CN117691824A - 一种电流模二次项斜坡补偿电路 - Google Patents

一种电流模二次项斜坡补偿电路 Download PDF

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Abstract

一种电流模二次项斜坡补偿电路，涉及直流电压变换电路技术领域，其结构为：线性斜坡电流产生电路(1)的输入端接DC‑DC功率管中的高边管控制信号反向信号ENN，其输出端接第一电流镜(4)的输入端，第一电流镜(4)的输出端接所述二次项斜坡补偿电流产生电路(2)的输入端，二次项斜坡补偿电流产生电路(2)的输出端接第二电流镜(5)的输入端，第二电流镜(5)的输出端接二次项斜坡补偿电压产生电路(3)的输入端，二次项斜坡补偿电压产生电路(3)输出以占空比为变量的二次项斜坡补偿电压VSLOPE。本发明补偿电路的补偿信号为一以占空比为变量的二次项函数，本发明降低了过补偿，提高了补偿的效率，满足稳定性的同时提高了响应速度。

Description

一种电流模二次项斜坡补偿电路
技术领域
本发明涉及直流电压变换电路技术领域，特别涉及一种电流模二次项斜坡补偿电路。
背景技术
传统的斜坡补偿技术主要为固定斜坡补偿，此方案虽然能实现补偿的目的(稳定电流环路)，但是这种斜坡补偿机制普遍采用单一斜率的补偿斜坡，补偿量相对固定，容易造成小占空比下的过补偿。过补偿会使系统趋向于电压控制模式，造成系统瞬态响应变差，影响系统性能。
针对固定补偿，部分发明或文章提出了分段补偿，但是分段的段数有限，对补偿效率的提升有限。
图1所表示的是电流模式变换器在电感电流出现扰动时稳定性状态。当占空比小于50％系统会抑制此扰动，但是当占空比大于50％的情况下电流环路趋于不稳定。由图2所示电流环路的开环不稳定性可以由斜坡补偿原理得到改善，斜坡补偿就是在控制电压VC上减去一个斜率为Se的电压，或者在检测到的电感电流信号上加上一个斜率为Se的电压，加入斜坡补偿后占空比大于50％时的不稳定将得到改善。但是为了满足环路稳定性要求，固定斜率斜坡补偿Se的斜率采用的都是最大占空比下的斜率，这样就造成了小占空比下斜坡过补偿，电流控制模式趋于电压控制模式，瞬态响应速度变慢。
图3示出现有电流模DC-DC固定斜坡补偿方案的电路实现，原理为当DC-DC高边关导通时，ID1为电容C0充电，在B端点产生一斜坡电压，放大器EA的作用使得A点电压等于B点电压，电阻R0将此电压转换成电流，通过电流镜的镜像在E点产生最终需要的斜坡电压VSLOPE。
发明内容
本发明的目的是提供一种电流模二次项斜坡补偿电路，该电路的斜波补偿信号为一以占空比为变量的二次项函数，某个占空比下的补偿的斜率为此函数在该占空比下的微分并随占空比变化而变化。
为了实现以上目的，本发明采用的技术方案为：一种电流模二次项斜坡补偿电路，包括线性斜坡电流产生电路、二次项斜坡补偿电流产生电路、二次项斜坡补偿电压产生电路、第一电流镜、第二电流镜；
所述线性斜坡电流产生电路的输入端接DC-DC功率管中的高边管控制信号反向信号ENN，其输出端接第一电流镜的输入端，第一电流镜的输出端接所述二次项斜坡补偿电流产生电路的输入端，二次项斜坡补偿电流产生电路的输出端接第二电流镜的输入端，第二电流镜的输出端接二次项斜坡补偿电压产生电路的输入端，二次项斜坡补偿电压产生电路输出以占空比为变量的二次项斜坡补偿电压VSLOPE。
其总体工作过程为：所述线性斜坡电流产生电路产生线性斜坡电流IC，线性斜坡电流IC通过第一电流镜镜像到二次项斜坡补偿电流产生电路中，并在二次项斜坡补偿电流产生电路中进行转换，得到以占空比为变量的二次项斜坡补偿电流ISUM，所述二次项斜坡补偿电流ISUM再通过第二电流镜镜像到二次项斜坡补偿电压产生电路中，将二次项斜坡补偿电流ISUM转换为以占空比为变量的二次项斜坡补偿电压VSLOPE。
进一步，所述线性斜坡电流产生电路的具体结构为：
第零NMOS管的栅极接DC-DC功率管中的高边管控制信号反向信号ENN，源极接地，漏极接放大器的同相输入端及基准电流输入IN0并形成参考点A，参考点A还通过第零电容接地；
