CN117700399A - 含三嗪化合物、有机电致发光器件和电子装置 - Google Patents
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Abstract
本申请属于有机电致发光技术领域,涉及一种含三嗪化合物及使用其的有机电致发光器件和电子装置,该含三嗪化合物具有如式I所示的结构,将该含三嗪化合物用于有机电致发光器件中,能够改善有机电致发光器件的性能。
Description
技术领域
本申请涉及有机电致发光材料技术领域,尤其涉及一种含三嗪化合物、有机电致发光器件和电子装置。
背景技术
有机电致发光器件,例如有机发光二极管(OLED),通常包括相对设置的阴极和阳极,以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成,且一般包括有机发光层、空穴传输层、电子传输层等。当阴阳两极施加电压时,两电极产生电场,在电场的作用下,阴极侧的电子向电致发光层移动,阳极侧的空穴也向发光层移动,电子和空穴在电致发光层结合形成激子,激子处于激发态向外释放能量,进而使得电致发光层对外发光。
现有的有机电致发光器件中,最主要的问题为寿命和效率,随着显示器的大面积化,驱动电压也随之提高,发光效率及电流效率也需要提高,因此,有必要继续研发新型的材料,以进一步提高有机电致发光器件的性能。
发明内容
本申请的目的在于提供一种含三嗪化合物、有机电致发光器件和电子装置,以改善有机电致发光器件的性能。
为实现上述发明目的,本申请采用如下技术方案:
根据本申请的第一个方面,提供一种含三嗪化合物,具有式I所示的结构:
式I中,
L1、L2和L3相同或不同,且各自独立地选自单键、碳原子数为6~30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的亚杂芳基所组成的组;
Ar1和Ar2相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基、基团A所组成的组,且Ar1和Ar2中至少有一个选自基团A;
各R4独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为3~10的环烷基所组成的组;
n4选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13;
所述基团A具有式II所示结构:
X选自O、S、N、N(Ar)、CR或C(R2R3);
Ar选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基所组成的组;
R、R2和R3相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为6~20的氘代芳基或碳原子数为3~30的杂芳基,或者R2和R3与它们连接的碳原子一起构成饱和或不饱和的3~15元环;
各R1独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为3~10的环烷基;
n1选自0、1、2、3、4、5、6、7或8;
L1、L2、L3、Ar、Ar1、Ar2、R1和R4中的取代基相同或不同,且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为3~20的杂芳基或碳原子数为3~10的环烷基;任选地,任意两个相邻的取代基可以形成饱和或不饱和的3~15元环。
本申请提供的含三嗪化合物以[5]螺烯为母核,连接二苯并五元环取代的三嗪,[5]螺烯和二苯并五元环均具有较大的共轭平面和刚性,三嗪具有优异的电子传输性能;将[5]螺烯和二苯并五元环取代的三嗪连接后,一方面二苯并五元环取代的三嗪具有较好的电子传输特性,与刚性的[5]螺烯相结合,可进一步提高材料的电子迁移率;另一方面,[5]螺烯末端的第1和第5两个苯环由于氢原子的位阻效应,处于不同平面,进而在分子内形成具有不同多个夹角的空间平面,可有效抑制分子之间的堆积,改善材料的成膜性。将本申请含三嗪化合物作为发光层主体材料时,可以改善发光层中载流子的平衡,提高载流子利用率,拓宽载流子的复合区域,进而显著提高器件的效率和寿命。
根据本申请的第二个方面,提供一种有机电致发光器件,有机电致发光器件包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;所述功能层包含上述的含三嗪化合物。
根据本申请的第三个方面,提供一种电子装置,所述电子装置包括有上述的有机电致发光器件。
附图说明
图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图,其中100表示阳极、200表示阴极、300表示功能层、310表示空穴注入层、321表示第一空穴传输层、322表示第二空穴传输层、330表示有机发光层、340表示电子传输层、350表示电子注入层。
图2是本申请一种具体实施方式的电子装置的结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
在图中,为了清晰,可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
第一方面,本申请提供一种含三嗪化合物,具有式I所示的结构:
式I中,
L1、L2和L3相同或不同,且各自独立地选自单键、碳原子数为6~30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的亚杂芳基所组成的组;
Ar1和Ar2相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基、基团A所组成的组,且Ar1和Ar2中至少有一个选自基团A;
各R4独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为3~10的环烷基所组成的组;
本申请中,n4是指取代基R4的数量,n4选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13;当n4大于1时,各取代基R4相同或不同;
所述基团A具有式II所示结构:
X选自O、S、N、N(Ar)、C(R)或C(R2R3);
Ar选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基所组成的组;
R、R2和R3相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为6~20的氘代芳基或碳原子数为3~30的杂芳基,或者R2和R3与它们连接的碳原子一起构成饱和或不饱和的3~15元环;
各R1独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为3~10的环烷基;
本申请中,n1是指取代基R1的数量,n1选自0、1、2、3、4、5、6、7或8;当n1大于1时,各取代基R1相同或不同;
L1、L2、L3、Ar、Ar1、Ar2、R1和R4中的取代基相同或不同,且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为3~20的杂芳基或碳原子数为3~10的环烷基;任选地,任意两个相邻的取代基可以形成饱和或不饱和的3~15元环。
举例而言,本申请中,“R2和R3与它们连接的碳原子一起构成饱和或不饱和的3~15元环”的意思是R2和R3可以相互连接形成一个环,二者也可以相互独立存在;当它们形成环时,该环可以是5元环,如也可以是6元环如还可以是13元环如其他成环类型此处不再一一列举。
本申请提供的含三嗪化合物以[5]螺烯为母核,连接二苯并五元环取代的三嗪,[5]螺烯和二苯并五元环均具有较大的共轭平面和刚性,三嗪具有优异的电子传输性能;将[5]螺烯和二苯并五元环取代的三嗪连接后,一方面二苯并五元环取代的三嗪具有较好的电子传输特性,与刚性的[5]螺烯相结合,可进一步提高材料的电子迁移率;另一方面,[5]螺烯末端的第1和第5两个苯环由于氢原子的位阻效应,处于不同平面,进而在分子内形成具有不同多个夹角的空间平面,可有效抑制分子之间的堆积,改善材料的成膜性。将本申请含三嗪化合物作为混合型主体材料中的电子传输型主体材料时,可以改善发光层中载流子的平衡,提高载流子利用率,拓宽载流子的复合区域,进而显著提高器件的效率和寿命。
本申请中,所采用的描述方式“各……独立地选自”与“……分别独立地选自”和“……各自独立地选自”可以互换,均应做广义理解,其既可以是指在不同基团中,相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响,也可以表示在相同的基团中,相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如,其中,各q独立地为0、1、2或3,各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”,其含义是:式Q-1表示苯环上有q个取代基R”,各个R”可以相同也可以不同,每个R”的选项之间互不影响;式Q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”,两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同,各个R”可以相同也可以不同,每个R”的选项之间互不影响。
本申请中,“取代或未取代的”这样的术语是指,在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述,将取代基统称为Rc)。举例来讲,“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者没有取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、杂芳基、芳基、三烷基硅基、三苯基硅基、烷基、卤代烷基、环烷基、氘代苯基等。取代的个数可以是1个或多个。
本申请中,“多个”是指2个以上,例如2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个、10个或更多个。
本申请中,取代或未取代的官能团的碳原子数,指的是该官能团及其上的全部取代基的所有碳原子数之和。
本申请中,L1、L2、L3、R、R1、R2、R3、R4、Ar1和Ar2中的碳原子数,指的是该基团中的所有碳原子数。举例而言,若Ar1选自取代的碳原子数为10的芳基,则芳基及其上的取代基的所有碳原子数为10。再举例而言,若Ar1为9,9-二甲基芴基,则Ar1为取代的碳原子数为15的芴基,Ar1的成环碳原子数为13。
在本申请中,当没有另外提供具体的定义时,“杂”是指在一个官能团中包括至少1个B、N、O、S、Si、Se或P等杂原子且其余原子为碳和氢。未取代的烷基可以是没有任何双键或三键的“饱和烷基基团”。
本申请中的“环”包含饱和环、不饱和环;饱和环即饱和脂肪族环,不饱和环,即部分不饱和环,如环己烯或芳香环,如芳环和杂芳环。
在本申请中,n个原子形成的环体系,即为n元环。例如,苯基为6元环。饱和或不饱和的3~15元环就是指具有3~15个环原子的环状基团。3~15元环例如为环戊烷、环己烷、芴环、苯环等。
本申请化合物结构中的氢原子,包括氢元素的各种同位素原子,例如氢(H)、氘(D)或氚(T)。
本申请中,芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基,换言之,芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即,除非另有说明,通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中,稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有B、N、O、S、P、Se和Si等杂原子。芳基的实例包括但不限于,苯基、萘基、芴基、螺二芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、三亚苯基、苝基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等。
本申请中,涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个或多个氢原子所形成的二价基团。
本申请中,三联苯基包括
本申请中,取代或未取代的芳基(亚芳基)的碳原子数可以为6、8、10、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、30。在一些实施方式中,取代或未取代的芳基是碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基,另一些实施方式中,取代或未取代的芳基是碳原子数为6~25的取代或未取代的芳基,另一些实施方式中,取代或未取代的芳基是碳原子数为6~18的取代或未取代的芳基,另一些实施方式中,取代或未取代的芳基是碳原子数为6~15的取代或未取代的芳基。
本申请中,芴基可以被1个或多个取代基取代,在上述芴基被取代的情况下,取代的芴基可以为:等,但并不限定于此。
在本申请中,杂芳基是指环中包含1、2、3、4、5或6个杂原子的一价芳香环或其衍生物,杂原子可以是B、O、N、P、Si、Se和S中的一种或多种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基,换言之,杂芳基可以是单个芳香环体系,也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系,且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地,杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及N-苯基咔唑基、N-吡啶基咔唑基、N-甲基咔唑基等,而不限于此。
本申请中,涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个或多个氢原子所形成的二价或多价基团。
本申请中,取代或未取代的杂芳基(亚杂芳基)的碳原子数可以选自3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30。在一些实施方式中,取代或未取代的杂芳基是总碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基,另一些实施方式中,取代或未取代的杂芳基是总碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基,另一些实施方式中,取代或未取代的杂芳基是总碳原子数为5~12的取代或未取代的杂芳基。
本申请中,取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、-CN、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、卤代烷基等基团取代。
本申请中,碳原子数为1~10的烷基可以包括碳原子数1至10的直链烷基和碳原子数3至10的支链烷基。烷基的碳原子数例如可以为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10个,烷基的具体实例包括但不限于,甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基等。
本申请中,卤素基团例如可以为氟、氯、溴、碘。
本申请中,三烷基硅基的具体实例包括但不限于,三甲基硅基、三乙基硅基等。
本申请中,卤代烷基的具体实例包括但不限于,三氟甲基。
本申请中,碳原子数为3~10的环烷基的碳原子数例如可以为3、4、5、6、7、8或10。环烷基的具体实例包括但不限于,环戊基、环己基、金刚烷基。
本申请中,碳原子数为1~10的氘代烷基的碳原子数例如为1、2、3、4、5、6、7、8或10。氘代烷基的具体实例包括但不限于,三氘代甲基。
本申请中,碳原子数为1~10的卤代烷基的碳原子数例如为1、2、3、4、5、6、7、8或10。卤代烷基的具体实例包括但不限于,三氟甲基。
在本申请中,是指与其他基团相互连接的化学键。
本申请中,不定位连接键涉及的从环体系中伸出的单键其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置,另一端连接化合物分子其余部分。举例而言,如下式(f)中所示地,式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接,其所表示的含义,包括如式(f-1)~式(f-10)所示出的任一可能的连接方式:
再举例而言,如下式(X')中所示地,式(X')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接,其所表示的含义,包括如式(X'-1)~式(X'-4)所示出的任一可能的连接方式:
本申请中的不定位取代基,指的是通过一个从环体系中央伸出的单键连接的取代基,其表示该取代基可以连接在该环体系中的任何可能位置。例如,如下式(Y)中所示地,式(Y)所表示的取代基R'通过一个不定位连接键与喹啉环连接,其所表示的含义,包括如式(Y-1)~式(Y-7)所示出的任一可能的连接方式:
可选地,所述含三嗪化合物选自式I-1至式I-7所示结构:
其中,式I-1至式I-7所示结构中,R4、L1、L2、L3、Ar1、Ar2、n4的限定同式I。
在一些实施方式中,所述基团A选自式II-1至式II-2所示结构组成的组:
其中,式II-1中,X1选自O、S、N(Ar)或C(R2R3),n1为0、1、2、3、4、5、6或7,Ar、R1、R2和R3的限定同式II;
式II-2中,X2选自N或C(R),n1为0、1、2、3、4、5、6、7或8,R和R1的限定同式II。
可选地,所述基团A选自式II-3至式II-5所示结构组成的组:
式II-3中,X1选自O、S、N(Ar)或C(R2R3),n1为0、1、2或3,Ar、R1、R2和R3的限定同式II;
式II-4中,X2选自O、S、N(Ar)或C(R2R3),n1为0、1、2、3、4、5或6,Ar、R、R1、R2和R3的限定同式II;
式II-5中,X2选自N或C(R),n1为0、1、2、3、4、5、6、7或8,R和R1的限定同式II。
在一些实施方式中,所述基团A选自如下基团组成的组:
可选地,Ar选自碳原子数为6~18的芳基、碳原子数为6~12的氘代芳基或碳原子数为5~12的杂芳基;
R、R2和R3相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为6~12的氘代芳基或碳原子数为5~12的杂芳基,或者R2和R3与它们共同连接的碳原子一起构成芴环。
可选地,各R1独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3~8的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~18的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基;
n1选自0、1、2、3、4、5、6、7或8。
可选地,R1中的取代基各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3~8的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为5~12的杂芳基。
在一些实施方式中,所述基团A选自如下式A1至式A9表示的基团组成的组:
上述式A1至式A9中,R1、n1的限定同式I。
可选地,上述式A1至式A9中,各R1独立地选自氘、氰基、氟、碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3~8的三烷基硅基、碳原子数为6~18的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基。
可选地,所述R1中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-4的烷基、碳原子数为1-4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3-8的三烷基硅基、碳原子数为1-4的氟代烷基、碳原子数为6-12的芳基或碳原子数为5-12的杂芳基。
在一些实施方式中,各R1和R4独立地选自碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30的取代或未取代的芳基,碳原子数为3、4、5、6、7、8、9、10、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30的取代或未取代的杂芳基。
可选地,各R1和R4中的取代基独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氘代甲基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基。
在一些实施方式中,各R1和R4独立地选自氘、氰基、氟、碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3~8的三烷基硅基、碳原子数为6~18的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基。
在一些实施方式中,R1和R4各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。
