CN117727667A - 一种芯片高精固晶机及其热压工艺 - Google Patents

Abstract

本申请涉及芯片固晶机领域，公开了一种芯片高精固晶机，包括热压组件和控制组件，热压组件用于热压贴合芯片和基板形成封装体，热压组件上设有芯片温度传感器、基板温度传感器和封装体温度传感器，芯片温度传感器用于检测芯片的热压前芯片温度，基板温度传感器用于检测基板的热压前基板温度，封装体温度传感器用于检测封装体的封装体温度，控制组件用于根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程。本申请通过对固晶机的加热贴合设备的温度进行检测，实现了对芯片和基板在热压时的温度进行高效、精确的控制。

Description

一种芯片高精固晶机及其热压工艺

技术领域

本申请涉及芯片固晶机技术领域，更具体地说，是涉及一种芯片高精固晶机及其热压工艺。

背景技术

固晶机是一种通过吸嘴将芯片从芯片盘吸取后贴装到基板上，实现芯片的自动贴合的自动化设备。将裸芯片（Die，以下简称芯片）搭载于布线基板或引线框架（以下统称为基板）等的表面时，需要使用固晶机在热压贴合工序中进行。芯片贴合的具体工作过程为：固晶机使用移动组件等吸附嘴将芯片移动到基板上，通过加热芯片上的接合材料并施加按压力，实现将芯片贴装到基板上。在芯片与基板贴合的过程中，还需要通过芯片压接装置将芯片和基板同时进行加热。进行芯片贴合的芯片压接装置大多是通过上下各设置的一个压头进行压接，在对芯片进行压接的过程中，需要对压接的温度进行合理控制，才能保证芯片牢固地贴合在基板上。

专利CN116435229B（申请号：CN202310701529.5）提供了一种芯片压接装置及芯片压力烧结炉，芯片压接装置包括相对设置的第一加热平台和第二加热平台，第一加热平台和第二加热平台分别设置有加热模块，通过热压单元进行芯片热压时第一加热平台和第二加热平台均能够实现加热，能够提高芯片热压烧结效果和成品率。但是，通过专利CN116435229B中方案对芯片和基板进行热压连接时，芯片和基板的温度如果过低将会导致芯片和基板的热压连接发生不良，芯片和基板的温度如果过高可能导致芯片发生损坏，影响最终的芯片热压贴合效果和产品质量。

发明内容

本申请的目的是提供一种芯片高精固晶机及其热压工艺，解决了芯片和基板在热压时温度控制不佳时，将会影响最终的芯片热压效果的技术问题，达到了对芯片和基板在热压时的温度进行高效、精确的控制的技术效果。

本申请实施例提供的一种芯片高精固晶机及其热压工艺，包括热压组件和控制组件，热压组件用于热压贴合芯片和基板形成封装体，热压组件上设有芯片温度传感器、基板温度传感器和封装体温度传感器，芯片温度传感器用于检测芯片的热压前芯片温度，基板温度传感器用于检测基板的热压前基板温度，封装体温度传感器用于检测封装体的封装体温度，控制组件用于根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程。

在一种可能的实现方式中，控制组件包括神经网络单元，神经网络单元用于根据多个芯片的热压前芯片温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板温度和多个芯片中每个芯片对应的封装体温度控制下一个芯片的热压前芯片温度和下一个芯片对应的基板的热压前基板温度。

在另一种可能的实现方式中，芯片温度传感器用于检测热压前芯片随时间升高的芯片时序温度，基板温度传感器用于检测热压前基板随时间升高的基板时序温度，封装体温度传感器用于检测封装体随时间变化的封装体时序温度；神经网络单元用于根据芯片的热压前芯片时序温度、热压前基板时序温度和封装体时序温度控制下一个芯片的热压前芯片温度和下一个芯片对应的基板的热压前基板温度。

在另一种可能的实现方式中，神经网络单元还用于根据多个芯片的热压前芯片时序温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板时序温度和多个芯片中每个芯片对应的封装体时序温度确定下一个芯片的热压前芯片温度和下一个芯片对应的基板的热压前基板温度。

在另一种可能的实现方式中，热压组件还包括计时器和压力传感器，计时器用于检测芯片和基板的热压时长，压力传感器用于检测芯片和基板的热压压力；神经网络单元还用于根据多个芯片的热压前芯片时序温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板时序温度、多个芯片中每个芯片对应的封装体时序温度、多个芯片中每个芯片对应的热压压力和多个芯片中每个芯片对应的热压时长确定下一个芯片的热压前芯片温度、下一个芯片对应的基板的热压前基板温度、下一个芯片的热压压力和下一个芯片的热压时长。

在另一种可能的实现方式中，还包括检测组件，检测组件用于检测封装体的芯片表面质量信息、封装体的基板表面质量信息、封装体的贴合质量信息；神经网络单元用于根据多个芯片的热压前芯片温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板温度、多个芯片中每个芯片对应的封装体温度、封装体的芯片表面质量信息、封装体的基板表面质量信息、封装体的贴合质量信息控制下一个芯片的热压前芯片温度、下一个芯片对应的基板的热压前基板温度、下一个芯片的热压压力和下一个芯片的热压时长。

在另一种可能的实现方式中，封装体的芯片表面质量信息包括封装体的芯片的裂痕指数和裂痕缺陷权重的乘积，封装体的基板表面质量信息包括封装体的基板的压痕指数和压痕缺陷权重的乘积，封装体的贴合质量信息包括封装体的芯片和基板之间的贴合间隙值和封装体的厚度。

本申请实施例还提供了一种热压工艺，应用如上所述的芯片高精固晶机进行芯片热压，热压工艺包括：获取芯片的热压前芯片温度和基板的热压前基板温度，并获取芯片和基板在热压后的封装体的封装体温度；根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程。

在另一种可能的实现方式中，根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程，包括：根据多个芯片的热压前芯片温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板温度和多个芯片中每个芯片对应的封装体温度控制下一个芯片的热压前芯片温度和下一个芯片对应的基板的热压前基板温度。

在另一种可能的实现方式中，根据多个芯片的热压前芯片温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板温度和多个芯片中每个芯片对应的封装体温度控制下一个芯片的热压前芯片温度和下一个芯片对应的基板的热压前基板温度，包括：根据多个芯片的热压前芯片时序温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板时序温度和多个芯片中每个芯片对应的封装体时序温度控制下一个芯片的热压前芯片温度和下一个芯片对应的基板的热压前基板温度。

在另一种可能的实现方式中，热压工艺还包括：获取芯片和基板的热压压力，并获取芯片和基板的热压时长；根据多个芯片的热压前芯片时序温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板时序温度、多个芯片中每个芯片对应的封装体时序温度、多个芯片中每个芯片对应的热压压力和多个芯片中每个芯片对应的热压时长确定下一个芯片的热压前芯片温度、下一个芯片对应的基板的热压前基板温度、下一个芯片的热压压力和下一个芯片的热压时长。

在另一种可能的实现方式中，热压工艺还包括：获取封装体的芯片表面质量信息、封装体的基板表面质量信息和封装体的贴合质量信息；根据多个芯片的热压前芯片温度、多个芯片中每个芯片对应的基板的热压前基板温度、多个芯片中每个芯片对应的封装体温度、封装体的芯片表面质量信息、封装体的基板表面质量信息、封装体的贴合质量信息控制下一个芯片的热压前芯片温度、下一个芯片对应的基板的热压前基板温度、下一个芯片的热压压力和下一个芯片的热压时长。