第四NMOS管的栅极接放大器输出端，其源极接第八PMOS管的源极及第五NMOS管的漏极，其漏极接第一电流镜的输入端；
第八PMOS管的栅极与漏极连接；
第八PMOS管漏极接放大器的反相输入端形成参考点B，参考点B通过第零电阻接地；
第五NMOS管的栅极接直流偏置电压VSENSE，此电压确定第五NMOS管的偏置电流，源极接地。
更进一步，所述放大器由第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管组成，其中：
第一PMOS管，其源极接第一NMOS管的源极，漏极接地，栅极作为放大器的反相输入端；
第二PMOS管，其源极接第二NMOS管的源极，漏极接地，栅极作为放大器的同相输入端；
第一NMOS管，其漏极接第三PMOS管的漏极，其栅极与漏极连接，栅极还接第二NMOS管的栅极；
第二NMOS管，其漏极接第四PMOS管的漏极，且该连接点为放大器输出端；
第三PMOS管，其源极接电源电压VIN，栅极接第四PMOS管的栅极且连接直流偏置电压VB1，此电压确定第三PMOS管和第四PMOS管的偏置电流；
第四PMOS管，其源极接电源电压VIN。
在实际应用中，第一PMOS管、第二PMOS管作为差分对管还可以替换成NMOS管和其他形式的差分结构。
进一步，所述二次项斜坡补偿电流产生电路的具体结构为：
第二三极管的集电极接接第一电流镜的输出端；
第二三极管的基极与集电极连接，发射极连接至第一三极管的集电极；
第一三极管的基极与集电极连接，发射极接地；
第三三极管的集电极接电源电压VIN，基极接第二三极管的集电极，发射级接第三NMOS管的漏极及第四三极管的基极；
第三NMOS管的栅极接偏置电压VB0，此电压确定第三NMOS管的偏置电流，源极接地；
第四三极管的集电极上产生二次项斜坡补偿电流ISUM，接第二电流镜的输入端，其发射极接地。
进一步，所述二次项斜坡补偿电压产生电路的具体结构为：
第七NMOS管的漏极和栅极连接，且接至第二电流镜的第一输出端，其源极接第八NMOS管的漏极，第八NMOS管的源极接地；
第九NMOS管的漏极通过第一电阻接至第二电流镜的第二输出端，其源极接接第十NMOS管的漏极，其栅极接第七NMOS管的栅极、第八NMOS管的栅极及第十NMOS管的栅极；
第十NMOS管的源极接地；
第九NMOS管的漏极接至直流偏置电压VEA0，此电压确定斜波补偿电压的基准值；
第一电阻与第二电流镜第二输出端的连接点形成参考点E，参考点E输出以占空比为变量的二次项斜坡补偿电压VSLOPE。
进一步，所述第一电流镜由第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管组成，其具体结构为：
第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管的源极均接至电源电压VIN；
第五PMOS管的栅极与漏极连接，其栅极还连接第六PMOS管、第七PMOS管的栅极，其漏极作为第一电流镜的输入端；
第六PMOS管，其漏极还接第六NMOS管的漏极，第六NMOS管的栅极与漏极连接，源极接地；
第七PMOS管的漏极作为第一电流镜的输出端，输出一次项斜波电流。
进一步，所述第二电流镜由8个PMOS管组成，其具体结构为：
第九PMOS管、第十一PMOS管、第十三PMOS管、第十五PMOS管的源极均接至电源电压VIN；
第九PMOS管的漏极接第十PMOS管的源极；
第九PMOS管的栅极接第十PMOS管的栅极及漏极；
第十PMOS管的漏极作为第二电流镜的输入端；
第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管的栅极均接至第十PMOS管的栅极；
第十一PMOS管的漏极接第十二PMOS管的源极；
第十三PMOS管的漏极第十四PMOS管的源极；
第十五PMOS管的漏极第十六PMOS管的源极；
第十二PMOS管的漏极作为第二电流镜的第一输出端；
第十四PMOS管的漏极作为第二电流镜的第二输出端。
本发明的有益效果是：
该补偿电路的补偿信号为一以占空比为变量的二次项函数，特定占空比下的补偿斜率为此函数在该占空比下的微分并随占空比变化而变化。这样就相当于每个占空比下的斜坡补偿斜率均不同，占空比越大，斜坡补偿斜率越大，占空比较小斜坡补偿越小，此方案降低了过补偿，提高了补偿的效率，满足稳定性的同时提高了响应速度。
附图说明
图1是电流模DC-DC变换器的开环不稳定性示意图；
图2是电流模DC-DC固定斜坡补偿方案原理图；
图3是一种现有电流模DC-DC固定斜坡补偿电路图；
图4是本发明实施例电流模二次项斜坡补偿电路框图；
图5是本发明实施例电流模二次项斜坡补偿具体电路图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。
图4至图5示出，本发明的一种具体实施方式是，一种电流模二次项斜坡补偿电路，包括线性斜坡电流产生电路1、二次项斜坡补偿电流产生电路2、二次项斜坡补偿电压产生电路3、第一电流镜4、第二电流镜5；
所述线性斜坡电流产生电路1的输入端接DC-DC功率管中的高边管控制信号反向信号ENN，其输出端接第一电流镜4的输入端，第一电流镜4的输出端接所述二次项斜坡补偿电流产生电路2的输入端，二次项斜坡补偿电流产生电路2的输出端接第二电流镜5的输入端，第二电流镜5的输出端接二次项斜坡补偿电压产生电路3的输入端，二次项斜坡补偿电压产生电路3输出以占空比为变量的二次项斜坡补偿电压VSLOPE。
本实施例中，所述线性斜坡电流产生电路1的具体结构为：
第零NMOS管MN0的栅极接DC-DC功率管中的高边管控制信号反向信号ENN，源极接地，漏极接放大器的同相输入端及基准电流输入IN0并形成参考点A，参考点A还通过第零电容C0接地；
第四NMOS管MN4的栅极接放大器输出端，其源极接第八PMOS管MP8的源极及第五NMOS管MN5的漏极，其漏极接第一电流镜4的输入端；
第八PMOS管MP8的栅极与漏极连接；
第八PMOS管MP8漏极接放大器的反相输入端形成参考点B，参考点B通过第零电阻R0接地；
第五NMOS管MN5的栅极接直流偏置电压VSENSE，源极接地。
所述放大器由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2组成，其中：
第一PMOS管MP1，其源极接第一NMOS管MN1的源极，漏极接地，栅极作为放大器的反相输入端；
第二PMOS管MP2，其源极接第二NMOS管MN2的源极，漏极接地，栅极作为放大器的同相输入端；
第一NMOS管MN1，其漏极接第三PMOS管MP3的漏极，其栅极与漏极连接，栅极还接第二NMOS管MN2的栅极；
第二NMOS管MN2，其漏极接第四PMOS管MP4的漏极，且该连接点为放大器输出端；
第三PMOS管MP3，其源极接电源电压VIN，栅极接第四PMOS管MP4的栅极且连接直流偏置电压VB1；
第四PMOS管MP4，其源极接电源电压VIN。
所述二次项斜坡补偿电流产生电路2的具体结构为：
第二三极管Q2的集电极接接第一电流镜4的输出端；
第二三极管Q2的基极与集电极连接，发射极连接至第一三极管Q1的集电极；
第一三极管Q1的基极与集电极连接，发射极接地；
第三三极管Q3的集电极接电源电压VIN，基极接第二三极管Q2的集电极，发射级接第三NMOS管MN3的漏极及第四三极管Q4的基极；
第三NMOS管MN3的栅极接偏置电压VB0，源极接地；
第四三极管Q4的集电极上产生二次项斜坡补偿电流ISUM，接第二电流镜5的输入端，其发射极接地。
所述二次项斜坡补偿电压产生电路3的具体结构为：
第七NMOS管MN7的漏极和栅极连接，且接至第二电流镜5的第一输出端，其源极接第八NMOS管MN8的漏极，第八NMOS管MN8的源极接地；
第九NMOS管MN9的漏极通过第一电阻R1接至第二电流镜5的第二输出端，其源极接接第十NMOS管MN10的漏极，其栅极接第七NMOS管MN7的栅极、第八NMOS管MN8的栅极及第十NMOS管MN10的栅极；
第十NMOS管MN10的源极接地；
第九NMOS管MN9的漏极接至直流偏置电压VEA0；
第一电阻R1与第二电流镜5第二输出端的连接点形成参考点E，参考点E输出以占空比为变量的二次项斜坡补偿电压VSLOPE。
所述第一电流镜4由第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7组成，其具体结构为：
