CN117854581B - 一种存储器测试系统及存储器测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种存储器测试系统及存储器测试方法，包括指令生成模块，所述指令生成模块被配置为基于目标存储页在所述待测存储器中的定位信息，生成定位读取指令；数据读取模块，所述数据读取模块被配置为将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器，并接收所述待测存储器反馈的所述目标存储页对应的阈值电压数据；以及数据生成模块，所述数据生成模块被配置为生成所述目标存储页的电压分布数据。本发明提供了一种存储器测试系统及存储器测试方法，可以更加准确地分析出存储器产生坏块的原因。

Description

一种存储器测试系统及存储器测试方法

技术领域

本发明涉及存储器领域，特别涉及一种存储器测试系统及存储器测试方法。

背景技术

存储器被广泛使用于个人计算机、智能手机、媒体播放器等主机设备中，主机设备可以将数据存储至存储器中，也可以从存储器中读取数据。在存储器使用过程中，可能会产生坏块，进而影响存储器的正常运行。因此，测试出产生坏块的原因是十分必要的。

目前，在测试存储器产生坏块的原因时，一般是通过高温解焊将存储器芯片从主机设备中拆卸下来，以进行测试。然而，高温解焊容易对存储器造成性能影响，从而造成测试结果的准确度较低。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种存储器测试系统及存储器测试方法，本发明可以更加准确地分析出存储器产生坏块的原因。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明一种存储器测试系统，所述存储器测试系统被配置为通信连接于待测存储器，包括：

指令生成模块，所述指令生成模块被配置为基于目标存储页在所述待测存储器中的定位信息，生成定位读取指令，所述目标存储页为出现不可纠正的错误纠正码的存储页；

数据读取模块，所述数据读取模块被配置为将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器，以使所述待测存储器基于所述目标读取电压数据对所述目标存储页进行读取操作，并接收所述待测存储器反馈的所述目标存储页对应的阈值电压数据；以及

数据生成模块，所述数据生成模块被配置为对所述阈值电压数据进行处理，以生成所述目标存储页的电压分布数据。

在本发明一实施例中，所述数据读取模块被配置为基于预先设定的所述阈值电压数据的目标接收量，确定目标读取次数，且所述数据读取模块基于所述目标读取次数，重复将所述定位读取指令以及所述目标读取电压数据发送至所述待测存储器。

在本发明一实施例中，所述定位读取指令携带预设的读取标识、所述定位信息及所述读取次数参数，所述指令生成模块被配置为在所述数据读取模块接收所述阈值电压数据后，更新所述定位读取指令的读取次数参数，所述数据读取模块被配置为将更新后的所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器。

在本发明一实施例中，所述定位信息包括目标存储页的页定位信息、所述目标存储页对应的存储块的块定位信息以及所述存储块对应的存储面的面定位信息。

在本发明一实施例中，所述目标存储页对应的阈值电压数据为所述目标存储页中多个存储单元的阈值电压数据。

在本发明一实施例中，所述数据生成模块被配置为对不同的阈值电压数据对应的存储单元的数量进行计数处理，以生成电压分布数据，所述电压分布数据用于指示不同的阈值电压数据对应的所述存储单元的分布密度。

在本发明一实施例中，所述存储器测试系统还包括电压偏置模块，所述电压偏置模块被配置为基于预设的偏移电压数据，对所述读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，以生成所述目标读取电压数据。

在本发明一实施例中，所述电压偏置模块被配置为基于所述电压分布数据与预设的目标分布数据之间的分布差异，更新所述偏移电压数据，并根据更新后的偏移电压数据对所述读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，以更新所述目标读取电压数据。

本发明还提供一种存储器测试方法，包括如下步骤：

通过指令生成模块基于目标存储页在所述待测存储器中的定位信息，生成定位读取指令，所述目标存储页为出现不可纠正的错误纠正码的存储页；

通过数据读取模块将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器，以使所述待测存储器基于所述目标读取电压数据对所述目标存储页进行读取操作；

通过数据读取模块接收所述待测存储器反馈的所述目标存储页对应的阈值电压数据；

通过数据生成模块对所述阈值电压数据进行处理，以生成所述目标存储页的电压分布数据。

在本发明一实施例中，所述通过存储器接口模块将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器的步骤之前，还包括：

通过电压偏置模块基于预设的偏移电压数据，对所述读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，以生成所述目标读取电压数据。

如上所述，本发明提供了一种存储器测试系统及存储器测试方法，可以更加准确地分析出存储器产生坏块的原因。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中存储器测试系统与存储器的结构图；

图2为本发明一实施例中存储器的结构图；

图3为本发明一实施例中测试单元的结构图；

图4为本发明一实施例中单层存储单元的电压密度分布图；

图5为本发明一实施例中三层存储单元的电压密度分布图；

图6为本发明一实施例中存储测试方法的流程图。

图中：10、存储器测试系统；11、测试单元；12、存储器接口；20、存储器；21、控制单元；22、闪存单元；221、存储面；222、存储块；223、存储页；30、指令生成模块；40、数据读取模块；50、数据生成模块；60、电压偏置模块。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供了一种存储器测试系统，此存储器测试系统10可以与存储器20通信连接，以对出现坏块的存储器20进行测试，以准确分析出存储器20产生坏块的原因。具体来说，存储器20可以采用闪存卡的形式，安装于主机设备中。此存储器20可以是闪存存储器，其存储单元具体可以是单层存储单元（SLC）、双层存储单元（MLC）、三层存储单元（TLC）或其他存储单元。主机设备可以将数据存储至存储器20中，也可以从存储器20中读取数据。主机设备可以是个人计算机、平板计算机、智能电话、便携式媒体播放器或者其他电子设备。存储器测试系统10可以集成设置于主机设备中，并与存储器20通信连接，以对出现坏块的存储器20进行测试。

请参阅图1，存储器测试系统10可以包括测试单元11以及存储器接口12。存储器测试系统10可以通过存储器接口12与存储器20通信。存储器接口12可以接收测试单元11的测试数据，并将测试单元11的测试数据传输至存储器20进行测试。存储器接口12也可以接收存储器20反馈的数据，并将存储器20反馈的数据输送至测试单元11以进行分析。需要知道的是，在存储器20产生坏块时，相应的存储页223（page）会出现不可纠正的错误纠正码（UECC）。基于此，测试单元11可以通过存储器接口12将测试数据传输至存储器20中，定位到不可纠正的错误纠正码（UECC）的存储页223（page），以直接对出现不可纠正的错误纠正码（UECC）的存储页223（page）进行测试，并继续通过存储器接口12接收存储器20反馈的存储页223（page）数据。基于此反馈数据可以分析出现坏块的原因。此种测试方式可以直接对主机设备中集成的存储器芯片进行测试，无需通过高温解焊将存储器芯片从主机设备上拆卸下来，避免了高温解焊对存储器20造成的性能影响，从而提高了测试结果的准确度。并且，直接定位到不可纠正的错误纠正码（UECC）的存储页223（page）进行测试的方式可以提高测试分析的效率。

请参阅图1及图2，该待测存储器20可以包括控制单元21以及闪存单元22。存储器20的控制单元21可以通过存储器接口12与测试单元11进行通信。闪存单元22中可以包括多个存储面221（plane），每个存储面221（plane）中可以包括多个存储块222（block），每个存储块222中可以包括多个存储页223（page），每个存储页223中可以包括多个存储单元（cell）。上述存储器测试系统10所获取的存储器20的反馈数据可以是，出现不可纠正的错误纠正码（UECC）的存储页223（page）的阈值电压数据。需要理解的是，由于出现不可纠正的错误纠正码（UECC）的存储页223（page）包括多个存储单元（cell）,存储页223（page）的阈值电压数据可以包括存储页223（page）中多个存储单元（cell）的阈值电压。通过分析多个存储单元（cell）的电压分布数据，可以分析出产生坏块的原因。进一步来说，获取阈值电压可以是在存储器20中基于一目标读取电压对存储页223（page）进行数据读取，进而可得到存储页223（page）中多个存储单元（cell）的阈值电压。

