CN117810772A - 接地环组件及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种接地环组件及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种接地环组件，包括接地件、滑动件和弹性件，接地件用于与基座组件连接，滑动件沿第一方向可滑动地设置于接地件，弹性件连接滑动件与接地件，滑动件具有接触面；在接地环组件上升的情况下，接触面能够与屏蔽件接触，以使基座组件、接地件、滑动件及屏蔽件电导通，且接触面相对于屏蔽件可滑动。一种半导体工艺设备，包括上述接地环组件。本申请能够解决接地环境不良造成等离子体泄漏、打火现象等问题。

Description

接地环组件及半导体工艺设备

技术领域

本申请属于半导体装备技术领域，具体涉及一种接地环组件及半导体工艺设备。

背景技术

在集成电路制造工艺中，物理气相沉积方式由于薄膜一致性、均匀性更优且工艺窗口更宽，能够实现深宽比较高的通孔填充等工艺，被广泛应用于沉积多种不同的金属层、硬掩膜等相关材料层。当前，一些物理气相沉积设备具备射频和直流共溅射功能，其可以生成更高的等离子体密度，更低的溅射粒子能量，在无损伤工艺、高密度薄膜的制备、薄膜性能的改善等方面具有更多优势。

在射频与直流共溅射的环境中，等离子体密度较大，且射频的引入对腔体及屏蔽结构的接地环境要求非常严格，如果部分硬件接地环境不良，将会造成在腔体内屏蔽结构外的区域出现等离子体泄漏，且屏蔽结构外的腔体被点亮的情况，且容易造成腔体内接地较差的一端的连接面发生打火现象。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种接地环组件及半导体工艺设备，能够解决接地环境不良造成等离子体泄漏、打火现象等问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种接地环组件，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室以及设置于工艺腔室内的基座组件和屏蔽件，所述接地环组件包括：接地件、滑动件和弹性件；

所述接地件用于与所述基座组件连接，所述滑动件沿第一方向可滑动地设置于所述接地件，所述弹性件连接所述滑动件与所述接地件，所述滑动件具有接触面；

在所述接地环组件上升的情况下，所述接触面用于与所述屏蔽件接触，以使所述基座组件、所述接地件、所述滑动件及所述屏蔽件电导通，且所述接触面相对于所述屏蔽件可滑动。

本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室、基座组件、屏蔽件以及上述接地环组件；

所述基座组件、所述屏蔽件和所述接地环组件均设置于所述工艺腔室内，且所述基座组件在所述工艺腔室内可升降移动，所述屏蔽件接地；

所述接地环组件设置于所述基座组件，在所述接地环组件随着所述基座组件上升的情况下，所述接地环组件中所述滑动件的所述接触面能够与所述屏蔽件接触，以使所述基座组件与所述屏蔽件电导通。

本申请实施例中，在工艺过程中，通过接地环组件可以将基座组件与屏蔽件接通，从而可以保证良好的接地环境；并且，在接地环组件上升过程中，滑动件首先与屏蔽件接触，随着接地环组件的继续上升，滑动件相对于接地件滑动，且接触面沿着屏蔽件滑动，随着接地环组件继续上升，滑动件则不再继续滑动，从而可以防止接地环组件上升过程中受到屏蔽件的限制而影响上升过程，与此同时，在滑动件不再继续相对于接地件滑动时，弹性件的压缩程度达到最大，即便接地环组件继续上升，弹性件也不再被进一步压缩，从而可以避免弹性件的压缩程度过大而导致弹性件被过度压缩而损坏的情况发生。

附图说明

图1为相关技术中的基座、屏蔽结构、接地结构的结构示意图；

图2为相关技术中的接地结构的局部示意图；

图3为本申请实施例公开的基座组件、屏蔽件及接地环组件等结构的示意图；

图4为本申请实施例公开的接地环组件的结构示意图；

图5为本申请实施例公开的第一种形式的接地环组件的局部示意图；

图6为本申请实施例公开的第二种形式的接地环组件的局部示意图；

图7为本申请实施例公开的基座组件处于较低位置的状态图；

图8为本申请实施例公开的基座组件处于中间位置的状态图；

图9为本申请实施例公开的基座组件处于较高位置的状态图；

图10为本申请实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图。

附图标记说明：

10-腔室；20-基座；30-屏蔽结构；40-接地结构；41-接地弹簧；42-接地环；43-紧固螺钉；

100-工艺腔室；

200-基座组件；210-基座本体；211-陶瓷结构；212-金属外壳；213-支撑面；220-基座轴；

300-屏蔽件；310-主体部；320-连接部；330-抵接部；

400-接地环组件；410-接地件；420-滑动件；421-接触面；422-导向通道；430-弹性件；440-导电杆；450-柔性导电件；461-第一锁紧件；462-第二锁紧件；470-支板；

