CN117784479A - 阵列基板和显示装置 - Google Patents

Abstract

一种阵列基板，使像素的开口率不易降低，使显示亮度不易产生不均。在阵列基板中，多个配线包含在第1方向上位于第1像素电极与第2像素电极之间的第1配线以及在第1方向上位于第3像素电极与第4像素电极之间的第2配线，多个开关元件包含第1开关元件和第2开关元件，多个共用电极包含与第1像素电极、第2像素电极、第3像素电极、第1配线以及第1半导体部重叠的第1共用电极、以及与第4像素电极和第2配线重叠的第2共用电极，具备配置为与第2半导体部重叠并被设为与多个共用电极中的任意一个共用电极相同的电位的第1重叠部。

Description

阵列基板和显示装置

技术领域

本说明书所公开的技术涉及阵列基板和显示装置。

背景技术

作为现有的显示装置的一个例子，已知下述专利文献1所记载的显示装置。专利文献1所记载的显示装置具备：像素电极；共用电极，其隔着绝缘膜与像素电极重叠；开关元件，其连接到像素电极；像素配线，其连接到开关元件并以与像素电极相邻的方式配置；以及配线，其相对于像素电极在与像素配线相同的一侧相邻，多个配线之间空开间隔配置，并电连接到共用电极，多个配线分别具有相对于像素配线成为共用的位置关系的共用部。另外，专利文献1所记载的显示装置具备：多个位置检测电极，其将共用电极分割而成；第2像素配线，其与像素配线交叉，并配置为与将多个位置检测电极分隔开的分隔开口部重叠；以及屏蔽部，其与第2像素配线重叠，电连接到配线。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2020/0272012号说明书

发明内容

发明要解决的问题

在上述的专利文献1所记载的显示装置中，第2像素配线为与分隔开口部重叠的配置，因此从第2像素配线产生的电场虽然不会被位置检测电极屏蔽，但是被与第2像素配线重叠的屏蔽部屏蔽。然而，当在与第2像素配线重叠的位置设置屏蔽部时，由于避免其它电极等与屏蔽部的短路等理由，需要确保屏蔽部的配置空间大。于是，为了防止屏蔽部附近的结构被视觉识别出，需要扩大遮光范围，像素的开口率有可能降低。若要采取用于使像素的开口率不降低的对策，则其结果会是显示亮度有可能产生不均。

本说明书记载的技术是基于上述的情况而完成的，其目的在于使像素的开口率不易降低，使显示亮度不易产生不均。

用于解决问题的方案

(1)本说明书记载的技术所涉及的阵列基板具备：多个共用电极；多个像素电极，其配置为隔着第1绝缘膜与所述多个共用电极重叠；多个开关元件，其连接到所述多个像素电极；以及多个配线，其连接到所述多个共用电极中的任意一个共用电极或者所述多个开关元件中的任意一个开关元件，所述多个像素电极包含：第1像素电极；第2像素电极，其相对于所述第1像素电极在第1方向上空开间隔配置；第3像素电极；以及第4像素电极，其相对于所述第3像素电极在所述第1方向上空开间隔配置，所述多个配线包含：第1配线，其在所述第1方向上位于所述第1像素电极与所述第2像素电极之间，沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸；以及第2配线，其在所述第1方向上位于所述第3像素电极与所述第4像素电极之间，沿着所述第2方向延伸，所述多个开关元件包含：第1开关元件，其连接到所述第1配线和所述第1像素电极；以及第2开关元件，其连接到所述第2配线和所述第3像素电极，所述多个共用电极包含：第1共用电极；以及第2共用电极，其相对于所述第1共用电极在所述第1方向上空开间隔配置，所述第1开关元件具有第1半导体部，所述第2开关元件具有第2半导体部，所述第1共用电极配置为与所述第1像素电极、所述第2像素电极、所述第3像素电极、所述第1配线以及所述第1开关元件中的至少所述第1半导体部重叠，所述第2共用电极配置为与所述第4像素电极和所述第2配线重叠，具备配置为与所述第2开关元件中的至少所述第2半导体部重叠并被设为与所述多个共用电极中的任意一个共用电极相同的电位的重叠部。

(2)另外，上述阵列基板在上述(1)的基础上也可以是，所述多个共用电极是多个位置检测电极，所述第1共用电极是第1位置检测电极，所述第2共用电极是第2位置检测电极，所述多个配线包含：第3配线，其沿着所述第1方向延伸，连接到所述多个位置检测电极中的任意一个位置检测电极；以及第4配线，其沿着所述第1方向延伸，至少连接到所述第2开关元件，所述第3配线的至少一部分配置为隔着第2绝缘膜与所述第4配线重叠，所述第3配线的一部分配置为与所述第2半导体部重叠，所述重叠部包含第1重叠部，所述第1重叠部由所述第3配线中的与所述第2半导体部重叠的部分构成。

(3)另外，上述阵列基板在上述(2)的基础上也可以是，所述第2开关元件具有第1电极，所述第1电极连接到所述第2半导体部的一部分，并配置为与所述第3像素电极的一部分重叠，具备配置为与所述第1电极的一部分和所述第3像素电极的一部分重叠的第2电极，所述第3配线包括相对于所述多个位置检测电极和所述多个像素电极均隔着第3绝缘膜位于下层侧的第1导电膜，所述第4配线包括相对于所述第1导电膜隔着所述第2绝缘膜位于下层侧的第2导电膜，所述第1电极包括所述第2导电膜中的与所述第4配线不同的部分，所述第2电极包括所述第1导电膜中的与所述第3配线和所述第1重叠部不同的部分，连接到所重叠的所述第3像素电极和所述第1电极，所述第1重叠部相对于所述第2电极在所述第2方向上空开间隔排列配置。

(4)另外，上述阵列基板在上述(3)的基础上也可以是，所述第2开关元件具有第3电极，所述第3电极连接到所述第2半导体部中的不同于与所述第1电极的连接部位的部位，所述第3电极由所述第4配线的一部分构成，所述第1电极具有：第1部，其与所述第2电极重叠；以及第2部，其从所述第1部沿着所述第2方向伸出并连接到所述第2半导体部的一部分。

(5)另外，上述阵列基板在上述(2)至上述(4)中的任意一项的基础上也可以是，所述多个配线包含：第5配线，其沿着所述第1方向延伸，配置为与所述第1位置检测电极重叠而与所述第2位置检测电极不重叠并连接到所述第1位置检测电极；第6配线，其沿着所述第1方向延伸，配置为与所述第2位置检测电极重叠而与所述第1位置检测电极不重叠并连接到所述第2位置检测电极；以及第7配线，其沿着所述第1方向延伸，至少一部分配置为隔着所述第2绝缘膜与所述第5配线和所述第6配线重叠，所述多个开关元件包含连接到所述第2配线和所述第7配线的第3开关元件，所述第3开关元件具有第3半导体部，所述第5配线或者所述第6配线的一部分配置为与所述第3半导体部重叠，所述重叠部包含第2重叠部，所述第2重叠部由所述第5配线或者所述第6配线中的与所述第3半导体部重叠的部分构成。

(6)另外，上述阵列基板在上述(2)至上述(5)中的任意一项的基础上也可以是，所述多个位置检测电极包含相对于所述第1位置检测电极在所述第2方向上空开间隔排列的第3位置检测电极，所述多个配线包含：第8配线，其沿着所述第1方向延伸，配置为夹在所述第1位置检测电极与所述第3位置检测电极之间，并被设为与所述第1位置检测电极和所述第3位置检测电极不重叠的配置；以及第9配线，其沿着所述第1方向延伸，至少一部分配置为隔着所述第2绝缘膜与所述第8配线重叠，所述第8配线直接或者间接地连接到所述多个位置检测电极中的任意一个位置检测电极，所述多个开关元件包含连接到所述第2配线和所述第9配线的第4开关元件，所述第4开关元件具有第4半导体部，所述第8配线的一部分配置为与所述第4半导体部重叠，所述重叠部包含第3重叠部，所述第3重叠部由所述第8配线中的与所述第4半导体部重叠的部分构成。

(7)另外，上述阵列基板在上述(1)的基础上也可以是，所述多个共用电极是多个位置检测电极，所述第1共用电极是第1位置检测电极，所述第2共用电极是第2位置检测电极，所述多个配线包含：第10配线，其沿着所述第1方向延伸，连接到所述多个位置检测电极中的任意一个位置检测电极；以及第11配线，其沿着所述第1方向延伸，至少连接到所述第2开关元件，所述第11配线包括相对于所述多个位置检测电极和所述多个像素电极均隔着第4绝缘膜位于下层侧的第3导电膜，所述第10配线包括所述第3导电膜中的与所述第11配线不同的部分，相对于所述第11配线在所述第2方向上空开间隔排列配置，所述多个像素电极包括第4导电膜，所述重叠部包含第4重叠部，所述第4重叠部包括所述第4导电膜中的与所述多个像素电极不同的部分。

(8)另外，上述阵列基板在上述(7)的基础上也可以是，所述第4重叠部包含第5重叠部，所述第5重叠部具有与所述第1位置检测电极或者所述第2位置检测电极重叠的第3部，所述第5重叠部的所述第3部连接到所述第1位置检测电极或者所述第2位置检测电极。

(9)另外，上述阵列基板在上述(7)或上述(8)的基础上也可以是，所述第4重叠部包含第6重叠部，所述第6重叠部具有与所述第10配线重叠的第4部，所述第6重叠部的所述第4部连接到所述第10配线。

(10)另外，上述阵列基板在上述(1)至上述(9)中的任意一项的基础上也可以是，所述第1共用电极和所述第2共用电极被设为在所述第1方向上将所述第2半导体部夹在中间并与所述第2半导体部不重叠的配置，所述重叠部配置在与所述多个共用电极不同的层。

(11)另外，上述阵列基板在上述(1)的基础上也可以是，所述第1共用电极或者所述第2共用电极的一部分配置为与所述第2半导体部重叠，所述重叠部由所述第1共用电极或者所述第2共用电极中的与所述第2半导体部重叠的部分构成。

(12)本说明书记载的技术所涉及的显示装置具备：上述(1)至上述(11)中的任意一项所述的阵列基板；以及相对基板，其以与所述阵列基板相对的方式配置。

发明效果

根据本说明书记载的技术，能够使像素的开口率不易降低，使显示亮度不易产生不均。

附图说明

图1是实施方式1的液晶面板的俯视图。

图2是示出实施方式1的液晶面板的显示区域中的像素排布的俯视图，是将第1金属膜和第2金属膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图3是示出实施方式1的液晶面板的显示区域中的像素排布的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图4示出实施方式1的液晶面板的显示区域中的像素排布的俯视图，是将第3金属膜以阴影状示出的俯视图。

图5是实施方式1的液晶面板中的图2的v-v线截面图。

图6是实施方式1的液晶面板中的图2的vi-vi线截面图。

图7是实施方式1的液晶面板中的图2的vii-vii线截面图。

图8是将实施方式1的触摸电极的形成范围中的TFT和触摸配线等放大的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图9是将实施方式1的触摸电极的形成范围中的TFT和触摸配线等放大的俯视图，是将第3金属膜以阴影状示出的俯视图。

图10是将实施方式1的触摸电极的形成范围中的TFT和连接配线等放大的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图11是将实施方式1的触摸电极的形成范围中的TFT和连接配线等放大的俯视图，是将第3金属膜以阴影状示出的俯视图。

图12是概略性地示出实施方式1的4个触摸电极与TFT、像素电极、栅极配线、源极配线、触摸配线、连接配线以及虚设触摸配线的关系的俯视图。

图13是将实施方式1的分隔第1触摸电极与第3触摸电极的第2狭缝附近的第1连接配线和第1虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将第3金属膜以阴影状示出的俯视图。

图14是将实施方式1的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT、第2栅极配线以及第1触摸配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图15是将实施方式1的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT、第2栅极配线以及第1触摸配线等放大示出的俯视图，是将第3金属膜以阴影状示出的俯视图。

图16是实施方式1的液晶面板中的图15的xvi-xvi线截面图。

图17是将实施方式1的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第3TFT和第1连接配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图18是将实施方式1的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第3TFT和第1连接配线等放大示出的俯视图，是将第3金属膜以阴影状示出的俯视图。

图19是将实施方式1的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第4TFT和第1虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图20是将实施方式1的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第4TFT和第1虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将第3金属膜以阴影状示出的俯视图。

图21是示出实施方式2的液晶面板的显示区域中的像素排布的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图22是示出实施方式2的液晶面板的显示区域中的像素排布的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图23是实施方式2的液晶面板中的图22的xxiii-xxiii线截面图。

图24是实施方式2的液晶面板中的图22的xxiv-xxiv线截面图。

图25是实施方式2的液晶面板中的图22的xxv-xxv线截面图。

图26是概略性地示出实施方式2的4个触摸电极与TFT、像素电极、栅极配线、源极配线、触摸配线、连接配线以及虚设触摸配线的关系的俯视图。

图27是将实施方式2的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和触摸配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图28是将实施方式2的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和触摸配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图29是将实施方式2的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和连接配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图30是将实施方式2的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和连接配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图31是将实施方式2的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图32是将实施方式2的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图33是实施方式2的液晶面板中的图27的xxxiii-xxxiii线截面图。

图34是将实施方式2的第1触摸电极的形成范围中的第1TFT和触摸配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图35是将实施方式2的第1触摸电极的形成范围中的第1TFT和触摸配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图36是将实施方式2的第1触摸电极的形成范围中的第1TFT和连接配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图37是将实施方式2的第1触摸电极的形成范围中的第1TFT和连接配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图38是将实施方式2的第1触摸电极的形成范围中的第1TFT和虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图39是将实施方式2的第1触摸电极的形成范围中的第1TFT和虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图40是示出实施方式3的液晶面板的显示区域中的像素排布的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图41是将实施方式3的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和触摸配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图42是将实施方式3的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和连接配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图43是将实施方式3的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将第2金属膜和第2透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图44是实施方式3的液晶面板中的图41的xxxxiv-xxxxiv线截面图。

图45是将实施方式4的分隔第1触摸电极与第2触摸电极的第1狭缝附近的第2TFT和触摸配线等放大示出的俯视图，是将半导体膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

图46是实施方式4的液晶面板中的图45的xxxxvi-xxxxvi线截面图。

图47是将其它实施方式(1)的分隔第1触摸电极与第3触摸电极的第2狭缝附近的第1虚设触摸配线等放大示出的俯视图，是将第3金属膜和第1透明电极膜以不同的阴影状示出的俯视图。

附图标记说明

10…液晶面板(显示装置)；11…驱动器(信号供应部)；20…相对基板；21、121、221…阵列基板；23、123…多个TFT(开关元件)；23Bβ…第2源极电极(第1电极)；23α、123α…第1TFT(第1开关元件)；23β、123β、223β、323β…第2TFT(第2开关元件)；23γ…第3TFT(第3开关元件)；23δ…第4TFT(第4开关元件)；23C1、123C1、323C1…第1漏极电极构成部(第1部)；23C2、123C2、323C2…第2漏极电极构成部(第2部)；23Cβ…第2漏极电极(第3电极)；23Dα、123Dα…第1半导体部；23Dβ、123Dβ、223Dβ、323Dβ…第2半导体部；23Dγ…第3半导体部；23Dδ…第4半导体部；24、124、224…多个像素电极；24α…第1像素电极；24β…第2像素电极；24γ、324γ…第3像素电极；24δ…第4像素电极；25…共用电极；25α…第1共用电极；25β…第2共用电极；26、126…栅极配线(多个配线)；26α…第1栅极配线(第1配线)；26β…第2栅极配线(第2配线)；27…源极配线(多个配线)；27α…第1源极配线(第4配线)；27β…第2源极配线(第7配线)；27γ…第3源极配线(第9配线)；30、130、230、330、430…多个触摸电极(位置检测电极)；30α、130α、230α、330α…第1触摸电极(第1位置检测电极)；30β、130β、230β、330β…第2触摸电极(第2位置检测电极)；30γ、130γ…第3触摸电极(第3位置检测电极)；31…触摸配线(多个配线)；31α…第1触摸配线(第3配线)；32…连接配线(多个配线)；32α…第1连接配线(第5配线)；32β…第2连接配线(第6配线)；33、433…虚设触摸配线(多个配线)；33α…第1虚设触摸配线(第8配线)；35…第1层间绝缘膜(第2绝缘膜)；36…平坦化膜(第2绝缘膜)；37…第2层间绝缘膜(第3绝缘膜)；38、138、238…第3层间绝缘膜(第1绝缘膜)；39β…第2中间电极(第2电极)；41、141、341…重叠部；41α…第1重叠部；41β…第2重叠部；41γ…第3重叠部；141δ、241δ…第4重叠部；141ε、241ε…第5重叠部；241ζ…第6重叠部；127…源极配线(第11配线)；131、231…触摸配线(第10配线)；132、232…连接配线(第10配线)；133、233…虚设触摸配线(第10配线)；135、235…第1层间绝缘膜(第4绝缘膜)；136、236…平坦化膜(第4绝缘膜)；141A…第1连接电极部(第3部)；241C…第2连接电极部(第4部)。

具体实施方式

＜实施方式1＞

根据图1至图20来说明实施方式1。在本实施方式中，例示具备图像显示功能和触摸面板功能(位置输入功能、位置检测功能)的液晶面板(显示装置)10。此外，在各附图的一部分示出了X轴、Y轴以及Z轴，各轴方向以成为各附图所示的方向的方式进行绘制。另外，以图5、图6、图7以及图16的上侧为表侧，以该图下侧为里侧。

使用图1来说明液晶面板10的概略性的平面构成。如图1所示，液晶面板10的平面形状整体上是横长的大致方形形状。该液晶面板10的短边方向与Y轴方向一致，长边方向与X轴方向一致，板厚方向(各基板20、21的板面的法线方向)与Z轴方向一致。在本实施方式中，Y轴方向为“第1方向”，X轴方向为“与第1方向交叉的第2方向”。液晶面板10能利用从配置在自身的里侧的背光源装置(照明装置)照射的照明光来显示图像。背光源装置相对于液晶面板10配置在里侧(背面侧)，例如具有光源(例如LED等)、通过对来自光源的光赋予光学作用而将其转换为面状的光的光学构件等。

如图1所示，液晶面板10的屏幕的中央侧部分被设为显示图像的显示区域(在图1中由单点划线包围的范围)AA。相对于此，液晶面板10的屏幕中的包围显示区域AA的边框状(框状)的外周侧部分被设为不显示图像的非显示区域NAA。液晶面板10是将一对基板20、21贴合而成的。一对基板20、21中的表侧(正面侧)的基板被设为相对基板20，里侧(背面侧)的基板被设为阵列基板(有源矩阵基板)21。相对基板20和阵列基板21均是在玻璃基板的内表面侧层叠形成各种膜而成的。此外，在两个基板20、21的外表面侧分别贴附有偏振板。

如图1所示，阵列基板21具有相对于相对基板20沿着Y轴方向向侧方突出的突出部21A。在该突出部21A安装有用于供应后述的显示功能或触摸面板功能所涉及的各种信号的驱动器(信号供应部)11和柔性基板12。驱动器11以COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)方式安装到阵列基板21的突出部21A。驱动器11包括在内部具有驱动电路的LSI芯片，处理由柔性基板12传送来的各种信号。驱动器11在阵列基板21中相对于显示区域AA在Y轴方向上空开间隔排列配置。柔性基板12被设为在包括具有绝缘性和挠性的合成树脂材料(例如聚酰亚胺系树脂等)的基材上形成有多条配线图案的构成。柔性基板12的一端侧部分连接到阵列基板21，另一端侧部分连接到外部的控制基板(信号供应源)。从控制基板供应的各种信号经由柔性基板12传送到液晶面板10。另外，在阵列基板21的非显示区域NAA，以在X轴方向上从两侧夹着显示区域AA的形式设置有一对栅极电路部13。栅极电路部13向后述的栅极配线26供应扫描信号。栅极电路部13单片地设置于阵列基板21。

本实施方式的液晶面板10兼具显示图像的显示功能、以及检测使用者基于所显示的图像而进行输入的位置(输入位置)的触摸面板功能。在液晶面板10中，用于发挥触摸面板功能的触摸面板图案被一体化(内嵌化)。触摸面板图案被设为所谓的投影型静电电容方式，其检测方式被设为自电容方式。如图1所示，触摸面板图案包括在液晶面板10的板面内以矩阵状排列配置的多个触摸电极(位置检测电极)30。触摸电极30配置在液晶面板10的显示区域AA。因此，液晶面板10的显示区域AA与能检测输入位置的触摸区域(位置输入区域)大致一致。此外，非显示区域NAA与不能检测输入位置的非触摸区域(非位置输入区域)大致一致。当使用者基于液晶面板10的显示区域AA中显示的图像使作为导电体的使用者的手指或由使用者操作的触摸笔等位置输入体靠近液晶面板10的表面(显示面)时，会在该位置输入体与触摸电极30之间形成静电电容。由此，由位于位置输入体的近处的触摸电极30检测出的静电电容会伴随着位置输入体的靠近而产生变化，变得与位于位置输入体的远处的触摸电极30的静电电容不同。后述的检测电路能基于该静电电容的不同来检测输入位置。

如图1所示，在显示区域AA中沿着Y轴方向(第1方向)和X轴方向(第2方向)分别空开间隔地各排列配置有多个触摸电极30。触摸电极30在俯视时呈大致方形形状，一边的尺寸被设为几mm程度。触摸电极30在俯视时的大小远远大于后述的像素PX，配置于在X轴方向和Y轴方向上各跨越多个(几十～几百程度)像素PX的范围内。触摸电极30的详细构成稍后另行说明。

如图1所示，设置于液晶面板10的多个触摸配线(第3配线)31选择性地连接到多个触摸电极30。触摸配线31大体沿着Y轴方向延伸。触摸配线31的Y轴方向的一端侧部分在非显示区域NAA与驱动器11连接。触摸配线31的Y轴方向的另一端侧部分在显示区域AA与沿着Y轴方向排列的多个触摸电极30中的特定的触摸电极30连接。触摸配线31在Y轴方向的形成范围限于从驱动器11直至连接对象的触摸电极30为止的范围，在比连接对象的触摸电极30靠与驱动器11侧(图1的下侧)相反的一侧(图1的上侧)是不配置的。此外，根据触摸配线31的设置数量，可以仅将1根触摸配线31连接到1个触摸电极30，也可以将多个触摸配线31连接到1个触摸电极30。另外，连接到1个触摸电极30的触摸配线31的根数也可以根据触摸电极30的位置而不同。在这种情况下，优选例如使连接到离驱动器11远的触摸电极30的触摸配线31的数量多于连接到离驱动器11近的触摸电极30的触摸配线31的数量，但不必一定限于此。此外，在图1中，用黑圆点图示了触摸配线31与触摸电极30的连接部位(第1接触孔CH1)。而且，触摸配线31与检测电路连接。可以是驱动器11具备检测电路，也可以是经由柔性基板12而在液晶面板10的外部具备检测电路。触摸配线31的详细构成稍后另行说明。

如图1所示，设置于液晶面板10的多个连接配线(第5配线、第6配线)32直接地连接到多个触摸电极30。连接配线32与触摸配线31同样地，大体沿着Y轴方向延伸。连接配线32配置为与连接对象的触摸电极30重叠，在Y轴方向上的形成范围限于连接对象的触摸电极30在Y轴方向上的形成范围。连接配线32在多个部位连接到连接对象的触摸电极30。此外，在图1中，用黑圆点图示了连接配线32与触摸电极30的连接部位(第2接触孔CH2)。通过这样的连接配线32，得以降低触摸电极30的电阻分布。连接配线32相对于触摸配线31在Y轴方向上在与驱动器11侧相反的一侧空开间隔配置。即，连接配线32与触摸配线31位于同列。可以说连接配线32是利用不配置触摸配线31的空间来配置的。对于与触摸电极30重叠配置的连接配线32的数量，离驱动器11远的触摸电极30的该数量多于离驱动器11近的触摸电极30的该数量。连接配线32的详细构成稍后另行说明。

而且，如图1所示，设置于液晶面板10的多个虚设触摸配线(第8配线)33间接地连接到多个触摸电极30。虚设触摸配线33与触摸配线31以及连接配线32同样地，大体沿着Y轴方向延伸。虚设触摸配线33配置为夹在X轴方向上相邻的触摸电极30之间，并被设为与任何一个触摸电极30均不重叠的配置。虚设触摸配线33在Y轴方向上的形成范围限于在X轴方向上相邻的触摸电极30在Y轴方向上的形成范围。虚设触摸配线33在多个部位连接到在X轴方向上空开间隔相邻的连接配线32(参照图12)。因此，虚设触摸配线33经由连接配线32间接地连接到触摸电极30。通过这样的虚设触摸配线33，得以进一步降低触摸电极30的电阻分布。虚设触摸配线33在Y轴方向上空开间隔排列配置有多个。Y轴方向上的虚设触摸配线33的排列数量与Y轴方向上的触摸电极30的排列数量一致。虚设触摸配线33的详细构成稍后另行说明。

使用图2来说明阵列基板21的显示区域AA中的像素排布。图2图示了沿着X轴方向和Y轴方向各排列2个(总共4个)触摸电极30的边界附近的像素排布。在图2中，分别以不同的阴影状图示阵列基板21所具备的第1金属膜和第2金属膜。此外，在图2中，用双点划线图示第1透明电极膜。关于上述的第1金属膜和第2金属膜，后面详细进行说明。如图2所示，在阵列基板21的显示区域AA的内表面侧，多个TFT(薄膜晶体管、开关元件)23和多个像素电极24在阵列基板21的面内空开间隔排列设置。多个TFT23和多个像素电极24在Y轴方向(第1方向)以及与Y轴方向交叉的X轴方向(第2方向)上分别空开间隔排列设置为矩阵状(行列状)。在TFT23和像素电极24的周围，以包围的方式配设有呈格子状的栅极配线(第1配线、第2配线、扫描配线)26和源极配线(第4配线、第7配线、第9配线、信号配线)27。栅极配线26沿着X轴方向大致直线状地延伸，在Y轴方向上以夹着像素电极24的方式空开间隔排列配置有多个。栅极配线26的线宽根据X轴方向的位置而变化。源极配线27大体沿着Y轴方向延伸并且以之字形反复弯曲。源极配线27在X轴方向上以夹着像素电极24的方式空开间隔排列配置有多个。栅极配线26和源极配线27相互交叉，其交叉部位的数量为将栅极配线26的设置数量与源极配线27的设置数量相乘所得的值。TFT23均配置为在Y轴方向上夹在自身所连接的像素电极24与栅极配线26之间。此外，多个TFT23包含相对于被作为连接对象的源极配线27位于图2的右侧的TFT23和位于图2的左侧的TFT23。相对于被作为连接对象的源极配线27位于图2的右侧的TFT23和位于图2的左侧的TFT23在Y轴方向上逐个地交替排列。相对于被作为连接对象的源极配线27位于图2的右侧的TFT23和位于图2的左侧的TFT23是相互左右反转的构成。另外，全部的TFT23相对于被作为连接对象的像素电极24位于图2的下侧。

使用图1和图3来说明阵列基板21所具备的共用电极25。图3图示了与图2相同的范围的像素排布，在图3中，以阴影状图示阵列基板21所具备的第1透明电极膜。关于上述的第1透明电极膜，后面详细进行说明。如图3所示，在阵列基板21，设置有在显示区域AA的大致整个区域配置的共用电极25。共用电极25相对于多个像素电极24重叠地配置在下层侧。如图1和图3所示，共用电极25在显示区域AA中沿着X轴方向和Y轴方向分别空开间隔地各排列配置有多个。即，共用电极25构成了已叙述的触摸电极30。相邻的共用电极25被狭缝25A分隔开。狭缝25A整体上在俯视时呈大致格子状。狭缝25A包括：第1狭缝25A1，其大体沿着X轴方向横贯显示区域AA的整个长度；以及第2狭缝25A2，其大体沿着Y轴方向纵贯显示区域AA的整个长度。此外，图3图示了4个共用电极25(触摸电极30)。沿着Y轴方向排列的共用电极25(触摸电极30)被第1狭缝25A1分隔开。沿着X轴方向排列的共用电极25(触摸电极30)被第2狭缝25A2分隔开。

