CN117337492A - 包括半导体发光器件的显示装置 - Google Patents

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Abstract

实施例的包括半导体发光器件的显示装置包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，在基板上交替配置，彼此隔开；平坦化层，配置在第一组装配线和第二组装配线上，具有第一开口部；以及发光器件，配置在第一开口部的内侧，发光器件的第一电极与复数个第一组装配线和复数个第二组装配线重叠；第一电极可以与第一组装配线和第二组装配线中的一方电连接。

Description

包括半导体发光器件的显示装置
技术领域
实施例涉及显示装置，更详细而言，涉及一种利用半导体发光器件的显示装置。
背景技术
用于计算机的显示器、TV、手机等的显示装置有自行发光的有机发光显示器(Organic Light Emitting Display)等和需要额外的光源的液晶显示器(Liquid CrystalDisplay；LCD)、微LED显示器等。
微LED显示器是将作为具有100μm以下的直径或截面积的半导体发光器件的微LED用作显示器件的显示器。
微LED显示器将作为半导体发光器件的微LED用作显示器件，因此在明暗比、响应速度、颜色再现率、视野角、明度、分辨率、寿命、发光效率或亮度等很多特性上具有优异的性能。
尤其，微LED显示器可以以模块方式分离、结合画面，从而具有尺寸或分辨率调节自由的优点以及能够实现柔性显示器的优点。
然而，大型微LED显示器需要几百万个以上的微LED，因此存在难以将微LED快速且准确地转移到显示面板的技术问题。
另一方面，向基板转移半导体发光器件的方法有拾放工艺(pick and placeprocess)、激光剥离法(Laser Lift-off method)或自组装方式(self-assembly method)等。
其中，自组装方式作为半导体发光器件在流体内自行寻找组装位置的方式，是有利于实现大屏幕的显示装置的方式。
另一方面，在流体内转移发光器件的情况下，发生组装配线被流体腐蚀的问题。由于组装配线的腐蚀，可能会发生电短路，并且可能会发生组装不良的问题。
另外，在发光器件自组装时，由于组装配线之间的台阶差和间隔，存在对发光器件的组装力变弱的问题，由于组装配线的厚度，可能会发生基板变厚的问题。
另一方面，在内部非公开技术中，虽然尝试了利用介电泳(dielectrophoresis，DEP)的自组装方式的转移工艺，但是由于DEP力(DEP force，介电泳力)的不均匀性等，存在自组装率低的问题。
发明内容
发明所要解决的问题
实施例的技术课题在于，提供一种通过以多种形式实现组装配线来提高发光器件的组装率的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种能够防止组装配线的腐蚀的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种能够通过减小组装配线之间的台阶差来容易地接合发光器件的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种能够精确地控制组装配线之间的间隔的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种能够仅在一对组装配线中的一方电连接发光器件的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种对发光器件的组装力加强的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种去除寄生电容器的显示装置。
另外，实施例的技术课题在于，提供一种减小面板厚度的显示装置。
实施例的课题不限于以上提及的课题，还包括能够从说明书中掌握的课题。
解决问题的技术方案
实施例的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：基板；第一组装配线和第二组装配线，在所述基板上交替配置，彼此隔开；平坦化层，配置在所述第一组装配线和所述第二组装配线上，具有第一开口部；以及半导体发光器件，具有第一电极且配置在所述第一开口部的内侧，与所述第一组装配线和所述第二组装配线重叠。
所述半导体发光器件的第一电极可以与所述第一组装配线和所述第二组装配线中的一方电连接。
实施例还可以包括所述第一组装配线和所述半导体发光器件的第一电极之间的绝缘层。
所述第二组装配线可以在所述第一开口部处从所述绝缘层露出。
所述第一组装配线可以包括：第一导电层，配置在所述基板上；以及第一包覆层，与所述第一导电层相接。
所述第二组装配线可以包括：第二导电层，配置在所述绝缘层上；以及第二包覆层，与所述第二导电层相接。
所述半导体发光器件的第一电极可以与所述第二包覆层相接。
所述第一导电层的一部分、所述第一包覆层的一部分、所述第二导电层的一部分以及所述第二包覆层的一部分可以与所述第一开口部重叠。
所述第二包覆层可以配置在所述绝缘层上。
所述第一导电层和所述第二导电层可以与所述平坦化层重叠。
所述第一包覆层的一部分和所述第二包覆层的一部分可以配置在所述第一开口部的内侧。
所述第一包覆层可以配置在所述绝缘层的下方，所述第二包覆层可以配置在所述绝缘层上。
所述第一包覆层和所述第二包覆层在所述绝缘层的下方可以配置在同一平面上。
所述第二包覆层可以通过所述绝缘层的接触孔与所述绝缘层上的所述第二导电层电连接。
所述第一组装配线和所述第二组装配线可以配置在同一平面上。
所述第一组装配线的一部分和所述第二组装配线的一部分可以与所述第一开口部重叠，在所述第一开口部处所述第一组装配线的一部分的宽度与在所述第一开口部处所述第一组装配线和所述第二组装配线之间的宽度之和可以小于所述发光器件的高度。
实施例还包括可以凸出部，所述凸出部在所述第一开口部处从所述平坦化层的侧壁凸出，覆盖所述第一组装配线的一部分和所述第二组装配线的一部分。
实施例还可以包括与所述基板的有源区域电连接的接地用焊盘。
所述第一组装配线可以与所述第二组装配线垂直重叠，所述第二组装配线可以在与所述第一组装配线垂直重叠的区域中包括电极孔。
所述第一组装配线可以包括第一导电层和所述第一导电层上的第一包覆层，所述第二组装配线可以包括第二导电层和所述第二导电层上的第二包覆层。
所述第一包覆层可以包括第1-1包覆层和从所述第1-1包覆层延伸的第1-2包覆层。
所述第二包覆层可以包括第2-1包覆层和从所述第2-1包覆层延伸的第2-2包覆层。
可以包括所述第1-2包覆层和所述第2-2包覆层上下重叠的半导体发光器件。
所述第2-2包覆层可以包括所述电极孔。
另外，实施例的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：基板，限定复数个子像素；第一组装配线，沿复数个所述子像素中配置在同一线上的复数个子像素配置；第二组装配线，沿复数个所述子像素中配置在同一线上的复数个子像素配置，与所述第一组装配线相邻配置；平坦化层，包括与所述第一组装配线和所述第二组装配线重叠的第一开口部；以及发光器件，在复数个所述子像素中分别配置在所述第一开口部处，与所述第二组装配线电连接。
所述发光器件可以在所述第一开口部处与所述第二组装配线接合。
每个所述第一组装配线可以包括：第一导电层；以及第一包覆层，与所述第一导电层电连接。
每个所述第二组装配线可以包括：第二导电层；以及第二包覆层，与所述第二导电层电连接。
所述第一导电层和所述第一包覆层可以由彼此不同的物质构成，所述第二导电层和所述第二包覆层可以由彼此不同的物质构成。
还可以包括覆盖所述第一导电层和所述第一包覆层的绝缘层。
所述第二导电层配置在所述绝缘层上，所述平坦化层可以覆盖所述第一导电层和所述第二导电层。
所述第一包覆层可以从所述第一导电层向所述第一开口部的内侧延伸。
所述第二包覆层可以从所述第二导电层向所述第一开口部的内侧延伸，与复数个所述发光器件相接。
实施例还可以包括与所述基板的有源区域电连接的接地用焊盘。
所述第一组装配线可以与所述第二组装配线垂直重叠，所述第二组装配线可以在与所述第一组装配线垂直重叠的区域中包括电极孔。
发明效果
根据实施例，具有能够将发光器件的自组装配线用作用于驱动发光器件的配线的技术效果。
另外，实施例具有如下技术效果：能够通过多样地形成复数个组装配线的结构来使发光器件的自组装或接合时发生的不良最小化。
另外，实施例具有能够使复数个组装配线的腐蚀和短路不良最小化的技术效果。例如，实施例可以利用耐腐蚀的包覆层来预防导电层的腐蚀。
另外，实施例具有能够精确地控制复数个组装配线之间的间隔的技术效果。
另外，实施例具有能够通过减小复数个组装配线之间的台阶差来稳定地接合复数个发光器件的技术效果。另外，实施例通过在平坦化层形成凸出部来克服复数个组装配线之间的台阶差，从而具有能够稳定地接合发光器件的技术效果。
另外，实施例具有在简化覆盖第一组装配线的绝缘层的同时能够容易地分离第一组装配线和发光器件的技术效果。
另外，实施例具有能够通过以垂直型对称结构配置复数个组装配线来加强对发光器件的组装力的技术效果。
另外，实施例具有能够通过接地用焊盘去除寄生电容器的技术效果。
另外，实施例具有能够减小面板基板的厚度的技术效果。例如，在实施例中，可以通过使包覆层沿导电层的水平方向延伸且在组装发光器件的开口部重叠包覆层来减小面板基板的厚度。
实施例的效果不限于以上例示的内容，更多样的效果包含在实施例内。
附图说明
图1是实施例的显示装置的概略性的俯视图。
图2是实施例的显示装置的概略性的放大俯视图。
图3是基于图2的III-III'的剖视图。
图4a至图4g是用于说明实施例的显示装置的制造方法的工序图。
图5是第二实施例的显示装置的剖视图。
图6是第三实施例的显示装置的剖视图。
图7a和图7b是第四实施例的显示装置的剖视图。
图8a是第五实施例的显示装置的剖视图。
图8b是第六实施例的显示装置的剖视图。
图9a是第七实施例的显示装置的剖视图。
图9b是表示图9a的第七实施例中的DEP力的剖视图。
图10是表示图9a的第七实施例中的第一组装配线和第二组装配线的立体图。
具体实施方式
下面，将参照附图详细描述本说明书中公开的实施例。以下描述中使用的构成要素的后缀“模块”和“部”出于考虑说明书的容易撰写而赋予或混用，它们本身并不具有彼此区分的含义或作用。并且，附图是用于使本说明书中公开的实施例容易理解，本说明书中公开的技术思想并不受附图限制。并且，当提及层、区域或基板等要素存在于另一构成要素“上”时，应理解为其可以直接存在于另一要素上，或者它们之间还可以存在其它中间要素。
本说明书中所描述的显示装置可以包括数字TV、手机、智能电话(smart phone)、笔记本电脑(laptop computer)、数字广播终端、个人数字助理(PDA：personal digitalassistants)、便携式多媒体播放器(PMP：portable multimedia player)、导航仪、触屏平板PC(Slate PC)、平板PC(Tablet PC)、超级本(Ultra-Book)、台式计算机等。然而，即使是后续开发的新产品形式，本说明书中记载的实施例的构成也可以应用于能够显示的装置。
以下，参照附图，对实施例进行说明。
图1是实施例的显示装置100的概略性的俯视图。为了便于说明，图1中仅示出了显示装置100的各种构成要素中的基板110和复数个子像素SP。
实施例的显示装置100可以包括在薄且柔软的基板上制造的柔性显示器(flexibledisplay)。柔性显示器保持现有的平板显示器的特性，并且可以像纸一样弯曲或卷曲。
在柔性显示器中，可以通过独立地控制以矩阵形式配置的单位像素(unit pixel)的发光来实现视觉信息。单位像素是指用于实现一种颜色的最小单位。柔性显示器的单位像素可以由发光器件来实现。在实施例中，发光器件可以是Micro-LED或Nano-LED，但不限于此。
基板110是用于支撑显示装置100中包括的各种构成要素的结构，可以由绝缘物质构成。例如，基板110可以由玻璃或树脂等构成。另外，基板110可以包括高分子或塑料，也可以由具有柔性(flexibility)的物质构成。
基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。
显示区域AA是通过配置复数个子像素SP来显示图像的区域。复数个子像素SP中的每一个子像素是发光的单个单位，复数个子像素SP中的每一个子像素形成有半导体发光器件LED和驱动电路。例如，复数个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和/或白色子像素等，但不限于此。以下，假设复数个子像素SP包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，但不限于此。
非显示区域NA作为不显示图像的区域，是配置用于驱动配置于显示区域AA的子像素SP的各种配线、驱动IC等的区域。例如，在非显示区域NA可以配置有诸如栅极驱动器IC、数据驱动器IC的各种IC和驱动电路等。另一方面，非显示区域NA可以位于基板110的背面即没有子像素SP的面，或者省略，并不限于图示。
实施例的显示装置100可以以有源矩阵(AM，Active Matrix)方式或无源矩阵(PM，Passive Matrix)方式来驱动发光器件。
以下，为了对复数个子像素SP进行详细说明，一起参照图2和图3。
图2是实施例的显示装置的概略性的放大俯视图。图3是基于图2的III-III'的剖视图。
参照图2和图3，实施例的显示装置100可以包括复数个扫描配线SL、复数个数据配线DL、复数个高电位电源配线VDD、复数个组装配线120、复数个基准配线RL和黑色矩阵BM、复数个子像素SP中的每一个子像素的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器ST、半导体发光器件LED、遮光层LS、缓冲层111、栅极绝缘层112、复数个钝化层113、115、116、复数个平坦化层114、117、118、连接电极CE以及像素电极PE等。
参照图2和图3，复数个数据配线DL、高电位电源配线VDD的第一层VDD1和第二层VDD2、复数个基准配线RL和复数个组装配线120可以在复数个子像素SP之间沿列方向延伸。复数个扫描配线SL和高电位电源配线VDD的第三层VDD3可以在复数个子像素SP之间沿行方向延伸。并且，在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST。
首先，在基板110上可以配置有高电位电源配线VDD的第一层VDD1和遮光层LS。
高电位电源配线VDD是向复数个子像素SP中的每一个子像素传递高电位电源电压的配线。复数个高电位电源配线VDD可以将高电位电源电压传递到复数个子像素SP中的每一个子像素的第二晶体管TR2。
另一方面，复数个高电位电源配线VDD可以由单层或复数层构成，以下，为了便于说明，假设复数个高电位电源配线VDD由复数层构成。
高电位电源配线VDD包括复数个第一层VDD1和复数个第二层VDD2以及连接它们的复数个第三层VDD3。第一层VDD1可以在复数个子像素SP中的每一个子像素之间沿列方向延伸。
基板110上，在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有遮光层LS。遮光层LS可以通过阻断从基板110下部向后述的第二晶体管TR2的第二有源层ACT2入射的光来使泄漏电流最小化。
缓冲层111可以配置在高电位电源配线VDD的第一层VDD1和遮光层LS上。缓冲层111可以减少水分或杂质通过基板110渗透。例如，缓冲层111可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。只是，根据基板110的种类或晶体管的种类，缓冲层111可以省略，但不限于此。
复数个扫描配线SL、复数个基准配线RL、复数个数据配线DL、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST可以配置在缓冲层111上。
首先，在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有第一晶体管TR1。第一晶体管TR1包括第一有源层ACT1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1以及第一漏极电极DE1。第一有源层ACT1可以配置在缓冲层111上。第一有源层ACT1可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但不限于此。
栅极绝缘层112可以配置在第一有源层ACT1上。栅极绝缘层112是用于使第一有源层ACT1和第一栅极电极GE1绝缘的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。
第一栅极电极GE1可以配置在栅极绝缘层112上。第一栅极电极GE1可以与扫描配线SL电连接。第一栅极电极GE1可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但不限于此。
第一钝化层113可以配置在第一栅极电极GE1上。在第一钝化层113形成有用于将第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1分别连接到第一有源层ACT1的接触孔。第一钝化层113是用于保护第一钝化层113下部的构成的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。
与第一有源层ACT1电连接的第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以配置在第一钝化层113上。第一漏极电极DE1可以连接于数据配线DL，第一源极电极SE1可以连接于第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但不限于此。
另一方面，在实施例中，以第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1分别与第二栅极电极GE2和数据配线DL的情况进行说明，但是根据晶体管的类型，第一源极电极SE1可以连接于数据配线DL，第一漏极电极DE1可以连接于第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2，但不限于此。
在第一晶体管TR1中，第一栅极电极GE1连接于扫描配线SL，可以根据扫描信号而导通(Turn-on)或截止(Turn-off)。第一晶体管TR1可以基于扫描信号将数据电压传递到第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2，可以被称为开关晶体管。
另一方面，复数个数据配线DL和复数个基准配线RL可以与第一栅极电极GE1一起配置在栅极绝缘层112上。复数个数据配线DL和基准配线RL可以由与第一栅极电极GE1相同的物质和相同的工艺来形成。
复数个数据配线DL是向复数个子像素SP中的每一个子像素传递数据电压的配线。复数个数据配线DL可以将数据电压传递到复数个子像素SP中的每一个子像素的第一晶体管TR1。例如，复数个数据配线DL可以由向红色子像素SPR传递数据电压的数据配线DL、向绿色子像素SPG传递数据电压的数据配线DL以及向蓝色子像素SPB传递数据电压的数据配线DL构成。
复数个基准配线RL是向复数个子像素SP中的每一个子像素传递基准电压的配线。复数个基准配线RL可以将基准电压传递到复数个子像素SP中的每一个子像素的第三晶体管TR3。
在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有第二晶体管TR2。第二晶体管TR2包括第二有源层ACT2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2。第二有源层ACT2可以配置在缓冲层111上。第二有源层ACT2可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但不限于此。
栅极绝缘层112可以配置在第二有源层ACT2上，第二栅极电极GE2可以配置在栅极绝缘层112上。第二栅极电极GE2可以与第一晶体管TR1的第一源极电极SE1电连接。第二栅极电极GE2可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但不限于此。
第一钝化层113可以配置在第二栅极电极GE2上，第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以配置在第一钝化层113上。第二源极电极SE2与第二有源层ACT2电连接。第二漏极电极DE2在与第二有源层ACT2电连接的同时可以与高电位电源配线VDD电连接。第二漏极电极DE2配置在高电位电源配线VDD的第一层VDD1和第二层VDD2之间，可以与高电位电源配线VDD电连接。
在第二晶体管TR2中，第二栅极电极GE2与第一晶体管TR1的第一源极电极SE1连接，可以根据第一晶体管TR1导通时传递的数据电压而导通。并且，被导通的第二晶体管TR2可以基于来自高电位电源配线VDD的高电位电源电压，将驱动电流传递到发光器件LED，因此可以被称为驱动晶体管。
在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有第三晶体管TR3。第三晶体管TR3包括第三有源层ACT3、第三栅极电极GE3、第三源极电极SE3以及第三漏极电极DE3。第三有源层ACT3可以配置在缓冲层111上。第三有源层ACT3可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体物质构成，但不限于此。
栅极绝缘层112可以配置在第三有源层ACT3上，第三栅极电极GE3可以配置在栅极绝缘层112上。第三栅极电极GE3与扫描配线SL连接，第三晶体管TR3可以根据扫描信号而导通或截止。第三栅极电极GE3可以由导电性物质，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金构成，但不限于此。
只是，以第三栅极电极GE3和第一栅极电极GE1连接到同一扫描配线SL的情况进行了说明，但是第三栅极电极GE3与第一栅极电极GE1也可以连接到彼此不同的扫描配线SL，但不限于此。
第一钝化层113可以配置在第三栅极电极GE3上，第三源极电极SE3和第三漏极电极DE3可以配置在第一钝化层113上。第三源极电极SE3可以与第二源极电极SE2一体形成，可以在与第三有源层ACT3电连接的同时与第二晶体管TR2的第二源极电极SE2电连接。并且，第三漏极电极DE3可以与基准配线RL电连接。
第三晶体管TR3可以与作为驱动晶体管的第二晶体管TR2的第二源极电极SE2、基准配线RL以及存储电容器ST电连接，第三晶体管TR3可以被称为传感晶体管。
在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有存储电容器ST。存储电容器ST包括第一电容器电极ST1和第二电容器电极ST2。存储电容器ST连接在第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2和第二源极电极SE2之间且储存电压，在发光器件LED发光期间，可以恒定地保持第二晶体管TR2的栅极电极的电压水平。
第一电容器电极ST1可以与第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2一体形成。因此，第一电容器电极ST1可以与第二晶体管TR2的第二栅极电极GE2和第一晶体管TR1的第一源极电极SE1电连接。
第二电容器电极ST2可以隔着第一钝化层113配置在第一电容器电极ST1上。第二电容器电极ST2可以与第二晶体管TR2的第二源极电极SE2和第三晶体管TR3的第三源极电极SE3一体形成。因此，第二电容器电极ST2可以与第二晶体管TR2和第三晶体管TR3电连接。
另一方面，复数个扫描配线SL与第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2、第二漏极电极DE2、第三源极电极SE3、第三漏极电极DE3以及第二电容器电极ST2一起配置在第一钝化层113上。
复数个扫描配线SL是向复数个子像素SP中的每一个子像素传递扫描信号的配线。复数个扫描配线SL可以将扫描信号传递到复数个子像素SP中的每一个子像素的第一晶体管TR1。例如，复数个扫描配线SL中的每一个扫描配线沿行方向延伸，可以向配置于同一行的复数个子像素SP传递扫描信号。
接着，第一平坦化层114可以配置在复数个扫描配线SL、复数个基准配线RL、复数个数据配线DL、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3以及存储电容器ST上。第一平坦化层114可以使配置有复数个晶体管的基板110的上部平坦化。第一平坦化层114可以由单层或复数层构成，例如，可以由丙烯酸(acryl)系有机物质构成，但不限于此。
在第一平坦化层114上可以配置有第二钝化层115。第二钝化层115是用于保护第二钝化层115下部的构成且提高形成在第二钝化层115上的构成的粘附力的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。
在第二钝化层115上可以配置有高电位电源配线VDD的第二层VDD2、复数个组装配线120中的复数个第一组装配线121以及连接电极CE。
首先，复数个组装配线120可以是制造显示装置100时产生用于对齐复数个发光器件LED的电场，驱动显示装置100时向复数个发光器件LED供应低电位电源电压的配线。因此，组装配线120可以被称为低电位电源配线。
复数个组装配线120沿配置于同一线的复数个子像素SP在列方向上配置。复数个组装配线120可以配置成，与配置于同一列的复数个子像素SP重叠。例如，在配置于同一列的红色子像素SPR可以配置有一个第一组装配线121和第二组装配线122，在绿色子像素SPG可以配置有一个第一组装配线121和第二组装配线122，在蓝色子像素SPB可以配置有一个第一组装配线121和第二组装配线122。
复数个组装配线120包括复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122。在驱动显示装置100时，在复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以施加交流的低电位电压。复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以交替配置。并且，在复数个子像素SP中的每一个子像素中，一个第一组装配线121和一个第二组装配线122可以彼此相邻配置。
复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以由导电性物质，例如铜(Cu)和铬(Cr)等物质构成，但不限于此。
复数个第一组装配线121可以包括第一导电层121a和第一包覆层121b。第一导电层121a可以配置在第二钝化层115上。第一包覆层121b可以与第一导电层121a相接。例如，第一包覆层121b可以配置成，覆盖第一导电层121a的顶面和侧面。并且，第一导电层121a可以具有比第一包覆层121b更厚的厚度。
第一包覆层121b由比第一导电层121a更耐腐蚀的物质构成，从而在制造显示装置100时，可以使由第一组装配线121的第一导电层121a和第二组装配线122的第二导电层122a之间的迁移(migration)引起的短路不良最小化。例如，第一包覆层121b可以由钼(Mo)、钼钛(MoTi)等构成，但不限于此。
高电位电源配线VDD的第二层VDD2可以配置在第二钝化层115上。第二层VDD2在复数个子像素SP中的每一个子像素之间沿列方向延伸，可以与第一层VDD1重叠。第一层VDD1和第二层VDD2可以通过在形成于第一层VDD1和第二层VDD2之间的复数个绝缘层形成的接触孔电连接。第二层VDD2可以由与第一组装配线121相同的物质和相同的工艺来形成，但不限于此。
在复数个子像素SP中的每一个子像素可以配置有连接电极CE。连接电极CE通过形成于第二钝化层115的接触孔与第二电容器电极ST2和第二晶体管TR2的第二源极电极SE2电连接。连接电极CE是用于电连接发光器件LED和作为驱动晶体管的第二晶体管TR2的电极，包括第一连接层CE1和第二连接层CE2。例如，第一连接层CE1可以在与第一组装配线121的第一导电层121a相同的层，由与其相同的物质构成，第二连接层CE2可以在与第一包覆层121b相同的层，由与其相同的物质构成。
接着，在第二层VDD2、第一组装配线121、连接电极CE上可以配置有第三钝化层116。第三钝化层116是用于保护第三钝化层116下部的构成的绝缘层，可以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。另外，第三钝化层116可以起到用于防止在制造显示装置100时由第一组装配线121和第二组装配线122之间的迁移引起的短路不良的绝缘层的功能，对此，参照图4a至图4g，稍后进行说明。
在复数个组装配线120中，复数个第二组装配线122可以配置在第三钝化层116上。如上所述，复数个第二组装配线122中的每一个第二组装配线可以配置在配置于同一线的复数个子像素SP，复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以彼此隔开配置。
复数个第二组装配线122中的每一个第二组装配线包括第二导电层122a和第二包覆层122b。第二导电层122a可以配置在第三钝化层116上。并且，第二包覆层122b可以与第二导电层122a相接而电连接。例如，第二包覆层122b可以配置成，覆盖第二导电层122a的顶面和侧面。并且，第二导电层122a可以具有比第二包覆层122b更厚的厚度。
第二包覆层122b由比第二导电层122a更耐腐蚀的物质构成，从而在制造显示装置100时，可以使由第一组装配线121和第二组装配线122之间的迁移引起的短路不良最小化。例如，第二包覆层122b可以由钼(Mo)、钼钛(MoTi)等构成，但不限于此。
接着，第二平坦化层117可以配置在复数个第二组装配线122上。第二平坦化层117可以由单层或复数层构成，例如，可以由丙烯酸(acryl)系有机物质构成，但不限于此。
另一方面，第二平坦化层117包括安置复数个发光器件LED的复数个第一开口部117a和使复数个连接电极CE中的每一个连接电极露出的复数个第二开口部117b。
在复数个子像素SP中的每一个子像素配置有复数个第一开口部117a。此时，在一个子像素SP也可以配置一个以上的第一开口部117a。例如，在一个子像素SP可以配置一个第一开口部117a，或者可以配置两个第一开口部117a。
复数个第一开口部117a是供复数个发光器件LED插入的部分，也可以被称为袋(pocket)。复数个第一开口部117a可以形成为，与复数个组装配线120重叠。例如，一个第一开口部117a可以与一个子像素SP中彼此相邻配置的第一组装配线121和第二组装配线122重叠。
并且，在第一开口部117a处，复数个第二组装配线122的第二包覆层122b的一部分可以露出。另一方面，在第一开口部117a处，第三钝化层116覆盖整个第一组装配线121，因此第一组装配线121可以与第一开口部117a重叠，而不会从第一开口部117a露出。
在复数个子像素SP配置有复数个第二开口部117b。复数个第二开口部117b可以是使复数个子像素SP中的每一个子像素的连接电极CE露出的部分。第二平坦化层117下方的连接电极CE可以从复数个第二开口部117b露出并与发光器件LED电连接，可以将来自第二晶体管TR2的驱动电流传递到发光器件LED。此时，第三钝化层116可以在与第二开口部117b重叠的区域具有接触孔，连接电极CE可以从第二平坦化层117和第三钝化层116露出。
在复数个第一开口部117a配置有复数个发光器件LED。复数个发光器件LED是由电流发光的发光器件LED。复数个发光器件LED可以包括发出红色光、绿色光、蓝色光等的发光器件LED，可以通过它们的组合来实现包括白色在内的各种颜色的光。例如，发光器件LED可以是LED(Light Emitting Diode)或微LED，但不限于此。
以下，假设复数个发光器件LED包括配置于红色子像素SPR的红色发光器件130、配置于绿色子像素SPG的绿色发光器件140、配置于蓝色子像素SPB的蓝色发光器件150。只是，复数个发光器件LED由发出相同颜色的光的发光器件LED构成，可以通过使用将从复数个发光器件LED发出的光切换成另一颜色的光的额外的光切换构件来显示各种颜色的图像，但不限于此。