第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7的源极均接至电源电压VIN；
第五PMOS管MP5的栅极与漏极连接，其栅极还连接第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7的栅极，其漏极作为第一电流镜4的输入端；
第六PMOS管MP6，其漏极还接第六NMOS管MN6的漏极，第六NMOS管MN6的栅极与漏极连接，源极接地；
第七PMOS管MP7的漏极作为第一电流镜4的输出端，输出一次项斜波电流。
所述第二电流镜5由8个PMOS管组成，其具体结构为：
第九PMOS管MP9、第十一PMOS管MP11、第十三PMOS管MP13、第十五PMOS管MP15的源极均接至电源电压VIN；
第九PMOS管MP9的漏极接第十PMOS管MP10的源极；
第九PMOS管MP9的栅极接第十PMOS管MP10的栅极及漏极；
第十PMOS管MP10的漏极作为第二电流镜5的输入端；
第十一PMOS管MP11、第十二PMOS管MP12、第十三PMOS管MP13、第十四PMOS管MP14、第十五PMOS管MP15、第十六PMOS管MP16的栅极均接至第十PMOS管MP10的栅极；
第十一PMOS管MP11的漏极接第十二PMOS管MP12的源极；
第十三PMOS管MP13的漏极第十四PMOS管MP14的源极；
第十五PMOS管MP15的漏极第十六PMOS管MP16的源极；
第十二PMOS管MP12的漏极作为第二电流镜5的第一输出端；
第十四PMOS管MP14的漏极作为第二电流镜5的第二输出端。
本实施例电路具体工作过程及补偿电流、补偿电压产生原理如下：
第零NMOS管MN0的栅极控制电压与DC-DC功率管中的高边管控制信号反向，其输出低电平的时间为Ton，Ton为占空比与工作周期的乘积，当第零NMOS管MN0关断，一个与温度无关的基准电流I0给第零电容C0充电，产生一个斜坡电压VA，第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2组成一个差分放大器，放大器的虚短路功能使参考点A和参考点B两点电位相等，VB加在第零电阻R0与地之间将电压转化为电流I1,再与固定电流ISENSE叠加为电流IC：
IC＝ISENSE+I1 (3)
第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7组成的第一电流镜4为同比例电流镜比值为1，其将IC镜像到第一三极管Q1、第二三极管Q2支路，经过三极管结构进行电压转换。电压转换的目的是为了对电流IC进行设计，得到最终的二次项斜坡电流ISUM，ISUM的推导公式如下式：
其中，IS为描述正向放大区晶体管传输特性的常数，典型值为10-14～10-16A；
IB2为第三NMOS管MN3的漏极电流；
VT为热电压也称为温度电压当量，为一常数值26mV；
由公式(6)可知斜坡补偿电流为一个二次项变量，随着占空比D增加，TON增大，补偿电流增大，当占空比很小时，补偿电流非常小，甚至为0。这种斜坡补偿技术即保证了高占空比下电流环路的稳定性又在小占空比下提高了补偿效率。实际上此二次斜坡补偿相当于多段(无限段)的分段斜坡补偿，相应占空比下的斜坡补偿值为此函数在该占空比下的微分。此种补偿方式大大提高了斜坡补偿的效率。

Claims (7)

1.一种电流模二次项斜坡补偿电路，其特征在于：包括线性斜坡电流产生电路(1)、二次项斜坡补偿电流产生电路(2)、二次项斜坡补偿电压产生电路(3)、第一电流镜(4)、第二电流镜(5)；
所述线性斜坡电流产生电路(1)的输入端接DC-DC功率管中的高边管控制信号反向信号ENN，其输出端接第一电流镜(4)的输入端，第一电流镜(4)的输出端接所述二次项斜坡补偿电流产生电路(2)的输入端，二次项斜坡补偿电流产生电路(2)的输出端接第二电流镜(5)的输入端，第二电流镜(5)的输出端接二次项斜坡补偿电压产生电路(3)的输入端，二次项斜坡补偿电压产生电路(3)输出以占空比为变量的二次项斜坡补偿电压VSLOPE。
2.根据权利要求1所述的一种电流模二次项斜坡补偿电路，其特征在于，所述线性斜坡电流产生电路(1)的具体结构为：
第零NMOS管(MN0)的栅极接DC-DC功率管中的高边管控制信号反向信号ENN，源极接地，漏极接放大器的同相输入端及基准电流输入IN0并形成参考点A，参考点A还通过第零电容(C0)接地；
第四NMOS管(MN4)的栅极接放大器输出端，其源极接第八PMOS管(MP8)的源极及第五NMOS管(MN5)的漏极，其漏极接第一电流镜(4)的输入端；
第八PMOS管(MP8)的栅极与漏极连接；
第八PMOS管(MP8)漏极接放大器的反相输入端形成参考点B，参考点B通过第零电阻(R0)接地；
第五NMOS管(MN5)的栅极接直流偏置电压VSENSE，源极接地。
3.根据权利要求2所述的一种电流模二次项斜坡补偿电路，其特征在于，所述放大器由第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)组成，其中：
第一PMOS管(MP1)，其源极接第一NMOS管(MN1)的源极，漏极接地，栅极作为放大器的反相输入端；
第二PMOS管(MP2)，其源极接第二NMOS管(MN2)的源极，漏极接地，栅极作为放大器的同相输入端；
第一NMOS管(MN1)，其漏极接第三PMOS管(MP3)的漏极，其栅极与漏极连接，栅极还接第二NMOS管(MN2)的栅极；
第二NMOS管(MN2)，其漏极接第四PMOS管(MP4)的漏极，且该连接点为放大器输出端；
第三PMOS管(MP3)，其源极接电源电压VIN，栅极接第四PMOS管(MP4)的栅极且连接直流偏置电压VB1；
第四PMOS管(MP4)，其源极接电源电压VIN。
4.根据权利要求1所述的一种电流模二次项斜坡补偿电路，其特征在于，所述二次项斜坡补偿电流产生电路(2)的具体结构为：
第二三极管(Q2)的集电极接接第一电流镜(4)的输出端；
第二三极管(Q2)的基极与集电极连接，发射极连接至第一三极管(Q1)的集电极；
第一三极管(Q1)的基极与集电极连接，发射极接地；
第三三极管(Q3)的集电极接电源电压VIN，基极接第二三极管(Q2)的集电极，发射级接第三NMOS管(MN3)的漏极及第四三极管(Q4)的基极；
第三NMOS管(MN3)的栅极接偏置电压VB0，源极接地；
第四三极管(Q4)的集电极上产生二次项斜坡补偿电流ISUM，接第二电流镜(5)的输入端，其发射极接地。
5.根据权利要求1所述的一种电流模二次项斜坡补偿电路，其特征在于，所述二次项斜坡补偿电压产生电路(3)的具体结构为：
第七NMOS管(MN7)的漏极和栅极连接，且接至第二电流镜(5)的第一输出端，其源极接第八NMOS管(MN8)的漏极，第八NMOS管(MN8)的源极接地；
第九NMOS管(MN9)的漏极通过第一电阻(R1)接至第二电流镜(5)的第二输出端，其源极接接第十NMOS管(MN10)的漏极，其栅极接第七NMOS管(MN7)的栅极、第八NMOS管(MN8)的栅极及第十NMOS管(MN10)的栅极；
第十NMOS管(MN10)的源极接地；
第九NMOS管(MN9)的漏极接至直流偏置电压VEA0；
第一电阻(R1)与第二电流镜(5)第二输出端的连接点形成参考点E，参考点E输出以占空比为变量的二次项斜坡补偿电压VSLOPE。
6.根据权利要求1所述的一种电流模二次项斜坡补偿电路，其特征在于，所述第一电流镜(4)由第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)组成，其具体结构为：
第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)的源极均接至电源电压VIN；
第五PMOS管(MP5)的栅极与漏极连接，其栅极还连接第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)的栅极，其漏极作为第一电流镜(4)的输入端；
第六PMOS管(MP6)，其漏极还接第六NMOS管(MN6)的漏极，第六NMOS管(MN6)的栅极与漏极连接，源极接地；
第七PMOS管(MP7)的漏极作为第一电流镜(4)的输出端，输出一次项斜波电流。
7.根据权利要求1所述的一种电流模二次项斜坡补偿电路，其特征在于，所述第二电流镜(5)由8个PMOS管组成，其具体结构为：
第九PMOS管(MP9)、第十一PMOS管(MP11)、第十三PMOS管(MP13)、第十五PMOS管(MP15)的源极均接至电源电压VIN；
第九PMOS管(MP9)的漏极接第十PMOS管(MP10)的源极；
第九PMOS管(MP9)的栅极接第十PMOS管(MP10)的栅极及漏极；
第十PMOS管(MP10)的漏极作为第二电流镜(5)的输入端；
第十一PMOS管(MP11)、第十二PMOS管(MP12)、第十三PMOS管(MP13)、第十四PMOS管(MP14)、第十五PMOS管(MP15)、第十六PMOS管(MP16)的栅极均接至第十PMOS管(MP10)的栅极；
第十一PMOS管(MP11)的漏极接第十二PMOS管(MP12)的源极；
第十三PMOS管(MP13)的漏极第十四PMOS管(MP14)的源极；
第十五PMOS管(MP15)的漏极第十六PMOS管(MP16)的源极；
第十二PMOS管(MP12)的漏极作为第二电流镜(5)的第一输出端；
第十四PMOS管(MP14)的漏极作为第二电流镜(5)的第二输出端。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203984244U (zh) * 2014-07-31 2014-12-03 杭州士兰微电子股份有限公司 开关电源的斜坡补偿电路
CN105896972A (zh) * 2016-04-22 2016-08-24 电子科技大学 一种用于buck变换器的自适应二次斜坡补偿电路
JP2017169340A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 富士電機株式会社 スイッチング電源装置の制御回路およびスロープ生成回路
CN108667293A (zh) * 2018-07-09 2018-10-16 成都信息工程大学 一种适用于电流模buck变换器的二次斜坡补偿电路
CN108900069A (zh) * 2018-07-05 2018-11-27 电子科技大学 一种基于占空比的自适应二次斜坡补偿电路
CN116015061A (zh) * 2023-03-02 2023-04-25 南京微盟电子有限公司 一种斜坡补偿电路、生成斜波补偿信号的方法及电子芯片

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203984244U (zh) * 2014-07-31 2014-12-03 杭州士兰微电子股份有限公司 开关电源的斜坡补偿电路
JP2017169340A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 富士電機株式会社 スイッチング電源装置の制御回路およびスロープ生成回路
CN105896972A (zh) * 2016-04-22 2016-08-24 电子科技大学 一种用于buck变换器的自适应二次斜坡补偿电路
CN108900069A (zh) * 2018-07-05 2018-11-27 电子科技大学 一种基于占空比的自适应二次斜坡补偿电路
CN108667293A (zh) * 2018-07-09 2018-10-16 成都信息工程大学 一种适用于电流模buck变换器的二次斜坡补偿电路
CN116015061A (zh) * 2023-03-02 2023-04-25 南京微盟电子有限公司 一种斜坡补偿电路、生成斜波补偿信号的方法及电子芯片

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
郑君里等: "《通信系统大规模集成电路》", 31 August 1988, 人民邮电出版社, pages: 28 - 31 *

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