CN117716497A - 包括半导体发光器件的显示装置 - Google Patents

包括半导体发光器件的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117716497A
CN117716497A CN202280046312.9A CN202280046312A CN117716497A CN 117716497 A CN117716497 A CN 117716497A CN 202280046312 A CN202280046312 A CN 202280046312A CN 117716497 A CN117716497 A CN 117716497A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
emitting device
assembly
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280046312.9A
Other languages
English (en)
Inventor
宋厚永
金贞民
李恩惠
洪基相
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc, LG Display Co Ltd filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN117716497A publication Critical patent/CN117716497A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

实施例的显示装置可以包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，在基板上交替配置且彼此隔开；第一绝缘层，配置在第一组装配线和第二组装配线之间，具有彼此不同的第一厚度和第二厚度；平坦化层，配置在第一组装配线和第二组装配线上，具有第一开口部；以及发光器件，配置在第一开口部的内侧，第一电极与第一组装配线和第二组装配线重叠，第一电极可以与第一组装配线和第二组装配线中的一方电连接。

Description

包括半导体发光器件的显示装置
技术领域
实施例涉及显示装置，更详细而言，涉及一种使用半导体发光器件的显示装置。
背景技术
用于计算机的显示器、TV、手机等的显示装置有自行发光的有机发光显示器(Organic light emitting display；OLED)等和需要额外的光源的液晶显示器(Liquidcrystal display；LCD)、微LED显示器等。
微LED显示器是将作为具有100μm以下的直径或截面积的半导体发光器件的微LED用作显示器件的显示器。
微LED显示器将作为半导体发光器件的微LED用作显示器件，因此在明暗比、响应速度、颜色再现率、视野角、明度、分辨率、寿命、发光效率或亮度等很多特性上具有优异的性能。
尤其，微LED显示器可以以模块方式分离、结合画面，从而具有尺寸或分辨率调节自由的优点以及能够实现柔性显示器的优点。
但是，大型微LED显示器需要几百万个以上的微LED，因此存在难以将微LED快速且准确地转移到显示面板的技术问题。另一方面，向基板转移半导体发光器件的方法有拾放工艺(pick and place process)、激光剥离法(Laser Lift-off method)或自组装方式(self-assembly method)等。
其中，自组装方式作为半导体发光器件在流体内自行寻找组装位置的方式，是有利于实现大屏幕的显示装置的方式。
另一方面，在流体内转移发光器件的情况下，发生组装配线被流体腐蚀的问题。由于组装配线的腐蚀，可能会发生电短路，并且可能会发生组装不良的问题。
另外，在自组装时，由于组装孔中产生的力，可能产生新的发光器件与已组装的发光器件发生碰撞而发光器件损坏的问题。
发明内容
发明所要解决的问题
实施例的技术课题在于，提供一种通过以多种形式实现组装配线来提高发光器件的组装率的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种能够使组装配线的腐蚀最小化的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种精确地控制组装配线之间的间隔的显示装置。
实施例的课题不限于以上提及的课题，还包括能够从说明书中掌握的课题。
解决问题的技术方案
实施例的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，在所述基板上交替配置且彼此隔开；第一绝缘层，配置在所述第一组装配线和所述第二组装配线之间，具有彼此不同的第一厚度和第二厚度；平坦化层，配置在所述第一组装配线和所述第二组装配线上，具有第一开口部；以及发光器件，配置在所述第一开口部内侧，第一电极与所述第一组装配线和所述第二组装配线重叠。
所述第一电极可以与所述第一组装配线和所述第二组装配线中的一方电连接。
在实施例中，所述第一厚度是所述第一绝缘层在所述第一开口部内的区域中的厚度，所述第二厚度是所述第一绝缘层在所述第一开口部外的区域中的厚度，所述第二厚度可以比所述第一厚度厚。
所述第一厚度是所述第一绝缘层在所述第一开口部内的区域中的厚度，所述第二厚度是所述第一绝缘层在所述第一开口部外的区域中的厚度，所述第二厚度可以比所述第一厚度厚。
另外，在实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层可以与所述平坦化层重叠，所述第一包覆层的一部分和所述第二包覆层的一部分可以配置在所述第一开口部的内侧。
所述第二包覆层可以在所述第一导电层上覆盖所述第一导电层。
还可以包括第三包覆层，所述第三包覆层在所述第一绝缘层下方配置在与所述第一包覆层同一平面上，所述第三包覆层可以通过设置在所述第一绝缘层的接触孔来与所述第二导电层连接。
还可以包括在所述第一包覆层上覆盖所述第一包覆层的第二绝缘层。
还可以包括在所述第一开口部配置于所述平坦化层的侧面的反射层。
实施例还可以包括配置在所述平坦化层上的第三绝缘层。
所述第一组装配线可以与所述第二组装配线垂直重叠，所述第二组装配线可以在与所述第一组装配线垂直重叠的区域包括电极孔。
另外，实施例的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：基板，限定复数个子像素；第一组装配线，沿复数个所述子像素中配置在同一线上的复数个子像素配置；第二组装配线，沿复数个所述子像素中配置在同一线上的复数个子像素配置，分别与所述第一组装配线相邻配置；平坦化层，包括与所述第一组装配线和所述第二组装配线重叠的第一开口部；第一绝缘层，在所述第一组装配线上具有复数个厚度；以及发光器件，在复数个所述子像素中分别配置在所述第一开口部，与所述第二组装配线电连接。
在实施例中，所述第一绝缘层在与所述第一开口部重叠的区域具有第一厚度，所述第一绝缘层在与所述第一开口部不重叠的区域具有第二厚度，所述第二厚度可以比所述第一厚度厚。
所述第二组装配线可以配置在所述第一绝缘层上。
所述第一组装配线可以包括：第一导电层；以及第一包覆层，与所述第一导电层电连接；所述第二组装配线可以包括：第二导电层；以及第二包覆层，与所述第二导电层电连接；所述第一导电层和所述第一包覆层可以由彼此不同的物质构成，所述第二导电层和所述第二包覆层可以由彼此不同的物质构成。
所述第一包覆层和所述第二包覆层均可以向所述第二开口部的内侧延伸。
所述第一导电层和所述第一包覆层可以包括由所述第一导电层的厚度产生的台阶区域，实施例还可以包括配置在所述第一组装配线上并与所述台阶区域重叠的第二绝缘层。
所述第二绝缘层可以配置在所述第一开口部。
所述第二绝缘层可以与所述第一组装配线重叠。
实施例还可以包括配置在所述平坦化层上的第三绝缘层。
所述第一组装配线可以与所述第二组装配线垂直重叠，所述第二组装配线可以在与所述第一组装配线垂直重叠的区域包括电极孔。
发明效果
根据实施例，通过增加配置于第一组装配线和第二组装配线之间的绝缘层的厚度来防止绝缘层的绝缘特性被破坏，并且通过减小配置在第一组装配线上的绝缘层的厚度，具有能够利用复数个组装配线来容易地自组装发光器件的技术效果。
另外，实施例具有能够减少复数个组装配线的腐蚀以及短路不良的技术效果。
例如，通过在复数个组装配线的台阶区域上配置绝缘层，能够减少腐蚀和短路不良。另外，通过利用耐腐蚀的包覆层，能够预防导电层的腐蚀。
另外，实施例通过减小复数个组装配线之间的台阶，具有能够稳定地接合复数个发光器件的技术效果。
另外，实施例通过以垂直型对称结构配置复数个组装配线，具有能够加强对发光器件的组装力的技术效果。
另外，实施例通过一个组装配线来支撑发光器件，具有解决发光器件倾斜的问题的技术效果。
另外，实施例通过使绝缘层在组装孔以外的区域形成得较厚，具有能够提高组装效率和能够保护已组装的发光器件的技术效果。
实施例的效果不限于以上例示的内容，更多样的效果包含在说明书内。
附图说明
图1是实施例的显示装置的概略性的俯视图。
图2是实施例的显示装置的概略性的放大俯视图。
图3是基于图2的III-III'的剖视图。
图4a和图4b是用于说明实施例的显示装置的制造方法的工序图。
图5是第二实施例的显示装置的剖视图。
图6是第三实施例的显示装置的剖视图。
图7是第四实施例的显示装置的剖视图。
图8是第五实施例的显示装置的剖视图。
图9是第六实施例的显示装置的剖视图。
图10是第六实施例的显示装置的剖视图。
图11是第七实施例的显示装置的剖视图。
图12是放大第七实施例的一部分的立体图。
具体实施方式
下面，将参照附图详细描述本说明书中公开的实施例。以下描述中使用的构成要素的后缀“模块”和“部”出于考虑说明书的容易撰写而赋予或混用，它们本身并不具有彼此区分的含义或作用。并且，附图是用于使本说明书中公开的实施例容易理解，本说明书中公开的技术思想并不受附图限制。并且，当提及层、区域或基板等要素存在于另一构成要素“上”时，应理解为其可以直接存在于另一要素上，或者它们之间还可以存在其它中间要素。
本说明书中所描述的显示装置可以包括数字TV、手机、智能电话(smart phone)、笔记本电脑(laptop computer)、数字广播终端、个人数字助理(PDA：personal digitalassistants)、便携式多媒体播放器(PMP：portable multimedia player)、导航仪、触屏平板PC(Slate PC)、平板PC(Tablet PC)、超级本(Ultra-Book)、台式计算机等。然而，即使是后续开发的新产品形式，本说明书中记载的实施例的构成也可以应用于能够显示的装置。
以下，参照附图，对实施例进行说明。
图1是实施例的显示装置的概略性的俯视图。为了便于说明，图1中仅示出了显示装置100的各种构成要素中的基板110和复数个子像素SP。
实施例的显示装置100可以包括在薄且柔软的基板上制造的柔性显示器(flexibledisplay)。柔性显示器保持现有的平板显示器的特性，并且可以像纸一样弯曲或卷曲。
在柔性显示器中，可以通过独立地控制以矩阵形式配置的单位像素(unit pixel)的发光来实现视觉信息。单位像素是指用于实现一种颜色的最小单位。柔性显示器的单位像素可以由发光器件来实现。在实施例中，发光器件可以是Micro-LED或Nano-LED，但不限于此。
基板110是用于支撑显示装置100中包括的各种构成要素的结构，可以由绝缘物质构成。例如，基板110可以由玻璃或树脂等构成。另外，基板110可以包括高分子或塑料，也可以由具有柔性(flexibility)的物质构成。
基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。
显示区域AA是通过配置复数个子像素SP来显示图像的区域。复数个子像素SP中的每一个子像素是发光的单个单位，复数个子像素SP中的每一个子像素形成有发光器件LED和驱动电路。例如，复数个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和/或白色子像素等，但不限于此。以下，假设复数个子像素SP包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，但不限于此。
非显示区域NA作为不显示图像的区域，是配置用于驱动配置于显示区域AA的子像素SP的各种配线、驱动IC等的区域。例如，在非显示区域NA可以配置有诸如栅极驱动器IC、数据驱动器IC的各种IC和驱动电路等。另一方面，非显示区域NA可以位于基板110的背面即没有子像素SP的面，或者省略，并不限于图示。
实施例的显示装置100可以以有源矩阵(AM，Active Matrix)方式或无源矩阵(PM，Passive Matrix)方式来驱动发光器件。
以下，为了对复数个子像素SP进行详细说明，一起参照图2和图3。
图2是实施例的显示装置的概略性的放大俯视图。图3是基于图2的III-III'的剖视图。
参照图2和图3，实施例的显示装置100可以包括复数个扫描配线SL、复数个数据配线DL、复数个高电位电源配线VDD、复数个组装配线120、复数个基准配线RL和黑色矩阵BM、复数个子像素SP中的每一个子像素的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器ST、半导体发光器件LED、遮光层LS、缓冲层111、栅极绝缘层112、复数个钝化层113、115、116、复数个平坦化层114、117、118、连接电极CE以及像素电极PE等。
参照图2和图3，复数个数据配线DL、高电位电源配线VDD的第一层VDD1和第二层VDD2、复数个基准配线RL和复数个组装配线120可以在复数个子像素SP之间沿列方向延伸。复数个扫描配线SL和高电位电源配线VDD的第三层VDD3可以在复数个子像素SP之间沿行方向延伸。并且，在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST。
首先，在基板110上可以配置有高电位电源配线VDD的第一层VDD1和遮光层LS。
高电位电源配线VDD是向复数个子像素SP中的每一个子像素传递高电位电源电压的配线。复数个高电位电源配线VDD可以将高电位电源电压传递到复数个子像素SP中的每一个子像素的第二晶体管TR2。
另一方面，复数个高电位电源配线VDD可以由单层或复数层构成，以下，为了便于说明，假设复数个高电位电源配线VDD由复数层构成。
高电位电源配线VDD包括复数个第一层VDD1和复数个第二层VDD2以及连接它们的复数个第三层VDD3。第一层VDD1可以在复数个子像素SP中的每一个子像素之间沿列方向延伸。
遮光层LS可以在基板110上配置于复数个子像素SP中的每一个子像素。遮光层LS可以通过阻断从基板110下部向后述的第二晶体管TR2的第二有源层ACT2入射的光来使泄漏电流最小化。
缓冲层111可以配置在高电位电源配线VDD的第一层VDD1和遮光层LS上。缓冲层111可以减少水分或杂质通过基板110渗透。例如，缓冲层111可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。但是，根据基板110的种类或晶体管的种类，缓冲层111可以省略，但不限于此。
复数个扫描配线SL、复数个基准配线RL、复数个数据配线DL、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST可以配置在缓冲层111上。
首先，第一晶体管TR1可以配置在复数个子像素SP中的每一个子像素。第一晶体管TR1可以包括第一有源层ACT1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1以及第一漏极电极DE1。第一有源层ACT1可以配置在缓冲层111上。第一有源层ACT1可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但不限于此。
栅极绝缘层112可以配置在第一有源层ACT1上。栅极绝缘层112是用于使第一有源层ACT1和第一栅极电极GE1绝缘的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。
第一栅极电极GE1可以配置在栅极绝缘层112上。第一栅极电极GE1可以与扫描配线SL电连接。第一栅极电极GE1可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但不限于此。
第一钝化层113可以配置在第一栅极电极GE1上。在第一钝化层113形成有用于将第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1分别连接到第一有源层ACT1的接触孔。第一钝化层113是用于保护第一钝化层113下部的构成的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。
与第一有源层ACT1电连接的第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以配置在第一钝化层113上。第一漏极电极DE1可以连接于数据配线DL，第一源极电极SE1可以连接于第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但不限于此。
另一方面，在实施例中，以第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1分别连接于第二栅极电极GE2和数据配线DL的情况进行说明，但是根据晶体管的类型，第一源极电极SE1可以连接于数据配线DL，第一漏极电极DE1可以连接于第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2，但不限于此。
在第一晶体管TR1中，第一栅极电极GE1连接于扫描配线SL，可以根据扫描信号而导通(Turn-on)或截止(Turn-off)。第一晶体管TR1可以基于扫描信号将数据电压传递到第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2，可以被称为开关晶体管。
另一方面，复数个数据配线DL和复数个基准配线RL可以与第一栅极电极GE1一起配置在栅极绝缘层112上。复数个数据配线DL和基准配线RL可以由与第一栅极电极GE1相同的物质和相同的工艺来形成。
复数个数据配线DL是向复数个子像素SP中的每一个子像素传递数据电压的配线。复数个数据配线DL可以将数据电压传递到复数个子像素SP中的每一个子像素的第一晶体管TR1。例如，复数个数据配线DL可以由向红色子像素SPR传递数据电压的数据配线DL、向绿色子像素SPG传递数据电压的数据配线DL以及向蓝色子像素SPB传递数据电压的数据配线DL构成。
复数个基准配线RL是向复数个子像素SP中的每一个子像素传递基准电压的配线。复数个基准配线RL可以将基准电压传递到复数个子像素SP中的每一个子像素的第三晶体管TR3。
第二晶体管TR2可以配置在复数个子像素SP中的每一个子像素。第二晶体管TR2可以包括第二有源层ACT2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2。第二有源层ACT2可以配置在缓冲层111上。第二有源层ACT2可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但不限于此。
栅极绝缘层112可以配置在第二有源层ACT2上，第二栅极电极GE2可以配置在栅极绝缘层112上。第二栅极电极GE2可以与第一晶体管TR1的第一源极电极SE1电连接。第二栅极电极GE2可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但不限于此。
第一钝化层113可以配置在第二栅极电极GE2上，第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以配置在第一钝化层113上。第二源极电极SE2可以与第二有源层ACT2电连接。第二漏极电极DE2在与第二有源层ACT2电连接的同时可以与高电位电源配线VDD电连接。第二漏极电极DE2配置在高电位电源配线VDD的第一层VDD1和第二层VDD2之间，可以与高电位电源配线VDD电连接。
在第二晶体管TR2中，第二栅极电极GE2与第一晶体管TR1的第一源极电极SE1连接，可以根据第一晶体管TR1导通时传递的数据电压而导通。此外，被导通的第二晶体管TR2可以基于来自高电位电源配线VDD的高电位电源电压，将驱动电流传递到发光器件LED，因此可以被称为驱动晶体管。
第三晶体管TR3可以配置在复数个子像素SP中的每一个子像素。第三晶体管TR3包括第三有源层ACT3、第三栅极电极GE3、第三源极电极SE3以及第三漏极电极DE3。第三有源层ACT3可以配置在缓冲层111上。第三有源层ACT3可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但不限于此。
栅极绝缘层112可以配置在第三有源层ACT3上，第三栅极电极GE3可以配置在栅极绝缘层112上。第三栅极电极GE3与扫描配线SL连接，第三晶体管TR3可以根据扫描信号而导通或截止。第三栅极电极GE3可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但不限于此。
但是，以第三栅极电极GE3和第一栅极电极GE1连接到同一扫描配线SL的情况进行了说明，但是第三栅极电极GE3和第一栅极电极GE1也可以连接到彼此不同的扫描配线SL，但不限于此。
第一钝化层113可以配置在第三栅极电极GE3上，第三源极电极SE3和第三漏极电极DE3可以配置在第一钝化层113上。第三源极电极SE3可以与第二源极电极SE2一体地形成，可以在与第三有源层ACT3电连接的同时与第二晶体管TR2的第二源极电极SE2电连接。此外，第三漏极电极DE3可以与基准配线RL电连接。
与作为驱动晶体管的第二晶体管TR2的第二源极电极SE2、基准配线RL以及存储电容器ST电连接的第三晶体管TR3可以被称为传感晶体管。
在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有存储电容器ST。存储电容器ST包括第一电容器电极ST1和第二电容器电极ST2。存储电容器ST连接在第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2和第二源极电极SE2之间且储存电压，在发光器件LED发光期间，可以恒定地保持第二晶体管TR2的栅极电极的电压电平。
第一电容器电极ST1可以与第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2一体地形成。因此，第一电容器电极ST1可以与第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2和第一晶体管TR1的第一源极电极SE1电连接。
第二电容器电极ST2可以隔着第一钝化层113配置在第一电容器电极ST1上。第二电容器电极ST2可以与第二晶体管TR2的第二源极电极SE2和第三晶体管TR3的第三源极电极SE3一体地形成。因此，第二电容器电极ST2可以与第二晶体管TR2和第三晶体管TR3电连接。
另一方面，复数个扫描配线SL可以与第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2、第二漏极电极DE2、第三源极电极SE3、第三漏极电极DE3以及第二电容器电极ST2一起配置在第一钝化层113上。
复数个扫描配线SL是向复数个子像素SP中的每一个子像素传递扫描信号的配线。复数个扫描配线SL可以将扫描信号传递到复数个子像素SP中的每一个子像素的第一晶体管TR1。例如，复数个扫描配线SL分别沿行方向延伸，可以向配置于同一行的复数个子像素SP传递扫描信号。
接着，第一平坦化层114可以配置在复数个扫描配线SL、复数个基准配线RL、复数个数据配线DL、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST上。第一平坦化层114可以使配置有复数个晶体管的基板110的上部平坦化。第一平坦化层114可以由单层或复数层构成，例如，可以由丙烯酸(acryl)系有机物质构成，但不限于此。
第二钝化层115可以配置在第一平坦化层114上。第二钝化层115是用于保护第二钝化层115下部的构成且提高形成在第二钝化层115上的构成的粘附力的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。
高电位电源配线VDD的第二层VDD2、复数个组装配线120中的复数个第一组装配线121以及连接电极CE可以配置在第二钝化层115上。
首先，复数个组装配线120可以是制造显示装置100时产生用于对齐复数个发光器件LED的电场并在驱动显示装置100时向复数个发光器件LED供应低电位电源电压的配线。因此，组装配线120可以被称为低电位电源配线。复数个组装配线120可以沿配置于同一线上的复数个子像素SP在列方向上配置。复数个组装配线120可以配置成与配置于同一列的复数个子像素SP重叠。例如，在配置于同一列的红色子像素SPR可以配置有一个第一组装配线121和第二组装配线122，在绿色子像素SPG可以配置有一个第一组装配线121和第二组装配线122，在蓝色子像素SPB可以配置有一个第一组装配线121和第二组装配线122。
复数个组装配线120可以包括复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122。在驱动显示装置100时，在复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以以交流方式施加有相同的低电位电压。复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以交替配置。此外，在复数个子像素SP中的每一个子像素中，一个第一组装配线121和一个第二组装配线122可以彼此相邻配置。
复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铬(Cr)等物质构成，不限于此。
复数个第一组装配线121可以包括第一导电层121a和第一包覆层121b。第一导电层121a可以配置在第二钝化层115上。第一包覆层121b可以与第一导电层121a相接。例如，第一包覆层121b可以配置成覆盖第一导电层121a的顶面和侧面。此外，第一导电层121a可以具有比第一包覆层121b更厚的厚度。
第一包覆层121b由比第一导电层121a更耐腐蚀的物质构成，从而在制造显示装置100时，可以使由第一组装配线121的第一导电层121a和第二组装配线122的第二导电层122a之间的迁移(migration)引起的短路不良最小化。例如，第一包覆层121b可以由钼(Mo)、钼钛(MoTi)等构成，但不限于此。
高电位电源配线VDD的第二层VDD2可以配置在第二钝化层115上。第二层VDD2在复数个子像素SP中的每一个子像素之间沿列方向延伸，并且可以与第一层VDD1重叠。第一层VDD1和第二层VDD2可以通过在形成于第一层VDD1和第二层VDD2之间的复数个绝缘层形成的接触孔电连接。第二层VDD2可以由与第一组装配线121相同的物质和相同的工序来形成，但不限于此。
在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有连接电极CE。连接电极CE通过形成于第二钝化层115的接触孔与第二电容器电极ST2和第二晶体管TR2的第二源极电极SE2电连接。连接电极CE是用于电连接发光器件LED和作为驱动晶体管的第二晶体管TR2的电极，包括第一连接层CE1和第二连接层CE2。例如，第一连接层CE1可以在与第一组装配线121的第一导电层121a相同的层，由与其相同的物质构成，第二连接层CE2可以在与第一包覆层121b相同的层，由与其相同的物质构成。
接着，第三钝化层116可以配置在第二层VDD2、第一组装配线121、连接电极CE上。第三钝化层116是用于保护第三钝化层116下部的构成的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。另外，第三钝化层116可以起到用于防止在制造显示装置100时由第一组装配线121和第二组装配线122之间的迁移引起的短路不良的绝缘层的功能，对此，稍后参照图4a和图4b说明。
复数个组装配线120中的复数个第二组装配线122可以配置在第三钝化层116上。如上所述，复数个第二组装配线122分别配置在配置于同一线上的复数个子像素SP，复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以彼此隔开配置。
复数个第二组装配线122分别可以包括第二导电层122a和第二包覆层122b。第二导电层122a可以配置在第三钝化层116上。此外，第二包覆层122b可以与第二导电层122a相接而电连接。例如，第二包覆层122b可以配置成覆盖第二导电层122a的顶面和侧面。此外，第二导电层122a可以具有比第二包覆层122b更厚的厚度。
第二包覆层122b也可以与第一包覆层121b相同地由比第二导电层122a更耐腐蚀的物质构成，从而可以在制造显示装置100时，使由第一组装配线121和第二组装配线122之间的迁移引起的短路不良最小化。例如，第二包覆层122b可以由钼(Mo)、钼钛(MoTi)等构成，但不限于此。
接着，第二平坦化层117可以配置在复数个第二组装配线122上。第二平坦化层117可以由单层或复数层构成，例如，可以由丙烯酸(acryl)系有机物质构成，但不限于此。
另一方面，第二平坦化层117可以包括安置复数个发光器件LED的复数个第一开口部117a和使复数个连接电极CE中的每一个连接电极露出的复数个第二开口部117b。
复数个第一开口部117a可以配置在复数个子像素SP中的每一个子像素。
此时，在一个子像素SP也可以配置一个以上的第一开口部117a。例如，在一个子像素SP可以配置一个第一开口部117a，或者也可以配置两个第一开口部117a。
复数个第一开口部117a是供复数个发光器件LED插入的部分，也可以被称为袋(pocket)。复数个第一开口部117a可以形成为与复数个组装配线120重叠。例如，一个第一开口部117a可以与一个子像素SP中彼此相邻配置的第一组装配线121和第二组装配线122重叠。
此外，复数个第二组装配线122的第二包覆层122b的一部分可以在第一开口部117a露出。相反，在第一开口部117a处，第三钝化层116覆盖整个第一组装配线121，因此第一组装配线121可以与第一开口部117a重叠，但不会从第一开口部117a露出。
为了在第三钝化层116上的一部分区域形成第二组装配线122，包括在第三钝化层116上的正面沉积用于形成第二组装配线122的层和蚀刻第二组装配线122的一部分的步骤。在此情况下，在蚀刻第二组装配线122的过程中，蚀刻液可能会损伤第三钝化层116。
尤其，由于在台阶区域SA较脆弱，因此在台阶区域SA，第三钝化层116的绝缘特性减弱，可能会造成第一包覆层121b和第一导电层121a的损伤。第一包覆层121b和第一导电层121a的损伤可能会降低发光器件LED的转移率。为了解决这一问题，可以增加第三钝化层116的厚度，但在第一开口部117a内，第三钝化层116的厚度增加会减弱由组装配线产生的电场，因此可能会降低发光器件LED的转移率。因此，需要对结构进行改进以解决这一问题，在后述的实施例中对改进的结构进行说明。
复数个第二开口部117b可以配置在复数个子像素SP。复数个第二开口部117b是使复数个子像素SP中的每一个子像素的连接电极CE露出的部分。第二平坦化层117下方的连接电极CE可以从复数个第二开口部117b露出并与发光器件LED电连接，可以将来自第二晶体管TR2的驱动电流传递到发光器件LED。在此情况下，第三钝化层116可以在与第二开口部117b重叠的区域具有接触孔，连接电极CE可以从第二平坦化层117和第三钝化层116露出。
复数个发光器件LED可以配置在复数个第一开口部117a。复数个发光器件LED是通过电流来发光的发光器件LED。复数个发光器件LED可以包括发出红色光、绿色光、蓝色光等的发光器件LED，可以通过它们的组合来实现包括白色在内的各种颜色的光。例如，发光器件LED可以是LED(Light Emitting Diode)或微LED，但不限于此。在此情况下，微LED是指发光器件的大小为100μm以下。
以下，假设复数个发光器件LED包括配置于红色子像素SPR的红色发光器件130、配置于绿色子像素SPG的绿色发光器件140、配置于蓝色子像素SPB的蓝色发光器件150。但是，复数个发光器件LED也可以由发出相同的颜色的光的发光器件LED构成，通过使用将从复数个发光器件LED发出的光切换成另一颜色的额外的光切换构件来显示各种颜色的图像，但不限于此。