如图1所示，从驱动器11向连接到这样的触摸电极30的触摸配线31分时地供应图像显示功能所涉及的共用电位信号和触摸面板功能所涉及的触摸信号(位置检测信号)。从驱动器11向触摸配线31供应共用电位信号的定时为显示期间。从驱动器11向触摸配线31供应触摸信号的定时为感测期间(位置检测期间)。该共用电位信号在相同的定时(显示期间)被传送到全部的触摸配线31，从而全部的触摸电极30变为基于共用电位信号的基准电位而作为共用电极25发挥功能。另外，如图3所示，在共用电极25，形成有与TFT23的一部分(后述的第3接触孔CH3和第4接触孔CH4附近)重叠的第1开口25B 1。第1开口25B 1在共用电极25中的与多个TFT23各自重叠的位置形成有多个。多个第1开口25B1在共用电极25中在X轴方向和Y轴方向上空开间隔排列配置为矩阵状。通过第1开口25B1，避免了共用电极25与像素电极24的短路。另外，在共用电极25，形成有与触摸配线31和连接配线32重叠的多个第2开口25B2。多个第2开口25B2呈沿着触摸配线31和连接配线32的延伸方向延伸的细长的(纵长的)狭缝状。第2开口25B2在Y轴方向上的形成范围被设为与像素电极24中的后述的像素电极主体24A在Y轴方向上的形成范围大体相同的程度。

使用图4来说明触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33。图4图示了与图2相同的范围的像素排布，在图4中，以阴影状图示阵列基板21所具备的第3金属膜。此外，在图4中，用双点划线图示第1透明电极膜(共用电极25和触摸电极30)等。关于上述的第3金属膜，后面详细进行说明。如图4所示，触摸配线31配置为在俯视时与源极配线27重叠。触摸配线31与源极配线27同样地，大体沿着Y轴方向延伸并且以之字形反复弯曲。触摸配线31配置为横穿将在Y轴方向上相邻的触摸电极30之间分隔开的第1狭缝25A1。连接配线32是与触摸配线31处于同层，并配置为在俯视时与源极配线27重叠。连接配线32与源极配线27以及触摸配线31同样地，大体沿着Y轴方向延伸并且以之字形反复弯曲。连接配线32不会横穿将连接对象的触摸电极30与在Y轴方向上相邻的触摸电极30之间分隔开的第1狭缝25A1。连接配线32被设为与重叠于在Y轴方向上与连接对象的触摸电极30相邻的触摸电极30的触摸配线31以及连接配线32空开间隔在Y轴方向上排列的关系。虚设触摸配线33是与触摸配线31和连接配线32处于同层，并配置为在俯视时与源极配线27重叠。虚设触摸配线33与源极配线27、触摸配线31以及连接配线32同样地，大体沿着Y轴方向延伸并且以之字形反复弯曲。虚设触摸配线33配置为与将在X轴方向上相邻的触摸电极30之间分隔开的第2狭缝25A2重叠。虚设触摸配线33不会横穿将在Y轴方向上相邻的触摸电极30之间分隔开的第1狭缝25A1。

使用图5来说明液晶面板10中的像素电极24(像素PX)的中央部附近的截面构成。如图5所示，液晶面板10具有液晶层(介质层)22，液晶层22配置在一对基板20、21之间，包含作为光学特性伴随着施加电场而变化的物质的液晶分子。在构成液晶面板10的相对基板20的内表面侧的显示区域AA设置有呈现蓝色(B)、绿色(G)以及红色(R)的3个颜色的彩色滤光片28。呈现相互不同的颜色的多个彩色滤光片28以在栅极配线26的延伸方向(X轴方向)上相邻的方式排列配置。呈现相互不同的颜色的多个彩色滤光片28沿着源极配线27的延伸方向(大体Y轴方向)延伸。这样，呈现相互不同的颜色的多个彩色滤光片28整体上排布为条纹状。这些彩色滤光片28被设为与阵列基板21侧的各像素电极24在俯视时重叠的配置。呈现相互不同的颜色的多个彩色滤光片28被设为其边界(颜色边界)与源极配线27重叠的配置。另外，在彩色滤光片28的上层侧(液晶层22侧)，为了平坦化而设置有在相对基板20的大致整个区域内满面状配置的覆膜20OC。此外，在两个基板20、21中的与液晶层22接触的最内表面(最上层)分别形成有用于使液晶层22所包含的液晶分子取向的取向膜。

如图5所示，彩色滤光片28包含呈现绿色的第1彩色滤光片(绿色彩色滤光片)28G、呈现蓝色的第2彩色滤光片(蓝色彩色滤光片)28B、以及呈现红色的第3彩色滤光片(红色彩色滤光片)28R。以下，在区分彩色滤光片28的情况下，对呈现绿色的第1彩色滤光片的附图标记标注后缀G，对呈现蓝色的第2彩色滤光片的附图标记标注后缀B，对呈现红色的第3彩色滤光片的附图标记标注后缀R，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。第1彩色滤光片28G选择性地使绿色的波长区域(约500nm～约570nm)所包含的波长的绿色光透射过。第1彩色滤光片28G的相对可见度最高。第2彩色滤光片28B选择性地使蓝色的波长区域(约400nm～约500nm)所包含的蓝色光透射过。第2彩色滤光片28B的相对可见度最低。第3彩色滤光片28R选择性地使红色的波长区域(约600nm～约780nm)所包含的波长的红色光透射过。第3彩色滤光片28R虽然相对可见度比第1彩色滤光片28G低，但是相对可见度比第2彩色滤光片28B高。在本实施方式中，彩色滤光片28被设为从图5的左侧起按第1彩色滤光片28G、第3彩色滤光片28R、第2彩色滤光片28B的顺序反复排列的排布。

在该液晶面板10中，如图5所示，沿着X轴方向排列的3个颜色的彩色滤光片28G、28B、28R以及与各彩色滤光片28G、28B、28R相对的3个像素电极24分别构成了3个颜色的像素GPX、BPX、RPX。呈现可见度最高的绿色的第1像素(绿色像素)GPX包括第1彩色滤光片28G以及与第1彩色滤光片28G相对的像素电极24。呈现可见度最低的蓝色的第2像素(蓝色像素)BPX包括第2彩色滤光片28B以及与第2彩色滤光片28B相对的像素电极24。呈现中间的可见度的红色的第3像素(红色像素)RPX包括第3彩色滤光片28R以及与第3彩色滤光片28R相对的像素电极24。并且，在该液晶面板10中，由沿着X轴方向相邻的3个颜色的像素GPX、BPX、RPX构成了能进行规定的灰度级的彩色显示的显示像素。像素GPX、BPX、RPX的Y轴方向的排布间距被设为X轴方向的排布间距的3倍程度。

如图5所示，在相对基板20的显示区域AA的内表面侧，设置有遮光部(像素间遮光部、黑矩阵)29。遮光部29包括具有优异的遮光性的遮光性材料(例如在丙烯酸或聚酰亚胺等感光性树脂材料中含有炭黑等颜料的材料)。遮光部29能够遮挡从背光源装置等照射的光。在显示区域AA中，遮光部29其平面形状呈大致格子状，将相邻的像素电极24(像素PX)之间分隔开。遮光部29被设为与阵列基板21侧的至少栅极配线26和源极配线27在俯视时重叠的配置。遮光部29具有：第1遮光部，其沿着X轴方向延伸，并与栅极配线26重叠；以及第2遮光部，其沿着大体Y轴方向延伸，并与源极配线27重叠。此外，图5仅图示了第2遮光部，第1遮光部在图7等进行图示。在相对基板20的面内，由构成遮光部29的第1遮光部和第2遮光部包围的区域(像素开口部)是与像素电极24的大部分重叠的，划定像素PX的开口范围。上述区域使像素电极24和彩色滤光片28的透射光透射过，并向液晶面板10的外部射出。此外，遮光部29也设置于相对基板20的非显示区域NAA，在非显示区域NAA中在大致整个区域内满面状配置。

在此，参照图6来说明层叠形成在阵列基板21的内表面侧的各种膜。如图6所示，在阵列基板21，从下层侧(玻璃基板侧)起按顺序层叠形成有第1金属膜、栅极绝缘膜34、半导体膜、第2金属膜(第2导电膜)、第1层间绝缘膜(第2绝缘膜)35、平坦化膜(第2绝缘膜)36、第3金属膜(第1导电膜)、第2层间绝缘膜(第3绝缘膜)37、第1透明电极膜、第3层间绝缘膜(第1绝缘膜)38、第2透明电极膜、取向膜。第1金属膜、第2金属膜以及第3金属膜分别被设为包括从铜、钛、铝、钼、钨等之中选择的1种金属材料的单层膜或者包括不同种类的金属材料的层叠膜或合金，从而具有导电性和遮光性。第1金属膜构成栅极配线26、TFT23的栅极电极23A等。第2金属膜构成源极配线27、TFT23的源极电极23B和漏极电极23C等。第3金属膜构成触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33等。半导体膜包括例如使用氧化物半导体、非晶硅等作为材料的薄膜，构成TFT23的半导体部23D等。第1透明电极膜和第2透明电极膜包括透明电极材料(例如ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)等)。第1透明电极膜构成共用电极25(触摸电极30)等。第2透明电极膜构成像素电极24等。取向膜为已叙述的那样。

栅极绝缘膜34、第1层间绝缘膜35、第2层间绝缘膜37以及第3层间绝缘膜38分别包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO₂)等无机材料。栅极绝缘膜34、第1层间绝缘膜35、第2层间绝缘膜37以及第3层间绝缘膜38的膜厚大于第1透明电极膜和第2透明电极膜的膜厚。平坦化膜36例如包括PMMA(丙烯酸树脂)等有机材料，具有感光性。平坦化膜36的膜厚远远大于栅极绝缘膜34、第1层间绝缘膜35、第2层间绝缘膜37以及第3层间绝缘膜38的膜厚。通过该平坦化膜36，得以将阵列基板21的内表面(液晶层22侧的面)平坦化。栅极绝缘膜34将下层侧的第1金属膜与上层侧的半导体膜及第2金属膜保持为绝缘状态。例如，包括第1金属膜的栅极配线26与包括第2金属膜的源极配线27的交叉部位由栅极绝缘膜34保持为绝缘状态。另外，在TFT23中，包括第1金属膜的栅极电极23A与包括半导体膜的半导体部23D的重叠部位由栅极绝缘膜34保持为绝缘状态。第1层间绝缘膜35和平坦化膜36将下层侧的半导体膜及第2金属膜与上层侧的第3金属膜保持为绝缘状态。例如，包括第2金属膜的源极配线27与包括第3金属膜的各配线31～33的重叠部位由第1层间绝缘膜35和平坦化膜36保持为绝缘状态。第2层间绝缘膜37将下层侧的第3金属膜与上层侧的第1透明电极膜保持为绝缘状态。例如，包括第3金属膜的各配线31～33与包括第1透明电极膜的共用电极25(触摸电极30)的重叠部位由第2层间绝缘膜37保持为绝缘状态。第3层间绝缘膜38将下层侧的第1透明电极膜与上层侧的第2透明电极膜保持为绝缘状态。例如，包括第1透明电极膜的共用电极25(触摸电极30)与包括第2透明电极膜的像素电极24的重叠部位由第3层间绝缘膜38保持为绝缘状态。

接下来，参照图6至图9来说明TFT23。图8和图9中放大地图示了触摸电极30(后述的第1触摸电极30α)的形成范围中的TFT23(后述的第1TFT23α)和触摸配线31等。在图8中，分别以不同的阴影状图示阵列基板21所具备的半导体膜和第1透明电极膜。在图9中，以阴影状图示阵列基板21所具备的第3金属膜。此外，在图9中，用双点划线图示第1透明电极膜。如图6和图8所示，TFT23具有包括第1金属膜的栅极电极23A。栅极电极23A是从沿着X轴方向延伸的栅极配线26的中途沿着Y轴方向伸出的部分。即，栅极电极23A是将栅极配线26局部加宽而形成的。栅极电极23A在X轴方向上的尺寸与后述的半导体部23D的长度尺寸为同等程度。栅极电极23A配置为在X轴方向上与源极配线27的大部分范围重叠。栅极电极23A基于供应到栅极配线26的扫描信号来驱动TFT23。TFT23具有包括第2金属膜的源极电极23B。源极电极23B由源极配线27的一部分(与栅极电极23A的重叠部分)构成。因此，源极配线27不具有栅极配线26中的如栅极电极23A这样的加宽部分(伸出部分)。源极电极23B配置在TFT23的X轴方向的一端(图6和图8所示的左端)。源极电极23B是与栅极电极23A的一部分重叠，连接到半导体部23D中的一个端部。

如图7和图8所示，TFT23具有包括第2金属膜的漏极电极23C。漏极电极23C配置于与源极电极23B之间在X轴方向上空开间隔的位置，即TFT23的X轴方向的另一端(图7和图8所示的右端)。漏极电极23C在俯视时呈大致倒T字型。漏极电极23C具有：第1漏极电极构成部(第1部)23C1，其配置在相对于源极电极23B在X轴方向上空开间隔的位置；第2漏极电极构成部(第2部)23C2，其从第1漏极电极构成部23C1沿着X轴方向朝向源极电极23B侧伸出；以及第3漏极电极构成部23C3，其从第1漏极电极构成部23C1沿着X轴方向朝向与源极电极23B侧相反的一侧伸出。漏极电极23C的第1漏极电极构成部23C1连接到像素电极24的一部分(后述的接触部24B)。漏极电极23C的第2漏极电极构成部23C2以与栅极电极23A的一部分重叠的方式配置，连接到半导体部23D中的另一个端部、即与源极电极23B侧相反的一侧的端部。如图7和图9所示，在与漏极电极23C的第1漏极电极构成部23C1、以及像素电极24的一部分这两者重叠的位置，设置有包括第3金属膜的中间电极39。中间电极39在Z轴方向上位于漏极电极23C与像素电极24的中间。中间电极39在俯视时呈大致方形的岛状，与包括相同的第3金属膜的其它部分的触摸配线31、连接配线32在物理上是分离的。在介于漏极电极23C的第1漏极电极构成部23C1与中间电极39之间的第1层间绝缘膜35和平坦化膜36中的与漏极电极23C的第1漏极电极构成部23C1及中间电极39重叠的位置，形成有第3接触孔CH3。中间电极39通过第3接触孔CH3连接到漏极电极23C。在介于中间电极39与像素电极24之间的第2层间绝缘膜37和第3层间绝缘膜38中的与中间电极39及像素电极24重叠的位置，形成有第4接触孔CH4。像素电极24通过第4接触孔CH4连接到中间电极39。这样，像素电极24经由中间电极39连接到漏极电极23C。漏极电极23C的第3漏极电极构成部23C3是与将栅极配线26局部加宽而形成的加宽部26A重叠的。加宽部26A配置在相对于栅极电极23A在X轴方向上空开间隔的位置。即使在制造阵列基板21时漏极电极23C相对于栅极配线26在X轴方向上发生了位置偏差的情况下，由于漏极电极23C的第3漏极电极构成部23C3配置为与加宽部26A重叠，从而栅极配线26与漏极电极23C(即像素电极24)之间的电容也是不易发生变动的。

