CN117836637A - 电流传感器 - Google Patents

Abstract

电流传感器具备：母线(100、200、300)；磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312)和磁芯底部(113、213、313)；检测部(120、220、320)，其配置于间隙(117、217、317)；以及壳体(70)，其收纳有磁芯；壳体具有插入到磁芯孔(114、214、314)中并且插入有母线的开口部(711、712、713)，开口部包含与母线对置的对置面(721、722、723)和通过从对置面朝向母线突出而与母线接触的突出部(731、732、733)，在对置面及母线之间形成有空间(741、742、743)。

Description

电流传感器

相关申请的交叉引用

本申请是基于2021年11月16日申请的日本专利申请2021-186438号、2022年4月5日申请的日本专利申请2022-063126号、2022年7月1日申请的日本专利申请2022-107381号和2022年10月6日申请的日本专利申请2022-161915号的申请，将其记载内容通过参照引入于此。

技术领域

本公开涉及一种电流传感器。

背景技术

以往，如专利文献1所记载，已知检测在用于对混合动力车或电动汽车用的交流马达进行驱动的逆变器中流通的交流电流的电流传感器。该电流传感器具备供逆变器的交流电流流通的母线、供通过在该母线中流通的交流电流而产生的磁场通过的磁芯以及在形成于磁芯的间隙中配置的传感器芯片。而且，通过由传感器芯片检测通过该磁芯间隙的磁场，电流传感器检测在逆变器中流通的交流电流。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-051704号公报

发明内容

发明所要解决的课题

通过在母线中流通电流，母线发热。因此，在专利文献1所记载的电流传感器中，由母线产生的热经由收纳母线的壳体传递到作为检测部的传感器芯片。由此，有时产生传感器芯片的特性变化及故障。

本公开的目的在于提供一种抑制向检测部传递热的电流传感器。

用于解决课题的手段

根据本公开的一观点，提供一种电流传感器，具备：母线，其形成为板状；磁芯，其具有磁芯孔、间隙形成部、磁芯横部和磁芯底部，所述磁芯孔中插入有母线，所述间隙形成部包含朝向母线的宽度方向的第一端面、与第一端面在宽度方向上对置的第二端面以及由第一端面和第二端面形成并且与磁芯孔和外部连通的间隙，所述磁芯横部与间隙形成部连接，并且沿母线的厚度方向延伸，所述磁芯底部与磁芯横部连接并沿宽度方向延伸，并且与间隙形成部及磁芯横部形成磁芯孔；检测部，其配置于间隙，并且检测通过在母线中流通的电流而在间隙中产生的磁场的强度；以及壳体，其收纳有磁芯；壳体具有插入到磁芯孔中并且插入有母线的开口部，开口部包含：对置面，其与母线对置；以及突出部，其通过从对置面朝向母线突出而与母线接触；在对置面及母线之间形成有空间。

另外，根据本公开的一个观点，提供一种电流传感器，具备：母线，其形成为板状；磁芯，其具有磁芯孔、间隙形成部、磁芯横部和磁芯底部，所述磁芯孔中插入有母线，所述间隙形成部包含朝向母线的宽度方向的第一端面、与第一端面在宽度方向上对置的第二端面以及由第一端面和第二端面形成并且与磁芯孔和外部连通的间隙，所述磁芯横部与间隙形成部连接，并且沿母线的厚度方向延伸，所述磁芯底部与磁芯横部连接并沿宽度方向延伸，并且与间隙形成部及磁芯横部形成磁芯孔；检测部，其配置于间隙，并且检测通过在母线中流通的电流而在间隙中产生的磁场的强度；以及壳体，其收纳有磁芯；壳体具有插入到磁芯孔中并且插入有母线的开口部，母线具有通过从与开口部对置的面朝向开口部突出而与开口部接触的突出部，在开口部及母线之间形成有空间。

由此，由母线产生的热难以传递到壳体。因此，难以从壳体向检测部传递热。因此，可抑制向检测部传递热。

此外，对各构成要素等标注的带括号的参照符号表示该构成要素等和后述的实施方式所记载的具体构成要素等的对应关系的一例。

附图说明

图1是第一实施方式的电流传感器的立体图。

图2是图1的II-II线剖视图。

图3是电流传感器的母线、磁芯、检测部、引线、基板及端子的俯视图。

图4是磁场的强度、对第一容易轴部施加的磁通密度以及对第一困难轴部施加的磁通密度的关系图。

图5是第二实施方式的电流传感器的剖视图。

图6是第三实施方式的电流传感器的剖视图。

图7是电流传感器的母线、磁芯、检测部、引线、基板及端子的俯视图。

图8是第四实施方式的电流传感器的剖视图。

图9是第五实施方式的电流传感器的剖视图。

图10是第六实施方式的电流传感器的剖视图。

图11是第七实施方式的电流传感器的剖视图。

图12是第八实施方式的电流传感器的剖视图。

图13是第九实施方式的电流传感器的剖视图。

图14是第十实施方式的电流传感器的剖视图。

图15是第十一实施方式的电流传感器的剖视图。

图16是第十二实施方式的电流传感器的第一磁芯及第一检测部的剖视图。

图17是电流传感器的第二磁芯及第二检测部的剖视图。

图18是电流传感器的第三磁芯及第三检测部的剖视图。

图19是第十三实施方式的电流传感器的第一磁芯及第一检测部的剖视图。

图20是电流传感器的第二磁芯及第二检测部的剖视图。

图21是电流传感器的第三磁芯及第三检测部的剖视图。

图22是第十四实施方式的电流传感器的第一磁芯及第一检测部的剖视图。

图23是电流传感器的第二磁芯及第二检测部的剖视图。

图24是电流传感器的第三磁芯及第三检测部的剖视图。

图25是第十五实施方式的电流传感器的第一磁芯的剖视图。

图26是电流传感器的第二磁芯的剖视图。

图27是电流传感器的第三磁芯的剖视图。

图28是第十六实施方式的电流传感器的第一磁芯的剖视图。

图29是电流传感器的第二磁芯的剖视图。

图30是电流传感器的第三磁芯的剖视图。

图31是第十七实施方式的电流传感器中的第一磁芯、第二磁芯及第三磁芯的剖视图。

图32是第十八实施方式的电流传感器中的第一磁芯、第二磁芯及第三磁芯的剖视图。

图33是第十九实施方式的电流传感器中的第一磁芯、第二磁芯及第三磁芯的剖视图。

图34是第二十实施方式的电流传感器中的第一磁芯、第二磁芯及第三磁芯的剖视图。

图35是第二十一实施方式的电流传感器中的第一母线的第一板部及壳体的第一开口部的剖视图。

图36是图35的XXXVI-XXXVI线剖视图。

图37是图35的XXXVII-XXXVII线剖视图。

图38是电流传感器中的第二母线的第二板部及壳体的第二开口部的剖视图。

图39是图38的XXXIX-XXXIX线剖视图。

图40是图38的XL-XL线剖视图。

图41是电流传感器中的第三母线的第三板部及壳体的第三开口部的剖视图。

图42是图41的XLII-XLII线剖视图。

图43是图41的XLIII-XLIII线剖视图。

图44是第二十二实施方式的电流传感器中的第一母线的第一板部及壳体的第一开口部的剖视图。

图45是电流传感器中的第二母线的第二板部及壳体的第二开口部的剖视图。

图46是电流传感器中的第三母线的第三板部及壳体的第三开口部的剖视图。

图47是第二十三实施方式的电流传感器中的第一母线的第一板部及壳体的第一开口部的剖视图。

图48是电流传感器中的第二母线的第二板部及壳体的第二开口部的剖视图。

图49是电流传感器中的第三母线的第三板部及壳体的第三开口部的剖视图。

图50是第二十四实施方式的电流传感器中的第一母线的第一板部及壳体的第一开口部的剖视图。

图51是电流传感器中的第二母线的第二板部及壳体的第二开口部的剖视图。

图52是电流传感器中的第三母线的第三板部及壳体的第三开口部的剖视图。

图53是第二十五实施方式的电流传感器中的第一母线的第一板部及壳体的第一开口部的剖视图。

图54是电流传感器中的第二母线的第二板部及壳体的第二开口部的剖视图。

图55是电流传感器中的第三母线的第三板部及壳体的第三开口部的剖视图。

图56是第二十六实施方式的电流传感器中的第一母线、第一磁芯、第一检测部及壳体的剖视图。

图57是电流传感器中的第二母线、第二磁芯、第二检测部及壳体的剖视图。

图58是电流传感器中的第三母线、第三磁芯、第三检测部及壳体的剖视图。

图59是电流传感器中的第一比及振幅比的关系图。

图60是第二十七实施方式的电流传感器中的第一母线、第一磁芯及第一检测部的剖视图。

图61是电流传感器中的第二母线、第二磁芯及第二检测部的剖视图。

图62是电流传感器中的第三母线、第三磁芯及第三检测部的剖视图。

图63是第二十八实施方式的电流传感器中的第一母线及壳体的第一开口部的剖视图。

图64是图63的LXIV-LXIV线剖视图。

图65是电流传感器中的第二母线及壳体的第二开口部的剖视图。

图66是图65的LXVI-LXVI线剖视图。

图67是电流传感器中的第三母线及壳体的第三开口部的剖视图。

图68是图67的LXVIII-LXVIII线剖视图。

图69是第二十九实施方式的电流传感器中的第一母线及壳体的第一开口部的剖视图。

图70是电流传感器中的第二母线及壳体的第二开口部的剖视图。

图71是电流传感器中的第三母线及壳体的第三开口部的剖视图。

图72是第三十实施方式的电流传感器中的第一母线及壳体的第一开口部的剖视图。

图73是电流传感器中的第二母线及壳体的第二开口部的剖视图。

图74是电流传感器中的第三母线及壳体的第三开口部的剖视图。

图75是第三十一实施方式的电流传感器中的第一母线及壳体的第一开口部的剖视图。

图76是电流传感器中的第二母线及壳体的第二开口部的剖视图。

图77是电流传感器中的第三母线及壳体的第三开口部的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，在以下的各实施方式彼此之中，对彼此相同或等同的部分标注相同的附图标记，并省略其说明。

(第一实施方式)

本实施方式的电流传感器5用于对搭载于未图示的车辆的三相交流马达进行驱动的逆变器。具体而言，如图1～图3所示，电流传感器5具备第一传感器10、第二传感器20、第三传感器30、基板50、多个端子60及壳体70。

第一传感器10具有第一母线100、第一磁芯110、第一检测部120及第一引线130。

第一母线100由铜等形成为板状。另外，根据需要，对第一母线100的表面实施用于防止表面的氧化的镀敷。而且，第一母线100具有第一板部101、第一延长部102及第二延长部103。

第一板部101包含螺栓用第一孔104。在螺栓用第一孔104以及设置于逆变器的孔中插入有未图示的螺栓。由此，第一板部101与逆变器的一部分连接。

在此，以下，为了方便，将第一板部101的长度方向DL简单地记载为长度方向DL。另外，将第一板部101的宽度方向DW简单地记载为宽度方向DW。而且，将第一板部101的厚度方向DT简单地记载为厚度方向DT。

第一延长部102与第一板部101中的与螺栓用第一孔104相反的一侧连接。另外，第一延长部102从第一延长部102和第一板部101的边界部沿厚度方向DT延伸。

第二延长部103与第一延长部102中的与第一板部10相反的一侧连接。另外，第二延长部103从第二延长部103和第一延长部102的边界部沿长度方向DL延伸。而且，第二延长部103通过与逆变器的一部分焊接，从而与逆变器的一部分连接。

第一磁芯110由坡莫合金或方向性电磁钢板等软磁性材料形成为C字形。例如，第一磁芯110通过将板状的软磁性材料弯曲加工成C字形而形成。另外，第一磁芯110包含第一间隙形成部111、第一容易轴部112、第一困难轴部113及第一磁芯孔114。

第一间隙形成部111形成为沿宽度方向DW延伸的板状。另外，第一间隙形成部111在厚度方向DT上与第一母线100分离。而且，第一间隙形成部111中的宽度方向DW外侧的角部即第一横外侧角部C1_out_top为R形状(圆角形状)。另外，第一间隙形成部111包含第一磁芯端面115、第二磁芯端面116及第一间隙117。当将第二磁芯端面116在宽度方向DW上投影时，第一磁芯端面115与投影的第二磁芯端面116重叠。第一间隙117是由第一磁芯端面115及第二磁芯端面116划分形成的空间。而且，第一间隙117与第一磁芯孔114及第一磁芯110的外部连通。

在此，将与第一磁芯端面115及第二磁芯端面116在厚度方向DT上对置的第一板部101的面设为第一板面S1。在将第一磁芯端面115向厚度方向DT投影到第一板面S1时，将与投影的第一磁芯端面115重叠的第一板面S1的部分设为第一投影部Ps1。另外，在将第二磁芯端面116向厚度方向DT投影到第一板面S1时，将与投影的第二磁芯端面116重叠的第一板面S1的部分设为第二投影部Ps2。而且，将由第一投影部Ps1及第二投影部Ps2划分形成的第一板面S1的区域设为第一区域R1。而且，形成有从第一区域R1的至少一部分向厚度方向DT凹陷的第一凹部118。另外，第一凹部118形成为长方形形状。此外，第一凹部118并不限定于形成为长方形形状，也可以形成为多边形形状及圆形状。

第一容易轴部112与第一间隙形成部111连接。另外，第一容易轴部112从第一容易轴部112和第一间隙形成部111的边界部沿厚度方向DT延伸。而且，第一容易轴部112和第一间隙形成部111的边界部的内侧的第一横内侧角部C1_in_top为R形状。另外，第一容易轴部112在宽度方向DW上与第一母线100分离。

第一困难轴部113与第一容易轴部112连接。而且，第一困难轴部113沿宽度方向DW延伸。另外，第一困难轴部113的磁导率小于第一容易轴部112的磁导率。而且，第一困难轴部113的饱和磁通密度小于第一容易轴部112的饱和磁通密度。另外，第一困难轴部113的厚度方向DT的长度比第一容易轴部112的宽度方向DW的长度长。此外，在此，磁导率例如是指磁通密度相对于磁场的强度的变化量的最大值即最大磁导率。

第一磁芯孔114是由这些第一间隙形成部111、第一容易轴部112及第一困难轴部113形成的空间。在第一磁芯孔114中插入有第一母线100的第一板部101的一部分。

第一检测部120配置于第一间隙117。因此，当将第一磁芯端面115在宽度方向DW上投影时，第一检测部120与投影的第一磁芯端面115重叠。而且，当将第二磁芯端面116在宽度方向DW上投影时，第一检测部120与投影的第二磁芯端面116重叠。另外，第一检测部120例如具有未图示的霍尔元件、TMR元件、GMR元件、AMR元件。第一检测部120通过这些元件检测对第一检测部120施加的宽度方向DW的磁场的强度。而且，第一检测部120向外部输出与该检测到的磁场的强度对应的信号。第一引线130与第一检测部120连接。此外，TMR是Tunnel Magneto Resistive(隧穿磁阻)的缩写。GMR是Giant Magneto Resistive(巨磁阻)的缩写。AMR是Anisotropic Magneto Resistive(各向异性磁阻)的缩写。

第二传感器20具有第二母线200、第二磁芯210、第二检测部220及第二引线230。

第二母线200由铜等形成为板状。另外，根据需要，对第二母线200的表面实施用于防止表面的氧化的镀敷。而且，第二母线200具有第二板部201、第三延长部202及第四延长部203。

第二板部201包含螺栓用第二孔204。在螺栓用第二孔204以及设置于逆变器的孔中插入有未图示的螺栓。由此，第二板部201与逆变器的一部分连接。

第三延长部202与第二板部201中的与螺栓用第二孔204相反的一侧连接。另外，第三延长部202从第三延长部202和第二板部201的边界部沿厚度方向DT延伸。

第四延长部203与第三延长部202中的与第二板部20相反的一侧连接。另外，第四延长部203从第四延长部203和第三延长部202的边界部沿长度方向DL延伸。而且，第四延长部203通过与逆变器的一部分焊接，从而与逆变器的一部分连接。

第二磁芯210由坡莫合金或方向性电磁钢板等软磁性材料形成为C字形。例如，第二磁芯210通过将板状的软磁性材料弯曲加工成C字形而形成。另外，第二磁芯210包含第二间隙形成部211、第二容易轴部212、第二困难轴部213及第二磁芯孔214。

第二间隙形成部211形成为沿宽度方向DW延伸的板状。另外，第二间隙形成部211在厚度方向DT上与第二母线200分离。而且，第二间隙形成部211中的宽度方向DW外侧的角部即第二横外侧角部C2_out_top为R形状。另外，第二横外侧角部C2_out_top和第一横外侧角部C1_out_top在宽度方向DW上彼此相向。而且，第二间隙形成部211包含第三磁芯端面215、第四磁芯端面216及第二间隙217。当将第四磁芯端面216在宽度方向DW上投影时，第三磁芯端面215与投影的第四磁芯端面216重叠。第二间隙217是由第三磁芯端面215及第四磁芯端面216划分形成的空间。而且，第二间隙217与第二磁芯孔214及第二磁芯210的外部连通。

在此，将与第三磁芯端面215及第四磁芯端面216在厚度方向DT上对置的第二板部201的面设为第二板面S2。在将第三磁芯端面215向厚度方向DT投影到第二板面S2时，将与投影的第三磁芯端面215重叠的第二板面S2的部分设为第三投影部Ps3。另外，在将第四磁芯端面216向厚度方向DT投影到第二板面S2时，将与投影的第四磁芯端面216重叠的第二板面S2的部分设为第四投影部Ps4。而且，将由第三投影部Ps3及第四投影部Ps4划分形成的第二板面S2的区域设为第二区域R2。而且，形成有从第二区域R2的至少一部分向厚度方向DT凹陷的第二凹部218。另外，第二凹部218形成为长方形形状。此外，第二凹部218并不限定于形成为长方形形状，也可以形成为多边形形状及圆形状。

第二容易轴部212与第二间隙形成部211连接。另外，第二容易轴部212从第二容易轴部212和第二间隙形成部211的边界部沿厚度方向DT延伸。而且，第二容易轴部212和第二间隙形成部211的边界部的内侧的第二横内侧角部C2_in_top为R形状。另外，第二容易轴部212在宽度方向DW上与第二母线200分离。

第二困难轴部213与第二容易轴部212连接。而且，第二困难轴部213沿宽度方向DW延伸。另外，第二困难轴部213的磁导率小于第二容易轴部212的磁导率。而且，第二困难轴部213的饱和磁通密度小于第二容易轴部212的饱和磁通密度。另外，第二困难轴部213的厚度方向DT的长度比第二容易轴部212的宽度方向DW的长度长。

第二磁芯孔214是由这些第二间隙形成部211、第二容易轴部212及第二困难轴部213形成的空间。在第二磁芯孔214中插入有第二母线200的第二板部201的一部分。

第二检测部220配置于第二间隙217。因此，当将第三磁芯端面215在宽度方向DW上投影时，第二检测部220与投影的第三磁芯端面215重叠。而且，当将第四磁芯端面216在宽度方向DW上投影时，第二检测部220与投影的第四磁芯端面216重叠。另外，第二检测部220例如具有未图示的霍尔元件、TMR元件、GMR元件、AMR元件。第二检测部220通过这些元件检测对第二检测部220施加的宽度方向DW的磁场的强度。而且，第二检测部220向外部输出与该检测到的磁场的强度对应的信号。第二引线230与第二检测部220连接。

第三传感器30具有第三母线300、第三磁芯310、第三检测部320及第三引线330。

第三母线300由铜等形成为板状。另外，根据需要，对第三母线300的表面实施用于防止表面的氧化的镀敷。而且，第三母线300具有第三板部301、第五延长部302及第六延长部303。

第三板部301包含螺栓用第三孔304。在螺栓用第三孔304以及设置于逆变器的孔中插入有未图示的螺栓。由此，第三板部301与逆变器的一部分连接。

第五延长部302与第三板部301中的与螺栓用第三孔304相反的一侧连接。另外，第五延长部302从第五延长部302和第三板部301的边界部沿厚度方向DT延伸。

第六延长部303与第五延长部302中的与第三板部30相反的一侧连接。另外，第六延长部303从第六延长部303和第五延长部302的边界部沿长度方向DL延伸。而且，第六延长部303通过与逆变器的一部分焊接，从而与逆变器的一部分连接。