复数个发光器件LED可以包括配置于红色子像素SPR的红色发光器件130、配置于绿色子像素SPG的绿色发光器件140以及配置于蓝色子像素SPB的蓝色发光器件150。红色发光器件130、绿色发光器件140以及蓝色发光器件150可以各自均包括第一半导体层、第二半导体层、第一电极以及第二电极。此外，红色发光器件130可以包括发出红色光的发光层，绿色发光器件140可以包括发出绿色光的发光层，蓝色发光器件150可以包括发出蓝色光的发光层。
参照图3，在配置于红色子像素SPR的红色发光器件130中，第二半导体层133可以配置于第一半导体层131上。第一半导体层131和第二半导体层133可以是在特定物质中掺杂n型和p型杂质而形成的层。例如，第一半导体层131和第二半导体层133可以包括AlInGaP系半导体层，例如，可以是在铟铝磷化物(InAlP)、砷化镓(GaAs)等物质中掺杂p型或n型杂质的层。此外，p型杂质可以是镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等，n型杂质可以是硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)等，但不限于此。
发出红色光的发光层132可以配置在第一半导体层131和第二半导体层133之间。发光层132可以从第一半导体层131和第二半导体层133接收空穴和电子而发光。发光层132可以由单层或多量子阱(Multi-quantum well；MQW)结构构成。
所述发光层132可以将注入的电能转换成具有约570nm至630nm范围内的特定波长的光。特定波长的变化取决于发光二极管所具有的带隙的大小，带隙的大小可以通过改变Al和Ga的组成比来调节，例如，波长随着Al的组成比的增加而变短。
第一电极134可以配置在第一半导体层131的底面，第二电极135可以配置在第二半导体层133的顶面。第一电极134是接合在从第一开口部117a露出的第二组装配线122的电极，第二电极135是电连接后述的像素电极PE和第二半导体层133的电极。第一电极134和第二电极135可以由导电性物质形成。
在此情况下，为了将第一电极134接合于第二组装配线122上，第一电极134可以由共晶金属(eutectic metal)构成。例如，第一电极134可以由锡(Sn)、铟(In)、锌(Zn)、铅(Pb)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)等构成，但不限于此。
此外，绿色发光器件140和蓝色发光器件150两者均可以由与红色发光器件130相同或相似的结构形成。例如，绿色发光器件140可以包括第一电极、第一电极上的第一半导体层、第一半导体层上的绿色发光层、绿色发光层上的第二半导体层以及第二半导体层上的第二电极，蓝色发光器件也可以包括第一电极、第一半导体层、蓝色发光层、第二半导体层以及第二电极依次层叠的结构。
但是，所述绿色发光器件140和蓝色发光器件150可以由选自由GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、AlN、GaAs、AlGaAs、InP以及它们的混合物组成的组的化合物形成，但不限于此。
另一方面，虽未图示，可以配置有包围复数个发光器件LED各自的一部分的绝缘层。具体而言，绝缘层可以覆盖复数个发光器件LED的外侧面中的至少一个发光器件LED的侧面。通过在发光器件LED形成绝缘层来保护发光器件LED，能够在形成第一电极134和第二电极135时防止第一半导体层131和第二半导体层133的电短路。
接着，第三平坦化层118可以配置在复数个发光器件LED上。第三平坦化层118可以使配置有复数个发光器件LED的基板110的上部平坦化，复数个发光器件LED可以由第三平坦化层118稳定地固定在第一开口部117a。第三平坦化层118可以由单层或复数层构成，例如，可以由丙烯酸(acryl)系有机物质构成，但不限于此。
像素电极PE可以配置在第三平坦化层118上。像素电极PE是用于电连接复数个发光器件LED和连接电极CE的电极。像素电极PE可以通过形成于第三平坦化层118的接触孔来与第一开口部117a的发光器件LED和第二开口部117b的连接电极CE电连接。因此，通过像素电极PE，发光器件LED的第二电极135、连接电极CE以及第二晶体管TR2可以电连接。
高电位电源配线VDD的第三层VDD3可以配置在第三平坦化层118上。第三层VDD3可以电连接配置于不同列的第一层VDD1和第二层VDD2。例如，第三层VDD3在复数个子像素SP之间沿行方向延伸，可以将沿列方向延伸的高电位电源配线VDD的复数个第二层VDD2彼此电连接。此外，复数个高电位电源配线VDD通过第三层VDD3以网状形态连接，从而具有能够降低电压下降现象的技术效果。
黑色矩阵BM可以配置在第三平坦化层118上。黑色矩阵BM可以配置在第三平坦化层118上的复数个子像素SP之间。黑色矩阵BM可以减少复数个子像素SP之间的混色。黑色矩阵BM可以由不透明的物质构成，例如，可以由黑色树脂(black resin)构成，但不限于此。
保护层119可以配置在像素电极PE、第三平坦化层118、黑色矩阵BM上。保护层119是用于保护保护层119下方的构成的层，可以由透光性环氧树脂、硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。
另一方面，在第一开口部117a处，复数个第一组装配线121可以与复数个发光器件LED隔开，只有复数个第二组装配线122可以与复数个发光器件LED接触。为了防止在制造显示装置100的过程中，复数个发光器件LED与复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122两者均接触而产生的不良，可以在复数个第一组装配线121上形成第三钝化层116，仅使复数个第二组装配线122与复数个发光器件LED接触。以下，参照图4a和图4b，对实施例的显示装置100的制造方法进行详细说明。
图4a和图4b是用于说明实施例的显示装置的制造方法的工序图，是用于说明将复数个发光器件LED自组装到第一开口部117a的工序的工序图。
参照图4a，将发光器件LED投入到填充有流体WT的腔室CB。流体WT可以包括水等，填充有流体WT的腔室CB可以是上部开放的形状。
接着，可以将母基板10定位到填充有发光器件LED的腔室CB上。母基板10是由形成显示装置100的复数个基板110构成的基板，在复数个发光器件LED自组装时，可以使用形成至复数个组装配线120和第二平坦化层117的母基板10。
此外，将形成至第一组装配线121、第二组装配线122以及第二平坦化层117的母基板10定位到腔室CB上或者投入到腔室CB内。在此情况下，可以将母基板10定位成，使第二平坦化层117的第一开口部117a和流体WT彼此面对。
接着，可以在母基板10上设置磁铁MG。沉入到腔室CB的底部或漂浮的复数个发光器件LED可以在磁铁MG的磁力的作用下向母基板10侧移动。
在此情况下，发光器件LED可以包括磁性体以便通过磁场移动。例如，发光器件LED的第一电极134或第二电极135可以包括诸如铁或钴、镍的强磁性体物质。
接着，通过磁铁MG移动到第二平坦化层117侧的发光器件LED可以通过由第一组装配线121和第二组装配线122形成的电场自组装到第一开口部117a。
在复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以施加有交流电压而形成电场。在这种电场的作用下，发光器件LED可以介电极化而具有极性。此外，介电极化的发光器件LED可以在介电电泳(Dielectrophoresis；DEP)、即电场的作用下朝特定方向移动或者被固定。因此，可以利用介电电泳来将复数个发光器件LED固定到第二平坦化层117的第一开口部117a内。
接着，在利用复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122的电场来在第一开口部117a内固定发光器件LED的状态下，可以将母基板10翻转180°。在实施例中，可以在向复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122施加电压的状态下翻转母基板10，然后进行后续工序。
此外，在发光器件LED的第一电极134定位到第二组装配线122上的状态下，可以通过向发光器件LED施加热和压力来将发光器件LED接合到第二组装配线122。例如，发光器件LED的第一电极134可以与第二组装配线122通过共晶接合(eutectic bonding)来接合。共晶接合是基于高温下的热压的接合方式，是非常牢固且可靠性非常高的接合工艺中的一种。共晶接合方式不仅可以实现高接合强度，而且具有无需从外部涂布额外的粘合物的优点。但是，除了共晶接合之外，复数个发光器件LED的接合方式也可以多样地构成，并且不限于此。
另一方面，复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以在制造显示装置100时被施加彼此不同的电压，或者可以在驱动显示装置100时施加相同的电压。为此，在制造显示装置100时，复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122连接于彼此不同的组装焊盘，从而可以施加彼此不同的电压。
因此，在将母基板10定位到投入复数个发光器件LED的腔室CB之后，可以通过复数个组装焊盘向复数个组装配线120施加交流电压来形成电场，从而可以将复数个发光器件LED容易地自组装到第二平坦化层117的第一开口部117a。
另一方面，在按复数个子像素SP自组装复数个发光器件LED的情况下，可以将配置于复数个红色子像素SPR的复数个组装配线120、配置于复数个绿色子像素SPG的复数个组装配线120、配置于复数个蓝色子像素SPB的复数个组装配线120连接到彼此不同的组装焊盘。
通过复数个组装焊盘，可以选择性地仅向复数个子像素SP中的特定子像素SP自组装发光器件LED。完成自组装的母基板10可以通过切割来分离成复数个基板110。之后，通过将复数个第一组装配线121连接到一起的链路配线和将复数个第二组装配线122连接到一起的链路配线，可以向复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122容易地施加相同的电压。
在实施例的显示装置100中，可以将用于自组装复数个发光器件LED的复数个组装配线120中的至少一部分用作向复数个发光器件LED施加低电位电源电压的配线。在制造显示装置100时，可以利用磁场来使在流体WT内漂浮的复数个发光器件LED移动到母基板10附近。