如图6和图8所示，TFT23具有包含沟道部的岛状的半导体部23D。半导体部23D沿着X轴方向延伸，在俯视时呈横长的方形形状。半导体部23D的大部分隔着栅极绝缘膜34与栅极电极23A重叠。半导体部23D的X轴方向上的一个端部与源极配线27的大体整个宽度重叠并连接。半导体部23D的X轴方向上的另一个端部与漏极电极23C的第2漏极电极构成部23C2中的从第1漏极电极构成部23C1的伸出顶端部重叠并连接。这样，半导体部23D在X轴方向上配置于与漏极电极23C的第1漏极电极构成部23C1相比离源极配线27更近的位置。半导体部23D中的被设为与栅极电极23A重叠而与源极电极23B和漏极电极23C不重叠的部分是作为沟道(电流路径)发挥功能的沟道部。半导体部23D中的与源极电极23B和漏极电极23C重叠的部分是不作为沟道发挥功能的部分。当基于供应到栅极电极23A的扫描信号而TFT23成为导通状态时，供应到源极配线27的图像信号(数据信号)会从源极电极23B经由半导体部23D向漏极电极23C供应。其结果是，像素电极24被充电到基于图像信号的电位。

参照图5、图7以及图8来说明像素电极24。如图8所示，像素电极24具有平面形状为纵长形状的像素电极主体24A。像素电极主体24A在其长度方向上是在中途弯曲的。详细地说，像素电极主体24A呈长边侧的两侧缘相对于Y轴方向稍微倾斜并且在大致中央位置弯曲一次而顶角成为钝角的浅V字型。如图5和图8所示，在像素电极主体24A，形成有沿着长边侧的侧缘延伸的多个(在图5和图8等中为4个)狭缝24A1。此外，狭缝24A1的具体的设置个数、形状、形成范围等除了图示以外也能适当变更。如图8所示，像素电极24具有从像素电极主体24A沿着Y轴方向向单侧突出的接触部24B。接触部24B以从像素电极主体24A向图8的向下方向突出，并与漏极电极23C的第1漏极电极构成部23C1和中间电极39重叠的方式配置。接触部24B在俯视时呈方形形状。如图7所示，接触部24B是经由中间电极39连接到漏极电极23C的第1漏极电极构成部23C1的部位。当这样的构成的像素电极24被充电时，会在其与重叠于像素电极24的共用电极25之间产生电位差。于是，在像素电极24中的狭缝24A1的开口缘与共用电极25之间会产生边缘电场(倾斜电场)，该边缘电场中不仅包含沿着阵列基板21的板面的分量，还包含相对于阵列基板21的板面的法线方向的分量。能够通过利用该边缘电场来控制液晶层22所包含的液晶分子的取向状态。即，本实施方式的液晶面板10的动作模式被设为FFS(Fringe Field Switching；边缘场开关)模式。

参照图4、图6以及图8来说明触摸电极30与触摸配线31的连接结构。如图6所示，第2层间绝缘膜37介于包括第3金属膜的触摸配线31与包括第1透明电极膜的触摸电极30之间。在第2层间绝缘膜37，开口形成有用于将触摸配线31与触摸电极30连接的第1接触孔CH1。如图4和图8所示，第1接触孔CH1配置在与触摸配线31和将该触摸配线31作为连接对象的触摸电极30这两者重叠的位置。详细地说，第1接触孔CH1配置为与重叠于触摸配线31及触摸电极30这两者的多个TFT23中包含的规定的TFT23所具备的源极电极23B重叠。

参照图4、图10以及图11来说明触摸电极30与连接配线32的连接结构。图10和图11中放大地图示了触摸电极30的形成范围的TFT23和连接配线32等。在图10中，分别以不同的阴影状图示阵列基板21所具备的半导体膜和第1透明电极膜。在图11中，以阴影状图示阵列基板21所具备的第3金属膜。此外，在图11中，用双点划线图示第1透明电极膜。连接配线32与触摸配线31包括相同的第3金属膜。因此，第2层间绝缘膜37介于连接配线32与触摸电极30之间(参照图6)。如图4、图10以及图11所示，在第2层间绝缘膜37，开口形成有用于将连接配线32与触摸电极30连接的第2接触孔CH2。第2接触孔CH2配置在与连接配线32以及重叠于该连接配线32的触摸电极30这两者重叠的位置。详细地说，第2接触孔CH2配置为与重叠于连接配线32及触摸电极30这两者的多个TFT23中包含的规定的TFT23所具备的源极电极23B重叠。此外，触摸电极30与连接配线32的连接部位的截面构成是与图6所示的触摸电极30与触摸配线31的连接部位的截面构成同样的。

接下来，参照图12至图20来详细说明多个触摸电极30(共用电极25)中的特定的触摸电极30、以及与该触摸电极30相关的TFT23、半导体部23D、像素电极24、栅极配线26、源极配线27、触摸配线31、连接配线32及虚设触摸配线33。在图12中，从多个触摸电极30之中特别图示了4个触摸电极30。以下，在区分所图示的触摸电极30的情况下，将图12的左上的触摸电极30作为“第1触摸电极(第1位置检测电极)”并对其附图标记标注后缀α，将图12的左下的触摸电极30作为“第2触摸电极(第2位置检测电极)”并对其附图标记标注后缀β，将图12的右上的触摸电极30作为“第3触摸电极(第3位置检测电极)”并对其附图标记标注后缀γ，将图12的右下的触摸电极30作为“第4触摸电极”并对其附图标记标注后缀δ，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。第1触摸电极30α是第1共用电极25α。第2触摸电极30β是第2共用电极25β。第3触摸电极30γ是第3共用电极25γ。第4触摸电极30δ是第4共用电极25δ。此外，第1触摸电极30α(第1共用电极25α)、第2触摸电极30β(第2共用电极25β)、第3触摸电极30γ(第3共用电极25γ)以及第4触摸电极30δ(第4共用电极25δ)也图示于图3。

图12中图示了多个与第1触摸电极30α和第2触摸电极30β重叠的栅极配线26。以下，在区分栅极配线26的情况下，将与第1触摸电极30α重叠的栅极配线26作为“第1栅极配线(第1配线)”并对其附图标记标注后缀α，将与第2触摸电极30β重叠并离将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β分隔开的第1狭缝25A1最近的栅极配线26作为“第2栅极配线(第2配线)”并对其附图标记标注后缀β，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。此外，第1栅极配线26α也图示于图2至图4、图8至图11。第2栅极配线26β也图示于图2至图4。

图12图示了多个与第1触摸电极30α和第2触摸电极30β重叠的像素电极24。以下，在区分像素电极24的情况下，将与第1触摸电极30α重叠并相对于第1栅极配线26α在图12的上侧(与驱动器11侧相反的一侧)相邻的像素电极24作为“第1像素电极”并对其附图标记标注后缀α，将与第1触摸电极30α重叠并与第1像素电极24α之间夹着第1栅极配线26α的像素电极24作为“第2像素电极”并对其附图标记标注后缀β，将与第1触摸电极30α重叠并相对于第2栅极配线26β在图12的上侧相邻的像素电极24作为“第3像素电极”并对其附图标记标注后缀γ，将与第2触摸电极30β重叠并与第3像素电极24γ之间夹着第2栅极配线26β的像素电极24作为“第4像素电极”并对其附图标记标注后缀δ，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

图12中图示了与第1触摸电极30α和第2触摸电极30β重叠的触摸配线31。以下，在区分触摸配线31的情况下，将与连接到以第3像素电极24γ为连接对象的TFT23(后述的第2TFT23β)的源极配线27(后述的第1源极配线27α)重叠的触摸配线31作为“第1触摸配线(第3配线)”并对其附图标记标注后缀α，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

图12中图示了多个与第1触摸电极30α和第2触摸电极30β重叠的连接配线32。以下，在区分连接配线32的情况下，将与第1触摸电极30α重叠的连接配线32作为“第1连接配线(第5配线)”并对其附图标记标注后缀α，将与第2触摸电极30β重叠并相对于第1连接配线32α在Y轴方向上空开间隔排列的连接配线32作为“第2连接配线(第6配线)”并对其附图标记标注后缀β，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

图12中图示了虚设触摸配线33。以下，在区分虚设触摸配线33的情况下，将夹在第1触摸电极30α与第3触摸电极30γ之间的虚设触摸配线33作为“第1虚设触摸配线(第8配线)”并对其附图标记标注后缀α，将夹在第2触摸电极30β与第4触摸电极30δ之间的虚设触摸配线33作为“第2虚设触摸配线”并对其附图标记标注后缀β，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

图12中图示了多个源极配线27。以下，在区分源极配线27的情况下，将与第1触摸配线31α重叠的源极配线27作为“第1源极配线(第4配线)”并对其附图标记标注后缀α，将与第1连接配线32α和第2连接配线32β重叠的源极配线27作为“第2源极配线(第7配线)”并对其附图标记标注后缀β，将与第1虚设触摸配线33α和第2虚设触摸配线33β重叠的源极配线27作为“第3源极配线(第9配线)”并对其附图标记标注后缀γ，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。此外，第1源极配线27α、第2源极配线27β以及第3源极配线27γ也图示于图2。

图12中图示了多个TFT23。以下，在区分TFT23的情况下，将连接到第1栅极配线26α和第1像素电极24α的TFT23作为“第1TFT(第1开关元件)”并对其附图标记标注后缀α，将连接到第2栅极配线26β、第1源极配线27α以及第3像素电极24γ的TFT23作为“第2TFT(第2开关元件)”并对其附图标记标注后缀β，将连接到第2栅极配线26β和第2源极配线27β的TFT23作为“第3TFT(第3开关元件)”并对其附图标记标注后缀γ，将连接到第2栅极配线26β和第3源极配线27γ的TFT23作为“第4TFT(第4开关元件)”并对其附图标记标注后缀δ，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。此外，第1TFT23α、第2TFT23β、第3TFT23γ以及第4TFT23δ也图示于图2。

图12中图示了多个TFT23所具备的源极电极23B。以下，在区分源极电极23B的情况下，将第2TFT23β所具备的源极电极23B作为“第2源极电极(第3电极)”并对其附图标记标注后缀β，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

图12中图示了多个TFT23所具备的漏极电极23C。以下，在区分漏极电极23C的情况下，将第2TFT23β所具备的漏极电极23C作为“第2漏极电极(第1电极)”并对其附图标记标注后缀β，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

图12图示了多个TFT23所具备的半导体部23D。以下，在区分半导体部23D的情况下，将第1TFT23α所具备的半导体部23D作为“第1半导体部”并对其附图标记标注后缀α，将第2TFT23β所具备的半导体部23D作为“第2半导体部”并对其附图标记标注后缀β，将第3TFT23γ所具备的半导体部23D作为“第3半导体部”并对其附图标记标注后缀γ，将第4TFT23δ所具备的半导体部23D作为“第4半导体部”并对其附图标记标注后缀δ，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

图12图示了多个中间电极39。以下，在区分中间电极39的情况下，将与第2漏极电极23Cβ重叠的中间电极39作为“第2中间电极(第2电极)”并对其附图标记标注后缀β，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

参照图12和图13来说明连接配线32与虚设触摸配线33的连接结构。图13中放大地图示了将第1触摸电极30α与第3触摸电极30γ分隔开的第2狭缝25A2附近的第1连接配线32α和第1虚设触摸配线33α等。在图13中，以阴影状图示阵列基板21所具备的第3金属膜。如图12所示，在阵列基板21，设置有将在X轴方向上空开间隔相互相邻的连接配线32与虚设触摸配线33连接的横贯配线40。如图12所示，横贯配线40至少包含：第1横贯配线40α，其将第1连接配线32α与第1虚设触摸配线33α连接；以及第2横贯配线40β，其将第2连接配线32β与第2虚设触摸配线33β连接。第1横贯配线40α和第2横贯配线40β分别在Y轴方向上空开间隔的位置各配置有多个。图12中例示了3个第1横贯配线40α和3个第2横贯配线40β。横贯配线40沿着X轴方向延伸，横穿夹在连接配线32与虚设触摸配线33之间的TFT23和像素电极24。如图13所示，横贯配线40与连接配线32及虚设触摸配线33包括相同的第3金属膜。因此，横贯配线40是与连接对象的连接配线32以及虚设触摸配线33分别直接相连的。横贯配线40的大部分配置为与栅极配线26重叠。

参照图8、图9以及图12来说明第1触摸电极30α与其以外的结构物的关系。如图8、图9以及图12所示，第1触摸电极30α配置为与第1TFT23α的第1半导体部23Dα的大致整个区域、第1像素电极24α的大致整个区域、第2像素电极24β的大致整个区域以及第3像素电极24γ的大致整个区域重叠。第1触摸电极30α配置为与第1栅极配线26α的一部分、第1源极配线27α的一部分、第2源极配线27β的一部分以及第1触摸配线31α的一部分重叠。上述的各配线26α、27α、27β、31α中的横穿第1触摸电极30α的部分是与第1触摸电极30α重叠的。

参照图12、图14以及图15来说明第2触摸电极30β与其以外的结构物的关系。图14和图15中放大地图示了将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β分隔开的第1狭缝25A1附近的第2TFT23β、第2栅极配线26β以及第1触摸配线31α等。在图14中，分别以不同的阴影状图示阵列基板21所具备的半导体膜和第1透明电极膜。在图15中，以阴影状图示阵列基板21所具备的第3金属膜。如图12、图14以及图15所示，第2触摸电极30β配置为与第4像素电极24δ重叠。第2触摸电极30β配置为与第2栅极配线26β的一部分、第1源极配线27α的一部分、第2源极配线27β的一部分以及第1触摸配线31α的一部分重叠。上述的各配线26β、27α、27β、31α中的横穿第2触摸电极30β的部分是与第2触摸电极30β重叠的。特别是，第2栅极配线26β是与第2触摸电极30β中的面对第1狭缝25A1的端部重叠的配置，成为除了为了形成栅极电极23A而加宽的部分、加宽部26A之外与第1狭缝25A1不重叠的配置。

