CN117812834A - 一种激光蚀刻干膜线路的方法和系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种激光蚀刻干膜线路的方法和系统，方法包括：在覆铜的基板上覆盖干膜；获取基板需要蚀刻的线路图形；获取干膜的干膜厚度；根据线路图形和干膜厚度确定预设激光能量；通过激光发射点发射和预设激光能量相同的激光蚀刻干膜，以使干膜形成线路图形；将基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到线路图形的基板线路。干膜覆盖在基板上后通过激光对干膜进行蚀刻得到所需的线路图形，从而在线路图形精密时有效避免了线路图形交叉或者断裂，从而避免蚀刻的电路板短路或不通，降低废品率，可广泛应用于电路板制作技术领域。

Description

一种激光蚀刻干膜线路的方法和系统

技术领域

本发明涉及电路板制作技术领域，尤其涉及一种激光蚀刻干膜线路的方法、系统。

背景技术

目前的电路板制作中，在进行电路板的线路蚀刻时，通常是通过将干膜贴在覆铜的电路板上，然后进行蚀刻。但是在电路板的线路比较精密，线路之间的光路距离比较近时，在贴干膜时干膜上的线路图形容易交叉或者断裂，从而导致蚀刻的电路板短路或不通，从而增加废品率。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的是提供一种激光蚀刻干膜线路的方法、系统，能够有效避免线路图形交叉或者断裂，从而避免蚀刻的电路板短路或不通，降低废品率。

第一方面，本发明实施例提供了一种激光蚀刻干膜线路的方法，包括以下步骤：

在覆铜的基板上覆盖干膜；

获取所述基板需要蚀刻的线路图形；

获取干膜的干膜厚度；

根据所述线路图形和所述干膜厚度确定预设激光能量，所述预设激光能量表征预先通过激光蚀刻相同所述干膜厚度和相同线路图形得到的激光能量，所述预设激光能量刚好蚀刻穿所述干膜；

通过激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；

将所述基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到所述线路图形的基板线路。

可选地，所述预设激光能量的预设过程，包括

获取所述激光发射点到所述基板的光路距离和角度，所述光路距离和所述角度表征在进行激光蚀刻所述线路图形时，所述激光发射点到所述基板的光路距离和所述激光发射点发射激光的角度；

获取所述干膜厚度；

根据所述干膜厚度、所述光路距离和所述角度确定所述激光发射点的测试激光能量；

通过所述激光发射点发射和所述光路距离、所述角度和所述测试激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；

若所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，将所述测试激光能量设置为所述预设激光能量。

可选地，所述方法还包括：

获取所述测试激光能量的激光蚀刻区域；

调整所述测试激光能量的激光散度，以使所述测试激光能量的激光适配所述蚀刻区域，其中，所述蚀刻区域面积大的激光散度大于所述蚀刻区域面积小的激光散度。

可选地，所述方法还包括：

获取所述基板的视频图像；

根据所述视频图像确定所述基板的标记点；

根据所述标记点确定所述激光蚀刻起点。

可选地，所述根据所述干膜厚度、所述光路距离和所述角度确定所述激光发射点的测试激光能量，包括：

通过所述激光发射点发射所述测试激光能量；

通过调整透镜和所述角度确定所述光路距离，以使所述测试激光能量的激光在所述干膜上蚀刻所述线路图形，所述透镜表征所述激光发射点到所述干膜之间设置的若干个透镜；

通过调整所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光经过所述光路距离后刚好蚀刻穿所述干膜。

可选地，所述方法还包括：

获取所述干膜的蚀刻图像；

根据所述蚀刻图像确定蚀刻效果；

在所述蚀刻效果表征所述干膜没有蚀刻穿时，增加所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，并将此时的所述测试激光能量作为所述预设激光能量；

在所述蚀刻效果表征所述干膜蚀刻完后的所述基板存在蚀刻痕迹，减少所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，并将此时的所述测试激光能量作为所述预设激光能量。

可选地，所述通过所述激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形之后，还包括：

清扫所述基板，以使在所述干膜上蚀刻所述线路图形后的残渣得以清除。

第二方面，本发明实施例提供了一种激光蚀刻干膜线路的系统，包括集成在同一工艺机台上的：

覆膜装置，用于在覆铜的基板上覆盖干膜；

第一获取装置，用于获取所述基板需要蚀刻的线路图形；

第二获取装置，用于获取干膜的干膜厚度；

处理装置，用于根据所述线路图形和所述干膜厚度确定预设激光能量，所述预设激光能量表征预先通过激光蚀刻相同所述干膜厚度和相同线路图形得到的激光能量，所述预设激光能量刚好蚀刻穿所述干膜；

激光装置，用于通过激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；

蚀刻装置，用于将所述基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到所述线路图形的基板线路；

控制装置，用于分别控制所述覆膜装置、所述第一获取装置、所述第二获取装置、所述处理装置、所述激光装置和所述蚀刻装置进行协调工作。

可选地，还包括集成在同一工艺机台上的：

视频装置，用于获取所述基板的视频图像；

第一视频处理装置，用于根据所述视频图像确定所述基板的标记点；

第二视频处理装置，用于根据所述标记点确定激光蚀刻起点。

可选地，还包括集成在同一工艺机台上的：

清扫装置，用于清扫所述基板，以使在所述干膜上蚀刻所述线路图形后的残渣得以清除。

实施本发明实施例包括以下有益效果：本发明实施例提供一种激光蚀刻干膜线路的方法，包括：在覆铜的基板上覆盖干膜；获取所述基板需要蚀刻的线路图形；获取干膜的干膜厚度；根据所述线路图形和所述干膜厚度确定预设激光能量，所述预设激光能量表征预先通过激光蚀刻相同所述干膜厚度和相同线路图形得到的激光能量，所述预设激光能量刚好蚀刻穿所述干膜；通过激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；将所述基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到所述线路图形的基板线路。干膜覆盖在基板上后通过激光对干膜进行蚀刻得到所需的线路图形，从而在线路图形精密时有效避免了线路图形交叉或者断裂，从而避免蚀刻的电路板短路或不通，降低废品率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种激光蚀刻干膜线路的方法的步骤流程示意图；

图2是本发明实施例提供的一种激光蚀刻干膜线路的系统的结构示意框图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

如图1所示，第一方面，本发明实施例提供了一种激光蚀刻干膜线路的方法，其包括的步骤如下所示。

S101、在覆铜的基板上覆盖干膜。

具体的，在基板上覆铜后直接将干膜覆盖到基板的覆铜区域，覆铜后得到相应的铜层，从而盖住覆铜区域(即是铜层)，制作的线路精密，因此干膜上没有线路图形；若提前在干膜上制作线路图形，则在贴干膜的时候容易将干膜线路图形中的细微处弄断，或者交叉，且对干膜提前蚀刻线路图形后，干膜制作保存的过程中也容易造成精密线路的损坏。从而导致最后蚀刻的线路短路或不通，从而需要从新覆铜后蚀刻，增加制作成本和时间，电路板废品率也高。

S102、获取所述基板需要蚀刻的线路图形。

具体的，将干膜需要蚀刻的线路图线输入机器中，从而根据输入的线路图形对干膜进行蚀刻。需要蚀刻的线路图线是提前试验的线路图形，可包括多个线路图形。

S103、获取干膜的干膜厚度。

具体的，干膜厚度可以通过提前输入机器中，也可通过设置在基板周围的检测装置进行检测得到。干膜厚度为提前试验的干膜厚度，干膜的材质也是提前试验的，在进行激光蚀刻时只需要输入相应的干膜厚度和/或干膜的材质便可得到预设的激光能量。

S104、根据所述线路图形和所述干膜厚度确定预设激光能量，所述预设激光能量表征预先通过激光蚀刻相同所述干膜厚度和相同线路图形得到的激光能量，所述预设激光能量刚好蚀刻穿所述干膜。

具体的，线路图形和干膜厚度对应的预设激光能量提前通过实验确定。

在一些可选的实施例中，所述预设激光能量的预设过程，包括：获取所述激光发射点到所述基板的光路距离和角度，所述光路距离和所述角度表征在进行激光蚀刻所述线路图形时，所述激光发射点到所述基板的光路距离和所述激光发射点发射激光的角度；获取所述干膜厚度；根据所述干膜厚度、所述光路距离和所述角度确定所述激光发射点的测试激光能量；通过所述激光发射点发射和所述光路距离、所述角度和所述测试激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；若所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，将所述测试激光能量设置为所述预设激光能量。