接着，可以通过向复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122施加彼此不同的电压来形成电场，复数个发光器件LED可以在电场的作用下自组装到复数个第一开口部117a内。
在此情况下，通过在第一开口部117a内将发光器件LED的第一电极134接合到一部分露出的第二组装配线122，而不是额外形成供应低电位电压的配线并将其连接到已自组装的复数个发光器件LED，可以在驱动显示装置100时，将复数个组装配线120用作向复数个发光器件LED供应低电位电压的配线。因此，在实施例的显示装置100中，可以将复数个组装配线120用作用于复数个发光器件LED的自组装以及复数个发光器件LED的驱动的配线。
在实施例的显示装置100中，复数个组装配线120包括包覆层，从而能够减少复数个组装配线120的腐蚀或短路不良。复数个第一组装配线121由第一导电层121a和包围第一导电层121a并比第一导电层121a耐腐蚀的第一包覆层121b构成，复数个第二组装配线122由第二导电层122a和包围第二导电层122a并比第二导电层122a耐腐蚀的第二包覆层122b构成。在制造显示装置100时，可以通过将形成有复数个组装配线120的母基板10定位到流体WT内来自组装复数个发光器件LED。
在此情况下，第一导电层121a和/或第二导电层122a在流体WT内露出，使得组装配线120可能被腐蚀，由此可能会发生短路不良。因此，可以由第二钝化层115和第一包覆层121b覆盖复数个第一组装配线121的第一导电层121a，可以由第三钝化层116和第二包覆层122b覆盖复数个第二组装配线122的第二导电层122a。因此，复数个组装配线120由包括第一包覆层121b和第二包覆层122b的结构形成，从而能够提高复数个组装配线120的可靠性。
接着，图5是第二实施例的显示装置的剖视图。与图1至图3的显示装置100相比，图5的显示装置500具有不同的第三钝化层516，以这样的特征为中心进行描述。参照图5，第一组装配线121的第一导电层121a和第二组装配线122的第二导电层522a可以与第二平坦化层117重叠。第二平坦化层117可以覆盖第一组装配线121的第一导电层121a和第二组装配线522的第一导电层522a，第一导电层121a和第二导电层522a可以与第一开口部117a隔开。
第一组装配线121的第一包覆层121b可以配置成在第一导电层121a和第二平坦化层117之间覆盖第一导电层121a。此外，代替与第一开口部117a不重叠的第一导电层121a，第一包覆层121b可以向第一开口部117a侧延伸，并形成用于自组装发光器件LED的电场。
第一包覆层121b的一部分与第二平坦化层117重叠，可以覆盖第一导电层121a的顶面和侧面。此外，第一包覆层121b的其余部分可以向第一开口部117a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。但是，由于第三钝化层516配置在第一包覆层121b上，因此第一包覆层121b不会与发光器件LED的第一电极134相接。
复数个第二组装配线522的第二包覆层522b可以配置成在第二导电层522a和第二平坦化层117之间覆盖第二导电层522a。此外，代替与第一开口部117a不重叠的第二导电层522a，第二包覆层522b可以向第一开口部117a侧延伸，并与第一包覆层121b一起形成用于自组装发光器件LED的电场。
第二包覆层522b的一部分可以与第二平坦化层117重叠，并且可以覆盖第二导电层522a的顶面和侧面。第二包覆层522b的其余部分可以向第一开口部117a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。在此情况下，由于第二包覆层522b配置在第三钝化层516上，因此第二包覆层522b和复数个发光器件LED的第一电极134可以彼此相接，并且可以向发光器件LED供应来自第二组装配线522的低电位电源电压。
如前所述，可以增加第三钝化层516的厚度，以防止在第二导电层522a和第二包覆层522b的图案化(patterning)过程中，第一包覆层121a和第一导电层121a被蚀刻液损伤。厚度增加的第三钝化层516具有即使被第二导电层522a和第二包覆层522b的蚀刻液蚀刻一定程度，也能够在台阶区域SA保持与第一导电层121a和第一包覆层121b的绝缘特性的技术效果。
为了保持发光器件LED的组装特性，厚度增加的第三钝化层516可以在第一开口部117a内进一步蚀刻。
因此，第三钝化层516的厚度可以在第一开口部117a内的区域具有第一厚度D1，可以在第一开口部117a外的区域具有第二厚度D2。第三钝化层516的第一厚度D1与第二厚度D2不同，第一厚度D1可以比第二厚度D2薄。例如，第三钝化层516的第二厚度D2可以是第一厚度D1的两倍以上。
在第二实施例的显示装置500中，通过增加第三钝化层516的厚度，具有能够防止第三钝化层516的绝缘特性破坏以及第一导电层121a和第一包覆层121b的损伤的技术效果。
另外，复数个第一组装配线121可以包括第一导电层121a和比第一导电层121a更耐腐蚀的第一包覆层121b，复数个第二组装配线522可以包括第二导电层522a和比第二导电层522a更耐腐蚀的第二包覆层522b。
在此情况下，第一包覆层121b、第二包覆层522b以及第二平坦化层117形成为覆盖耐腐蚀相对较弱的第一导电层121a和第二导电层522a，从而可以使第一导电层121a和第二导电层522a不在流体WT内露出。此外，代替由第二平坦化层117覆盖的第一导电层121a和第二导电层522a，第一包覆层121b和第二包覆层522b可以向第一开口部117a的内侧延伸，形成引导发光器件LED的自组装的电场。
另外，在完成自组装之后，通过在延伸到第一开口部117a的内侧的第二包覆层522b上接合发光器件LED的第一电极134来电连接第二组装配线522和发光器件LED。因此，在第二实施例的显示装置500中，仅有复数个组装配线520中的每一个组装配线的第一包覆层121b和第二包覆层522b配置在第一开口部117a，从而具有能够减少复数个组装配线520的腐蚀和短路不良的技术效果。
在第二实施例的显示装置500中，通过第一开口部117a中的第一包覆层121b和第二包覆层522b之间的较低的台阶，能够容易地执行复数个发光器件LED的接合工序。具体而言，在安置复数个发光器件LED的第一开口部117a内，可以仅配置复数个组装配线520中的第一包覆层121b和第二包覆层522b。在此情况下，第一包覆层121b和第二包覆层522b具有比第一导电层121a和第二导电层522a更薄的厚度。
因此，在将复数个发光器件LED定位到第一开口部117a内的情况下，可以使复数个发光器件LED和第一包覆层121b之间的间隔、即复数个发光器件LED以不稳定的状态漂浮在第一包覆层121b上的中空空间上的情况最小化，从而具有能够使复数个发光器件LED稳定地接合在第二包覆层522b上的技术效果。
图6是第三实施例的显示装置的剖视图。第三实施例可以采用第二实施例的特征。
参照图6，第一组装配线121的第一导电层121a可以配置在第二钝化层115和第三钝化层616之间，第一包覆层121b可以配置在第一导电层121a和第三钝化层616之间。
第一包覆层121b的一部分可以与第一组装配线121的顶面相接，并且可以与第二平坦化层117重叠。第一包覆层121b的其余部分可以向第一开口部117a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。
第二组装配线622的第二导电层622a可以配置在第三钝化层616上，第二包覆层622b可以配置在第二导电层622a上。
第二包覆层622b的一部分可以在与第二导电层622a重叠的同时与第二平坦化层117重叠。第二包覆层622b的其余部分可以向第一开口部117a内侧延伸并与发光器件LED电连接。即，可以使复数个发光器件LED的第一电极134仅与第二包覆层622b电连接。
在第一组装配线121和第三钝化层616之间可以配置有第四钝化层615，以防止在第二导电层622a和第二包覆层622b的图案化过程中，第三钝化层616被蚀刻液损伤。第四钝化层615可以覆盖第一开口部117a周边的台阶区域SA，并且可以配置在最小区域。
具体而言，第四钝化层615可以配置为覆盖第一包覆层122b并与第一开口部117a和第二导电层622a重叠。另外，第四钝化层615的绝缘特性和覆盖台阶特性可以比第三钝化层615优异。例如，第三钝化层615为硅氧化物(SiOx)的情况下，第四钝化层615可以是硅氮化物(SiNx)，但不限于此。
第四钝化层615的配置区域不限于上述区域，也可以配置成覆盖台阶区域SA和第一导电层121a。
第三钝化层615可以配置在第四钝化层615上。在此情况下，如图6所示，第三钝化层616可以是包括第一厚度D1和第二厚度D2的厚度增加的层，但不限于此，如图3所示，也可以是仅具有第一厚度D1的第三钝化层616。
在第三实施例的显示装置600中，通过将第四钝化层615配置成覆盖第一开口部117a周边和台阶区域SA，能够防止第一包覆层121b和第一导电层121a的损伤，并且能够保持发光器件130的组装特性。
接着，图7是第四实施例的显示装置的剖视图。第四实施例可以采用第二实施例和第三实施例的特征。
参照图7，第一组装配线121的第一导电层121a可以配置在第二钝化层115上，第一包覆层121b可以配置成覆盖第一导电层121a。第一包覆层121b可以覆盖第一导电层121a的顶面和侧面，并且可以向第二平坦化层117的第一开口部117a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。
第一包覆层121b的一部分可以与第一组装配线121的顶面相接，并且可以与第二平坦化层117重叠。第一包覆层121b的其余部分可以向第一开口部117a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。
第二组装配线722的第二导电层722a可以配置在第三钝化层716上，第三包覆层722c可以配置在第三钝化层716的下方。第三钝化层716可以配置在第三包覆层722c和第二导电层722a之间。第三包覆层722c可以配置在第二导电层722a的下方，并且可以通过形成于第三钝化层716的接触孔来与第二导电层722a电连接。
第三包覆层722c的一部分可以在与第二导电层722a重叠的同时与第二平坦化层117重叠。第三包覆层722c的其余部分可以向第一开口部117a的内侧延伸并与发光器件LED电连接。
第三包覆层722c可以通过与第一包覆层121b相同的工艺来形成，并且可以在同一平面上由相同的物质构成。因此，能够降低第三包覆层722c和第一包覆层121b之间的工艺偏差。
第三钝化层716可以配置在第一包覆层121b和第三包覆层722c上，第二导电层722a可以配置在第三钝化层716上，第二包覆层722b可以配置成覆盖第二导电层722a。