500-压环；

610-真空泵系统；620-流量计；630-气体源；

710-靶材；720-绝缘材料；730-去离子水；

810-射频电源；820-直流电源；

910-磁控管；920-马达；

1010-电容调节装置；1020-偏置射频电源。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例进行详细地说明。

相关技术中，磁控溅射设备通过射频电源和直流电源对靶材施加电压，然而，在射频和直流共溅射的环境中，等离子体密度较大，且射频的引入对工艺腔体和屏蔽结构的接地环境要求较为严格，如果接地环境不良，一方面会造成在腔体内屏蔽结构外的区域出现等离子体泄漏，且屏蔽结构外的腔体被点亮的情况；另一方面，容易造成腔体内接地较差的一端发生打火现象。

在实际工艺过程中，由于基座的外壳接地较差且基座加载了较高的射频能量，造成基座的外壳感应出较高的偏压，加上屏蔽结构内的等离子体通过压环与屏蔽结构的缝隙泄漏至屏蔽结构的外侧，与基座的外壳累积的偏压相互影响，极容易造成屏蔽结构外的气体源电离，并启辉，严重时会在基座的外壳及反应腔体内其他部位上造成打火现象，该部分启辉的等离子体对工艺没有任何贡献，且还会造成加载在基座上的射频功率无法完全集中在晶圆上，从而造成严重的工艺问题。

为了避免上述问题的出现，需要对屏蔽结构及基座的外壳进行良好的接地设计。另外，在磁控溅射工艺调试以及应用的过程中，还会通过调节靶基间距(即，靶材的朝向晶圆的表面与晶圆表面之间的距离)来调整沉积薄膜的均匀性及工艺沉积速率等重要参数。

为了使屏蔽结构和基座外壳拥有良好的接地环境，可以采用在基座外壳安装接地环的方式使基座外壳和屏蔽结构接地良好，如图1和图2所示，相关技术中的一种物理气相沉积设备，包括腔室10、基座20、屏蔽结构30和接地结构40，其中，接地结构40包括接地弹簧41、接地环42和紧固螺钉43，接地弹簧41通过紧固螺钉43固定至接地环42，接地环42与基座20连接。

在基座20上升过程中，带动接地环42以及接地弹簧41同步上升，随着接地弹簧41上升，会与屏蔽结构30的底部触碰，基座20继续上升，接地弹簧41受到挤压而变形，当基座20上升位移较大时，接地弹簧41的变形量较大，导致接地弹簧41无法恢复甚至断裂，与此同时，由于屏蔽结构30位于接地弹簧41的上方，在一定程度上会限制接地弹簧41的上升高度，从而会导致基座20的上升高度受限。

为了解决上述问题，本申请实施例公开了一种接地环组件，既能够保证良好的接地效果，又不会造成损坏，并且使基座的上升高度不会受到屏蔽结构的限制。

参考图3至图10，本申请实施例中的接地环组件400应用于半导体工艺设备，该半导体工艺设备可以包括工艺腔室100、基座组件200和屏蔽件300，且基座组件200和屏蔽件300均设置于工艺腔室100内。其中，工艺腔室100为半导体工艺提供空间和适当的环境，基座组件200用于承载待加工件(例如晶圆)。一些实施例中，基座组件200可升降地设置于工艺腔室100，便于携带待加工件移动，以满足工艺需求。为防止工艺过程中等离子体扩散而导致工艺腔室100的内壁被污染，屏蔽件300设置于工艺腔室100的内壁，通过屏蔽件300可以将等离子体与工艺腔室100的内壁隔开，从而可以防止等离子体污染工艺腔室100的内壁。另外，屏蔽件300接地设置，以便于形成接地环境。

除了屏蔽件300之外，工艺腔室100内还可以设置压环500，压环500可以安装在基座组件200的外围，并且在工艺过程中，压环500可以与屏蔽件300配合，从而可以阻挡等离子体与工艺腔室100的内壁接触，进而保证了工艺腔室100的内壁不受污染。

可选地，基座组件200可以包括基座本体210和基座轴220，基座轴220的一端与基座本体210连接，基座轴220的另一端从工艺腔室100延伸至外部，并用于与升降驱动装置连接。其中，基座本体210可以包括位于内部的不导电的陶瓷结构211、位于外部且导电的金属外壳212，以及用来承载待加工件的支撑面213。本申请实施例中，接地件410则可以采用螺钉固定在金属外壳212上。

此处需要说明的是，工艺腔室100及压环500等各自的具体结构及工作原理均可参考相关技术，此处不作详细阐述。

所公开的接地环组件400可以包括接地件410、滑动件420和弹性件430，其中，接地件410可以为滑动件420和弹性件430提供安装基础，另外，接地件410用于与基座组件200连接，使得接地件410可以与基座组件200同步升降。示例性地，接地件410可以采用导电材质制成的环状结构，其套设在基座组件200的外部；除此以外，接地环组件400还可以包括多个接地件410，多个接地件410分布在基座组件200的周围，且均与基座组件200连接，以便于使基座组件200接地。

滑动件420沿第一方向可滑动地设置于接地件410，以便于改变滑动件420与接地件410的相对位置，其中，第一方向可以是基座组件200的任一径向方向；另外，弹性件430连接滑动件420与接地件410，通过弹性件430可以对滑动件420产生弹力作用。另外，滑动件420具有接触面421，该接触面421用于与屏蔽件300接触。

基于上述设置，在接地环组件400上升的情况下，接触面421能够与屏蔽件300接触，以使基座组件200、接地件410、滑动件420及屏蔽件300电导通，由于屏蔽件300接地，从而使基座组件200具有良好的接地环境，以缓解由于接地环境不良造成等离子体泄漏或发生打火现象的问题。

接触面421相对于屏蔽件300可滑动，使得在基座组件200带动接地环组件400上升的过程中，接触面421可以沿着屏蔽件300的表面滑动，从而可以克服屏蔽件300阻挡接地环组件400上升的问题，使基座组件200上升距离不再受限。

在接触面421与屏蔽件300接触时，接触面421受到屏蔽件300的挤压作用而沿第一方向朝着靠近基座组件200的方向移动，此时弹性件430受到一定的压缩；接地环组件400随着基座组件200继续上升，接触面421沿着屏蔽件300的表面移动，使得接触面421与屏蔽件300的重合部分逐渐增加，而受到屏蔽件300的挤压作用后，滑动件420继续朝向靠近基座组件200的方向移动，使得弹性件430的压缩程度增大；当接触面421完全滑入屏蔽件300时，接地环组件400继续上升，滑动件420则不再朝向靠近基座组件200的方向移动，此时弹性件430的压缩程度不再改变，如此，弹性件430的压缩程度不会继续增大，从而不会超过弹性件430的压缩极限，保证弹性件430能够弹性恢复，因此，弹性件430不会因为基座组件200上升的距离较大而无法弹性恢复甚至折断。

本申请实施例中，在工艺过程中，通过接地环组件400可以将基座组件200与屏蔽件300接通，从而可以保证良好的接地环境；并且，在接地环组件400上升过程中，滑动件420首先与屏蔽件300接触，随着接地环组件400的继续上升，滑动件420相对于接地件410滑动，且接触面421沿着屏蔽件300滑动，随着接地环组件400继续上升，滑动件420则不再继续滑动，从而可以防止接地环组件400上升过程中受到屏蔽件300的限制而影响上升过程，与此同时，在滑动件420不再继续相对于接地件410滑动时，弹性件430的压缩程度达到最大，即便接地环组件400继续上升，弹性件430也不再被进一步压缩，从而可以避免弹性件430的压缩程度过大而导致弹性件430被过度压缩而损坏的情况发生。