具体的，获取到需要蚀刻的线路图线后，通过提前设置的光路距离传感器获取激光发射点到基板的光路距离，和通过角度传感器获取激光发射点发射激光的角度。获取蚀刻的干膜厚度，通过调试测试激光能量对应的激光发射角度、光路距离和激光能量，从而使得预设激光能量。

在一些可选的实施例中，所述方法还包括：获取所述测试激光能量的激光蚀刻区域；调整所述测试激光能量的激光散度，以使所述测试激光能量的激光适配所述蚀刻区域，其中，所述蚀刻区域面积大的激光散度大于所述蚀刻区域面积小的激光散度。

具体的，激光蚀刻的区域不同，则激光的散度不同。蚀刻区域面积大的激光散度大于蚀刻区域面积小的激光散度，从而加快激光的蚀刻速度和效率。激光散度通过设置不同的透镜实现。

在一些可选的实施例中，所述根据所述干膜厚度、所述光路距离和所述角度确定所述激光发射点的测试激光能量，包括：通过所述激光发射点发射所述测试激光能量；通过调整透镜和所述角度确定所述光路距离，以使所述测试激光能量的激光在所述干膜上蚀刻所述线路图形，所述透镜表征所述激光发射点到所述干膜之间设置的若干个透镜；通过调整所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光经过所述光路距离后刚好蚀刻穿所述干膜。

具体的，激光发射点发射的激光通过若干个透镜后到达干膜，并对干膜进行蚀刻，通过调整激光发射点的激光发射角度和/或透镜，从而改变激光在干膜上的蚀刻区域。通过不断调试不同的测试激光能量、不同的发射角度和不同光路距离的激光，使得激光能够刚好蚀刻穿干膜。并将此时的测试激光能量设置为预设激光能量，通过预设激光能量便能发射相应激光能量、发射角度和光路距离的激光蚀刻干膜，从而在后续加工中保证蚀刻精度，后续加工时是要处于测试时的环境、干膜厚度和线路图形，便能发射预设激光能量的激光，从而蚀刻干膜。

在一些可选的实施例中，所述方法还包括：获取所述基板的视频图像；根据所述视频图像确定所述基板的标记点；根据所述标记点确定所述激光蚀刻起点。

具体的，通过设置的视频装置获取基板的视频图像，从而根据获取到的视频图像识别基板中的标记点，根据基板的标记点确定在干膜上蚀刻的激光蚀刻起点。

在一些可选的实施例中，所述方法还包括：获取所述干膜的蚀刻图像；根据所述蚀刻图像确定蚀刻效果；在所述蚀刻效果表征所述干膜没有蚀刻穿时，增加所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，并将此时的所述测试激光能量作为所述预设激光能量；在所述蚀刻效果表征所述干膜蚀刻完后的所述基板存在蚀刻痕迹，减少所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，并将此时的所述测试激光能量作为所述预设激光能量。

具体的，在进行蚀刻时，先将线路图形对应的干膜分成不同的测试区域，获取测试区域的测试基准点，测试区域的基准点对应相应的基准激光散度，在不同的测试区域的基准点发射不同发射角度的激光去蚀刻干膜，保证激光能够照射到相应的区域的基准点，观察同一区域的图像，不断调整激光的能量，使得激光能够刚好蚀刻穿同一区域中的基准点的干膜，将此区域中的激光能量作为基准激光能量，检测同一区域中基准点意外的次区域，根据次区域中线路之间的间隔确定相应的激光散度，即是照射在次区域中激光的圆柱直径和线路之间的距离相同，通过调节透镜得到相应散度的激光；以基准点的激光能量为基准，根据基准点外的激光散度确定相应的激光能量，从而保证激光能够刚好蚀刻完次区域中的干膜，同一区域中相同散度的激光能量相同；具体还可根据相同散度的激光的发射角度适当修正不同发射角度的激光能量，进而保证激光能够蚀刻完次区域中的干膜；同一区域中的不同次区域的第一激光能量不同；其他区域也同样调试，不同区域中的第一激光能量不同，从而保证划分区域的粗调试能够保证各个区域的干膜都能刚好被穿透。粗调试完之后，进行整个线路蚀刻的精细调试，即是通过第一激光能量对干膜进行蚀刻得到线路图形，在蚀刻完之后获取并识别基板的图像，在蚀刻干膜中若存在蚀刻不足的点，则增加对应点的激光能量，若存在蚀刻过度，则减少对应点的激光能量，从而使得对应点的激光能够刚好蚀刻穿干膜，此时的激光能量为第二激光能量，将第二激光能量修正第一激光能量得到预设激光能量。