如上所述，包含第1栅极配线26α和第2栅极配线26β的全部的栅极配线26配置为在大体整个长度上与触摸电极30重叠。因此，从各栅极配线26产生的电场会被所重叠的各触摸电极30屏蔽。由此，不易由于从各栅极配线26产生的电场而在与各栅极配线26相邻的各像素电极24产生电位变动，其结果是，各像素PX的显示亮度不易产生不均。由于不需要如以往那样设置与栅极配线26重叠的屏蔽部，因此能够避免由屏蔽部引起的像素PX的开口率降低的事态。

另一方面，伴随着第2触摸电极30β被设为与第2栅极配线26β重叠的配置，如图12、图14以及图15所示，第2TFT23β所具备的第2半导体部23Dβ成为与将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β之间分隔开的第1狭缝25A1重叠而与第1触摸电极30α和第2触摸电极30β均不重叠的配置。因此，第2半导体部23Dβ不会被第1触摸电极30α和第2触摸电极30β从上层侧覆盖。第1狭缝25A1不仅与第2TFT23β所具备的第2半导体部23Dβ重叠，而且与第2TFT23β所具备的源极电极23Bβ的整个区域和第2TFT23β所具备的漏极电极23Cβ中的沿着X轴方向延伸的部分(包含第1漏极电极构成部23C1的一部分和第2漏极电极构成部23C2及第3漏极电极构成部23C3)重叠。此外，第1狭缝25A1沿着X轴方向大体直线地延伸，在中途与多个第1开口25B1连通。详细地说，第1狭缝25A1是与第1开口25B1中的在Y轴方向上与像素电极主体24A侧相反的一侧(图14和图15的下侧)的端部相连的。

如以上这样，在本实施方式的阵列基板21中，与触摸电极30重叠的关系的半导体部23D(包含第1半导体部23Dα)以及与触摸电极30不重叠的关系的半导体部23D(包含第2半导体部23Dβ)是混合存在的。因此，在具备与触摸电极30重叠的关系的半导体部23D的TFT23(包含第1TFT23α)和具备与触摸电极30不重叠的关系的半导体部23D的TFT23(包含第2TFT23β)中，在触摸电极30产生电位变动的情况下由于在各半导体部23D产生的背沟道而流动的漏电流有可能产生差异。若该漏电流产生差异，则像素电极24的电位会变动，像素PX的显示亮度有可能产生不均。在此，假如采用在第1触摸电极30α中的与第1半导体部23Dα重叠的部分设置开口的构成，则全部的半导体部23D变为与触摸电极30不重叠的关系。然而，若将这样的开口设置于第1触摸电极30α，则第1触摸电极30α的电阻分布会变高，其结果是，有可能产生触摸灵敏度降低等问题。

因此，如图4、图14至图16所示，在本实施方式的阵列基板21，设置有相对于被配置为与任何一个触摸电极30均不重叠而与第1狭缝25A1重叠的半导体部23D重叠配置的重叠部41。重叠部41被设为与多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30相同的电位。在本实施方式中，重叠部41间接地连接到多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30。重叠部41包括第3金属膜，相对于半导体部23D隔着第1层间绝缘膜35和平坦化膜36重叠地配置在上层侧。重叠部41具有与半导体部23D的大部分(至少作为沟道发挥功能的沟道部)重叠的形成范围。重叠部41包含：第1重叠部41α，其连接到触摸配线31；第2重叠部41β，其连接到连接配线32；以及第3重叠部41γ，其连接到虚设触摸配线33。以下，在区分重叠部41的情况下，将连接到触摸配线31的重叠部41作为“第1重叠部”并对其附图标记标注后缀α，将连接到连接配线32的重叠部41作为“第2重叠部”并对其附图标记标注后缀β，将连接到虚设触摸配线33的重叠部41作为“第3重叠部”并对其附图标记标注后缀γ，在不区分而总称的情况下，不对附图标记标注后缀。

参照图14至图16来说明第1重叠部41α。如图14至图16所示，第1重叠部41α由第1触摸配线31α的一部分构成。详细地说，第1触摸配线31α中的横穿将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β之间分隔开的第1狭缝25A1的部分被选择性地加宽。第1触摸配线31α的加宽部分沿着X轴方向伸出，相对于第1触摸配线31α的其它部分(主体部分)向侧方突出。第1触摸配线31α的加宽部分是与第2TFT23β所具备的第2半导体部23Dβ重叠的，构成第1重叠部41α。这样，包括第1触摸配线31α的一部分的第1重叠部41α经由第1触摸配线31α间接地连接到多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30。因此，至少在从驱动器11向第1触摸配线31α供应共用电位信号的定时，连接到第1触摸配线31α的触摸电极30与第1重叠部41α被设为相同电位。根据本实施方式，在第1TFT23α的第1半导体部23Dα，重叠地配置有第1触摸电极30α，在第2TFT23β的第2半导体部23Dβ，重叠地配置有第1重叠部41α。第1重叠部41α被设为与多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30相同的电位。因此，在多个触摸电极30产生了电位变动的情况下，由于该电位变动而流过第1半导体部23Dα和第2半导体部23Dβ的漏电流变为同等程度。由此，即使漏电流流过第1半导体部23Dα和第2半导体部23Dβ，第1像素电极24α和第3像素电极24γ的显示亮度也不易产生不均。

参照图17和图18来说明第2重叠部41β。图17和图18中放大地图示了将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β分隔开的第1狭缝25A1附近的第3TFT23γ和第1连接配线32α等。在图17中，分别以不同的阴影状图示阵列基板21所具备的半导体膜和第1透明电极膜。在图18中，以阴影状图示阵列基板21所具备的第3金属膜。如图17和图18所示，第2重叠部41β由第1连接配线32α的一部分构成。详细地说，第1连接配线32α中的面对将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β之间分隔开的第1狭缝25A1的端部(离第2连接配线32β近的一侧的端部)被选择性地加宽。第1连接配线32α的加宽部分沿着X轴方向伸出，相对于第1连接配线32α的其它部分(主体部分)向侧方突出。第1连接配线32α的加宽部分是与第3TFT23γ所具备的第3半导体部23Dγ重叠的，构成第2重叠部41β。此外，相互重叠的第2重叠部41β和第3半导体部23Dγ的截面构成是与图16所示的第1重叠部41α和第2半导体部23Dβ的截面构成同样的。这样，包括第1连接配线32α的一部分的第2重叠部41β经由第1连接配线32α间接地连接到第1触摸电极30α。因此，至少在从驱动器11向触摸配线31供应共用电位信号的定时，连接到第1触摸电极30α的第1连接配线32α与第2重叠部41β被设为相同电位。根据本实施方式，在第1TFT23α的第1半导体部23Dα，重叠地配置有第1触摸电极30α，在第2TFT23β的第2半导体部23Dβ，重叠地配置有第1重叠部41α，在第3TFT23γ的第3半导体部23Dγ，重叠地配置有第2重叠部41β。第2重叠部41β被设为与第1触摸电极30α相同的电位。因此，在多个触摸电极30产生了电位变动的情况下，由于该电位变动而流过第1半导体部23Dα、第2半导体部23Dβ以及第3半导体部23Dγ的漏电流变为同等程度。由此，即使漏电流流过第1半导体部23Dα、第2半导体部23Dβ以及第3半导体部23Dγ，第1像素电极24α和第2像素电极24β以及连接到第3TFT23γ的像素电极24的显示亮度也不易产生不均。

参照图19和图20来说明第3重叠部41γ。图19和图20中放大地图示了将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β分隔开的第1狭缝25A1附近的第4TFT23δ和第1虚设触摸配线33α等。在图19中，分别以不同的阴影状图示阵列基板21所具备的半导体膜和第1透明电极膜。在图20中，以阴影状图示阵列基板21所具备的第3金属膜。如图19和图20所示，第3重叠部41γ由第1虚设触摸配线33α的一部分构成。详细地说，第1虚设触摸配线33α中的面对将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β之间分隔开的第1狭缝25A1的端部(离第2虚设触摸配线33β近的一侧的端部)被选择性地加宽。第1虚设触摸配线33α的加宽部分沿着X轴方向伸出，相对于第1虚设触摸配线33α的其它部分(主体部分)向侧方突出。第1虚设触摸配线33α的加宽部分是与第4TFT23δ所具备的第4半导体部23Dδ重叠的，构成第3重叠部41γ。此外，相互重叠的第3重叠部41γ和第4半导体部23Dδ的截面构成是与图16所示的第1重叠部41α和第2半导体部23Dβ的截面构成同样的。这样，包括第1虚设触摸配线33α的一部分的第3重叠部41γ经由第1虚设触摸配线33α和第1连接配线32α间接地连接到第1触摸电极30α。因此，至少在从驱动器11向触摸配线31供应共用电位信号的定时，经由第1连接配线32α连接到第1触摸电极30α的第1虚设触摸配线33α与第3重叠部41γ被设为相同电位。根据本实施方式，在第1TFT23α的第1半导体部23Dα，重叠地配置有第1触摸电极30α，在第2TFT23β的第2半导体部23Dβ，重叠地配置有第1重叠部41α，在第3TFT23γ的第3半导体部23Dγ，重叠地配置有第2重叠部41β，在第4TFT23δ的第4半导体部23Dδ，重叠地配置有第3重叠部41γ。即，在成为与第1狭缝25A1重叠的配置的全部的半导体部23D，分别重叠地配置有重叠部41。第3重叠部41γ被设为与第1触摸电极30α相同的电位。因此，在多个触摸电极30产生了电位变动的情况下，由于该电位变动而流过第1半导体部23Dα、第2半导体部23Dβ、第3半导体部23Dγ以及第4半导体部23Dδ的漏电流变为同等程度。由此，即使漏电流流过第1半导体部23Dα、第2半导体部23Dβ、第3半导体部23Dγ以及第4半导体部23Dδ，第1像素电极24α和第2像素电极24β、连接到第3TFT23γ的像素电极24、以及连接到第4TFT23δ的像素电极24的显示亮度也不易产生不均。

另外，如图4所示，在阵列基板21，设置有与被配置为第1狭缝25A1不重叠而与触摸电极30重叠的半导体部23D重叠配置的虚设重叠部45。虚设重叠部45与重叠部41的不同之处在于，所重叠的对象的半导体部23D不同，但虚设重叠部45是与重叠部41同样的构成。虚设重叠部45由触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33中的任意一者的一部分构成，包括第3金属膜。虚设重叠部45包含：第1虚设重叠部45α，其连接到触摸配线31；第2虚设重叠部45β，其连接到连接配线32；以及第3虚设重叠部45γ，其连接到虚设触摸配线33。根据以上，在配置于显示区域AA的全部的TFT23所具备的各半导体部23D，重叠地配置有重叠部41和虚设重叠部45中的任意一者。

如以上说明的那样，本实施方式的阵列基板21具备：多个共用电极25；多个像素电极24，其配置为隔着第3层间绝缘膜(第1绝缘膜)38与多个共通电极25重叠；多个TFT(多个开关元件)23，其连接到多个像素电极24；以及作为多个配线的栅极配线26、源极配线27、触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33，其连接到多个共用电极25中的任意一个共用电极25或者多个TFT23中的任意一个TFT23，多个像素电极24包含：第1像素电极24α；第2像素电极24β，其相对于第1像素电极24α在第1方向上空开间隔配置；第3像素电极24γ；以及第4像素电极24δ，其相对于第3像素电极24γ在第1方向上空开间隔配置，多个配线包含：第1栅极配线(第1配线)26α，其在第1方向上位于第1像素电极24α与第2像素电极24β之间，沿着与第1方向交叉的第2方向延伸；以及第2栅极配线(第2配线)26β，其在第1方向上位于第3像素电极24γ与第4像素电极24δ之间，沿着第2方向延伸，多个TFT23包含：第1TFT(第1开关元件)23α，其连接到第1栅极配线26α和第1像素电极24α；以及第2TFT(第2开关元件)23β，其连接到第2栅极配线26β和第3像素电极24γ，多个共用电极25包含：第1共用电极25α；以及第2共用电极25β，其相对于第1共用电极25α在第1方向上空开间隔配置，第1TFT23α具有第1半导体部23Dα，第2TFT23β具有第2半导体部23Dβ，第1共用电极25α配置为与第1像素电极24α、第2像素电极24β、第3像素电极24γ、第1栅极配线26α以及第1TFT23α中的至少第1半导体部23Dα重叠，第2共用电极25β配置为与第4像素电极24δ和第2栅极配线26β重叠，具备配置为与第2TFT23β中的至少第2半导体部23Dβ重叠并被设为与多个共用电极25中的任意一个共用电极25相同的电位的重叠部41。

在第1TFT23α的第1半导体部23Dα，重叠地配置有第1共用电极25α，在第2TFT23β的第2半导体部23Dβ，重叠地配置有重叠部41。重叠部41被设为与多个共用电极25中的任意一个共用电极25相同的电位。因此，在多个共用电极25产生了电位变动的情况下，由于该电位变动而流过第1半导体部23Dα和第2半导体部23Dβ的漏电流变为同等程度。由此，即使漏电流流过第1半导体部23Dα和第2半导体部23Dβ，第1像素电极24α和第3像素电极24γ的显示亮度也不易产生不均。

另外，在第1栅极配线26α，重叠地配置有第1共用电极25α，在第2栅极配线26β，重叠地配置有第2共用电极25β。因此，从第1栅极配线26α产生的电场被第1共用电极25α屏蔽，从第2栅极配线26β产生的电场被第2共用电极25β屏蔽。由此，不易由于从第1栅极配线26α产生的电场而在第1像素电极24α产生电位变动，不易由于从第2栅极配线26β产生的电场而在第3像素电极24γ产生电位变动，因此显示亮度更不易产生不均。由于不需要如以往那样设置与第2栅极配线26β重叠的屏蔽部，因此能够避免由屏蔽部引起的像素PX的开口率的降低。