本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：

本申请实施例提供了一种芯片高精固晶机，包括热压组件和控制组件，压组件用于热压贴合芯片和基板形成封装体，热压组件上设有芯片温度传感器、基板温度传感器和封装体温度传感器，芯片温度传感器用于检测芯片的热压前芯片温度，基板温度传感器用于检测基板的热压前基板温度，封装体温度传感器用于检测封装体的封装体温度，控制组件用于根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程。本申请实施例中的芯片高精固晶机能够对热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度，并根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程，实现对芯片压合的温度高精度控制，提高了芯片的压合质量。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的热压组件在第一状态的结构示意图；

图2为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的热压组件在第二状态的结构示意图；

图3为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的热压组件在第三状态的结构示意图；

图4为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的控制结构示意图；

图5为本申请实施例中的另一种芯片高精固晶机的热压组件的结构示意图；

图6为本申请实施例中的另一种芯片高精固晶机的检测组件的检测过程示意图；

图7为本申请实施例中的一种热压工艺的流程示意图；

图中，1、热压组件；1a、载台；1b、吸头；101、芯片；102、基板；103、封装体；11、芯片温度传感器；12、基板温度传感器；13、封装体温度传感器；14、计时器；15、压力传感器；2、控制组件；3、检测组件。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当一个部件或结构被称为“固定于”或“设置于”另一个部件或结构，它可以直接在另一个部件或结构上或者间接在该另一个部件或结构上。当一个部件或结构被称为是“连接于”另一个部件或结构，它可以是直接连接到另一个部件或结构或间接连接至该另一个部件或结构上。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或一个部件或结构必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

现有技术中，对芯片和基板进行热压连接时，芯片和基板的温度如果过低将会导致芯片和基板的热压连接发生不良，芯片和基板的温度如果过高可能导致芯片发生损坏，影响最终的芯片热压贴合效果和产品质量。

基于以上原因，本申请实施例提供了一种芯片高精固晶机，包括热压组件和控制组件，压组件用于热压贴合芯片和基板形成封装体，热压组件上设有芯片温度传感器、基板温度传感器和封装体温度传感器，芯片温度传感器用于检测芯片的热压前芯片温度，基板温度传感器用于检测基板的热压前基板温度，封装体温度传感器用于检测封装体的封装体温度，控制组件用于根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程。本申请实施例中的芯片高精固晶机能够对热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度，并根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程，实现对芯片压合的温度高精度控制，提高了芯片的压合质量。

在一些场景中，本申请实施例的一种芯片高精固晶机可以应用于对芯片的压合，通过加热芯片和基板对芯片和基板进行热压，实现对芯片的封装。

下面结合具体的例子对本申请实施例提供的一种芯片高精固晶机及其热压工艺进行具体说明。

图1为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的热压组件在第一状态的结构示意图，图2为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的热压组件在第二状态的结构示意图，图3为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的热压组件在第三状态的结构示意图，如图1至图3所示的，本申请实施例中的芯片高精固晶机包括热压组件1和控制组件2，热压组件1用于热压贴合芯片101和基板102形成封装体103，热压组件1上设有芯片温度传感器11、基板温度传感器12和封装体温度传感器13，芯片温度传感器11用于检测芯片101的热压前芯片温度，基板温度传感器12用于检测基板102的热压前基板温度，封装体温度传感器13用于检测封装体103的封装体温度，控制组件2用于根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件1的热压过程。

如图1至图3所示的，在结构上，热压组件1用于热压贴合芯片101和基板102形成封装体103，热压组件1包括用于承载基板102的载台1a和用于吸取和移动芯片101的吸头1b，载台1a和吸头1b上均设有用于对芯片进行加热的加热组件，以分别实现对芯片101和基板102的加热。在热压芯片时，热压组件1能够将载台上的基板102和吸头上的芯片101进行热压形成封装体103。

