CN117737686A - 石墨产品的膜层制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及气相沉积技术领域，具体涉及一种石墨产品的膜层制备方法，解决了在气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品发生变形的问题。石墨产品的膜层制备方法包括：制备第一石墨产品，所述第一石墨产品具有上表面和下表面；在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品；对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，所述第四石墨产品的上表面不具有所述应力释放槽。通过在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，可以在膜层沉积的过程中，减少应力集中，从而减小第二石墨产品在膜层沉积过程的形变。

Description

石墨产品的膜层制备方法

技术领域

本申请涉及气相沉积技术领域，具体涉及一种石墨产品的膜层制备方法。

背景技术

传统的对石墨产品的部分区域进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)的方法一般是利用工装对石墨产品的不需要沉积的区域进行覆盖。然而，在化学气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品发生变形。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种石墨产品的膜层制备方法，解决了在气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品发生变形的问题。

第一方面，本申请的实施例提供了一种石墨产品的膜层制备方法，应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺；所述石墨产品的膜层制备方法包括：制备第一石墨产品，所述第一石墨产品具有上表面和下表面；在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品，其中，应力释放槽的水平截面形状包括环形和三角形；对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，所述第四石墨产品的上表面不具有所述应力释放槽。

在一实施例中，所述制备第一石墨产品，包括：获取石墨基材；对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品。

在一实施例中，所述对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品，包括：基于膜层沉积参数、所述石墨基材的膨胀系数和所述第四石墨产品的尺寸，确定所述第一石墨产品的尺寸参数；基于所述第一石墨产品的尺寸参数，对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品。

在一实施例中，所述基于膜层沉积参数、所述石墨基材的膨胀系数和所述第四石墨产品的尺寸，确定所述第一石墨产品的尺寸参数之前，还包括：确定至少一组实验数据，所述实验数据包括：石墨基材样品的第一尺寸、对所述石墨基材样品进行膜层沉积前的第一温度、对所述石墨基材样品进行膜层沉积过程中的第二温度、对所述石墨基材样品进行膜层沉积后的第二尺寸；基于预设膨胀系数计算公式和至少一组所述实验数据，确定所述石墨基材的膨胀系数。

在一实施例中，所述基于预设膨胀系数计算公式和基于至少一组所述实验数据，确定所述石墨基材的膨胀系数，包括：计算至少一组所述实验数据各自的第一尺寸中的中位数，确定第一中位尺寸；计算至少一组所述实验数据各自的第一温度中的中位数，确定第一中位温度；计算至少一组所述实验数据各自的第二温度中的中位数，确定第二中位温度；计算至少一组所述实验数据各自的第二尺寸中的中位数，确定第二中位尺寸；基于预设膨胀系数计算公式、第一中位尺寸、第一中位温度、第二中位温度和第二中位尺寸，确定所述石墨基材的膨胀系数。

在一实施例中，所述预设膨胀系数计算公式，包括：

其中，α表示石墨基材的膨胀系数，L0表示第一中位尺寸，L1表示第二中位尺寸，T0表示第一中位温度，T1表示第二中位温度。

在一实施例中，所述在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品，包括：基于应力释放槽的预设形状和应力释放槽的预设尺寸，在所述第一石墨产品的上表面制备所述应力释放槽，得到所述第二石墨产品，其中，所述第一石墨产品的形状包括圆盘形，所述预设应力释放槽的形状包括螺旋形。

在一实施例中，所述应力释放槽的预设尺寸包括：应力释放槽深度、应力释放槽宽度、应力释放槽圈数。

在一实施例中，所述应力释放槽深度的数值范围为2至4毫米；所述应力释放槽宽度的数值范围为2至4毫米；所述应力释放槽圈数的数值范围为6至9圈。

在一实施例中，所述对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品，包括：将所述第二石墨产品放置于膜层沉积设备的加工台上，所述加工台相对于所述膜层沉积设备的设备主体可转动设置；向所述应力释放槽吹气，以对所述第二石墨产品施加推力，使所述第二石墨产品相对于所述膜层沉积设备的设备主体转动；在所述第二石墨产品相对于所述膜层沉积设备的设备主体转动的过程中，对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到所述第三石墨产品。

本申请实施例提供的一种石墨产品的膜层制备方法，应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺。所述石墨产品的膜层制备方法包括：制备第一石墨产品，所述第一石墨产品具有上表面和下表面；在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品；对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，所述第四石墨产品的上表面不具有所述应力释放槽。