另外，多个共用电极25是多个触摸电极(位置检测电极)30，第1共通电极25α是第1触摸电极(第1位置检测电极)30α，第2共用电极25β是第2触摸电极(第2位置检测电极)30β，多个配线包含：第1触摸配线(第3配线)31α，其沿着第1方向延伸，连接到多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30；以及第1源极配线(第4配线)27α，其沿着第1方向延伸，至少连接到第2TFT23β，第1触摸配线31α的至少一部分配置为隔着作为第2绝缘膜的第1层间绝缘膜35和平坦化膜36与第1源极配线27α重叠，第1触摸配线31α的一部分配置为与第2半导体部23Dβ重叠，重叠部41包含第1重叠部41α，第1重叠部41α由第1触摸配线31α中的与第2半导体部23Dβ重叠的部分构成。这样，第1触摸配线31α的一部分构成第1重叠部41α。因此，第1重叠部41α经由第1触摸配线31α间接地连接到多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30。与假如将第1重叠部41α直接地连接到多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30的情况相比，不需要在多个触摸电极30设置针对第1重叠部41α的连接结构，因此多个触摸电极30的设计自由度提高。

另外，第2TFT23β具有第2漏极电极(第1电极)23Cβ，第2漏极电极(第1电极)23Cβ连接到第2半导体部23Dβ的一部分，并配置为与第2像素电极24β的一部分重叠，具备配置为与第2漏极电极23Cβ的一部分和第3像素电极24γ的一部分重叠的第2中间电极(第2电极)39β，第1触摸配线31α包括相对于多个触摸电极30和多个像素电极24均隔着第2层间绝缘膜(第3绝缘膜)37位于下层侧的第3金属膜(第1导电膜)，第1源极配线27α包括相对于第3金属膜隔着作为第2绝缘膜的第1层间绝缘膜35和平坦化膜36位于下层侧的第2金属膜(第2导电膜)，第2漏极电极23Cβ包括第2金属膜中的与第1源极配线27α不同的部分，第2中间电极39β包括第3金属膜中的与第1触摸配线31α和第1重叠部41α不同的部分，连接到所重叠的第3像素电极24γ和第2漏极电极23Cβ，第1重叠部41α相对于第2中间电极39β在第2方向上空开间隔排列配置。第3像素电极24γ和第2漏极电极23Cβ经由第2中间电极39β连接。通过在第1重叠部41α与第2中间电极39β之间空开间隔，得以避免相互的短路。由于第1重叠部41α与第2中间电极39β被设为在第2方向上空开间隔排列的配置，因此即使充分地确保第1重叠部41α与第2中间电极39β之间的间隔，第1重叠部41α的配置空间在第1方向上也不易变大。

另外，第2TFT23β具有第2源极电极(第3电极)23Bβ，第2源极电极(第3电极)23Bβ连接到第2半导体部23Dβ中的不同于与第2漏极电极23Cβ的连接部位的部位，第2源极电极23Bβ由第1源极配线27α的一部分构成，第2漏极电极23Cβ具有：第1漏极电极构成部(第1部)23C1，其与第2中间电极39β重叠；以及第2漏极电极构成部(第2部)23C2，其从第1漏极电极构成部23C1沿着第2方向伸出并连接到第2半导体部23Dβ的一部分。由于第2漏极电极23Cβ具有从第1漏极电极构成部23C1朝向第2半导体部23Dβ沿着第2方向伸出的第2漏极电极构成部23C2，因此能够更大地确保第1重叠部41α与第2中间电极39β之间的第2方向上的间隔，其大出的量为第2漏极电极构成部23C2伸出的量。由此，变得不易产生第1重叠部41α与第2中间电极39β的短路。

另外，具备连接到第1触摸配线31α和第1源极配线27α并向第1触摸配线31α和第1源极配线27α供应信号的驱动器(信号供应部)11，多个配线包含：第1连接配线(第5配线)32α，其沿着第1方向延伸，配置为与第1触摸电极30α重叠而与第2触摸电极30β不重叠并连接到第1触摸电极30α；第2连接配线(第6配线)32β，其沿着第1方向延伸，配置为与第2触摸电极30β重叠而与第1触摸电极30α不重叠并连接到第2触摸电极30β；以及第2源极配线(第7配线)27β，其沿着第1方向延伸，至少一部分配置为隔着作为第2绝缘膜的第1层间绝缘膜35以及平坦化膜36与第1连接配线32α及第2连接配线32β重叠，多个TFT23包含连接到第2栅极配线26β和第2源极配线27β的第3TFT(第3开关元件)23γ，第3TFT23γ具有第3半导体部23Dγ，第1连接配线32α或者第2连接配线32β的一部分配置为与第3半导体部23Dγ重叠，重叠部41包含第2重叠部41β，第2重叠部41β由第1连接配线32α或者第2连接配线32β中的与第3半导体部23Dγ重叠的部分构成。在第3TFT23γ的第3半导体部23Dγ，重叠地配置有第2重叠部41β。这样，第1连接配线32α或者第2连接配线32β的一部分构成第2重叠部41β。因此，第2重叠部41β通过第1连接配线32α或者第2连接配线32β间接地连接到第1触摸电极30α或者第2触摸电极30β。与假如将第2重叠部41β直接地连接到第1触摸电极30α或者第2触摸电极30β的情况相比，不需要在第1触摸电极30α或者第2触摸电极30β设置针对第2重叠部41β的连接结构，因此第1触摸电极30α或者第2触摸电极30β的设计自由度提高。另外，通过第1连接配线32α，得以降低第1触摸电极30α的电阻分布，通过第2连接配线32β，得以降低第2触摸电极30β的电阻分布。

另外，多个触摸电极30包含相对于第1触摸电极30α在第2方向上空开间隔排列的第3触摸电极(第3位置检测电极)30γ，多个配线包含：第1虚设触摸配线(第8配线)33α，其沿着第1方向延伸，配置为夹在第1触摸电极30α与第3触摸电极30γ之间，并被设为与第1触摸电极30α和第3触摸电极30γ不重叠的配置；以及第3源极配线(第9配线)27γ，其沿着第1方向延伸，至少一部分配置为隔着作为第2绝缘膜的第1层间绝缘膜35以及平坦化膜36与第1虚设触摸配线33α重叠，第1虚设触摸配线33α直接或者间接地连接到多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30，多个TFT23包含连接到第2栅极配线26β和第3源极配线27γ的第4TFT(第4开关元件)23δ，第4TFT23δ具有第4半导体部23Dδ，第1虚设触摸配线33α的一部分配置为与第4半导体部23Dδ重叠，重叠部41包含第3重叠部41γ，第3重叠部41γ由第1虚设触摸配线33α中的与第4半导体部23Dδ重叠的部分构成。这样，第1虚设触摸配线33α的一部分构成第3重叠部41γ。第1虚设触摸配线33α直接地或者经由第1连接配线32α间接地连接到多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30。因此，第3重叠部41γ被设为与多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30相同的电位。这样，由于第3重叠部41γ不与多个触摸电极30直接地连接，因此与假如将第3重叠部41γ直接地连接到多个触摸电极30中的任意一个触摸电极30的情况相比，不需要在多个触摸电极30设置针对第3重叠部41γ的连接结构。由此，多个触摸电极30的设计自由度提高。

另外，第1共用电极25α和第2共用电极25β被设为在第1方向上将第2半導体部23Dβ夹在中间并与第2半导体部23Dβ不重叠的配置，重叠部41配置在与多个共用电极25不同的层。第2半导体部23Dβ成为与第1共用电极25α和第2共用电极25β不重叠的配置，因此在多个共用电极25产生了电位变动的情况下有可能流过与第1半导体部23Dα不同的漏电流。关于这一点，由于在第2半导体部23Dβ重叠地配置有配置于与第1共用电极25α和第2共用电极25β不同的层的重叠部41，因此在多个共用电极25产生了电位变动的情况下流过的漏电流变为与第1半导体部23Dα同等程度。另外，在假如使第1共用电极25α和第2共用电极25β中的任意一者与第2半导体部23Dβ重叠的情况下可能产生的问题(例如，来自第2栅极配线26β的电场作用于第2像素电极24β等)变得不易产生。

另外，液晶面板(显示装置)10具备上述记载的阵列基板21和以与阵列基板21相对的方式配置的相对基板20。根据这样的液晶面板10，像素PX的开口率不易降低，显示亮度不易产生不均。由此，能实现显示质量的提高。

＜实施方式2＞

根据图21至图39来说明实施方式2。在该实施方式2中，示出变更了层叠形成于阵列基板121的内表面侧的膜，变更了触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133的配置等的情况。此外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用以及效果，省略重复的说明。

如图21至图24所示，本实施方式的阵列基板121不具备上述的实施方式1所记载的第3金属膜和第2层间绝缘膜37(参照图5和图16等)。具体地说，在阵列基板121，从下层侧起按顺序层叠形成有第1金属膜、栅极绝缘膜134、半导体膜、第2金属膜、第1层间绝缘膜135、平坦化膜136、第1透明电极膜、第3层间绝缘膜138、第2透明电极膜(第4导电膜)、取向膜。此外，在图21中，分别以不同的阴影状图示阵列基板121所具备的半导体膜和第1透明电极膜。在图22中，分别以不同的阴影状图示阵列基板121所具备的第2金属膜和第2透明电极膜。

如图22和图23所示，本实施方式的触摸配线(第10配线)131、连接配线(第10配线)132以及虚设触摸配线(第10配线)133均与源极配线127等包括相同的第2金属膜。即，触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133分别包括第2金属膜中的与源极配线127、源极电极123B以及漏极电极123C等不同的部分。触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133分别配置在相对于源极配线127在X轴方向上在图21和图22的左侧空开间隔的位置。触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133以将与相邻的源极配线127之间的间隔保持为大体固定的状态与源极配线127并行。此外，在本实施方式中，全部的TFT123相对于被作为连接对象的源极配线127位于图21和图22的右侧。触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133不是以与全部的源极配线127相邻的方式，而是以与特定的源极配线127相邻的方式配置。具体地说，触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133例如以与位于相对可见度最低的第2像素BPX与相对可见度第二低的第3像素RPX之间的源极配线127选择性地相邻的方式配置。触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133的设置数量之和被设为源极配线127的设置数量的1/3程度。触摸配线131与源极配线127之间的间隔是和连接配线132与源极配线127之间的间隔、虚设触摸配线133与源极配线127之间的间隔相同的，比像素电极124的短边尺寸短，被设为源极配线127的线宽程度。由此，不易产生触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133与相邻的源极配线127短路的事态。详细说明X轴方向的配置的话，触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133是以相对于相邻的源极配线127在与该源极配线127所连接的TFT123侧(图22和图23所示的右侧)相反的一侧(图22和图23所示的左侧)空开间隔相邻的方式配置的。触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133在X轴方向上夹在空开间隔相邻的源极配线127与位于与该源极配线127所连接的TFT123侧相反的一侧的TFT123及像素电极124之间。

如图22所示，本实施方式的像素电极124具有平面形状为纵长的大致方形形状的像素电极主体124A。像素电极主体124A虽然长边沿着源极配线127延伸，其长边侧的两侧缘相对于Y轴方向稍微倾斜，但是没有如实施方式1那样在中途折弯(参照图2)。在像素电极主体124A，形成有沿着自身的长度方向(大体Y轴方向)延伸的多个(在图22等中为2个)狭缝124A1。TFT123所具备的漏极电极123C虽然具备连接到像素电极124的接触部124B的第1漏极电极构成部123C1和连接到半导体部123D的第2漏极电极构成部123C2，但是不具备实施方式1所记载的第3漏极电极构成部23C3(参照图8)。伴随于此，栅极配线126不具有实施方式1所记载的加宽部26A(参照图8)。如图25所示，像素电极124的接触部124B直接地连接到漏极电极123C的第1漏极电极构成部123C1。在介于接触部124B与第1漏极电极构成部123C1之间的第1层间绝缘膜(第4绝缘膜)135和平坦化膜(第4绝缘膜)136，开口形成有用于将接触部124B与第1漏极电极构成部123C1连接的第5接触孔CH5。第5接触孔CH5配置在第1层间绝缘膜135和平坦化膜136中的与接触部124B和第1漏极电极构成部123C1这两者重叠的位置。伴随于此，在阵列基板121，不形成实施方式1所记载的中间电极39(参照图7)。

如上所述，在本实施方式中，如图22所示，触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133均为与源极配线127不重叠的配置，这一点与实施方式1不同。伴随于此，本实施方式的多个TFT123虽然包含第1TFT123α和第2TFT123β，但是不包含实施方式1所记载的第3TFT23γ和第4TFT23δ。因此，本实施方式的重叠部141不包含实施方式1所记载的第1重叠部41α、第2重叠部41β以及第3重叠部41γ。

接下来，使用图26至图33来说明重叠部141与第2TFT123β所具备的第2半导体部123Dβ的关系。图26与图12同样地，从多个触摸电极130之中特别图示了4个触摸电极130(第1触摸电极130α～第4触摸电极130δ)。图27和图28中放大地图示了图26所示的将第1触摸电极130α与第2触摸电极130β分隔开的第1狭缝125A1附近的第2TFT123β和触摸配线131等。图29和图30中放大地图示了图26所示的将第1触摸电极130α与第2触摸电极130β分隔开的第1狭缝125A1附近的第2TFT123β和连接配线132等。图31和图32中放大地图示了图26所示的将第1触摸电极130α与第2触摸电极130β分隔开的第1狭缝125A1附近的第2TFT123β和虚设触摸配线133等。在图27、图29以及图31中，分别以不同的阴影状图示阵列基板121所具备的半导体膜和第1透明电极膜。在图28、图30以及图32中，分别以不同的阴影状图示阵列基板121所具备的第2金属膜和第2透明电极膜。

如图27至图32所示，本实施方式的重叠部141包含多个第4重叠部141δ，第4重叠部141δ与像素电极124包括相同的第2透明电极膜。第4重叠部141δ包括第2透明电极膜中的与像素电极124不同的部分。如图33所示，第4重叠部141δ相对于第2TFT123β所具备的第2半导体部123Dβ隔着第1层间绝缘膜135、平坦化膜136以及第3层间绝缘膜138重叠地配置在上层侧。