参考图5至图7，在一些实施例中，沿接地环组件400的上升方向，接触面421朝向靠近接地件410的外壁的方向倾斜延伸，从而可以形成倾斜的接触面421，一方面可以便于使接触面421与屏蔽件300接触和相对滑动，另一方面在接触面421与屏蔽件300接触后，倾斜的接触面421受到来自屏蔽件300的作用力可以分解为一个与基座组件200上升方向相反的方向(即，下降方向)的第一分力和一个沿基座组件200的径向朝向接地件410外壁的第二分力，由此，在第二分力的作用下，可以使滑动件420朝向接地件410的外壁的方向移动，从而有利于接触面421沿着屏蔽件300的表面移动。

进一步地，接触面421可以为倾斜曲面或倾斜平面，两种形式的接触面421均可以满足实际需求。

参考图4，在一些实施例中，接地件410可以呈环状结构，其套设在基座组件200的外周面，以便于使基座组件200周向的各个区域均能够具有良好的接地环境。

为了对滑动件420起到导向作用，接地件410的外壁可以设有导电杆440，该导电杆440沿接地件410的径向延伸，其中，接地件410的径向与基座组件200的径向相同。相应地，滑动件420设有导向通道422，导向通道422与导电杆440滑动配合。

具体地，导电杆440至少部分穿入导向通道422中，且导向通道422的横截面尺寸略大于导电杆440的横截面的尺寸，使得滑动件420可以顺畅地沿着导电杆440移动，与此同时，还可以保证滑动件420在移动过程中不会相对于导电杆440晃动，从而保证了滑动件420的滑动精度。

进一步地，导电杆440的一端可以通过紧固件可拆卸地连接于接地件410。示例性地，紧固件可以为螺纹紧固件，具体可以是螺钉、螺杆等，通过螺纹紧固件可以将导电杆440安装至接地件410的外壁，并且方便导电杆440的拆装，以便于更换。

另外，导电杆440的一端可以设有外螺纹，相应地，接地件410的侧壁可以设有螺纹孔，导电杆440可以通过外螺纹与螺纹孔实现螺纹配合，以方便导电杆440的拆装，以便于更换。

当然，导电杆440还可以固定于接地件410的外壁，具体可以采用焊接、粘接、铆接等方式，以保证导电杆440安装的牢固性和稳定性。

在其他实施例中，接地件410的背离基座组件200的一端还可以设置支板470，且支板470沿接地件410的径向背离接地件410的轴线，滑动件420则位于接地件410的外侧以及支板470的上方。为保证滑动件420的滑动精度，还可以在支板470上设置导轨，滑动件420与导轨滑动配合，此时同样可以保证滑动件420顺畅地滑动，且不会随意晃动。

在一些实施例中，接地件410的外壁设有多个导电杆440，且多个导电杆440沿接地件410的周向均匀地分布于接地件410的外壁，相应地，接地环组件400可以包括多个滑动件420，且多个滑动件420一一对应的与多个导电杆440滑动配合。基于此，在接地环组件400上升的过程中，多个滑动件420各自的接触面421同时与一圈的屏蔽件300接触，并沿着屏蔽件300的表面向上滑动，此过程中，多个滑动件420同步朝向接地件410的轴线方向靠近，以便于使基座组件200能够顺利地上升而不受屏蔽件300限制。

在一些实施例中，弹性件430可以为弹簧，该弹簧套设于导电杆440的外侧，且弹簧的一端与滑动件420连接，弹簧的另一端与接地件410的外壁连接。基于此，在滑动件420移动过程中，弹簧会发生压缩或伸长，通过将弹簧套设在导电杆440的外侧，使得导电杆440可以对弹簧起到一定的限制作用，以防止弹簧受到挤压或拉伸后产生较大变形而扭曲，从而保证了弹簧的正常伸缩，进而保证了滑动块能够恢复至初始位置。另外，弹簧与滑动件420和接地件410分别连接，使得滑动件420在脱离屏蔽件300后在弹簧的弹力作用下，不至于被弹出，以保证滑动件420的正常运动。

参考图6，为增加滑动件420与接地件410之间的导电性，接地环组件400还可以包括柔性导电件450，其中，柔性导电件450的一端与接地件410连接，柔性导电件450的另一端与滑动件420连接。基于此，通过柔性导电件450可以将滑动件420与接地件410电性连接，从而可以进一步增加滑动件420与接地件410之间的导电性，以保证基座组件200能够通过接地环组件400实现良好的接地效果。此处需要说明的是，由于滑动件420相对于接地件410可移动，在滑动件420移动过程中，柔性导电件450还可以产生柔性变形，以避免柔性导电件450影响滑动件420的正常滑动。

进一步地，柔性导电件450可以为导电线圈，导电线圈的一端通过第一锁紧件461固定于接地件410，导电线圈的另一端通过第二锁紧件462固定于滑动件420。示例性地，第一锁紧件461和第二锁紧件462均可以为螺钉、螺栓等构件，以便于导电线圈的拆装更换。

参考图7，在一些实施例中，屏蔽件300可以包括主体部310、连接部320和抵接部330，其中，主体部310设置于工艺腔室100的内壁，抵接部330设置于主体部310的背离工艺腔室100的内壁的一侧，且抵接部330与主体部310间隔设置，连接部320连接主体部310与抵接部330。

另外，半导体工艺设备还可以包括压环500，压环500设置于基座组件200，在工艺过程中，压环500的部分套设在抵接部330的外侧，如此，基座组件200、压环500以及屏蔽件300共同组成一个相对封闭的空间，防止等离子体沉积到工艺腔室100内而对工艺腔室100造成污染。

另外，在基座组件200上升过程中，接触面421可以与抵接部330接触并相对滑动，以便于达到稳定的导通效果，并且减小对接触面421的阻碍，以保证基座组件200能够顺畅地升降。

基于上述接地环组件，本申请实施例还公开了一种半导体工艺设备，如图3至图10所示，所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室100、基座组件200、屏蔽件300以及上述接地环组件400；其中，基座组件200、屏蔽件300和接地环组件400均设置于工艺腔室100内，且基座组件200在工艺腔室100内可升降移动，屏蔽件300接地；接地环组件400设置于基座组件200，在接地环组件400随着基座组件200上升的情况下，接地环组件400中的滑动件420的接触面421能够与屏蔽件300接触，以使基座组件200与屏蔽件300电导通。

示例性地，半导体工艺设备可以是磁控溅射设备，如图10所示，具备射频和直流共溅射的磁控溅射设备可以包括工艺腔室100，且工艺腔室100被配置为接地。该磁控溅射设备还包括真空泵系统610、通过流量计620连接到工艺腔室100的气体源630，例如，氩气、氮气等，以及被密封在工艺腔室100上的靶材710。磁控溅射设备可以通过射频电源810和直流电源820对靶材710施加电压，在靶材710远离工艺腔室100的一侧设置绝缘材料720，绝缘材料720与靶材710之间充满了用于冷却靶材的去离子水730。另外，在工艺腔室100中设有承载晶圆的基座组件200，基座组件200具有加热或者冷却功能。

气体源630为氩气为例，在溅射过程中，直流电源820会施加偏压至靶材710，使其相对于接地的工艺腔室100成为负压，以致氩气放电产生等离子体，将带正电的氩离子吸引至负压的靶材710。当氩离子的能量足够高时，会使金属原子溢出靶材710的表面并沉积在晶圆上。

进一步地，在靶材710的远离工艺腔室100的一侧可以设置磁控管910和马达920，磁控管910包括具有相反极性的内外磁极，磁控管910可以大幅度的提高磁控溅射设备的溅射沉积速率，马达920会驱动固定磁极的不锈钢平板沿中央轴转动，这样可以在各个角度上产生时间均化磁场，以达到更均匀的靶材溅射形态，从而提高薄膜沉积的均匀性。

本申请实施例中的半导体工艺设备的具体工作过程为：

参考图7至图10，在工艺过程中，为了调整沉积薄膜的均匀性以及沉积速率，需要调整基座组件200的升降高度，当基座组件200升降时，接地件410则可以随着基座本体210上下移动。如图7所示，基座组件200处于最低工艺位，此时，滑动件420的接触面421恰好与屏蔽件300的底边接触，并受到轻微的压力，且弹性件430轻微压缩；如图8所示，基座组件200处于中间工艺位，此时接地件410继续上升，滑动件420的接触面421因受到屏蔽件300的压力而使滑动件420朝向靠近接地件410的外壁的方向移动，且该过程中弹性件430受到的压力变大，且随着基座组件200的上升，弹性件430的压缩程度逐渐增大如图9所示，基座组件200处于最高工艺位，此时，滑动件420的接触面421外圈进入到屏蔽件300的内部，随着基座组件200继续上升，滑动件420不再继续朝向靠近接地件410的外壁的方向移动，此时弹性件430受到的压力达到最大，使得弹性件430的压缩程度最大。