第三钝化层716形成为能够保持台阶区域SA的绝缘特性的程度的充分的厚度，从而能够防止在第三钝化层716上进行第二导电层722a的图案化时对第一组装配线121的损伤。接着，在对第二导电层722a进行图案化之后，在第一开口部117a区域进行用于减小第三钝化层716的厚度的蚀刻工序。
第三钝化层716的厚度可以在第一开口部117a内的区域具有第一厚度D1，可以在第一开口部117a外的区域具有第二厚度D2。第三钝化层716的第一厚度D1与第二厚度D2不同，第一厚度D1可以比第二厚度D2薄。
例如，第三钝化层716的第二厚度D2可以是第一厚度D1的两倍以上。在第一开口部117a区域，厚度减小的第三钝化层716具有能够在通过第一组装配线121和第二组装配线722来组装发光器件LED的工序中提高组装率的技术效果。
在图7中，发光器件LED与第三钝化层716不接触，发光器件LED飘浮在第三钝化层716上，但实际上，由于第三钝化层716的厚度与发光器件LED的大小相比非常薄，因此发光器件LED可以与第三钝化层716接触。
在第四实施例的显示装置700中，通过增加第三钝化层716的厚度，能够防止第三钝化层716的绝缘特性破坏以及第一导电层121a和第一包覆层121b的损伤。另外，通过以与第一包覆层121b相同的工艺且在与第一包覆层121b同一平面上形成第三包覆层722c，能够降低工艺偏差，并且通过在组装发光器件LED时，将第三包覆层722c用作电场形成电极的末端，具有能够提高电场的技术效果。
覆盖第二导电层722a的第二包覆层722b可以配置在第二导电层722a上。第二包覆层722b可以覆盖第二导电层722a的顶面和侧面。
此外，可以配置有覆盖第二包覆层722b和第三钝化层716的第二平坦化层117。第二平坦化层117可以配置成覆盖第二包覆层722b的至少一部分。第二包覆层722b的一部分可以在第二平坦化层117的第一开口部117a露出。
代替由第二平坦化层117覆盖的第一导电层121a和第二导电层722a，第一包覆层121b、第二包覆层722b以及第三包覆层722c可以向第一开口部117a内侧延伸，形成引导发光器件LED的自组装的电场。另外，在自组装完毕后，通过在向第一开口部117a的内侧延伸的第二包覆层522b上接合发光器件LED的第一电极134，能够使第二组装配线722和发光器件LED电连接。
因此，在第四实施例的显示装置700中，通过仅使复数个组装配线720中的第一包覆层121b、第二包覆层722b以及第三包覆层722c配置在第一开口部117a，具有能够减少复数个组装配线720的腐蚀和短路不良的技术效果。
图8是第五实施例的显示装置的剖视图。第五实施例可以采用第二实施例至第四实施例的特征。参照图8，第一组装配线121的第一导电层121a可以配置在第二钝化层115上，第一包覆层121b可以配置成覆盖第一导电层121a。第一包覆层121b可以覆盖第一导电层121a的顶面和侧面，并且可以向第四平坦化层127的第三开口部127a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。
第一包覆层121b的一部分可以与第一组装配线121的顶面相接并与第二平坦化层117重叠。第一包覆层121b的其余部分可以向第三开口部127a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。
第二组装配线722的第二导电层822a可以配置在第三钝化层816上，第三包覆层822c可以配置在第三钝化层816的下方。在第三包覆层822c和第二导电层822a之间可以配置有第三钝化层816。第三包覆层822c可以配置于第二导电层822a的下方，并且可以通过形成于第三钝化层816的接触孔来与第二导电层822a电连接。
第三包覆层822c的一部分可以在与第二导电层822a重叠的同时与第二平坦化层117和第四平坦化层127重叠。第三包覆层822c的其余部分可以向第三开口部127a的内侧延伸并与发光器件LED电连接。
第三包覆层822c可以通过与第一包覆层121b相同的工艺来形成，并且可以在同一平面上由相同的物质构成。因此，能够降低第三包覆层822c和第一包覆层121b之间的工艺偏差。
第三钝化层816可以配置在第一包覆层121b和第三包覆层822c上，第二导电层822a可以配置在第三钝化层816上，第二包覆层822b可以配置成覆盖第二导电层822a。
在第五实施例的显示装置800中，可以包括配置在使将要配置发光器件LED的区域露出的第二平坦化层117的侧面的反射层850。反射层850由能够反射发光器件LED产生的光的金属物质形成，因此第二包覆层822b可以包括开口部，以使反射层850能够浮置而不与第二包覆层822b发生短路。反射层850可以配置在第二包覆层822b的开口部并与第三钝化层816接触。例如，反射层850可以包括铝(Al)等，但不限于此。
第二包覆层822b的开口部可以将第二包覆层822b分隔为两个部分。为了使分隔成两个的第二包覆层822b电连接，可以在第三钝化层816形成复数个接触孔，通过第三钝化层816的复数个接触孔，分隔成两个的第二包覆层822b分别可以与第三包覆层822c连接。具体而言，形成在第三钝化层816的复数个接触孔形成在第二包覆层822b的开口部周边，与反射层850不重叠。与第二平坦化层117重叠的第二包覆层822b可以通过第三钝化层816的一接触孔来与第三包覆层822c连接，第三包覆层822c可以通过第三钝化层816的另一接触孔来和与第二平坦化层117的开口部重叠的第二包覆层822b连接。在此情况下，第三包覆层822c可以不通过第三钝化层816的接触孔来与第二导电层822a连接。另外，第三包覆层822c也可以不延伸至第三开口部127a。
第三钝化层816形成为能够保持台阶区域SA的绝缘特性的程度的充分的厚度，从而能够防止在第三钝化层816上进行第二导电层822a的图案化时对第一组装配线121的损伤。在对第二导电层822a进行图案化之后，在第三开口部127a区域进行用于减小第三钝化层816的厚度的蚀刻工序。
第三钝化层816的厚度可以在第三开口部127a内的区域具有第一厚度D1，可以在第三开口部127a外的区域具有第二厚度D2。第三钝化层816的第一厚度D1与第二厚度D2不同，第一厚度D1可以比第二厚度D2薄。
例如，第三钝化层816的第二厚度D2可以是第一厚度D1的两倍以上。在第三开口部127a区域，厚度减小的第三钝化层816具有能够在通过第一组装配线121和第二组装配线822来组装发光器件LED的工序中提高组装率的技术效果。
如图7中所述，在图8中，发光器件LED与第三钝化层816不接触，发光器件LED飘浮在第三钝化层816上，但实际上，由于第三钝化层816的厚度与发光器件LED的大小相比非常薄，因此发光器件LED可以与第三钝化层816接触。
第二平坦化层117可以配置在设置有开口部的第二包覆层822b和第三钝化层816上。第二平坦化层117与第一导电层121a和第二导电层822a重叠，并且第二平坦化层117的与第一包覆层121b的一部分和第二包覆层822b的一部分区域重叠的发光器件LED配置区域可以具有开口部以便露出。
在第二平坦化层117的开口部周边，反射层850可以配置在第二平坦化层117的侧面。第一反射层850a可以与第三钝化层816接触，第二反射层850b可以通过第二包覆层822b的开口部来与第三钝化层816接触。第一反射层850a和第二反射层850b可以配置成彼此连接并包围第二平坦化层117的开口部。在反射层完全包围第二平坦化层117的开口部的情况下，能够显著减少发光器件LED中产生的光的损失。
在反射层850和第二平坦化层117上可以配置有用于保护反射层850的第四平坦化层127。第四平坦化层127包括使发光器件LED配置区域的第二包覆层822b露出的第三开口部127a。例如，第四平坦化层127可以由丙烯酸(acryl)系有机物质构成，但不限于此。
在第五实施例的显示装置800中，通过增加第三钝化层816的厚度，能够防止第三钝化层816的绝缘特性破坏以及第一导电层121a和第一包覆层121b的损伤。另外，通过在配置有发光器件LED的开口部周边配置反射层850，具有能够减少从发光器件LED产生的光的损失的技术效果。
图9是第六实施例的显示装置的剖视图。第六实施例可以采用第二实施例至第五实施例的特征。
参照图9，第一组装配线121的第一导电层121a和第二组装配线522的第二导电层522a与第二平坦化层117重叠。第二平坦化层117可以覆盖第一组装配线121的第一导电层121a和第二组装配线522的第一导电层522a两者，第一导电层121a和第二导电层522a可以与第三开口部127a隔开。
第一组装配线121的第一包覆层121b可以配置成在第一导电层121a和第二平坦化层117之间覆盖第一导电层121a。此外，代替与第三开口部137a不重叠的第一导电层121a，第一包覆层121b可以向第三开口部127a侧延伸，并形成用于自组装发光器件LED的电场。
第一包覆层121b的一部分与第二平坦化层117重叠，可以覆盖第一导电层121a的顶面和侧面。此外，第一包覆层121b的其余部分可以向第三开口部127a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。但是，由于在第一包覆层121b上配置有第三钝化层816，因此第一包覆层121b不会与发光器件LED的第一电极134相接。
复数个第二组装配线522的第二包覆层522b可以配置成在第二导电层522a和第二平坦化层117之间覆盖第二导电层522a。此外，代替与第三开口部127a不重叠的第二导电层522a，第二包覆层522b可以向第三开口部127a侧延伸，并与第一包覆层121b一起形成用于自组装发光器件LED的电场。
第二包覆层522b的一部分与第二平坦化层117重叠，可以覆盖第二导电层522a的顶面和侧面。第二包覆层522b的其余部分可以向第三开口部127a的内侧延伸并与发光器件LED重叠。在此情况下，由于第二包覆层522b配置在第三钝化层816上，因此第二包覆层522b和发光器件LED的第一电极134可以彼此相接，可以向发光器件LED供应来自第二组装配线522的低电位电源电压。
第三钝化层816具有即使被第二导电层522a和第二包覆层522b的蚀刻液蚀刻一定程度，也能够在台阶区域SA保持与第一导电层121a和第一包覆层121b的绝缘特性的充分的厚度。
为了保持发光器件LED的组装特性，厚度增加的第三钝化层516可以在第三开口部127a内进一步蚀刻。
因此，第三钝化层816的厚度可以在第三开口部127a内的区域具有第一厚度D1，可以在第三开口部127a外的区域具有第二厚度D2。第三钝化层816的第一厚度D1与第二厚度D2不同，第一厚度D1可以比第二厚度D2薄。例如，第三钝化层816的第二厚度D2可以是第一厚度D1的两倍以上
在第六实施例的显示装置900中，可以包括配置在使将要配置发光器件LED的区域露出的第二平坦化层117的侧面的反射层950。反射层950包括第一反射层950a和第二反射层950b，并且由能够反射发光器件LED中产生的光的金属物质形成。例如，反射层950可以包括铝(Al)等，但不限于此。