如图27至图32所示，本实施方式的多个第4重叠部141δ全部被设为具有直接地连接到多个触摸电极130中的任意一个触摸电极130的第1连接电极部(第3部)141A的第5重叠部141ε。第5重叠部141ε中的除了第1连接电极部141A之外的主体部141B在俯视时呈纵长的方形形状，配置为与第2TFT123β所具备的第2半导体部123Dβ的大部分(至少作为沟道发挥功能的沟道部)重叠。第5重叠部141ε的主体部141B配置在相对于像素电极124的接触部124B在X轴方向上空开间隔的位置。由此，不易产生相互相邻的主体部141B与接触部124B短路的事态。第5重叠部141ε中的第1连接电极部141A在俯视时呈大致正方形形状，配置为与第1触摸电极130α或者第3触摸电极130γ重叠。另外，第1连接电极部141A是与第5重叠部141ε的主体部141B的1个角部(图27至图32的左上的角部)相连的，配置为与源极配线127中的比源极电极123B靠图27至图32的上侧的部分重叠。如图33所示，在介于第1连接电极部141A与第1触摸电极130α或者第3触摸电极130γ之间的第3层间绝缘膜138，开口地形成有用于将第1连接电极部141A与第1触摸电极130α或者第3触摸电极130γ连接的第6接触孔CH6。

接下来，使用图24、图34至图39来说明触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133与触摸电极130的连接结构。图34和图35中放大地图示了第1触摸电极130α的形成范围中的第1TFT123α和触摸配线131等。图36和图37中放大地图示了第1触摸电极130α的形成范围中的第1TFT123α和连接配线132等。图38和图39中放大地图示了第1触摸电极130α的形成范围中的第1TFT123α和虚设触摸配线133等。在图34、图36以及图38中，分别以不同的阴影状图示阵列基板121所具备的半导体膜和第1透明电极膜。在图35、图37以及图39中，分别以不同的阴影状图示阵列基板121所具备的第2金属膜和第2透明电极膜。

如图34至图39所示，在本实施方式的阵列基板121，设置有连接电极42～44，连接电极42～44用于将触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133连接到连接对象的触摸电极130。图34至图39所示的触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133均连接到第1触摸电极130α。连接电极42～44与像素电极124以及重叠部141包括相同的第2透明电极膜。连接电极42～44包括第2透明电极膜中的与像素电极124和重叠部141不同的部分。连接电极42～44包含：第1连接电极42，其将触摸配线131连接到触摸电极130；第2连接电极43，其将连接配线132连接到触摸电极130；以及第3连接电极44，其将虚设触摸配线133连接到触摸电极130。此外，如图34至图39中所图示，在多个第1TFT123α所具备的各第1半导体部123Dα，重叠地配置有第1触摸电极130α。

如图34和图35所示，第1连接电极42具有：第1连接部42A，其与触摸配线131重叠；以及第2连接部42B，其与触摸配线131不重叠而与触摸电极130重叠。第1连接部42A在俯视时呈纵长的方形形状，配置为与触摸配线131中的夹在处于图34和图35的左侧的接触部124B与处于图34和图35的右侧的源极电极123B之间的部分重叠。第2连接部42B是与第1连接部42A的1个角部(图34和图35的右下的角部)相连的，其一部分配置为与源极电极123B重叠。如图24所示，在介于包括第2透明电极膜的第1连接部42A与包括第2金属膜的触摸配线131之间的第1层间绝缘膜135、平坦化膜136以及第3层间绝缘膜138，开口地形成有用于将第1连接部42A与触摸配线131连接的第7接触孔CH7。在介于第2连接部42B与触摸电极130之间的第3层间绝缘膜138，开口地形成有用于将第2连接部42B与触摸电极130连接的第8接触孔CH8。另外，如图34和图35所示，第8接触孔CH8在X轴方向上位于源极配线127与触摸配线131之间。另外，在触摸电极130，以与第1连接部42A重叠的方式延长地形成有配置为与触摸配线131重叠的第2开口125B2。

如图36和图37所示，第2连接电极43具有：第3连接部43A，其与连接配线132重叠；以及第4连接部43B，其与连接配线132不重叠而与触摸电极130重叠。第3连接部43A在俯视时呈纵长的方形形状，配置为与连接配线132中的夹在处于图36和图37的左侧的接触部124B与处于图36和图37的右侧的源极电极123B之间的部分重叠。第4连接部43B是与第3连接部43A的1个角部(图36和图37的右下的角部)相连的，其一部分配置为与源极电极123B重叠。在介于包括第2透明电极膜的第3连接部43A与包括第2金属膜的连接配线132之间的第1层间绝缘膜135、平坦化膜136以及第3层间绝缘膜138，开口地形成有用于将第3连接部43A与连接配线132连接的第9接触孔CH9。在介于第4连接部43B与触摸电极130之间的第3层间绝缘膜138，开口地形成有用于将第4连接部43B与触摸电极130连接的第10接触孔CH10。此外，相互重叠的第3连接部43A和连接配线132的截面构成是与图24所示的第1连接部42A和触摸配线131的截面构成同样的。相互重叠的第4连接部43B和触摸电极130的截面构成是与图24所示的第2连接部42B和触摸电极130的截面构成同样的。另外，如图36和图37所示，第10接触孔CH10在X轴方向上位于源极配线127与连接配线132之间。另外，在触摸电极130，以与第3连接部43A重叠的方式延长地形成有配置为与连接配线132重叠的第2开口125B2。

如图38和图39所示，第3连接电极44具有：第5连接部44A，其与虚设触摸配线133重叠；以及第6连接部44B，其与虚设触摸配线133不重叠而与触摸电极130(例如第3触摸电极130γ)重叠。第5连接部44A在俯视时呈纵长的方形形状，配置为与虚设触摸配线133中的夹在处于图38和图39的左侧的接触部124B与处于图38和图39的右侧的源极电极123B之间的部分重叠。第6连接部44B是与第5连接部44A的1个角部(图38和图39的右下的角部)相连的，其一部分配置为与源极电极123B重叠。在介于包括第2透明电极膜的第5连接部44A与包括第2金属膜的虚设触摸配线133之间的第1层间绝缘膜135、平坦化膜136以及第3层间绝缘膜138，开口地形成有用于将第5连接部44A与虚设触摸配线133连接的第11接触孔CH11。在介于第6连接部44B与触摸电极130之间的第3层间绝缘膜138，开口地形成有用于将第6连接部44B与触摸电极130连接的第12接触孔CH12。此外，相互重叠的第5连接部44A和虚设触摸配线133的截面构成是与图24所示的第1连接部42A和触摸配线131的截面构成同样的。相互重叠的第6连接部44B和触摸电极130的截面构成是与图24所示的第2连接部42B和触摸电极130的截面构成同样的。另外，如图38和图39所示，第12接触孔CH12在X轴方向上位于源极配线127与虚设触摸配线133之间。另外，在触摸电极130，以与第5连接部44A重叠的方式形成有配置为与虚设触摸配线133重叠的第2狭缝125A2。

如以上说明的那样，根据本实施方式，多个共用电极25是多个触摸电极(位置检测电极)130，第1共用电极25α是第1触摸电极(第1位置检测电极)130α，第2共用电极25β是第2触摸电极(第2位置检测电极)130β，多个配线包含：作为第10配线的触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133，其沿着第1方向延伸，连接到多个触摸电极130中的任意一个触摸电极130；以及源极配线(第11配线)127，其沿着第1方向延伸，至少连接到第2TFT123β，源极配线127包括相对于多个触摸电极130和多个像素电极124均隔着作为第4绝缘膜的第1层间绝缘膜135和平坦化膜136位于下层侧的第2金属膜(第3导电膜)，作为第10配线的触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133包括第2金属膜中的与源极配线127不同的部分，相对于源极配线127在第2方向上空开间隔排列配置，多个像素电极124包括第2透明电极膜(第4导电膜)，重叠部141包含第4重叠部141δ，第4重叠部141δ包括第2透明电极膜中的与多个像素电极124不同的部分。这样，由于作为第10配线的触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133包括第2金属膜中的与源极配线127不同的部分，因此与假如由配置在与第2金属膜不同的层的金属膜(导电膜)构成作为第10配线的触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133的情况相比，能够削减金属膜(导电膜)等的数量。作为第10配线的触摸配线131、连接配线132以及虚设触摸配线133由于相对于源极配线127在第2方向上空开间隔排列配置，从而避免了与源极配线127的短路。能够利用第2透明电极膜的一部分设置第4重叠部141δ。

另外，第4重叠部141δ包含第5重叠部141ε，第5重叠部141ε具有与第1触摸电极130α或者第2触摸电极130β重叠的第1连接电极部(第3部)141A，第5重叠部141ε的第3部连接到第1触摸电极130α或者第2触摸电极130β。由于第5重叠部141ε的第1连接电极部141A直接地连接到第1触摸电极130α或者第2触摸电极130β，因此能得到高的连接可靠性。

＜实施方式3＞

根据图40至图44来说明实施方式3。在该实施方式3中，示出从上述的实施方式2变更了第4重叠部241δ的构成的情况。此外，对于与上述的实施方式2同样的结构、作用以及效果，省略重复的说明。

如图40所示，本实施方式的第4重叠部241δ不仅包含实施方式2所记载的第5重叠部241ε，而且包含第6重叠部241ζ。在图40中，分别以不同的阴影状图示阵列基板221所具备的第2金属膜和第2透明电极膜。第6重叠部241ζ包括第2透明电极膜中的与像素电极224和第5重叠部241ε不同的部分。

参照图41至图44来说明第6重叠部241ζ的构成。图41中放大地图示了将第1触摸电极230α与第2触摸电极230β分隔开的第1狭缝225A1附近的第2TFT223β和触摸配线231等。图42中放大地图示了将第1触摸电极230α与第2触摸电极230β分隔开的第1狭缝225A1附近的第2TFT223β和连接配线232等。图43中放大地图示了将第1触摸电极230α与第2触摸电极230β分隔开的第1狭缝225A1附近的第2TFT223β和虚设触摸配线233等。在图41至图43中，分别以不同的阴影状图示阵列基板221所具备的第2金属膜和第2透明电极膜。

如图41至图43所示，第6重叠部241ζ具有与触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233中的任意一者重叠的第2连接电极部(第4部)241C。第6重叠部241ζ的第2连接电极部241C连接到所重叠的触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233中的任意一者。因此，第6重叠部241ζ经由触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233中的任意一者间接地连接到多个触摸电极230中的任意一个触摸电极230。第6重叠部241ζ中的除了第2连接电极部241C之外的主体部241D在俯视时呈横长的方形形状，配置为与第2TFT223β所具备的第2半导体部223Dβ的大部分(至少作为沟道发挥功能的沟道部)重叠。第6重叠部241ζ的主体部241D配置在相对于像素电极224的接触部224B在X轴方向上空开间隔的位置。由此，不易产生相互相邻的主体部241D与接触部224B短路的事态。第6重叠部241ζ中的第2连接电极部241C在俯视时呈纵长的方形形状，配置为与触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233中的任意一者重叠。另外，第2连接电极部241C是与第6重叠部241ζ的主体部241D中的X轴方向上的与接触部224B侧相反的一侧的端部(图41至图43的左侧的端部)相连的，配置在相对于源极电极223B在X轴方向上在与漏极电极223C侧相反的一侧空开间隔的位置。如图44所示，在介于第2连接电极部241C与触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233中的任意一者之间的第1层间绝缘膜235、平坦化膜236以及第3层间绝缘膜238，开口地形成有用于将第2连接电极部241C与触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233中的任意一者连接的第13接触孔CH13。另外，如图41和图42所示，在触摸电极230，以与第2连接电极部241C重叠的方式与第1狭缝225A1连通地形成有配置为与触摸配线231、连接配线232重叠的第2开口225B2。另外，如图43所示，在触摸电极230，以与第2连接电极部241C重叠的方式与第1狭缝225A1连通地形成有配置为与虚设触摸配线233重叠的第2狭缝225A2。

如以上说明的那样，根据本实施方式，第4重叠部241δ包含第6重叠部241ζ，第6重叠部241ζ具有与作为第10配线的触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233重叠的第2连接电极部(第4部)241C，第6重叠部241ζ的第2连接电极部241C连接到作为第10配线的触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233。这样，第6重叠部241ζ的第2连接电极部241C经由作为第10配线的触摸配线231、连接配线232以及虚设触摸配线233间接地连接到多个触摸电极230中的任意一个触摸电极230。与假如将第6重叠部241ζ直接地连接到多个触摸电极230中的任意一个触摸电极230的情况相比，不需要在多个触摸电极230设置针对第6重叠部241ζ的连接结构，因此多个触摸电极230的设计自由度提高。

＜实施方式4＞

根据图45和图46来说明实施方式4。在该实施方式4中，示出从上述的实施方式1变更了重叠部341的构成的情况。此外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用以及效果，省略重复的说明。

如图45和图46所示，本实施方式的重叠部341直接地连接到多个触摸电极330中的任意一个触摸电极330。重叠部341与触摸电极330包括相同的第1透明电极膜，重叠部341由第2触摸电极330β的一部分构成。即，第2触摸电极330β的一部分配置为与第2TFT323β所具备的第2半导体部323Dβ的大部分(至少作为沟道发挥功能的沟道部)重叠，构成了重叠部341。

具体地说，在本实施方式中，将第1触摸电极330α与第2触摸电极330β分隔开的第1狭缝325A1是与第2半导体部323Dβ不重叠的。更详细地说，第1狭缝325A1被设为相对于第2半导体部323Dβ向第3像素电极324γ的像素电极主体324A侧(图45的上侧)偏移的配置。第1狭缝325A1配置为与第2TFT323β所具备的漏极电极323C中的第2漏极电极构成部323C2和第3漏极电极构成部323C3不重叠而与第1漏极电极构成部323C1的一部分重叠。第1狭缝325A1是与第1开口325B1中的Y轴方向上的像素电极主体324A侧(图45的上侧)的端部相连的。此外，与第1狭缝325A1连通的第1开口325B1配置为与第1漏极电极构成部323C1的一部分、第2漏极电极构成部323C2的一部分以及第3漏极电极构成部323C3的一部分重叠。另外，第1狭缝325A1配置为虽然与第2TFT323β所具备的栅极电极323A不重叠但是与像素电极主体324A中的Y轴方向上的第2半导体部323Dβ侧(图45的下侧)的端部重叠。重叠部341由第2触摸电极330β中的面对第1狭缝325A1的端部的一部分构成。

如以上说明的那样，根据本实施方式，第1触摸电极330α(第1共用电极25α)或者第2触摸电极330β(第2共用电极25β)的一部分配置为与第2半导体部323Dβ重叠，重叠部341由第1触摸电极330α(第1共用电极25α)或者第2触摸电极330β(第2共用电极25β)中的与第2半导体部323Dβ重叠的部分构成。第1触摸电极330α(第1共用电极25α)或者第2触摸电极330β(第2共用电极25β)的一部分构成重叠部341。与假如在与第1触摸电极330α(第1共用电极25α)和第2触摸电极330β(第2共用电极25β)不同的层设置了重叠部341的情况相比，不需要用于将重叠部341连接到多个触摸电极330(共用电极25)中的任意一个触摸电极330(共用电极25)的结构。