通过在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，可以在膜层沉积的过程中，减少应力集中，从而减小第二石墨产品在膜层沉积过程的形变。

另外，通过对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，可以将应力释放槽去除，得到不完全涂覆的第四石墨产品，无需利用工装对不需要沉积的区域进行覆盖，避免了绕镀现象。同时，无需利用工装对不需要沉积的区域进行覆盖，也可以减少制造成本。

附图说明

图1所示为一种石墨产品的膜层制备方法的示意图。

图2所示为图1所示的石墨产品的膜层制备方法的主视图。

图3所示为本申请一实施例提供的石墨产品的膜层制备方法的流程示意图。

图4所示为本申请一实施例提供的第一石墨产品的结构示意图。

图5所示为本申请一实施例提供的第一石墨产品的结构示意图。

图6所示为本申请一实施例提供的第二石墨产品的结构示意图。

图7所示为图6所示的第二石墨产品的俯视图。

图8所示为图7所示的第二石墨产品在A-A方向的截面图。

图9所示为图8所示的第二石墨产品在B区域的局部放大图。

图10所示为本申请一实施例提供的第四石墨产品的结构示意图。

图11所示为图10所示的第四石墨产品的俯视图。

图12所示为图11所示的第四石墨产品在C-C方向的截面图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

传统的对石墨产品的部分区域进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)的方法一般是利用工装对石墨产品的不需要沉积的区域进行覆盖。然而，在化学气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品发生变形。另外，工装一般也是石墨产品，在化学气相沉积的过程中，石墨材质的工装也容易产生变形，无法重复利用。

相关技术在制备不完全涂覆的石墨产品时，会利用工装对石墨产品的不需要沉积的区域进行覆盖。图1所示为一种石墨产品的膜层制备方法的示意图。图2所示为图1所示的石墨产品的膜层制备方法的主视图。如图1和图2所示，石墨产品110具有第一上表面111、第二上表面112、下表面113、第一侧面114和第二侧面115。其中，第一上表面111是不需要沉积膜层的表面，而第二上表面112、下表面113、第一侧面114和第二侧面115是需要沉积膜层的表面。换句话说，除了第一表面111，其他表面均需要沉积膜层。利用石墨工装120覆盖第一表面111，从而实现不对第一表面111进行膜层沉积的目的。但是，石墨工装120与第一表面111之间可能存在间隙，在化学气相沉积过程中，工艺气体可能会进入石墨工装120与第一表面111之间的间隙，从而对第一表面111进行镀膜，即，发生绕镀现象。另外，在化学气相沉积过程中，较高的温度会导致石墨的晶格结构发生变化，进而导致石墨产品110发生变形。此外，石墨工装120也是石墨材质，在化学气相沉积的过程中，石墨工装120也容易产生变形，无法重复利用，制备成本高。

针对上述问题，本申请实施例提供的一种石墨产品的膜层制备方法，应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺。石墨产品的膜层制备方法包括：制备第一石墨产品，第一石墨产品具有上表面和下表面；在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品；对第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；对第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，第四石墨产品的上表面不具有应力释放槽。通过在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，可以在膜层沉积的过程中，减少应力集中，从而减小第二石墨产品在膜层沉积过程的形变。

另外，通过对第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，可以将应力释放槽去除，得到不完全涂覆的第四石墨产品，无需利用工装对不需要沉积的区域进行覆盖，避免了绕镀现象。同时，无需利用工装对不需要沉积的区域进行覆盖，也可以减少制造成本。

下面结合实施例说明石墨产品的膜层制备方法的具体步骤。

图3所示为本申请一实施例提供的一种石墨产品的膜层制备方法的流程示意图。如图3所示，石墨产品的膜层制备方法包括如下步骤。

步骤310，制备第一石墨产品。

石墨产品的膜层制备方法应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺。

图4所示为本申请一实施例提供的第一石墨产品的结构示意图。图5所示为本申请一实施例提供的第一石墨产品的结构示意图。如图4和图5所示，第一石墨产品400具有上表面410和下表面420。第一石墨产品还具有环形上表面430、第一环形侧面440和第二环形侧面450。第一石墨产品400的上表面410是不需要进行膜层沉积的表面。第一石墨产品400的下表面420、环形上表面430、第一环形侧面440和第二环形侧面450是需要进行膜层沉积的表面。换句话说，除了上表面410，其他表面均需要进行膜层沉积。