复数个发光器件LED包括配置于红色子像素SPR的红色发光器件130、配置于绿色子像素SPG的绿色发光器件140以及配置于蓝色子像素SPB的蓝色发光器件150。红色发光器件130、绿色发光器件140以及蓝色发光器件150可以各自均包括第一半导体层、第二半导体层、第一电极以及第二电极。并且，红色发光器件130可以包括发出红色光的发光层，绿色发光器件140可以包括发出绿色光的发光层，蓝色发光器件150可以包括发出蓝色光的发光层。
参照图3，配置于红色子像素SPR的红色发光器件130在第一半导体层131上配置有第二半导体层133。第一半导体层131和第二半导体层133可以是在特定物质中掺杂n型和p型杂质而形成的层。例如，第一半导体层131和第二半导体层133可以包括AlInGaP系半导体层，例如，可以是在铟铝磷化物(InAlP)、砷化镓(GaAs)等物质中掺杂p型或n型杂质的层。并且，p型杂质可以是镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等，n型杂质可以是硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)等，但不限于此。在第一半导体层131和第二半导体层133之间配置有发出红色光的发光层132。发光层132可以从第一半导体层131和第二半导体层133接收空穴和电子而发光。发光层132可以由单层或多量子阱(Multi-Quantum Well，MQW)结构构成。
所述发光层132可以将注入的电能转换成具有约570nm至630nm范围内的特定波长的光。特定波长的变化取决于发光二极管所具有的带隙的大小，带隙的大小可以通过改变Al和Ga的组成比来调节，例如，波长随着Al的组成比的增加而变短。
在第一半导体层131的底面配置有第一电极134，在第二半导体层133的顶面配置有第二电极135。第一电极134是接合在从第一开口部117a露出的第二组装配线122的电极，第二电极135是电连接后述的像素电极PE和第二半导体层133的电极。第一电极134和第二电极135可以由导电性物质构成。
此时，为了将第一电极134接合在第二组装配线122上，第一电极134可以由共晶金属(eutectic metal)构成。例如，第一电极134可以由锡(Sn)、铟(In)、锌(Zn)、铅(Pb)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)等构成，但不限于此。
并且，绿色发光器件140和蓝色发光器件150两者可以由与红色发光器件130相同或相似的结构形成。例如，绿色发光器件140可以包括第一电极、第一电极上的第一半导体层、第一半导体层上的绿色发光层、绿色发光层上的第二半导体层以及第二半导体层上的第二电极。另外，蓝色发光器件可以包括第一电极、第一半导体层、蓝色发光层、第二半导体层以及第二电极依次层叠的结构。
只是，所述绿色发光器件140和所述蓝色发光器件150可以由从GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、AlN、GaAs、AlGaAs、InP以及它们的混合物组成的组中选择的化合物形成，但不限于此。
另一方面，虽然未图示，可以配置包围复数个发光器件LED各自的一部分的绝缘层。具体而言，绝缘层可以覆盖复数个发光器件LED的外侧面中至少发光器件LED的侧面。通过在发光器件LED形成绝缘层来保护发光器件LED，在形成第一电极134和第二电极135时，可以防止第一半导体层131和第二半导体层133的电短路。
接着，可以在复数个发光器件LED上配置第三平坦化层118。第三平坦化层118可以使配置有复数个发光器件LED的基板110的上部平坦化，复数个发光器件LED可以由第三平坦化层118稳定地固定在第一开口部117a处。第三平坦化层118可以由单层或复数层构成，例如，可以由丙烯酸(acryl)系有机物质构成，但不限于此。
在第三平坦化层118上配置有像素电极PE。像素电极PE是用于电连接复数个发光器件LED和连接电极CE的电极。像素电极PE可以通过形成于第三平坦化层118的接触孔与第一开口部117a的发光器件LED和第二开口部117b的连接电极CE电连接。因此，通过像素电极PE，发光器件LED的第二电极135、连接电极CE以及第二晶体管TR2可以电连接。
可以在第三平坦化层118上配置有高电位电源配线VDD的第三层VDD3。第三层VDD3可以电连接配置于不同列的第一层VDD1和第二层VDD2。例如，第三层VDD3在复数个子像素SP之间沿行方向延伸，可以将沿列方向延伸的高电位电源配线VDD的复数个第二层VDD2彼此电连接。并且，复数个高电位电源配线VDD通过第三层VDD3以网状形态连接，由此可以降低电压下降现象。
可以在第三平坦化层118上配置有黑色矩阵BM。黑色矩阵BM可以配置在第三平坦化层118上的复数个子像素SP之间。黑色矩阵BM可以减少复数个子像素SP之间的混色。黑色矩阵BM可以由不透明的物质构成，例如，可以由黑色树脂(black resin)构成，但不限于此。
保护层119可以配置在像素电极PE、第三平坦化层118、黑色矩阵BM上。保护层119是用于保护保护层119下方的构成的层，可以由透光性环氧树脂、硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或复数层构成，但不限于此。
另一方面，在第一开口部117a处，复数个第一组装配线121可以与复数个发光器件LED隔开，复数个第二组装配线122可以与复数个发光器件LED接触。这是为了防止在制造显示装置100的过程中，复数个发光器件LED与复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122两者均接触而发生的不良，可以在复数个第一组装配线121上形成第三钝化层116，使复数个发光器件LED与复数个第二组装配线122接触。
以下，参照图4a至图4g，对实施例的显示装置100的制造方法进行详细说明。
图4a至图4g是用于说明实施例的显示装置的制造方法的工序图。
图4a和图4b是用于说明将复数个发光器件LED自组装到第一开口部117a的工序的工序图。图4c是用于复数个发光器件LED的自组装的母基板10的概略性的俯视图。图4d是概略性地表示复数个组装配线120和组装焊盘PD的电连接关系的图。图4e是在完成复数个发光器件LED的自组装之后切割母基板10而形成的复数个基板110的概略性的俯视图。图4f是图4e的X区域的概略性的剖视图。图4g是在显示区域AA的外廓设置有接地用焊盘的母基板10的概略性的俯视图。
参照图4a，将发光器件LED投入到填充有流体WT的腔室CB。流体WT可以包括水等，填充有流体WT的腔室CB可以是上部开放的形状。
接着，可以将母基板10定位到填充有发光器件LED的腔室CB上。母基板10是由形成显示装置100的复数个基板110构成的基板，在复数个发光器件LED自组装时可以使用还形成复数个组装配线120和第二平坦化层117的母基板10。
并且，将形成第一组装配线121和第二组装配线122以及第二平坦化层117的母基板10定位到腔室CB上或者投入到腔室CB内。此时，可以将母基板10定位成，使第二平坦化层117的第一开口部117a和流体WT彼此面向。
接着，可以在母基板10上设置磁铁MG。沉入到腔室CB的底部或漂浮的复数个发光器件LED可以由磁铁MG的磁力向母基板10侧移动。
此时，发光器件LED可以包括磁性体以便由磁场移动。例如，发光器件LED的第一电极134或第二电极135可以包括诸如铁或钴、镍的强磁性体物质。
接着，由磁铁MG移动到第二平坦化层117侧的发光器件LED可以通过由第一组装配线121和第二组装配线122形成的电场自组装到第一开口部117a。
在复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122可以施加交流电压而形成电场。由于这种电场，发光器件LED可以通过介电极化而具有极性。并且，介电极化的发光器件LED可以由介电泳(Dielectrophoresis，DEP)，即电场向特定方向移动或者被固定。因此，利用介电泳，可以将复数个发光器件LED固定到第二平坦化层117的第一开口部117a内。
接着，利用复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122的电场，可以在第一开口部117a内固定发光器件LED的状态下，将母基板10翻转180°。在实施例中，可以在向复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122施加电压的状态下，翻转母基板10并进行后续工序。
并且，在发光器件LED的第一电极134定位到第二组装配线122上的状态下，可以通过向发光器件LED施加热量和压力来将发光器件LED接合到第二组装配线122。例如，发光器件LED的第一电极134可以通过共晶接合(eutectic bonding)与第二组装配线122接合。共晶接合是基于高温下的热压的接合方式，是非常牢固且可靠性非常高的接合工艺中的一种。共晶接合方式不仅可以实现高接合强度，而且具有无需从外部涂布额外的粘合物的优点。只是，除了共晶接合之外，复数个发光器件LED的接合方式也可以由多样的方式构成，并不受限制。
另一方面，复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122在制造显示装置100时可以被施加彼此不同的电压或者在驱动显示装置100时可以施加相同的电压。为此，在制造显示装置100时，复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122连接于彼此不同的组装焊盘PD，从而可以施加彼此不同的电压。
与此相关地，参照图4c，在制造显示装置100时，在母基板10状态下，复数个基板110上的组装配线120可以与复数个基板110外侧的组装焊盘PD连接。具体而言，复数个组装焊盘PD和复数个组装配线连接部PL与构成显示装置100的复数个基板110一起配置在母基板10上。
复数个组装焊盘PD是用于向复数个组装配线120施加电压的焊盘，可以与配置在构成母基板10的复数个基板110中的每一个基板的复数个组装配线120电连接。复数个组装焊盘PD可以形成在母基板10中的显示装置100的基板110外侧，若完成显示装置100的制造工序，则可以与显示装置100的基板110分离。例如，在母基板10上形成有两个基板110的情况下，可以将配置在各个基板110上的复数个第一组装配线121连接到一个组装焊盘PD，复数个第二组装配线122可以与另一组装焊盘PD连接。
因此，在将母基板10定位到投入复数个发光器件LED的腔室CB之后，可以通过复数个组装焊盘PD向复数个组装配线120施加交流电压来形成电场，可以将复数个发光器件LED容易地自组装到第二平坦化层117的第一开口部117a。
另一方面，在按复数个子像素SP自组装复数个发光器件LED的情况下，可以将配置于复数个红色子像素SPR的复数个组装配线120、配置于复数个绿色子像素SPG的复数个组装配线120、配置于复数个蓝色子像素SPB的复数个组装配线120连接到彼此不同的组装焊盘PD。
在这种情况下，复数个组装焊盘PD可以包括第一组装焊盘PD1、第二组装焊盘PD2、第三组装焊盘PD3、第四组装焊盘PD4、第五组装焊盘PD5以及第六组装焊盘PD6。
第一组装焊盘PD1是用于向配置在母基板10上的复数个红色子像素SPR的复数个第一组装配线121施加电压的焊盘。第四组装焊盘PD4是用于向配置在母基板10上的复数个红色子像素SPR的复数个第二组装配线122施加电压的焊盘。
第二组装焊盘PD2是用于向配置在母基板10上的复数个绿色子像素SPG的复数个第一组装配线121施加电压的焊盘。第五组装焊盘PD5是用于向配置在母基板10上的复数个绿色子像素SPG的复数个第二组装配线122施加电压的焊盘。
第三组装焊盘PD3是用于向配置在母基板10上的复数个蓝色子像素SPB的复数个第一组装配线121施加电压的焊盘。第六组装焊盘PD6是用于向配置在母基板10上的复数个蓝色子像素SPB的复数个第二组装配线122施加电压的焊盘。
通过这种复数个组装焊盘PD，可以选择性地仅向复数个子像素SP中的特定子像素SP自组装发光器件LED。例如，在仅向复数个红色子像素SPR自组装发光器件LED的情况下，通过第一组装焊盘PD1和第四组装焊盘PD4，可以仅向配置于复数个红色子像素SPR的复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122施加电压。
组装配线连接部PL是连接各基板110上的复数个组装配线120和复数个组装焊盘PD的配线。组装配线连接部PL的一端与复数个组装焊盘PD连接，另一端在复数个基板110上延伸，从而可以与复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122电连接。组装配线连接部PL包括第一连接部PL1、第二连接部PL2、第三连接部PL3、第四连接部PL4、第五连接部PL5以及第六连接部PL6。
第一连接部PL1是电连接配置在母基板10上的复数个红色子像素SPR的第一组装配线121和第一组装焊盘PD1的配线。第四连接部PL4是电连接配置在母基板10上的复数个红色子像素SPR的第二组装配线122和第四组装焊盘PD4的配线。例如，第一连接部PL1的另一端分别向复数个基板110延伸，可以与配置在复数个基板110中的每一个基板的红色子像素SPR的复数个第一组装配线121电连接。例如，第四连接部PL4的另一端分别向复数个基板110延伸，可以与配置在复数个基板110中的每一个基板的红色子像素SPR的复数个第二组装配线122电连接。
第二连接部PL2是电连接配置在母基板10上的复数个绿色子像素SPG的第一组装配线121和第二组装焊盘PD2的配线。第五连接部PL5是电连接配置在母基板10上的复数个绿色子像素SPG的第二组装配线122和第五组装焊盘PD5的配线。
第三连接部PL3是电连接配置在母基板10上的复数个蓝色子像素SPB的第一组装配线121和第三组装焊盘PD3的配线。第六连接部PL6是电连接配置在母基板10上的复数个蓝色子像素SPB的第二组装配线122和第六组装焊盘PD6的配线。
此时，将配置在一个基板110上的复数个第一组装配线121连接到一起，将复数个第二组装配线122也连接到一起，从而可以将复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122分别容易地与组装配线连接部PL连接。
例如，参照图4d，在一个基板110中，配置于复数个红色子像素SPR的第一组装配线121可以在基板110的非显示区域NA通过链路配线LL连接到一起，配置于复数个红色子像素SPR的第二组装配线122可以在基板110的非显示区域NA通过链路配线LL连接到一起。在这种情况下，可以通过连接在非显示区域NA将复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122连接到一起的链路配线LL和组装配线连接部PL来向复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122容易地施加用于发光器件LED的自组装的电压，而无需将配置在一个基板110上的复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122分别单独地与组装配线连接部PL连接。
另一方面，组装配线连接部PL可以由与复数个组装配线120相同的物质和相同的工艺来形成，也可以由彼此不同的物质和工艺来形成。另外，组装配线连接部PL可以是单层结构，也可以是多层结构，但不限于此。
另外，图4c和图4d所示的组装配线连接部PL和组装焊盘PD是示例性的，组装配线连接部PL和组装焊盘PD的配置及形状、自组装工艺次数或顺序可以根据复数个子像素SP的设计而不同。
接着，参照图4e和图4f，在完成复数个发光器件LED的自组装工艺之后，可以通过沿切割线SCL切断母基板10来将其分离成复数个基板110。并且，在切割母基板10的情况下，在基板110的边缘连接复数个组装配线120和复数个组装焊盘PD的组装配线连接部PL的一部分可以被切断。因此，在基板110的切断面，可以确认组装配线连接部PL的切断面。
例如，在图4e的X区域中，可以确认基板110的截面、为了在基板110上形成驱动电路或复数个配线而配置的复数个绝缘层IL的截面以及配置在复数个绝缘层IL之间的组装配线连接部PL的截面。在复数个绝缘层IL之间，可以确认连接复数个红色子像素SPR的第一组装配线121的第一连接部PL1的切断面、连接复数个绿色子像素SPG的第一组装配线121的第二连接部PL2的切断面以及连接复数个蓝色子像素SPB的第一组装配线121的第三连接部PL3的切断面。
接着，图4g是在显示区域AA的外廓设置接地用焊盘GP的母基板10的概略性的俯视图。
根据实施例的显示装置，内部研究表明，在显示器设计及基于DEP的组装配线设计时，在施加电压信号的配线周边存在有机膜、介电膜等介电物质的情况下，可以具有电容器的结构，这种电容器结构可以具有阻碍或干扰电压信号的特性。
并且，研究表明，这种电容器结构可以根据位置而降低MicroLED芯片的迁移率。
例如，电容器的干扰特性可以成为干扰用于DEP组装的电压信号而降低组装率的原因，因此在显示器和组装结构设计时需要考虑。
由此，实施例的发明人欲提出可以起到电容器结构的功能的结构物和对应结构物的放电结构。根据内部技术，利用DEP的自组装配线设计可以包括电容器结构。
例如，在有源型或无源型显示器设计时，整体电极结构可以包括数据线、扫描线、电源供应线，可以进一步形成组装配线。
此时，由于大部分的配线与垂直方向的绝缘层形成通孔(Via)结构，因此可以在重叠的区域形成电容器结构。
由此，施加到组装配线的电压信号可以向周边配线引导浮动电压信号，可以对复数个电容器结构进行充电，被充电的电容器结构干扰组装信号，从而可以对组装率和MicroLED芯片群集迁移率产生影响。参照图4g，在实施例中，在显示区域AA的外廓可以设置有接地用焊盘GP。复数个基板可以通过组装配线连接部PL电连接。
具体而言，根据实施例，在除了与组装配线连接部PL连接的面之外的一面可以连接有接地用焊盘GP。在这种情况下，由于接地用焊盘GP，具有能够去除存在于母基板10内的寄生电容器的技术效果。
另外，根据实施例，通过设计将能够对接地产生影响的配线从显示有源区域外廓连接到接地焊盘GP的结构，从而具有能够消除电容器的电压信号的特殊的技术效果。
接着，在通过切割母基板10来将其分离成复数个基板110之后，可以通过将复数个第一组装配线121连接到一起的链路配线LL和将复数个第二组装配线122连接到一起的链路配线LL，可以容易地向复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122施加电压。例如，在驱动显示装置100时，可以通过连接在非显示区域NA将复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122连接到一起的链路配线LL和驱动IC来向复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122施加电压。
在实施例的显示装置100中，可以将用于自组装复数个发光器件LED的复数个组装配线120中的至少一部分用作向复数个发光器件LED施加低电位电源电压的配线。在制造显示装置100时，可以利用磁场使在流体WT内漂浮的复数个发光器件LED移动到母基板10附近。
接着，可以通过向复数个第一组装配线121和复数个第二组装配线122施加彼此不同的电压来形成电场，复数个发光器件LED可以利用电场自组装到复数个第一开口部117a内。此时，通过在第一开口部117a内将发光器件LED的第一电极134接合到一部分露出的第二组装配线122，而不是额外形成供应低电位电压的配线并将其连接到已自组装的复数个发光器件LED，从而在驱动显示装置100时，复数个组装配线120可以用作向复数个发光器件LED供应低电位电压的配线。因此，实施例的显示装置100具有能够将复数个组装配线120用作复数个发光器件LED的自组装以及用于复数个发光器件LED的驱动的配线的技术效果。
在实施例的显示装置100中，复数个组装配线120包括包覆层，从而可以减少复数个组装配线120的腐蚀或短路不良。复数个第一组装配线121可以包括第一导电层121a和包围第一导电层121a且比第一导电层121a更耐腐蚀的第一包覆层121b。
另外，复数个第二组装配线122可以包括第二导电层122a和包围第二导电层122a且比第二导电层122a更耐腐蚀的第二包覆层122b。
在制造显示装置100时，可以通过将形成有复数个组装配线120的母基板10定位到流体WT内，从而可以自组装复数个发光器件LED。在这种情况下，第一导电层121a和/或第二导电层122a向流体WT内露出，从而组装配线120可能被腐蚀，由此可能会发生短路不良。因此，可以由第二钝化层115和第一包覆层121b包覆复数个第一组装配线121的第一导电层121a，可以由第三钝化层116和第二包覆层122b包覆复数个第二组装配线122的第二导电层122a。因此，复数个组装配线120由包括第一包覆层121b和第二包覆层122b的结构形成，从而能够提高复数个组装配线120的可靠性。
接着，图5是第二实施例的显示装置的剖视图。图5的显示装置500与图3的显示装置100相比，只有复数个组装配线520不同，其它构成实质上相同，因此省略重复说明。
参照图5，复数个第一组装配线521的第一导电层521a和复数个第二组装配线522的第二导电层522a可以与第二平坦化层117重叠。第二平坦化层117可以覆盖复数个第一组装配线521的第一导电层521a和复数个第二组装配线522的第一导电层521a，第一导电层521a和第二导电层522a可以与第一开口部117a隔开。
复数个第一组装配线521的第一包覆层521b可以在第一导电层521a和第二平坦化层117之间覆盖第一导电层521a。并且，代替与第一开口部117a不重叠的第一导电层521a，第一包覆层521b向第一开口部117a侧延伸，从而可以形成用于自组装复数个发光器件LED的电场。
第一包覆层521b的一部分与第二平坦化层117重叠，可以覆盖第一导电层521a的顶面和侧面。并且，第一包覆层521b的其余部分向第一开口部117a的内侧延伸，从而可以与复数个发光器件LED重叠。只是，由于在第一包覆层521b上配置有第三钝化层116，因此第一包覆层521b可以不与复数个发光器件LED的第一电极134相接。
复数个第二组装配线522的第二包覆层522b可以在第二导电层522a和第二平坦化层117之间覆盖第二导电层522a。并且，代替与第一开口部117a不重叠的第二导电层522a，第二包覆层522b向第一开口部117a侧延伸，从而可以与第一包覆层521b一起形成用于自组装复数个发光器件LED的电场。
第二包覆层522b的一部分与第二平坦化层117重叠，可以覆盖第二导电层522a的顶面和侧面。第二包覆层522b的其余部分向第一开口部117a的内侧延伸，从而可以与复数个发光器件LED重叠。此时，由于第二包覆层522b配置在第三钝化层116上，因此第二包覆层522b和复数个发光器件LED的第一电极134可以彼此相接，具有能够向复数个发光器件LED供应来自第二组装配线522的低电位电源电压的技术效果。
在第二实施例的显示装置500中，由于复数个包覆层向第一开口部117a的内侧延伸而露出，因此具有使第一导电层521a和第二导电层522a的腐蚀和短路不良最小化的技术效果。复数个第一组装配线521包括第一导电层521a和比第一导电层521a更耐腐蚀的第一包覆层521b，复数个第二组装配线522包括第二导电层522a和比第二导电层522a更耐腐蚀的第二包覆层522b。
此时，第一包覆层521b、第二包覆层522b以及第二平坦化层117形成为覆盖第一导电层521a和第二导电层522a，从而第一导电层521a和第二导电层522a可以不向流体WT内露出。
并且，第一包覆层521b和第二包覆层522b向第一开口部117a的内侧延伸，从而可以形成引导发光器件LED的自组装的电场。不仅如此，第一导电层521a和第二导电层522a不与自组装发光器件的第一开口部117a重叠，因此可以减小基板的厚度。
另外，在完成自组装之后，通过在延伸到第一开口部117a的内侧的第二包覆层522b上接合发光器件LED的第一电极134来电连接第二组装配线522和发光器件LED。因此，在另一实施例的显示装置500中，复数个组装配线520中的每一个组装配线的第一包覆层521b和第二包覆层522b配置到第一开口部117a，从而可以使复数个组装配线520的腐蚀和短路不良最小化。
在第二实施例的显示装置500中，第一包覆层521b和第二包覆层522b与发光器件130垂直重叠，第一导电层521a和第二导电层522b不与发光器件130垂直重叠，因此可以减小显示面板的厚度。
在第二实施例的显示装置500中，由于第一开口部117a中第一包覆层521b和第二包覆层522b之间的低台阶差，可以容易地执行复数个发光器件LED的接合工艺。
具体而言，在安置复数个发光器件LED的第一开口部117a内，可以配置复数个组装配线520中的第一包覆层521b和第二包覆层522b。
此时，第一包覆层521b和第二包覆层522b具有比第一导电层521a和第二导电层522a更薄的厚度。因此，与在第一开口部117a配置第一导电层521a和第一包覆层521b及第二导电层522a和第二包覆层522b的情况相比，在只配置第一包覆层521b和第二包覆层522b的情况下，可以减小台阶差。
因此，在将复数个发光器件LED定位到第一开口部117a内的情况下，可以使复数个发光器件LED和第一包覆层521b之间的间隔，即复数个发光器件LED以不稳定的状态飘浮在第一包覆层521b上的中空空间上的情况最小化，并且可以将复数个发光器件LED稳定地接合在第二包覆层522b上。因此，另一实施例的显示装置500具有能够通过减小在第一开口部117a内重叠的复数个组装配线520之间的台阶差来将复数个发光器件LED稳定地接合到第二组装配线522的技术效果。
接着，图6是第三实施例的显示装置的剖视图。图6的显示装置600与图5的第二实施例的显示装置500相比，只有复数个组装配线620不同，其它构成实质上相同，因此省略重复说明。
参照图6，在第二钝化层115和第三钝化层116之间配置有第一组装配线621的第一导电层621a，在第一导电层621a和第二钝化层115之间配置有第一包覆层621b。第一包覆层621b可以与第一导电层621a的底面相接。
第一包覆层621b的一部分可以与第一组装配线621的底面相接，可以与第二平坦化层117重叠。第一包覆层621b的其余部分向第一开口部117a的内侧延伸，可以与发光器件LED重叠。
第二组装配线622的第二导电层622a可以配置在第三钝化层116上，第二包覆层622b可以配置在第三钝化层116的下方。由此，在第二包覆层622b和第二导电层622a之间可以配置有第三钝化层116。第二包覆层622b配置于第二导电层622a的下方，可以通过形成于第三钝化层116的接触孔与第二导电层622a电连接。
第一包覆层621b由比第一导电层621a更耐腐蚀的物质构成，在制造显示装置600时可以使由第一组装配线621的第一导电层621a和第二组装配线622的第二导电层622a之间的迁移(migration)引起的短路不良最小化。例如，第一包覆层621b可以由钼(Mo)、钼钛(MoTi)等构成，但不限于此。
第二包覆层622b的一部分在与第二导电层622a重叠的同时可以与第二平坦化层117重叠。第二包覆层622b的其余部分向第一开口部117a的内侧延伸，可以与发光器件LED电连接。
此时，为了在第一开口部117a的内侧将复数个发光器件LED接合到第二包覆层622b，可以在覆盖第二包覆层622b的第三钝化层116形成开口部。具体而言，第一包覆层621b和第二包覆层622b两者可以均配置于第三钝化层116的下方。并且，在从第一开口部117a露出的第三钝化层116中，开放除了覆盖第一包覆层621b的部分之外的其余部分来使第二包覆层622b露出，可以使复数个发光器件LED的第一电极134仅与第二包覆层622b电连接。
另外，第二包覆层622b与发光器件130垂直重叠，第二导电层622a配置在与发光器件130相同的水平方向上，从而可以减小显示装置600的厚度。
另一方面，第一包覆层621b和第二包覆层622b两者可以配置在同一平面上。例如，在第二钝化层115的顶面可以配置有第一包覆层621b和第二包覆层622b。第一包覆层621b和第二包覆层622b由同一工艺来形成，可以在同一平面上由同一物质构成。
在第三实施例的显示装置600中，可以通过将第一包覆层621b和第二包覆层622b配置在同一平面上来精确地控制第一包覆层621b和第二包覆层622b之间的间隔。在由同一物质和同一工艺来形成第一组装配线621的第一包覆层621b和第二组装配线622的第二包覆层622b的情况下，第一包覆层621b和第二包覆层622b可以配置在同一平面上。
此时，在第二钝化层115上形成导电性物质层，利用一个掩膜来对导电性物质层进行图案化，因此可以容易地控制第一包覆层621b和第二包覆层622b的间隔。如果通过不同的掩膜工艺来形成第一包覆层621b和第二包覆层622b，则由于各个掩膜工艺中的误差范围，很难精确地控制第一包覆层621b和第二包覆层622b的间隔，并且还可能会发生第一包覆层621b和第二包覆层622b之间的短路不良等问题。
因此，在第三实施例的显示装置600中，通过由同一物质在同一平面上形成第一包覆层621b和第二包覆层622b，从而具有可以精确地控制第一包覆层621b和第二包覆层622b之间的间隔，并且可以控制用于自组装发光器件LED的电场的技术效果。
接着，图7a和图7b是第四实施例的显示装置的剖视图。图7a和图7b的显示装置700与图3的显示装置100相比，不包括第三钝化层116，并且只有复数个组装配线720不同，其它构成实质上相同，因此省略重复说明。
参照图7a，在第四实施例中，在第二钝化层115上配置有第一组装配线721的第一导电层721a和第二组装配线722的第二导电层722a。第一导电层721a和第二导电层722a可以配置在同一平面上。
在第一导电层721a上可以配置有覆盖第一导电层721a的第一包覆层721b，在第二导电层722a上可以配置有覆盖第二导电层722a的第二包覆层722b。第一包覆层721b可以覆盖第一导电层721a的顶面和侧面，第二包覆层722b可以覆盖第二导电层722a的顶面和侧面。
并且，第二平坦化层117可以配置成，覆盖第一包覆层721b和第一导电层721a、第二包覆层722b和第二导电层722a。第二平坦化层117可以配置成，覆盖第一包覆层721b的至少一部分和第二包覆层722b的至少一部分。第一包覆层721b的一部分和第二包覆层722b的一部分可以从第二平坦化层117的第一开口部117a露出。
另一方面，第二组装配线722的厚度T2可以比第一组装配线721的厚度T1更厚，第二组装配线722的顶面可以配置成高于第一组装配线721的顶面。
在将第二组装配线722形成为比第一组装配线721更厚的情况下，发光器件LED可能难以与第二组装配线722下方的第一组装配线721相接。因此，通过将第二组装配线722的第二厚度T2形成为比第一组装配线721的第一厚度T1更厚，从而具有可以仅在第二组装配线722上容易地接合发光器件LED的技术效果。
第一组装配线721的一部分和第二组装配线722的一部分可以与第一开口部117a重叠。在与第一开口部117a重叠的第一组装配线721的宽度A与在第一开口部117a处第一组装配线721和第二组装配线722之间的宽度B之和可以小于发光器件LED的最小高度C。
即，与第一开口部117a重叠的第一包覆层721b的宽度A与第一包覆层721b和第二包覆层722b之间的间隔B之和可以小于发光器件LED的最小高度C。
在这种情况下，复数个发光器件LED的最小高度至少比第二组装配线722和第一开口部117a的侧壁之间的间隔大，因此具有复数个发光器件LED很难在第一组装配线721上部的中空空间完全插入的技术效果。
如图7b所示，具有即使复数个发光器件LED在第一开口部117a内以倾斜的状态自组装，复数个发光器件LED也可以不与第一组装配线721相接的技术效果。因此，具有即使不形成额外的覆盖与第一开口部117a重叠的第一组装配线721的一部分的绝缘层，也可以只将第一组装配线721和第二组装配线722中的第二组装配线722与发光器件LED电连接的技术效果。
参照图7a和图7b，在通过向复数个发光器件LED施加热量和压力来将发光器件LED接合到第二组装配线722上的过程中，如图7a所示，复数个发光器件LED中的一部分在第二组装配线722上可以以平坦的状态接合。另外，如图7b所示，复数个发光器件LED中的另一部分在第二组装配线722上也可以以倾斜的状态接合。
