艺前,在对清洗槽内的硅片进行浸泡清洗和冲淋清洗的操作过程,在浸泡清洗过程采用通入氮气进行气爆,通过氮气气爆使得金属污染和颗粒脱离硅片表面;在浸泡清洗工艺中同时进行脉冲式声波清洗。
CN202311671090.2A 2023-12-07 2023-12-07 降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法 Pending CN117894711A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311671090.2A CN117894711A (zh) 2023-12-07 2023-12-07 降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311671090.2A CN117894711A (zh) 2023-12-07 2023-12-07 降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117894711A true CN117894711A (zh) 2024-04-16

Family

ID=90638427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311671090.2A Pending CN117894711A (zh) 2023-12-07 2023-12-07 降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117894711A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110643974B (zh) 一种托盘回传清洗机构及一种对托盘进行清洗的方法
US5660640A (en) Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment
JP2016502939A (ja) 鋼板表面処理の方法およびその装置
CN111804674A (zh) 一种etch设备中阳极氧化部件面污染物的洗净方法
CN108453084A (zh) 喷嘴清洗装置和晶圆清洗设备
CN114078692B (zh) 一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备
CN117894711A (zh) 降低洗净机烘干槽对产品造成金属污染和颗粒超标的方法
KR20140113741A (ko) 냉간 상태 금속판 스트립 표면 처리 시스템 및 표면 처리 방법
AU2244100A (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
WO2023208255A1 (zh) 一种颗粒污染物的清洗方法
CN211578706U (zh) 链式碱酸同抛设备
CN1152422C (zh) 制造晶片用的碳化硅舟的切割制造方法
CN207009480U (zh) 一种钙钛矿薄膜后处理设备
CN105220115A (zh) 一种对镀膜产品二次清洁的离子净化系统及其净化方法
JP2001107244A (ja) 半導体成膜装置の洗浄方法及び洗浄装置
CN101942661A (zh) 用雾状化学剂进行单面连续化学湿处理的系统及方法
CN107552481A (zh) 一种硅片清洗工艺
CN104264171B (zh) 一种钼丝或钼合金丝碱洗脱氧去污的装置及方法
CN111921945A (zh) 一种多晶硅规整填料清洗工艺
CN107988465B (zh) 一种金属管材内螺纹成型和退火一体机及方法
CN106929822A (zh) 一种薄膜沉积方法
CN202532823U (zh) 一种用于提高清洗后带钢边部烘干效果的装置
JPS6281718A (ja) 基板乾燥装置
CN116313740A (zh) 一种大尺寸单晶硅片的清洗方法
CN105972970B (zh) 平板显示屏玻璃湿化学加工低风速吹扫残液的工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination