CN114628211A - 一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备，涉及半导体技术领域，用于调节气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离，确保待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。所述反应腔室设备包括：气体注入部和升降调节部；气体注入部的第一端通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔室内，气体注入部内开设有向反应腔室内提供刻蚀气体的供气通道；升降调节部与气体注入部的第二端连接，升降调节部用于调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离。所述反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中。

Description

一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备。

背景技术

感应耦合等离子体刻蚀技术是一种利用气体辉光放电产生的高密度等离子体轰击材料表面进行刻蚀的技术。采用感应耦合等离子体刻蚀技术对待刻蚀对象(例如：晶圆)进行刻蚀，具有刻蚀速率快、刻蚀精度高等优点。

但是，现有的感应耦合等离子体刻蚀设备中的气体注入部，其在反应腔室的电介质窗口上的安装深度存在组装误差时，会使得气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离不满足刻蚀要求，进而影响刻蚀过程中待刻蚀对象各区域表面的等离子体密度，从而导致刻蚀均匀性较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备，用于调节气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离，确保待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。

为了实现上述目的，本发明提供了一种反应腔室，该反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中，该反应腔室包括：

气体注入部，气体注入部的第一端通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔室内，气体注入部内开设有向反应腔室内提供刻蚀气体的供气通道；

升降调节部，升降调节部与气体注入部的第二端连接，升降调节部用于调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离。

与现有技术相比，本发明提供的反应腔室中，气体注入部的第一端可以通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔内。并且，该气体注入部内开设有与反应腔室连通的供气通道。在刻蚀过程中，可以通过供气通道向反应腔室内提供刻蚀气体。同时，气体注入部的第二端连接有升降调节部，该升降调节部可以调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离。也就是说，即使将气体注入部安装在电介质窗口处时存在组装误差，使得气体注入部的第二端与待刻蚀对象之间的距离不满足工作要求，进而导致刻蚀过程中待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度与刻蚀要求不符，也可以根据实际刻蚀情况通过升降调节部来调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离，从而使得待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，最终提高刻蚀均匀性、提升刻蚀效果。

本发明还提供了一种感应耦合等离子体刻蚀设备，该感应耦合等离子体刻蚀设备包括上述技术方案所提供的反应腔室。

与现有技术相比，本发明提供的感应耦合等离子体刻蚀设备的有益效果与上述技术方案所提供的反应腔室的有益效果相同，此处不再赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有的感应耦合等离子体刻蚀设备的纵向剖视示意图；

图2为本发明实施例提供的反应腔室的纵向剖视示意图；

图3为本发明实施例提供的气体注入部和升降调节部的结构放大图；

图4为图2所示结构中的气体注入部的结构放大图。

附图标记：

1为反应腔室，11为气体注入部，111为供气通道，1111为第一进气段，1112为第一出气段，1113为第二进气段，1114为过渡段，1115为第二出气段，112为第一限位结构，113为第二限位结构，12为升降调节部，121为密封件，2为静电卡盘，3为待刻蚀对象，4为螺旋线圈，5为供气管线，6为气动阀。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

图1示出了现有的感应耦合等离子体刻蚀设备的纵向剖视示意图。参见图1，现有的感应耦合等离子体刻蚀设备包括反应腔室1、设置在反应腔室1顶部的螺旋线圈4。其中，上述反应腔室1内设置有用于固定待刻蚀对象3的静电卡盘2、以及用于承载静电卡盘2的工作平台。并且，反应腔室1的电介质窗口处固定设置有用于向反应腔室1内提供刻蚀气体的气体注入部11。上述螺旋线圈4与射频功率源电连接，用于在反应腔室1内形成感应耦合的电场。在电场的作用下，由气体注入部11进入到反应腔室1内的刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。同时，静电卡盘与射频电源电连接，用于使产生的高密度等离子体沿着靠近待刻蚀对象3的方向加速，从而轰击待刻蚀对象3的表面，实现对待刻蚀对象3的刻蚀。

由上述内容可知，感应耦合等离子体刻蚀设备是利用加速后的等离子体对待刻蚀对象3进行刻蚀的设备，因此待刻蚀对象3各区域表面处的等离子体的密度是影响刻蚀均匀性和刻蚀速率的关键因素。而气体注入部11在电介质窗口上设置的深度会影响待刻蚀对象3各区域表面处的等离子体的密度。具体的，气体注入部11在电介质窗口上的安装深度较大时，气体注入部11的底部与待刻蚀对象3之间的距离较小。同时，刻蚀气体由气体注入部11的底部流出后具有沿水平方向的初速度，故刻蚀气体被电离后形成的等离子体会在偏置电场作用下呈类似于抛物线形的运动轨迹朝着靠近待刻蚀对象3的表面运动。基于此，当气体注入部11的底部与待刻蚀对象3之间的距离较小时，等离子体沿水平方向运动的长度也较小。相应的，待刻蚀对象3边缘处的等离子体的密度则小于待刻蚀对象3中心处的等离子体密度。反之，气体注入部11在电介质窗口上的安装深度较小时，等离子体沿水平方向运动的长度较大。相应的，待刻蚀对象3边缘处的等离子体的密度可以等于待刻蚀对象3中心处的等离子体密度。

但是，将气体注入部11固定安装在电介质窗口上之后，若存在组装误差，则无法根据实际刻蚀情况对气体注入部11在电介质窗口上的安装深度进行调整，即无法对气体注入部11的端部与待刻蚀对象3之间的距离进行调整，进而影响刻蚀过程中待刻蚀对象3表面处的等离子体密度，导致待刻蚀对象3表面的均匀性较差。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备。其中，本发明实施例提供的反应腔室包括与气体注入部的第二端连接的升降调节部。该升降调节部可以调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离，以确保在刻蚀过程中，待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。

本发明实施例提供了一种反应腔室，该反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中。

参见图2，该反应腔室1包括气体注入部11和升降调节部12。

参见图2，上述气体注入部11的第一端通过反应腔室1的电介质窗口伸入反应腔室1内。该气体注入部11内开设有向反应腔室1内提供刻蚀气体的供气通道111。

具体的，上述气体注入部可以为圆柱状、棱柱状等形状的气体注入部。该气体注入部内开设的供气通道的组数可以为一组，也可以为多组。每组供气通道所包括的供气通道的数量、以及每组供气通道在气体注入部内的布设方式可以根据实际应用场景设置，只要能够应用到本发明实施例提供的反应腔室中即可。

参见图2，上述升降调节部12与气体注入部11的第二端连接。该升降调节部12用于调节气体注入部11的第一端与待刻蚀对象3之间的距离。其中，气体注入部11的第二端为气体注入部11背离第一端的一端。

在实际的应用过程中，参见图2，通过机械或人工方式将气体注入部11安装在反应腔室1的电介质窗口处之后，与气体注入部11的第二端连接的升降调节部12，可以通过调节气体注入部11在电介质窗口的安装深度的方式，来调节气体注入部11的第一端与待刻蚀对象3之间的距离，使得二者之间的距离满足刻蚀要求。其中，当升降调节部12驱动气体注入部11时，气体注入部11的驱动距离可以根据实际应用场景设置，此处不做具体限定。例如：该驱动距离可以大于0cm、且小于或等于2cm。

由上述内容可知，即使将气体注入部安装在电介质窗口处时存在组装误差，使得气体注入部的第二端与待刻蚀对象之间的距离不满足工作要求，进而导致刻蚀过程中待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度与刻蚀要求不符，也可以根据实际刻蚀情况通过升降调节部来调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离，从而使得待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，最终提高刻蚀均匀性、提升刻蚀效果。

在一种示例中，上述升降调节部可以包括：驱动组件、位置检测器和控制器。驱动组件与气体注入部的第二端固定连接。驱动组件用于带动气体注入部沿着靠近或远离待刻蚀对象的方向运动。上述位置检测器用于检测气体注入部的第二端的当前位置。控制器分别与位置检测器和驱动组件电连接。控制器用于根据当前位置控制驱动组件驱动气体注入部运动，以使将气体注入部的第二端位于目标位置。

在实际的应用过程中，上述位置检测器可以检测气体注入部的第二端的当前位置。在通过驱动组件带动气体注入部运动，调整气体注入部第一端与待刻蚀对象之间的距离前，控制器可以将当前位置与目标位置进行比较，若当前位置高于目标位置，则可以控制驱动组件带动气体注入部沿着靠近刻蚀对象的方向运动，从而将气体注入部的第二端的高度降低至目标位置的高度。若当前位置低于目标高度，则可以控制驱动组件带动气体注入部沿着远离待刻蚀对象的方向运动，从而将气体注入部的第二端的高度升高至目标位置的高度。若当前位置与目标位置高度相等，则控制驱动组件停止动作，从而实现对气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离的自动化调节。

具体的，上述驱动组件可以设置在反应腔室外。驱动组件可以为线性电机、气缸、液压缸等能够为气体注入部提供线性驱动力的组件。该驱动组件的驱动端可以通过粘接、螺栓等方式与气体注入部的第二端固定连接。

上述位置检测器可以为任一能够检测气体注入部第二端的当前位置的检测器件。例如：位置检测器可以为编码器。该编码器可以通过齿轮条或螺旋丝杠与驱动组件的驱动端连接。编码器可以通过检测驱动组件带动气体注入部运动的长度的方式来检测气体注入部第二端的当前位置。

对于上述控制器来说，控制器可以为电脑、平板等具有控制功能的器件。

在一种示例中，上述升降调节部还可以包括与驱动组件连接的第一限位开关和第二限位开关。第一限位开关位于电介质窗口的第一位置处或位于气体注入部的第一端。第二限位开关位于电介质窗口的第二位置处或位于气体注入部的第二端。当气体注入部的第一端碰触到第一位置时，第一限位块用于控制驱动组件停止动作。当气体注入部的第一端碰触到第二位置时，第二限位开关用于控制驱动组件停止动作。

在实际的应用过程中，当气体注入部的第一端触碰到第一位置后，说明气体注入部的第一端已经升高至最高的位置。基于此，第一限位开关在气体注入部的第一端触碰到第一位置时，可以控制驱动组件停止动作，防止因气体注入部继续向上运动，而导致刻蚀气体由供气通道的出口流出后撞击在电介质窗口的侧壁上，确保气体注入部可以按照刻蚀要求向反应腔室内提供一定具有水平方向初速度的刻蚀气体，进而确保待刻蚀对象能够在反应腔室内进行刻蚀时具有较好的刻蚀效果。

当气体注入部的第二端触碰到第二位置后，说明气体注入部的第二端已经降低至最低的位置。基于此，第二限位开关在气体注入部的第二端触碰到第二位置时，可以控制驱动组件停止动作，防止因气体注入部继续向下运动而导致第一端与待刻蚀对象之间的距离较小，确保待刻蚀对象边缘处的等离子体的密度可以等于待刻蚀对象中心处的等离子体密度，从而确保待刻蚀对象被刻蚀后其表面具有良好的均匀性。

具体的，电介质窗口的第一位置处可以为电介质窗口底端所在的位置。电介质窗口的第二位置处可以为电介质窗口顶端所在的位置。当然，也可以根据实际应用场景设置第一位置和第二位置在电介质窗口上的位置，此处不作具体限定。

在一种示例中，参见图3，沿电介质窗口的周向开设有环形卡槽。上述升降调节部12还包括卡设在环形卡槽中的密封件121。气体注入部11伸入电介质窗口的部分与密封件121相抵接。

应理解，参见图2和图3，密封件121与气体注入部11伸入电介质窗口的部分相抵接时，密封件121与气体注入部11之间紧密接触，二者之间不存在间隙。基于此，即使为了便于气体注入部11能够沿着靠近或远离待刻蚀对象3运动，而在气体注入部11的外侧壁与电介质窗口的侧壁之间存在间隙，密封件121也可以确保反应腔室1处于密封的状态，进而可以防止刻蚀气体泄露、以及防止外界因素影响刻蚀工艺的进行，提高反应腔室1内刻蚀环境的稳定性。

具体的，沿电介质窗口的轴向，电介质窗口的周向上可以开设有一个或多个环形卡槽。当电介质窗口的周向上开设有一个环形卡槽时，该环形卡槽可以位于电介质窗口的中部。当电介质窗口的周向上开设有多个间隔设置的环形卡槽时，沿电介质窗口的轴向，多个环形卡槽可以均匀的布设在电介质窗口的周向。具体的，电介质窗口的周向上设置的环形卡槽的个数和位置可以根据实际应用场景设置。例如：电介质窗口的周向上开设有两个间隔设置的环形卡槽。

对于上述密封件来说，密封件形状和规格可以根据气体注入部和环形卡槽的形状和规格进行设置，以使得密封件内侧壁可以与气体注入部的外侧壁、以及密封件的顶部和底部可以与环形卡槽的侧壁更为贴合，进而提高密封件的密封效果。例如：气体注入部为圆柱状气体注入部、以及环形卡槽的横向截面为圆形时，密封件可以为O型密封圈。此外，还可以在密封件与气体注入部相抵接的表面涂覆油脂等润滑剂，以降低二者之间的摩擦力，使气体注入部能够很顺畅地沿着靠近或远离待刻蚀对象的方向运动。

示例性的，参见图2和图3，上述气体注入部11的第一端沿周向具有第一限位结构112。气体注入部11的第二端沿周向具有第二限位结构113。上述密封件121与气体注入部11的第一限位结构112和气体注入部11的第二限位结构113之间的部分相抵接。沿气体注入部11的轴向，气体注入部11的第一限位结构112和气体注入部11的第二限位结构113，凸出于气体注入部11的第一限位结构112和气体注入部11的第二限位结构113之间的部分。在此情况下，当驱动组件带动气体注入部11沿着靠近待刻蚀对象3的方向运动，且气体注入部11的第一限位结构112与密封件121的顶部接触后，因气体注入部11的第一限位结构112较为凸出，即气体注入部11的第一限位结构112的径向尺寸相比于气体注入部11与密封件121相抵接的部分的径向尺寸，故在第一限位结构112的阻挡作用下，气体注入部11只可以下降至此位置。同理，当驱动组件带动气体注入部11沿着远离待刻蚀对象3的方向运动，且气体注入部11的第二限位结构113与密封件121的底部接触后，在第二限位结构113的阻挡作用下，气体注入部11只可以升高至此位置。

由上述内容可以看出，在第一限位结构、第二限位结构、以及密封件的配合下可以限定升降调节部驱动气体注入部时，气体注入部的驱动距离。该驱动距离的大小与第一限位结构与第二限位结构之间的距离、密封件的设置位置和个数相关，因此可以根据气体注入部的驱动距离对上述参数对进行合理设置。

此外，当升降调节部包括第一限位开关和第二限位开关时，第一限位开关可以设置在第一限位结构的限位台阶处或密封件的顶部。第二限位开关可以设置在第二限位结构的限位台阶处或密封件的底部。

在一种示例中，参见图2和图4，上述气体注入部11内开设有至少三组供气通道111。沿气体注入部11的边缘至中心的方向，至少三组供气通道111间隔布设在气体注入部11内。

具体的，参见图2，每组供气通道111可以依次通过柔性的供气管线5和气动阀6与储存有刻蚀气体的气源连通。气动阀6所具有的出口数等于供气通道111的组数。每组供气通道111与气动阀6的相应出口连通。

值得注意的是，参见图2和图4，气体注入部11内开设的每组供气通道111可以向反应腔室1内的不同区域提供刻蚀气体。位于不同区域内的刻蚀气体形成等离子体后会沿着靠近待刻蚀对象3的方向运动，以对待刻蚀对象3的相应区域的表面进行轰击，实现对待刻蚀对象3的相应区域进行刻蚀。也就是说，不同组的供气通道111提供的刻蚀气体经感应耦合电场和加速电场的作用后，可以对待刻蚀对象3不同区域的表面进行刻蚀，因此，当气体注入部11内开设的供气通道111的组数增多时，多组供气通道111提供的刻蚀气体形成等离子体后可为分别轰击待刻蚀对象3表面更多的不同区域上。此时，因待刻蚀对象3的表面积为定值，当刻蚀对象表面上被划分的刻蚀区域增多时，每个刻蚀区域对应的面积相应减小，故每组供气通道111流出的刻蚀气体对应更小的刻蚀区域，从而可以使得刻蚀气体的流动更为精密、提高刻蚀精度。

示例性的，参见图2和图4，位于气体注入部11的中心部分的每组供气通道111包括至少一个第一供气通道。每个第一供气通道包括相互连通的第一进气段1111和第一出气段1112。第一出气段1112的轴线与气体注入部11的轴线平行。

参见图4，位于气体注入部11的其他部分的每组供气通道111包括多个第二供气通道。每个第二供气通道包括相互连通的第二进气段1113、过渡段1114和第二出气段1115。过渡段1114位于第二进气段1113和第二出气段1115之间。第二出气段1115的轴线与气体注入部11的轴线之间的夹角大于或等于30°、且小于90°。第二出气段1115的孔径小于或等于1mm、且大于0mm。

具体的，参见图2和图4，第二出气段1115的轴线与气体注入部11的轴线之间的夹角大小会影响刻蚀气体由供气通道111流出后的运动方向。具体的，在其他因素(例如：气体流速)相同的情况下，第二出气段1115的轴线与气体注入部11的轴线之间的夹角越大，刻蚀气体由供气通道111流出后的运动方向与水平方向之间的夹角越小，刻蚀气体被电离后形成的等离子体能够覆盖的范围就越大。反之，第二出气段1115的轴线与气体注入部11的轴线之间的夹角越小，刻蚀气体被电离后形成的等离子体能够覆盖的范围就越小。

此外，第二出气段的孔径的大小影响刻蚀气体的流量。在其他因素相同的情况下，第二出气孔的孔径越大刻蚀气体流量越大。反之，第二出气孔的孔径越小刻蚀气体的流量越小，故可以根据各区域对气体流量的要求来设置第二出气孔的孔径。再者，气体注入部的中心部分和其他部分开设的供气通道的组数、以及每组供气通道所包括的供气通道的个数可以根据实际应用场景设置。

例如：参见图4，气体注入部11的中心部分内开设有一组供气通道111。该组供气通道111所包括的第一供气通道的个数为一个。该第一供气通道所包括的第一进气段1111的轴线可以垂直于气体注入部11的轴线。该第一供气通道所包括的第一出气段1112的轴线与气体注入部11的轴线重合。

例如：参见图4，气体注入部11的其他部分内开设有两组供气通道111，每组供气通道111所包括的第二供气通道的个数为多个。两组供气通道111所包括的多个第二供气通道的出口以气体注入部11第一端的中心为圆心呈同心圆分布。此外，每个第二供气通道所包括的第二进气段1113可以垂直于气体注入部11的轴线。过渡段1114的轴线可以平行于气体注入部11的轴线，也可以与气体注入部11的轴线之间存在夹角。

本发明实施例还提供了一种感应耦合等离子体刻蚀设备，该感应耦合等离子体刻蚀设备包括上述实施例所提供的反应腔室。

与现有技术相比，本发明实施例提供的感应耦合等离子体刻蚀设备的有益效果与上述实施例所提供的反应腔室的有益效果相同，此处不再赘述。

以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。

Claims (10)

1.一种反应腔室，其特征在于，所述反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中，所述反应腔室包括：

气体注入部，所述气体注入部的第一端通过所述反应腔室的电介质窗口伸入所述反应腔室内，所述气体注入部内开设有向所述反应腔室内提供刻蚀气体的供气通道；

升降调节部，所述升降调节部与所述气体注入部的第二端连接，所述升降调节部用于调节所述气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述升降调节部包括：

驱动组件，所述驱动组件与所述气体注入部的第二端固定连接，所述驱动组件用于带动所述气体注入部沿着靠近或远离所述待刻蚀对象的方向运动；

位置检测器，所述位置检测器用于检测所述气体注入部的第二端的当前位置；

控制器，所述控制器分别与所述位置检测器和驱动组件电连接，所述控制器用于根据所述当前位置控制所述驱动组件驱动所述气体注入部运动，以使所述气体注入部的第二端位于目标位置。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述驱动组件为线性电机；和/或，所述位置检测器为编码器。

4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述升降调节部还包括与所述驱动组件连接的第一限位开关和第二限位开关；所述第一限位开关位于所述电介质窗口的第一位置处或位于所述气体注入部的第一端，所述第二限位开关位于所述电介质窗口的第二位置处或位于所述气体注入部的第二端；

当所述气体注入部的第一端碰触到所述第一位置时，所述第一限位块用于控制所述驱动组件停止动作；

当所述气体注入部的第一端碰触到所述第二位置时，所述第二限位开关用于控制所述驱动组件停止动作。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，沿所述电介质窗口的周向开设有环形卡槽；

所述升降调节部还包括卡设在所述环形卡槽中的密封件，所述气体注入部伸入所述电介质窗口的部分与所述密封件相抵接。

6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述气体注入部的第一端沿周向具有第一限位结构，所述气体注入部的第二端沿周向具有第二限位结构；

所述密封件与所述气体注入部的第一限位结构和所述气体注入部的第二限位结构之间的部分相抵接；

沿所述气体注入部的轴向，所述气体注入部的第一限位结构和所述气体注入部的第二限位结构，凸出于所述气体注入部的第一限位结构和所述气体注入部的第二限位结构之间的部分。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，当所述升降调节部驱动所述气体注入部时，所述气体注入部的驱动距离大于0cm、且小于或等于2cm。

8.根据权利要求1～7任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述气体注入部内开设有至少三组供气通道；

沿所述气体注入部的边缘至中心的方向，至少三组所述供气通道间隔布设在所述气体注入部内。

9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，位于所述气体注入部的中心部分的每组所述供气通道包括至少一个第一供气通道，每个第一供气通道包括相互连通的第一进气段和第一出气段，所述第一出气段的轴线与所述气体注入部的轴线平行；

位于所述气体注入部的其他部分的每组所述供气通道包括多个第二供气通道，每个第二供气通道包括相互连通的第二进气段、过渡段和第二出气段；所述过渡段位于所述第二进气段和所述第二出气段之间；所述第二出气段的轴线与所述气体注入部的轴线之间的夹角大于或等于30°、且小于90°，所述第二出气段的孔径小于或等于1mm、且大于0mm。

10.一种感应耦合等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的反应腔室。

Images