第三磁芯310由坡莫合金或方向性电磁钢板等软磁性材料形成为C字形。例如，第三磁芯310通过将板状的软磁性材料弯曲加工成C字形而形成。另外，第三磁芯310包含第三间隙形成部311、第三容易轴部312、第三困难轴部313及第三磁芯孔314。

第三间隙形成部311形成为沿宽度方向DW延伸的板状。另外，第三间隙形成部311在厚度方向DT上与第三母线300分离。而且，第三间隙形成部311中的宽度方向DW外侧的角部即第三横外侧角部C3_out_top为R形状。另外，第三横外侧角部C3_out_top和第二横外侧角部C2_out_top在宽度方向DW上彼此相向。另外，第三间隙形成部311包含第五磁芯端面315、第六磁芯端面316及第三间隙317。当将第六磁芯端面316在宽度方向DW上投影时，第五磁芯端面315与投影的第六磁芯端面316重叠。第三间隙317是由第五磁芯端面315及第六磁芯端面316划分形成的空间。而且，第三间隙317与第三磁芯孔314及第三磁芯310的外部连通。

在此，将与第五磁芯端面315及第六磁芯端面316在厚度方向DT上对置的第三板部301的面设为第三板面S3。在将第五磁芯端面315向厚度方向DT投影到第三板面S3时，将与投影的第五磁芯端面315重叠的第三板面S3的部分设为第五投影部Ps5。另外，在将第六磁芯端面316向厚度方向DT投影到第三板面S3时，将与投影的第六磁芯端面316重叠的第三板面S3的部分设为第六投影部Ps6。而且，将由第五投影部Ps5及第六投影部Ps6划分形成的第三板面S3的区域设为第三区域R3。而且，形成有从第三区域R3的至少一部分向厚度方向DT凹陷的第三凹部318。另外，第三凹部318形成为长方形形状。此外，第三凹部318并不限定于形成为长方形形状，也可以形成为多边形形状及圆形状。

第三容易轴部312与第三间隙形成部311连接。另外，第三容易轴部312从第三容易轴部312和第三间隙形成部311的边界部沿厚度方向DT延伸。而且，第三容易轴部312和第三间隙形成部311的边界部的内侧的第三横内侧角部C3_in_top为R形状。另外，第三容易轴部312在宽度方向DW上与第三母线300分离。

第三困难轴部313与第三容易轴部312连接。而且，第三困难轴部313沿宽度方向DW延伸。另外，第三困难轴部313的磁导率小于第三容易轴部312的磁导率。而且，第三困难轴部313的饱和磁通密度小于第三容易轴部312的饱和磁通密度。另外，第三困难轴部313的厚度方向DT的长度比第三容易轴部312的宽度方向DW的长度长。

第三磁芯孔314是由这些第三间隙形成部311、第三容易轴部312及第三困难轴部313形成的空间。在第三磁芯孔314中插入有第三母线300的第三板部301的一部分。

第三检测部320配置于第三间隙317。因此，当将第五磁芯端面315在宽度方向DW上投影时，第三检测部320与投影的第五磁芯端面315重叠。而且，当将第六磁芯端面316在宽度方向DW上投影时，第三检测部320与投影的第六磁芯端面316重叠。另外，第三检测部320例如具有未图示的霍尔元件、TMR元件、GMR元件、AMR元件。第三检测部320通过这些元件检测对第三检测部320施加的宽度方向DW的磁场的强度。而且，第三检测部320向外部输出与该检测到的磁场的强度对应的信号。第三引线330与第三检测部320连接。

基板50是印刷基板。另外，基板50通过软钎焊等与第一引线130、第二引线230及第三引线330连接。

端子60通过软钎焊等与基板50连接。而且，端子60与未图示的运算装置连接。

壳体70由PBT等热塑性树脂形成。例如，壳体70通过注塑成形而形成。另外，壳体70具有收纳部700、凸缘部701及固定用套环702。此外，PBT是Poly Butylene Terephthalate(聚对苯二甲酸丁二醇酯)的缩写。

收纳部700形成为矩形筒状。另外，收纳部700收纳有第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310、第一检测部120、第二检测部220、第三检测部320、第一引线130、第二引线230及第三引线330。而且，收纳部700收纳有基板50和端子60的一部分。另外，未图示的氨基甲酸酯等树脂被填充于收纳部700的空间。由此，收纳部700的内部被封闭，所以保护了收纳于收纳部700的各零件。而且，收纳部700收纳有第一母线100的第一延长部102、第二延长部103的一部分、第二母线200的第三延长部202、第四延长部203的一部分、第三母线300的第五延长部302和第六延长部303的一部分。另外，收纳部700包含第一开口部711、第二开口部712及第三开口部713。

第一开口部711的一部分插入到第一磁芯孔114中。另外，在第一开口部711的空间中插入有第一母线100的第一板部101的一部分。而且，第一开口部711包含第一对置面721及第一突出部731。第一对置面721在宽度方向DW及厚度方向DT上与第一板部101对置。第一突出部731从第一对置面721向厚度方向DT及宽度方向DW突出。另外，第一突出部731与第一板部101接触。由此，进行壳体70和第一母线100的定位。而且，在第一对置面721及第一板部101之间形成有第一空间741。

第二开口部712的一部分插入到第二磁芯孔214中。另外，在第二开口部712的空间中插入有第二母线200的第二板部201的一部分。而且，第二开口部712包含第二对置面722及第二突出部732。第二对置面722在宽度方向DW及厚度方向DT上与第二板部201对置。第二突出部732从第二对置面722向厚度方向DT及宽度方向DW突出。另外，第二突出部732与第二板部201接触。因此，进行壳体70和第二母线200的定位。而且，在第二对置面722及第二板部201之间形成有第二空间742。

第三开口部713的一部分插入到第三磁芯孔314中。另外，在第三开口部713的空间中插入有第三母线300的第三板部301的一部分。而且，第三开口部713包含第三对置面723及第三突出部733。第三对置面723在宽度方向DW及厚度方向DT上与第三板部301对置。第三突出部733从第三对置面723向厚度方向DT及宽度方向DW突出。另外，第三突出部733与第三板部301接触。由此，进行壳体70和第三母线300的定位。而且，在第三对置面723及第三板部301之间形成有第三空间743。

凸缘部701从收纳部700中的宽度方向DW侧的部位向宽度方向DW突出。另外，凸缘部701包含凸缘部孔704。凸缘部孔704在厚度方向DT上与外部连通。而且，在凸缘部孔704中插入有固定用套环702。而且，通过在该固定用套环702中插入未图示的外部的轴，将壳体70和外部连接，因此，电流传感器5与外部固定。

第一实施方式的电流传感器5如上构成。接着，对电流传感器5进行的逆变器的三相交流电流的检测进行说明。

第一传感器10中的第一母线100的第一板部101与逆变器的一部分连接。另外，第一母线100的第二延长部103与逆变器的一部分连接。因此，来自逆变器的交流电流在第一板部101流通。此时，通过在第一板部101流动的交流电流，产生以穿过第一板部101并且沿长度方向DL延伸的轴为中心的周向的磁场。另外，通过该产生的磁场，磁力线通过第一磁芯110，因此通过第一间隙117。因此，该磁力线通过第一检测部120。因此，第一检测部120检测出宽度方向DW的磁场的强度。由此，第一检测部120检测出与该磁场的强度对应的来自逆变器的电流。另外，第一检测部120将与该检测到的磁场的强度对应的信号经由第一引线130、基板50及端子60输出到外部的未图示的运算装置。而且，该运算装置基于来自第一检测部120的信号运算来自逆变器的电流。

在此，从第一间隙117漏出的磁场侵入第一板部101，由于逆变器的交流电流的频率的变化而产生磁场随时间的变化，因此产生与从逆变器流向第一板部101的电流的方向相反的方向的感应电动势。由于通过使基于该感应电动势的电流在第一板部101中流通而产生的磁场，对第一间隙117施加的磁场变化。因此，由电流传感器5检测到的电流产生误差。另外，随着逆变器的交流电流的频率变大，基于上述感应电动势的在第一板部101的表面流通的电流由于集肤效应而变大，因此对第一间隙117施加的磁场容易变化。由此，由电流传感器5检测到的电流容易产生误差。但是，在第一传感器10中，因为在第一板部101的第一区域R1形成有第一凹部118，所以第一板部101容易从第一间隙117分离。因此，抑制了从第一间隙117侵入第一板部101的磁力线，所以抑制了与在第一板部101流通的电流的方向相反的方向的感应电动势的产生。因此，由电流传感器5检测到的电流难以产生误差，因此电流传感器5的频率特性提高。

这样，第一传感器10检测逆变器的三相交流电流中的一相。另外，第二传感器20与第一传感器10同样，检测逆变器的三相交流电流中的一相。因此，在第二传感器20的说明中，将第一传感器10改写为第二传感器20。将第一母线100改写为第二母线200。将第一板部101改写为第二板部201。将第二延长部103改写为第四延长部203。将第一磁芯110改写为第二磁芯210。将第一间隙117改写为第二间隙217。将第一检测部120改写为第二检测部220。将第一引线130改写为第二引线230。将第一区域R1改写为第二区域R2。将第一凹部118改写为第二凹部218。另外，第三传感器30与第一传感器10同样，检测逆变器的三相交流电流中的一相。因此，在第三传感器30的说明中，将第一传感器10改写为第三传感器30。将第一母线100改写为第三母线300。将第一板部101改写为第三板部301。将第二延长部103改写为第六延长部303。将第一磁芯110改写为第三磁芯310。将第一间隙117改写为第三间隙317。将第一检测部120改写为第三检测部320。将第一引线130改写为第三引线330。将第一区域R1改写为第三区域R3。将第一凹部118改写为第三凹部318。

如上，电流传感器5检测逆变器的三相交流电流。接着，对在电流传感器5中频率特性的提高进行说明。

在此，在如专利文献1所记载的比较用电流传感器中，从磁芯间隙漏出的磁场侵入到母线中，由于交流电流的频率的变化而产生磁场随时间的变化，因此产生与在母线中流通的电流的方向相反的方向的感应电动势。由于通过使基于该感应电动势的电流在母线中流通而产生的磁场，对磁芯间隙施加的磁场变化。因此，由比较用电流传感器检测到的电流产生误差。因此，比较用电流传感器的频率特性降低。

与此相对，电流传感器5检测逆变器的交流电流。另外，电流传感器5具备第一母线100、第二母线200、第三母线300、第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310、第一检测部120、第二检测部220和第三检测部320。第一母线100、第二母线200及第三母线300形成为板状。第一磁芯110具有第一磁芯孔114和第一间隙形成部111。第一磁芯孔114中插入有第一母线100。第一间隙形成部111包含第一磁芯端面115、第二磁芯端面116及第一间隙117。第一磁芯端面115朝向宽度方向DW。第二磁芯端面116与第一磁芯端面115在宽度方向DW上对置。第一间隙117由第一磁芯端面115和第二磁芯端面116形成，并且与第一磁芯孔114和外部连通。第二磁芯210具有第二磁芯孔214和第二间隙形成部211。第二磁芯孔214中插入有第二母线200。第二间隙形成部211包含第三磁芯端面215、第四磁芯端面216及第二间隙217。第三磁芯端面215朝向宽度方向DW。第四磁芯端面216与第三磁芯端面215在宽度方向DW上对置。第二间隙217由第三磁芯端面215和第四磁芯端面216形成，并且与第二磁芯孔214和外部连通。第三磁芯310具有第三磁芯孔314和第三间隙形成部311。第三磁芯孔314中插入有第三母线300。第三间隙形成部311包含第五磁芯端面315、第六磁芯端面316及第三间隙317。第五磁芯端面315朝向宽度方向DW。第六磁芯端面316与第五磁芯端面315在宽度方向DW上对置。第三间隙317由第五磁芯端面315和第六磁芯端面316形成，并且与第三磁芯孔314和外部连通。另外，第一母线100具有第一投影部Ps1、第二投影部Ps2、第一区域R1和第一凹部118。第一投影部Ps1是在将第一磁芯端面115向厚度方向DT投影到第一母线100时与投影的第一磁芯端面115重叠的第一母线100的部分。第二投影部Ps2是在将第二磁芯端面116向厚度方向DT投影到第一母线100时与投影的第二磁芯端面116重叠的第一母线100的部分。第一区域R1是第一投影部Ps1及第二投影部Ps2之间的区域。第一凹部118从第一区域R1向厚度方向DT凹陷。而且，第二母线200具有第三投影部Ps3、第四投影部Ps4、第二区域R2和第二凹部218。第三投影部Ps3是在将第三磁芯端面215向厚度方向DT投影到第二母线200时与投影的第三磁芯端面215重叠的第二母线200的部分。第四投影部Ps4是在将第四磁芯端面216向厚度方向DT投影到第二母线200时与投影的第四磁芯端面216重叠的第二母线200的部分。第二区域R2是第三投影部Ps3及第四投影部Ps4之间的区域。第二凹部218从第二区域R2向厚度方向DT凹陷。另外，第三母线300具有第五投影部Ps5、第六投影部Ps6、第三区域R3和第三凹部318。第五投影部Ps5是在将第五磁芯端面315向厚度方向DT投影到第三母线300时与投影的第五磁芯端面315重叠的第三母线300的部分。第六投影部Ps6是在将第六磁芯端面316向厚度方向DT投影到第三母线300时与投影的第六磁芯端面316重叠的第三母线300的部分。第三区域R3是第五投影部Ps5及第六投影部Ps6之间的区域。第三凹部318从第三区域R3向厚度方向DT凹陷。此外，第一母线100、第二母线200及第三母线300与母线对应。第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310与磁芯对应。第一检测部120、第二检测部220及第三检测部320与检测部对应。第一磁芯孔114、第二磁芯孔214及第三磁芯孔314与磁芯孔对应。第一间隙形成部111、第二间隙形成部211及第三间隙形成部311与间隙形成部对应。第一磁芯端面115、第三磁芯端面215及第五磁芯端面315与第一端面对应。第二磁芯端面116、第四磁芯端面216及第六磁芯端面316与第二端面对应。第一间隙117、第二间隙217及第三间隙317与间隙对应。第三投影部Ps3及第五投影部Ps5与第一投影部Ps1对应。第四投影部Ps4及第六投影部Ps6与第二投影部Ps2对应。第一区域R1、第二区域R2及第三区域R3与区域对应。第一凹部118、第二凹部218及第三凹部318与凹部对应。

通过第一凹部118，第一板部101容易从第一间隙117分离。因此，可抑制从第一间隙117侵入第一板部101的磁力线。另外，通过第二凹部218，第二板部201容易从第二间隙217分离。由此，可抑制从第二间隙217侵入第二板部201的磁力线。而且，通过第三凹部318，第三板部301容易从第三间隙317分离。因此，可抑制从第三间隙317侵入第三板部301的磁力线。由此，可抑制与流向第一板部101、第二板部201及第三板部301的电流的方向相反的方向的感应电动势的产生。因此，由电流传感器5检测到的电流难以产生误差，因此电流传感器5的频率特性提高。

另外，在电流传感器5中，还起到了下述所记载的效果。

[1-1]如上所述，因为第一困难轴部113的磁导率小于第一容易轴部112的磁导率，所以第一容易轴部112的磁导率大于第一困难轴部113的磁导率。由此，如图4所示，第一容易轴部112的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域大于第一困难轴部113的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域。因此，抑制了第一容易轴部112的磁饱和，所以能够减小第一容易轴部112的宽度方向DW及长度方向DL的长度。另外，第二容易轴部212的磁导率大于第二困难轴部213的磁导率。由此，抑制了第二容易轴部212的磁饱和，所以能够减小第二容易轴部212的宽度方向DW及长度方向DL的长度。而且，第三容易轴部312的磁导率大于第三困难轴部313的磁导率。因此，抑制了第三容易轴部312的磁饱和，所以能够减小第三容易轴部312的宽度方向DW及长度方向DL的长度。因此，能够减小电流传感器5的外型。此外，在图4中，相对于磁场的强度而言的第一容易轴部112的磁通密度由Be1表示。另外，相对于磁场的强度而言的第一困难轴部113的磁通密度由Bd1表示。而且，第一容易轴部112、第二容易轴部212及第三容易轴部312与磁芯横部对应。另外，第一困难轴部113、第二困难轴部213及第三困难轴部313与磁芯底部对应。

另外，因为抑制了第一容易轴部112、第二容易轴部212及第三容易轴部312的磁饱和，所以由电流传感器5相对于来自逆变器的电流而检测到的磁的强度的范围变大。由此，由电流传感器5检测到的电流的大小的范围变大。

[1-2]第一容易轴部112的饱和磁通密度大于第一困难轴部113的饱和磁通密度。由此，第一容易轴部112的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域大于第一困难轴部113的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域。因此，抑制了第一容易轴部112的磁饱和，所以能够减小第一容易轴部112的宽度方向DW及长度方向DL的长度。另外，第二容易轴部212的饱和磁通密度大于第二困难轴部213的饱和磁通密度。由此，抑制了第二容易轴部212的磁饱和，所以能够减小第二容易轴部212的宽度方向DW及长度方向DL的长度。而且，第三容易轴部312的饱和磁通密度大于第三困难轴部313的饱和磁通密度。因此，抑制了第三容易轴部312的磁饱和，所以能够减小第三容易轴部312的宽度方向DW及长度方向DL的长度。因此，能够减小电流传感器5的外型。

另外，因为抑制了第一容易轴部112、第二容易轴部212及第三容易轴部312的磁饱和，所以由电流传感器5相对于来自逆变器的电流而检测到的磁的强度的范围变大。由此，由电流传感器5检测到的电流的大小的范围变大。

[1-3]第一困难轴部113的厚度方向DT的长度为第一容易轴部112的宽度方向DW的长度以上。由此，对第一困难轴部113施加的磁通密度比对第一容易轴部112施加的磁通密度低。因此，抑制了第一困难轴部113的磁饱和。另外，第二困难轴部213的厚度方向DT的长度为第二容易轴部212的宽度方向DW的长度以上。由此，对第二困难轴部213施加的磁通密度比对第二容易轴部212施加的磁通密度低。因此，抑制了第二困难轴部213的磁饱和。而且，第三困难轴部313的厚度方向DT的长度为第三容易轴部312的宽度方向DW的长度以上。由此，对第三困难轴部313施加的磁通密度比对第三容易轴部312施加的磁通密度低。因此，抑制了第三困难轴部313的磁饱和。

另外，因为抑制了第一困难轴部113、第二困难轴部213及第三困难轴部313的磁饱和，所以由电流传感器5相对于来自逆变器的电流而检测到的磁的强度的范围变大。由此，由电流传感器5检测到的电流的大小的范围变大。

[1-4]电流传感器5还具备壳体70。壳体70收纳有第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310。而且，壳体70具有第一开口部711、第二开口部712及第三开口部713。第一开口部711插入到第一磁芯孔114中，并且插入有第一母线100。另外，第一开口部711包含第一对置面721和第一突出部731。第一对置面721与第一板部101对置。第一突出部731通过从第一对置面721朝向第一母线100突出而与第一母线100接触。而且，在第一对置面721及第一母线100之间形成有第一空间741。第二开口部712插入到第二磁芯孔214中，并且插入有第二母线200。另外，第二开口部712包含第二对置面722和第二突出部732。第二对置面722与第二板部201对置。第二突出部732通过从第二对置面722朝向第二母线200突出而与第二母线200接触。而且，在第二对置面722及第二板部201之间形成有第二空间742。第三开口部713插入到第三磁芯孔314中，并且插入有第三母线300。另外，第三开口部713包含第三对置面723和第三突出部733。第三对置面723与第三板部301对置。第三突出部733通过从第三对置面723朝向第三母线300突出而与第三母线300接触。而且，在第三对置面723及第三母线300之间形成有第三空间743。此外，第一开口部711、第二开口部712及第三开口部713与开口部对应。第一对置面721、第二对置面722及第三对置面723与对置面对应。第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733与突出部对应。

在此，通过在第一母线100、第二母线200及第三母线300中流通电流，第一母线100、第二母线200及第三母线300发热。但是，在电流传感器5中，由第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733形成有第一空间741、第二空间742及第三空间743。由此，由第一母线100、第二母线200及第三母线300产生的热难以传递到壳体70。因此，难以从壳体70向第一检测部120、第二检测部220及第三检测部320传递热。因此，抑制了第一检测部120、第二检测部220及第三检测部320的元件的特性变化及故障。

而且，通过使第一突出部731与第一板部101接触，进行壳体70和第一母线100的定位。由此，壳体70和第一母线100的位置偏差减小。另外，通过使第二突出部732与第二板部201接触，进行壳体70和第二母线200的定位。因此，壳体70和第二母线200的位置偏差减小。而且，通过使第三突出部733与第三板部301接触，进行壳体70和第三母线300的定位。由此，壳体70和第三母线300的位置偏差减小。

(第二实施方式)

在第二实施方式中，如图5所示，第一板部101、第二板部201及第三板部301的形态与第一实施方式不同。除了这些以外，与第一实施方式相同。

第一板部101包含第一贯通孔119来取代第一凹部118。第一贯通孔119从第一区域R1的至少一部分沿厚度方向DT贯通。第二板部201包含第二贯通孔219来取代第二凹部218。第二贯通孔219从第二区域R2的至少一部分沿厚度方向DT贯通。第三板部301包含第三贯通孔319来取代第三凹部318。第三贯通孔319从第三区域R3的至少一部分沿厚度方向DT贯通。另外，第一贯通孔119、第二贯通孔219及第三贯通孔319形成为长方形形状。此外，第一贯通孔119、第二贯通孔219及第三贯通孔319与贯通孔对应。而且，第一贯通孔119、第二贯通孔219及第三贯通孔319不限定于形成为长方形形状，也可以形成为多边形形状及圆形状。

第二实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二实施方式中，也起到了与第一实施方式同样的效果。

(第三实施方式)

在第三实施方式中，如图6及图7所示，第一间隙形成部111、第二间隙形成部211及第三间隙形成部311的形态与第一实施方式不同。除了这些以外，与第一实施方式相同。

第一间隙形成部111除了第一磁芯端面115、第二磁芯端面116及第一间隙117之外，还包括第一倾斜面151及第二倾斜面152。

第一倾斜面151与第一磁芯端面115的边缘连接。另外，第一倾斜面151从第一磁芯端面115的边缘沿与第一磁芯端面115交叉的方向延伸。由此，第一倾斜面151向远离第一间隙117的方向相对于第一磁芯端面115倾斜。

第二倾斜面152与第二磁芯端面116的边缘连接。而且，第二倾斜面152从第二磁芯端面116的边缘沿与第二磁芯端面116交叉的方向延伸。因此，第二倾斜面152向远离第一间隙117的方向相对于第二磁芯端面116倾斜。

第二间隙形成部211除了第三磁芯端面215、第四磁芯端面216及第二间隙217之外，还包含第三倾斜面251及第四倾斜面252。

第三倾斜面251与第三磁芯端面215的边缘连接。另外，第三倾斜面251从第三磁芯端面215的边缘沿与第三磁芯端面215交叉的方向延伸。由此，第三倾斜面251向远离第二间隙217的方向相对于第三磁芯端面215倾斜。

第四倾斜面252与第四磁芯端面216的边缘连接。而且，第四倾斜面252从第四磁芯端面216的边缘沿与第四磁芯端面216交叉的方向延伸。因此，第四倾斜面252向远离第二间隙217的方向相对于第四磁芯端面216倾斜。

第三间隙形成部311除了第五磁芯端面315、第六磁芯端面316及第三间隙317之外，还包含第五倾斜面351及第六倾斜面352。

第五倾斜面351与第五磁芯端面315的边缘连接。另外，第五倾斜面351从第五磁芯端面315的边缘沿与第五磁芯端面315交叉的方向延伸。由此，第五倾斜面351向远离第三间隙317的方向相对于第五磁芯端面315倾斜。

第六倾斜面352与第六磁芯端面316的边缘连接。而且，第六倾斜面352从第六磁芯端面316的边缘沿与第六磁芯端面316交叉的方向延伸。因此，第六倾斜面352向远离第三间隙317的方向相对于第六磁芯端面316倾斜。

第三实施方式的电流传感器5如上构成。在该第三实施方式中，也起到了与第一实施方式同样的效果。另外，第三实施方式还起到了下述所记载的效果。

[2]在此，在没有第一倾斜面151及第二倾斜面152的情况下，多余的磁力线从第一间隙形成部111的角部通过第一间隙117。但是，在第三实施方式中，通过第一倾斜面151及第二倾斜面152，第一间隙形成部111的角部容易从第一间隙117分离。因此，与没有第一倾斜面151及第二倾斜面152的情况比较，从第一间隙形成部111的角部通过第一间隙117的多余的磁力线的数量减少。由此，抑制了第一间隙形成部111的磁饱和。另外，通过第三倾斜面251及第四倾斜面252，第二间隙形成部211的角部容易从第二间隙217分离。因此，与没有第三倾斜面251及第四倾斜面252的情况比较，从第二间隙形成部211的角部通过第二间隙217的多余的磁力线的数量减少。由此，抑制了第二间隙形成部211的磁饱和。而且，通过第五倾斜面351及第六倾斜面352，第三间隙形成部311的角部容易从第三间隙317分离。因此，与没有第五倾斜面351及第六倾斜面352的情况比较，从第三间隙形成部311的角部通过第三间隙317的多余的磁力线的数量减少。由此，抑制了第三间隙形成部311的磁饱和。因此，因为抑制了第一间隙形成部111、第二间隙形成部211及第三间隙形成部311的磁饱和，所以由电流传感器5相对于来自逆变器的电流而检测到的磁的强度的范围变大。因此，由电流传感器5检测到的电流的大小的范围变大。此外，第一倾斜面151、第三倾斜面251及第五倾斜面351和与第一端面的边缘连接并且从第一端面的边缘向远离间隙的方向延伸的第一面对应。另外，第二倾斜面152、第四倾斜面252及第六倾斜面352和与第二端面的边缘连接并且从第二端面的边缘向远离间隙的方向延伸的第二面对应。而且，第一倾斜面151和第一磁芯端面115所成的角度也可以是90度。另外，第二倾斜面152和第二磁芯端面116所成的角度也可以是90度。而且，第三倾斜面251和第三磁芯端面215所成的角度也可以是90度。另外，第四倾斜面252和第四磁芯端面216所成的角度也可以是90度。而且，第五倾斜面351和第五磁芯端面315所成的角度也可以是90度。另外，第六倾斜面352和第六磁芯端面316所成的角度也可以是90度。

(第四实施方式)

在第四实施方式中，如图8所示，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的形态与第一实施方式不同。除了这些以外，与第一实施方式相同。

第一磁芯110包含第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131来取代第一容易轴部112及第一困难轴部113。

第一磁芯横部1121与第一间隙形成部111连接。另外，第一磁芯横部1121从第一磁芯横部1121和第一间隙形成部111的边界部沿厚度方向DT延伸。而且，第一磁芯横部1121和第一间隙形成部111的边界部的内侧的第一横内侧角部C1_in_top为R形状。另外，第一磁芯横部1121在宽度方向DW上与第一母线100分离。

第一磁芯底部1131与第一磁芯横部1121连接。而且，第一磁芯底部1131沿宽度方向DW延伸。另外，第一磁芯底部1131的磁导率大于第一磁芯横部1121的磁导率。而且，第一磁芯底部1131的饱和磁通密度大于第一磁芯横部1121的饱和磁通密度。另外，第一磁芯底部1131的厚度方向DT的长度比第一磁芯横部1121的宽度方向DW的长度短。此外，第一磁芯孔114是由第一间隙形成部111、第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131形成的空间。

第二磁芯210包括第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132来取代第二容易轴部212及第二困难轴部213。

第二磁芯横部2122与第二间隙形成部211连接。另外，第二磁芯横部2122沿厚度方向DT延伸。而且，第二磁芯横部2122和第二间隙形成部211的边界部的内侧的第二横内侧角部C2_in_top为R形状。另外，第二磁芯横部2122在宽度方向DW上与第二母线200分离。

第二磁芯底部2132与第二磁芯横部2122连接。而且，第二磁芯底部2132沿宽度方向DW延伸。另外，第二磁芯底部2132的磁导率大于第二磁芯横部2122的磁导率。而且，第二磁芯底部2132的饱和磁通密度大于第二磁芯横部2122的饱和磁通密度。另外，第二磁芯底部2132的厚度方向DT的长度比第二磁芯横部2122的宽度方向DW的长度短。此外，第二磁芯孔214是由第二间隙形成部211、第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132形成的空间。

第三磁芯310包括第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133来取代第三容易轴部312及第三困难轴部313。

第三磁芯横部3123与第三间隙形成部311连接。另外，第三磁芯横部3123从第三磁芯横部3123和第三间隙形成部311的边界部沿厚度方向DT延伸。而且，第三磁芯横部3123和第三间隙形成部311的边界部的内侧的第三横内侧角部C3_in_top为R形状。另外，第三磁芯横部3123在宽度方向DW上与第三母线300分离。

第三磁芯底部3133与第三磁芯横部3123连接。而且，第三磁芯底部3133沿宽度方向DW延伸。另外，第三磁芯底部3133的磁导率大于第三磁芯横部3123的磁导率。而且，第三磁芯底部3133的饱和磁通密度大于第三磁芯横部3123的饱和磁通密度。另外，第三磁芯底部3133的厚度方向DT的长度比第三磁芯横部3123的宽度方向DW的长度短。此外，第三磁芯孔314是由第三间隙形成部311、第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133形成的空间。

第四实施方式的电流传感器5如上构成。在该第四实施方式中，也起到了与第一实施方式同样的效果。另外，第四实施方式还起到了以下记载的效果。

[3]厚度方向DT上的第一磁芯底部1131的长度小于宽度方向DW上的第一磁芯横部1121的长度。由此，对第一磁芯横部1121施加的磁通密度比对第一磁芯底部1131施加的磁通密度低。因此，抑制了第一磁芯横部1121的磁饱和。另外，厚度方向DT上的第二磁芯底部2132的长度小于宽度方向DW上的第二磁芯横部2122的长度。由此，对第二磁芯横部2122施加的磁通密度比对第二磁芯底部2132施加的磁通密度低。因此，抑制了第二磁芯横部2122的磁饱和。而且，厚度方向DT上的第三磁芯底部3133的长度小于宽度方向DW上的第三磁芯横部3123的长度。由此，对第三磁芯横部3123施加的磁通密度比对第三磁芯底部3133施加的磁通密度低。因此，抑制了第三磁芯横部3123的磁饱和。

另外，第一磁芯横部1121的磁导率小于第一磁芯底部1131的磁导率。由此，第一磁芯底部1131的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域大于第一磁芯横部1121的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域。因此，抑制了第一磁芯底部1131的磁饱和，所以能够减小第一磁芯底部1131的厚度方向DT及长度方向DL的长度。而且，第二磁芯横部2122的磁导率小于第二磁芯底部2132的磁导率。由此，第二磁芯底部2132的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域大于第二磁芯横部2122的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域。因此，抑制了第二磁芯底部2132的磁饱和，所以能够减小第二磁芯底部2132的厚度方向DT及长度方向DL的长度。另外，第三磁芯横部3123的磁导率小于第三磁芯底部3133的磁导率。由此，第三磁芯底部3133的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域大于第三磁芯横部3123的磁通密度相对于磁场的强度的线性区域。因此，抑制了第三磁芯底部3133的磁饱和，所以能够减小第三磁芯底部3133的厚度方向DT及长度方向DL的长度。

(第五实施方式)

在第五实施方式中，如图9所示，第一磁芯横部1121、第一磁芯底部1131、第二磁芯横部2122、第二磁芯底部2132、第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133的形态与第四实施方式不同。除了这些以外，与第四实施方式相同。

在第五实施方式中，厚度方向DT上的第一磁芯底部1131的长度和宽度方向DW上的第一磁芯横部1121的长度相同。另外，第一磁芯横部1121的磁导率和第一磁芯底部1131的磁导率不同。例如，第一磁芯横部1121的磁导率大于第一磁芯底部1131的磁导率。此外，在此，“相同”包括制造误差范围。另外，第一磁芯横部1121的磁导率也可以小于第一磁芯底部1131的磁导率。

厚度方向DT上的第二磁芯底部2132的长度和宽度方向DW上的第二磁芯横部2122的长度相同。另外，第二磁芯横部2122的磁导率和第二磁芯底部2132的磁导率不同。例如，第二磁芯横部2122的磁导率大于第二磁芯底部2132的磁导率。此外，第二磁芯横部2122的磁导率也可以小于第二磁芯底部2132的磁导率。

厚度方向DT上的第三磁芯底部3133的长度和宽度方向DW上的第三磁芯横部3123的长度相同。另外，第三磁芯横部3123的磁导率和第三磁芯底部3133的磁导率不同。例如，第三磁芯横部3123的磁导率大于第三磁芯底部3133的磁导率。此外，第三磁芯横部3123的磁导率也可以小于第三磁芯底部3133的磁导率。

第五实施方式的电流传感器5如上构成。在该第五实施方式中，也起到了与第四实施方式同样的效果。另外，第五实施方式还起到了以下记载的效果。

[4]因为第一磁芯横部1121的磁导率和第一磁芯底部1131的磁导率不同，所以第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131中的某一个的磁导率大。由此，在第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131的某一个中，能够增大磁通密度相对于磁场的强度的线性区域。因此，抑制了第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131中的某一个的磁饱和。随之，能够减小第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131中的某一个。另外，因为第二磁芯横部2122的磁导率和第二磁芯底部2132的磁导率不同，所以能够增大第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132中的某一个的磁导率。由此，在第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132的某一个中，能够增大磁通密度相对于磁场的强度的线性区域。因此，抑制了第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132中的某一个的磁饱和。随之，能够减小第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132中的某一个。而且，因为第三磁芯横部3123的磁导率和第三磁芯底部3133的磁导率不同，所以能够增大第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133中的某一个的磁导率。由此，在第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133的某一个中，能够增大磁通密度相对于磁场的强度的线性区域。因此，抑制了第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133中的某一个的磁饱和。随之，能够减小第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133中的某一个。

(第六实施方式)

在第六实施方式中，如图10所示，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的形态与第一实施方式不同。除了这些以外，与第一实施方式相同。

第一磁芯110包含第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131来取代第一容易轴部112及第一困难轴部113。

第一磁芯横部1121与第一间隙形成部111连接。另外，第一磁芯横部1121从第一磁芯横部1121和第一间隙形成部111的边界部沿厚度方向DT延伸。而且，第一磁芯横部1121和第一间隙形成部111的边界部的内侧的第一横内侧角部C1_in_top为R形状。另外，第一磁芯横部1121在宽度方向DW上与第一母线100分离。此外，与上述同样，第一间隙形成部111在厚度方向DT上与第一母线100分离。

第一磁芯底部1131与第一磁芯横部1121连接。而且，第一磁芯底部1131沿宽度方向DW延伸。另外，第一磁芯底部1131的磁导率小于第一磁芯横部1121的磁导率。而且，第一磁芯底部1131的饱和磁通密度小于第一磁芯横部1121的饱和磁通密度。另外，第一磁芯底部1131的厚度方向DT的长度比第一磁芯横部1121的宽度方向DW的长度长。此外，与上述同样，第一磁芯孔114是由第一间隙形成部111、第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131形成的空间。

第二磁芯210包含第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132来取代第二容易轴部212及第二困难轴部213。

第二磁芯横部2122与第二间隙形成部211连接。另外，第二磁芯横部2122从第二磁芯横部2122和第二间隙形成部211的边界部沿厚度方向DT延伸。而且，第二磁芯横部2122和第二间隙形成部211的边界部的内侧的第二横内侧角部C2_in_top为R形状。另外，第二磁芯横部2122在宽度方向DW上与第二母线200分离。此外，与上述同样，第二间隙形成部211在厚度方向DT上与第二母线200分离。

第二磁芯底部2132与第二磁芯横部2122连接。而且，第二磁芯底部2132沿宽度方向DW延伸。另外，第二磁芯底部2132的磁导率小于第二磁芯横部2122的磁导率。而且，第二磁芯底部2132的饱和磁通密度小于第二磁芯横部2122的饱和磁通密度。另外，第二磁芯底部2132的厚度方向DT的长度比第二磁芯横部2122的宽度方向DW的长度长。此外，与上述同样，第二磁芯孔214是由第二间隙形成部211、第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132形成的空间。

第三磁芯310包含第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133来取代第三容易轴部312及第三困难轴部313。

第三磁芯横部3123与第三间隙形成部311连接。另外，第三磁芯横部3123从第三磁芯横部3123和第三间隙形成部311的边界部沿厚度方向DT延伸。而且，第三磁芯横部3123和第三间隙形成部311的边界部的内侧的第三横内侧角部C3_in_top为R形状。另外，第三磁芯横部3123在宽度方向DW上与第三母线300分离。此外，与上述同样，第三间隙形成部311在厚度方向DT上与第三母线300分离。

第三磁芯底部3133与第三磁芯横部3123连接。而且，第三磁芯底部3133沿宽度方向DW延伸。另外，第三磁芯底部3133的磁导率小于第三磁芯横部3123的磁导率。而且，第三磁芯底部3133的饱和磁通密度小于第三磁芯横部3123的饱和磁通密度。另外，第三磁芯底部3133的厚度方向DT的长度比第三磁芯横部3123的宽度方向DW的长度长。此外，与上述同样，第三磁芯孔314是由第三间隙形成部311、第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133形成的空间。

第六实施方式的电流传感器5如上构成。在该第六实施方式中，也起到了与第一实施方式同样的效果。另外，第六实施方式还起到了以下记载的效果。

[5-1]第一横内侧角部C1_in_top、第二横内侧角部C2_in_top及第三横内侧角部C3_in_top为R形状。由此，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的内部的磁路长度变短，所以第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的内部的反磁场的强度变大。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁通密度。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁饱和。

[5-2]第一间隙形成部111在厚度方向DT上与第一母线100分离，并且第一磁芯横部1121在宽度方向DW上与第一母线100分离。由此，抑制了第一母线100和第一磁芯110的接触。另外，第二间隙形成部211在厚度方向DT上与第二母线200分离，并且第二磁芯横部2122在宽度方向DW上与第二母线200分离。因此，抑制了第二母线200和第二磁芯210的接触。而且，第三间隙形成部311在厚度方向DT上与第三母线300分离，并且第三磁芯横部3123在宽度方向DW上与第三母线300分离。由此，抑制了第三母线300和第三磁芯310的接触。

(第七实施方式)

在第七实施方式中，如图11所示，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的形态与第一实施方式不同。除了这些以外，与第六实施方式相同。

第一磁芯110除了第一横内侧角部C1_in_top以外，还具有第一底内侧角部C1_in_btm。第一底内侧角部C1_in_btm是第一磁芯横部1121和第一磁芯底部1131的边界部的内侧的角部，形成为R形状。另外，第一磁芯底部1131在厚度方向DT上与第一母线100分离。

第二磁芯210除了第二横内侧角部C2_in_top以外，还具有第二底内侧角部C2_in_btm。第二底内侧角部C2_in_btm是第二磁芯横部2122和第二磁芯底部2132的边界部的内侧的角部，形成为R形状。另外，第二磁芯底部2132在厚度方向DT上与第二母线200分离。

第三磁芯310除了第三横内侧角部C3_in_top以外，还具有第三底内侧角部C3_in_btm。第三底内侧角部C3_in_btm是第三磁芯横部3123和第三磁芯底部3133的边界部的内侧的角部，形成为R形状。另外，第三磁芯底部3133在厚度方向DT上与第三母线300分离。

第七实施方式的电流传感器5如上构成。在该第七实施方式中，也起到了与第六实施方式同样的效果。另外，第七实施方式还起到了以下记载的效果。

[6-1]第一底内侧角部C1_in_btm、第二底内侧角部C2_in_btm及第三底内侧角部C3_in_btm为R形状。由此，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的内部的磁路长度变短，所以第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的内部的反磁场的强度变大。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁通密度。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁饱和。

[6-2]第一磁芯底部1131在厚度方向DT上与第一母线100分离。由此，抑制了第一母线100和第一磁芯底部1131的接触。另外，第二磁芯底部2132在厚度方向DT上与第二母线200分离。因此，抑制了第二母线200和第二磁芯底部2132的接触。而且，第三磁芯底部3133在厚度方向DT上与第三母线300分离。由此，抑制了第三母线300和第三磁芯底部3133的接触。

(第八实施方式)

在第八实施方式中，如图12所示，第一横内侧角部C1_in_top及第一底内侧角部C1_in_btm的形态与第七实施方式不同。另外，第二横内侧角部C2_in_top及第二底内侧角部C2_in_btm的形态与第七实施方式不同。而且，第三横内侧角部C3_in_top及第三底内侧角部C3_in_btm的形态与第七实施方式不同。除了这些以外，与第七实施方式相同。

第一横内侧角部C1_in_top为与第一间隙形成部111的内表面及第一磁芯横部1121的内表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。第一底内侧角部C1_in_btm为与第一磁芯横部1121的内表面及第一磁芯底部1131的内表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。

第二横内侧角部C2_in_top为与第二间隙形成部211的内表面及第二磁芯横部2122的内表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。第二底内侧角部C2_in_btm为与第二磁芯横部2122的内表面及第二磁芯底部2132的内表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。

第三横内侧角部C3_in_top为与第三间隙形成部311的内表面及第三磁芯横部3123的内表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。第三底内侧角部C3_in_btm为与第三磁芯横部3123的内表面及第三磁芯底部3133的内表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。

第八实施方式的电流传感器5如上构成。在该第八实施方式中，也起到了与第七实施方式同样的效果。

(第九实施方式)

在第九实施方式中，如图13所示，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的形态与第一实施方式不同。除了这些以外，与第一实施方式相同。

第一磁芯110包含第一间隙形成部111及第一磁芯孔114，并且包含第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131来取代第一容易轴部112及第一困难轴部113。

第一磁芯横部1121与第一间隙形成部111连接。另外，第一磁芯横部1121从第一磁芯横部1121和第一间隙形成部111的边界部沿厚度方向DT延伸。此外，与上述同样，第一间隙形成部111中的宽度方向DW外侧的角部即第一横外侧角部C1_out_top为R形状。

第一磁芯底部1131与第一磁芯横部1121连接。而且，第一磁芯底部1131沿宽度方向DW延伸。另外，第一磁芯底部1131的磁导率小于第一磁芯横部1121的磁导率。而且，第一磁芯底部1131的饱和磁通密度小于第一磁芯横部1121的饱和磁通密度。另外，第一磁芯底部1131的厚度方向DT的长度比第一磁芯横部1121的宽度方向DW的长度长。此外，与上述同样，第一磁芯孔114是由第一间隙形成部111、第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131形成的空间。

第二磁芯210包含第二间隙形成部211及第二磁芯孔214，并且包含第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132来取代第二容易轴部212及第二困难轴部213。

第二磁芯横部2122与第二间隙形成部211连接。另外，第二磁芯横部2122从第二磁芯横部2122和第二间隙形成部211的边界部沿厚度方向DT延伸。此外，与上述同样，第二间隙形成部211中的宽度方向DW外侧的角部即第二横外侧角部C2_out_top为R形状。另外，第二横外侧角部C2_out_top和第一横外侧角部C1_out_top在宽度方向DW上彼此相向。

第二磁芯底部2132与第二磁芯横部2122连接。而且，第二磁芯底部2132沿宽度方向DW延伸。另外，第二磁芯底部2132的磁导率小于第二磁芯横部2122的磁导率。而且，第二磁芯底部2132的饱和磁通密度小于第二磁芯横部2122的饱和磁通密度。另外，第二磁芯底部2132的厚度方向DT的长度比第二磁芯横部2122的宽度方向DW的长度长。此外，与上述同样，第二磁芯孔214是由第二间隙形成部211、第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132形成的空间。

第三磁芯310包含第三间隙形成部311及第三磁芯孔314，并且包含第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133来取代第三容易轴部312及第三困难轴部313。

第三磁芯横部3123与第三间隙形成部311连接。另外，第三磁芯横部3123从第三磁芯横部3123和第三间隙形成部311的边界部沿厚度方向DT延伸。此外，与上述同样，第三间隙形成部311中的宽度方向DW外侧的角部即第三横外侧角部C3_out_top为R形状。而且，第三横外侧角部C3_out_top和第二横外侧角部C2_out_top在宽度方向DW上彼此相向。

第三磁芯底部3133与第三磁芯横部3123连接。而且，第三磁芯底部3133沿宽度方向DW延伸。另外，第三磁芯底部3133的磁导率小于第三磁芯横部3123的磁导率。而且，第三磁芯底部3133的饱和磁通密度小于第三磁芯横部3123的饱和磁通密度。另外，第三磁芯底部3133的厚度方向DT的长度比第三磁芯横部3123的宽度方向DW的长度长。此外，与上述同样，第三磁芯孔314是由第三间隙形成部311、第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133形成的空间。

第九实施方式的电流传感器5如上构成。在第九实施方式中，也起到了与第一实施方式同样的效果。另外，第九实施方式还起到了以下记载的效果。

[7]第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310在宽度方向DW上以第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310的顺序排列。另外，在宽度方向DW上彼此相向的第一横外侧角部C1_out_top及第二横外侧角部C2_out_top为R形状。由此，第一间隙形成部111及第二间隙形成部211之间的宽度方向DW的最大距离比不为R形状的情况大。而且，在宽度方向DW上彼此相向的第二横外侧角部C2_out_top及第三横外侧角部C3_out_top为R形状。由此，第二间隙形成部211及第三间隙形成部311之间的宽度方向DW的最大距离比不为R形状的情况大。因此，彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210之间、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310之间的磁阻变高。因此，难以由彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310形成磁路径。由此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310整体的磁阻的降低。因此，抑制了彼此相邻的磁芯间的影响所引起的第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁通密度的上升，所以抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁饱和。

(第十实施方式)

在第十实施方式中，如图14所示，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的形态与第九实施方式不同。除了这些以外，与第九实施方式相同。

第一磁芯110除了第一横外侧角部C1_out_top以外，还具有第一底外侧角部C1_out_btm。第一底外侧角部C1_out_btm是第一磁芯底部1131中的宽度方向DW外侧的角部，形成为R形状。

第二磁芯210除了第二横外侧角部C2_out_top以外，还具有第二底外侧角部C2_out_btm。第二底外侧角部C2_out_btm是第二磁芯底部2132中的宽度方向DW外侧的角部，形成为R形状。另外，第二底外侧角部C2_out_btm和第一底外侧角部C1_out_btm在宽度方向DW上彼此相向。

第三磁芯310除了第三横外侧角部C3_out_top以外，还具有第三底外侧角部C3_out_btm。第三底外侧角部C3_out_btm是第三磁芯底部3133中的宽度方向DW外侧的角部，形成为R形状。另外，第三底外侧角部C3_out_btm和第二底外侧角部C2_out_btm在宽度方向DW上彼此相向。

第十实施方式的电流传感器5如上构成。在第十实施方式中，也起到了与第九实施方式同样的效果。另外，第十实施方式还起到了以下记载的效果。

[8]在宽度方向DW上彼此相向的第一底外侧角部C1_out_btm及第二底外侧角部C2_out_btm为R形状。由此，第一磁芯底部1131及第二磁芯底部2132之间的宽度方向DW的最大距离比不为R形状的情况大。另外，在宽度方向DW上彼此相向的第二底外侧角部C2_out_btm及第三底外侧角部C3_out_btm为R形状。由此，第二磁芯底部2132及第三磁芯底部3133之间的宽度方向DW的最大距离比不为R形状的情况大。因此，彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210之间、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310之间的磁阻变高。因此，难以由彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310形成磁路径。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310整体的磁阻的降低。因此，抑制了彼此相邻的磁芯间的影响所引起的第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁通密度的上升，所以抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁饱和。

(第十一实施方式)

在第十一实施方式中，如图15所示，第一横外侧角部C1_out_top及第一底外侧角部C1_out_btm与第十实施方式不同。另外，第二横外侧角部C2_out_top及第二底外侧角部C2_out_btm与第十实施方式不同。而且，第三横外侧角部C3_out_top及第三底外侧角部C3_out_btm的形态与第十实施方式不同。除了这些以外，与第十实施方式相同。

第一横外侧角部C1_out_top为与第一间隙形成部111的外表面及第一磁芯横部1121的外表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。第一底外侧角部C1_out_btm为与第一磁芯横部1121的外表面及第一磁芯底部1131的外表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。

第二横外侧角部C2_out_top为与第二间隙形成部211的外表面及第二磁芯横部2122的外表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。第二底外侧角部C2_out_btm为与第二磁芯横部2122的外表面及第二磁芯底部2132的外表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。

第三横外侧角部C3_out_top为与第三间隙形成部311的外表面及第三磁芯横部3123的外表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。第三底外侧角部C3_out_btm为与第三磁芯横部3123的外表面及第三磁芯底部3133的外表面连接并且相对于宽度方向DW及厚度方向DT倾斜的倾斜面。

第十一实施方式的电流传感器5如上构成。在该第十一实施方式中，也起到了与第十实施方式同样的效果。

(第十二实施方式)

在第十二实施方式中，如图16～图18所示，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的形态与第六实施方式不同。除了这些以外，与第六实施方式相同。此外，在图16～图18中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300及壳体70等的图示。

如图16所示，第一磁芯110除了第一间隙形成部111、第一磁芯横部1121、第一磁芯底部1131及第一磁芯孔114以外，还包含第一突起部1151及第二突起部1152。

第一突起部1151及第二突起部1152从朝向厚度方向DT外侧的第一间隙形成部111的外表面朝向厚度方向DT突出。另外，朝向宽度方向DW内侧的第一突起部1151的面即第一突起面1161与第一磁芯端面115连接。而且，朝向宽度方向DW内侧的第二突起部1152的面即第二突起面1162与第二磁芯端面116连接。因此，除了第一磁芯端面115及第二磁芯端面116以外，还由第一突起面1161及第二突起面1162形成第一间隙117。此外，第一突起部1151及第二突起部1152的数量分别为一个，但并不限定于此，它们的数量也可以分别为两个以上。另外，第一突起部1151及第二突起部1152的形状分别为四棱柱形状，但并不限定于此，它们的形状也可以分别为多棱柱形状或圆柱形状等。

如图17所示，第二磁芯210除了第二间隙形成部211、第二磁芯横部2122、第二磁芯底部2132及第二磁芯孔214以外，还包含第三突起部2151及第四突起部2152。

第三突起部2151及第四突起部2152从朝向厚度方向DT外侧的第二间隙形成部211的外表面朝向厚度方向DT突出。另外，朝向宽度方向DW内侧的第三突起部2151的面即第三突起面2161与第三磁芯端面215连接。而且，朝向宽度方向DW内侧的第四突起部2152的面即第四突起面2162与第四磁芯端面216连接。因此，除了第三磁芯端面215及第四磁芯端面216以外，还由第三突起面2161及第四突起面2162形成第二间隙217。此外，第三突起部2151及第四突起部2152的数量分别为一个，但并不限定于此，它们的数量也可以分别为两个以上。另外，第三突起部2151及第四突起部2152的形状分别为四棱柱形状，但并不限定于此，它们的形状也可以分别为多棱柱形状或圆柱形状等。

如图18所示，第三磁芯310除了第三间隙形成部311、第三磁芯横部3123、第三磁芯底部3133及第三磁芯孔314以外，还包含第五突起部3151及第六突起部3152。

第五突起部3151及第六突起部3152从朝向厚度方向DT外侧的第三间隙形成部311的外表面朝向厚度方向DT突出。另外，朝向宽度方向DW内侧的第五突起部3151的面即第五突起面3161与第五磁芯端面315连接。而且，朝向宽度方向DW内侧的第六突起部3152的面即第六突起面3162与第六磁芯端面316连接。因此，除了第五磁芯端面315及第六磁芯端面316以外，还由第五突起面3161及第六突起面3162形成第三间隙317。此外，第五突起部3151及第六突起部3152的数量分别为一个，但并不限定于此，它们的数量也可以分别为两个以上。另外，第五突起部3151及第六突起部3152的形状分别为四棱柱形状，但并不限定于此，它们的形状也可以分别为多棱柱形状或圆柱形状等。

在此，在将第一磁芯110沿与长度方向DL正交的方向切断时的第一磁芯110的截面上，将穿过第一磁芯横部1121的沿厚度方向DT延伸的内缘并且沿厚度方向DT延伸的线设为第一假想线L1。另外，在将第二磁芯210沿与长度方向DL正交的方向切断时的第二磁芯210的截面上，将穿过第二磁芯横部2122的沿厚度方向DT延伸的内缘并且沿厚度方向DT延伸的线设为第二假想线L2。而且，在将第三磁芯310沿与长度方向DL正交的方向切断时的第三磁芯310的截面上，将穿过第三磁芯横部3123的沿厚度方向DT延伸的内缘并且沿厚度方向DT延伸的线设为第三假想线L3。

而且，第一突起部1151及第二突起部1152位于比第一假想线L1靠宽度方向DW内侧的位置。另外，第三突起部2151及第四突起部2152位于比第二假想线L2靠宽度方向DW内侧的位置。而且，第五突起部3151及第六突起部3152位于比第三假想线L3靠宽度方向DW内侧的位置。

另外，在此，将穿过使第一突起面1161及第一磁芯端面115结合而成的面的厚度方向DT上的中心并且沿宽度方向DW延伸的线设为第一中心线O1。而且，第一中心线O1穿过使第二突起面1162及第二磁芯端面116结合而成的面的厚度方向DT上的中心。另外，将穿过使第三突起面2161及第三磁芯端面215结合而成的面的厚度方向DT上的中心并且沿宽度方向DW延伸的线设为第二中心线O2。而且，第二中心线O2穿过使第四突起面2162及第四磁芯端面216结合而成的面的厚度方向DT上的中心。另外，将穿过使第五突起面3161及第五磁芯端面315结合而成的面的厚度方向DT上的中心并且沿宽度方向DW延伸的线设为第三中心线O3。而且，第三中心线O3穿过使第六突起面3162及第六磁芯端面316结合而成的面的厚度方向DT上的中心。

而且，通过在比第一中心线O1靠第一磁芯孔114侧的位置配置有第一检测部120，第一检测部120在厚度方向DT上配置于第一中心线O1及第一母线100之间。另外，通过在比第二中心线O2靠第二磁芯孔214侧的位置配置有第二检测部220，第二检测部220在厚度方向DT上配置于第二中心线O2及第二母线200之间。而且，通过在比第三中心线O3靠第三磁芯孔314侧的位置配置有第三检测部320，第三检测部320在厚度方向DT上配置于第三中心线O3及第三母线300之间。

第十二实施方式的电流传感器5如上构成。在该第十二实施方式中，也起到了与第六实施方式同样的效果。另外，第十二实施方式还起到了以下记载的效果。

[9-1]在此，第一检测部120在检测第一间隙117的磁场的强度时，有时会误检测出外部干扰磁场的强度、例如基于从第二磁芯210漏出的磁力线的磁场的强度。另外，第二检测部220在检测第二间隙217的磁场的强度时，有时会误检测出外部干扰磁场的强度、例如基于从第一磁芯110及第三磁芯310漏出的磁力线的磁场的强度。而且，第三检测部320在检测第三间隙317的磁场的强度时，有时会误检测出外部干扰磁场的强度、例如基于从第二磁芯210漏出的磁力线的磁场的强度。

对此，可考虑通过减小第一间隙117、第二间隙217及第三间隙317的大小来做到难以受到外部干扰磁场的影响。但是，如果减小第一间隙117、第二间隙217及第三间隙317的大小，则第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的大小变小。由此，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的磁阻降低，使得对第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310施加的磁通密度变大。因此，容易产生第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的磁饱和。

因此，第一磁芯110具有第一突起部1151及第二突起部1152。第一突起部1151及第二突起部1152从第一间隙形成部111朝向厚度方向DT突出。由此，与没有第一突起部1151及第二突起部1152的情况比较，相对于第一磁芯110整体的磁阻而言的第一间隙形成部111的磁阻降低。因此，基于外部干扰磁场的磁力线、例如从第二磁芯210漏出的磁力线不会通过第一检测部120，而是容易经由第一突起部1151及第二突起部1152通过第一间隙形成部111。因此，第一检测部120难以受外部干扰磁场的影响，所以第一检测部120的检测精度提高。另外，通过第一突起部1151及第二突起部1152，第一间隙117的大小比没有第一突起部1151及第二突起部1152的情况大，因此第一磁芯110的磁阻变大。因此，抑制了第一磁芯110的磁通密度的上升。而且，通过第一突起部1151及第二突起部1152，不再需要增大第一磁芯110整体的大小。因此，抑制了第一磁芯110的大型化，并且抑制了第一磁芯110的磁饱和。

另外，第二磁芯210具有第三突起部2151及第四突起部2152。第三突起部2151及第四突起部2152从第二间隙形成部211朝向厚度方向DT突出。由此，与没有第三突起部2151及第四突起部2152的情况比较，相对于第二磁芯210整体的磁阻而言的第二间隙形成部211的磁阻降低。因此，基于外部干扰磁场的磁力线、例如从第一磁芯110及第三磁芯310漏出的磁力线不会通过第二检测部220，而是容易经由第三突起部2151及第四突起部2152通过第二间隙形成部211。因此，第二检测部220难以受外部干扰磁场的影响，所以第二检测部220的检测精度提高。另外，通过第三突起部2151及第四突起部2152，第二间隙217的大小比没有第三突起部2151及第四突起部2152的情况大，因此第二磁芯210的磁阻变大。因此，抑制了第二磁芯210的磁通密度的上升。而且，通过第三突起部2151及第四突起部2152，不再需要增大第二磁芯210整体的大小。因此，抑制了第二磁芯210的大型化，并且抑制了第二磁芯210的磁饱和。

而且，第三磁芯310具有第五突起部3151及第六突起部3152。第五突起部3151及第六突起部3152从第三间隙形成部311朝向厚度方向DT突出。由此，与没有第五突起部3151及第六突起部3152的情况比较，相对于第三磁芯310整体的磁阻而言的第三间隙形成部311的磁阻降低。因此，基于外部干扰磁场的磁力线、例如从第二磁芯210漏出的磁力线不会通过第三检测部320，而是容易经由第五突起部3151及第六突起部3152通过第三间隙形成部311。因此，第三检测部320难以受外部干扰磁场的影响，所以第三检测部320的检测精度提高。另外，通过第五突起部3151及第六突起部3152，第三间隙317的大小比没有第五突起部3151及第六突起部3152的情况大，因此第三磁芯310的磁阻变大。因此，抑制了第三磁芯310的磁通密度的上升。而且，通过第五突起部3151及第六突起部3152，不再需要增大第三磁芯310整体的大小。因此，抑制了第三磁芯310的大型化，并且抑制了第三磁芯310的磁饱和。

[9-2]第一检测部120在厚度方向DT上配置于第一中心线O1及第一母线100之间。由此，在厚度方向DT上，第一检测部120从第一磁芯110的外部分离，因此基于外部干扰磁场的磁力线难以通过第一检测部120。因此，第一检测部120难以受外部干扰磁场的影响，所以第一检测部120的检测精度提高。另外，第二检测部220在厚度方向DT上配置于第二中心线O2及第二母线200之间。由此，在厚度方向DT上，第二检测部220从第二磁芯210的外部分离，因此基于外部干扰磁场的磁力线难以通过第二检测部220。因此，第二检测部220难以受外部干扰磁场的影响，因此第二检测部220的检测精度提高。而且，第三检测部320在厚度方向DT上配置于第三中心线O3及第三母线300之间。由此，在厚度方向DT上，第三检测部320从第三磁芯310的外部分离，因此基于外部干扰磁场的磁力线难以通过第三检测部320。因此，第三检测部320难以受外部干扰磁场的影响，所以第三检测部320的检测精度提高。

(第十三实施方式)

在第十三实施方式中，如图19～图21所示，第一突起部1151、第二突起部1152、第三突起部2151、第四突起部2152、第五突起部3151及第六突起部3152的形态与第十二实施方式不同。除了这些以外，与第十二实施方式相同。此外，在图19～图21中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300及壳体70等的图示。

第一突起面1161及第二突起面1162未与第一磁芯端面115及第二磁芯端面116连接，而是与朝向厚度方向DT外侧的第一间隙形成部111的外表面连接。另外，第三突起部2151及第四突起部2152未与第三磁芯端面215及第四磁芯端面216连接，而是与朝向厚度方向DT外侧的第二间隙形成部211的外表面连接。而且，第五突起部3151及第六突起部3152未与第五磁芯端面315及第六磁芯端面316连接，而是与朝向厚度方向DT外侧的第三间隙形成部311的外表面连接。

第十三实施方式的电流传感器5如上构成。在该第十三实施方式中，也起到了与第十二实施方式同样的效果。

(第十四实施方式)

在第十四实施方式中，如图22～图24所示，第一突起部1151、第二突起部1152、第三突起部2151、第四突起部2152、第五突起部3151及第六突起部3152的形态与第十二实施方式不同。除了这些以外，与第十二实施方式相同。此外，在图22～图24中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300及壳体70等的图示。

第一突起部1151及第二突起部1152从朝向厚度方向DT内侧的第一间隙形成部111的内表面朝向厚度方向DT突出。另外，第三突起部2151及第四突起部2152从朝向厚度方向DT内侧的第二间隙形成部211的内表面朝向厚度方向DT突出。而且，第五突起部3151及第六突起部3152从朝向厚度方向DT内侧的第三间隙形成部311的内表面朝向厚度方向DT突出。

第十四实施方式的电流传感器5如上构成。在该情况下，基于外部干扰磁场的磁力线容易从外部在不经由第一突起部1151及第二突起部1152的前提下通过第一间隙形成部111。另外，基于外部干扰磁场的磁力线容易从外部在不经由第三突起部2151及第四突起部2152的前提下通过第二间隙形成部211。而且，基于外部干扰磁场的磁力线容易在不经由第五突起部3151及第六突起部3152的前提下通过第三间隙形成部311。因此，在第十四实施方式中，也起到了与第十二实施方式同样的效果。

(第十五实施方式)

在第十五实施方式中，如图25～图27所示，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的形态与第六实施方式不同。除了这些以外，与第六实施方式相同。此外，在图25～图27中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300、第一检测部120、第二检测部220、第三检测部320及壳体70等的图示。

如图25所示，第一磁芯110除了第一间隙形成部111、第一磁芯横部1121、第一磁芯底部1131及第一磁芯孔114以外，还包含第一磁芯凹部1155。

第一磁芯凹部1155在将第一磁芯110沿与长度方向DL正交的方向切断时的第一磁芯110的截面上从宽度方向DW及厚度方向DT外侧的第一磁芯110的外缘朝向第一磁芯110的内部凹陷。例如，第一磁芯凹部1155在该截面上从宽度方向DW外侧的第一间隙形成部111及第一磁芯横部1121的外缘朝向第一磁芯110的内部凹陷。此外，第一磁芯凹部1155在该截面上从第一间隙形成部111及第一磁芯横部1121的外缘凹陷，但并不限定于此。第一磁芯凹部1155在该截面上也可以从第一磁芯底部1131的外缘凹陷。另外，第一磁芯凹部1155的数量为两个，但并不限定于此，至少为一个即可。而且，第一磁芯凹部1155的截面形状为四边形状，但并不限定于此，例如，也可以是多边形状及圆弧形状等。

如图26所示，第二磁芯210除了第二间隙形成部211、第二磁芯横部2122、第二磁芯底部2132及第二磁芯孔214以外，还包含第二磁芯凹部2155。

第二磁芯凹部2155在将第二磁芯210沿与长度方向DL正交的方向切断时的第二磁芯210的截面上从宽度方向DW及厚度方向DT外侧的第二磁芯210的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。例如，第二磁芯凹部2155在该截面上从宽度方向DW外侧的第二间隙形成部211及第二磁芯横部2122的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。此外，第二磁芯凹部2155在该截面上从第二间隙形成部211及第二磁芯横部2122的外缘凹陷，但并不限定于此。第二磁芯凹部2155在该截面上也可以从第二磁芯底部2132的外缘凹陷。另外，第二磁芯凹部2155的数量为两个，但并不限定于此，至少为一个即可。而且，第二磁芯凹部2155的截面形状为四边形状，但并不限定于此，例如，也可以是多边形状及圆弧形状等。

如图27所示，第三磁芯310除了第三间隙形成部311、第三磁芯横部3123、第三磁芯底部3133及第三磁芯孔314之外，还包含第三磁芯凹部3155。

第三磁芯凹部3155在将第三磁芯310沿与长度方向DL正交的方向切断时的第三磁芯310的截面上从宽度方向DW及厚度方向DT外侧的第三磁芯310的外缘朝向第三磁芯310的内部凹陷。例如，第三磁芯凹部3155在该截面上从宽度方向DW外侧的第三间隙形成部311及第三磁芯横部3123的外缘朝向第三磁芯310的内部凹陷。此外，第三磁芯凹部3155在该截面上从第三间隙形成部311及第三磁芯横部3123的外缘凹陷，但并不限定于此。第三磁芯凹部3155在该截面上也可以从第三磁芯底部3133的外缘凹陷。另外，第三磁芯凹部3155的数量为两个，但并不限定于此，至少为一个即可。而且，第三磁芯凹部3155的截面形状为四边形状，但并不限定于此，例如，也可以是多边形状及圆弧形状等。

在此，如图25所示，在将第一磁芯110沿与长度方向DL正交的方向切断时的第一磁芯110的截面上，将穿过厚度方向DT上的第一间隙形成部111的中心并且沿宽度方向DW延伸的线段设为第一间隙中心线段Og1。另外，将穿过宽度方向DW上的第一磁芯横部1121的中心并且沿厚度方向DT延伸的线段设为第一横中心线段Os1。而且，将穿过厚度方向DT上的第一磁芯底部1131的中心并且沿宽度方向DW延伸的线段设为第一底中心线段Ob1。另外，第一间隙中心线段Og1为将在宽度方向DW上排列的第一横中心线段Os1连结的线段。而且，第一横中心线段Os1为将第一间隙中心线段Og1和第一底中心线段Ob1连结的线段。另外，第一底中心线段Ob1为将在宽度方向DW上排列的第一横中心线段Os1连结的线段。而且，将比第一间隙中心线段Og1、第一横中心线段Os1及第一底中心线段Ob1靠外侧的区域设为第一磁芯区域Rc1。

另外，如图26所示，在将第二磁芯210沿与长度方向DL正交的方向切断时的第二磁芯210的截面上，将穿过厚度方向DT上的第二间隙形成部211的中心并且沿宽度方向DW延伸的线段设为第二间隙中心线段Og2。而且，将穿过宽度方向DW上的第二磁芯横部2122的中心并且沿厚度方向DT延伸的线段设为第二横中心线段Os2。另外，将穿过厚度方向DT上的第二磁芯底部2132的中心并且沿宽度方向DW延伸的线段设为第二底中心线段Ob2。而且，第二间隙中心线段Og2为将在宽度方向DW上排列的第二横中心线段Os2连结的线段。另外，第二横中心线段Os2为将第二间隙中心线段Og2和第二底中心线段Ob2连结的线段。而且，第二底中心线段Ob2为将在宽度方向DW上排列的第二横中心线段Os2连结的线段。另外，将比第二间隙中心线段Og2、第二横中心线段Os2及第二底中心线段Ob2靠外侧的区域设为第二磁芯区域Rc2。

而且，如图27所示，在将第三磁芯310沿与长度方向DL正交的方向切断时的第三磁芯310的截面上，将穿过厚度方向DT上的第三间隙形成部311的中心并且沿宽度方向DW延伸的线段设为第三间隙中心线段Og3。另外，将穿过宽度方向DW上的第三磁芯横部3123的中心并且沿厚度方向DT延伸的线段设为第三横中心线段Os3。而且，将穿过厚度方向DT上的第三磁芯底部3133的中心并且沿宽度方向DW延伸的线段设为第三底中心线段Ob3。另外，第三间隙中心线段Og3为将在宽度方向DW上排列的第三横中心线段Os3连结的线段。而且，第三横中心线段Os3为将第三间隙中心线段Og3和第三底中心线段Ob3连结的线段。另外，第三底中心线段Ob3为将在宽度方向DW上排列的第三横中心线段Os3连结的线段。而且，将比第三间隙中心线段Og3、第三横中心线段Os3及第三底中心线段Ob3靠外侧的区域设为第三磁芯区域Rc3。

而且，第一磁芯凹部1155位于第一磁芯区域Rc1。另外，第二磁芯凹部2155位于第二磁芯区域Rc2。而且，第三磁芯凹部3155位于第三磁芯区域Rc3。

第十五实施方式的电流传感器5如上构成。在该第十五实施方式中，也起到了与第六实施方式同样的效果。另外，第十五实施方式还起到了以下记载的效果。

[10-1]在此，在进行壳体70的注塑成形等时，对第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310施加应力。因此，有时第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的晶体结构发生变化。由此，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的BH特性等磁特性降低，例如，有时磁通密度相对于磁场的强度的线性区域变小。此外，BH特性的B是指磁通密度。另外，BH特性的H是指磁场。

与此相对，第一磁芯110包含第一磁芯凹部1155。第一磁芯凹部1155在将第一磁芯110沿与长度方向DL正交的方向切断时的第一磁芯110的截面上从宽度方向DW及厚度方向DT外侧的第一磁芯110的外缘朝向第一磁芯110的内部凹陷。由此，缓和了对第一磁芯110施加的应力。因此，抑制了第一磁芯110的晶体结构的变化，所以抑制了第一磁芯110的磁特性的降低。另外，第二磁芯210包含第二磁芯凹部2155。第二磁芯凹部2155在将第二磁芯210沿与长度方向DL正交的方向切断时的第二磁芯210的截面上从宽度方向DW及厚度方向DT外侧的第二磁芯210的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。由此，缓和了对第二磁芯210施加的应力。因此，抑制了第二磁芯210的晶体结构的变化，所以抑制了第二磁芯210的磁特性的降低。而且，第三磁芯310包含第三磁芯凹部3155。第三磁芯凹部3155在将第三磁芯310沿与长度方向DL正交的方向切断时的第三磁芯310的截面上从宽度方向DW及厚度方向DT外侧的第三磁芯310的外缘朝向第三磁芯310的内部凹陷。由此，缓和了对第三磁芯310施加的应力。因此，抑制了第三磁芯310的晶体结构的变化，所以抑制了第三磁芯310的磁特性的降低。

[10-2]第一磁芯110的磁力线容易通过第一磁芯110的内侧，而第一磁芯凹部1155位于第一磁芯区域Rc1。由此，第一磁芯凹部1155的位置为第一磁芯110的磁力线难以通过的位置，所以抑制了第一磁芯110内的磁力线的通过被第一磁芯凹部1155阻碍。另外，第二磁芯210内的磁力线容易通过第二磁芯210的内侧，而第二磁芯凹部2155位于第二磁芯区域Rc2。因此，第二磁芯凹部2155的位置为第二磁芯210的磁力线难以通过的位置，所以抑制了第二磁芯210的磁力线的通过被第二磁芯凹部2155阻碍。而且，第三磁芯310的磁力线容易通过第三磁芯310的内侧，而第三磁芯凹部3155位于第三磁芯区域Rc3。由此，第三磁芯凹部3155的位置为第三磁芯310的磁力线难以通过的位置，所以抑制了第三磁芯310内的磁力线的通过被第三磁芯凹部3155阻碍。

[10-3]壳体70覆盖第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310，并且与第一磁芯凹部1155、第二磁芯凹部2155及第三磁芯凹部3155接触。由此，与没有第一磁芯凹部1155、第二磁芯凹部2155及第三磁芯凹部3155的情况比较，壳体70和第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的接触面积增加。因此，容易支承壳体70和第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310，所以抑制了宽度方向DW及厚度方向DT上的第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310相对于壳体70的相对位置的偏移。

(第十六实施方式)

在第十六实施方式中，如图28～图30所示，第一磁芯110包含第一磁芯贯通孔1156来取代第一磁芯凹部1155。第二磁芯210包含第二磁芯贯通孔2156来取代第二磁芯凹部2155。第三磁芯310包含第三磁芯贯通孔3156来取代第三磁芯凹部3155。除了这些以外，与第十五实施方式相同。此外，在图28～图30中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300、第一检测部120、第二检测部220、第三检测部320及壳体70等的图示。

第一磁芯贯通孔1156沿长度方向DL贯通。另外，第一磁芯贯通孔1156位于第一磁芯区域Rc1，并且例如形成于第一间隙形成部111的内部。此外，第一磁芯贯通孔1156形成于第一间隙形成部111，但并不限定于此。第一磁芯贯通孔1156也可以形成于第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131。而且，第一磁芯贯通孔1156的数量为一个，但并不限定于此，也可以是两个以上。另外，第一磁芯贯通孔1156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。

第二磁芯贯通孔2156沿长度方向DL贯通。另外，第二磁芯贯通孔2156位于第二磁芯区域Rc2，并且例如形成于第二间隙形成部211的内部。此外，第二磁芯贯通孔2156形成于第二间隙形成部211，但并不限定于此。第二磁芯贯通孔2156也可以形成于第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132。而且，第二磁芯贯通孔2156的数量为一个，但并不限定于此，也可以是两个以上。另外，第二磁芯贯通孔2156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。

第三磁芯贯通孔3156沿长度方向DL贯通。另外，第三磁芯贯通孔3156位于第三磁芯区域Rc3，并且例如形成于第三间隙形成部311的内部。此外，第三磁芯贯通孔3156形成于第三间隙形成部311，但并不限定于此。第三磁芯贯通孔3156也可以形成于第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133。而且，第三磁芯贯通孔3156的数量为一个，但并不限定于此，也可以是两个以上。另外，第三磁芯贯通孔3156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。

第十六实施方式的电流传感器5如上构成。在该第十六实施方式中，也起到了与第十五实施方式同样的效果。

(第十七实施方式)

在第十七实施方式中，如图31所示，第一磁芯凹部1155、第二磁芯凹部2155及第三磁芯凹部3155的形态与第十五实施方式不同。除了这些以外，与第十五实施方式相同。此外，在图31中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300、第一检测部120、第二检测部220、第三检测部320及壳体70等的图示。

第一磁芯凹部1155在将第一磁芯110沿与长度方向DL正交的方向切断时的第一磁芯110的截面上从第一磁芯110中的与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的外缘朝向第一磁芯110的内部凹陷。具体而言，第一磁芯凹部1155在该截面上从与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的第一间隙形成部111、第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131的外缘朝向第一磁芯110的内部凹陷。此外，第一磁芯凹部1155的数量为两个，但并不限定于此，至少为一个即可。另外，第一磁芯凹部1155的截面形状为四边形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及圆弧形状等。

第二磁芯凹部2155在将第二磁芯210沿与长度方向DL正交的方向切断时的第二磁芯210的截面上从第二磁芯210中的与第一磁芯110在宽度方向DW上对置的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。具体而言，第二磁芯凹部2155在该截面上从与第一磁芯110在宽度方向DW上对置的第二间隙形成部211、第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。另外，第二磁芯凹部2155在该截面上从第二磁芯210中的与第三磁芯310在宽度方向DW上对置的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。具体而言，第二磁芯凹部2155在该截面上从与第三磁芯310在宽度方向DW上对置的第二间隙形成部211、第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。此外，第二磁芯凹部2155的数量为四个，但并不限定于此，在第一磁芯110侧及第三磁芯310侧分别至少为一个即可。另外，第二磁芯凹部2155的截面形状为四边形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及圆弧形状等。

第三磁芯凹部3155在将第三磁芯310沿与长度方向DL正交的方向切断时的第三磁芯310的截面上从第三磁芯310中的与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的外缘朝向第三磁芯310的内部凹陷。具体而言，第三磁芯凹部3155在该截面上从与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的第三间隙形成部311、第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133的外缘朝向第三磁芯310的内部凹陷。此外，第三磁芯凹部3155的数量为两个，但并不限定于此，至少为一个即可。另外，第三磁芯凹部3155的截面形状为四边形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及圆弧形状等。

另外，第一磁芯凹部1155位于比第一横中心线段Os1靠宽度方向DW外侧的位置。而且，第二磁芯凹部2155位于比第二横中心线段Os2靠宽度方向DW外侧的位置。另外，第三磁芯凹部3155位于比第三横中心线段Os3靠宽度方向DW外侧的位置。

第十七实施方式的电流传感器5如上构成。在该第十七实施方式中，也起到了与第十五实施方式同样的效果。另外，第十七实施方式还起到了以下记载的效果。

[11]在此，为了抑制第一磁芯横部1121、第二磁芯横部2122、第三磁芯横部3123的磁饱和，可考虑增大第一磁芯横部1121、第二磁芯横部2122、第三磁芯横部3123的宽度方向DW的长度。此时，如果第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310在宽度方向DW上依次排列，则彼此相邻的磁芯容易靠近，因此彼此相邻的磁芯间的磁阻降低。由此，容易在彼此相邻的磁芯间形成磁路径，所以第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310整体的磁阻降低。因此，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁通密度容易上升，所以容易产生第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁饱和。

与此相对，第一磁芯110包含第一磁芯凹部1155。第一磁芯凹部1155在将第一磁芯110沿与长度方向DL正交的方向切断时的第一磁芯110的截面上从第一磁芯110中的与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的外缘朝向第一磁芯110的内部凹陷。另外，第二磁芯210包含第二磁芯凹部2155。第二磁芯凹部2155在将第二磁芯210沿与长度方向DL正交的方向切断时的第二磁芯210的截面上从第二磁芯210中的与第一磁芯110或第三磁芯310在宽度方向DW上对置的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。而且，第三磁芯310包含第三磁芯凹部3155。第三磁芯凹部3155在将第三磁芯310沿与长度方向DL正交的方向切断时的第三磁芯310的截面上从第三磁芯310中的与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的外缘朝向第三磁芯310的内部凹陷。

由此，彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210之间、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310之间的宽度方向DW上的最大距离变大。因此，彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210之间、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310之间的磁阻变高。因此，难以在彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310中形成磁路径。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310整体的磁阻的降低。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁通密度的上升，所以抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁饱和。

(第十八实施方式)

在第十八实施方式中，如图32所示，第一磁芯110包含第一磁芯贯通孔1156来取代第一磁芯凹部1155。第二磁芯210包含第二磁芯贯通孔2156来取代第二磁芯凹部2155。第三磁芯310包含第三磁芯贯通孔3156来取代第三磁芯凹部3155。除了这些以外，与第十七实施方式相同。此外，在图32中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300、第一检测部120、第二检测部220、第三检测部320及壳体70等的图示。

第一磁芯贯通孔1156沿长度方向DL贯通。另外，第一磁芯贯通孔1156位于比第一横中心线段Os1靠宽度方向DW外侧的位置，并且形成于与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131。此外，第一磁芯贯通孔1156形成于第一磁芯横部1121及第一磁芯底部1131，但并不限定于此，也可以形成于与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的第一间隙形成部111。另外，第一磁芯贯通孔1156的数量为两个，但并不限定于此，至少为一个即可。而且，第一磁芯贯通孔1156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。

第二磁芯贯通孔2156沿长度方向DL贯通。另外，第二磁芯贯通孔2156位于比第二横中心线段Os2靠宽度方向DW外侧的位置，并且形成于与第一磁芯110在宽度方向DW上对置的第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132。而且，第二磁芯贯通孔2156位于比第二横中心线段Os2靠宽度方向DW外侧的位置，并且形成于与第三磁芯310在宽度方向DW上对置的第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132。此外，第二磁芯贯通孔2156形成于第二磁芯横部2122及第二磁芯底部2132，但并不限定于此。第二磁芯贯通孔2156也可以形成于与第一磁芯110在宽度方向DW上对置的第二间隙形成部211。而且，第二磁芯贯通孔2156也可以形成于与第三磁芯310在宽度方向DW上对置的第二间隙形成部211。另外，第二磁芯贯通孔2156的数量为四个，但并不限定于此，在第一磁芯110侧及第三磁芯310侧分别至少为一个即可。另外，第二磁芯贯通孔2156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。

第三磁芯贯通孔3156沿长度方向DL贯通。另外，第三磁芯贯通孔3156位于比第三横中心线段Os3靠宽度方向DW外侧的位置，并且形成于与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133。此外，第三磁芯贯通孔3156形成于第三磁芯横部3123及第三磁芯底部3133，但并不限定于此，也可以形成于与第二磁芯210在宽度方向DW上对置的第三间隙形成部311。另外，第三磁芯贯通孔3156的数量为两个，但并不限定于此，至少为一个即可。而且，第三磁芯贯通孔3156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。

第十八实施方式的电流传感器5如上构成。在该第十八实施方式中，也起到了与第十七实施方式同样的效果。

(第十九实施方式)

在第十九实施方式中，设为将第十五实施方式和第十七实施方式组合的方式。

具体而言，如图33所示，第一磁芯110除了第一间隙形成部111、第一磁芯横部1121、第一磁芯底部1131及第一磁芯孔114以外，还包含第一磁芯凹部1155。此外，在图33中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300、第一检测部120、第二检测部220、第三检测部320及壳体70等的图示。

第一磁芯凹部1155在将第一磁芯110沿与长度方向DL正交的方向切断时的第一磁芯110的截面上从宽度方向DW外侧的第一间隙形成部111及第一磁芯横部1121的外缘朝向第一磁芯110的内部凹陷。另外，第一磁芯凹部1155位于比第一横中心线段Os1靠宽度方向DW外侧的位置。而且，第一磁芯凹部1155的截面形状为圆弧形状。此外，第一磁芯凹部1155的截面形状为圆弧形状，但并不限定于此，例如，也可以是多边形状等。

第二磁芯210除了第二间隙形成部211、第二磁芯横部2122、第二磁芯底部2132及第二磁芯孔214以外，还包含第二磁芯凹部2155。

第二磁芯凹部2155在将第二磁芯210沿与长度方向DL正交的方向切断时的第二磁芯210的截面上从宽度方向DW外侧的第二间隙形成部211及第二磁芯横部2122的外缘朝向第二磁芯210的内部凹陷。另外，第二磁芯凹部2155位于比第二横中心线段Os2靠宽度方向DW外侧的位置。而且，第二磁芯凹部2155的截面形状为圆弧形状。此外，第二磁芯凹部2155的截面形状为圆弧形状，但并不限定于此，例如，也可以是多边形状等。

第三磁芯310除了第三间隙形成部311、第三磁芯横部3123、第三磁芯底部3133及第三磁芯孔314以外，还包含第三磁芯凹部3155。

第三磁芯凹部3155在将第三磁芯310沿与长度方向DL正交的方向切断时的第三磁芯310的截面上从宽度方向DW外侧的第三间隙形成部311及第三磁芯横部3123的外缘朝向第三磁芯310的内部凹陷。另外，第三磁芯凹部3155位于比第三横中心线段Os3靠宽度方向DW外侧的位置。而且，第三磁芯凹部3155的截面形状为圆弧形状。此外，第三磁芯凹部3155的截面形状为圆弧形状，但并不限定于此，例如，也可以是多边形状等。

另外，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310形成为相同的形状。而且，第二磁芯210在宽度方向DW上位于第一磁芯110及第三磁芯310之间。另外，当将第一磁芯110侧的第二磁芯凹部2155在宽度方向DW上投影时，第二磁芯210侧的第一磁芯凹部1155与投影的第二磁芯凹部2155重叠。而且，当将第三磁芯310侧的第二磁芯凹部2155在宽度方向DW上投影时，第二磁芯210侧的第三磁芯凹部3155与投影的第二磁芯凹部2155重叠。由此，与不重叠的情况比较，彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210之间、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310之间的宽度方向DW上的最大距离变大。因此，彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210之间、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310之间的磁阻变高。因此，难以在彼此相邻的第一磁芯110及第二磁芯210、以及彼此相邻的第二磁芯210及第三磁芯310中形成磁路径。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310整体的磁阻的降低。因此，抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁通密度的上升，所以抑制了第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310各自的磁饱和。

第十九实施方式的电流传感器5如上构成。在该第十九实施方式中，也起到了与第十五实施方式及第十七实施方式同样的效果。另外，第十九实施方式还起到了以下记载的效果。

[12]第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310形成为相同形状。

由此，在制造电流传感器5时，容易进行第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的制造。因此，容易进行电流传感器5的制造。

(第二十实施方式)

在第二十实施方式中，设为将第十六实施方式和第十八实施方式组合的方式。

具体而言，如图34所示，第一磁芯110包含第一磁芯贯通孔1156来取代第一磁芯凹部1155。第一磁芯贯通孔1156沿长度方向DL贯通。另外，第一磁芯贯通孔1156位于比第一横中心线段Os1靠宽度方向DW外侧的位置。而且，第一磁芯贯通孔1156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。此外，在图34中，为了避免繁杂，省略了第一母线100、第二母线200、第三母线300、第一检测部120、第二检测部220、第三检测部320及壳体70等的图示。

第二磁芯210包含第二磁芯贯通孔2156来取代第二磁芯凹部2155。第二磁芯贯通孔2156沿长度方向DL贯通。另外，第二磁芯贯通孔2156位于比第二横中心线段Os2靠宽度方向DW外侧的位置。而且，第二磁芯贯通孔2156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。

第三磁芯310包含第三磁芯贯通孔3156来取代第三磁芯凹部3155。第三磁芯贯通孔3156沿长度方向DL贯通。另外，第三磁芯贯通孔3156位于比第三横中心线段Os3靠宽度方向DW外侧的位置。而且，第三磁芯贯通孔3156的截面形状为圆形状，但并不限定于此，也可以是多边形状及椭圆形状等。

另外，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310形成为相同的形状。而且，第二磁芯210在宽度方向DW上位于第一磁芯110及第三磁芯310之间。另外，当将第一磁芯110侧的第二磁芯贯通孔2156在宽度方向DW上投影时，第二磁芯210侧的第一磁芯贯通孔1156与投影的第二磁芯贯通孔2156重叠。而且，当将第三磁芯310侧的第二磁芯贯通孔2156在宽度方向DW上投影时，第二磁芯210侧的第三磁芯贯通孔3156与投影的第二磁芯贯通孔2156重叠。

第二十实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十实施方式中，也起到了与第十六实施方式及第十八实施方式同样的效果。另外，在第二十实施方式中，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310形成为相同的形状。

由此，如上所述，在制造电流传感器5时，容易进行第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310的制造。因此，容易进行电流传感器5的制造。

(第二十一实施方式)

在第二十一实施方式中，如图35～图43所示，第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733的形态与第六实施方式不同。另外，在第二十一实施方式中，未形成第一凹部118、第二凹部218及第三凹部318。除了这些以外，与第六实施方式相同。

如图35所示，第一突出部731从第一对置面721向厚度方向DT及宽度方向DW突出。另外，如图36及图37所示，第一突出部731包含第一接触面7310及第一突出部倾斜面7311。

第一接触面7310与第一板部101接触。第一突出部倾斜面7311与第一接触面7310中的与螺栓用第一孔104相反的一侧连接，在此与第一延长部102侧连接。另外，第一突出部倾斜面7311随着远离第一突出部倾斜面7311和第一接触面7310的边界部而向第一开口部711的空间的大小变大的方向倾斜。由此，第一突出部倾斜面7311形成为锥状。

如图38所示，第二突出部732从第二对置面722向厚度方向DT及宽度方向DW突出。另外，如图39及图40所示，第二突出部732包含第二接触面7320及第二突出部倾斜面7321。

第二接触面7320与第二板部201接触。第二突出部倾斜面7321与第二接触面7320中的与螺栓用第二孔204相反的一侧连接，在此与第三延长部202侧连接。另外，第二突出部倾斜面7321随着远离第二突出部倾斜面7321和第二接触面7320的边界部而向第二开口部712的空间的大小变大的方向倾斜。由此，第二突出部倾斜面7321形成为锥状。

如图41所示，第三突出部733从第三对置面723向厚度方向DT及宽度方向DW突出。另外，如图42及图43所示，第三突出部733包含第三接触面7330及第三突出部倾斜面7331。

第三接触面7330与第三板部301接触。第三突出部倾斜面7331与第三接触面7330中的与螺栓用第三孔304相反的一侧连接，在此与第五延长部302侧连接。另外，第三突出部倾斜面7331随着远离第三突出部倾斜面7331和第三接触面7330的边界部而向第三开口部713的空间的大小变大的方向倾斜。由此，第三突出部倾斜面7331形成为锥状。

另外，在此，如图36所示，将穿过基板50及第一引线130并且与长度方向DL正交的平面设为第一假想面Si1。而且，如图39所示，将穿过基板50及第二引线230并且与长度方向DL正交的平面设为第二假想面Si2。另外，如图42所示，将穿过基板50及第三引线330并且与长度方向DL正交的平面设为第三假想面Si3。

而且，如图36所示，第一突出部731位于第一假想面Si1上。另外，如图39所示，第二突出部732位于第二假想面Si2上。而且，如图42所示，第三突出部733位于第三假想面Si3上。

第二十一实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十一实施方式中，也起到了与第六实施方式同样的效果。另外，第二十一实施方式还起到了以下记载的效果。

[13-1]第一突出部731包含第一接触面7310及第一突出部倾斜面7311。第一接触面7310与第一板部101接触。第一突出部倾斜面7311与第一接触面7310中的与螺栓用第一孔104相反的一侧连接。另外，第一突出部倾斜面7311随着远离第一突出部倾斜面7311和第一接触面7310的边界部而向第一开口部711的空间的大小变大的方向倾斜。

由此，在将第一板部101从第一延长部102侧插入第一开口部711的空间时，第一板部101被第一突出部倾斜面7311引导，因此容易进行第一板部101的插入。另外，因此抑制了第一板部101和第一突出部731的接触所引起的磨损。因此，抑制了因第一板部101和第一突出部731的接触而形成的磨损粉末进入螺栓用第一孔104。因此，在通过向螺栓用第一孔104以及设置于逆变器的孔中插入螺栓而将第一板部101和逆变器的一部分等外部连接时，抑制了第一板部101由于磨损粉末咬入而破损。

另外，第二突出部732包含第二接触面7320及第二突出部倾斜面7321。第二接触面7320与第二板部201接触。第二突出部倾斜面7321与第二接触面7320中的与螺栓用第二孔204相反的一侧连接。而且，第二突出部倾斜面7321随着远离第二突出部倾斜面7321和第二接触面7320的边界部而向第二开口部712的空间的大小变大的方向倾斜。

由此，在将第二板部201从第三延长部202侧插入第二开口部712的空间时，第二板部201被第二突出部倾斜面7321引导，因此容易进行第二板部201的插入。另外，因此抑制了第二板部201和第二突出部732的接触所引起的磨损。因此，抑制了因第二板部201和第二突出部732的接触而形成的磨损粉末进入螺栓用第二孔204。由此，在通过向螺栓用第二孔204以及设置于逆变器的孔中插入螺栓而将第二板部201和逆变器的一部分等外部连接时，抑制了第二板部201由于磨损粉末咬入而破损。

另外，第三突出部733包含第三接触面7330及第三突出部倾斜面7331。第三接触面7330与第三板部301接触。第三突出部倾斜面7331与第三接触面7330中的与螺栓用第三孔304相反的一侧连接。而且，第三突出部倾斜面7331随着远离第三突出部倾斜面7331和第三接触面7330的边界部而向第三开口部713的空间的大小变大的方向倾斜。

由此，在将第三板部301从第五延长部302侧插入第三开口部713的空间时，第三板部301被第三突出部倾斜面7331引导，因此容易进行第三板部301的插入。另外，因此抑制了第三板部301和第三突出部733的接触所引起的磨损。因此，抑制了因第三板部301和第三突出部733的接触而形成的磨损粉末进入螺栓用第三孔304。因此，在通过向螺栓用第三孔304以及设置于逆变器的孔中插入螺栓而将第三板部301和逆变器的一部分等外部连接时，抑制了第三板部301由于磨损粉末咬入而破损。

[13-2]第一突出部731位于第一假想面Si1上。由此，与第一突出部731没有位于第一假想面Si1上的情况比较，沿穿过基板50、第一引线130、壳体70并且与长度方向DL正交的方向切断时的截面积变大。因此，与第一突出部731没有位于第一假想面Si1上的情况比较，基板50、第一引线130及壳体70的截面系数及刚性变高。另外，在将第一板部101和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第一板部101位移时对基板50及第一引线130施加的应力变小。因此，抑制了基板50及第一引线130的变形或破损。

另外，第二突出部732位于第二假想面Si2上。由此，与第二突出部732没有位于第二假想面Si2上的情况比较，沿穿过基板50、第二引线230、壳体70并且与长度方向DL正交的方向切断时的截面积变大。因此，与第二突出部732没有位于第二假想面Si2上的情况比较，基板50、第二引线230及壳体70的截面系数及刚性变高。另外，在将第二板部201和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第二板部201位移时对基板50及第二引线230施加的应力变小。因此，抑制了基板50及第二引线230的变形或破损。

而且，第三突出部733位于第三假想面Si3上。由此，与第三突出部733没有位于第三假想面Si3上的情况比较，沿穿过基板50、第三引线330、壳体70并且与长度方向DL正交的方向切断时的截面积变大。因此，与第三突出部733没有位于第三假想面Si3上的情况比较，基板50、第三引线330及壳体70的截面系数及刚性变高。另外，在将第三板部301和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第三板部301位移时对基板50及第三引线330施加的应力变小。因此，抑制了基板50及第三引线330的变形或破损。

(第二十二实施方式)

在第二十二实施方式中，如图44～图46所示，第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733的形态与第二十一实施方式不同。除了这些以外，与第二十一实施方式相同。

如图44所示，第一突出部731从第一对置面721向厚度方向DT及宽度方向DW突出。而且，第一突出部731不包含第一突出部倾斜面7311，而包含第一接触面7310。第一接触面7310与第一板部101接触。另外，第一接触面7310形成为向第一板部101侧凸起的凸面状，例如形成为半球面状。因此，第一接触面7310和第一板部101进行点接触。此外，第一接触面7310形成为半球面状，但并不限定于此，也可以形成为圆弧柱侧面状、长球面状及椭圆弧柱侧面状等。

如图45所示，第二突出部732从第二对置面722向厚度方向DT及宽度方向DW突出。而且，第二突出部732不包含第二突出部倾斜面7321，而包含第二接触面7320。第二接触面7320与第二板部201接触。另外，第二接触面7320形成为向第二板部201侧凸起的凸面状，例如形成为半球面状。因此，第二接触面7320和第二板部201进行点接触。此外，第二接触面7320形成为半球面状，但并不限定于此，也可以形成为圆弧柱侧面状、长球面状及椭圆弧柱侧面状等。

如图46所示，第三突出部733从第三对置面723向厚度方向DT及宽度方向DW突出。而且，第三突出部733不包含第三突出部倾斜面7331，而包含第三接触面7330。第三接触面7330与第三板部301接触。另外，第三接触面7330形成为向第三板部301侧凸起的凸面状，例如形成为半球面状。因此，第三接触面7330和第三板部301进行点接触。此外，第三接触面7330形成为半球面状，但并不限定于此，也可以形成为圆弧柱侧面状、长球面状及椭圆弧柱侧面状等。

第二十二实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十二实施方式中，也起到了与第二十一实施方式同样的效果。

(第二十三实施方式)

在第二十三实施方式中，如图47～图49所示，第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733的形态与第二十一实施方式不同。除此以外，与第二十一实施方式相同。

如图47所示，第一突出部731取代形成于穿过厚度方向DT及宽度方向DW上的第一板部101的中心的位置，而形成于远离该第一板部101的中心的位置。另外，向厚度方向DT突出的第一突出部731在宽度方向DW上位于比螺栓用第一孔104靠外侧的位置。因此，向厚度方向DT突出的第一突出部731不通过穿过螺栓用第一孔104并且与宽度方向DW正交的面。因此，向厚度方向DT突出的第一突出部731容易与螺栓用第一孔104分离。

如图48所示，第二突出部732取代形成于穿过厚度方向DT及宽度方向DW上的第二板部201的中心的位置，而形成于远离该第二板部201的中心的位置。而且，向厚度方向DT突出的第二突出部732在宽度方向DW上位于比螺栓用第二孔204靠外侧的位置。因此，向厚度方向DT突出的第二突出部732不通过穿过螺栓用第二孔204并且与宽度方向DW正交的面。因此，向厚度方向DT突出的第二突出部732容易与螺栓用第二孔204分离。

如图49所示，第三突出部733取代形成于穿过厚度方向DT及宽度方向DW上的第三板部301的中心的位置，而形成于远离该第三板部301的中心的位置。另外，向厚度方向DT突出的第三突出部733在宽度方向DW上位于比螺栓用第三孔304靠外侧的位置。因此，向厚度方向DT突出的第三突出部733不通过穿过螺栓用第三孔304并且与宽度方向DW正交的面。因此，向厚度方向DT突出的第三突出部733容易与螺栓用第三孔304分离。

第二十三实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十三实施方式中，也起到了与第二十一实施方式同样的效果。

(第二十四实施方式)

在第二十四实施方式中，如图50～图52所示，第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733的形态与第二十一实施方式不同。除此以外，与第二十一实施方式相同。

如图50所示，向厚度方向DT突出的第一突出部731取代形成于穿过厚度方向DT及宽度方向DW上的第一板部101的中心的位置，而形成于远离该第一板部101的中心的位置。另外，向厚度方向DT突出的第一突出部731在宽度方向DW上位于比螺栓用第一孔104靠外侧的位置。因此，向厚度方向DT突出的第一突出部731不通过穿过螺栓用第一孔104并且与宽度方向DW正交的面，所以容易与螺栓用第一孔104分离。

如图51所示，向厚度方向DT突出的第二突出部732取代形成于穿过厚度方向DT及宽度方向DW上的第二板部201的中心的位置，而形成于远离该第二板部201的中心的位置。而且，向厚度方向DT突出的第二突出部732在宽度方向DW上位于比螺栓用第二孔204靠外侧的位置。因此，向厚度方向DT突出的第二突出部732不通过穿过螺栓用第二孔204并且与宽度方向DW正交的面，所以容易与螺栓用第二孔204分离。

如图52所示，向厚度方向DT突出的第三突出部733取代形成于穿过厚度方向DT及宽度方向DW上的第三板部301的中心的位置，而形成于远离该第三板部301的中心的位置。另外，向厚度方向DT突出的第三突出部733在宽度方向DW上位于比螺栓用第三孔304靠外侧的位置。因此，向厚度方向DT突出的第三突出部733不通过穿过螺栓用第三孔304并且与宽度方向DW正交的面，所以容易与螺栓用第三孔304分离。

第二十四实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十四实施方式中，也起到了与第二十一实施方式同样的效果。

(第二十五实施方式)

在第二十五实施方式中，如图53～图55所示，第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733的形态与第二十一实施方式不同。除此以外，与第二十一实施方式相同。

第一突出部731取代位于第一假想面Si1上，而如图53所示那样位于比第一假想面Si1靠与螺栓用第一孔104相反的一侧、即第一延长部102侧的位置。另外，第二突出部732取代位于第二假想面Si2上，而如图54所示那样位于比第二假想面Si2靠与螺栓用第二孔204相反的一侧、即第三延长部202侧的位置。而且，第三突出部733取代位于第三假想面Si3上，而如图55所示那样位于比第三假想面Si3靠与螺栓用第三孔304相反的一侧、即第五延长部302侧的位置。

第二十五实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十五实施方式中，也起到了与第二十一实施方式同样的效果。另外，在第二十五实施方式中，还起到了以下记载的效果。

[14]第一突出部731位于比第一假想面Si1靠与螺栓用第一孔104相反的一侧、即第一延长部102侧的位置。

由此，第一突出部731容易与螺栓用第一孔104分离。因此，在将第一板部101和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在将第一板部101的位移量设为恒定时，与第一突出部731位于比第一假想面Si1靠螺栓用第一孔104侧的位置的情况比较，第一板部101的旋转角度变小。因此，在将第一板部101和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第一板部101位移时对第一板部101施加的旋转力变小。因此，在将第一板部101和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第一板部101位移时对壳体70、基板50及第一引线130施加的旋转力及应力变小。因此，抑制了基板50及第一引线130的变形或破损。

另外，第二突出部732位于比第二假想面Si2靠与螺栓用第二孔204相反的一侧、即第三延长部202侧的位置。

由此，第二突出部732容易与螺栓用第二孔204分离。因此，在将第二板部201和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在将第二板部201的位移量设为恒定时，与第二突出部732位于比第二假想面Si2靠螺栓用第二孔204侧的位置的情况比较，第二板部201的旋转角度变小。因此，在将第二板部201和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第二板部201位移时对第二板部201施加的旋转力变小。因此，在将第二板部201和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第二板部201位移时对壳体70、基板50及第二引线230施加的旋转力及应力变小。因此，抑制了基板50及第二引线230的变形或破损。

而且，第三突出部733位于比第三假想面Si3靠与螺栓用第三孔304相反的一侧、即第五延长部302侧的位置。

由此，第三突出部733容易与螺栓用第三孔304分离。因此，在将第三板部301和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在将第三板部301的位移量设为恒定时，与第三突出部733位于比第三假想面Si3靠螺栓用第三孔304侧的位置的情况比较，第三板部301的旋转角度变小。因此，在将第三板部301和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第三板部301位移时对第三板部301施加的旋转力变小。因此，在将第三板部301和逆变器的一部分等外部连接的情况下，在第三板部301位移时对壳体70、基板50及第三引线330施加的旋转力及应力变小。因此，抑制了基板50及第三引线330的变形或破损。

(第二十六实施方式)

在第二十六实施方式中，如图56～图58所示，第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310、第一母线100、第二母线200、第三母线300的形态与第六实施方式不同。另外，在第二十六实施方式中，未形成第一凹部118、第二凹部218及第三凹部318。除了这些以外，与第六实施方式相同。

在此，如图56所示，将宽度方向DW上的从第一磁芯端面115至第二磁芯端面116的最小距离设为第一距离Gap1。将厚度方向DT上的从第一板部101至第一间隙形成部111的最大距离设为第一余隙距离Clr1_top。将第一余隙距离Clr1_top除以第一距离Gap1所得的值设为第一比Clr1/Gap1。另外，如图57所示，将宽度方向DW上的从第三磁芯端面215至第四磁芯端面216的最小距离设为第二距离Gap2。将厚度方向DT上的从第二板部201至第二间隙形成部211的最大距离设为第二余隙距离Clr2_top。将第二余隙距离Clr2_top除以第二距离Gap2所得的值设为第二比Clr2/Gap2。而且，如图58所示，将宽度方向DW上的从第五磁芯端面315至第六磁芯端面316的最小距离设为第三距离Gap3。将厚度方向DT上的从第三板部301至第三间隙形成部311的最大距离设为第三余隙距离Clr3_top。将第三余隙距离Clr3_top除以第三距离Gap3所得的值设为第三比Clr3/Gap3。

而且，第一距离Gap1例如设为5.0～10.0mm。另外，第一余隙距离Clr1_top例如设为2.0～6.0mm。而且，第一比Clr1/Gap1设为0.20以上且1.00以下。另外，第二距离Gap2例如设为5.0～10.0mm。而且，第二余隙距离Clr2_top例如设为2.0～6.0mm。另外，第二比Clr2/Gap2设为0.20以上且1.00以下。而且，第三距离Gap3例如设为5.0～10.0mm。另外，第三余隙距离Clr3_top例如设为2.0～6.0mm。而且，第三比Clr3/Gap3设为0.20以上且1.00以下。

第二十六实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十六实施方式中，也起到了与第六实施方式同样的效果。另外，在第二十六实施方式中，还起到了以下记载的效果。

[15]在此，假设频率为1Hz～几kHz、振幅为0～2000A的交流电流流入了第一母线100。另外，假设与该交流电流的振幅相同的值的直流电流流入了第一母线100。而且，将该交流电流的振幅设为Ia。另外，将与该交流电流的振幅相同的值的直流电流的值设为Id。将Ia除以Id所得的值设为振幅比Ia/Id。另外，假设由第一检测部120检测了Ia及Id。

而且，假设第一距离Gap1的值固定并且第一比Clr1/Gap1小于0.20。此时，因为第一余隙距离Clr1_top比较短，所以第一板部101和第一间隙形成部111比较近。由此，第一板部101和第一间隙117比较近，所以从第一间隙117漏出的磁场容易侵入第一板部101。因此，从第一间隙117漏出的磁场侵入到第一板部101，从而由于逆变器的交流电流的频率的变化而产生磁场随时间的变化，因此容易产生与从逆变器流向第一板部101的电流的方向相反的方向的感应电动势。由于通过使基于该感应电动势的电流在第一板部101中流通而产生的磁场，对第一间隙117施加的磁场容易变化。因此，由电流传感器5检测到的电流容易产生误差。另外，随着逆变器的交流电流的频率变大，基于上述感应电动势的在第一板部101的表面流通的电流由于集肤效应而变大，因此，对第一间隙117施加的磁场容易变化。由此，由电流传感器5检测到的电流容易产生误差。

与此相对，在第二十六实施方式中，第一比Clr1/Gap1设为0.20以上。

由此，与第一距离Gap1的值固定并且第一比Clr1/Gap1小于0.20的情况比较，第一余隙距离Clr1_top变长。因此，与第一距离Gap1的值固定并且第一比Clr1/Gap1小于0.20的情况比较，第一板部101和第一间隙形成部111分离。因此，与第一距离Gap1的值固定并且第一比Clr1/Gap1小于0.20的情况比较，第一板部101和第一间隙117分离，因此抑制了从第一间隙117侵入第一板部101的磁力线。因此，抑制了与流向第一板部101的电流的方向相反的方向的感应电动势的产生。由此，由电流传感器5检测到的电流难以产生误差，所以电流传感器5的频率特性提高。

因此，如图59所示，第一比Clr1/Gap1为0.20以上时的振幅比Ia/Id比第一比Clr1/Gap1小于0.20的情况下的振幅比Ia/Id接近100％，处于第一容许值以下。另外，第一比Clr1/Gap1更优选设为0.30以上。通过将第一比Clr1/Gap1设为0.30以上，与第一比Clr1/Gap1为0.20以上且小于0.30的情况比较，振幅比Ia/Id接近100％。因此，通过将第一比Clr1/Gap1设为0.30以上，与第一比Clr1/Gap1为0.20以上且小于0.30的情况比较，由电流传感器5检测到的电流的误差接近0。此外，第一容许值及第二容许值是与在电流传感器5中容许的误差相关的值。第一容许值例如为100.03％。第二容许值例如为100.01％。

另外，在此，假设第一比Clr1/Gap1大于1.00，即Clr1/Gap1＞1。此时，第一余隙距离Clr1_top大于第一距离Gap1。由此，与第一比Clr1/Gap1为1.00以下的情况比较，厚度方向DT上的第一磁芯110的外型变大。因此，与第一比Clr1/Gap1为1.00以下的情况比较，电流传感器5的外型变大。

因此，在第二十六实施方式中，第一比Clr1/Gap1设为1.00以下。

由此，与第一比Clr1/Gap1大于1.00的情况比较，厚度方向DT上的第一磁芯110的外型变小。因此，与第一比Clr1/Gap1大于1.00的情况比较，电流传感器5的外型变小。因此，抑制了电流传感器5的外型变大。

另外，在第二十六实施方式中，第二比Clr2/Gap2设为0.20以上且1.00以下。

由此，与上述同样，与第二距离Gap2的值固定并且第二比Clr2/Gap2小于0.20的情况比较，由电流传感器5检测到的电流难以产生误差，因此电流传感器5的频率特性提高。另外，与第二比Clr2/Gap2大于1.00的情况比较，抑制了电流传感器5的外型变大。

而且，在第二十六实施方式中，第三比Clr3/Gap3设为0.20以上且1.00以下。

由此，与上述同样，与第三距离Gap3的值固定并且第三比Clr3/Gap3小于0.20的情况比较，由电流传感器5检测到的电流难以产生误差，因此电流传感器5的频率特性提高。另外，与第三比Clr3/Gap3大于1.00的情况比较，抑制了电流传感器5的外型变大。

(第二十七实施方式)

如图60～图62所示，第二十七实施方式为与第十二实施方式同样的结构。另外，在第二十七实施方式中，还起到了以下记载的效果。此外，在图60～图62中，为了避免繁杂，省略了壳体70等的图示。

[16]第一突起部1151及第二突起部1152从朝向厚度方向DT外侧的第一间隙形成部111的外表面朝向厚度方向DT突出。因此，第一突起部1151及第二突起部1152从第一间隙形成部111中的与第一板部101相反的一侧的面朝向厚度方向DT突出。

在此，就通过第一间隙形成部111的磁力线而言，比起向第一磁芯110的外部流出，更容易通过第一突起部1151及第二突起部1152。另外，如上所述，第一突起部1151及第二突起部1152从朝向厚度方向DT外侧的第一间隙形成部111的外表面朝向厚度方向DT突出。因此，与从朝向厚度方向DT内侧的第一间隙形成部111的内表面朝向第一板部101突出的情况比较，第一突起部1151及第二突起部1152与第一板部101分离。因此，通过第一突起部1151及第二突起部1152的磁力线难以通过第一板部101。因此，抑制了从第一间隙117侵入第一板部101的磁力线。因此，抑制了与流向第一板部101的电流的方向相反的方向的感应电动势的产生。由此，由电流传感器5检测到的电流难以产生误差，所以电流传感器5的频率特性提高。

另外，第三突起部2151及第四突起部2152从朝向厚度方向DT外侧的第二间隙形成部211的外表面朝向厚度方向DT突出。因此，第三突起部2151及第四突起部2152从第二间隙形成部211中的与第二板部201相反的一侧的面朝向厚度方向DT突出。

而且，在此，就通过第二间隙形成部211的磁力线而言，比起向第二磁芯210的外部流出，更容易通过第三突起部2151及第四突起部2152。另外，如上所述，第三突起部2151及第四突起部2152从朝向厚度方向DT外侧的第二间隙形成部211的外表面朝向厚度方向DT突出。因此，与从朝向厚度方向DT内侧的第二间隙形成部211的内表面朝向第二板部201突出的情况比较，第三突起部2151及第四突起部2152与第二板部201分离。因此，通过第三突起部2151及第四突起部2152的磁力线难以通过第二板部201。因此，抑制了从第二间隙217侵入第二板部201的磁力线。因此，抑制了与流向第二板部201的电流的方向相反的方向的感应电动势的产生。由此，由电流传感器5检测到的电流难以产生误差，所以电流传感器5的频率特性提高。

而且，第五突起部3151及第六突起部3152从朝向厚度方向DT外侧的第三间隙形成部311的外表面朝向厚度方向DT突出。因此，第五突起部3151及第六突起部3152从第三间隙形成部311中的与第三板部301相反的一侧的面朝向厚度方向DT突出。

另外，在此，就通过第三间隙形成部311的磁力线而言，比起向第三磁芯310的外部流出，更容易通过第五突起部3151及第六突起部3152。而且，如上所述，第五突起部3151及第六突起部3152从朝向厚度方向DT外侧的第三间隙形成部311的外表面朝向厚度方向DT突出。因此，与从朝向厚度方向DT内侧的第三间隙形成部311的内表面朝向第三板部301突出的情况比较，第五突起部3151及第六突起部3152与第三板部301分离。因此，通过第五突起部3151及第六突起部3152的磁力线难以通过第三板部301。因此，抑制了从第三间隙317侵入第三板部301的磁力线。因此，抑制了与流向第三板部301的电流的方向相反的方向的感应电动势的产生。由此，由电流传感器5检测到的电流难以产生误差，所以电流传感器5的频率特性提高。

(第二十八实施方式)

在第二十八实施方式中，如图63～图68所示，第一母线100、第二母线200及第三母线300的形态与第二十四实施方式不同。另外，第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733的形态与第二十四实施方式不同。除了这些以外，与第二十四实施方式相同。

如图63及图64所示，第一母线100除了第一板部101、第一延长部102及第二延长部103以外，还具有第一母线突起部105。

第一母线突起部105从第一母线100中的与第一开口部711对置的面朝向第一开口部711突出。具体而言，第一母线突起部105从第一板部101的第一侧面106向宽度方向DW突出。此外，第一侧面106与第一板部101中的与宽度方向DW正交的面、即第一板部101中的与宽度方向DW交叉的面对应。另外，在此，第一母线突起部105形成为四棱柱状，但并不限定于此。第一母线突起部105也可以形成为多棱柱状、圆柱状及半球状等。

另外，向宽度方向DW突出的第一突出部731与第一母线突起部105在宽度方向DW上接触。而且，向厚度方向DT突出的第一突出部731与第一母线突起部105在厚度方向DT上接触。另外，第一突出部731的杨氏模量小于第一母线突起部105的杨氏模量。由此，第一突出部731比第一母线突起部105容易变形。此外，第一突出部731的杨氏模量例如根据壳体70的材料的杨氏模量来推定。另外，第一母线突起部105的杨氏模量例如根据第一母线100的材料的杨氏模量来推定。

如图65及图66所示，第二母线200除了第二板部201、第三延长部202及第四延长部203以外，还具有第二母线突起部205。

第二母线突起部205从第二母线200中的与第二开口部712对置的面朝向第二开口部712突出。具体而言，第二母线突起部205从第二板部201的第二侧面206向宽度方向DW突出。此外，第二侧面206与第二板部201中的与宽度方向DW正交的面、即第二板部201中的与宽度方向DW交叉的面对应。另外，在此，第二母线突起部205形成为四棱柱状，但并不限定于此。第二母线突起部205也可以形成为多棱柱状、圆柱状及半球状等。

另外，向宽度方向DW突出的第二突出部732与第二母线突起部205在宽度方向DW上接触。而且，向厚度方向DT突出的第二突出部732与第二母线突起部205在厚度方向DT上接触。另外，第二突出部732的杨氏模量小于第二母线突起部205的杨氏模量。由此，第二突出部732比第二母线突起部205容易变形。此外，第二突出部732的杨氏模量例如根据壳体70的材料的杨氏模量来推定。另外，第二母线突起部205的杨氏模量例如根据第二母线200的材料的杨氏模量来推定。

如图67及图68所示，第三母线300除了第三板部301、第五延长部302及第六延长部303，还具有第三母线突起部305。

第三母线突起部305从第三母线300中的与第三开口部713对置的面朝向第三开口部713突出。具体而言，第三母线突起部305从第三板部301的第三侧面306向宽度方向DW突出。此外，第三侧面306与第三板部301中的与宽度方向DW正交的面、即第三板部301中的与宽度方向DW交叉的面对应。另外，在此，第三母线突起部305形成为四棱柱状，但并不限定于此。第三母线突起部305也可以形成为多棱柱状、圆柱状及半球状。

另外，向宽度方向DW突出的第三突出部733与第三母线突起部305在宽度方向DW上接触。而且，向厚度方向DT突出的第三突出部733与第三母线突起部305在厚度方向DT上接触。另外，第三突出部733的杨氏模量小于第三母线突起部305的杨氏模量。由此，第三突出部733比第三母线突起部305容易变形。此外，第三突出部733的杨氏模量例如根据壳体70的材料的杨氏模量来推定。另外，第三母线突起部305的杨氏模量例如根据第三母线300的材料的杨氏模量来推定。

第二十八实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十八实施方式中，也起到了与第二十四实施方式同样的效果。另外，在第二十八实施方式中，还起到了以下记载的效果。

[17-1]第一母线100具有第一母线突起部105。第一母线突起部105通过从第一侧面106朝向宽度方向DW突出而与第一突出部731在宽度方向DW上接触。另外，第二母线200具有第二母线突起部205。第二母线突起部205通过从第二侧面206朝向宽度方向DW突出而与第二突出部732在宽度方向DW上接触。而且，第三母线300具有第三母线突起部305。第三母线突起部305通过从第三侧面306朝向宽度方向DW突出而与第三突出部733在宽度方向DW上接触。

在此，通过在第一母线100、第二母线200及第三母线300中流通电流，第一母线100、第二母线200及第三母线300发热。因此，在第二十八实施方式中，通过第一突出部731及第一母线突起部105形成了第一空间741。另外，通过第二突出部732及第二母线突起部205形成了第二空间742。而且，通过第三突出部733及第三母线突起部305形成了第三空间743。另外，第一母线突起部105和第一突出部731在宽度方向DW上接触的情况下的第一空间741的大小比第一侧面106和第一突出部731在宽度方向DW上接触的情况下的第一空间741的大小大。而且，第二母线突起部205和第二突出部732在宽度方向DW上接触的情况下的第二空间742的大小比第二侧面206和第二突出部732在宽度方向DW上接触的情况下的第二空间742的大小大。另外，第三母线突起部305和第三突出部733在宽度方向DW上接触的情况下的第三空间743的大小比第三侧面306和第三突出部733在宽度方向DW上接触的情况下的第三空间743的大小大。

由此，由第一母线100、第二母线200及第三母线300产生的热难以传递到壳体70。因此，难以从壳体70向第一检测部120、第二检测部220及第三检测部320传递热。因此，抑制了第一检测部120、第二检测部220及第三检测部320的元件的特性变化及故障。

另外，通过使第一母线突起部105与第一突出部731在宽度方向DW上接触，容易进行宽度方向DW上的壳体70和第一母线100的定位。而且，通过使第二母线突起部205与第二突出部732在宽度方向DW上接触，容易进行宽度方向DW上的壳体70和第二母线200的定位。另外，通过使第三母线突起部305与第三突出部733在宽度方向DW上接触，容易进行宽度方向DW上的壳体70和第三母线300的定位。

[17-2]第一突出部731从第一对置面721朝向厚度方向DT突出。向厚度方向DT突出的第一突出部731与第一母线突起部105在厚度方向DT上接触。

由此，容易进行厚度方向DT上的壳体70和第一母线100的定位。

另外，第二突出部732从第二对置面722朝向厚度方向DT突出。向厚度方向DT突出的第二突出部732与第二母线突起部205在厚度方向DT上接触。

因此，容易进行厚度方向DT上的壳体70和第二母线200的定位。

而且，第三突出部733从第三对置面723朝向厚度方向DT突出。向厚度方向DT突出的第三突出部733与第三母线突起部305在厚度方向DT上接触。

由此，容易进行厚度方向DT上的壳体70和第三母线300的定位。

[17-3]第一突出部731的杨氏模量小于第一母线突起部105的杨氏模量。

由此，第一突出部731比第一母线突起部105容易变形。因此，第一突出部731容易吸收在将第一板部101和逆变器的一部分等外部连接的情况下第一板部101位移时产生的应力能量。因此，抑制了壳体70的主体的破损。

第二突出部732的杨氏模量小于第二母线突起部205的杨氏模量。

由此，第二突出部732比第二母线突起部205容易变形。因此，第二突出部732容易吸收在将第二板部201和逆变器的一部分等外部连接的情况下第二板部201位移时产生的应力能量。因此，抑制了壳体70的主体的破损。

第三突出部733的杨氏模量小于第三母线突起部305的杨氏模量。

由此，第三突出部733比第三母线突起部305容易变形。因此，第三突出部733容易吸收在将第三板部301和逆变器的一部分等外部连接的情况下第三板部301位移时产生的应力能量。因此，抑制了壳体70的主体的破损。

(第二十九实施方式)

在第二十九实施方式中，如图69～图71所示，第一开口部711不包含第一突出部731。第二开口部712不包含第二突出部732。第三开口部713不包含第三突出部733。另外，第一母线突起部105、第二母线突起部205及第三母线突起部305的形态与第二十八实施方式不同。除了这些以外，与第二十八实施方式相同。

如图69所示，第一母线突起部105通过从第一侧面106朝向宽度方向DW突出而与第一对置面721接触。另外，第一母线突起部105通过从第一板面S1朝向厚度方向突出而与第一对置面721接触。此外，在此，第一板面S1与第一板部101中的与厚度方向DT正交的面、即第一板部101中的与厚度方向DT交叉的面对应。

如图70所示，第二母线突起部205通过从第二侧面206朝向宽度方向DW突出而与第二对置面722接触。而且，第二母线突起部205通过从第二板面S2朝向厚度方向突出而与第二对置面722接触。此外，在此，第二板面S2与第二板部201中的与厚度方向DT正交的面、即第二板部201中的与厚度方向DT交叉的面对应。

如图71所示，第三母线突起部305通过从第三侧面306朝向宽度方向DW突出而与第三对置面723接触。而且，第三母线突起部305通过从第三板面S3朝向厚度方向突出而与第三对置面723接触。此外，在此，第三板面S3与第三板部301中的与厚度方向DT正交的面、即第三板部301中的与厚度方向DT交叉的面对应。