＜其它实施方式＞

本说明书所公开的技术不限于根据上述记述和附图所说明的实施方式，例如以下实施方式也包含在技术范围内。

(1)作为实施方式1的变形例，如图47所示，也可以将虚设触摸配线433直接地连接到触摸电极430。在图47中，分别以不同的阴影状图示阵列基板421所具备的第3金属膜和第1透明电极膜。虚设触摸配线433通过一部分(与源极电极423B重叠的部分)被加宽而具有第7连接部433A。第7连接部433A配置为与触摸电极430(例如第3触摸电极430γ)重叠。在介于第7连接部433A与触摸电极430之间的第2层间绝缘膜37，开口地形成有用于将第7连接部433A与触摸电极430连接的第14接触孔CH14。

(2)在实施方式1所记载的构成中，也可以是，第2连接配线32β的一部分构成第2重叠部41β。具体地说，也可以是，第2连接配线32β中的面对将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β之间分隔开的第1狭缝25A1的端部(离第1连接配线32α近的一侧的端部)被选择性地加宽，从而形成有第2重叠部41β。

(3)在实施方式1所记载的构成中，也可以是，第2虚设触摸配线33β的一部分构成第3重叠部41γ。具体地说，也可以是，第2虚设触摸配线33β中的面对将第1触摸电极30α与第2触摸电极30β之间分隔开的第1狭缝25A1的端部(离第1虚设触摸配线33α近的一侧的端部)被选择性地加宽，从而形成有第3重叠部41γ。

(4)也能将实施方式2、3所记载的技术事项应用于实施方式1、4所记载的构成。即，在实施方式1、4所记载的构成中，也可以是，重叠部41、341由第2透明电极膜构成。在该情况下，将包括第2透明电极膜的重叠部41、341的一部分设为与触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33、433中的任意一者重叠的配置。只要在介于重叠部41、341与触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33、433中的任意一者之间的第2层间绝缘膜37和第3层间绝缘膜38，开口地形成有用于将重叠部41、341与触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33、433中的任意一者连接的接触孔即可。

(5)在实施方式2、3所记载的构成中，也可以是，构成第5重叠部141ε、241ε的第1连接电极部141A配置为与第2触摸电极130β、230β或者第4触摸电极130δ重叠并连接到第2触摸电极130β、230β或者第4触摸电极130δ。

(6)也能将实施方式4所记载的技术事项应用于实施方式2、3所记载的构成。即，在实施方式2、3所记载的构成中，也可以是，由触摸电极130、230的一部分构成重叠部141。

(7)在实施方式2、3所记载的构成中，也可以变更触摸配线131、231、连接配线132、232以及虚设触摸配线133、233的设置数量之和。例如，触摸配线131、231、连接配线132、232以及虚设触摸配线133、233的设置数量之和可以比源极配线127的设置数量的1/3少(例如可以为1/6、1/9程度)，相反也可以比源极配线127的设置数量的1/3多。

(8)在实施方式4所记载的构成中，也可以是，重叠部341由第1触摸电极330α的一部分构成。另外，也可以是，多个重叠部341包含：重叠部341，其由第1触摸电极330α的一部分构成；以及重叠部341，其由第2触摸电极330β的一部分构成。

(9)在实施方式1所记载的构成中，也可以是，包括第3金属膜的重叠部41不与触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33中的任意一者直接相连，而经由包括第1金属膜、第2金属膜、第1透明电极膜或者第2透明电极膜的电极间接地连接到触摸电极30、触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33中的任意一者。

(10)在实施方式4所记载的构成中，也可以是，包括第1透明电极膜的重叠部341不与触摸电极330直接相连，而经由包括第1金属膜、第2金属膜、第3金属膜或者第2透明电极膜的电极间接地连接到触摸电极330、触摸配线31、连接配线32以及虚设触摸配线33中的任意一者。

(11)也可以是，虚设触摸配线33、133、233、433以横穿第1狭缝25A1、125A1、225A1、325A1的方式形成。例如，虚设触摸配线33、133、233、433也可以与源极配线27、127同样地，以沿着Y轴方向在大致整个长度上横穿显示区域AA的方式配置，其一个端部连接到驱动器11等而接受共用电位信号的供应。

(12)也可以是，共用电极25位于第3层间绝缘膜38、138、238的上层侧，像素电极24、124、224位于第3层间绝缘膜38、138、238的下层侧。即，也可以是，第1透明电极膜构成像素电极24、124、224，第2透明电极膜构成共用电极25(触摸电极30、130、230、330、430)。

(13)在将上述的(12)的构成应用于实施方式2、3的情况下，能够使重叠部141以及连接电极42～44与像素电极24、124、224由相同的第1透明电极膜构成。

(14)在将上述的(12)的构成应用于实施方式4的情况下，能够使重叠部与共用电极25(触摸电极30、130、230、330、430)由相同的第2透明电极膜构成。

(15)也可以是，在阵列基板21、121、221不形成平坦化膜36、136、236。

(16)也能省略栅极电路部13。在该情况下，也可以在阵列基板21、121、221安装具有与栅极电路部13同样的功能的栅极驱动器。另外，也能将栅极电路部13仅设置在阵列基板21、121、221的单侧的边部。

(17)构成半导体部23D、123D的半导体膜的材料也可以是多晶硅(LTPS)等。

(18)触摸面板图案除了可以是自电容方式以外，也可以是互电容方式。

(19)TFT23、123的构成除了可以是附图所示的底栅型以外，也可以是顶栅型、双栅型等。在顶栅型或双栅型的情况下，优选对半导体部23D中的与上层侧(液晶层22侧)的栅极电极不重叠的部分，设置重叠部41、141、341。

(20)也可以是，彩色滤光片28设置于阵列基板21、121、221。在该情况下，像素电极24、124、224和彩色滤光片28均会设置于阵列基板21、121、221，在相对基板20不设置像素的构成要素。

(21)彩色滤光片28的颜色数量也可以是4个颜色以上。追加的彩色滤光片28可以是能出射黄色的波长区域(约570nm～约600nm)所包含的黄色光的黄色彩色滤光片或能出射全波长区域的光的透明彩色滤光片等。

(22)液晶面板10的平面形状也可以是纵长的长方形、正方形、圆形、半圆形、长圆形、椭圆形、梯形等。

(23)液晶面板10除了可以是透射型以外，也可以是反射型或半透射型。

(24)也可以是液晶面板10以外的种类的显示面板(有机EL(ElectroLuminescence；电致发光)显示面板等)或EPD(微胶囊型电泳方式的显示面板)。

(25)液晶面板10也可以不具备触摸面板功能。在该情况下，多个触摸配线31变为专门传送共用电位信号的多个共用配线。多个共用电极25连接到多个共用配线而被设为共用电位，不作为触摸电极30、130、230、330、430发挥功能。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，具备：

多个共用电极；

多个像素电极，其配置为隔着第1绝缘膜与所述多个共用电极重叠；

多个开关元件，其连接到所述多个像素电极；以及

多个配线，其连接到所述多个共用电极中的任意一个共用电极或者所述多个开关元件中的任意一个开关元件，

所述多个像素电极包含：第1像素电极；第2像素电极，其相对于所述第1像素电极在第1方向上空开间隔配置；第3像素电极；以及第4像素电极，其相对于所述第3像素电极在所述第1方向上空开间隔配置，

所述多个配线包含：第1配线，其在所述第1方向上位于所述第1像素电极与所述第2像素电极之间，沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸；以及第2配线，其在所述第1方向上位于所述第3像素电极与所述第4像素电极之间，沿着所述第2方向延伸，

所述多个开关元件包含：第1开关元件，其连接到所述第1配线和所述第1像素电极；以及第2开关元件，其连接到所述第2配线和所述第3像素电极，

所述多个共用电极包含：第1共用电极；以及第2共用电极，其相对于所述第1共用电极在所述第1方向上空开间隔配置，

所述第1开关元件具有第1半导体部，

所述第2开关元件具有第2半导体部，

所述第1共用电极配置为与所述第1像素电极、所述第2像素电极、所述第3像素电极、所述第1配线以及所述第1开关元件中的至少所述第1半导体部重叠，

所述第2共用电极配置为与所述第4像素电极和所述第2配线重叠，

具备配置为与所述第2开关元件中的至少所述第2半导体部重叠并被设为与所述多个共用电极中的任意一个共用电极相同的电位的重叠部。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，

所述多个共用电极是多个位置检测电极，

所述第1共用电极是第1位置检测电极，

所述第2共用电极是第2位置检测电极，

所述多个配线包含：

第3配线，其沿着所述第1方向延伸，连接到所述多个位置检测电极中的任意一个位置检测电极；以及

第4配线，其沿着所述第1方向延伸，至少连接到所述第2开关元件，

所述第3配线的至少一部分配置为隔着第2绝缘膜与所述第4配线重叠，

所述第3配线的一部分配置为与所述第2半导体部重叠，

所述重叠部包含第1重叠部，所述第1重叠部由所述第3配线中的与所述第2半导体部重叠的部分构成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，

所述第2开关元件具有第1电极，所述第1电极连接到所述第2半导体部的一部分，并配置为与所述第3像素电极的一部分重叠，

具备配置为与所述第1电极的一部分和所述第3像素电极的一部分重叠的第2电极，

所述第3配线包括相对于所述多个位置检测电极和所述多个像素电极均隔着第3绝缘膜位于下层侧的第1导电膜，

所述第4配线包括相对于所述第1导电膜隔着所述第2绝缘膜位于下层侧的第2导电膜，

所述第1电极包括所述第2导电膜中的与所述第4配线不同的部分，

所述第2电极包括所述第1导电膜中的与所述第3配线和所述第1重叠部不同的部分，连接到所重叠的所述第3像素电极和所述第1电极，

所述第1重叠部相对于所述第2电极在所述第2方向上空开间隔排列配置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，

所述第2开关元件具有第3电极，所述第3电极连接到所述第2半导体部中的不同于与所述第1电极的连接部位的部位，

所述第3电极由所述第4配线的一部分构成，

所述第1电极具有：

第1部，其与所述第2电极重叠；以及

第2部，其从所述第1部沿着所述第2方向伸出并连接到所述第2半导体部的一部分。

5.根据权利要求2至权利要求4中的任意一项所述的阵列基板，其中，

所述多个配线包含：

第5配线，其沿着所述第1方向延伸，配置为与所述第1位置检测电极重叠而与所述第2位置检测电极不重叠并连接到所述第1位置检测电极；

第6配线，其沿着所述第1方向延伸，配置为与所述第2位置检测电极重叠而与所述第1位置检测电极不重叠并连接到所述第2位置检测电极；以及

第7配线，其沿着所述第1方向延伸，至少一部分配置为隔着所述第2绝缘膜与所述第5配线和所述第6配线重叠，

所述多个开关元件包含连接到所述第2配线和所述第7配线的第3开关元件，

所述第3开关元件具有第3半导体部，

所述第5配线或者所述第6配线的一部分配置为与所述第3半导体部重叠，

所述重叠部包含第2重叠部，所述第2重叠部由所述第5配线或者所述第6配线中的与所述第3半导体部重叠的部分构成。

6.根据权利要求2至权利要求4中的任意一项所述的阵列基板，其中，

所述多个位置检测电极包含相对于所述第1位置检测电极在所述第2方向上空开间隔排列的第3位置检测电极，

所述多个配线包含：

第8配线，其沿着所述第1方向延伸，配置为夹在所述第1位置检测电极与所述第3位置检测电极之间，并被设为与所述第1位置检测电极和所述第3位置检测电极不重叠的配置；以及

第9配线，其沿着所述第1方向延伸，至少一部分配置为隔着所述第2绝缘膜与所述第8配线重叠，

所述第8配线直接或者间接地连接到所述多个位置检测电极中的任意一个位置检测电极，

所述多个开关元件包含连接到所述第2配线和所述第9配线的第4开关元件，

所述第4开关元件具有第4半导体部，

所述第8配线的一部分配置为与所述第4半导体部重叠，

所述重叠部包含第3重叠部，所述第3重叠部由所述第8配线中的与所述第4半导体部重叠的部分构成。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，

所述多个共用电极是多个位置检测电极，

所述第1共用电极是第1位置检测电极，

所述第2共用电极是第2位置检测电极，

所述多个配线包含：

第10配线，其沿着所述第1方向延伸，连接到所述多个位置检测电极中的任意一个位置检测电极；以及

第11配线，其沿着所述第1方向延伸，至少连接到所述第2开关元件，

所述第11配线包括相对于所述多个位置检测电极和所述多个像素电极均隔着第4绝缘膜位于下层侧的第3导电膜，

所述第10配线包括所述第3导电膜中的与所述第11配线不同的部分，相对于所述第11配线在所述第2方向上空开间隔排列配置，

所述多个像素电极包括第4导电膜，

所述重叠部包含第4重叠部，所述第4重叠部包括所述第4导电膜中的与所述多个像素电极不同的部分。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，

所述第4重叠部包含第5重叠部，所述第5重叠部具有与所述第1位置检测电极或者所述第2位置检测电极重叠的第3部，

所述第5重叠部的所述第3部连接到所述第1位置检测电极或者所述第2位置检测电极。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的阵列基板，其中，

所述第4重叠部包含第6重叠部，所述第6重叠部具有与所述第10配线重叠的第4部，

所述第6重叠部的所述第4部连接到所述第10配线。

10.根据权利要求1至权利要求4、权利要求7、权利要求8中的任意一项所述的阵列基板，其中，

所述第1共用电极和所述第2共用电极被设为在所述第1方向上将所述第2半导体部夹在中间并与所述第2半导体部不重叠的配置，

所述重叠部配置在与所述多个共用电极不同的层。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，

所述第1共用电极或者所述第2共用电极的一部分配置为与所述第2半导体部重叠，

所述重叠部由所述第1共用电极或者所述第2共用电极中的与所述第2半导体部重叠的部分构成。

12.一种显示装置，其特征在于，具备：

权利要求1至权利要求4、权利要求7、权利要求8、权利要求11中的任意一项所述的阵列基板；以及

相对基板，其以与所述阵列基板相对的方式配置。