可选地,R1和R4中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氘代甲基、环戊基、环己基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或三甲基硅基。
优选地,R1和R4各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或如下基团组成的组:
在一些实施方式中,各R4独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或以下基团:
在一些实施方式中,各R1独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或以下基团:
在一些实施方式中,R、R2和R3各自独立地选自碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的卤代烷基、碳原子数为1~6的氘代烷基、碳原子数为6~16的芳基、碳原子数为6~16的氘代芳基或碳原子数为3~15的杂芳基。
可选地,Ar选自碳原子数为6~16的芳基、碳原子数为6~16的氘代芳基或碳原子数为3~15的杂芳基。
可选地,R、R2和R3各自独立地选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基、氘代苯基、氘代萘基或氘代联苯基。
可选地Ar选自苯基、联苯基、萘基、氘代苯基、氘代萘基或氘代联苯基。
在一些实施方式中,基团A选自以下基团构成的组:
在一些实施方式中,L1、L2和L3各自独立地选自单键,碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30的取代或未取代的亚芳基,碳原子数为3、4、5、6、7、8、9、10、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30的取代或未取代的亚杂芳基。
在一些实施方式中,L1、L2和L3相同或不同,且各自独立地选自单键、碳原子数为6~18的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3~18的取代或未取代的亚杂芳基。
可选地,L1、L2和L3中的取代基相同或不同,且各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-4的烷基、碳原子数为3-8的三烷基硅基、碳原子数为1-4的氟代烷基、碳原子数为6-12的芳基或碳原子数为5-12的杂芳基。
在一些实施方式中,L1、L2和L3选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚咔唑基所组成的组,或者为上述亚基中两者或三者通过单键连接所形成的亚基基团,例如亚苯基和亚萘基通过单键连接所形成的亚基基团,再如亚苯基和亚联苯基通过单键连接所形成的亚基基团。
可选地,L1、L2和L3中的取代基相同或不同,且各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、三甲基硅基、苯基、萘基或吡啶基。
在一些实施方式中,L1、L2和L3相同或不同,且各自独立地选自单键或者取代或未取代的基团Q,所述未取代的基团Q选自如下基团组成的组:
上述取代的基团Q中的取代基相同或不同,且各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、三甲基硅基、苯基、萘基或吡啶基。
在一些实施方式中,L1选自单键或以下基团:
在一些实施方式中,L2和L3各自独立地选自单键或以下基团:
在一些实施方式中,所述Ar1和Ar2中的一者为基团A,另一者选自碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30的取代或未取代的芳基,碳原子数为3、4、5、6、7、8、9、10、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30的取代或未取代的杂芳基或者基团A所组成的组。
在一些实施方式中,所述Ar1和Ar2中的一者为基团A,另一者选自碳原子数为6~25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基和基团A所组成的组。
进一步可选地,所述Ar1为基团A,Ar2选自碳原子数为6~25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基和基团A所组成的组。
进一步可选地,所述Ar1和Ar2都是基团A。
可选地,Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-4的烷基、碳原子数为1-4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3-8的三烷基硅基、碳原子数为1-4的氟代烷基、碳原子数为6-12的芳基或碳原子数为5-12的杂芳基。
在一些实施方式中,Ar1为基团A,Ar2选自碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30的取代或未取代的芳基,碳原子数为3、4、5、6、7、8、9、10、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30的取代或未取代的杂芳基。
在一些实施方式中,Ar1为基团A,Ar2选自取代或未取代的基团T,未取代的基团T选自如下基团组成的组:
取代的基团T中具有一个或两个以上取代基,各取代基独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基,且当基团W中的取代基个数大于1时,各取代基相同或不同。
可选地,Ar2选自如下基团组成的组:
可选地,为且选自如下基团组成的组:
可选地,选自以下基团组成的组:
进一步可选地,选自如下基团组成的组:
可选地,所述含三嗪化合物选自如下化合物所组成的组:
本申请第二方面提供一种有机电致发光器件,有机电致发光器件包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;所述功能层包含上述的含三嗪化合物,以改善有机电致发光器件的电压特性、效率特性和寿命特性。
可选地,本申请所提供的含三嗪化合物可以用于形成功能层中的至少一个有机膜层。
可选地,所述功能层包括有机发光层,所述有机发光层包括所述含三嗪化合物。其中,有机发光层既可以由本申请所提供的含三嗪化合物组成,也可以由本申请所提供的含三嗪化合物和其他材料共同组成。
按照一种具体的实施方式,所述有机电致发光器件如图1所示,有机电致发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、空穴注入层310、第一空穴传输层321、第二空穴传输层(也称空穴辅助层)322、有机发光层330、电子传输层340、电子注入层350和阴极200。
本申请中,阳极100包括阳极材料,其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数,work function)材料。阳极材料的具体实例包括:金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金;金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO);组合的金属和氧化物如ZnO:Al或SnO2:Sb;或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺,但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物,indium tin oxide)(ITO)作为阳极的透明电极。
本申请中,空穴传输层可以包括一种或者多种空穴传输材料,空穴传输层材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物,具体可以选自如下所示的化合物或者其任意组合:
在一种实施方式中,第一空穴传输层321可由HT-1组成。
在一种实施方式中,第二空穴传输层322由HT-2组成。
可选地,在阳极100和第一空穴传输层321之间还设置有空穴注入层310,以增强向第一空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料,本申请对此不做特殊的限制。所述空穴注入层310的材料例如选自如下化合物或者其任意组合:
在一种实施方式中,空穴注入层310由PD和α-NPD组成。
本申请中,有机发光层330可以由单一发光材料组成,也可以包括主体材料和客体材料。可选地,有机发光层330由主体材料和客体材料组成,注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子,激子将能量传递给主体材料,主体材料将能量传递给客体材料,进而使得客体材料能够发光。
有机发光层330的主体材料可以包含金属螯合类化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物或者其他类型的材料。可选地,所述主体材料包含本申请的含三嗪化合物,进一步可选地,所述有机发光层330的主体材料包含本申请上述化合物1~化合物324中的至少一种。可选地,所述主体材料还包含RH-P。
有机发光层330的客体材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料,本申请对此不做特殊的限制。客体材料又称为掺杂材料或掺杂剂。按发光类型可以分为荧光掺杂剂和磷光掺杂剂。所述磷光掺杂剂的具体实例包括但不限于:
在本申请的一种实施方式中,所述有机电致发光器件为红色有机电致发光器件。在一种更具体的实施方式中,有机发光层330的主体材料包含本申请的含三嗪化合物。客体材料例如为RD-1。
在本申请的一种实施方式中,所述有机电致发光器件为绿色有机电致发光器件。在一种更具体的实施方式中,有机发光层330的主体材料包含本申请的含三嗪化合物。客体材料例如可以为fac-Ir(ppy)3。
电子传输层340可以为单层结构,也可以为多层结构,其可以包括一种或者多种电子传输材料,电子传输材料可以选自但不限于,BTB、LiQ、苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料,本申请对比不作特殊限定。所述电子传输层340的材料包含但不限于以下化合物:
在本申请的一种实施方式中,电子传输层340可以由ET-1和LiQ组成,或者由ET-2和LiQ组成。
本申请中,阴极200可以包括阴极材料,其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括但不限于,金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金;或多层材料如LiF/Al、Liq/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca。可选地,包括包含镁和银的金属电极作为阴极。
可选地,在阴极200和电子传输层340之间还设置有电子注入层350,以增强向电子传输层340注入电子的能力。电子注入层350可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料,或者可以包括碱金属与有机物的络合物。在本申请的一种实施方式中,电子注入层350可以包括镱(Yb)。
本申请第三方面提供一种电子装置,包括本申请第二方面所述的有机电致发光器件。
按照一种实施方式,如图2所示,所提供的电子装置为电子装置400,其包括上述有机电致发光器件。电子装置400例如可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置,例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。
合成例
下面的合成例和实施例用于进一步举例说明和解释本申请的内容。
一般地,本申请的含氮化合物可以通过本申请所描述的方法制备得到。除非有进一步的说明,本申请中取代基符号的含义与化学式I中的取代基符号的含义相同。所属领域的专业人员将认识到:本申请所描述的化学反应可以用来合适地制备许多本申请的其他含三嗪化合物,且用于制备本申请的含三嗪化合物的其它方法都被认为是在本发明的范围之内。
举例而言,本领域技术人员可以通过参考或适当地修改本申请提供的制备方法而合成出本申请的其他含三嗪化合物,例如可以借助适当的保护基团、利用本申请描述之外的其他已知试剂、修改反应条件等。
下面所描述的合成例中,除非另有声明,否则温度均为摄氏度。部分试剂购买于商品供应商如Aldrich Chemical Company,Arco Chemical Company and Alfa ChemicalCompany等,除非另有声明,这些试剂使用时都没有经过进一步纯化。部分常规试剂购买自汕头西陇化工厂、广东光华化学试剂厂、广州化学试剂厂、天津好寓宇化学品有限公司、天津市福晨化学试剂厂、武汉鑫华远科技发展有限公司、青岛腾龙化学试剂有限公司和青岛海洋化工厂。其中,甲苯是经过金属钠回流干燥得到。正己烷是经无水硫酸钠事先干燥使用。
除非另有声明,以下反应一般是在氮气或氩气正压下进行的,或者在无水溶剂上套一干燥管;反应瓶都塞上合适的橡皮塞,底物通过注射器注入反应瓶中。玻璃器皿都是干燥过的。
1HNMR谱使用Bruker 400MHz或600MHz核磁共振谱仪记录。1HNMR谱以CDCl3、CD2Cl2、D2O、DMSO-d6、CD3OD或丙酮-d6为溶剂(以ppm为单位),用TMS(0ppm)或氯仿(7.26ppm)作为参照标准。当出现多重峰的时候,将使用下面的缩写:s(singlet,单峰)、d(doublet,双峰)、t(triplet,三重峰)、m(multiplet,多重峰)、br(broadened,宽峰)、dd(doublet ofdoublets,双二重峰)、ddd(doublet of doublet of doublets,双重双二重峰)、dddd(doublet of doublet of doublet of doublets,双双双二重峰)、dt(doublet oftriplets,双三重峰)、tt(triplet of triplets,三三重峰)。偶合常数J,用赫兹(Hz)表示。低分辨率质谱(MS)数据的测定条件是:Agilent 6120四级杆HPLC-M(柱子型号:Zorbax SB-C18,2.1×30mm,3.5微米,6min,流速为0.6mL/min。流动相:5%-95%(含0.1%甲酸的乙腈)在(含0.1%甲酸的H2O)中的比例),采用电喷雾电离(ESI),210nm/254nm下,用UV检测。
Sub-a1的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中,依次加入RM-1(CAS:1427675-68-0,13.41g,50mmol),1-碘-3-溴萘(16.64g,50mmol),四(三苯基膦)钯(0.58g,0.5mmol),四丁基溴化铵(1.61g,5mmol),无水碳酸钠(10.6g,100mmol),甲苯(140mL),无水乙醇(35mL)和去离子水(35mL),开启搅拌和加热,升温至回流反应16h。待体系冷却至室温后,用二氯甲烷萃取(100mL×3次),合并有机相并用无水硫酸镁干燥,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。用正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体(13.31g,收率62%)。
参照Sub-a1的合成,使用表1中所示的反应物A替代1-碘-3-溴萘,合成Sub-a2至Sub-a4。
表1:Sub-a2至Sub-a4的合成
Sub-b1的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中依次加入Sub-a1(21.47g,50mmol),四丁基氟化铵(1.0M四氢呋喃溶液,150mL)和去离子水(150mL),室温搅拌反应2小时;二氯甲烷萃取(50mL×3次),合并有机相并用无水硫酸镁干燥,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。用正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体(15.72g;产率88%)。
参照Sub-b1的合成,使用表2中所示的反应物B替代Sub-a1,合成Sub-b2至Sub-b4。
表2:Sub-b2至Sub-b4的合成
Sub-c1的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中依次加入Sub-b1(17.86g,50mmol),二氯化铂(0.916g,0.66g,2.5mmol)和甲苯(180mL),升温至回流,搅拌反应24小时;待体系冷却至室温后,用二氯甲烷萃取(100mL×3次),合并有机相并用无水硫酸镁干燥,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。用正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体(13.93g;产率78%)。
参照Sub-c1使用表3中所示的反应物C替代Sub-b1,合成Sub-c2至Sub-c4。
表3:Sub-c2至Sub-c4的合成
Sub-c5的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中,依次加入RM-2(CAS:221683-78-9,26.17g,60mmol),苯硼酸(6.10g,50mmol),四(三苯基膦)钯(0.58g,0.5mmol),四丁基溴化铵(1.61g,5mmol),无水碳酸钠(10.6g,100mmol),甲苯(140mL)和去离子水(35mL),开启搅拌和加热,升温至回流反应16h。待体系冷却至室温后,用二氯甲烷萃取(100mL×3次),合并有机相并用无水硫酸镁干燥,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。用正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体(11.70g,收率54%)。
参照Sub-c5使用表4中所示的反应物D替代苯硼酸,合成Sub-c6和Sub-c7。
表4:Sub-c6和Sub-c7的合成
Sub-d1的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中加入Sub-c1(25.0g,70mmol)和四氢呋喃(干燥,250mL);将体系降温至-78℃,滴加正丁基锂溶液(2.0M正己烷溶液,38.5mL,77mmol),滴加完毕后保温(-78℃)搅拌1小时;保持-78℃,滴加硼酸三甲酯(10.91g,105mmol),滴加完毕后继续保温(-78℃)1小时,然后让体系自然升温至室温;向反应液中滴加稀盐酸(2M,58mL),搅拌30分钟;二氯甲烷萃取(100mL×3次),合并有机相并用无水硫酸镁干燥,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品;粗品用正庚烷打浆,过滤得到白色固体产物Sub-d1(13.98g,收率62%)。
参照Sub-d1使用表5中所示的反应物E替代Sub-c1,合成Sub-d2至Sub-d9。
表5:Sub-d2至Sub-d9的合成
Sub-e1的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中依次加入2-(1,1’-苯基-2基)-4,6-二氯-1,3,5-三嗪(22.66g,75mmol),N-苯基-3-咔唑硼酸(14.35g,50mmol),四(三苯基膦)钯(0.58g,0.5mmol),四丁基溴化铵(1.61g,5mmol),无水碳酸钾(13.82g,100mmol),甲苯(220mL)和去离子水(55mL),开启搅拌和加热,升温至65-70℃反应16小时。待体系冷却至室温后,用二氯甲烷萃取(100mL×3次),有机相用无水硫酸镁干燥后,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。粗品用甲苯重结晶后得到白色固体Sub-e1(14.25g,收率56%)。
参照Sub-e1使用表6中所示的反应物F替代2-(1,1’-苯基-2基)-4,6-二氯-1,3,5-三嗪,反应物G替代N-苯基-3-咔唑硼酸,合成Sub-e2至Sub-e19。
表6:Sub-e2至Sub-e19的合成
Sub-f1的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中依次加入RM-3(CAS:2173555-96-7,18.69g,50mmol),3-氯苯硼酸(8.60g,55mmol),四(三苯基膦)钯(0.58g,0.5mmol),四丁基溴化铵(1.61g,5mmol),无水碳酸钾(13.82g,100mmol),甲苯(180mL),四氢呋喃(45mL)和去离子水(45mL),开启搅拌和加热,升温至回流反应16小时。待体系冷却至室温后,用二氯甲烷萃取(100mL×3次),有机相用无水硫酸镁干燥后,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体(17.77g,收率79%)。
参照Sub-f1使用表7中所示的反应物H替代RM-3,反应物J替代3-氯苯硼酸,合成Sub-f2至Sub-f20。
表7:Sub-f2至Sub-f20的合成