第二十九实施方式的电流传感器5如上构成。在该第二十九实施方式中，也起到了与第二十八实施方式同样的效果。另外，在第二十九实施方式中，还起到了以下记载的效果。

[18]第一母线突起部105通过从第一母线100中的与第一开口部711对置的面朝向第一开口部711突出，从而与第一开口部711的第一对置面721接触。另外，第二母线突起部205通过从第二母线200中的与第二开口部712对置的面朝向第二开口部712突出，从而与第二开口部712的第二对置面722接触。而且，第三母线突起部305通过从第三母线300中的与第三开口部713对置的面朝向第三开口部713突出，从而与第三开口部713的第三对置面723接触。

由此，与上述同样，形成第一空间741、第二空间742及第三空间743，因此由第一母线100、第二母线200及第三母线300产生的热难以传递到壳体70。另外，与上述同样，容易进行壳体70和第一母线100、第二母线200及第三母线300的定位。

(第三十实施方式)

在第三十实施方式中，如图72～图74所示，第一对置面721、第二对置面722及第三对置面723的形态与第二十九实施方式不同。除此以外，与第二十九实施方式相同。

在第三十实施方式中，第一对置面721通过相对于长度方向DL倾斜而形成为锥状。另外，第二对置面722通过相对于长度方向DL倾斜而形成为锥状。而且，第三对置面723通过相对于长度方向DL倾斜而形成为锥状。

第三十实施方式的电流传感器5如上构成。在该第三十实施方式中，也起到了与第二十九实施方式同样的效果。

(第三十一实施方式)

在第三十一实施方式中，如图75～图77所示，第一突出部731、第二突出部732、第三突出部733、第一母线突起部105、第二母线突起部205及第三母线突起部305的形态与第二十八实施方式不同。除此以外，与第二十八实施方式相同。

向宽度方向DW突出的第一突出部731在长度方向DL上排列。另外，第一母线突起部105被彼此相邻的第一突出部731夹持。由此，第一母线突起部105和向宽度方向DW突出的第一突出部731在长度方向DL上接触。

向宽度方向DW突出的第二突出部732在长度方向DL上排列。另外，第二母线突起部205被彼此相邻的第二突出部732夹持。因此，第二母线突起部205和向宽度方向DW突出的第二突出部732在长度方向DL上接触。

向宽度方向DW突出的第三突出部733在长度方向DL上排列。另外，第三母线突起部305被彼此相邻的第三突出部733夹持。由此，第三母线突起部305和向宽度方向DW突出的第三突出部733在长度方向DL上接触。

第三十一实施方式的电流传感器5如上构成。在该第三十一实施方式中，也起到了与第二十八实施方式同样的效果。

(其它实施方式)

本公开并不限定于上述实施方式，能够对上述实施方式进行适当变更。另外，在上述各实施方式中，构成实施方式的要素除了特别明示为必须的情况以及原理上明显认为是必须的情况等以外，当然不一定是必须的。

在上述实施方式中，电流传感器5检测逆变器的三相交流电流。与此相对，由电流传感器5检测的逆变器的相数并不限定于三个，为一个以上即可。

在上述实施方式中，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310通过将板状的软磁性材料弯曲加工成C字形而形成。与此相对，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310并不限定于通过将板状的软磁性材料弯曲加工成C字形而形成。例如，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310也可以是通过对板状的软磁性材料进行线切割而形成。另外，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310也可以是通过卷绕片状的软磁性材料而形成。在该情况下，为了防止软磁性材料间的剥离而使用粘接材料。而且，第一磁芯110、第二磁芯210及第三磁芯310也可以是通过将片状的软磁性材料重合层叠而形成。在该情况下，将多个软磁性材料通过冲压加工而形成为片状，将片状的软磁性材料通过暗榫铆接而层叠。

另外，假设利用板状的坡莫合金对第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310进行层叠。此时，与利用板状的方向性电磁钢板将第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310层叠时比较，第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310的滞后特性提高。而且，假设利用板状的方向性电磁钢板形成第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310。此时，与利用坡莫合金形成第一磁芯110、第二磁芯210、第三磁芯310时比较，削减了材料费用，因此能够削减电流传感器5的成本。

在上述实施方式中，第一开口部711、第二开口部712及第三开口部713形成为矩形筒状。与此相对，第一开口部711、第二开口部712及第三开口部713并不限定于形成为矩形筒状，也可以形成为多边筒状及圆筒状等。

在上述实施方式中，第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733形成为四棱柱状。与此相对，第一突出部731、第二突出部732及第三突出部733并不限定于形成为四棱柱状，也可以形成为多棱柱状、圆柱状及半球状。

在上述实施方式中，第一磁芯端面115、第二磁芯端面116、第三磁芯端面215、第四磁芯端面216、第五磁芯端面315及第六磁芯端面316形成为平面状。与此相对，第一磁芯端面115、第二磁芯端面116、第三磁芯端面215、第四磁芯端面216、第五磁芯端面315及第六磁芯端面316并不限定于形成为平面状。第一磁芯端面115、第二磁芯端面116、第三磁芯端面215、第四磁芯端面216、第五磁芯端面315及第六磁芯端面316也可以形成为球面状及曲面状。

在上述第一及第三实施方式中，第一凹部118、第二凹部218及第三凹部318的数量为一个。与此相对，第一凹部118、第二凹部218及第三凹部318的数量并不限定于是一个。第一凹部118、第二凹部218及第三凹部318的数量也可以是两个以上。

在上述第二实施方式中，第一贯通孔119、第二贯通孔219及第三贯通孔319的数量为一个。与此相对，第一贯通孔119、第二贯通孔219及第三贯通孔319的数量并不限定于是一个。第一贯通孔119、第二贯通孔219及第三贯通孔319的数量也可以是两个以上。

在上述各实施方式中，电流传感器5用于逆变器，但并不限定于此，例如，也可以用于BMS。此外，BMS是Battery Management System(电池管理系统)的缩写。

在上述各实施方式中，就第一母线100、第二母线200、第三母线300而言，宽度大于厚度，但并不限定于此，也可以是厚度大于宽度。

上述各实施方式也可以适当组合。

(本公开的特征)

(课题)

根据发明人等的研究，要求由电流传感器检测到的电流的大小的范围扩大。但是，如果由电流传感器检测到的电流的大小变大，则在如专利文献1所记载的电流传感器中，由于会产生磁芯的磁饱和，因此难以扩大由电流传感器检测到的电流的大小的范围。

本公开的目的在于提供抑制磁饱和的电流传感器。

[第一观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

所述磁芯横部的磁导率大于所述磁芯底部的磁导率。

[第二观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(1121、2122、3123)和磁芯底部(1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包括朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

所述磁芯横部的磁导率小于所述磁芯底部的磁导率。

[第三观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(1121、2122、3123)和磁芯底部(1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

所述厚度方向上的所述磁芯底部的长度和所述宽度方向上的所述磁芯横部的长度相同，

所述磁芯横部的磁导率和所述磁芯底部的磁导率不同。

[第四观点]

根据第一～第三观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述间隙形成部包含：

第一面(151、251、351)，其与所述第一端面的边缘连接，并且从所述第一端面的边缘向远离所述间隙的方向延伸；以及

第二面(152、252、352)，其与所述第二端面的边缘连接，并且从所述第二端面的边缘向远离所述间隙的方向延伸。

[第五观点]

根据第一～第四观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述间隙形成部和所述磁芯横部的边界部的内侧的角部即横内侧角部(C1_in_top、C2_in_top、C3_in_top)为R形状。

[第六观点]

根据第一～第四观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述间隙形成部和所述磁芯横部的边界部的内侧的角部即横内侧角部(C1_in_top、C2_in_top、C3_in_top)为相对于所述宽度方向及所述厚度方向倾斜的倾斜面。

[第七观点]

根据第一～第六观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述磁芯横部和所述磁芯底部的边界部的内侧的角部即底内侧角部(C1_in_btm、C2_in_btm、C3_in_btm)为R形状。

[第八观点]

根据第一～第六观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述磁芯横部和所述磁芯底部的边界部的内侧的角部即底内侧角部(C1_in_btm、C2_in_btm、C3_in_btm)为相对于所述宽度方向及所述厚度方向倾斜的倾斜面。

[第九观点]

根据第一～第八观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述磁芯包含磁芯凹部(1155、2155、3155)，

所述磁芯凹部在将所述磁芯沿与所述母线的长度方向(DL)正交的方向切断时的所述磁芯的截面上从所述宽度方向及所述厚度方向的外侧的所述磁芯的外缘朝向所述磁芯的内部凹陷。

[第十观点]

根据第九观点所述的电流传感器，其中，

在将所述磁芯沿与所述长度方向正交的方向切断时的所述磁芯的截面上，将穿过所述厚度方向上的所述间隙形成部的中心并且沿所述宽度方向延伸的线段设为间隙中心线段(Og1、Og2、Og3)，

在将所述磁芯沿与所述长度方向正交的方向切断时的所述磁芯的截面上，将穿过所述宽度方向上的所述磁芯横部的中心并且沿所述厚度方向延伸的线段设为横中心线段(Os1、Os2、Os3)，

在将所述磁芯沿与所述长度方向正交的方向切断时的所述磁芯的截面上，将穿过所述厚度方向上的所述磁芯底部的中心并且沿所述宽度方向延伸的线段设为底中心线段(Ob1、Ob2、Ob3)，

所述间隙中心线段为将在所述宽度方向上排列的所述横中心线段连结的线段，

所述横中心线段为将所述间隙中心线段和所述底中心线段连结的线段，

所述底中心线段为将在所述宽度方向上排列的所述横中心线段连结的线段，

所述磁芯凹部位于比所述间隙中心线段、所述横中心线段及所述底中心线段靠外侧的区域(Rc1、Rc2、Rc3)。

[第十一观点]

根据第一～第八观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述磁芯在所述磁芯的内部包含磁芯贯通孔(1156、2156、3156)，

所述磁芯贯通孔沿所述母线的长度方向(DL)贯通。

[第十二观点]

根据第十一观点所述的电流传感器，其中，

在将所述磁芯沿与所述长度方向正交的方向切断时的所述磁芯的截面上，将穿过所述厚度方向上的所述间隙形成部的中心并且沿所述宽度方向延伸的线段设为间隙中心线段(Og1、Og2、Og3)，

在将所述磁芯沿与所述长度方向正交的方向切断时的所述磁芯的截面上，将穿过所述宽度方向上的所述磁芯横部的中心并且沿所述厚度方向延伸的线段设为横中心线段(Os1、Os2、Os3)，

在将所述磁芯沿与所述长度方向正交的方向切断时的所述磁芯的截面上，将穿过所述厚度方向上的所述磁芯底部的中心并且沿所述宽度方向延伸的线段设为底中心线段(Ob1、Ob2、Ob3)，

所述间隙中心线段为将在所述宽度方向上排列的所述横中心线段连结的线段，

所述横中心线段为将所述间隙中心线段和所述底中心线段连结的线段，

所述底中心线段为将在所述宽度方向上排列的所述横中心线段连结的线段，

所述磁芯贯通孔位于比所述间隙中心线段、所述横中心线段及所述底中心线段靠外侧的区域(Rc1、Rc2、Rc3)。

(课题)

在如专利文献1所记载的电流传感器中，从磁芯间隙漏出的磁场侵入到母线，从而由于交流电流的频率的变化而产生磁场随时间的变化，因此会产生与在母线中流通的电流的方向相反的方向的感应电动势。由于通过使基于该感应电动势的电流在母线中流通而产生的磁场，对磁芯间隙施加的磁场发生变化。因此，由电流传感器检测到的电流会产生误差。因此，电流传感器的频率特性降低。

本公开的目的在于提供提高频率特性的电流传感器。

[第一观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包括朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

所述母线具有：

第一投影部(Ps1、Ps3、Ps5)，其是在将所述第一端面向所述母线的厚度方向(DT)投影到所述母线时，与投影的所述第一端面重叠的所述母线的部分；

第二投影部(Ps2、Ps4、Ps6)，其是在将所述第二端面向所述厚度方向投影到所述母线时，与投影的所述第二端面重叠的所述母线的部分；

所述第一投影部及所述第二投影部之间的区域(R1、R2、R3)；以及

凹部(118、218、318)，其从所述区域向所述厚度方向凹陷。

[第二观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

所述母线具有：

第一投影部(Ps1、Ps3、Ps5)，其是在将所述第一端面向所述母线的厚度方向(DT)投影到所述母线时，与投影的所述第一端面重叠的所述母线的部分；

第二投影部(Ps2、Ps4、Ps6)，其是在将所述第二端面向所述厚度方向投影到所述母线时，与投影的所述第二端面重叠的所述母线的部分；

所述第一投影部及所述第二投影部之间的区域(R1、R2、R3)；以及

贯通孔(119、219、319)，其从所述区域沿所述厚度方向贯通。

(课题)

在如专利文献1所记载的电流传感器中，从磁芯间隙漏出的磁场侵入到母线，从而由于交流电流的频率的变化而产生磁场随时间的变化，因此会产生与在母线中流通的电流的方向相反的方向的感应电动势。由于通过使基于该感应电动势的电流在母线中流通而产生的磁场，对磁芯间隙施加的磁场发生变化。因此，由电流传感器检测到的电流会产生误差。因此，电流传感器的频率特性降低。

本公开的目的在于提供提高频率特性的电流传感器。

[第一观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

将所述厚度方向上的从所述母线至所述间隙形成部的距离(Clr1_top、Clr2_top、Clr3_top)除以所述宽度方向上的从所述第一端面至所述第二端面的距离(Gap1、Gap2、Gap3)所得的值(Clr1/Gap1、Clr2/Gap2、Clr3/Gap3)被设为0.20以上且1.00以下。

(课题)

通过在母线中流通电流，母线发热。因此，在如专利文献1所记载的电流传感器中，由母线产生的热经由收纳母线的壳体传递到作为检测部的传感器芯片。由此，有时产生传感器芯片的特性变化及故障。

本公开的目的在于提供抑制向检测部传递热的电流传感器。

[第一观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；以及

壳体(70)，其收纳有所述磁芯；

所述壳体具有插入到所述磁芯孔中并且插入有所述母线的开口部(711、712、713)，

所述开口部包括：

对置面(721、722、723)，其与所述母线对置；以及

突出部(731、732、733)，其通过从所述对置面朝向所述母线突出而与所述母线接触；

在所述对置面及所述母线之间形成有空间(741、742、743)。

[第二观点]

根据第一观点所述的电流传感器，其中，

所述电流传感器具备：

基板(50)；以及

引线(130、230、330)，其与所述基板及所述检测部连接；

所述突出部位于穿过所述基板、所述引线及所述壳体并且与所述母线的长度方向(DL)正交的平面(Si1、Si2、Si3)上。

[第三观点]

根据第一观点所述的电流传感器，其中，

所述电流传感器具备：

基板(50)；以及

引线(130、230、330)，其与所述基板及所述检测部连接；

所述母线具有与外部装置连接的连接部(104、204、304)，

所述突出部位于比穿过所述基板、所述引线及所述壳体并且与所述母线的长度方向(DL)正交的平面(Si1、Si2、Si3)靠与所述连接部相反的一侧的位置。

[第四观点]

根据第一～第三观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述母线具有与所述宽度方向交叉的侧面(106、206、306)和通过从所述侧面突出而与所述突出部接触的母线突起部(105、205、305)。

[第五观点]

根据第四观点所述的电流传感器，其中，

所述突出部通过向所述宽度方向突出，从而与所述母线突起部在所述宽度方向上接触。

[第六观点]

根据第四或第五观点所述的电流传感器，其中，

所述突出部通过向所述厚度方向突出，从而与所述母线突起部在所述厚度方向上接触。

[第七观点]

根据第四～第六观点中任一观点所述的电流传感器，其中，

所述突出部的杨氏模量小于所述母线突起部的杨氏模量。

[第八观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；以及

壳体(70)，其收纳有所述磁芯；

所述壳体具有插入到所述磁芯孔中并且插入有所述母线的开口部(711、712、713)，

所述母线具有通过从与所述开口部对置的面朝向所述开口部突出而与所述开口部接触的突出部(105、205、305)，

在所述开口部及所述母线之间形成有空间(741、742、743)。

(课题)

在如专利文献1所记载的电流传感器中，在制造电流传感器时等，对磁芯施加应力。因此，磁芯的晶体结构有时发生变化。由此，磁芯的BH特性等磁特性降低。

本公开的目的在于提供抑制磁特性降低的电流传感器。

[第一观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

所述磁芯包含磁芯凹部(1155、2155、3155)，

所述磁芯凹部在将所述磁芯沿与所述母线的长度方向(DL)正交的方向切断时的所述磁芯的截面上，从所述宽度方向及所述厚度方向的外侧的所述磁芯的外缘朝向所述磁芯的内部凹陷。

[第二观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

所述磁芯在所述磁芯的内部包含磁芯贯通孔(1156、2156、3156)，

所述磁芯贯通孔沿所述母线的长度方向(DL)贯通。

(课题)

根据发明人等的研究，要求由电流传感器检测到的电流的大小的范围扩大。但是，如果由电流传感器检测到的电流的大小变大，则在如专利文献1所记载的电流传感器中，由于会产生磁芯的磁饱和，因此难以将由电流传感器检测到的电流的大小的范围扩大。

本公开的目的在于提供抑制磁饱和的电流传感器。

[第一观点]

一种电流传感器，其中，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；以及

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；

所述磁芯具有从所述间隙形成部朝向所述厚度方向突出的突起部(1151、1152、2151、2152、3151、3152)。

Claims (8)

1.一种电流传感器，其特征在于，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；以及

壳体(70)，其收纳有所述磁芯；

所述壳体具有插入到所述磁芯孔中并且插入有所述母线的开口部(711、712、713)，

所述开口部包括：

对置面(721、722、723)，其与所述母线对置；以及

突出部(731、732、733)，其通过从所述对置面朝向所述母线突出而与所述母线接触；

在所述对置面及所述母线之间形成有空间(741、742、743)。

2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，

所述电流传感器具备：

基板(50)；以及

引线(130、230、330)，其与所述基板及所述检测部连接；

所述突出部位于穿过所述基板、所述引线及所述壳体并且与所述母线的长度方向(DL)正交的平面(Si1、Si2、Si3)上。

3.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，

所述电流传感器具备：

基板(50)；以及

引线(130、230、330)，其与所述基板及所述检测部连接；

所述母线具有与外部装置连接的连接部(104、204、304)，

所述突出部位于比穿过所述基板、所述引线及所述壳体并且与所述母线的长度方向(DL)正交的平面(Si1、Si2、Si3)靠与所述连接部相反的一侧的位置。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的电流传感器，其特征在于，

所述母线具有与所述宽度方向交叉的侧面(106、206、306)和通过从所述侧面突出而与所述突出部接触的母线突起部(105、205、305)。

5.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，

所述突出部通过向所述宽度方向突出，从而与所述母线突起部在所述宽度方向上接触。

6.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，

所述突出部通过向所述厚度方向突出，从而与所述母线突起部在所述厚度方向上接触。

7.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，

所述突出部的杨氏模量小于所述母线突起部的杨氏模量。

8.一种电流传感器，其特征在于，具备：

母线(100、200、300)，其形成为板状；

磁芯(110、120、130)，其具有磁芯孔(114、214、314)、间隙形成部(111、211、311)、磁芯横部(112、212、312、1121、2122、3123)和磁芯底部(113、213、313、1131、2132、3133)，所述磁芯孔中插入有所述母线，所述间隙形成部包含朝向所述母线的宽度方向(DW)的第一端面(115、215、315)、与所述第一端面在所述宽度方向上对置的第二端面(116、216、316)以及由所述第一端面和所述第二端面形成并且与所述磁芯孔和外部连通的间隙(117、217、317)，所述磁芯横部与所述间隙形成部连接，并且沿所述母线的厚度方向(DT)延伸，所述磁芯底部与所述磁芯横部连接并沿所述宽度方向延伸，并且与所述间隙形成部及所述磁芯横部形成所述磁芯孔；

检测部(120、220、320)，其配置于所述间隙，并且检测通过在所述母线中流通的电流而在所述间隙中产生的磁场的强度；以及

壳体(70)，其收纳有所述磁芯；

所述壳体具有插入到所述磁芯孔中并且插入有所述母线的开口部(711、712、713)，

所述母线具有通过从与所述开口部对置的面朝向所述开口部突出而与所述开口部接触的突出部(105、205、305)，

在所述开口部及所述母线之间形成有空间(741、742、743)。