在激光蚀刻干膜的过程中，可能由于干膜温度、空气温度、空气湿度和空气辐射等多因素的影响，从而导致激光没有穿透干膜，即是激光能量不够，可能是由于空气温度低、空气湿度高、干膜温度低、干膜表面存在杂质等因素的影响，此时线性调高激光的能量去蚀刻干膜其他地方非线路的地方，直至干膜刚好穿透，从而回到蚀刻点，确定相应的激光能量增量，并通过激光增量蚀刻没有蚀刻穿的蚀刻点，从而达到刚好蚀刻穿干膜的效果；在蚀刻其他点位时，通过将原来设置的激光能量变化同步增加激光能量增量，从而达到刚好蚀刻穿干膜的效果，从而将此时的激光能量设置为预设激光能量。相应的，在穿透干膜后留下覆铜的蚀刻痕迹，即是激光能量过多，可能是由于空气温度高、空气湿度低、干膜温度高、干膜表面存在凹陷等因素的影响，此时线性调低激光的能量去蚀刻干膜其他地方非线路的地方，直至干膜刚好穿透，从而回到蚀刻点，确定相应的激光能量减量，并通过将原来设置的激光能量变化同步减少激光能量减量，从而达到刚好蚀刻穿干膜的效果，从而将此时的激光能量设置为预设激光能量。

在一些可选的实施例中，所述通过所述激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形之后，还包括：清扫所述基板，以使在所述干膜上蚀刻所述线路图形后的残渣得以清除。

具体的，蚀刻完干膜后可能存在烧焦的残渣，控制清扫装置清扫后除去残渣，从而避免影响基板的质量。

在一些可选的实施例中，所述获取所述基板到激光发射点的光路距离和角度，包括：获取所述基板到所述激光发射点的垂直光路距离；根据所述线路图形确定所述干膜的激光蚀刻起点；根据所述蚀刻起点和所述垂直光路距离生成对应的光路距离角度曲线，所述光路距离角度曲线表征在蚀刻所述干膜得到所述线路图形时的光路距离和角度的变化曲线；根据所述光路距离角度曲线和蚀刻所述干膜的蚀刻信息确定所述光路距离和所述角度。

具体的，此实施例中的激光发射点发射的激光不通过透镜，直接到达干膜。首先获取基板到激光发射点的垂直光路距离，具体是干膜与激光发射点相对应的表面到激光发射点的垂直光路距离；根据线路图形确定干膜的激光蚀刻起点，具体是通过预设设置的标记进行确定，也可通过获取覆盖干膜后的基板图像，确定干膜的覆盖情况，从而确定激光蚀刻起点。根据蚀刻起点和垂直光路距离生成对应的光路距离角度曲线，即是通过设置的线路图形和获取到的激光蚀刻起点便能生成对应的光路距离角度曲线，光路距离角度曲线即是蚀刻线路图形时对应光路距离和角度，光路距离即是激光发射点到干膜的光路距离，角度即是激光发射光线与垂直光线之间的夹角。根据光路距离角度曲线和蚀刻干膜的蚀刻信息确定光路距离和角度，即是通过光路距离角度曲线以及当前蚀刻的进度便可得到对应的光路距离和角度，从而调整对应的激光能量。

在一些可选的实施例中，所述方法还包括：根据所述干膜厚度、所述激光蚀刻起点和所述线路图形确定所述干膜与所述基板接触面的线路信息；根据所述线路信息确定所述角度和所述光路距离。