当工艺完成后，基座组件200下降至初始位置，以便于为下一次工艺过程做准备。

综上所述，本申请实施例中，在基座组件200上升的过程中，不会出现因为接地环组件400和屏蔽组件干涉，而导致基座组件200的上升程度达到限制的问题；并且，在基座组件200上升的过程中，弹性件430的压缩程度具有上限，不会出现因基座组件200的上升而导致弹性件430承受压力过大而无法恢复变形或折断的情况，保证了弹性件430不会失效。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (10)

1.一种接地环组件，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室(100)以及设置于工艺腔室(100)内的基座组件(200)和屏蔽件(300)，其特征在于，所述接地环组件(400)包括：接地件(410)、滑动件(420)和弹性件(430)；

所述接地件(410)用于与所述基座组件(200)连接，所述滑动件(420)沿第一方向可滑动地设置于所述接地件(410)，所述弹性件(430)连接所述滑动件(420)与所述接地件(410)，所述滑动件(420)具有接触面(421)；

在所述接地环组件(400)上升的情况下，所述接触面(421)用于与所述屏蔽件(300)接触，以使所述基座组件(200)、所述接地件(410)、所述滑动件(420)及所述屏蔽件(300)电导通，且所述接触面(421)相对于所述屏蔽件(300)可滑动。

2.根据权利要求1所述的接地环组件，其特征在于，沿所述接地环组件(400)的上升方向，所述接触面(421)朝向靠近所述接地件(410)的外壁的方向倾斜延伸。

3.根据权利要求2所述的接地环组件，其特征在于，所述接触面(421)为倾斜曲面或倾斜平面。

4.根据权利要求1所述的接地环组件，其特征在于，所述接地件(410)呈环状结构，所述接地件(410)的外壁设有沿所述接地件(410)的径向延伸的导电杆(440)；

所述滑动件(420)设有导向通道(422)，所述导向通道(422)与所述导电杆(440)滑动配合。

5.根据权利要求4所述的接地环组件，其特征在于，所述导电杆(440)的一端通过紧固件可拆卸地连接于所述接地件(410)；

或者，所述导电杆(440)的一端设有外螺纹，所述接地件(410)的侧壁设有螺纹孔，所述导电杆(440)通过所述外螺纹与所述螺纹孔螺纹配合。

6.根据权利要求4或5所述的接地环组件，其特征在于，所述接地件(410)的外壁设有多个所述导电杆(440)，且多个所述导电杆(440)沿所述接地件(410)的周向均匀的分布于所述接地件(410)的外壁；

所述接地环组件(400)包括多个所述滑动件(420)，多个所述滑动件(420)一一对应的与多个所述导电杆(440)滑动配合。

7.根据权利要求4所述的接地环组件，其特征在于，所述弹性件(430)为弹簧，所述弹簧套设于所述导电杆(440)的外侧，所述弹簧的一端与所述滑动件(420)连接，所述弹簧的另一端与所述接地件(410)的外壁连接。

8.根据权利要求1或4所述的接地环组件，其特征在于，所述接地环组件(400)还包括柔性导电件(450)；

所述柔性导电件(450)的一端与所述接地件(410)连接，所述柔性导电件(450)的另一端与所述滑动件(420)连接。

9.根据权利要求8所述的接地环组件，其特征在于，所述柔性导电件(450)为导电线圈，所述导电线圈的一端通过第一锁紧件(461)固定于所述接地件(410)，所述导电线圈的另一端通过第二锁紧件(462)固定于所述滑动件(420)。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室(100)、基座组件(200)、屏蔽件(300)以及权利要求1至9中任意一项所述的接地环组件(400)；

所述基座组件(200)、所述屏蔽件(300)和所述接地环组件(400)均设置于所述工艺腔室(100)内，且所述基座组件(200)在所述工艺腔室(100)内可升降移动，所述屏蔽件(300)接地；

所述接地环组件(400)设置于所述基座组件(200)，在所述接地环组件(400)随着所述基座组件(200)上升的情况下，所述接地环组件(400)中所述滑动件(420)的所述接触面(421)能够与所述屏蔽件(300)接触，以使所述基座组件(200)与所述屏蔽件(300)电导通。