第一反射层950a和第二反射层950b彼此隔开配置，并且分别与第一包覆层121b和第二包覆层522b连接。具体而言，第一反射层通过第三钝化层816的接触孔来与第一包覆层121b连接，第二反射层950b连接在第二包覆层522b上。
在此情况下，通过将第一反射层950a和第二反射层950b彼此隔开并分别连接到组装配线，可以在组装发光器件LED时增加控制余量，从而具有能够容易地组装发光器件LED的技术效果。
在第六实施例的显示装置900中，通过增加第三钝化层916的厚度，能够防止第三钝化层916的绝缘特性破坏以及第一导电层121a和第一包覆层121b的损伤。另外，通过在配置有发光器件LED的开口部周边配置反射层950，能够减少从发光器件LED产生的光的损失，并且通过将反射层950分隔成两个并将其分别连接到第一组装配线121和第二组装配线522，具有能够在组装发光器件LED时提高控制余量的技术效果。
接着，图10是第七实施例的显示装置1000的剖视图。第七实施例可以采用第二实施例至第六实施例的特征。
例如，在第七实施例中，第三钝化层516在第一开口部117a内的区域具有第一厚度D1，并且第三钝化层516在第一开口部117a外的区域具有第二厚度D2，通过使第一厚度D1形成得比第二厚度D2薄，能够增强组装电极对发光器件的组装力，并且通过使第二厚度D2形成得比第一厚度D1厚，具有能够防止第三钝化层516的绝缘特性破坏以及第一导电层121a和第一包覆层121b的损伤的技术效果。
另一方面，内部研究表明，在组装分隔壁的上端比组装的发光器件的上端低的情况下，可能产生新的半导体发光器件与已组装的半导体发光器件发生碰撞的问题。因此，需要提高组装分隔壁的高度的技术。
以下，以第七实施例的主要特征为中心进行说明。
参照图10，在发光器件组装到第二平坦化层的第一开口部117a之后，第三绝缘层200可以配置在第二平坦化层117上。第三绝缘层200可以配置成与第一开口部不重叠。由于配置有第三绝缘层200，因此在组装孔区域外的区域，绝缘层较厚地形成，从而能够防止在组装孔区域以外的区域产生介电泳力(DEP force)。因此，介电泳力集中在组装孔内，因此能够提高对发光器件的组装力。
另外，在组装孔以外的区域，介电泳力较小，并且第三绝缘层200阻碍了通往第一开口部117a的路径，从而新的发光器件可能很难接近组装孔区域。
由此，新的发光器件与已组装的发光器件发生碰撞的危险降低，从而具有已组装的发光器件能够被第三绝缘层200保护的技术效果。
接着，图11是第八实施例的显示装置1100的剖视图。第八实施例可以采用第二实施例、第三实施例、第六实施例、第七实施例的特征。
例如，在第八实施例中，第三钝化层516在第一开口部117a内的区域具有第一厚度D1，并且第三钝化层516在第一开口部117a外的区域具有第二厚度D2，通过使第一厚度D1形成得比第二厚度D2薄，能够增强组装电极对发光器件的组装力，并且通过使第二厚度D2形成得比第一厚度D1厚，具有能够防止第三钝化层516的绝缘特性破坏以及第一导电层121a和第一包覆层121b的损伤的技术效果。以下，以第八实施例的主要特征为中心进行说明。
参照图11，第一组装配线1021的第一包覆层1021b可以从第一导电层1021a朝第二组装配线1022方向延伸。另外，第二组装配线的第二包覆层1022b可以从第二导电层1022a朝第一组装配线1021方向延伸。
在第八实施例中，第一包覆层1021b和第二包覆层1022b隔着第三钝化层116配置，可以上下重叠。
另一方面，第二包覆层1022b可以在与发光器件LED和第一包覆层1021b重叠的区域具有规定的电极孔1023。电极孔1023的宽度可以小于发光器件LED的宽度。
另外，可以通过在第一包覆层1021b和第二包覆层1022b施加交流电压来形成电场。
基于这样的电场的介电泳力可以集中在设置于第二包覆层1022b内的电极孔1023。
通过集中的介电泳力(DEP force)，发光器件LED可以自组装到第一开口部117a内。
由于组装配线1021、1022垂直重叠，因此具有增强对发光器件LED的组装力的技术效果。不仅如此，第一开口部117a与第一导电层1021a和第二导电层1022a不垂直重叠，从而具有能够减小面板的厚度的技术效果。
另一方面，第二包覆层1022b可以配置在发光器件LED的下方。另外，第二包覆层1022b可以与发光器件LED的第一电极134相接。
因此，随着第二包覆层1022b配置在发光器件LED的第一电极134的底面，发光器件LED被均匀地支撑，并且彼此之间确保了较大的电接触面积，从而提高了载流子注入效率，继而具有提高发光效率并提高亮度的复合技术效果。
接着，图12是详细示出第八实施例的显示装置1100中的组装配线1020的图。
参照图12，在第八实施例中，第一包覆层1021b的一部分和第二包覆层1022b的一部分可以上下重叠。例如，第一包覆层1021b可以包括第1-1包覆层1021b1、第1-2包覆层1021b2以及第1-3包覆层1021b3。第1-2包覆层1021b2可以是从第1-1包覆层1021b1朝第二包覆层1022b方向延伸的凸出电极。
另外，第二包覆层1022b可以包括第2-1包覆层1022b1、第2-2包覆层1022b2以及第2-3包覆层1022b3。第2-2包覆层1022b2可以是从第2-1包覆层1022b1朝第一包覆层1021b方向延伸的凸出电极。
此时，第1-2包覆层1021b2和第2-2包覆层1022b2可以垂直重叠。
另外，第2-2包覆层1022b2可以具有电极孔1023。由此，介电泳力可以集中形成在第二包覆层1022b的电极孔1023，并且介电泳力均匀地分布在组装孔1023，从而具有提高组装力的技术效果。另外，连接第2-1包覆层1022b1和第2-2包覆层1022b2的第2-3包覆层1022b3可以配置成具有倾斜面。由此，第二导电层1022a配置在第一开口部117a外的区域，从而具有能够减小面板的厚度的技术效果。
以上所述的实施例的包括半导体发光器件的显示装置通过增加配置于第一组装配线和第二组装配线之间的绝缘层的厚度来防止绝缘层的绝缘特性被破坏，并且通过减小配置在第一组装配线上的绝缘层的厚度，具有能够利用复数个组装配线来容易地自组装发光器件的技术效果。
另外，实施例具有能够减少复数个组装配线的腐蚀以及短路不良的技术效果。
例如，通过在复数个组装配线的台阶区域上配置绝缘层，能够减少腐蚀和短路不良。另外，通过利用耐腐蚀的包覆层，能够预防导电层的腐蚀。
另外，实施例通过减小复数个组装配线之间的台阶，具有能够稳定地接合复数个发光器件的技术效果。
另外，实施例通过以垂直型对称结构配置复数个组装配线，具有能够加强对发光器件的组装力的技术效果。
另外，实施例通过一个组装配线来支撑发光器件，具有解决发光器件倾斜的问题的技术效果。
另外，实施例通过使绝缘层在组装孔以外的区域形成得较厚，具有能够提高组装效率和能够保护已组装的发光器件的技术效果。
以上所述的详细说明在所有方面上不应被解释为限制性的，而是应当被理解为是示例性的。实施例的范围应由所附的权利要求的合理解释来确定，实施例的等同范围内的所有变更包括在实施例的范围。
[附图标记说明]
10：母基板
AA：显示区域
NA：非显示区域
SP：子像素
SPR：红色子像素
SPG：绿色子像素
SPB：蓝色子像素
100、500、600、700、800、900、1000、1100：显示装置
110：基板
111：缓冲层
112：栅极绝缘层
113：第一钝化层
114：第一平坦化层
115：第二钝化层
116、516、616、716、816、916：第三钝化层
117：第二平坦化层
200：第三绝缘层
117a：第一开口部
117b：第二开口部
127a：第三开口部
118：第三平坦化层
119：保护层
120、520、620、720、920、1020：组装配线
121、1021：第一组装配线
121a、1021a：第一导电层
121b、1021b：第一包覆层
122、522、622、722、822、1022：第二组装配线
122a、522a、622a、722a、822a、1022a：第二导电层
122b、522b、622b、722b、822b、1022b：第二包覆层
1021b1：第1-1包覆层
1021b2：第1-2包覆层
1021b3：第1-3包覆层
1022b1：第2-1包覆层
1022b2：第2-2包覆层
1022b3：第2-3包覆层
1023：电极孔
722c、822c：第三包覆层
127：第四平坦化层
127a：第三开口部
LED：发光器件
130：红色发光器件
131：第一半导体层
132：发光层
133：第二半导体层
134：第一电极
135：第二电极
140：绿色发光器件
150：蓝色发光器件
LS：遮光层
SL：扫描配线
DL：数据配线
RL：基准配线
VDD：高电位电源配线
VDD1：第一层
VDD2：第二层
VDD3：第三层
TR1：第一晶体管
ACT1：第一有源层
GE1：第一栅极电极
SE1：第一源极电极
DE1：第一漏极电极
TR2：第二晶体管
ACT2：第二有源层
GE2：第二栅极电极
SE2：第二源极电极
DE2：第二漏极电极
TR3：第三晶体管
ACT3：第三有源层
GE3：第三栅极电极
SE3：第三源极电极
DE3：第三漏极电极
SA：台阶区域
ST：存储电容器
ST1：第一电容器电极
ST2：第二电容器电极
CE：连接电极
CE1：第一连接层
CE2：第二连接层
PE：像素电极
BM：黑色矩阵
CB：腔室
WT：流体
MG：磁铁
PL：组装配线连接部
工业利用性
实施例可以应用于显示图像或信息的显示领域。
实施例可以应用于利用半导体发光器件来显示图像或信息的显示领域。
实施例可以应用于利用微米级或纳米级半导体发光器件来显示图像或信息的显示领域。

Claims (20)

1.一种包括半导体发光器件的显示装置，其中，所述显示装置包括：
基板；
第一组装配线和第二组装配线，在所述基板上交替配置且彼此隔开；
第一绝缘层，配置在所述第一组装配线和所述第二组装配线之间，具有彼此不同的第一厚度和第二厚度；
平坦化层，配置在所述第一组装配线和所述第二组装配线上，具有第一开口部；以及
发光器件，配置在所述第一开口部内侧，第一电极与所述第一组装配线和所述第二组装配线重叠；
所述第一电极与所述第一组装配线和所述第二组装配线中的一方电连接。
2.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一厚度是所述第一绝缘层在所述第一开口部内的区域中的厚度，
所述第二厚度是所述第一绝缘层在所述第一开口部外的区域中的厚度，
所述第二厚度比所述第一厚度厚。
3.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线包括：
第一导电层，配置在所述基板上；以及
第一包覆层，与所述第一导电层相接；
所述第二组装配线包括：
第二导电层，配置在所述第一绝缘层上；以及
第二包覆层，与所述第二导电层相接；