在一些实施例中，制备第一石墨产品，包括：获取石墨基材；对石墨基材进行第一材料去除处理，得到第一石墨产品400。具体地，石墨基材可以是圆柱形的坯料，也可以是棒状坯料，还可以是立方体形状的坯料，本申请不做具体限定。对石墨基材进行第一材料去除处理可以是对石墨基材进行切削加工、磨削加工等处理，只要是能够去除石墨基材的多余材料，得到第一石墨产品400即可，本申请对第一材料去除处理的形式不做具体限定。

步骤320，在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品。

图6所示为本申请一实施例提供的第二石墨产品的结构示意图。图7所示为图6所示的第二石墨产品的俯视图。图8所示为图7所示的第二石墨产品在A-A方向的截面图。如图6至图8所示，第二石墨产品500在第一石墨产品400的基础上，增加了应力释放槽460。换句话说，第二石墨产品500具有上表面410、下表面420、环形上表面430、第一环形侧面440、第二环形侧面450和应力释放槽460。

应力释放槽460的水平截面形状可以根据第一石墨产品400的形状进行选择。例如，第一石墨产品400的水平截面是矩形，应力释放槽460的水平截面形状可以是长条形。再例如，第一石墨产品400的水平截面是圆形，应力释放槽460的水平截面形状可以是环形。再例如，第一石墨产品400的水平截面是三角形，应力释放槽460的水平截面形状也可以是三角形。

在一些实施例中，在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品，包括：基于应力释放槽的预设形状和应力释放槽的预设尺寸，在第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品。

具体地，如图6和图7所示，第一石墨产品400和第二石墨产品500的形状可以是圆盘形，应力释放槽460的预设形状可以是螺旋形。

在一些实施例中，应力释放槽460的预设尺寸包括：应力释放槽深度、应力释放槽宽度、应力释放槽圈数。

图9所示为图8所示的第二石墨产品在B区域的局部放大图。如图8所示，应力释放槽深度用d表示，应力释放槽宽度用w表示。

在一些实施例中，应力释放槽深度d的数值范围为2至4毫米。应力释放槽宽度w的数值范围为2至4毫米。应力释放槽圈数的数值范围为6至9圈。

步骤330，对第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品。

对第二石墨产品500进行膜层沉积可以是对第二石墨产品500进行化学气相沉积。

涂层技术中的化学气相沉积用于在石墨表面形成较薄的涂层。在化学气相沉积过程中，通过在高温下将特定的气体(如气体前驱体)引入反应室或炉腔，使其在石墨表面发生化学反应，从而在石墨表面形成所需的较薄的涂层(即膜层)。

具体地，可以利用气浮的方式对第二石墨产品500进行化学气相沉积，从而实现一次性完成对第二石墨产品500的所有区域的镀膜。第三石墨产品与第二石墨产品500形状相同，也具有上表面410、下表面420、环形上表面430、第一环形侧面440、第二环形侧面450和应力释放槽460。第三石墨产品与第二石墨产品500的不同之处在于，第三石墨产品的表面被沉积了膜层，即上表面410、下表面420、环形上表面430、第一环形侧面440、第二环形侧面450和应力释放槽460均被沉积了膜层。

步骤340，对第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品。

具体地，第四石墨产品也具有上表面410、下表面420、环形上表面430、第一环形侧面440和第二环形侧面450。另外，第四石墨产品的上表面不具有应力释放槽460。

图10所示为本申请一实施例提供的第四石墨产品的结构示意图。图11所示为图10所示的第四石墨产品的俯视图。图12所示为图11所示的第四石墨产品在C-C方向的截面图。如图10至图12所示，对第三石墨产品500的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品600。具体地，对第三石墨产品500的上表面进行第二材料去除处理后，得到的第四石墨产品600的上表面410具有凹槽610。换句话说，对第三石墨产品500的上表面进行第二材料去除处理，即为去除应力释放槽460，并加工出凹槽610。即，第四石墨产品600具有上表面410、下表面420、环形上表面430、第一环形侧面440、第二环形侧面450和凹槽610。

通过在第一石墨产品400的上表面410制备应力释放槽460，可以在膜层沉积的过程中，减少应力集中，从而减小第二石墨产品500在膜层沉积过程的形变。

另外，通过对第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，可以将应力释放槽460去除，得到不完全涂覆的第四石墨产品600，无需利用工装对不需要沉积的区域进行覆盖，避免了绕镀现象。同时，无需利用工装对不需要沉积的区域进行覆盖，也可以减少制造成本。

在一些实施例中，对石墨基材进行第一材料去除处理，得到第一石墨产品，包括：基于膜层沉积参数、石墨基材的膨胀系数和第四石墨产品的尺寸，确定第一石墨产品的尺寸参数；并基于第一石墨产品的尺寸参数，对石墨基材进行第一材料去除处理，得到第一石墨产品。

具体地，膜层沉积参数可以包括膜层沉积的温度。换句话说，膜层沉积参数可以是进炉后的温度与进炉前的温度的差值。进炉后的温度为膜层沉积过程中的温度，进炉前的温度为在膜层沉积之前的温度。

示例性地，第一石墨产品为圆盘形，第一石墨产品的直径为d1，而需要得到的第四石墨产品的直径为d2。具体地，只有在膜层沉积过程中，石墨材质会不可避免地发生形变，因此，石墨基材、第一石墨产品、第二石墨产品的直径可以均为d1，而第三石墨产品和第四石墨产品的直径可以均为d2。因此，根据膜层沉积参数、石墨基材的膨胀系数和第四石墨产品的尺寸，可以计算出石墨基材在膜层沉积前的尺寸，即第一石墨产品的尺寸参数。

示例性地，可以根据以下公式(1)计算第一石墨产品的尺寸参数。

其中，d1表示第一石墨产品的尺寸参数，d2表示第四石墨产品的尺寸，α表示石墨基材的膨胀系数，t1表示进炉后的温度，t2表示进炉前的温度。

通过基于膜层沉积参数、石墨基材的膨胀系数和第四石墨产品的尺寸，确定第一石墨产品的尺寸参数，并基于第一石墨产品的尺寸参数，对石墨基材进行第一材料去除处理，得到第一石墨产品，可以根据膜层沉积过程中必要的形变尺寸进行预留，从而得到满足尺寸要求的第一石墨产品。

在一些实施例中，基于膜层沉积参数、石墨基材的膨胀系数和第四石墨产品的尺寸，确定第一石墨产品的尺寸参数之前，还包括：确定至少一组实验数据，基于预设膨胀系数计算公式和至少一组实验数据，确定石墨基材的膨胀系数。

具体地，实验数据包括：石墨基材样品的第一尺寸、对石墨基材样品进行膜层沉积前的第一温度、对石墨基材样品进行膜层沉积后的第二温度、对石墨基材样品进行膜层沉积后的第二尺寸。对石墨基材样品进行膜层沉积前的第一温度，可以是石墨基材样品进炉前的温度。对石墨基材样品进行膜层沉积过程中的第二温度，可以是石墨基材样品进炉后的温度。

在一些实施例中，基于预设膨胀系数计算公式和基于至少一组实验数据，确定石墨基材的膨胀系数，包括：计算至少一组实验数据各自的第一尺寸中的中位数，确定第一中位尺寸；计算至少一组实验数据各自的第一温度中的中位数，确定第一中位温度；计算至少一组实验数据各自的第二温度中的中位数，确定第二中位温度；计算至少一组实验数据各自的第二尺寸中的中位数，确定第二中位尺寸；基于预设膨胀系数计算公式、第一中位尺寸、第一中位温度、第二中位温度和第二中位尺寸，确定石墨基材的膨胀系数。

示例性地，预设膨胀系数计算公式(2)如下。

其中，α表示石墨基材的膨胀系数，L0表示第一中位尺寸，L1表示第二中位尺寸，T0表示第一中位温度，T1表示第二中位温度。

在一些实施例中，对第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品，包括：将第二石墨产品放置于膜层沉积设备的加工台上，加工台相对于膜层沉积设备的设备主体可转动设置；向应力释放槽吹气，以对第二石墨产品施加推力，使第二石墨产品相对于膜层沉积设备的设备主体转动；在第二石墨产品相对于膜层沉积设备的设备主体转动的过程中，对第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品。

具体地，第二石墨产品相对于膜层沉积设备的设备主体转动的转动速度可以是20rpm/min。

示例性地，在化学气相沉积的炉内施加由上至下的推动气流或气压，使第二石墨产品在化学气相沉积过程中保持较慢旋转(例如，20rpm/min)，以达到释放高热产生的石墨内应力的效果，确保在第二材料去除处理后产品不会发生过大的形变。第二材料去除处理可以是数字控制机床(Computer Numerical Control，CNC)加工、激光加工、电火花加工、化学蚀刻处理。

在说明书中提到的“一实施例”、“实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。

应当理解，应当按照最宽的方式解释本公开中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。

此外，文中为了便于说明可以使用空间相对术语，例如，“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等，以描述一个部件或特征相对于其他部件或特征的如图所示的关系。空间相对术语意在包含除了附图所示的取向之外的处于使用或操作中的部件的不同取向。装置可以具有其他取向(旋转90度或者处于其他取向上)，并且文中使用的空间相对描述词可以同样被相应地解释。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，应用于对石墨基材的部分区域进行膜层沉积的工艺；所述石墨产品的膜层制备方法包括：

制备第一石墨产品，所述第一石墨产品具有上表面和下表面；

在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品，其中，所述应力释放槽的水平截面形状包括环形和三角形；

对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品；

对所述第三石墨产品的上表面进行第二材料去除处理，得到第四石墨产品，其中，所述第四石墨产品的上表面不具有所述应力释放槽。

2.根据权利要求1所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述制备第一石墨产品，包括：

获取石墨基材；

对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品。

3.根据权利要求2所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品，包括：

基于膜层沉积参数、所述石墨基材的膨胀系数和所述第四石墨产品的尺寸，确定所述第一石墨产品的尺寸参数；

基于所述第一石墨产品的尺寸参数，对所述石墨基材进行第一材料去除处理，得到所述第一石墨产品。

4.根据权利要求3所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述基于膜层沉积参数、所述石墨基材的膨胀系数和所述第四石墨产品的尺寸，确定所述第一石墨产品的尺寸参数之前，还包括：

确定至少一组实验数据，所述实验数据包括：石墨基材样品的第一尺寸、对所述石墨基材样品进行膜层沉积前的第一温度、对所述石墨基材样品进行膜层沉积过程中的第二温度、对所述石墨基材样品进行膜层沉积后的第二尺寸；

基于预设膨胀系数计算公式和至少一组所述实验数据，确定所述石墨基材的膨胀系数。

5.根据权利要求4所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述基于预设膨胀系数计算公式和基于至少一组所述实验数据，确定所述石墨基材的膨胀系数，包括：

计算至少一组所述实验数据各自的第一尺寸中的中位数，确定第一中位尺寸；

计算至少一组所述实验数据各自的第一温度中的中位数，确定第一中位温度；

计算至少一组所述实验数据各自的第二温度中的中位数，确定第二中位温度；

计算至少一组所述实验数据各自的第二尺寸中的中位数，确定第二中位尺寸；

基于预设膨胀系数计算公式、第一中位尺寸、第一中位温度、第二中位温度和第二中位尺寸，确定所述石墨基材的膨胀系数。

6.根据权利要求5所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述预设膨胀系数计算公式，包括：

其中，α表示石墨基材的膨胀系数，L0表示第一中位尺寸，L1表示第二中位尺寸，T0表示第一中位温度，T1表示第二中位温度。

7.根据权利要求1至6任一项所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述在所述第一石墨产品的上表面制备应力释放槽，得到第二石墨产品，包括：

基于所述应力释放槽的预设形状和所述应力释放槽的预设尺寸，在所述第一石墨产品的上表面制备所述应力释放槽，得到所述第二石墨产品，其中，所述第一石墨产品的形状包括圆盘形，所述预设应力释放槽的形状包括螺旋形。

8.根据权利要求7所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述应力释放槽的预设尺寸包括：应力释放槽深度、应力释放槽宽度、应力释放槽圈数。

9.根据权利要求8所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，

所述应力释放槽深度的数值范围为2至4毫米；

所述应力释放槽宽度的数值范围为2至4毫米；

所述应力释放槽圈数的数值范围为6至9圈。

10.根据权利要求7所述的石墨产品的膜层制备方法，其特征在于，所述对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到第三石墨产品，包括：

将所述第二石墨产品放置于膜层沉积设备的加工台上，所述加工台相对于所述膜层沉积设备的设备主体可转动设置；

向所述应力释放槽吹气，以对所述第二石墨产品施加推力，使所述第二石墨产品相对于所述膜层沉积设备的设备主体转动；

在所述第二石墨产品相对于所述膜层沉积设备的设备主体转动的过程中，对所述第二石墨产品进行膜层沉积，得到所述第三石墨产品。