CN117832234A - 平板探测器及探测基板 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种平板探测器及探测基板。该探测基板包括：衬底；光电转换结构，设于所述衬底的一侧；多个透镜单元，设于所述光电转换结构的入光侧；多个所述透镜单元构成多个透镜单元列，相邻的两个所述透镜单元列错开设置。本公开能够提高成像质量。

Description

平板探测器及探测基板

技术领域

本公开涉及探测技术领域，尤其涉及一种平板探测器及探测基板。

背景技术

随着社会的发展和科学技术的不断进步，平板探测器在医学影像等领域中逐步得到广泛应用。平板探测器包括探测基板。探测基板包括衬底和光电二极管。该光电二极管设于衬底上。然而，现有的探测基板还有待改进。

发明内容

本公开的目的在于提供一种平板探测器及探测基板，能够提高成像质量。

根据本公开的一个方面，提供一种探测基板，包括：

衬底；

光电转换结构，设于所述衬底的一侧；

多个透镜单元，设于所述光电转换结构的入光侧；多个所述透镜单元构成多个透镜单元列，相邻的两个所述透镜单元列错开设置。

进一步地，所述光电转换结构包括多个探测像素区，所述探测像素区包括多个感光器件，多个所述探测像素区中的多个所述感光器件与多个所述透镜单元一一对应。

进一步地，多个所述透镜单元列包括多个第一透镜单元列和多个第二透镜单元列，所述第一透镜单元列和所述第二透镜单元列交替设置，相邻的两个所述第一透镜单元列对齐设置，相邻的两个所述第二透镜单元列对齐设置。

进一步地，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括四个所述感光器件，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈平行四边形分布。

进一步地，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈菱形分布。

进一步地，所述探测像素区包括两个所述感光器件，与两个所述感光器件对应设置的两个所述透镜单元的分布方向与所述透镜单元列的延伸方向相交。

进一步地，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括两个或四个所述感光器件。

进一步地，所述感光器件为光电二极管，所述光电二极管包括相对设置的第一电极和第二电极；所述探测基板还包括：

电路层，包括多个像素电路，多个所述像素电路与多个所述探测像素区一一对应；一个所述探测像素区中的多个所述感光器件的第一电极短接，且与对应地所述像素电路连接。

进一步地，所述像素电路与读取信号线以及数据信号线连接，用于在所述读取信号线传输的信号的控制下控制所述像素电路向所述数据信号线传输信号；

多个所述探测像素区呈矩形分布，所述数据信号线沿着列方向延伸，所述读取信号线包括多个第一线路单元，多个所述第一线路单元沿着行方向依次连接，所述第一线路单元包括第一线段和第二线段，所述第二线段沿着列方向延伸，所述第一线段连接于所述第二线段的一端，且所述第一线段与所述第二线段的夹角为锐角。

进一步地，所述像素电路与重置信号线以及电源线连接，用于在所述重置信号线传输的信号的控制下控制所述第一电极与电源线连接；

所述电源线沿着列方向延伸，所述重置信号线包括多个第二线路单元，多个所述第二线路单元沿着行方向依次连接，所述第二线路单元包括第三线段和第四线段，所述第四线段沿着列方向延伸，所述第三线段连接于所述第四线段的一端，且所述第三线段与所述第四线段的夹角为锐角。

进一步地，在行方向上所述电源线与所述数据信号线位于所述像素电路区的两侧，在列方向上所述重置信号线与所述读取信号线位于所述像素电路区的两侧。

进一步地，所述像素电路包括重置晶体管、放大晶体管以及读取晶体管；所述重置晶体管的源极连接于电源线，所述重置晶体管的栅极连接于重置信号线；所述放大晶体管的源极连接于所述电源线，所述放大晶体管的栅极连接于所述重置晶体管的漏极，且与所述光电二极管的第一电极连接；所述读取晶体管的源极连接于放大晶体管的漏极，所述读取晶体管的栅极连接于读取信号线，所述读取晶体管的漏极连接于数据信号线。

进一步地，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述探测基板包括覆盖所述薄膜晶体管的第一平坦化层，所述第一平坦化层设有暴露所述薄膜晶体管的第一通孔；所述第一电极设于所述第一平坦化层背向衬底的一侧，且伸入所述第一通孔以与所述薄膜晶体管连接；

所述光电二极管还包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的半导体结构，所述半导体结构与所述第一通孔在平行于所述衬底的方向上间隔设置。

根据本公开的一个方面，提供一种平板探测器，包括所述的探测基板。

本公开的平板探测器及探测基板，多个透镜单元构成多个透镜单元列，相邻的两个透镜单元列错开设置，相比矩形分布的透镜单元，在透镜单元本身尺寸不变的情况下，本公开可以提高探测基板上透镜单元的填充率，即可以提高探测基板单位面积内的透镜单元的数量，进而可以使更多光线可以被透镜单元聚集，降低了光信号的损失，提高了成像质量；另一方面，由于本公开的多个像素探测区呈矩形分布，本公开在增加了透镜单元的空间占用率的同时，还不破坏探测像素区的周期性排列；又一方面，一个探测像素区内可以包括多个感光器件，降低了感光器件的填充率，本公开采用的低填充率的感光器件与高填充率的透镜单元结合的方案，既在电路端提高了信号增益，又在光路端提高了光效率用率，可以使灵敏度在现有方案的基础上实现数倍的提升。

附图说明

图1是相关技术中探测基板的示意图。

图2是本公开实施方式的探测基板的示意图。

图3是本公开实施方式的透镜单元的分布示意图。

图4为图3的局部示意图。

图5为本公开实施方式的感光器件的分布示意图。

图6为本公开实施方式的探测基板的截面示意图。

图7是本公开实施方式中像素电路的电路图。

图8为本公开实施方式中探测基板的另一示意图。

图9是图8的A部放大图。

附图标记说明：1、透镜单元；101、第一透镜单元；102、第二透镜单元；103、第三透镜单元；104、第四透镜单元；2、感光器件；201、第一电极；202、第二电极；203、半导体结构；3、透镜单元列；301、第一透镜单元列；302、第二透镜单元列；4、感光器件列；401、第一感光器件列；402、第二感光器件列；5、衬底；6、栅极；7、栅绝缘层；8、有源层；9、层间绝缘层；10、漏极；11、源极；12、第一平坦化层；13、第一钝化层；14、第一通孔；15、第二平坦化层；16、第二钝化层；17、第三钝化层；18、屏蔽层；19、第一黑矩阵；20、彩膜层；21、第一光学胶层；22、第二黑矩阵；23、第二光学胶层；24、第一线路单元；241、第一线段；242、第二线段；25、第二线路单元；251、第三线段；252、第四线段；100、探测像素区；T1、读取晶体管；T2、放大晶体管；T3、重置晶体管。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施方式进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施方式中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置的例子。

在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本公开。除非另作定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本公开说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

相关技术中，如图1所示，探测基板包括呈矩形分布的探测像素区100(图1中虚线框内的区域)。探测像素区100在行方向或列方向上的长度可以为69μm。各探测像素区100可以包括多个感光器件2，多个感光器件2可以呈矩形分布。该探测基板还包括呈矩形分布的透镜单元1。透镜单元1形貌为球缺，透镜单元1宽度32μm，在行方向和列方向上相邻的透镜单元1的间隔为2.5μm。其中，对于未被透镜单元1遮挡的区域，光线无法被透镜单元1聚集而浪费掉，计算得到透镜单元1的填充率仅有67％，光信号损失大，成像质量差。

本公开实施方式提供了一种探测基板。如图2和图6所示，该探测基板可以包括衬底5、光电转换结构以及多个透镜单元1，其中：

该光电转换结构可以设于衬底5的一侧。多个透镜单元1设于光电转换结构的入光侧。多个透镜单元1构成多个透镜单元列3，相邻的两个透镜单元列3错开设置。

本公开实施方式的探测基板，多个透镜单元1构成多个透镜单元列3，相邻的两个透镜单元列3错开设置，相比矩形分布的透镜单元1，在透镜单元1本身尺寸不变的情况下，可以提高探测基板上透镜单元1的填充率，即可以提高探测基板单位面积内的透镜单元1的数量，进而可以使更多光线可以被透镜单元1聚集，降低了光信号的损失，提高了成像质量。

下面对本公开实施方式的探测基板的各方面进行详细描述：

如图6所示，该衬底5可以为刚性衬底。其中，该刚性衬底可以为玻璃衬底或PMMA(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底等。当然，该衬底5还可以为柔性衬底。其中，该柔性衬底可以为PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、PEN(Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底或PI(Polyimide，聚酰亚胺)衬底。

本公开实施方式的探测基板还可以包括电路层。该电路层可以设于衬底5的一侧。该电路层可以包括多个像素电路。如图7所示，该像素电路可以与读取信号线G_read以及数据信号线Vdata连接，用于在读取信号线G_read传输的信号的控制下控制像素电路向数据信号线Vdata传输信号。该像素电路还可以与重置信号线G_rst以及电源线VDD连接。具体地，各像素电路可以包括重置晶体管T3、放大晶体管T2以及读取晶体管T1。该重置晶体管T3的源极11连接于电源线VDD，该重置晶体管T3的栅极6连接于重置信号线G_rst；该放大晶体管T2的源极11连接于电源线VDD，该放大晶体管T2的栅极6连接于重置晶体管T3的漏极10，且可以与感光器件2的第一电极201连接，感光器件2的第二电极202可以连接于偏压信号线Vbias；该读取晶体管T1的源极11连接于放大晶体管T2的漏极10，该读取晶体管T1的栅极6连接于读取信号线G_read，该读取晶体管T1的漏极10可以连接于数据信号线Vdata。此外，该像素电路还可以包括连接于感光器件2的第二电极202与放大晶体管T2的栅极6之间的储能电容C。该像素电路的工作过程如下：在复位阶段，重置晶体管T3打开，使放大晶体管T2栅极复位成VDD信号，放大晶体管T2工作在饱和状态；在曝光阶段，感光器件2受光照后产生光电流，光电流使第一电极201电位下降；在读取阶段，读取晶体管T1打开，以读取电流。

上述的重置晶体管T3、放大晶体管T2以及读取晶体管T1可以为薄膜晶体管。该薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，当然，该薄膜晶体管可以为底栅型薄膜晶体管。以薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例，如图6所示，该薄膜晶体管可以包括有源层8、栅绝缘层7、栅极6、层间绝缘层9、源极11以及漏极10。该有源层8可以设于衬底5上。该栅绝缘层7可以设于衬底5上，并覆盖有源层8。该栅极6可以设于栅绝缘层7远离衬底5的一侧。该层间绝缘层9可以设在栅绝缘层7上，并覆盖栅极6。该源极11以及漏极10可以设在层间绝缘层9上，且源极11以及漏极10可以经由穿过层间绝缘层9和栅绝缘层7的过孔连接至有源层8。本公开实施方式的探测基板还可以包括第一平坦化层12和第一钝化层13。该第一平坦化层12的厚度可以为2.4μm。该第一平坦化层12可以覆盖源极11、漏极10以及层间绝缘层9。该第一平坦化层12可以设有暴露薄膜晶体管的第一通孔14。以薄膜晶体管为重置晶体管T3为例，该第一平坦化层12可以设有暴露重置晶体管T3的漏极10的第一通孔14。该第一平坦化层12的材料可以包括树脂等。该第一钝化层13设于第一平坦化层12上，且覆盖第一通孔14的侧壁。

该光电转换结构可以设于衬底5的一侧。具体地，该光电转换结构可以设于电路层背向衬底5的一侧。如图2所示，该光电转换结构可以包括多个探测像素区100。各探测像素区100可以包括一个或多个感光器件2。该感光器件2可以为光电二极管，但本公开实施方式对此不做特殊限定。以感光器件2为光电二极管为例，该感光器件2可以包括相对设置的第一电极201和第二电极202以及位于第一电极201和第二电极202之间的半导体结构203。该半导体结构203的厚度可以为950nm。该半导体结构203可以在光照下生成光生载流子，因此，该半导体结构203可以将光信号转换为电信号。举例而言，该半导体结构203可以包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层。该第二半导体层可以为本征半导体。该第一半导体层和第三半导体层的导电类型不同，一个为n型半导体，另一个为p型半导体。在一实施方式中，该第一半导体层为n型半导体，第三半导体层为p型半导体。该第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层的材料可以相同，可以为非晶硅半导体材料，当然，也可以为多晶硅半导体材料，本公开实施方式对此不做特殊限定。

具体而言，如图6所示，该第一电极201可以设于上述钝化层背向衬底5的一侧，且第一电极201伸入上述的第一通孔14，以与薄膜晶体管连接，具体地，第一电极201与重置晶体管T3的漏极10连接。该半导体结构203可以设于第一电极201背向衬底5的一侧。其中，该第一半导体层可以设于第一电极201背向衬底5的一侧。该第二半导体层可以设于第一半导体层背向衬底5的一侧。该第三半导体层可以设于第二半导体层背向衬底5的一侧。其中，该半导体结构203与第一通孔14在平行于衬底5的方向上间隔设置，可以减小器件漏流。本公开的探测基板还可以包括第二平坦化层15和第二钝化层16。该第二平坦化层15可以覆盖多个光电二极管的半导体结构203，且第二平坦化层15设有暴露半导体结构203的第二通孔。该第二平坦化层15的材料可以包括树脂等。该第二钝化层16可以设于第二平坦化层15背向衬底5的一侧，且覆盖第二通孔的侧壁。该光电二极管的第二电极202可以设于第二钝化层16背向衬底5的一侧，且可以伸入第二通孔，以与第三半导体层连接。该第二电极202的材料可以包括氧化铟锡(ITO)。

以光电转换结构包括多个探测像素区100且各探测像素区100包括多个光电二极管为例，多个探测像素区100与电路层中的多个像素电路一一对应，一个探测像素区100内的多个光电二极管的第一电极201短接，且短接后的第一电极201均与对应地像素电路中重置晶体管T3的漏极10连接。该像素电路用于在重置信号线G_rst传输的信号的控制下控制第一电极201与电源线VDD连接。

如图6所示，本公开的探测基板还可以包括第三钝化层17和屏蔽层18。该第三钝化层17可以覆盖上述的第二电极202。该屏蔽层18可以设于第三钝化层17背向衬底5的一侧。该屏蔽层18的材料可以包括氧化铟锡(ITO)等，以起到静电保护作用。

如图6所示，本公开的探测基板还可以包括第一黑矩阵19、彩膜层20、第一光学胶层21(OC1)、第二黑矩阵22以及第二光学胶层23(OC2)。该第一黑矩阵19可以设于屏蔽层18背向衬底5的一侧。该第一黑矩阵19可以设有第三通孔。该第三通孔在衬底5上的正投影位于第三半导体层在衬底5上的正投影区域内。该彩膜层20可以设于第一黑矩阵19背向衬底5的一侧，且填充第三通孔。该彩膜层20为掺杂光阻材料的树脂层，主要透过波长为550nm左右的绿光，可过滤红外光，能够起到抗强光的作用。该第一光学胶层21可以设于彩膜层20背向衬底5的一侧。该第二黑矩阵22可以设于彩膜层20背向衬底5的一侧。该第二黑矩阵22可以设有窗口。该第二黑矩阵22作为防串扰光阑，能够防止大角度光线入射到达半导体结构203。该第二光学胶层23可以覆盖第二黑矩阵22以及窗口。该第一光学胶层21和第二光学胶层23可以作为平坦化层，其选用高透过率的树脂材料，用于增加光程，使透镜单元1焦点位于第三通孔附近。此外，上述的彩膜层20的蓝光波段透过率较低，本公开也可以去掉该彩膜层20，在屏蔽层18上交替沉积一定厚度的Si₃N₄/SiO₂薄膜，形成波段为700-800nm近红外光增反膜。

多个透镜单元1设于光电转换结构的入光侧。该光电转换结构的入光侧可以为光电转换结构背向衬底5的一侧。具体地，多个透镜单元1可以设于上述的第二光学胶背向衬底5的一侧。如图2所示，多个探测像素区100中的多个感光器件2与多个透镜单元1一一对应。其中，多个透镜单元1可以阵列分布，也就是说，感光器件2也可以阵列分布。如图3所示，阵列分布的多个透镜单元1可以构成多个透镜单元列3，多个透镜单元列3可以沿着行方向分布，任意相邻的两个透镜单元列3在行方向的距离可以相等，当然，也可以不等。如图5所示，阵列分布的多个感光器件2可以构成多个感光器件列4，多个感光器件列4可以沿着行方向分布，任意相邻的两个感光器件列4在行方向的距离可以相等。相邻的两个透镜单元列3可以错开设置，相邻的两个感光器件列4可以错开设置。

举例而言，如图3所示，多个透镜单元列3可以包括多个第一透镜单元列301和多个第二透镜单元列302列。该第一透镜单元列301和第二透镜单元列302列交替设置。相邻的两个第一透镜单元列301对齐设置，相邻的两个第二透镜单元列302列对齐设置，相邻的第一透镜单元列301与第二透明单元列错开设置。如图5所示，多个感光器件列4可以包括多个第一感光器件列401和多个第二感光器件列402。该第一感光器件列401和第二感光器件列402交替设置。相邻的两个第一感光器件列401对齐设置，相邻的两个第二感光器件列402对齐设置，相邻的第一感光器件列401与第二感光器件列402错开设置。该透镜单元1在衬底上的正投影的宽度可以为32μm，在行方向和列方向上相邻的透镜单元1的间隔可以为2.5μm。经过计算，本公开的透镜单元的填充率为78％。图1所示的相关技术中的探测基板的透镜单元1的填充率仅有67％。

如图2所示，上述的多个探测像素区100可以呈矩形分布，也就是说，多个探测像素区100构成多个像素行和多个像素列，像素行的延伸方向与像素列的延伸方向垂直，各像素行包括沿着行方向分布的多个探测像素区100，各像素列列包括沿着列方向分布的多个探测像素区100。一个探测像素区100内可以包括四个感光器件2。其中，一个探测像素区100内的四个感光器件2可以包括两个器件组，各器件组可以包括两个感光器件2。两个器件组中的一个器件组中的两个感光器件2可以位于上述的第一感光器件列401，另一器件组中的两个感光器件2可以为上述的第二感光器件列402。与一个探测像素区100内的四个感光器件2对应设置的四个透镜单元1可以呈平行四边形分布，进一步地，与一个探测像素区100内的四个感光器件2对应设置的四个透镜单元1可以呈菱形分布。如图4所示，以一个透镜单元1在衬底5上的正投影呈圆形为例，四个透镜单元1可以包括第一透镜单元101、第二透镜单元102、第三透镜单元103以及第四透镜单元104，四个透镜单元1呈菱形分布，也就是说，第一透镜单元101正投影的圆心与第二透镜单元102正投影的圆心的距离、第二透镜单元102正投影的圆心与第三透镜单元103正投影的圆心的距离、第三透镜单元103正投影的圆心与第四透镜单元104正投影的圆心的距离以及第一透镜单元101正投影的圆心与第四透镜单元104正投影的圆心的距离相等。在本公开其它实施方式中，该探测像素区100可以包括两个感光器件2，与两个感光器件2对应设置的透镜单元1的分布方向与透镜单元列3的延伸方向相交。

此外，以多个探测像素区100呈矩形分布为例，如图8和图9所示，上述的数据信号线Vdata以及电源线VDD沿着列方向(图9中的X方向)延伸。在行方向(图9中的Y方向)上电源线VDD与数据信号线Vdata位于像素电路区的两侧。上述的读取信号线G_read包括多个第一线路单元24，多个第一线路单元24沿着行方向依次连接。该第一线路单元24包括第一线段241和第二线段242，该第二线段242沿着列方向延伸，该第一线段241连接于第二线段242的一端，且第一线段241与第二线段242的夹角为锐角。该重置信号线G_rst包括多个第二线路单元25，多个第二线路单元25沿着行方向依次连接。该第二线路单元25包括第三线段251和第四线段252。该第四线段252沿着列方向延伸，该第三线段251连接于第四线段252的一端，且第三线段251与第四线段252的夹角为锐角。在列方向上重置信号线G_rst与读取信号线G_read位于像素电路区的两侧。由上可知，本公开不影响外围电路排布，不增加工艺制程难度。此外，图8也示出了重置晶体管T3、放大晶体管T2以及读取晶体管T1，三个晶体管间隔设置。

本公开实施方式还提供一种平板探测器。该平板探测器可以包括上述任一实施方式的探测基板。由于该平板探测器所包括的探测基板与上述探测基板的实施方式中的探测基板相同，因此，其具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。

以上仅是本公开的较佳实施方式而已，并非对本公开做任何形式上的限制，虽然本公开已以较佳实施方式揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。

Claims (14)

1.一种探测基板，其特征在于，包括：

衬底；

光电转换结构，设于所述衬底的一侧；

多个透镜单元，设于所述光电转换结构的入光侧；多个所述透镜单元构成多个透镜单元列，相邻的两个所述透镜单元列错开设置。

2.根据权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述光电转换结构包括多个探测像素区，所述探测像素区包括多个感光器件，多个所述探测像素区中的多个所述感光器件与多个所述透镜单元一一对应。

3.根据权利要求2所述的探测基板，其特征在于，多个所述透镜单元列包括多个第一透镜单元列和多个第二透镜单元列，所述第一透镜单元列和所述第二透镜单元列交替设置，相邻的两个所述第一透镜单元列对齐设置，相邻的两个所述第二透镜单元列对齐设置。

4.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括四个所述感光器件，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈平行四边形分布。

5.根据权利要求4所述的探测基板，其特征在于，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈菱形分布。

6.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，所述探测像素区包括两个所述感光器件，与两个所述感光器件对应设置的两个所述透镜单元的分布方向与所述透镜单元列的延伸方向相交。

7.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括两个或四个所述感光器件。

8.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，所述感光器件为光电二极管，所述光电二极管包括相对设置的第一电极和第二电极；所述探测基板还包括：

电路层，包括多个像素电路，多个所述像素电路与多个所述探测像素区一一对应；一个所述探测像素区中的多个所述感光器件的第一电极短接，且与对应地所述像素电路连接。

9.根据权利要求8所述的探测基板，其特征在于，所述像素电路与读取信号线以及数据信号线连接，用于在所述读取信号线传输的信号的控制下控制所述像素电路向所述数据信号线传输信号；

多个所述探测像素区呈矩形分布，所述数据信号线沿着列方向延伸，所述读取信号线包括多个第一线路单元，多个所述第一线路单元沿着行方向依次连接，所述第一线路单元包括第一线段和第二线段，所述第二线段沿着列方向延伸，所述第一线段连接于所述第二线段的一端，且所述第一线段与所述第二线段的夹角为锐角。

10.根据权利要求9所述的探测基板，其特征在于，所述像素电路与重置信号线以及电源线连接，用于在所述重置信号线传输的信号的控制下控制所述第一电极与电源线连接；

所述电源线沿着列方向延伸，所述重置信号线包括多个第二线路单元，多个所述第二线路单元沿着行方向依次连接，所述第二线路单元包括第三线段和第四线段，所述第四线段沿着列方向延伸，所述第三线段连接于所述第四线段的一端，且所述第三线段与所述第四线段的夹角为锐角。

11.根据权利要求10所述的探测基板，其特征在于，在行方向上所述电源线与所述数据信号线位于所述像素电路区的两侧，在列方向上所述重置信号线与所述读取信号线位于所述像素电路区的两侧。

12.根据权利要求10所述的探测基板，其特征在于，所述像素电路包括重置晶体管、放大晶体管以及读取晶体管；所述重置晶体管的源极连接于电源线，所述重置晶体管的栅极连接于重置信号线；所述放大晶体管的源极连接于所述电源线，所述放大晶体管的栅极连接于所述重置晶体管的漏极，且与所述光电二极管的第一电极连接；所述读取晶体管的源极连接于放大晶体管的漏极，所述读取晶体管的栅极连接于读取信号线，所述读取晶体管的漏极连接于数据信号线。

13.根据权利要求8所述的探测基板，其特征在于，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述探测基板包括覆盖所述薄膜晶体管的第一平坦化层，所述第一平坦化层设有暴露所述薄膜晶体管的第一通孔；所述第一电极设于所述第一平坦化层背向衬底的一侧，且伸入所述第一通孔以与所述薄膜晶体管连接；

所述光电二极管还包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的半导体结构，所述半导体结构与所述第一通孔在平行于所述衬底的方向上间隔设置。

14.一种平板探测器，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的探测基板。