在结构上，如图2所示的，芯片温度传感器11可以为红外线温度传感器，芯片温度传感器11可以设置在载台1a上，以实现通过芯片温度传感器11向上检测吸头上的芯片101的温度。同时，基板温度传感器12和封装体温度传感器13可以设置在用于移动芯片101的吸头1b的侧向上，通过基板温度传感器12能够检测载台上的基板102的热压前基板温度。

在热压的上料过程中，如图2中的一种芯片高精固晶机的热压组件通过热压组件1将芯片101进行水平移动到待压合位置的过程所示的，在热压组件1对芯片101进行水平移动到待压合位置的过程中，可以通过设置在载台1a上的芯片温度传感器11检测芯片101的热压前芯片温度，并通过用于移动芯片101的吸头1b上的基板温度传感器12检测基板102的热压前基板温度。

在热压的压合过程中，如图1中的一种芯片高精固晶机的热压组件通过热压组件1将芯片101和基板102压合的过程所示的，可以通过热压组件1的吸头和载台相互配合实现对芯片101和基板102的压合。

在热压的卸料过程中，如图3中的一种芯片高精固晶机的热压组件进行卸料的过程所示的，在吸头1b相对于载台1a上的封装体103的过程中，可以通过设置在吸头1b的侧向上的封装体温度传感器13对封装体103的表面温度进行检测得到封装体温度。

在结构上，图4为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的控制结构示意图，如图4所示的，控制组件2可以分别和热压组件1的芯片温度传感器11、基板温度传感器12和封装体温度传感器13电连接，进而使得控制组件2能够根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件1的热压过程。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程，提高对芯片和基板的热压过程的控制效果。

在实际对芯片101和基板102进行热压时，对芯片101和基板102的热压过程的控制需要对传感器的精度、布局、系统复杂性和环境干扰等问题进行检测，以确保热压过程的稳定性和产品质量。例如，虽然芯片温度传感器、基板温度传感器和封装体温度传感器用于检测温度，但其精度和准确性会影响整个热压过程的控制，如果传感器的精度不足，可能会导致热压过程的温度控制不够精准，影响热压后的产品质量。另外，整个芯片和基板的热压系统涉及多个传感器和控制组件，在热压系统过于复杂时，可能会增加故障发生的可能性，同时也增加了维护和维修的难度。

在实际生产环境中，对芯片101和基板102的温度进行检测时，还可能会受到外部环境因素的干扰，例如，环境温度变化、电磁干扰等因素也会导致温度传感器的准确性和稳定性降低，从而影响芯片101和基板102的热压过程的控制效果。

在一些实现方式中，在实际使用中，为了抵消和改善以上多种因素对芯片101和基板102的热压过程带来的影响，控制组件2可以包括神经网络单元，神经网络单元能够根据多个芯片101的热压前芯片温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板温度和多个芯片101中每个芯片101对应的封装体温度控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度。

在使用时，可以通过获取多个芯片101的热压前芯片温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板温度和多个芯片101中每个芯片101对应的封装体温度，并根据这些温度数据控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度。

示例性地，可以获取10个芯片101的热压前芯片温度，并获取这10个芯片中的每个芯片对应的热压前基板温度、封装体温度，并通过神经网络单元综合这些温度数据控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度，达到了对下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度的智能控制。

在使用时，在训练控制组件2的神经网络单元时，可以针对特定的芯片热压设备的热压控制特征和设备特征的不同之处，以10个芯片101为一组，并采集多组芯片101中每个芯片101对应的热压前芯片温度、热压前基板温度、封装体温度，并对多组芯片101中每个芯片101热压得到的封装体的热压质量进行打分，并根据多组芯片101中每个芯片101热压得到的封装体的热压质量的打分值、多组芯片101中每个芯片101对应的热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度训练神经网络单元，进而可以根据训练完成的神经网络单元根据多个芯片101的热压前芯片温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板温度和多个芯片101中每个芯片101对应的封装体温度，对下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度进行智能控制，有效地消除了传感器精度、环境温度变化、电磁干扰等因素造成的热压质量的波动。

需要说明的是，在控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度时，下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度为绑定特定设备的理论温度，下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度是保证芯片热压质量最佳的控制量，进而能够保证对下一个芯片的高质量热压。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，根据多个芯片热压时的热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程，消除了传感器精度、环境温度变化、电磁干扰等因素造成的芯片的热压质量的波动，提高了对芯片热压时温度控制的稳定性、精确性和智能化程度。

在一些实现方式中，芯片温度传感器11用于检测热压前芯片随时间升高的芯片时序温度，基板温度传感器12用于检测热压前基板随时间升高的基板时序温度，封装体温度传感器13用于检测封装体103随时间变化的封装体时序温度。

在使用时，还可以通过时序温度对芯片的热压温度进行精确控制，例如，可以检测热压前芯片随时间升高的芯片时序温度、热压前基板随时间升高的基板时序温度，和封装体103随时间变化的封装体时序温度，能够实现对芯片的热压温度的精确控制。

在检测热压前芯片随时间升高的芯片时序温度、热压前基板随时间升高的基板时序温度和封装体103随时间变化的封装体时序温度时，可以在获取训练神经网络模型的数据时，针对芯片101和基板102的加热过程采集加热过程的芯片时序温度、基板时序温度和封装体时序温度，以便于根据芯片时序温度、基板时序温度和封装体时序温度对芯片的热压温度进行控制。

作为替代方案，图5为本申请实施例中的另一种芯片高精固晶机的热压组件的结构示意图。如图5所示的，为了方便采集对芯片101和基板102在加热时的时序温度，可以在载台1a上设置正对基板102设置的接触式温度传感器作为基板温度传感器12，并在吸头1b上设置正对芯片101设置的接触式温度传感器作为芯片温度传感器11，并将基板温度传感器12作为封装体温度传感器13，进而便于采集芯片101和基板102的加热过程采集加热过程的芯片时序温度、基板时序温度和封装体时序温度。

在一些实现方式中，神经网络单元用于根据芯片101的热压前芯片时序温度、热压前基板时序温度和封装体时序温度控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度。

在使用时，可以根据第一芯片的热压前芯片时序温度、第一芯片的热压前基板时序温度和第一芯片的封装体时序温度控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，根据芯片热压时的热压前芯片时序温度、热压前基板时序温度和封装体时序温度控制热压组件的热压过程，提高了对温度控制的智能化程度，能够提高对芯片压合过程的全过程的温度控制精度。

在一些实现方式中，神经网络单元用于根据多个芯片101的热压前芯片时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板时序温度和多个芯片101中每个芯片101对应的封装体时序温度控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度。

在使用时，可以通过神经网络单元将多个芯片101的热压前芯片时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板时序温度和多个芯片101中每个芯片101对应的封装体时序温度构造温度控制张量，并将温度控制张量输入到神经网络单元中，进而通过神经网络单元根据温度控制张量输出下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，通过神经网络单元根据多个芯片的热压过程的温度精确控制对下一个芯片的热压过程的温度，提高了对热压温度控制的数据量，提高了对芯片温度的控制效果。

在一些实现方式中，热压组件1还包括计时器14和压力传感器15，计时器14用于检测芯片101和基板102的热压时长，压力传感器15用于检测芯片101和基板102的热压压力。

图4为本申请实施例中的一种芯片高精固晶机的控制结构示意图，如图4所示的，通过计时器14能够检测芯片101和基板102的热压时长，通过压力传感器15能够检测芯片101和基板102的热压压力。

在一些实现方式中，神经网络单元还用于根据多个芯片101的热压前芯片时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的封装体时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的热压压力和多个芯片101中每个芯片101对应的热压时长确定下一个芯片101的热压前芯片温度、下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度、下一个芯片101的热压压力和下一个芯片101的热压时长。

在使用时，还可以结合特定的热压时间、热压压力和上述的其他参数训练神经网络模型，进而可以根据多个芯片101的热压前芯片时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的封装体时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的热压压力和多个芯片101中每个芯片101对应的热压时长构造热压控制张量，并根据热压控制张量通过神经网络单元输出下一个芯片101的热压前芯片温度、下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度、下一个芯片101的热压压力和下一个芯片101的热压时长，达到对热压过程的精确控制的目的。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，结合热压压力、热压温度控制对芯片的热压过程，消除了特定设备的热压压力、热压温度和其他参数对芯片热压过程造成的影响，实现了对芯片的热压压力、热压温度的智能化控制，提高了芯片的热压过程的控制效果。

在一些实现方式中，本申请实施例中的芯片高精固晶机还包括检测组件3，检测组件3用于检测封装体103的芯片表面质量信息、封装体103的基板表面质量信息、封装体103的贴合质量信息。

图6为本申请实施例中的另一种芯片高精固晶机的检测组件的检测过程示意图，如图6所示的，在使用时，检测组件3可以包括三个方向的拍摄组件，检测组件3可以通过三个方向的拍摄组件检测封装体103的芯片表面质量图像、封装体103的基板表面质量图像、封装体103的贴合质量图像，并能够根据封装体103的芯片表面质量图像、封装体103的基板表面质量图像、封装体103的贴合质量图像检测确定封装体103的芯片表面质量信息、封装体103的基板表面质量信息、封装体103的贴合质量信息。

示例性地，封装体103的芯片表面质量信息、封装体103的基板表面质量信息、封装体103的贴合质量信息可以为经过图像识别得到的芯片表面质量缺陷信息张量、封装体103的基板表面缺陷信息张量、封装体103的贴合质量缺陷信息张量。

在一些实现方式中，神经网络单元用于根据多个芯片101的热压前芯片温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板温度、多个芯片101中每个芯片101对应的封装体温度、封装体103的芯片表面质量信息、封装体103的基板表面质量信息、封装体103的贴合质量信息控制下一个芯片101的热压前芯片温度、下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度、下一个芯片101的热压压力和下一个芯片101的热压时长。

在使用时，神经网络单元可以进一步结合芯片表面质量缺陷信息张量、封装体103的基板表面缺陷信息张量、封装体103的贴合质量缺陷信息张量对芯片的热压参数进行控制。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，结合芯片表面质量、基板表面质量和封装体的贴合质量对芯片热压过程进行控制，实现了结合对芯片的热压结果对热压参数的精确控制，实现了根据热压质量对芯片的热压过程的反馈控制，提高了热压过程的控制效果。

在一些实现方式中，封装体103的芯片表面质量信息包括封装体103的芯片的裂痕指数和裂痕缺陷权重的乘积，封装体103的基板表面质量信息包括封装体103的基板的压痕指数和压痕缺陷权重的乘积，封装体103的贴合质量信息包括封装体103的芯片和基板之间的贴合间隙值和封装体103的厚度。

在使用时，可以检测封装体103的芯片的裂痕数量作为芯片的裂痕指数，并将封装体103的芯片的裂痕的最大宽度作为芯片的裂痕缺陷权重，进而可以将封装体103的芯片的裂痕指数和裂痕缺陷权重的乘积作为封装体103的芯片表面质量信息。同理地，封装体103的基板表面质量信息包括封装体103的基板的压痕指数和压痕缺陷权重的乘积，压痕指数可以为压痕的数量，压痕缺陷权重可以为压痕的最大宽度。

在使用时，可以获取封装体103的芯片和基板之间的贴合间隙值，并通过图像识别检测封装体103的厚度，进而根据封装体103的芯片和基板之间的贴合间隙值和封装体103的厚度对封装体103的贴合质量进行衡量，即封装体103的贴合质量信息包括封装体103的芯片和基板之间的贴合间隙值和封装体103的厚度。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，利用芯片的裂痕、基板的压痕、贴合间隙、热压后的厚度对芯片进行热压的过程进行控制，提高热压过程的控制效果。

图7为本申请实施例中的一种热压工艺的流程示意图，如图7所示的，本申请实施例还提供了一种热压工艺，应用如上所述的芯片高精固晶机进行芯片热压，本热压工艺包括S110至S120，下面对S110至S120进行具体说明。

S110、获取芯片101的热压前芯片温度和基板102的热压前基板温度，并获取芯片101和基板102在热压后的封装体103的封装体温度。

S120、根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件1的热压过程。

在对芯片热压时，可以获取芯片101的热压前芯片温度和基板102的热压前基板温度，并获取芯片101和基板102在热压后的封装体103的封装体温度，以便于根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度对芯片的热压过程进行精确控制。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程，提高对芯片和基板的热压贴合的温度控制效果。

在一些实现方式中，上述的根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件1的热压过程，包括：根据多个芯片101的热压前芯片温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板温度和多个芯片101中每个芯片101对应的封装体温度控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，根据多个芯片热压时的热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件的热压过程，提高对温度控制的稳定性和精确性。

在一些实现方式中，上述的根据多个芯片101的热压前芯片温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板温度和多个芯片101中每个芯片101对应的封装体温度控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度，包括：根据多个芯片101的热压前芯片时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板时序温度和多个芯片101中每个芯片101对应的封装体时序温度控制下一个芯片101的热压前芯片温度和下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，通过神经网络单元根据多个芯片的热压过程的温度精确控制对下一个芯片的热压过程的温度，提高了对热压温度控制的数据量，提高了对芯片温度的控制效果。

在一些实现方式中，本热压工艺还包括S210至S220，下面对S210至S220进行具体说明。

S210、获取芯片101和基板102的热压压力，并获取芯片101和基板102的热压时长。

S220、根据多个芯片101的热压前芯片时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的封装体时序温度、多个芯片101中每个芯片101对应的热压压力和多个芯片101中每个芯片101对应的热压时长确定下一个芯片101的热压前芯片温度、下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度、下一个芯片101的热压压力和下一个芯片101的热压时长。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，结合热压压力、热压温度控制对芯片的热压过程，消除了特定设备的热压压力、热压温度和其他参数对芯片热压过程造成的影响，实现了对芯片的热压压力、热压温度的智能化控制，提高了芯片的热压过程的控制效果。

在一些实现方式中，上述的热压工艺还包括S310至S320，下面对S310至S320进行具体说明。

S310、获取封装体103的芯片表面质量信息、封装体103的基板表面质量信息和封装体103的贴合质量信息。

S320、根据多个芯片101的热压前芯片温度、多个芯片101中每个芯片101对应的基板102的热压前基板温度、多个芯片101中每个芯片101对应的封装体温度、封装体103的芯片表面质量信息、封装体103的基板表面质量信息、封装体103的贴合质量信息控制下一个芯片101的热压前芯片温度、下一个芯片101对应的基板102的热压前基板温度、下一个芯片101的热压压力和下一个芯片101的热压时长。

上述的实现方式所带来的有益效果在于，结合芯片表面质量、基板表面质量和封装体的贴合质量对芯片热压过程进行控制，实现了结合对芯片的热压结果对热压参数的精确控制，实现了根据热压质量对芯片的热压过程的反馈控制，提高了热压过程的控制效果。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种芯片高精固晶机，其特征在于，包括热压组件（1）和控制组件（2），热压组件（1）用于热压贴合芯片（101）和基板（102）形成封装体（103），热压组件（1）上设有芯片温度传感器（11）、基板温度传感器（12）和封装体温度传感器（13），芯片温度传感器（11）用于检测芯片（101）的热压前芯片温度，基板温度传感器（12）用于检测基板（102）的热压前基板温度，封装体温度传感器（13）用于检测封装体（103）的封装体温度，控制组件（2）用于根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件（1）的热压过程。

2.如权利要求1所述的芯片高精固晶机，其特征在于，控制组件（2）包括神经网络单元，神经网络单元用于根据多个芯片（101）的热压前芯片温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度和多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的封装体温度控制下一个芯片（101）的热压前芯片温度和下一个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度。

3.如权利要求2所述的芯片高精固晶机，其特征在于，芯片温度传感器（11）用于检测热压前芯片（101）随时间升高的芯片时序温度，基板温度传感器（12）用于检测热压前基板（102）随时间升高的基板时序温度，封装体温度传感器（13）用于检测封装体（103）随时间变化的封装体时序温度；

神经网络单元用于根据芯片（101）的热压前芯片时序温度、热压前基板时序温度和封装体时序温度控制下一个芯片（101）的热压前芯片温度和下一个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度。

4.如权利要求3所述的芯片高精固晶机，其特征在于，神经网络单元还用于根据多个芯片（101）的热压前芯片时序温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板时序温度和多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的封装体时序温度确定下一个芯片（101）的热压前芯片温度和下一个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度。

5.如权利要求4所述的芯片高精固晶机，其特征在于，热压组件（1）还包括计时器（14）和压力传感器（15），计时器（14）用于检测芯片（101）和基板（102）的热压时长，压力传感器（15）用于检测芯片（101）和基板（102）的热压压力；

神经网络单元还用于根据多个芯片（101）的热压前芯片时序温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板时序温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的封装体时序温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的热压压力和多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的热压时长确定下一个芯片（101）的热压前芯片温度、下一个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度、下一个芯片（101）的热压压力和下一个芯片（101）的热压时长。

6.如权利要求5所述的芯片高精固晶机，其特征在于，还包括检测组件（3），检测组件（3）用于检测封装体（103）的芯片表面质量信息、封装体（103）的基板表面质量信息、封装体（103）的贴合质量信息；

神经网络单元用于根据多个芯片（101）的热压前芯片温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的封装体温度、封装体（103）的芯片表面质量信息、封装体（103）的基板表面质量信息、封装体（103）的贴合质量信息控制下一个芯片（101）的热压前芯片温度、下一个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度、下一个芯片（101）的热压压力和下一个芯片（101）的热压时长。

7.如权利要求6所述的芯片高精固晶机，其特征在于，封装体（103）的芯片表面质量信息包括封装体（103）的芯片的裂痕指数和裂痕缺陷权重的乘积，封装体（103）的基板表面质量信息包括封装体（103）的基板的压痕指数和压痕缺陷权重的乘积，封装体（103）的贴合质量信息包括封装体（103）的芯片和基板之间的贴合间隙值和封装体（103）的厚度。

8.一种热压工艺，其特征在于，应用如权利要求1至6中任一项所述的芯片高精固晶机进行芯片热压，所述热压工艺包括：

获取芯片（101）的热压前芯片温度和基板（102）的热压前基板温度，并获取芯片（101）和基板（102）在热压后的封装体（103）的封装体温度；

根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件（1）的热压过程。

9.如权利要求8所述的热压工艺，其特征在于，根据热压前芯片温度、热压前基板温度和封装体温度控制热压组件（1）的热压过程，包括：

根据多个芯片（101）的热压前芯片温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度和多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的封装体温度控制下一个芯片（101）的热压前芯片温度和下一个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度。

10.如权利要求9所述的热压工艺，其特征在于，根据多个芯片（101）的热压前芯片温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度和多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的封装体温度控制下一个芯片（101）的热压前芯片温度和下一个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度，包括：

根据多个芯片（101）的热压前芯片时序温度、多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板时序温度和多个芯片（101）中每个芯片（101）对应的封装体时序温度控制下一个芯片（101）的热压前芯片温度和下一个芯片（101）对应的基板（102）的热压前基板温度。