另一方面，如图7b所示，在复数个发光器件LED以倾斜的状态自组装到第一开口部117a内的情况下，也可能会发生复数个发光器件LED与第一组装配线721和第二组装配线722两者均接触的情况。第一组装配线721的第一包覆层721b可以由能够诱导冷焊现象的物质构成，冷焊现象是指，在未正常进行焊接而受到热量或冲击的情况下焊料掉落的现象。
即使在自组装和接合复数个发光器件LED的过程中第一包覆层721b和发光器件LED接触，由于第一包覆层721b由容易发生冷焊现象的物质构成，因此具有可以分离第一包覆层721b和发光器件LED，并且可以使第一组装配线721和发光器件LED电连接的情况最小化的技术效果。例如，第一包覆层721b可以由透明导电性氧化物构成，但不限于此。
在第四实施例的显示装置700中，通过将第二组装配线722的第二厚度T2形成为比第一组装配线721的第一厚度T1更厚，具有可以将发光器件LED容易地接合到第二组装配线722，而无需额外的覆盖第一组装配线721的绝缘层的技术效果。
在将第二组装配线722的第二厚度T2形成为比第一组装配线721的第一厚度T1更厚的情况下，在第一开口部117a内自组装的复数个发光器件LED可以优先与第一组装配线721和第二组装配线722中的第二组装配线722相接并接合。另外，在复数个发光器件LED以倾斜的状态自组装并配置到第二组装配线722和第一开口部117a侧壁之间的空间的情况下，由于第二组装配线722的较厚的第二厚度，发光器件LED的第一电极134可能很难与第一组装配线721相接。
由此，具有可以在没有覆盖第一组装配线721的绝缘层的情况下防止发光器件LED和第一组装配线721在第一开口部117a处彼此相接的技术效果。
另外，通过将发光器件LED的最小高度C形成为比从第一开口部117a露出的第一组装配线721的宽度A与第一组装配线721和第二组装配线722之间的宽度B之和更大，从而具有在自组装时能够防止复数个发光器件LED插入到第一组装配线721上部的中空空间的技术效果。
因此，在第四实施例的显示装置700中，通过将第二组装配线722的第二厚度T2形成为比第一组装配线721的第一厚度T1更厚，从而具有能够简化覆盖第一组装配线721的绝缘层，并且将复数个发光器件LED只容易地接合到第二组装配线722的技术效果。
接着，图8a是第五实施例的显示装置的剖视图。图8a的显示装置800与图7的第四显示装置700相比，只有第二平坦化层817不同，其它构成实质上相同，因此省略重复说明。
参照图8a，第二平坦化层817可以包括凸出部817a。第二平坦化层817的凸出部817a是从构成第一开口部117a的侧壁的下侧部分延伸到第一开口部117a的内侧的部分，可以覆盖第一组装配线721的第一包覆层721b的一部分，可以覆盖第二组装配线722的第二包覆层722b的一部分。
以第一组装配线721的顶面为基准，在第一开口部117a处，第二平坦化层817侧壁的角度可以大于凸出部817a的角度。例如，第二平坦化层817侧壁相对于第一组装配线721顶面的角度可以形成为约70°以上且接近竖直。凸出部817a的顶面即侧面相对于第一组装配线721顶面的角度可以具有约30°以下的平缓的倾斜。
在复数个发光器件LED以倾斜的状态自组装到第一开口部117a内的情况下，从第二平坦化层817的侧壁的下侧部分延伸的凸出部817a可以使发光器件LED与第一组装配线721电连接的情况最小化。
根据第五实施例，在与第一开口部117a侧壁相邻的第一组装配线721上形成凸出部817a，从而可以使发光器件LED与从第一开口部117a露出的第一组装配线721分离并且使发光器件LED仅与第二组装配线722电连接。
此时，在第二平坦化层817形成复数个第一开口部117a时，可以通过变更工艺条件来形成第二平坦化层817的凸出部817a。例如，在通过光刻工艺来形成复数个第一开口部117a的情况下，曝光时通过掩膜照射到第二平坦化层817的光可以从第一开口部117a下方的第一组装配线721和第二组装配线722反射和散射。
因此，在显影时，由于从第一组装配线721和第二组装配线722的表面附近反射和散射的光，可能很难从第一开口部117a的下侧侧壁部分去除构成第二平坦化层817的物质。因此，可以利用光从由金属物质构成的第一组装配线721和第二组装配线722的表面反射和散射的现象来形成从第一开口部117a的下侧侧壁凸出的凸出部817a。
根据第五实施例的显示装置800，通过形成从第一开口部117a凸出的凸出部817a，具有能够防止第一组装配线721和发光器件LED电连接的技术效果。复数个凸出部817a是从第一开口部117a的下侧侧壁凸出的部分，可以覆盖与第一开口部117a侧壁相邻的第一组装配线721的顶面一部分和第二组装配线722的顶面一部分。
例如，在自组装复数个发光器件LED时，在复数个发光器件LED以倾斜的状态自组装的情况下，发光器件LED的一部分配置在配置有第一组装配线721的空间，从而第一组装配线721和发光器件LED可能电连接。
为了防止这种现象，可以通过形成覆盖与第一开口部117a侧壁相邻的第一组装配线721顶面的凸出部817a来防止复数个发光器件LED和复数个第一组装配线721彼此相接。因此，在第五实施例的显示装置800中，通过形成从第二平坦化层817凸出的凸出部817a来代替额外的覆盖复数个第一组装配线721的绝缘层，从而具有能够分离复数个第一组装配线721和复数个发光器件LED的技术效果。
接着，图8b是第六实施例的显示装置的剖视图。图8b的显示装置800与图8a的第五实施例的显示装置800相比，只有第2-2凸出部817b不同，其它构成实质上相同，因此省略重复说明。
参照图8b，第二平坦化层817可以包括第2-2凸出部817b。
第二平坦化层817的第2-2凸出部817b可以覆盖第一组装配线721的第一包覆层721b的一部分，可以覆盖第二组装配线722的第二包覆层722b的一部分。
所述第2-2凸出部817b的顶面可以平坦地形成。由此，所述第2-2凸出部817b还与发光器件130的底面接触，从而具有在自组装时发光器件可以被稳定地支撑而不倾斜的技术效果。
另外，具有第2-2凸出部817b将在发光器件130、第一组装配线721以及第二组装配线722产生的热量散热到绝缘层内的效果。
接着，图9a是第七实施例的显示装置的剖视图。图9a的显示装置900与图5的显示装置500相比，只有第一包覆层821b、第二包覆层822b、电极孔823不同，其它构成实质上相同，因此省略重复说明。
根据非公开内部技术，自组装需要DEP力，但由于难以均匀控制DEP力，因此在利用自组装进行组装时，发生发光器件在组装孔内向非正常位置偏移或倾斜的问题。
另外，由于发光器件的偏移或倾斜，在电接触工艺中，存在因电接触特性下降而点亮率下降的问题。
因此，根据非公开内部技术，自组装需要DEP力，但是在利用DEP力的情况下，面临因半导体发光器件的偏移现象而电接触特性下降的技术矛盾。
例如，根据内部技术的组装电极结构，在第一组装电极和第二组装电极之间设置作为绝缘膜的钝化层，在仅其中一方露出的状态下进行自组装。然而，由于组装电极结构非对称，因此电场分布也非对称地形成，从而在组装半导体发光器件时可能偏向一侧，向绝缘膜露出的组装电极和发光器件的接合金属之间的接合面积减少，因此存在随着发光芯片小型化而难以施加信号的难点。
参照图9a，第一包覆层821b配置在第二钝化层115上，覆盖第一导电层821a，一部分可以朝第二导电层822a和第二包覆层822b方向延伸。
另外，第二包覆层822b配置在第三钝化层116上，覆盖第二导电层822a，一部分可以朝第一导电层821a和第一包覆层821b方向延伸。
在第七实施例中，第一包覆层821b和第二包覆层822b隔着第三钝化层116配置，可以在上下重叠。
另一方面，第二包覆层822b可以在与发光器件130和第一包覆层821b重叠的区域具有规定的电极孔823。电极孔823的大小可以小于发光器件130的大小。
另外，在第一包覆层821b和第二包覆层822b可以通过施加交流电压来形成电场。基于这种电场的DEP力可以集中在设置于第二包覆层822b内的电极孔823。
例如，参照图9b，发光器件130可以通过由第一包覆层821a和第二包覆层822b的电场引起的介电泳力(DEP力)组装到第一开口部117a内。
另一方面，第二包覆层822b可以配置在发光器件130的下方。另外，所述第二包覆层822b可以与发光器件130的第一电极134相接。
因此，由于第二包覆层822b配置到发光器件130的第一电极134的底面，因此具有均匀地支撑发光器件130的效果。
接着，图10是详细表示图9b所示的组装配线821、822和DEP力的立体图。
在第七实施例中，第一包覆层821b的一部分和第二包覆层822b的一部分可以上下重叠。例如，第一包覆层821b可以包括第1-1包覆层821b1和第1-2包覆层821b2。
所述第1-2包覆层821b2可以是从所述第1-1包覆层821b1朝所述第二包覆层822b方向延伸的凸出电极。
另外，第二包覆层822b可以包括第2-1包覆层822b1和第2-2包覆层822b2。
所述第2-2包覆层822b2可以是从所述第2-1包覆层822b1朝所述第一包覆层821b方向延伸的凸出电极。
此时，所述第1-2包覆层821b2和所述第2-2包覆层822b2可以垂直重叠。
另外，所述第2-2包覆层822b2可以具有电极孔823。
由第一包覆层821b和第二包覆层822b生成的电场集中到形成在第二包覆层822b内的电极孔823而形成DEP力。通过集中的DEP力，发光器件130的组装力可以增强。
根据第七实施例，以上下重叠的方式配置第一组装电极的第一包覆层821b和第二组装电极的第二包覆层822b，第二组装电极的第二包覆层822b可以具有电极孔823。
由此，DEP力可以集中形成在第二包覆层822b的电极孔823，在组装孔中央分布均匀的DEP力，从而具有提高组装率的技术效果。
例如，根据第七实施例，第一组装电极的第一包覆层821b和具有电极孔823的第二组装电极的第二包覆层822b以上下重叠的方式配置，从而具有能够将强DEP力均匀地集中到组装孔内侧中央的特殊的技术效果。
另外，根据第七实施例，具有如下技术效果：由于相互重叠的包覆层的有效电极面积大，因此组装电极的静电电容得到改善，并且DEP力大，因此强DEP力可以均匀地集中到组装孔中央。
以上描述的实施例的包括半导体发光器件的显示装置具有能够将自组装配线用作用于驱动发光器件的配线的技术效果。
另外，实施例具有如下技术效果：能够通过多样地形成复数个组装配线的结构来使发光器件的自组装或接合时发生的不良最小化。
另外，实施例具有能够使复数个组装配线的腐蚀和短路不良最小化的技术效果。例如，实施例可以利用耐腐蚀的包覆层来预防导电层的腐蚀。
另外，实施例具有能够精确地控制复数个组装配线之间的间隔的技术效果。
另外，实施例具有能够通过减小复数个组装配线之间的台阶差来稳定地接合复数个发光器件的技术效果。另外，实施例通过在平坦化层形成凸出部来克服复数个组装配线之间的台阶差，从而具有能够稳定地接合发光器件的技术效果。