请参阅图3，上述测试单元11可以包括指令生成模块30、数据读取模块40以及数据生成模块50。指令生成模块30可被配置为基于目标存储页223在所述待测存储器20中的定位信息，生成定位读取指令。所述目标存储页223可以为上述出现不可纠正的错误纠正码的存储页223，基于上述定位读取指令可以定位到存储器20中的目标存储页223进行测试。数据读取模块40可以将定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至待测存储器20，以使待测存储器20基于目标读取电压对目标存储页223进行读取操作。需要说明的是，当数据读取模块40将定位读取指令以及目标读取电压数据发送至待测存储器20时，实际是存储器20的控制单元21接收该定位读取指令以及目标读取电压数据，进而，控制单元21解析该定位读取指令，并基于该目标读取电压对闪存单元22中目标存储页223进行读取操作，从而获取目标存储页223中多个存储单元（cell）的阈值电压数据。进而，控制单元21可以将阈值电压数据通过存储器接口12反馈至测试单元11的数据读取模块40。数据读取模块40可以接收待测存储器20反馈的目标存储页223对应的阈值电压数据。最后，数据生成模块50可以对阈值电压数据进行处理，从而生成目标存储页223的电压分布数据。

需要理解的是，对于同样的目标读取电压，不同的存储单元（cell）形成的阈值电压数据可能并不相同。在获取电压分布数据时，可以对不同的阈值电压数据对应的存储单元（cell）的数量进行计数处理，以生成电压分布数据，所述电压分布数据用于指示不同的阈值电压数据对应的所述存储单元的分布密度。

请参阅图2，需要说明的是，为了提高坏块分析的准确度，需要全面的目标存储页223的阈值电压数据。而数据读取模块基于一次定位读取指令所获取阈值电压数据的数据量往往低于所需的数据量，仅能读取待测存储器20中部分目标存储页223的阈值电压数据。因此，可以设定2次、3次、4次或者其他数量的目标读取次数，以获取更加全面的目标存储页223的阈值电压数据。具体来说，数据读取模块40可以基于预先设定的阈值电压数据的目标接收量，来确定目标读取次数。进而，所述数据读取模块40可以基于所述目标读取次数，重复将所述定位读取指令以及所述目标读取电压数据发送至所述待测存储器20，以获取更多的目标存储页223的阈值电压数据，从而形成更全面的电压分布数据。

请参阅图3，需要说明的是，基于上述多次目标读取次数，为了提高多次读取操作的效率，可以将该定位读取指令设定为携带预设的读取标识、定位信息以及读取次数参数，从而数据读取模块40可以基于定位读取指令精准读取对应位置的存储页223的阈值电压数据。并且，每次读取操作结束并接收阈值电压数据后，指令生成模块30可基于下一次对应的读取次数去更新读取次数参数，并基于下一次需要读取的目标存储页223位置去更新目标存储页223的定位信息。从而，数据读取模块40每次可基于更新后的定位读取指令以及预设的目标读取电压数据进行快速读取，提高整体测试分析效率。

请参阅图2，进一步来说，定位信息包括目标存储页223的页定位信息、所述目标存储页223对应的存储块222的块定位信息以及所述存储块222对应的存储面221的面定位信息。举例来说，当待测存储器20为单层存储单元（SLC）时，定位读取指令可以设定为0planeanblockbpagec。其中，O可用于指示读取命令，planea可用于指示存储器20中的a存储面221（plane），当a取不同数值时，可指示不同的存储面221（plane）。n可用于指示读取次数参数，当n取不同数值时，可指示当前对应的读取次数。blockb可用于指示存储器20中的b存储块222（block），当b取不同数值时，可指示不同的存储块222（block）。pagec用于指示存储器20中的c存储页223（page）。当c取不同数值时，可指示不同的存储页223（page）。数据读取模块40可以基于所述目标读取次数，重复将所述定位读取指令以及所述目标读取电压数据发送至所述待测存储器20，以获取对应的目标存储页223的阈值电压数据，直至完成目标读取次数。从而数据生成模块50可以生成更全面的电压分布数据。

请参阅图4，对于单层存储单元（SLC）的待测存储器20，目标读取次数可以是4次，数据读取模块40第一次读取操作时，n=1。数据读取模块40第二次读取操作时，n=2。数据读取模块40第三次读取操作时，n=3。数据读取模块40第四次读取操作时，n=4。数据读取模块40对待测存储器20进行四次读取操作后，数据生成模块50可基于获取的所有阈值电压数据形成电压分布数据。此电压分布数据可以是以不同的阈值电压为横轴，以不同阈值电压对应的存储单元的密度为纵轴的电压密度分布图，例如为图4中单层存储单元（SLC）对应的电压密度分布图100。基于电压密度分布图，用户可以快速分析出存储器20产生坏块的原因，提高测试效率。

请参阅图2，进一步来说，当待测存储器20为三层存储单元（TLC）时，定位读取指令可以设定为0planeanblockbwlc。其中，O可用于指示读取命令，planea可用于指示存储器20中的a存储面221（plane），当a取不同数值时，可指示不同的存储面221（plane）。n可用于指示读取次数参数，当n取不同数值时，可指示当前对应的读取次数。blockb可用于指示存储器20中的b存储块222（block），当b取不同数值时，可指示不同的存储块222（block）。wlc用于指示存储器20中的c存储页组（page组），即c子线（Word Line）。当c取不同数值时，可指示不同的存储页组（page组）。数据读取模块可以基于所述目标读取次数，重复将所述定位读取指令以及所述目标读取电压数据发送至所述待测存储器20，以获取对应的目标存储页223的阈值电压数据，直至完成目标读取次数。从而数据生成模块50可以生成更全面的电压分布数据。

请参阅图5，对于三层存储单元（TLC）的待测存储器20，目标读取次数可以是10次。对数据读取模块对待测存储器20进行十次读取操作后，数据生成模块50可基于获取的所有阈值电压数据形成电压分布数据。此电压分布数据可以是以不同的阈值电压为横轴，以不同阈值电压对应的存储单元的密度为纵轴的电压密度分布图，例如为图5中三层存储单元（TLC）对应的电压密度分布图200。基于电压密度分布图，用户可以快速分析出存储器20产生坏块的原因，提高测试效率。

请参阅图3，为了能够控制目标读取电压的电压值，来形成更合理的电压分布数据，存储器测试系统10还可设置电压偏置模块60。电压偏置模块60可以基于实际需求预先设定一个偏移电压数据，并利用该偏移电压数据对读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，从而生成目标读取电压数据。从而，基于目标读取电压进行读取操作所得到的存储单元的电压分布数据会更符合实际需求。

请参阅图3，值得说明的是，当测试系统获取的电压分布数据与用户预设的目标分布数据之间存在较大的分布差异时，电压偏置模块60还可以基于该分布差异去调节偏移电压数据，从而可根据更新后的偏移电压数据对所述读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，从而生成更新的目标读取电压数据。从而，基于更新的目标读取电压进行读取操作所得到的存储单元的电压分布数据，与用户预设的目标分布数据之间的差异可大大缩小，提高了测试数据的准确度。

综上所述，本发明的存储器测试系统在存储器产生坏块时，可以将测试数据传输至存储器中，直接对出现不可纠正的错误纠正码（UECC）的存储页（page）进行测试，基于存储器的反馈数据可以分析出现坏块的原因。此种测试方式可以直接对主机设备中集成的存储器芯片进行测试，提高了测试结果的准确度以及测试分析的效率。

请参阅图3，本发明还提供一种存储器测试方法，本发明的存储器测试方法可应用于上述存储器测试系统，本发明的方法可以包括以下步骤：

步骤S10、通过指令生成模块基于目标存储页在所述待测存储器中的定位信息，生成定位读取指令，所述目标存储页为出现不可纠正的错误纠正码的存储页。

步骤S20、通过数据读取模块将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器，以使所述待测存储器基于所述目标读取电压数据对所述目标存储页进行读取操作。

步骤S30、通过数据读取模块接收所述待测存储器反馈的所述目标存储页对应的阈值电压数据。

步骤S40、通过数据生成模块对所述阈值电压数据进行处理，以生成所述目标存储页的电压分布数据。

请参阅图3，在本发明一实施例中，当执行步骤S10时，即通过指令生成模块30基于目标存储页223在所述待测存储器中的定位信息，生成定位读取指令，所述目标存储页223为出现不可纠正的错误纠正码的存储页223。具体来说，基于上述定位读取指令可以定位到存储器中的目标存储页223进行测试。当需要进行多次读取操作时，为了提高多次读取操作的效率，可以将该定位读取指令设定为携带预设的读取标识、定位信息以及读取次数参数，从而数据读取模块40可以基于定位读取指令精准读取对应位置的存储页223的阈值电压数据。并且，每次读取操作结束并接收阈值电压数据后，指令生成模块30可基于下一次对应的读取次数去更新读取次数参数，并基于下一次需要读取的目标存储页223位置去更新目标存储页223的定位信息。从而，数据读取模块40每次可基于更新后的定位读取指令以及预设的目标读取电压数据进行快速读取，提高整体测试分析效率。

请参阅图1，进一步来说，定位信息包括目标存储页223的页定位信息、所述目标存储页223对应的存储块222的块定位信息以及所述存储块222对应的存储面221的面定位信息。举例来说，当待测存储器为单层存储单元（SLC）时，定位读取指令可以设定为0planeanblockbpagec。其中，O可用于指示读取命令，planea可用于指示存储器中的a存储面221（plane），当a取不同数值时，可指示不同的存储面221（plane）。n可用于指示读取次数参数，当n取不同数值时，可指示当前对应的读取次数。blockb可用于指示存储器中的b存储块222（block），当b取不同数值时，可指示不同的存储块222（block）。pagec用于指示存储器中的c存储页223（page）。当c取不同数值时，可指示不同的存储页223（page）。

当待测存储器为三层存储单元（TLC）时，定位读取指令可以设定为0planeanblockbwlc。其中，O可用于指示读取命令，planea可用于指示存储器中的a存储面221（plane），当a取不同数值时，可指示不同的存储面221（plane）。n可用于指示读取次数参数，当n取不同数值时，可指示当前对应的读取次数。blockb可用于指示存储器中的b存储块222（block），当b取不同数值时，可指示不同的存储块222（block）。wlc用于指示存储器中的c存储页组（page组），即c子线（Word Line）。当c取不同数值时，可指示不同的存储页组（page组）。数据读取模块40可以基于所述目标读取次数，重复将所述定位读取指令以及所述目标读取电压数据发送至所述待测存储器，以获取对应的目标存储页223的阈值电压数据，直至完成目标读取次数。从而数据生成模块50可以生成更全面的电压分布数据。

请参阅图3，在本发明一实施例中，当执行步骤S20及步骤S30时，即通过数据读取模块40将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器，并通过数据读取模块40接收所述待测存储器反馈的所述目标存储页223对应的阈值电压数据。具体来说，该待测存储器可以包括控制单元以及闪存单元。存储器的控制单元可以通过存储器接口与存储器测试系统10进行通信。闪存单元中可以包括多个存储面221（plane），每个存储面221（plane）中可以包括多个存储块222（block），每个存储块222中可以包括多个存储页223（page），每个存储页223中可以包括多个存储单元（cell）。上述存储器测试系统10所获取的存储器的反馈数据可以是，出现不可纠正的错误纠正码（UECC）的存储页223（page）的阈值电压数据。需要理解的是，由于出现不可纠正的错误纠正码（UECC）的存储页223（page）包括多个存储单元（cell）,存储页223（page）的阈值电压数据可以包括存储页223（page）中多个存储单元（cell）的阈值电压。

请参阅图3和图6，在本发明一实施例中，当执行步骤S40时，即通过数据生成模块50对所述阈值电压数据进行处理，以生成所述目标存储页223的电压分布数据。具体来说，数据生成模块50可以对阈值电压数据进行处理，从而生成目标存储页223的电压分布数据。对于同样的目标读取电压，目标存储页223中不同的存储单元（cell）形成的阈值电压数据可能并不相同。在获取电压分布数据时，可以对不同的阈值电压数据对应的存储单元（cell）的数量进行计数处理，以生成电压分布数据，所述电压分布数据用于指示不同的阈值电压数据对应的所述存储单元的分布密度。基于电压密度分布图，用户可以快速分析出存储器产生坏块的原因，提高测试效率。

请参阅图3和图6，在本发明一实施例中，当执行步骤S20之前，即通过数据读取模块将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器的步骤之前，还可以包括如下步骤：

步骤S50、通过电压偏置模块基于预设的偏移电压数据，对所述读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，以生成所述目标读取电压数据。

请参阅图1和图6，在本发明一实施例中，当执行步骤S50时，为了能够控制目标读取电压的电压值，来形成更合理的电压分布数据，存储器测试系统10还可设置电压偏置模块60。电压偏置模块60可以基于实际需求预先设定一个偏移电压数据，并利用该偏移电压数据对读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，从而生成目标读取电压数据。从而，基于目标读取电压进行读取操作所得到的存储单元的电压分布数据会更符合实际需求。

需要说明的是，关于存储器的性能测试方法的具体限定可以参见上文中对于存储器的测试系统的限定，在此不再赘述。

在本说明书的描述中，参考术语“本实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (8)

1.一种存储器测试系统，其特征在于，所述存储器测试系统被配置为通信连接于待测存储器，包括：

指令生成模块，所述指令生成模块被配置为基于目标存储页在所述待测存储器中的定位信息，生成定位读取指令，所述目标存储页为出现不可纠正的错误纠正码的存储页；

数据读取模块，所述数据读取模块被配置为将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器，以使所述待测存储器基于所述目标读取电压数据对所述目标存储页进行读取操作，并接收所述待测存储器反馈的所述目标存储页对应的阈值电压数据；以及

数据生成模块，所述数据生成模块被配置为对所述阈值电压数据进行处理，以生成所述目标存储页的电压分布数据；

其中，所述数据读取模块被配置为基于预先设定的所述阈值电压数据的目标接收量，确定目标读取次数，且所述数据读取模块基于所述目标读取次数，重复将所述定位读取指令以及所述目标读取电压数据发送至所述待测存储器；

所述定位读取指令携带预设的读取标识、所述定位信息及读取次数参数，所述指令生成模块被配置为在所述数据读取模块接收所述阈值电压数据后，更新所述定位读取指令的读取次数参数，所述数据读取模块被配置为将更新后的所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器。

2.根据权利要求1所述的存储器测试系统，其特征在于，所述定位信息包括所述目标存储页的页定位信息、所述目标存储页对应的存储块的块定位信息以及所述存储块对应的存储面的面定位信息。

3.根据权利要求1所述的存储器测试系统，其特征在于，所述目标存储页对应的阈值电压数据为所述目标存储页中多个存储单元的阈值电压数据。

4.根据权利要求3所述的存储器测试系统，其特征在于，所述数据生成模块被配置为对不同的阈值电压数据对应的存储单元的数量进行计数处理，以生成电压分布数据，所述电压分布数据用于指示不同的阈值电压数据对应的所述存储单元的分布密度。

5.根据权利要求1所述的存储器测试系统，其特征在于，所述存储器测试系统还包括电压偏置模块，所述电压偏置模块被配置为基于预设的偏移电压数据，对所述读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，以生成所述目标读取电压数据。

6.根据权利要求5所述的存储器测试系统，其特征在于，所述电压偏置模块被配置为基于所述电压分布数据与预设的目标分布数据之间的分布差异，更新所述偏移电压数据，并根据更新后的偏移电压数据对所述读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，以更新所述目标读取电压数据。

7.一种存储器测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

通过指令生成模块基于目标存储页在待测存储器中的定位信息，生成定位读取指令，所述目标存储页为出现不可纠正的错误纠正码的存储页；

通过数据读取模块将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器，以使所述待测存储器基于所述目标读取电压数据对所述目标存储页进行读取操作；

通过数据读取模块接收所述待测存储器反馈的所述目标存储页对应的阈值电压数据；

所述数据读取模块基于预先设定的所述阈值电压数据的目标接收量，确定目标读取次数，并基于所述目标读取次数，重复将所述定位读取指令以及所述目标读取电压数据发送至所述待测存储器；

所述定位读取指令携带预设的读取标识、所述定位信息及读取次数参数，所述指令生成模块在所述数据读取模块接收所述阈值电压数据后，更新所述定位读取指令的读取次数参数，所述数据读取模块将更新后的所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器；

通过数据生成模块对所述阈值电压数据进行处理，以生成所述目标存储页的电压分布数据。

8.根据权利要求7所述的存储器测试方法，其特征在于，所述通过数据读取模块将所述定位读取指令以及预设的目标读取电压数据发送至所述待测存储器的步骤之前，还包括：

通过电压偏置模块基于预设的偏移电压数据，对所述目标存储页进行读取操作对应的默认读取电压数据执行电压偏置操作，以生成所述目标读取电压数据。