化合物1的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中依次加入Sub-d5(17.72g,55mmol),RM-4(CAS:2142681-84-1,17.89g,50mmol),四(三苯基膦)钯(0.58g,0.5mmol),四丁基溴化铵(1.61g,5mmol),无水碳酸钾(13.82g,100mmol),甲苯(180mL),四氢呋喃(45mL)和去离子水(45mL),开启搅拌和加热,升温至回流反应16小时。待体系冷却至室温后,用二氯甲烷萃取(100mL×3次),有机相用无水硫酸镁干燥,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体(24.58g,收率82%,m/z=600.2[M+H]+)。
参照化合物1的合成,使用表8中所示的反应物K替代Sub-d5,反应物L替代RM-4,合成表8中的本申请化合物。
表8:本申请化合物的合成
部分化合物的核磁数据如下:
化合物116的合成:
氮气氛围下,向500mL三口瓶中依次加入Sub-f1(22.49g,50mmol),Sub-d1(17.72g,55mmol),醋酸钯(0.12,0.5mmol),(2-二环己基膦-2',4',6'三异丙基联苯)(XPhos,0.47g,1.0mmol),无水碳酸钾(13.82g,100mmol),四氢呋喃(220mL)和去离子水(55mL),开启搅拌和加热,升温至回流反应16小时。待体系冷却至室温后,用二氯甲烷萃取(100mL×3次),有机相用无水硫酸镁干燥,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体(25.94g,收率75%,m/z=692.2[M+H]+)。
参照化合物116的合成,使用表9中所示的反应物M替代Sub-f1,反应物N替代Sub-d1,合成表9中的本申请化合物。
表9:本申请化合物的合成
化合物188核磁数据如下:
1H-NMR(400MHz,Methylene-Chloride-D2)δppm8.91(s1H),8.85(d,2H),8.64(d,1H),8.39(d,1H),8.35(d,1H),8.25(d,1H),8.07(d,1H),7.98(d,1H),7.95-7.55(m,18H),7.52-7.44(m,2H),7.38-7.33(m,2H)。
化合物274的合成:
氮气氛围下,向100mL三口瓶加入化合物188(18.15g,25mmol)和200mL苯-D6,升温至60℃后向其中添加三氟甲磺酸(22.51g,150mmol),继续升温至沸腾搅拌反应24小时。待反应体系冷却至室温后,向其中添加50mL重水,搅拌10分钟后加入饱和K3PO4水溶液中和反应液。用二氯甲烷萃取有机层(50mL×3次),合并有机相用无水硫酸钠干燥,过滤后减压蒸馏除去溶剂,得粗品。使用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯,得到白色固体(12.68g,收率67%,m/z=757.4[M+H]+)。
器件实施例
本发明实施方式还提供了一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极以及介于阳极和阴极之间的有机层,有机层包括本发明的上述有机化合物。下面,通过实施例对本发明的有机电致发光器件进行详细说明。但是,下述实施例仅是本发明的示例,而非限定本发明。
实施例1:红色有机电致发光器件
先通过以下过程进行阳极预处理:在厚度依次为的ITO/Ag/ITO基板上,利用紫外臭氧以及O2:N2等离子进行表面处理,以增加阳极的功函数,也可采用有机溶剂清洗ITO基板表面,以清除ITO基板表面的杂质及油污。
在实验基板(阳极)上,将PD:α-NPD以2%:98%的蒸镀速率比例进行共同蒸镀,形成厚度为的空穴注入层(HIL),然后在空穴注入层上真空蒸镀α-NPD,形成厚度为的第一空穴传输层。
在第一空穴传输层上真空蒸镀化合物HT-2,形成厚度为的第二空穴传输层。
接着,在第二空穴传输层上,将化合物1:RH-P:RD-1以49%:49%:2%的蒸镀速率比例进行共同蒸镀,形成厚度为的红光发光层(EML)。
在发光层上,将化合物ET-1和LiQ以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成厚的电子传输层(ETL),将Yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为的电子注入层(EIL),然后将镁(Mg)和银(Ag)以1:9的蒸镀速率混合,真空蒸镀在电子注入层上,形成厚度为的阴极。
此外,在上述阴极上真空蒸镀厚度为的CP-1形成覆盖层(CPL),从而完成红色有机电致发光器件的制造。
实施例2~58
利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件,不同之处仅在于在制作发光层时,以下表10中的化合物3~化合物311代替实施例1中的化合物1。
比较例1~4
利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件,不同之处仅在于在制作发光层时,分别以化合物A、化合物B、化合物C代替实施例1中的化合物1。
其中,在制备各实施例及比较例时,所用的化合物结构如下:
对实施例1-58和比较例1-4制备所得的红色有机电致发光器件进行性能测试,具体在10mA/cm2的条件下测试了器件的IVL性能,T95器件寿命在20mA/cm2的条件下进行测试,测试结果见表10。
表10
参考上表10可知,通过比较各实施例1~58与比较例1~4制备的有机电致发光器件的性能,将本发明含三嗪化合物用做红色有机电致发光器件的主体材料时,有机电致发光器件的发光效率至少提高14.3%,寿命至少提高了12.8%。
以上结合附图详细描述了本发明的优选方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (15)
1.一种含三嗪化合物,具有式I所示的结构:
式I中,
L1、L2和L3相同或不同,且各自独立地选自单键、碳原子数为6~30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的亚杂芳基所组成的组;
Ar1和Ar2相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基和基团A所组成的组,且Ar1和Ar2中至少有一个选自基团A;
各R4独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基和碳原子数为3~10的环烷基所组成的组;
n4选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12或13;
所述基团A具有式II所示结构:
X选自O、S、N、N(Ar)、C(R)或C(R2R3);
Ar选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基所组成的组;
R、R2和R3相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为6~20的氘代芳基或碳原子数为3~30的杂芳基所组成的组,或者R2和R3与它们共同连接的碳原子一起构成饱和或不饱和的3~15元环;
各R1独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为3~10的环烷基;
n1选自0、1、2、3、4、5、6、7或8;
L1、L2、L3、Ar、Ar1、Ar2、R1和R4中的取代基相同或不同,且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为1~10的氘代烷基、碳原子数为1~10的烷氧基、碳原子数为1~10的烷硫基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为3~20的杂芳基或碳原子数为3~10的环烷基;任选地,任意两个相邻的取代基可以形成饱和或不饱和的3~15元环。
2.根据权利要求1所述的含三嗪化合物,其特征在于,所述化合物选自以下式I-1至式I-7所示结构:
式I-1至式I-7所示结构中,R4、L1、L2、L3、Ar1、Ar2、n4的限定同式I。
3.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,基团A选自如下基团所组成的组:
可选地,Ar选自碳原子数为6~18的芳基、碳原子数为6~12的氘代芳基或碳原子数为5~12的杂芳基;
R、R2和R3相同或不同,且各自独立地选自碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为6~12的氘代芳基或碳原子数为5~12的杂芳基,或者R2和R3与它们共同连接的碳原子一起构成芴环;
可选地,各R1独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3~8的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~18的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基;
n1选自0、1、2、3、4、5、6、7或8;
可选地,R1中的取代基各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3~8的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6~12的芳基或碳原子数为5~12的杂芳基。
4.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,R、R2和R3各自独立地选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氘代甲基、苯基、联苯基、萘基、氘代苯基、氘代萘基或氘代联苯基;
可选地Ar选自苯基、联苯基、萘基、氘代苯基、氘代萘基或氘代联苯基。
5.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,基团A选自如下式A1至式A9表示的基团:
上述式A1至式A9中,各R1独立地选自氘、氰基、氟、碳原子数为1~4的烷基、碳原子数为1~4的卤代烷基、碳原子数为1~4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3~8的三烷基硅基、碳原子数为6~18的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基;
可选地,所述R1中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-4的烷基、碳原子数为1-4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3-8的三烷基硅基、碳原子数为1-4的氟代烷基、碳原子数为6-12的芳基或碳原子数为5-12的杂芳基。
6.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,R1和R4各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基;
可选地,R1和R4中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氘代甲基、环戊基、环己基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或三甲基硅基。
7.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,各R1和R4分别独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或如下基团所组成的组:
8.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,L1、L2和L3各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚咔唑基所组成的组,或者为上述亚基中两者或三者通过单键连接所形成的亚基基团;
可选地,L1、L2和L3中的取代基相同或不同,且各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、三甲基硅基、苯基、萘基或吡啶基。
9.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,Ar1和Ar2中的一者为基团A,另一者选自碳原子数为6~25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~18的取代或未取代的杂芳基或者基团A;
可选地,Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-4的烷基、碳原子数为1-4的氘代烷基、碳原子数为1~4的烷氧基、碳原子数为1~4的烷硫基、碳原子数为3-8的三烷基硅基、碳原子数为1-4的氟代烷基、碳原子数为6-12的芳基或碳原子数为5-12的杂芳基。
10.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,Ar1为基团A,Ar2选自取代或未取代的基团T,未取代的基团T选自如下基团所组成的组:
取代的基团T中具有一个或两个以上取代基,各取代基独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基,且当基团W中的取代基个数大于1时,各取代基相同或不同。
11.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,基团A选自如下基团组成的组:
12.根据权利要求1或2所述的含三嗪化合物,其特征在于,选自以下基团组成的组:
13.根据权利要求1所述的含三嗪化合物,其特征在于,所述含三嗪化合物选自如下化合物组成的组:
14.有机电致发光器件,包括相对设置的阳极和阴极,以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层;所述功能层包含权利要求1-13中任一项所述的含三嗪化合物;可选地,所述功能层包含有机发光层,所述有机发光层包括所述含三嗪化合物。
15.电子装置,包括权利要求14所述的有机电致发光器件。
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