另外，实施例具有在简化覆盖第一组装配线的绝缘层的同时能够容易地分离第一组装配线和发光器件的技术效果。
另外，实施例具有能够通过以垂直型对称结构配置复数个组装配线来加强对发光器件的组装力的技术效果。
另外，实施例具有能够通过接地用焊盘去除寄生电容器的技术效果。
另外，实施例具有能够减小面板基板的厚度的技术效果。例如，在实施例中，可以通过使包覆层沿导电层的水平方向延伸且在组装发光器件的开口部重叠包覆层来减小面板基板的厚度。
上述详细说明应理解为是示例性的，不应解释为在所有方面是限制性的。实施例的范围应由所附的权利要求的合理解释来确定，实施例的等同范围内的所有变更包括在实施例的范围。
[附图标记说明]
10：母基板
AA：显示区域
NA：非显示区域
SP：子像素
SPR：红色子像素
SPG：绿色子像素
SPB：蓝色子像素
100、500、600、700、800、900：显示装置
110：基板
111：缓冲层
112：栅极绝缘层
113：第一钝化层
114：第一平坦化层
115：第二钝化层
116：第三钝化层
117、817：第二平坦化层
117a：第一开口部
117b：第二开口部
817a：凸出部
817b：第二凸出部
118：第三平坦化层
119：保护层
120、520、620、720、820：组装配线
121、521、621、721、821：第一组装配线
121a、521a、621a、721a、821a：第一导电层
121b、521b、621b、721b、821b：第一包覆层
122、522、622、722、822：第二组装配线
122a、522a、622a、722a、822a：第二导电层
122b、522b、622b、722b、822b：第二包覆层
821b1：第1-1包覆层
821b2：第1-2包覆层
822b1：第2-1包覆层
822b2：第2-2包覆层
823：电极孔
LED：发光器件
130：红色发光器件
131：第一半导体层
132：发光层
133：第二半导体层
134：第一电极
135：第二电极
140：绿色发光器件
150：蓝色发光器件
LS：遮光层
SL：扫描配线
DL：数据配线
RL：基准配线
VDD：高电位电源配线
VDD1：第一层
VDD2：第二层
VDD3：第三层
TR1：第一晶体管
ACT1：第一有源层
GE1：第一栅极电极
SE1：第一源极电极
DE1：第一漏极电极
TR2：第二晶体管
ACT2：第二有源层
GE2：第二栅极电极
SE2：第二源极电极
DE2：第二漏极电极
TR3：第三晶体管
ACT3：第三有源层
GE3：第三栅极电极
SE3：第三源极电极
DE3：第三漏极电极
ST：存储电容器
ST1：第一电容器电极
ST2：第二电容器电极
CE：连接电极
CE1：第一连接层
CE2：第二连接层
PE：像素电极
BM：黑色矩阵
CB：腔室
WT：流体
MG：磁铁
PD：组装焊盘
PD1：第一组装焊盘
PD2：第二组装焊盘
PD3：第三组装焊盘
PD4：第四组装焊盘
PD5：第五组装焊盘
PD6：第六组装焊盘
GP：接地用焊盘
PL：组装配线连接部
PL1：第一连接部
PL2：第二连接部
PL3：第三连接部
PL4：第四连接部
PL5：第五连接部
PL6：第六连接部
LL：链路配线
SCL：切割线
IL：复数个绝缘层
A：第一组装配线的宽度
B：第一组装配线和第二组装配线之间的宽度
C：发光器件的最小高度
T1：第一组装配线的第一厚度
T2：第二组装配线的第二厚度
工业利用性
实施例可以应用于显示图像或信息的显示领域。
实施例可以应用于利用半导体发光器件来显示图像或信息的显示领域。
实施例可以应用于利用微米级或纳米级半导体发光器件来显示图像或信息的显示领域。

Claims (20)

1.一种包括半导体发光器件的显示装置，其中，所述显示装置包括：
基板；
第一组装配线和第二组装配线，在所述基板上交替配置，彼此隔开；
平坦化层，配置在所述第一组装配线和所述第二组装配线上，具有第一开口部；以及
半导体发光器件，具有第一电极且配置在所述第一开口部的内侧，与所述第一组装配线和所述第二组装配线重叠；
所述半导体发光器件的第一电极与所述第一组装配线和所述第二组装配线中的一方电连接。
2.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括所述第一组装配线和所述半导体发光器件的第一电极之间的绝缘层；
所述第二组装配线在所述第一开口部处从所述绝缘层露出。
3.根据权利要求2所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线包括：
第一导电层，配置在所述基板上；以及
第一包覆层，与所述第一导电层相接；
所述第二组装配线包括：
第二导电层，配置在所述绝缘层上；以及
第二包覆层，与所述第二导电层相接；
所述半导体发光器件的第一电极与所述第二包覆层相接。
4.根据权利要求3所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一导电层的一部分、所述第一包覆层的一部分、所述第二导电层的一部分以及所述第二包覆层的一部分与所述第一开口部重叠；
所述第二包覆层配置在所述绝缘层上。
5.根据权利要求3所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一导电层和所述第二导电层与所述平坦化层重叠；
所述第一包覆层的一部分和所述第二包覆层的一部分配置在所述第一开口部的内侧。
6.根据权利要求4所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一包覆层配置在所述绝缘层的下方，所述第二包覆层配置在所述绝缘层上。
7.根据权利要求4所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一包覆层和所述第二包覆层在所述绝缘层的下方配置在同一平面上；
所述第二包覆层通过所述绝缘层的接触孔与所述绝缘层上的所述第二导电层电连接。
8.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线和所述第二组装配线配置在同一平面上。
9.根据权利要求8所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线的一部分和所述第二组装配线的一部分与所述第一开口部重叠；
在所述第一开口部处所述第一组装配线的一部分的宽度与在所述第一开口部处所述第一组装配线和所述第二组装配线之间的宽度之和小于所述半导体发光器件的高度。
10.根据权利要求8所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括凸出部，所述凸出部在所述第一开口部处从所述平坦化层的侧壁凸出，覆盖所述第一组装配线的一部分和所述第二组装配线的一部分。
11.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括与所述基板的有源区域电连接的接地用焊盘。
12.根据权利要求1所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线与所述第二组装配线垂直重叠；
所述第二组装配线在与所述第一组装配线垂直重叠的区域中包括电极孔。
13.根据权利要求12所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线包括第一导电层和所述第一导电层上的第一包覆层；
所述第二组装配线包括第二导电层和所述第二导电层上的第二包覆层；
所述第一包覆层包括第1-1包覆层和从所述第1-1包覆层延伸的第1-2包覆层；
所述第二包覆层包括第2-1包覆层和从所述第2-1包覆层延伸的第2-2包覆层；
所述第1-2包覆层和所述第2-2包覆层上下重叠。
14.根据权利要求13所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第2-2包覆层包括所述电极孔。
15.一种包括半导体发光器件的显示装置，其中，所述显示装置包括：
基板，限定复数个子像素；
第一组装配线，沿复数个所述子像素中配置在同一线上的复数个子像素配置；
第二组装配线，沿复数个所述子像素中配置在同一线上的复数个子像素配置，与所述第一组装配线相邻配置；
平坦化层，包括与所述第一组装配线和所述第二组装配线重叠的第一开口部；以及
发光器件，在复数个所述子像素中分别配置在所述第一开口部处，与所述第二组装配线电连接。
16.根据权利要求15所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述发光器件在所述第一开口部处与所述第二组装配线接合。
17.根据权利要求16所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
每个所述第一组装配线包括：
第一导电层；以及
第一包覆层，与所述第一导电层电连接；
每个所述第二组装配线包括：
第二导电层；以及
第二包覆层，与所述第二导电层电连接；
所述第一导电层和所述第一包覆层由彼此不同的物质构成，所述第二导电层和所述第二包覆层由彼此不同的物质构成。
18.根据权利要求17所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括覆盖所述第一导电层和所述第一包覆层的绝缘层；
所述第二导电层配置在所述绝缘层上；
所述平坦化层覆盖所述第一导电层和所述第二导电层；
所述第一包覆层从所述第一导电层向所述第一开口部的内侧延伸；
所述第二包覆层从所述第二导电层向所述第一开口部的内侧延伸，与复数个所述发光器件相接。
19.根据权利要求15所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
还包括与所述基板的有源区域电连接的接地用焊盘。
20.根据权利要求15所述的包括半导体发光器件的显示装置，其中，
所述第一组装配线与所述第二组装配线垂直重叠；
所述第二组装配线在与所述第一组装配线垂直重叠的区域中包括电极孔。
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US20180190672A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 Innolux Corporation Display device
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KR102200046B1 (ko) * 2018-12-21 2021-01-08 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
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