具体的，此实施例中的激光发射点发射的激光不通过透镜，直接到达干膜。干膜与基板接触面的线路信息即是干膜与基板接触面的线路图形，由于干膜的蚀刻点和激光发射点存在角度偏差，从而导致干膜上表面的图形与干膜与基板接触面存在图形存在偏差，因此，通过角度偏差和干膜厚度先确定干膜与基板接触面的线路图形，从而再蚀刻干膜上表面相应的点，从而保证干膜与基板接触面的线路图形和预设的蚀刻图形一致。干膜上表面即是干膜和激光发射点相对的表面。

根据所述干膜厚度、所述光路距离和所述角度确定所述激光发射点的激光能量。

具体的，获取到干膜厚度后通过激光的蚀刻角度便能确定激光需要蚀刻的干膜，从而通过光路距离蚀刻的干膜多少确定需要发射的激光能量；激光在空气中的衰减与光路距离相关，激光蚀刻的干膜材料提前设置，蚀刻单位干膜的激光能量提前设置，从而可根据光路距离和蚀刻干膜的多少调整激光的能量。

在一些可选的实施例中，所述根据所述干膜厚度、所述光路距离和所述角度确定所述激光发射点的激光能量，包括：根据所述干膜厚度和所述角度确定所述干膜的蚀刻厚度，其中，所述蚀刻厚度大于等于所述干膜厚度；根据所述光路距离和所述蚀刻厚度确定所述激光能量，以使所述激光发射点发射的激光刚好蚀刻穿所述干膜。

具体的，此实施例中的激光发射点发射的激光不通过透镜，直接到达干膜。在激光发射点与干膜的蚀刻点不垂直时，干膜的蚀刻厚度大于干膜厚度，具体的蚀刻厚度通过干膜厚度和角度便能确定。从而确定激光需要蚀刻的干膜多少，即是激光刚好蚀刻穿干膜所需的能量，进而根据路距离便能确定激光发射点发射的激光能量。

S105、通过激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形。

具体的，激光发射点发射和预设激光能量相同的激光蚀刻干膜，从而得到所需的线路图形。

S106、将所述基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到所述线路图形的基板线路。

具体的，将蚀刻完的基板放到蚀刻液中进行蚀刻，蚀刻液能够蚀刻覆铜，覆盖干膜的线路被保护起来，从而得到线路图形的基板线路，去掉干膜后即可进行后续的工序。得到的线路精密度高，生产效率高。

实施本发明实施例包括以下有益效果：本发明实施例提供一种激光蚀刻干膜线路的方法，包括：在覆铜的基板上覆盖干膜；获取所述基板需要蚀刻的线路图形；获取干膜的干膜厚度；根据所述线路图形和所述干膜厚度确定预设激光能量，所述预设激光能量表征预先通过激光蚀刻相同所述干膜厚度和相同线路图形得到的激光能量，所述预设激光能量刚好蚀刻穿所述干膜；通过激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；将所述基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到所述线路图形的基板线路。干膜覆盖在基板上后通过激光对干膜进行蚀刻得到所需的线路图形，从而在线路图形精密时有效避免了线路图形交叉或者断裂，从而避免蚀刻的电路板短路或不通，降低废品率。

如图2所示，第二方面，本发明实施例还提供了一种激光蚀刻干膜线路的系统，包括集成在同一工艺机台上的：

覆膜装置，用于在覆铜的基板上覆盖干膜；

第一获取装置，用于获取所述基板需要蚀刻的线路图形；

第二获取装置，用于获取干膜的干膜厚度；

处理装置，用于根据所述线路图形和所述干膜厚度确定预设激光能量，所述预设激光能量表征预先通过激光蚀刻相同所述干膜厚度和相同线路图形得到的激光能量，所述预设激光能量刚好蚀刻穿所述干膜；

激光装置，用于通过激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；

蚀刻装置，用于将所述基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到所述线路图形的基板线路；

控制装置，用于分别控制所述覆膜装置、所述第一获取装置、所述第二获取装置、所述处理装置、所述激光装置和所述蚀刻装置进行协调工作。

可选地，还包括集成在同一工艺机台上的：

视频装置，用于获取所述基板的视频图像；

第一视频处理装置，用于根据所述视频图像确定所述基板的标记点；

第二视频处理装置，用于根据所述标记点确定所述激光蚀刻起点。

可选地，还包括集成在同一工艺机台上的：

清扫装置，用于清扫所述基板，以使在所述干膜上蚀刻所述线路图形后的残渣得以清除。

可见，上述方法实施例中的内容均适用于本系统实施例中，本系统实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同，并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。

可以理解的是，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信息处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储设备、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信息中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (10)

1.一种激光蚀刻干膜线路的方法，其特征在于，包括：

在覆铜的基板上覆盖干膜；

获取所述基板需要蚀刻的线路图形；

获取干膜的干膜厚度；

根据所述线路图形和所述干膜厚度确定预设激光能量，所述预设激光能量表征预先通过激光蚀刻相同所述干膜厚度和相同线路图形得到的激光能量，所述预设激光能量刚好蚀刻穿所述干膜；

通过激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；

将所述基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到所述线路图形的基板线路。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设激光能量的预设过程，包括：

获取所述激光发射点到所述基板的光路距离和角度，所述光路距离和所述角度表征在进行激光蚀刻所述线路图形时，所述激光发射点到所述基板的光路距离和所述激光发射点发射激光的角度；

获取所述干膜厚度；

根据所述干膜厚度、所述光路距离和所述角度确定所述激光发射点的测试激光能量；

通过所述激光发射点发射和所述光路距离、所述角度和所述测试激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；

若所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，将所述测试激光能量设置为所述预设激光能量。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述测试激光能量的激光蚀刻区域；

调整所述测试激光能量的激光散度，以使所述测试激光能量的激光适配所述蚀刻区域，其中，所述蚀刻区域面积大的激光散度大于所述蚀刻区域面积小的激光散度。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述基板的视频图像；

根据所述视频图像确定所述基板的标记点；

根据所述标记点确定所述激光蚀刻起点。

5.根据权利要求4述的方法，其特征在于，所述根据所述干膜厚度、所述光路距离和所述角度确定所述激光发射点的测试激光能量，包括：

通过所述激光发射点发射所述测试激光能量；

通过调整透镜和所述角度确定所述光路距离，以使所述测试激光能量的激光在所述干膜上蚀刻所述线路图形，所述透镜表征所述激光发射点到所述干膜之间设置的若干个透镜；

通过调整所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光经过所述光路距离后刚好蚀刻穿所述干膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述干膜的蚀刻图像；

根据所述蚀刻图像确定蚀刻效果；

在所述蚀刻效果表征所述干膜没有蚀刻穿时，增加所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，并将此时的所述测试激光能量作为所述预设激光能量；

在所述蚀刻效果表征所述干膜蚀刻完后的所述基板存在蚀刻痕迹，减少所述测试激光能量，以使所述测试激光能量的激光刚好蚀刻穿所述干膜，并将此时的所述测试激光能量作为所述预设激光能量。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形之后，还包括：

清扫所述基板，以使在所述干膜上蚀刻所述线路图形后的残渣得以清除。

8.一种激光蚀刻干膜线路的系统，其特征在于，包括集成在同一工艺机台上的：

覆膜装置，用于在覆铜的基板上覆盖干膜；

第一获取装置，用于获取所述基板需要蚀刻的线路图形；

第二获取装置，用于获取干膜的干膜厚度；

处理装置，用于根据所述线路图形和所述干膜厚度确定预设激光能量，所述预设激光能量表征预先通过激光蚀刻相同所述干膜厚度和相同线路图形得到的激光能量，所述预设激光能量刚好蚀刻穿所述干膜；

激光装置，用于通过激光发射点发射和所述预设激光能量相同的激光蚀刻所述干膜，以使所述干膜形成所述线路图形；

蚀刻装置，用于将所述基板放至蚀刻液中进行蚀刻，将没有干膜覆盖的覆铜区域蚀刻掉，得到所述线路图形的基板线路；

控制装置，用于分别控制所述覆膜装置、所述第一获取装置、所述第二获取装置、所述处理装置、所述激光装置和所述蚀刻装置进行协调工作。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，还包括集成在同一工艺机台上的：

视频装置，用于获取所述基板的视频图像；

第一视频处理装置，用于根据所述视频图像确定所述基板的标记点；

第二视频处理装置，用于根据所述标记点确定激光蚀刻起点。

10.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，还包括集成在同一工艺机台上的：

清扫装置，用于清扫所述基板，以使在所述干膜上蚀刻所述线路图形后的残渣得以清除。