所述第一电极与所述第二包覆层相接。
4.根据权利要求3所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一导电层和所述第二导电层与所述平坦化层重叠，
所述第一包覆层的一部分和所述第二包覆层的一部分配置在所述第一开口部的内侧。
5.根据权利要求4所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第二包覆层在所述第一导电层上覆盖所述第一导电层。
6.根据权利要求4所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括第三包覆层，所述第三包覆层在所述第一绝缘层下方配置在与所述第一包覆层同一平面上，
所述第三包覆层通过设置在所述第一绝缘层的接触孔来与所述第二导电层连接。
7.根据权利要求4所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括在所述第一包覆层上覆盖所述第一包覆层的第二绝缘层。
8.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括在所述第一开口部配置于所述平坦化层的侧面的反射层。
9.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括配置在所述平坦化层上的第三绝缘层。
10.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线与所述第二组装配线垂直重叠，
所述第二组装配线在与所述第一组装配线垂直重叠的区域包括电极孔。
11.一种包括半导体发光器件的显示装置，其中，所述显示装置包括：
基板，限定复数个子像素；
第一组装配线，沿复数个所述子像素中配置在同一线上的复数个子像素配置；
第二组装配线，沿复数个所述子像素中配置在同一线上的复数个子像素配置，分别与所述第一组装配线相邻配置；
平坦化层，包括与所述第一组装配线和所述第二组装配线重叠的第一开口部；
第一绝缘层，在所述第一组装配线上具有复数个厚度；以及
发光器件，在复数个所述子像素中分别配置在所述第一开口部，与所述第二组装配线电连接。
12.根据权利要求11所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一绝缘层在与所述第一开口部重叠的区域具有第一厚度，
所述第一绝缘层在与所述第一开口部不重叠的区域具有第二厚度，
所述第二厚度比所述第一厚度厚。
13.根据权利要求11所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第二组装配线配置在所述第一绝缘层上。
14.根据权利要求11所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线包括：
第一导电层；以及
第一包覆层，与所述第一导电层电连接；
所述第二组装配线包括：
第二导电层；以及
第二包覆层，与所述第二导电层电连接；
所述第一导电层和所述第一包覆层由彼此不同的物质构成；
所述第二导电层和所述第二包覆层由彼此不同的物质构成。
15.根据权利要求14所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一包覆层和所述第二包覆层均向所述第二开口部的内侧延伸。
16.根据权利要求11所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一导电层和所述第一包覆层包括由所述第一导电层的厚度产生的台阶区域，
所述显示装置还包括配置在所述第一组装配线上并与所述台阶区域重叠的第二绝缘层。
17.根据权利要求16所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第二绝缘层配置在所述第一开口部。
18.根据权利要求16所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第二绝缘层与所述第一组装配线重叠。
19.根据权利要求11所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括配置在所述平坦化层上的第三绝缘层。
20.根据权利要求11所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线与所述第二组装配线垂直重叠，
所述第二组装配线在与所述第一组装配线垂直重叠的区域包括电极孔。
CN202280046312.9A 2021-06-30 2022-06-24 包括半导体发光器件的显示装置 Pending CN117716497A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20210085627 2021-06-30
KR10-2021-0085627 2021-06-30
PCT/KR2022/009066 WO2023277466A1 (ko) 2021-06-30 2022-06-24 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117716497A true CN117716497A (zh) 2024-03-15

Family

ID=84691940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280046312.9A Pending CN117716497A (zh) 2021-06-30 2022-06-24 包括半导体发光器件的显示装置

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP4365950A1 (zh)
KR (1) KR20240026143A (zh)
CN (1) CN117716497A (zh)
WO (1) WO2023277466A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101987196B1 (ko) * 2016-06-14 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 구조체, 픽셀 구조체를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법
US20180190672A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 Innolux Corporation Display device
KR102582613B1 (ko) * 2018-07-10 2023-09-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR102173349B1 (ko) * 2019-06-28 2020-11-03 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
KR20200026845A (ko) * 2020-02-20 2020-03-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240026143A (ko) 2024-02-27
WO2023277466A1 (ko) 2023-01-05
EP4365950A1 (en) 2024-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3573431B1 (en) Display device using semiconductor light-emitting element
KR20190097946A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
KR102206782B1 (ko) 디스플레이 장치
KR20190117413A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US20220278260A1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device
US20220293579A1 (en) Display device
US20230018566A1 (en) Display device and method for manufacturing display device
KR20240040698A (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN117716497A (zh) 包括半导体发光器件的显示装置
US20220028922A1 (en) Display device
CN117716507A (zh) 包括半导体发光器件的显示装置
CN117337492A (zh) 包括半导体发光器件的显示装置
CN117693817A (zh) 包括半导体发光器件的显示装置
EP4318583A1 (en) Display device comprising semiconductor light emitting element
EP4325569A1 (en) Display device comprising semiconductor light-emitting element
US20240204157A1 (en) Display device
KR20240090349A (ko) 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR20240090766A (ko) 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US20240178359A1 (en) Display device
US20240128243A1 (en) Display device
US20230299064A1 (en) Assembly substrate structure of semiconductor light emitting device display device and display device including the same
US20220238628A1 (en) Display device
CN117897817A (zh) 包括半导体发光器件的显示装置及其制造方法
JP2024066484A (ja) 表示装置
KR20240065862A (ko) 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication