CN117642000A - 显示装置 - Google Patents
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- CN117642000A CN117642000A CN202311091635.2A CN202311091635A CN117642000A CN 117642000 A CN117642000 A CN 117642000A CN 202311091635 A CN202311091635 A CN 202311091635A CN 117642000 A CN117642000 A CN 117642000A
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 494
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 22
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 17
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 47
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 35
- 101150108288 DPE1 gene Proteins 0.000 description 27
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 27
- 101100532072 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) rtn1 gene Proteins 0.000 description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 23
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 22
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 16
- 101100054773 Caenorhabditis elegans act-2 gene Proteins 0.000 description 16
- JRWJPZLRGAHOTB-YZWQYETPSA-N (2s)-n-[(2s)-2-[[2-[[(2r)-2-[[(2s)-2-amino-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]propanoyl]amino]acetyl]amino]-3-phenylpropanoyl]-2-[2-[[(2s)-2-[[(2s)-2-[[2-[[(2r)-2-[[(2s)-2-amino-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]propanoyl]amino]acetyl]amino]-3-phenylprop Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)NCCN[C@@H](CC(C)C)C(=O)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)CNC(=O)[C@@H](C)NC(=O)[C@@H](N)CC=1C=CC(O)=CC=1)NC(=O)CNC(=O)[C@@H](C)NC(=O)[C@@H](N)CC=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=CC=C1 JRWJPZLRGAHOTB-YZWQYETPSA-N 0.000 description 15
- 102100029910 DNA polymerase epsilon subunit 2 Human genes 0.000 description 15
- 101000864190 Homo sapiens DNA polymerase epsilon subunit 2 Proteins 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 2-N-[8-[[8-(4-aminoanilino)-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]amino]-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]-8-N,10-diphenylphenazin-10-ium-2,8-diamine hydroxy-oxido-dioxochromium Chemical compound O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.Nc1ccc(Nc2ccc3nc4ccc(Nc5ccc6nc7ccc(Nc8ccc9nc%10ccc(Nc%11ccccc%11)cc%10[n+](-c%10ccccc%10)c9c8)cc7[n+](-c7ccccc7)c6c5)cc4[n+](-c4ccccc4)c3c2)cc1 FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- IOJNPSPGHUEJAQ-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-4-(pyridin-2-yldiazenyl)aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=CC=CC=N1 IOJNPSPGHUEJAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
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- H10K50/805—Electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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Abstract
提供了显示装置。显示装置包括衬底、像素限定层、辅助连接布线和有机层,衬底包括第一辅助像素区域、与第一辅助像素区域相邻的第二辅助像素区域、与第一辅助像素区域相邻的第三辅助像素区域以及在第一辅助像素区域与第二辅助像素区域之间并在第一辅助像素区域与第三辅助像素区域之间的透射区域,像素限定层包括在第一辅助像素区域处的第一辅助开口、在第二辅助像素区域处的第二辅助开口以及在第三辅助像素区域处的第三辅助开口,辅助连接布线在第一辅助像素电极、第二辅助像素电极或第三辅助像素电极下面,并且从第一辅助像素区域、第二辅助像素区域或第三辅助像素区域延伸到透射区域,有机层在透射区域处。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月31日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0110319号韩国专利申请的优先权以及权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开的一个或多个实施方式的各方面涉及显示装置,并且更具体地,涉及具有高透射率的显示装置。
背景技术
近来,显示装置的用途已多样化。因此,各种功能已应用于或链接到显示装置。为了执行这样的功能,包括在显示装置中的显示面板可包括具有光或声音的高透射率的区域。为了使显示装置在不减小显示图像的区域的情况下执行这样的功能,显示面板可包括具有光或声音的高透射率并且显示图像的区域。
在本背景技术部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解,并且因此其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
在将电信号发送到显示装置的显示元件的过程中,电信号可能无法有效地发送到显示元件。
本公开的一个或多个实施方式涉及具有高透射率并且电信号可有效地发送到显示元件的显示装置。然而,本公开不限于此。
本公开的附加方面和特征将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将通过描述而显而易见,或者可通过实践本公开的呈现的实施方式中的一个或多个而习得。
根据本公开的一个或多个实施方式,显示装置包括衬底、像素限定层、辅助连接布线和有机层,衬底包括第一辅助像素区域、在第一方向上与第一辅助像素区域相邻的第二辅助像素区域、在与第一方向交叉的第二方向上与第一辅助像素区域相邻的第三辅助像素区域以及在第一辅助像素区域与第二辅助像素区域之间并在第一辅助像素区域与第三辅助像素区域之间的透射区域,像素限定层包括在第一辅助像素区域处暴露在像素限定层下面的第一辅助像素电极的中心部分的第一辅助开口、在第二辅助像素区域处暴露在像素限定层下面的第二辅助像素电极的中心部分的第二辅助开口以及在第三辅助像素区域处暴露在像素限定层下面的第三辅助像素电极的中心部分的第三辅助开口,辅助连接布线在第一辅助像素电极、第二辅助像素电极或第三辅助像素电极下面,并且从第一辅助像素区域、第二辅助像素区域或第三辅助像素区域延伸到透射区域,有机层在透射区域处。
在实施方式中,辅助连接布线的部分可定位在透射区域处,并且有机层可在辅助连接布线的定位在透射区域处的部分上。
在实施方式中,有机层可覆盖辅助连接布线的定位在透射区域处的部分。
在实施方式中,像素限定层可包括阻光材料。
在实施方式中,有机层可包括透明有机绝缘材料,并且可不包括阻光材料。
在实施方式中,显示装置还可包括在第一辅助像素电极、第二辅助像素电极和第三辅助像素电极上的相对电极、在第一辅助像素电极与第一辅助发射层之间、在第二辅助像素电极与第二辅助发射层之间并在第三辅助像素电极与第三辅助发射层之间的第一公共层以及在第一辅助发射层与相对电极之间、在第二辅助发射层与相对电极之间并在第三辅助发射层与相对电极之间的第二公共层。
在实施方式中,相对电极的部分、第一公共层的部分和第二公共层的部分可定位在透射区域处。
在实施方式中,相对电极的定位在透射区域处的部分可在有机层上,并且第一公共层的定位在透射区域处的部分和第二公共层的定位在透射区域处的部分可定位在有机层与相对电极之间。
在实施方式中,透射区域可围绕第一辅助像素区域、第二辅助像素区域和第三辅助像素区域。
在实施方式中,辅助连接布线可提供为多个以使得包括第一辅助连接布线、第二辅助连接布线和第三辅助连接布线,第一辅助像素区域可提供为多个以使得包括多个第一辅助像素区域,第二辅助像素区域可提供为多个以使得包括多个第二辅助像素区域,第三辅助像素区域可提供为多个以使得包括多个第三辅助像素区域,第一辅助连接布线可将定位在多个第一辅助像素区域处的多个第一辅助像素电极彼此电连接,第二辅助连接布线可将定位在多个第二辅助像素区域处的多个第二辅助像素电极彼此电连接,并且第三辅助连接布线可将定位在多个第三辅助像素区域处的多个第三辅助像素电极彼此电连接。
在实施方式中,显示装置还可包括与第一辅助像素区域、第二辅助像素区域、第三辅助像素区域和透射区域重叠的部件。
根据本公开的一个或多个实施方式,显示装置包括衬底、像素限定层、第一辅助连接布线和有机层,衬底包括多个第一辅助像素区域和在多个第一辅助像素区域之间的透射区域,像素限定层具有多个第一辅助开口,多个第一辅助开口在多个第一辅助像素区域处定位为暴露在像素限定层下面的多个第一辅助像素电极的中心部分,第一辅助连接布线在多个第一辅助像素电极下面,并且延伸到透射区域,有机层在透射区域处。
在实施方式中,第一辅助连接布线的部分可定位在透射区域处,并且有机层可在第一辅助连接布线的定位在透射区域处的部分上。
在实施方式中,有机层可覆盖第一辅助连接布线的定位在透射区域处的部分。
在实施方式中,像素限定层可包括阻光材料。
在实施方式中,有机层可包括透明有机绝缘材料,并且可不包括阻光材料。
在实施方式中,显示装置还可包括在多个第一辅助像素电极上的相对电极、在多个第一辅助像素电极与多个第一辅助发射层之间的第一公共层以及在多个第一辅助发射层与相对电极之间的第二公共层。
在实施方式中,相对电极的部分、第一公共层的部分和第二公共层的部分可定位在透射区域处。
在实施方式中,相对电极的定位在透射区域处的部分可在有机层上,并且第一公共层的定位在透射区域处的部分和第二公共层的定位在透射区域处的部分可在有机层与相对电极之间。
在实施方式中,透射区域可围绕多个第一辅助像素区域中的每个。
在实施方式中,第一辅助连接布线可将在多个第一辅助像素区域处的多个第一辅助像素电极彼此电连接。
在实施方式中,显示装置还可包括与多个第一辅助像素区域和透射区域重叠的部件。
通过本公开的详细描述、附图、权利要求书以及其等同物,来自上述那些的以上和其它的方面和特征将变得更显而易见。
附图说明
通过下面的参照附图的说明性、非限制性实施方式的详细描述,将更清楚理解本公开的以上和其它的方面和特征,在附图中:
图1和图2是根据一个或多个实施方式的显示装置的示意性透视图;
图3是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图;
图4是根据实施方式的电连接到显示元件的像素电路的示意性等效电路图;
图5和图6是根据一个或多个实施方式的显示装置的显示面板的示意性平面视图;
图7是根据实施方式的显示装置的显示面板的部分的示意性剖视图;
图8是根据实施方式的显示装置的显示面板的部分的示意性平面视图;
图9是根据实施方式的显示装置的显示面板的部分的示意性剖视图;
图10是根据实施方式的显示装置的显示面板的部分的示意性剖视图;以及
图11A至图11D是示出图8中所示的显示面板的制造工艺的部分的示意性剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图对实施方式更详细地描述,在附图中类似的附图标记始终是指类似的元件。然而,本公开可以各种不同的形式实施,并且不应被解释为仅限于本文中所示的实施方式。相反,这些实施方式提供为实例,以使得本公开将为彻底和完整的,并且将向本领域技术人员全面传达本公开的方面和特征。因此,可没有描述对本领域普通技术人员完整理解本公开的方面和特征不为必要的工艺、元件和技术。除非另有要求,否则在整个附图和书面描述中类似的附图标记表示类似的元件,并且因此可不重复其冗余描述。
当某一实施方式可不同地实现时,具体工艺顺序可与描述的顺序不同。例如,两个连续描述的工艺可同时或基本上同时执行,或者可以与描述的顺序相反的顺序执行。
在附图中,为了清楚,元件、层和区的相对尺寸、厚度和比率可被夸大和/或简化。空间相对术语(诸如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“下面(under)”、“上方(above)”、“上(upper)”和类似词)可在本文中为了解释的方便而用于描述如图中所示的一个元件或者特征与另一元件或者特征的关系。将理解的是,除了图中描绘的取向之外,空间相对术语旨在还涵盖设备在使用或操作中的不同取向。例如,如果图中的设备被翻转,则被描述为在其它元件或者特征“下方(below)”或“之下(beneath)”或“下面(under)”的元件将随后被取向在其它元件或特征“上方(above)”。因此,示例性术语“下方(below)”和“下面(under)”能够涵盖上方和下方的取向两者。设备可以其它方式取向(例如,旋转90度或者在其它取向处),并且本文中所使用的空间相对描述词应被相应地解释。
在图中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可在更广泛的意义上解释。例如,x轴、y轴和z轴可彼此垂直或基本上垂直,或者可代表彼此不垂直的彼此不同的方向。在下文中,x轴、y轴和z轴指示的方向可被称为x方向、y方向和z方向。x方向可是指+x方向和-x方向,并且y方向和z方向与此类似。
将理解的是,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分,但这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区、层或者部分与另一元件、部件、区、层或者部分区分开。因此,以下讨论的第一元件、第一部件、第一区、第一层或者第一部分能被称作第二元件、第二部件、第二区、第二层或者第二部分,而不背离本公开的精神和范围。
将理解的是,当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或者“联接到”另一元件或层时,其能够直接在另一元件或层上、直接连接到或者联接到另一元件或层,或者可存在一个或多个居间的元件或层。相似地,当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时,其可直接电连接到另一层、区域或元件,和/或可在一个或多个居间的层、区域或元件在其间的情况下间接电连接。此外,也将理解的是,当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时,其能够为两个元件或层之间的唯一元件或层,或者也可存在一个或多个居间的元件或层。
本文中所使用的专业用语出于描述特定实施方式的目的,并且不旨在对本公开进行限制。除非上下文另有清楚指示,否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”和“一(an)”也旨在包括复数形式。还将理解的是,术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和“具有(having)”,当在本说明书中使用时,说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或者多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或者添加。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如,表述“A和/或B”表示A、B、或A和B。诸如“……中的至少一个”的表述,当在一列元件之后时,修饰整列元件,并且不修饰该列的个别元件。例如,表述“a、b或c中的至少一个”、“a、b和c中的至少一个”以及“选自由a、b和c组成的集群中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的所有、或者其变体。
如本文中所使用的,术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及相似术语用作近似的术语并且不用作程度的术语,并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外,当描述本公开的实施方式时,“可(may)”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的,术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被考虑为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。
除非另有限定,否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属的领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解的是,除非在本文中明确地如此限定,否则术语(诸如常用词典中限定的那些)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义,并且不应在理想化或过于正式的意义上解释。
图1和图2是根据一个或多个实施方式的显示装置1的示意性透视图。参照图1和图2,显示装置1可显示图像。显示装置1可包括像素PX,并且像素PX可限定为显示元件发射光的区域。在实施方式中,在显示装置1中可提供有多个像素PX。多个像素PX中的每个可发射光并且显示图像。在实施方式中,多个像素PX可包括辅助像素PX1、中间像素PX2和主像素PX3。在实施方式中,可提供有多个辅助像素PX1、多个中间像素PX2和多个主像素PX3。多个辅助像素PX1、多个中间像素PX2和多个主像素PX3可显示单个图像(例如,可一起显示图像),或者可各自显示独立的图像。
显示装置1可包括辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2、主显示区域DA3和外围区域PA。像素PX可排列在辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2和主显示区域DA3处(例如,在辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2和主显示区域DA3中或上)。因此,辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2和主显示区域DA3可为显示图像的区域。在这方面,辅助像素PX1可排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上),中间像素PX2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上),并且主像素PX3可排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)。像素PX可不排列在外围区域PA处(例如,在外围区域PA中或上)。因此,外围区域PA可为不显示图像的非显示区域。
辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2中的至少一个可为与部件重叠的区域,并且同时地可为排列有像素PX(例如,其中或其上排列有像素PX)的区域。例如,辅助显示区域DA1可为与部件重叠的区域,并且同时地可为排列有像素PX(例如,其中或其上排列有像素PX)的区域。作为另一实例,辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2可两者为与部件重叠的区域,并且同时地可为排列有像素PX(例如,其中或其上排列有像素PX)的区域。更详细地,辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2可为排列有像素PX(例如,其中或其上排列有像素PX)的区域。在实施方式中,辅助像素PX1可排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上),并且中间像素PX2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)。因此,辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2可为显示图像的区域。
辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2中的至少一个可与部件重叠。因此,显示装置1的辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2可具有高透光率或高声学透射率。例如,显示装置1在辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2中的透光率可为约10%或更大、约25%或更大、约40%或更大、约50%或更大、约85%或更大、或者约90%或更大。在实施方式中,显示装置1在辅助显示区域DA1中的透光率可高于显示装置1在中间显示区域DA2中的透光率。
在实施方式中,显示装置1可包括至少一个辅助显示区域DA1。例如,显示装置1可包括一个辅助显示区域DA1或者多个辅助显示区域DA1。
在实施方式中,中间显示区域DA2可至少部分地围绕辅助显示区域DA1(例如,至少部分地在辅助显示区域DA1的外围周围)。例如,如图1中所示,中间显示区域DA2可完全围绕辅助显示区域DA1(例如,完全在辅助显示区域DA1的外围周围)。作为另一实例,如图2中所示,中间显示区域DA2可排列在辅助显示区域DA1的一侧或多侧上。例如,辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2可在第一方向(例如,x方向或-x方向)上彼此并排排列。作为另一实例,辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2可在第二方向(例如,y方向或-y方向)上彼此并排排列。在实施方式中,如图2中所示,中间显示区域DA2可排列在辅助显示区域DA1的相对侧上。
在实施方式中,辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2可排列在显示装置1的上侧上。然而,本公开不限于此。辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2可排列在显示装置1的下侧、右侧和/或左侧上。
在实施方式中,辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2中的至少一个在平面视图中(例如,x-y平面中)可具有各种合适的形状,例如,诸如包括四边形、星形或菱形的多边形、圆形、椭圆形或类似形状。图1示出了辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2各自具有圆形形状,并且图2示出了辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2各自具有四边形形状。
主显示区域DA3可至少部分地围绕辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2(例如,至少部分地在辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2的外围周围)。在实施方式中,如图1中所示,中间显示区域DA2可完全围绕辅助显示区域DA1(例如,完全在辅助显示区域DA1的外围周围),并且主显示区域DA3可完全围绕中间显示区域DA2(例如,完全在中间显示区域DA2的外围周围)。作为另一实例,如图2中所示,主显示区域DA3可完全围绕辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2(例如,完全在辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2的外围周围)。显示装置1在主显示区域DA3中的分辨率可高于或等于显示装置1在辅助显示区域DA1中的分辨率。
外围区域PA可至少部分地围绕主显示区域DA3(例如,至少部分地在主显示区域DA3的外围周围)。在实施方式中,外围区域PA可完全围绕主显示区域DA3(例如,完全在主显示区域DA3的外围周围)。如上所述,像素PX可不排列在外围区域PA处(例如,不排列在外围区域PA中或上)。
图3是根据实施方式的显示装置1的示意性剖视图。更详细地,图3是显示装置1沿图1中的线A-A'截取的示意性剖视图。
参照图3,显示装置1可包括显示面板10、面板保护构件PB、部件20和覆盖窗CW。显示面板10可包括衬底100、绝缘层IL、像素电路PC、显示元件DPE、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL。
显示装置1可包括辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2、主显示区域DA3和外围区域PA。换句话说,由于显示装置1包括显示面板10,因此显示面板10可包括辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2、主显示区域DA3和外围区域PA。此外,换句话说,由于显示面板10包括衬底100,因此衬底100可包括辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2、主显示区域DA3和外围区域PA。换句话说,辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2、主显示区域DA3和外围区域PA可限定在衬底100处(例如,在衬底100中或上)。在下文中,主要更详细地描述衬底100包括辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2、主显示区域DA3和外围区域PA的情况。
衬底100可包括绝缘材料,诸如玻璃、石英或聚合物树脂。衬底100可为刚性衬底,或者为可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性衬底。
绝缘层IL可布置在衬底100上。绝缘层IL可使显示面板10的部件绝缘。绝缘层IL可包括有机材料和无机材料中的至少一种。
像素电路PC可排列在绝缘层IL处(例如,在绝缘层IL中或上)。像素电路PC可电连接到显示元件DPE以驱动显示元件DPE。在实施方式中,可提供有多个像素电路PC。多个像素电路PC可包括辅助像素电路PC1、中间像素电路PC2和主像素电路PC3。辅助像素电路PC1和中间像素电路PC2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)。主像素电路PC3可排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)。在实施方式中,像素电路PC可不排列在辅助显示区域DA1处(例如,不排列在辅助显示区域DA1中或上)。因此,显示面板10在辅助显示区域DA1中的透射率(例如,透光率)可相对高于显示面板10在中间显示区域DA2和主显示区域DA3中的透射率。
显示元件DPE可布置在绝缘层IL上。在实施方式中,显示元件DPE可为包括有机发射层的有机发光二极管。在另一实施方式中,显示元件DPE可为包括无机发射层的发光二极管。发光二极管的尺寸可为微米级或纳米级。例如,发光二极管可为微发光二极管。在另一实施方式中,发光二极管可为纳米棒发光二极管。纳米棒发光二极管可包括氮化镓(GaN)。在实施方式中,在纳米棒发光二极管上可布置有颜色转换层,并且颜色转换层可包括量子点。在另一实施方式中,显示元件DPE可为包括量子点的量子点发光二极管。在下文中,为了便利,主要更详细地描述显示元件DPE为有机发光二极管的情况。
在实施方式中,可提供有多个显示元件DPE。多个显示元件DPE可包括辅助显示元件DPE1、中间显示元件DPE2和主显示元件DPE3。辅助显示元件DPE1可排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)。可提供有多个辅助显示元件DPE1。在实施方式中,多个辅助显示元件DPE1可电连接到排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的一个辅助像素电路PC1。辅助像素电路PC1可包括至少一个薄膜晶体管,并且可控制辅助显示元件DPE1的发光。辅助显示元件DPE1可通过发射区域发射光,并且发射区域可限定为辅助像素PX1。换句话说,辅助像素PX1可通过辅助显示元件DPE1的发光来实现。因此,由于多个辅助显示元件DPE1可通过使用一个辅助像素电路PC1来发射光,因此可改善辅助显示区域DA1的透射率。
排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的一个辅助像素电路PC1可通过布线WL电连接到排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)的多个辅助显示元件DPE1。布线WL可从中间显示区域DA2延伸到辅助显示区域DA1。因此,布线WL可排列在辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2处(例如,在辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2中或上)。
中间显示元件DPE2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)。可提供有多个中间显示元件DPE2。多个中间显示元件DPE2可电连接到排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的一个中间像素电路PC2。中间像素电路PC2可包括至少一个薄膜晶体管,并且可控制中间显示元件DPE2的发光。中间显示元件DPE2可通过发射区域发射光,并且发射区域可限定为中间像素PX2。换句话说,中间像素PX2可通过中间显示元件DPE2的发光来实现。因此,多个中间显示元件DPE2可通过使用一个中间像素电路PC2来发射光。
主显示元件DPE3可排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)。主显示元件DPE3可电连接到排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)的主像素电路PC3。主像素电路PC3可包括至少一个薄膜晶体管。主像素电路PC3可控制主显示元件DPE3的发光。主显示元件DPE3可通过发射区域发射光,并且发射区域可限定为主像素PX3。换句话说,主像素PX3可通过主显示元件DPE3的发光来实现。
封装层ENL可覆盖显示元件DPE。在实施方式中,封装层ENL可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。至少一个无机封装层可包括选自氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化锌(ZnO)、硅氧化物(SiOX)、硅氮化物(SiNX)和硅氮氧化物(SiOXNY)之中的至少一种无机材料。至少一个有机封装层可包括聚合物系材料。聚合物系材料可包括丙烯酸树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺、聚乙烯和/或类似物。在实施方式中,至少一个有机封装层可包括丙烯酸酯。
在实施方式中,封装层ENL可包括彼此顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310和第二无机封装层330可防止或减少诸如湿气的外来物质渗透到有机封装层320和/或显示元件DPE中。
在另一实施方式中,封装层ENL可具有衬底100和为透明构件的密封衬底通过密封构件彼此联接(例如,连接或附接)的结构,以使得衬底100与密封衬底之间的内部空间被密封。在这方面,在内部空间中可提供有干燥剂或填料。密封构件可为密封剂。在另一实施方式中,密封构件可包括通过激光固化的材料。例如,密封构件可为熔料。更详细地,密封构件可包括诸如氨基甲酸乙酯系树脂、环氧系树脂或丙烯酸树脂的有机密封剂,或者诸如硅氧烷的无机密封剂。作为氨基甲酸乙酯系树脂,例如可使用氨基甲酸乙酯丙烯酸酯和/或类似物。作为丙烯酸树脂,例如可使用丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯和/或类似物。密封构件可包括通过热固化的合适材料。
触摸传感器层TSL可根据外部输入(例如,诸如触摸事件)来获得坐标信息。触摸传感器层TSL可包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸布线。触摸传感器层TSL可通过使用自电容方法或互电容方法来感测外部输入。
触摸传感器层TSL可布置在封装层ENL上。在实施方式中,触摸传感器层TSL可直接布置在封装层ENL上。在这种情况下,诸如光学透明粘合剂的粘合层可不排列在触摸传感器层TSL与封装层ENL之间。作为另一实例,触摸传感器层TSL可单独地形成在触摸衬底上,并且然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合层联接到(例如,连接到或附接到)封装层ENL。
光学功能层OFL可包括抗反射层。抗反射层可减小从外部朝向显示装置1入射的光(例如,外部光)的反射率。在实施方式中,光学功能层OFL可为偏振膜。在另一实施方式中,光学功能层OFL可为包括黑色矩阵和滤色器的滤光板。
覆盖窗CW可布置在显示面板10上。覆盖窗CW可保护显示面板10。覆盖窗CW可包括玻璃、蓝宝石和塑料中的至少一种。例如,覆盖窗CW可包括(例如,可为)超薄玻璃(UTG)或无色聚酰亚胺(CPI)。
面板保护构件PB可布置在衬底100下面。面板保护构件PB可支承并且保护衬底100。在实施方式中,与辅助显示区域DA1重叠的开口PB_OP可限定在面板保护构件PB中。换句话说,面板保护构件PB可包括与辅助显示区域DA1重叠的开口PB_OP。在实施方式中,面板保护构件PB的开口PB_OP可与辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2重叠。面板保护构件PB可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
部件20可布置在显示面板10下面。在实施方式中,部件20可排列为在显示面板10在其间的情况下与覆盖窗CW相对。在实施方式中,部件20可与辅助显示区域DA1重叠。在另一实施方式中,部件20可与辅助显示区域DA1和中间显示区域DA2重叠。
部件20可为使用红外光或可见光的相机,并且可包括成像设备。作为另一实例,部件20可为太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器或虹膜传感器。作为另一实例,部件20可具有用于接收声音的功能。如上所述,像素电路PC可不排列在其下面布置有部件20的辅助显示区域DA1处(例如,不排列在辅助显示区域DA1中或上),以使得可防止或减少对部件20的功能的限制或干扰。换句话说,驱动排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)的辅助显示元件DPE1的辅助像素电路PC1可不排列在辅助显示区域DA1处(例如,不排列在辅助显示区域DA1中或上),并且可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)。因此,显示面板10在辅助显示区域DA1中的透射率(例如,透光率)可高于显示面板10在中间显示区域DA2中的透射率(例如,透光率)。
图4是根据实施方式的电连接到显示元件DPE的像素电路PC的示意性等效电路图。参照图4,像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
开关薄膜晶体管T2可电连接到扫描线SL和数据线DL,并且可配置为基于从扫描线SL输入的扫描信号(例如,开关电压)将从数据线DL输入的数据信号(例如,数据电压)发送到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可电连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且可配置为存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可电连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可配置为响应于存储在存储电容器Cst中的电压的值(例如,电平)来控制从驱动电压线PL流到显示元件DPE的驱动电流。显示元件DPE可根据驱动电流发射具有期望亮度(例如,预定亮度或某一亮度)的光。显示元件DPE的相对电极可供给有公共电压ELVSS。
尽管图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但像素电路PC可包括三个或更多个薄膜晶体管。
图5和图6是根据一个或多个实施方式的显示装置1的显示面板10的示意性平面视图。在图5和图6中,相同的附图标记用于表示与以上参照图1和图2描述的构件相同或基本上相同的构件,并且因此,可不重复其冗余描述。
参照图5和图6,构成显示面板10的各种部件可布置在衬底100上。在实施方式中,衬底100可包括辅助显示区域DA1、中间显示区域DA2、主显示区域DA3和外围区域PA。如图5中所示,中间显示区域DA2可完全围绕辅助显示区域DA1(例如,完全在辅助显示区域DA1的外围周围)。作为另一实例,如图6中所示,中间显示区域DA2可排列在辅助显示区域DA1的一侧或多侧上。主显示区域DA3可至少部分地围绕辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2(例如,至少部分地在辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2的外围周围)。外围区域PA可至少部分地围绕主显示区域DA3(例如,至少部分地在主显示区域DA3的外围周围)。
可提供有多个像素电路PC。多个像素电路PC可包括辅助像素电路PC1、中间像素电路PC2和主像素电路PC3。如上所述,辅助像素电路PC1和中间像素电路PC2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)。主像素电路PC3可排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)。像素电路PC可不排列在辅助显示区域DA1处(例如,不排列在辅助显示区域DA1中或上)。换句话说,在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)可不排列有像素电路PC。
像素PX可由诸如有机发光二极管的显示元件来实现。可提供有多个像素PX。多个像素PX可包括辅助像素PX1、中间像素PX2和主像素PX3。辅助像素PX1可排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)。辅助像素PX1可由通过布线WL电连接到辅助像素电路PC1的显示元件来实现。在实施方式中,排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)的多个显示元件中的一个可电连接到排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)的多个显示元件中的另一个。在这种情况下,通过使用一个辅助像素电路PC1,多个辅助像素PX1中的一个和多个辅助像素PX1中的另一个可彼此同样或基本上同样地发射光。
中间像素PX2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)。排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的显示元件可电连接到中间像素电路PC2。排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的显示元件可与中间像素电路PC2重叠。换句话说,中间像素PX2可与中间像素电路PC2重叠。在实施方式中,排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的多个显示元件中的一个可电连接到排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的多个显示元件中的另一个。在这种情况下,通过使用一个中间像素电路PC2,多个中间像素PX2中的一个和多个中间像素PX2中的另一个可彼此同样或基本上同样地发射光。
主像素PX3可排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)。排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)的显示元件可电连接到主像素电路PC3。排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)的显示元件可与主像素电路PC3重叠。换句话说,主像素PX3可与主像素电路PC3重叠。
在实施方式中,显示面板10在辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2中的分辨率可小于或等于显示面板10在主显示区域DA3中的分辨率。例如,显示面板10在辅助显示区域DA1和/或中间显示区域DA2中的分辨率可为显示面板10在主显示区域DA3中的分辨率的约1/2、约3/8、约1/3、约1/4、约2/9、约1/8、约1/9或约1/16。
像素PX可不排列在外围区域PA处(例如,在外围区域PA中或上)。在外围区域PA处(例如,在外围区域PA中或上)可排列有第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、焊盘PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13。
第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2中的每个可通过扫描线SL将扫描信号施加到像素电路PC。在实施方式中,第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2可在主显示区域DA3在其间的情况下彼此相对。在实施方式中,多个像素PX中的一个可从第一扫描驱动电路SDRV1接收扫描信号,并且多个像素PX中的另一个可从第二扫描驱动电路SDRV2接收扫描信号。
焊盘PAD可排列在于外围区域PA的一侧处的焊盘区域PADA处(例如,在焊盘区域PADA中或上)。焊盘PAD可被暴露而不由绝缘层覆盖,并且可连接到显示电路板40。在显示电路板40上可布置有显示驱动器41。
显示驱动器41可生成发送到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的信号。显示驱动器41可生成数据信号,并且所生成的数据信号可通过扇出布线FW和连接到扇出布线FW的数据线DL发送到像素电路PC。
显示驱动器41可将驱动电压ELVDD供给到驱动电压供应线11,并且可将公共电压ELVSS供给到公共电压供应线13。驱动电压ELVDD可通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL供给到像素电路PC,并且公共电压ELVSS可供给到显示元件的连接到公共电压供应线13的相对电极。
图7是根据实施方式的显示装置1的显示面板10的部分的示意性剖视图。参照图7,显示面板10可包括衬底100、绝缘层IL、像素电路PC、显示元件DPE和像素限定层215。在图7中,为了图示的便利,省略了封装层ENL(例如,参见图3)、触摸传感器层TSL(例如,参见图3)和光学功能层OFL(例如,参见图3)。
衬底100可包括玻璃或聚合物树脂(诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素)。在实施方式中,衬底100可具有包括基础层和阻挡层的多层结构,基础层包括上述聚合物树脂中的一种或多种。包括聚合物树脂的衬底100可为柔性的、可卷曲的或可弯曲的。
绝缘层IL可布置在衬底100上。绝缘层IL可包括无机绝缘层IIL和有机绝缘层OIL。在实施方式中,无机绝缘层IIL可包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第三栅极绝缘层117和第二层间绝缘层119。在实施方式中,无机绝缘层IIL可排列在衬底100的中间显示区域DA2和主显示区域DA3处(例如,在中间显示区域DA2和主显示区域DA3中或上),但可不排列在衬底100的辅助显示区域DA1处(例如,不排列在辅助显示区域DA1中或上)。
可提供有多个像素电路PC。多个像素电路PC可包括辅助像素电路PC1、中间像素电路PC2和主像素电路PC3。更详细地,辅助像素电路PC1和中间像素电路PC2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上),并且主像素电路PC3可排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)。由于辅助像素电路PC1、中间像素电路PC2和主像素电路PC3具有彼此相同或基本上相同的结构,因此主要更详细地描述主像素电路PC3。主像素电路PC3可包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。第一薄膜晶体管TFT1可包括第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第二薄膜晶体管TFT2可包括第二半导体层Act2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。存储电容器Cst可包括下电极CE1和上电极CE2。
缓冲层111可布置在衬底100上。缓冲层111可包括诸如SiNX、SiOXNY和/或SiOX的无机绝缘材料,并且可具有包括上述无机绝缘材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
第一半导体层Act1可包括硅半导体。第一半导体层Act1可包括多晶硅。作为另一实例,第一半导体层Act1可包括非晶硅。作为另一实例,第一半导体层Act1可包括氧化物半导体或有机半导体。第一半导体层Act1可包括沟道区域以及分别排列在沟道区域的相对侧上的漏区域和源区域。
第一栅电极GE1可与第一半导体层Act1重叠。更详细地,第一栅电极GE1可与第一半导体层Act1的沟道区域重叠。第一栅电极GE1可包括低电阻金属材料。第一栅电极GE1可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和/或类似物的导电材料,并且可具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
第一栅极绝缘层112可排列在第一半导体层Act1与第一栅电极GE1之间。因此,第一半导体层Act1可与第一栅电极GE1绝缘。第一栅极绝缘层112可包括无机绝缘材料,诸如SiOX、SiNX、SiOXNY、Al2O3、TiO2、Ta2O5、氧化铪(HfO2)和/或ZnO。
第二栅极绝缘层113可覆盖第一栅电极GE1。第二栅极绝缘层113可布置在第一栅电极GE1上。第二栅极绝缘层113可包括无机绝缘材料,诸如SiOX、SiNX、SiOXNY、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnO。
上电极CE2可布置在第二栅极绝缘层113上。上电极CE2可与其下面的第一栅电极GE1重叠。在这种情况下,上电极CE2可在第二栅极绝缘层113在其间的情况下与第一栅电极GE1重叠,以构成存储电容器Cst。换句话说,第一薄膜晶体管TFT1的第一栅电极GE1可用作存储电容器Cst的下电极CE1。如上所述,存储电容器Cst和第一薄膜晶体管TFT1可形成为彼此重叠。然而,本公开不限于此。例如,存储电容器Cst可形成为不与第一薄膜晶体管TFT1重叠。
上电极CE2可包括Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)和/或Cu,并且可具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
第一层间绝缘层115可覆盖上电极CE2。第一层间绝缘层115可包括SiOX、SiNX、SiOXNY、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。第一层间绝缘层115可具有包括上述无机绝缘材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
第二半导体层Act2可布置在第一层间绝缘层115上。第二半导体层Act2可包括氧化物半导体。例如,第二半导体层Act2可包括基于锌(Zn)氧化物的材料,诸如Zn氧化物、铟(In)-Zn氧化物、或镓(Ga)-In-Zn氧化物。作为另一实例,第二半导体层Act2可包括在ZnO中包含诸如In、Ga或锡(Sn)的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)、或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)的半导体。
在实施方式中,第二半导体层Act2可包括沟道区域以及分别排列在沟道区域的相对侧上的源区域和漏区域。第二半导体层Act2的源区域和漏区域可通过调节氧化物半导体的载流子浓度以使氧化物半导体导电来形成。例如,第二半导体层Act2的源区域和漏区域可凭借通过使用氢系气体、氟系气体或其合适组合物对氧化物半导体执行等离子体处理增加载流子浓度来形成。
第三栅极绝缘层117可覆盖第二半导体层Act2。第三栅极绝缘层117可排列在第二半导体层Act2与第二栅电极GE2之间。在实施方式中,第三栅极绝缘层117可布置在整个或基本上整个衬底100上面。在另一实施方式中,第三栅极绝缘层117可根据第二栅电极GE2的形状被图案化。第三栅极绝缘层117可包括SiOX、SiNX、SiOXNY、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。第三栅极绝缘层117可具有包括上述无机绝缘材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
第二栅电极GE2可布置在第三栅极绝缘层117上。第二栅电极GE2可与第二半导体层Act2重叠。更详细地,第二栅电极GE2可与第二半导体层Act2的沟道区域重叠。第二栅电极GE2可包括包含有Mo、Al、Cu、Ti和/或类似物的导电材料,并且可具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
第二层间绝缘层119可覆盖第二栅电极GE2。第二层间绝缘层119可包括SiOX、SiNX、SiOXNY、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。第二层间绝缘层119可具有包括上述无机绝缘材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1可布置在第二层间绝缘层119上。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可电连接到第一半导体层Act1。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可通过形成在绝缘层中的一些中(例如,穿透绝缘层中的一些)的接触孔电连接到第一半导体层Act1。
第二源电极SE2和第二漏电极DE2可布置在第二层间绝缘层119上。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可电连接到第二半导体层Act2。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可通过形成在绝缘层中的一些中(例如,穿透绝缘层中的一些)的接触孔电连接到第二半导体层Act2。
第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2中的每个可包括具有高导电性的合适材料。第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2中的每个可包括包含有例如Mo、Al、Cu、Ti和/或类似物的导电材料,并且可具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。在实施方式中,第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2中的每个可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
由于具有包括硅半导体的第一半导体层Act1的第一薄膜晶体管TFT1具有高可靠性,因此第一薄膜晶体管TFT1可被采用为驱动薄膜晶体管以实现高质量的显示面板10。
由于氧化物半导体具有高载流子迁移率和低泄漏电流,因此即使当驱动时间长时,电压降也可不大。换句话说,由于即使在低频驱动中因电压降而引起的图像的颜色变化也不大,因此低频驱动可为可能的。如上所述,由于氧化物半导体具有低泄漏电流,因此氧化物半导体可在除了驱动薄膜晶体管以外的薄膜晶体管中的至少一个中被采用以防止或基本上防止漏电流并且减少功耗。例如,第二薄膜晶体管TFT2可被采用为开关薄膜晶体管。作为另一实例,当主像素电路PC3包括多个薄膜晶体管时,多个薄膜晶体管中的一些薄膜晶体管可采用硅半导体,并且其它薄膜晶体管(例如,剩余薄膜晶体管)可采用氧化物半导体。
在第二半导体层Act2下面可布置有下栅电极BGE。在实施方式中,下栅电极BGE可排列在第二栅极绝缘层113与第一层间绝缘层115之间。在实施方式中,下栅电极BGE可接收栅极信号。在这种情况下,第二薄膜晶体管TFT2可具有其栅电极布置在第二半导体层Act2上方和下方的双栅电极结构。
在实施方式中,在第三栅极绝缘层117与第二层间绝缘层119之间可排列有子布线SWL。在实施方式中,子布线SWL可通过形成在第一层间绝缘层115和第三栅极绝缘层117中(例如,穿透第一层间绝缘层115和第三栅极绝缘层117)的接触孔电连接到下栅电极BGE。
在实施方式中,在衬底100与主像素电路PC3之间可排列有下阻挡层BSL。在实施方式中,下阻挡层BSL可与第一薄膜晶体管TFT1重叠。恒定或基本上恒定的电压可施加到下阻挡层BSL。由于下阻挡层BSL布置在第一薄膜晶体管TFT1下面,因此第一薄膜晶体管TFT1可较少受周围干扰信号影响,并且因此可改善第一薄膜晶体管TFT1的可靠性。
下阻挡层BSL可包括透明导电材料。例如,下阻挡层BSL可包括透明导电氧化物(TCO)。下阻挡层BSL可包括合适的导电氧化物,诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
仍然参照图7,有机绝缘层OIL可布置在无机绝缘层IIL上。有机绝缘层OIL可包括第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2、第三有机绝缘层OIL3和第四有机绝缘层OIL4。然而,本公开不限于此。有机绝缘层OIL可包括第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2,或者可包括第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3。换句话说,有机绝缘层OIL可包括两层或三层,而不是四层。
第一有机绝缘层OIL1可覆盖第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第一有机绝缘层OIL1可包括有机材料。例如,第一有机绝缘层OIL1可包括有机绝缘材料,而有机绝缘材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺系聚合物、芳醚系聚合物、酰胺系聚合物、氟系聚合物、对二甲苯系聚合物、乙烯醇系聚合物和/或其合适的共混物。
在第一有机绝缘层OIL1上可布置有第一连接电极CM1。第一连接电极CM1可通过形成在第一有机绝缘层OIL1中(例如,穿透第一有机绝缘层OIL1)的接触孔电连接到主像素电路PC3的第一源电极SE1或第一漏电极DE1。第一连接电极CM1可包括具有高导电性的合适材料。第一连接电极CM1可包括包含有Mo、Al、Cu、Ti和/或类似物的导电材料,并且可具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。在实施方式中,第一连接电极CM1可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二有机绝缘层OIL2可覆盖第一连接电极CM1。第二有机绝缘层OIL2可包括有机材料。在实施方式中,第二有机绝缘层OIL2可包括与第一有机绝缘层OIL1的材料相同或基本上相同的材料。在另一实施方式中,第二有机绝缘层OIL2可包括与第一有机绝缘层OIL1的材料不同的材料。
在第二有机绝缘层OIL2上可布置有第二连接电极CM2。在这方面,第二连接电极CM2可通过形成在第二有机绝缘层OIL2中(例如,穿透第二有机绝缘层OIL2)的接触孔电连接到第一连接电极CM1。第二连接电极CM2可包括具有高导电性的合适材料。第二连接电极CM2可包括包含有Mo、Al、Cu、Ti和/或类似物的导电材料,并且可具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。在实施方式中,第二连接电极CM2可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第三有机绝缘层OIL3可覆盖第二连接电极CM2。第三有机绝缘层OIL3可包括有机材料。在实施方式中,第三有机绝缘层OIL3可包括与第一有机绝缘层OIL1的材料相同或基本上相同的材料。在另一实施方式中,第三有机绝缘层OIL3可包括与第一有机绝缘层OIL1的材料不同的材料。
在第三有机绝缘层OIL3上可布置有第三连接电极CM3。在这方面,第三连接电极CM3可通过形成在第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3中(例如,穿透第二有机绝缘层OIL2和第三有机绝缘层OIL3)的接触孔电连接到第一连接电极CM1。第三连接电极CM3可包括具有高导电性的合适材料。第三连接电极CM3可包括包含有Mo、Al、Cu、Ti和/或类似物的导电材料,并且可具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。在实施方式中,第三连接电极CM3可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第四有机绝缘层OIL4可覆盖第三连接电极CM3。第四有机绝缘层OIL4可包括有机材料。在实施方式中,第四有机绝缘层OIL4可包括与第一有机绝缘层OIL1的材料相同或基本上相同的材料。在另一实施方式中,第四有机绝缘层OIL4可包括与第一有机绝缘层OIL1的材料不同的材料。
显示元件DPE可布置在有机绝缘层OIL上。可提供有多个显示元件DPE。多个显示元件DPE可包括辅助显示元件DPE1、中间显示元件DPE2和主显示元件DPE3。辅助显示元件DPE1可包括辅助像素电极210-1、辅助发射层220-1和相对电极230。中间显示元件DPE2可包括中间像素电极210-2、中间发射层220-2和相对电极230。主显示元件DPE3可包括主像素电极210-3、主发射层220-3和相对电极230。
更详细地,辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3可布置在有机绝缘层OIL上。例如,辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3可布置在第四有机绝缘层OIL4上。辅助像素电极210-1可排列在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上),中间像素电极210-2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上),并且主像素电极210-3可排列在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)。
辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3中的每个可包括导电氧化物,诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。作为另一实例,辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3中的每个可包括包含有Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其合适的化合物的反射膜。作为另一实例,辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3中的每个还可包括在反射膜上方或下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的合适的膜。
显示元件DPE可电连接到像素电路PC。当显示元件DPE被描述为电连接到像素电路PC时,其可理解为包括在显示元件DPE中的像素电极电连接到像素电路PC的源电极或漏电极。
例如,主显示元件DPE3的主像素电极210-3可通过形成在第三有机绝缘层OIL3和第四有机绝缘层OIL4中(例如,穿透第三有机绝缘层OIL3和第四有机绝缘层OIL4)的接触孔电连接到第二连接电极CM2。第二连接电极CM2可通过第一连接电极CM1电连接到主像素电路PC3。
例如,中间显示元件DPE2的中间像素电极210-2可电连接到中间连接布线CWLM,并且中间连接布线CWLM可通过形成在第四有机绝缘层OIL4中(例如,穿透第四有机绝缘层OIL4)的接触孔电连接到第三连接电极CM3。第三连接电极CM3可通过第一连接电极CM1电连接到中间像素电路PC2。
例如,辅助显示元件DPE1的辅助像素电极210-1可电连接到辅助连接布线CWL,并且辅助连接布线CWL可通过形成在第三有机绝缘层OIL3和第四有机绝缘层OIL4中(例如,穿透第三有机绝缘层OIL3和第四有机绝缘层OIL4)的接触孔电连接到布线WL。布线WL可从辅助显示区域DA1延伸到中间显示区域DA2。因此,布线WL可通过在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)形成在第二有机绝缘层OIL2中(例如,穿透第二有机绝缘层OIL2)的接触孔电连接到第一连接电极CM1。布线WL可通过第一连接电极CM1电连接到辅助像素电路PC1。布线WL可包括透明导电材料。
因此,在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上),主显示元件DPE3可电连接到主像素电路PC3以实现主像素PX3。在实施方式中,主显示元件DPE3可与主像素电路PC3重叠。在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上),辅助显示元件DPE1可电连接到辅助像素电路PC1以实现辅助像素PX1。此外,在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上),中间显示元件DPE2可电连接到中间像素电路PC2以实现中间像素PX2。在实施方式中,辅助像素电路PC1和中间像素电路PC2可排列在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)。
中间连接布线CWLM和辅助连接布线CWL中的每个可包括透明导电材料。例如,中间连接布线CWLM和辅助连接布线CWL中的每个可包括TCO。中间连接布线CWLM和辅助连接布线CWL中的每个可包括导电氧化物,诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。
布线WL可包括TCO。布线WL可包括导电氧化物,诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。
在有机绝缘层OIL上可布置有像素限定层215。像素限定层215可通过具有与每个像素PX对应的开口来限定每个像素PX。更详细地,在像素限定层215中限定(例如,穿透像素限定层215)的主开口215OP-3可暴露主像素电极210-3的中心部分,并且从主显示元件DPE3发射的光的发射区域可由主开口215OP-3限定。相似地,在像素限定层215中限定(例如,穿透像素限定层215)的辅助开口215OP-1可暴露辅助像素电极210-1的中心部分,并且从辅助显示元件DPE1发射的光的发射区域可由辅助开口215OP-1限定。相似地,在像素限定层215中限定(例如,穿透像素限定层215)的中间开口215OP-2可暴露中间像素电极210-2的中心部分,并且从中间显示元件DPE2发射的光的发射区域可由中间开口215OP-2限定。
如图7中所示,像素限定层215可通过增加辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3中的每个的边缘与在辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3上方的相对电极230之间的距离来防止在辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3中的每个的边缘处发生电弧和/或类似物。像素限定层215可包括有机材料,诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
像素限定层215可包括阻光材料。阻光材料可包括黑色颜料、黑色染料和黑色颗粒中的至少一种。例如,阻光材料可包括Cr、铬氧化物(CrOx)和铬氮化物(CrNx)中的至少一种,或者可包括树脂、石墨、非Cr系颜料、内酰胺系颜料或苝系颜料。黑色颜料可包括苯胺黑、内酰胺黑和苝黑中的至少一种。在根据本实施方式的显示装置1的情况下,由于像素限定层215包括阻光材料,因此光可由阻光材料阻挡而不穿过显示面板10,或者即使当光穿过显示面板10时,光的透射程度也可通过阻光材料而减小。
在辅助显示区域DA1的部分中,像素限定层215可不布置在有机绝缘层OIL上,并且有机层300可布置在有机绝缘层OIL上。有机层300可包括透明有机绝缘材料。例如,有机层300可包括聚合物系材料。聚合物系材料可为透明的。例如,有机层300可包括硅酮系树脂、丙烯酸树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺、HMDSO和聚乙烯中的至少一种。与像素限定层215不同,有机层300可不包括阻光材料。因此,通过透射区域TA穿过显示面板10的光可不由阻光材料阻挡。
如上所述,在辅助显示区域DA1的一些区中,包括透明有机绝缘材料并且不包括阻光材料的有机层300可布置在有机绝缘层OIL上。因此,这样的区可具有比辅助显示区域DA1的其它区的透光率高的透光率。换句话说,可改善显示面板10的透光率。
主发射层220-3可布置在主像素电极210-3上。辅助发射层220-1可布置在辅助像素电极210-1上。中间发射层220-2可布置在中间像素电极210-2上。辅助发射层220-1、中间发射层220-2和主发射层220-3中的每个可包括低分子量材料或高分子量材料,并且可发射绿色光、红色光、蓝色光或白色光。
相对电极230可布置在辅助发射层220-1、中间发射层220-2和主发射层220-3上。换句话说,相对电极230可在多个显示元件DPE上面一体地形成,以对应于多个像素电极(例如,诸如辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3)。由于相对电极230形成为覆盖整个或基本上整个显示区域,因此相对电极230也可布置在像素限定层215和有机层300上。相对电极230可包括具有低功函数的导电材料。例如,相对电极230可包括包含有Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、Ca或其合适的合金的(半)透明层。作为另一实例,相对电极230还可包括在包括上述材料中的一种或多种的(半)透明层上的包含有ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
辅助显示元件DPE1、中间显示元件DPE2和主显示元件DPE3还可包括第一公共层CL1和第二公共层CL2。第一公共层CL1可排列在辅助像素电极210-1与辅助发射层220-1之间、在中间像素电极210-2与中间发射层220-2之间以及在主像素电极210-3与主发射层220-3之间。第二公共层CL2可排列在相对电极230与辅助发射层220-1之间、在相对电极230与中间发射层220-2之间以及在相对电极230与主发射层220-3之间。
与相对电极230一样,第一公共层CL1和第二公共层CL2可为排列在整个或基本上整个显示区域上面的公共层。换句话说,第一公共层CL1和第二公共层CL2可形成为覆盖整个或基本上整个显示区域。换句话说,与相对电极230一样,第一公共层CL1和第二公共层CL2可在多个显示元件DPE上面一体地形成,以对应于多个像素电极(例如,诸如辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3)。
第一公共层CL1可包括例如空穴传输层(HTL),或者可包括HTL和空穴注入层(HIL)。第一公共层CL1可具有单层结构或多层结构。例如,当第一公共层CL1包括高分子量材料时,第一公共层CL1可为具有单层结构的HTL,并且可包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺(PANI)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)。当第一公共层CL1包括低分子量材料时,第一公共层CL1可包括HIL和HTL。
第二公共层CL2可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二公共层CL2可具有单层结构或多层结构。相对电极230可布置在第二公共层CL2上。在一些实施方式中,可根据需要或期望而省略第二公共层CL2。换句话说,可不提供第二公共层CL2。例如,当第一公共层CL1、辅助发射层220-1、中间发射层220-2和主发射层220-3包括高分子量材料时,可期望进一步形成第二公共层CL2。然而,在下文中,为了便利,主要更详细地描述显示面板10包括第一公共层CL1和第二公共层CL2的情况。
图8是根据实施方式的显示装置1的显示面板10的部分的示意性平面视图。更详细地,图8是根据实施方式的显示装置1的显示面板10的辅助显示区域DA1的部分的示意性平面视图。在图8中,为了图示的便利,示出了像素限定层215和有机层300的平面视图。此外,为了图示的便利,也示出了辅助连接布线CWL。
参照图8,衬底100的辅助显示区域DA1可包括排列有多个辅助像素PX1的多个辅助像素区域。例如,辅助显示区域DA1可包括第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13。可提供有多个第一辅助像素区域PXA11,可提供有多个第二辅助像素区域PXA12,并且可提供有多个第三辅助像素区域PXA13。第二辅助像素区域PXA12可在第一方向D1(例如,-x方向与+y方向之间的方向)上与第一辅助像素区域PXA11相邻地排列。第三辅助像素区域PXA13可在与第一方向D1交叉的第二方向D2(例如,-x方向与-y方向之间的方向)上与第一辅助像素区域PXA11相邻地排列。
辅助显示区域DA1还可包括透射区域TA。透射区域TA可排列在多个辅助像素区域之间。更详细地,透射区域TA可排列在第一辅助像素区域PXA11与第二辅助像素区域PXA12之间、在第一辅助像素区域PXA11与第三辅助像素区域PXA13之间以及在第二辅助像素区域PXA12与第三辅助像素区域PXA13之间。透射区域TA也可排列在第一辅助像素区域PXA11之间、在第二辅助像素区域PXA12之间以及在第三辅助像素区域PXA13之间。换句话说,更详细地,当从垂直于或基本上垂直于衬底100(例如,参见图6)的方向(例如,在z方向上)观看时(例如,在平面视图中),透射区域TA可围绕第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中的每个(例如,在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中的每个的外围周围)。换句话说,透射区域TA可具有网格形状。因此,第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中的每个可具有岛形状。
辅助像素PX1中的每个可是指子像素,并且可包括辅助显示元件DPE1(例如,参见图7)。辅助像素PX1可发射例如绿色光、红色光或蓝色光。例如,辅助像素PX1可为发射绿色光的第一辅助像素PX11、发射红色光的第二辅助像素PX12或发射蓝色光的第三辅助像素PX13。绿色光可为在约495nm至约580nm的波长带中的光。红色光可为在约580nm至约780nm的波长带中的光。蓝色光可为在约400nm至约495nm的波长带中的光。
第一辅助像素PX11可排列在第一辅助像素区域PXA11处(例如,在第一辅助像素区域PXA11中或上),第二辅助像素PX12可排列在第二辅助像素区域PXA12处(例如,在第二辅助像素区域PXA12中或上),并且第三辅助像素PX13可排列在第三辅助像素区域PXA13处(例如,在第三辅助像素区域PXA13中或上)。更详细地,第一辅助显示元件DPE11(例如,参见图9)的第一辅助像素电极210-11可排列在第一辅助像素区域PXA11处(例如,在第一辅助像素区域PXA11中或上),以实现第一辅助像素PX11。第二辅助显示元件DPE12(例如,参见图9)的第二辅助像素电极210-12可排列在第二辅助像素区域PXA12处(例如,在第二辅助像素区域PXA12中或上),以实现第二辅助像素PX12。第三辅助显示元件DPE13(例如,参见图9)的第三辅助像素电极210-13可排列在第三辅助像素区域PXA13处(例如,在第三辅助像素区域PXA13中或上),以实现第三辅助像素PX13。例如,第一辅助像素电极210-11、第二辅助像素电极210-12和第三辅助像素电极210-13可排列为在平面视图中彼此间隔开。如图8中所示,第一辅助像素电极210-11、第二辅助像素电极210-12和第三辅助像素电极210-13可具有彼此相同或基本上相同的尺寸、或者彼此相似的尺寸。作为另一实例,在另一实施方式中,第一辅助像素电极210-11、第二辅助像素电极210-12和第三辅助像素电极210-13可具有彼此不同的尺寸。
辅助连接布线CWL可布置在辅助像素电极210-1(例如,参见图7)下面。辅助连接布线CWL可包括第一辅助连接布线CWL1、第二辅助连接布线CWL2和第三辅助连接布线CWL3。更详细地,第一辅助连接布线CWL1可布置在第一辅助像素电极210-11下面,第二辅助连接布线CWL2可布置在第二辅助像素电极210-12下面,并且第三辅助连接布线CWL3可布置在第三辅助像素电极210-13下面。换句话说,第一辅助连接布线CWL1可排列在第一辅助像素区域PXA11处(例如,在第一辅助像素区域PXA11中或上),第二辅助连接布线CWL2可排列在第二辅助像素区域PXA12处(例如,在第二辅助像素区域PXA12中或上),并且第三辅助连接布线CWL3可排列在第三辅助像素区域PXA13处(例如,在第三辅助像素区域PXA13中或上)。
在实施方式中,辅助连接布线CWL可将辅助显示元件DPE1彼此电连接。例如,可提供有多个第一辅助显示元件DPE11(例如,参见图9),并且第一辅助连接布线CWL1可将多个第一辅助显示元件DPE11彼此电连接。例如,四个第一辅助显示元件DPE11可通过第一辅助连接布线CWL1彼此电连接。换句话说,四个第一辅助像素电极210-11可通过第一辅助连接布线CWL1彼此电连接。
可提供有多个第二辅助显示元件DPE12(例如,参见图9),并且第二辅助连接布线CWL2可将多个第二辅助显示元件DPE12彼此电连接。例如,两个第二辅助显示元件DPE12可通过第二辅助连接布线CWL2彼此电连接。换句话说,两个第二辅助像素电极210-12可通过第二辅助连接布线CWL2彼此电连接。可提供有多个第三辅助显示元件DPE13(例如,参见图9),并且第三辅助连接布线CWL3可将多个第三辅助显示元件DPE13彼此电连接。例如,两个第三辅助显示元件DPE13可通过第三辅助连接布线CWL3彼此电连接。换句话说,两个第三辅助像素电极210-13可通过第三辅助连接布线CWL3彼此电连接。
更详细地,由于第一辅助显示元件DPE11可提供为多个,因此包括在第一辅助显示元件DPE11中的第一辅助像素电极210-11可提供为多个。排列在一个第一辅助像素区域PXA11中的第一辅助连接布线CWL1可布置在一个第一辅助像素电极210-11下面。第一辅助连接布线CWL1可延伸到透射区域TA。第一辅助连接布线CWL1可从透射区域TA延伸到另一第一辅助像素区域PXA11。延伸到另一第一辅助像素区域PXA11的第一辅助连接布线CWL1可布置在另一第一辅助像素电极210-11下面。换句话说,第一辅助连接布线CWL1可从一个第一辅助像素区域PXA11延伸到透射区域TA,并且延伸到透射区域TA的第一辅助连接布线CWL1可从透射区域TA延伸到另一第一辅助像素区域PXA11。换句话说,第一辅助连接布线CWL1可通过透射区域TA从一个第一辅助像素区域PXA11延伸到另一第一辅助像素区域PXA11。因此,第一辅助连接布线CWL1可将第一辅助显示元件DPE11彼此电连接。换句话说,第一辅助连接布线CWL1可将第一辅助像素电极210-11彼此电连接。
可提供有多个第二辅助像素电极210-12,并且第一辅助像素电极210-11和第一辅助连接布线CWL1的上述描述可相似地应用于第二辅助像素电极210-12和第二辅助连接布线CWL2。此外,可提供有多个第三辅助像素电极210-13,并且第一辅助像素电极210-11和第一辅助连接布线CWL1的以上描述可相似地应用于第三辅助像素电极210-13和第三辅助连接布线CWL3。换句话说,第二辅助连接布线CWL2可将第二辅助像素电极210-12彼此电连接,并且第三辅助连接布线CWL3可将第三辅助像素电极210-13彼此电连接。因此,将不重复其冗余描述。
尽管图7和图8示出了辅助连接布线CWL布置在辅助像素电极210-1下面,但本公开不限于此。例如,辅助连接布线CWL可排列在与辅助像素电极210-1的层相同的层处(例如,在与辅助像素电极210-1的层相同的层中或上),并且可包括与辅助像素电极210-1的材料相同的材料。换句话说,辅助连接布线CWL和辅助像素电极210-1可布置在第四有机绝缘层OIL4上。
例如,第一辅助连接布线CWL1可排列在与第一辅助像素电极210-11的层相同的层处(例如,在与第一辅助像素电极210-11的层相同的层中或上),并且可包括与第一辅助像素电极210-11的材料相同的材料。第一辅助连接布线CWL1可将第一辅助显示元件DPE11彼此电连接。换句话说,第一辅助连接布线CWL1可与第一辅助像素电极210-11一体地提供。相似地,第二辅助连接布线CWL2可排列在与第二辅助像素电极210-12的层相同的层处(例如,在与第二辅助像素电极210-12的层相同的层中或上),并且可包括与第二辅助像素电极210-12的材料相同的材料。第三辅助连接布线CWL3可排列在与第三辅助像素电极210-13的层相同的层处(例如,在与第三辅助像素电极210-13的层相同的层中或上),并且可包括与第三辅助像素电极210-13的材料相同的材料。换句话说,第二辅助连接布线CWL2可与第二辅助像素电极210-12一体地提供,并且第三辅助连接布线CWL3可与第三辅助像素电极210-13一体地提供。
通过使用排列在与辅助像素电极210-1的层相同的层处(例如,在与辅助像素电极210-1的层相同的层中或上)并且包括与辅助像素电极210-1的材料相同的材料的辅助连接布线CWL将辅助显示元件DPE1彼此电连接,可减少在显示装置的制造工艺中使用的掩模的数量。因此,可简化显示装置的制造工艺。此外,通过包括排列在与中间像素电极210-2的层相同的层处(例如,在与中间像素电极210-2的层相同的层中或上)并且包含与中间像素电极210-2的材料相同的材料的中间连接布线CWLM,可简化显示装置的制造工艺。
如上所述,当辅助连接布线CWL排列在与辅助像素电极210-1的层相同的层处(例如,在与辅助像素电极210-1的层相同的层中或上)并且包括与辅助像素电极210-1的材料相同的材料时,辅助连接布线CWL可与辅助像素电极210-1一体地提供。在这种情况下,辅助连接布线CWL的一端可与一个辅助像素电极210-1的一端接触,并且辅助连接布线CWL的另一端可与另一辅助像素电极210-1的一端接触。因此,辅助连接布线CWL可将辅助显示元件DPE1彼此电连接。换句话说,辅助连接布线CWL可将辅助像素电极210-1彼此电连接。然而,本公开不限于此,并且辅助连接布线CWL和辅助像素电极210-1可通过单独的布线彼此电连接。如以上参照图7所述,辅助连接布线CWL中的每个可电连接到一个对应的布线WL。例如,四个第一辅助像素电极210-11可通过第一辅助连接布线CWL1电连接到一个辅助像素电路PC1。相似地,两个第二辅助像素电极210-12可通过第二辅助连接布线CWL2电连接到另一辅助像素电路PC1,并且两个第三辅助像素电极210-13可通过第三辅助连接布线CWL3电连接到又一辅助像素电路PC1。
如上所述,辅助连接布线CWL可排列在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12或第三辅助像素区域PXA13中。辅助连接布线CWL可从第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12或第三辅助像素区域PXA13延伸到透射区域TA。因此,辅助连接布线CWL也可排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)。换句话说,辅助连接布线CWL的部分可排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)。
如上所述,像素限定层215可布置在有机绝缘层OIL(例如,参见图7)上。更详细地,在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上),像素限定层215可排列在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中。像素限定层215可包括多个辅助开口215OP-1(例如,参见图7)。多个辅助开口215OP-1可包括第一辅助开口215OP-11、第二辅助开口215OP-12和第三辅助开口215OP-13。第一辅助开口215OP-11可排列在第一辅助像素区域PXA11中,第二辅助开口215OP-12可排列在第二辅助像素区域PXA12中,并且第三辅助开口215OP-13可排列在第三辅助像素区域PXA13中。因此,第一辅助开口215OP-11可暴露第一辅助像素电极210-11的中心部分,第二辅助开口215OP-12可暴露第二辅助像素电极210-12的中心部分,并且第三辅助开口215OP-13可暴露第三辅助像素电极210-13的中心部分。
第一辅助开口215OP-11和第二辅助开口215OP-12可排列为在第一方向D1(例如,-x方向与+y方向之间的方向)上彼此相邻,并且第一辅助开口215OP-11和第三辅助开口215OP-13可排列为在与第一方向D1交叉的第二方向D2(例如,-x方向与-y方向之间的方向)上彼此相邻。如图8中所示,第一辅助开口215OP-11、第二辅助开口215OP-12和第三辅助开口215OP-13可具有彼此相同或基本上相同的尺寸、或者彼此相似的尺寸。作为另一实例,在另一实施方式中,第一辅助开口215OP-11、第二辅助开口215OP-12和第三辅助开口215OP-13可具有彼此不同的尺寸。
发射光的辅助发射层220-1(例如,参见图7)可分别排列在像素限定层215的第一辅助开口215OP-11、第二辅助开口215OP-12和第三辅助开口215OP-13中。相对电极230(例如,参见图7)可布置在辅助发射层220-1上。辅助像素电极210-1、辅助发射层220-1和相对电极230的堆叠结构可形成一个辅助显示元件DPE1。像素限定层215的一个辅助开口215OP-1可对应于一个辅助显示元件DPE1,并且可限定一个发射区域。
例如,发射绿色光的发射层可排列在第一辅助开口215OP-11中,并且由第一辅助开口215OP-11限定的发射区域可限定为第一辅助像素PX11。发射红色光的发射层可排列在第二辅助开口215OP-12中,并且由第二辅助开口215OP-12限定的发射区域可限定为第二辅助像素PX12。发射蓝色光的发射层可排列在第三辅助开口215OP-13中,并且由第三辅助开口215OP-13限定的发射区域可限定为第三辅助像素PX13。然而,本公开不限于此。例如,发射蓝色光或绿色光的发射层可排列在第一辅助开口215OP-11、第二辅助开口215OP-12和第三辅助开口215OP-13中。在这种情况下,显示装置1还可包括布置在显示面板10上的颜色面板,并且从显示面板10的发射层发射的蓝色光或绿色光可在穿过颜色面板的情况下转换成绿色光、红色光或蓝色光,或者可透射通过颜色面板。
有机层300(例如,参见图7)可布置在有机绝缘层OIL上。有机层300可布置在辅助显示区域DA1的透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)。换句话说,透射区域TA可为辅助像素区域的在有机绝缘层OIL上布置有有机层300而不是像素限定层215的区。由于辅助连接布线CWL的部分可排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上),因此有机层300可布置在辅助连接布线CWL的排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的部分上。更详细地,有机层300可覆盖辅助连接布线CWL的排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的部分。
如上所述,当从垂直于或基本上垂直于衬底100的方向(例如,在z方向上)观看时(例如,在平面视图中),透射区域TA可围绕第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13(例如,在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13的外围周围)。因此,有机层300可围绕像素限定层215的限定第一辅助开口215OP-11的部分(例如,在该部分的外围周围)。相似地,有机层300可围绕像素限定层215的限定第二辅助开口215OP-12的部分(例如,在该部分的外围周围),并且可围绕像素限定层215的限定第三辅助开口215OP-13的部分(例如,在该部分的外围周围)。换句话说,有机层300可具有网格形状。因此,像素限定层215的排列在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12或第三辅助像素区域PXA13中的部分可具有环形形状。
尽管图8示出了透射区域TA完全围绕第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13(例如,完全在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13的外围周围),但本公开不限于此。例如,透射区域TA可部分地围绕第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中的每个(例如,部分地在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中的每个的外围周围)。换句话说,有机层300可部分地围绕像素限定层215的限定第一辅助开口215OP-11的部分、像素限定层215的限定第二辅助开口215OP-12的部分和像素限定层215的限定第三辅助开口215OP-13的部分中的每个(例如,部分地在该每个的外围周围)。
图9是根据实施方式的显示装置1的显示面板10的部分的示意性剖视图。图10是根据实施方式的显示装置1的显示面板10的部分的示意性剖视图。在图9和图10中,为了图示的便利,省略了封装层ENL(例如,参见图3)、触摸传感器层TSL(例如,参见图3)和光学功能层OFL(例如,参见图3)。
更详细地,图9是沿图8的线B-B'截取的显示面板10的示意性剖视图,并且图10是沿图8的线C-C'截取的显示面板10的示意性剖视图。在图9和图10中,相同的附图标记用于表示与以上参照图7和图8描述的构件相同或基本上相同的构件,并且因此,可不重复其冗余描述。
参照图9,有机绝缘层OIL可布置在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)的衬底100上。更详细地,在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上),绝缘层IL(例如,参见图7)的有机绝缘层OIL可布置在衬底100上,但绝缘层IL的无机绝缘层IIL(例如,参见图7)可不排列在衬底100与有机绝缘层OIL之间。如上所述,有机绝缘层OIL可包括第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2、第三有机绝缘层OIL3和第四有机绝缘层OIL4。
辅助连接布线CWL可布置在有机绝缘层OIL上。辅助连接布线CWL可排列在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12或第三辅助像素区域PXA13中。更详细地,第一辅助连接布线CWL1可布置在第一辅助像素区域PXA11中的有机绝缘层OIL上,第二辅助连接布线CWL2可布置在第二辅助像素区域PXA12中的有机绝缘层OIL上,并且第三辅助连接布线CWL3可布置在第三辅助像素区域PXA13中的有机绝缘层OIL上。
如以上参照图8所述,辅助连接布线CWL也可排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)。如图9中所示,辅助连接布线CWL也可排列在透射区域TA的排列在第一辅助像素区域PXA11与第二辅助像素区域PXA12之间的部分处(例如,在该部分中或上)。排列在透射区域TA的该部分处(例如,在该部分中或上)的辅助连接布线CWL可为第三辅助连接布线CWL3。如图10中所示,辅助连接布线CWL也可排列在透射区域TA的排列在第一辅助像素区域PXA11之间的另一部分处(例如,在该另一部分中或上)。排列在透射区域TA的该另一部分处(例如,在该另一部分中或上)的辅助连接布线CWL可为第一辅助连接布线CWL1。
像素限定层215可布置在有机绝缘层OIL上。更详细地,像素限定层215可布置在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中的有机绝缘层OIL上,但像素限定层215可不布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上。如上所述,像素限定层215可包括阻光材料。
根据本实施方式,包括阻光材料的像素限定层215可不布置在辅助显示区域DA1的透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上。因此,在这种情况下,与包括阻光材料的像素限定层215也布置在辅助显示区域DA1的透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上的情况相比,可改善显示面板10的透光率。
有机层300可布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上。如上所述,有机层300可包括透明有机绝缘材料,并且可不包括阻光材料。如上所述,辅助连接布线CWL的部分也可排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上),并且有机层300可排列在辅助连接布线CWL上。换句话说,有机层300可布置在辅助连接布线CWL的排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的部分上。换句话说,有机层300可覆盖辅助连接布线CWL的排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的部分。
如上所述,由于相对电极230形成为覆盖整个或基本上整个显示区域,因此相对电极230可排列在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中。更详细地,在辅助显示区域DA1的第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中,相对电极230可分别布置在第一辅助像素电极210-11、第二辅助像素电极210-12和第三辅助像素电极210-13上。相对电极230也可布置在像素限定层215上。相对电极230也可排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上),并且可布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机层300上。
辅助发射层220-1可排列在辅助像素电极210-1与相对电极230之间。更详细地,第一辅助发射层220-11可排列在第一辅助像素电极210-11与相对电极230之间。第二辅助发射层220-12可排列在第二辅助像素电极210-12与相对电极230之间,并且第三辅助发射层220-13可排列在第三辅助像素电极210-13与相对电极230之间。在实施方式中,第一辅助发射层220-11可发射绿色光,第二辅助发射层220-12可发射红色光,并且第三辅助发射层220-13可发射蓝色光。
由于第一公共层CL1和第二公共层CL2也形成为覆盖整个或基本上整个显示区域,因此第一公共层CL1和第二公共层CL2可排列在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中。在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中,第一公共层CL1和第二公共层CL2可各自排列在第一辅助像素电极210-11与相对电极230之间、在第二辅助像素电极210-12与相对电极230之间以及在第三辅助像素电极210-13与相对电极230之间。
更详细地,在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中,第一公共层CL1可分别排列在第一辅助像素电极210-11与第一辅助发射层220-11之间、在第二辅助像素电极210-12与第二辅助发射层220-12之间以及在第三辅助像素电极210-13与第三辅助发射层220-13之间。在第一辅助像素区域PXA11、第二辅助像素区域PXA12和第三辅助像素区域PXA13中,第二公共层CL2可分别排列在第一辅助发射层220-11与相对电极230之间、在第二辅助发射层220-12与相对电极230之间以及在第三辅助发射层220-13与相对电极230之间。第一公共层CL1和第二公共层CL2也可布置在像素限定层215上。
第一公共层CL1和第二公共层CL2也可排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上),并且可布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机层300上。换句话说,第一公共层CL1和第二公共层CL2可排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机层300与相对电极230之间。更详细地,在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上),第一公共层CL1可布置在有机层300上,并且第二公共层CL2可布置在第一公共层CL1上。
当有机层300没有布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上时,泄漏电流可能在辅助显示元件DPE1之间流动。更详细地,当有机层300没有布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上时,辅助连接布线CWL可与第一公共层CL1接触。如上所述,第一公共层CL1和第二公共层CL2可为遍及多个辅助显示元件DPE1一体地形成的层。泄漏电流可能通过这些层在辅助显示元件DPE1之间流动。
例如,如图9中所示,第三辅助连接布线CWL3可排列在透射区域TA的在第一辅助像素区域PXA11与第二辅助像素区域PXA12之间的部分处(例如,在该部分中或上),但有机层300可不布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上。在这种情况下,第三辅助连接布线CWL3可与第一公共层CL1接触。因此,即使当电流仅供给到发射绿色光的第一辅助显示元件DPE11时,电流也可能通过第一公共层CL1和/或第二公共层CL2发送到第三辅助连接布线CWL3。因此,电流也可能供给到电连接到第三辅助连接布线CWL3的第三辅助显示元件DPE13。结果,由于绿色光从第一辅助显示元件DPE11发射并且蓝色光也从第三辅助显示元件DPE13发射,因此显示质量(例如,诸如色纯度)可能降低。
此外,当有机层300没有布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上时,辅助显示元件DPE1的辅助像素电极210-1可电连接到相对电极230,从而导致短路。例如,如图10中所示,第一辅助连接布线CWL1可排列在透射区域TA的在第一辅助像素区域PXA11之间的部分处(例如,在该部分中或上),但有机层300可不布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上。在这种情况下,在透射区域TA的该部分处(例如,在该部分中或上)的第一辅助连接布线CWL1可与第一公共层CL1接触。在透射区域TA的该部分处(例如,在该部分中或上)的第一公共层CL1可与第二公共层CL2接触,并且在透射区域TA的该部分处(例如,在该部分中或上)的第二公共层CL2可与相对电极230接触。因此,电流可能通过第一公共层CL1和第二公共层CL2从透射区域TA的该部分处(例如,在该部分中或上)的第一辅助连接布线CWL1发送到相对电极230。因此,在第一辅助显示元件DPE11的第一辅助像素电极210-11与相对电极230之间可能发生短路。
然而,根据本公开的一个或多个实施方式,有机层300可布置在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的有机绝缘层OIL上。换句话说,有机层300可覆盖辅助连接布线CWL的排列在透射区域TA处(例如,在透射区域TA中或上)的部分。因此,辅助连接布线CWL可不与第一公共层CL1接触。因此,泄漏电流可不在辅助显示元件DPE1之间流动,并且辅助显示元件DPE1的辅助像素电极210-1可不电连接到相对电极230。换句话说,电信号可有效地发送到显示元件。
例如,中间显示元件DPE2的中间像素电极210-2可电连接到中间连接布线CWLM,并且中间连接布线CWLM可通过形成在第四有机绝缘层OIL4中(例如,穿透第四有机绝缘层OIL4)的接触孔电连接到第三连接电极CM3。以上已详细地描述了显示装置1,但本公开不限于此,并且制造显示装置1的方法也落入本公开的精神和范围内。在下文中,更详细地描述制造显示装置1的方法。
图11A至图11D是示出图8中所示的显示面板10的制造工艺的部分的示意性剖视图。更详细地,图11A至图11D是示出形成包括在图8中所示的显示面板10中的辅助连接布线CWL、辅助像素电极210-1、像素限定层215和有机层300的工艺的示意性剖视图。
参照图11A,可在布置在衬底100上的有机绝缘层OIL上形成辅助连接布线CWL。同时地(例如,在相同或基本上相同的时间处),可在有机绝缘层OIL上形成中间连接布线CWLM。更详细地,可在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)的第四有机绝缘层OIL4上形成辅助连接布线CWL,并且可在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的第四有机绝缘层OIL4上形成中间连接布线CWLM。辅助连接布线CWL和中间连接布线CWLM可同时地(例如,同步地或基本上同步地)由彼此相同的材料形成。例如,在于第三有机绝缘层OIL3和第四有机绝缘层OIL4中形成接触孔之后,可通过使用溅射法和/或类似方法将辅助连接布线形成材料沉积在衬底100的整个或基本上整个表面上。此后,可通过图案化辅助连接布线CWL的形状和中间连接布线CWLM的形状来形成辅助连接布线CWL和中间连接布线CWLM。
辅助连接布线形成材料可包括氧化物半导体。例如,氧化物半导体可包括基于Zn氧化物的材料,诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物。作为另一实例,氧化物半导体可包括在ZnO中包含诸如In、Ga或Sn的金属的IGZO、ITZO或IGTZO的半导体。
参照图11B,可在辅助连接布线CWL上形成辅助像素电极210-1。同时地(例如,在相同或基本上相同的时间处),可在中间连接布线CWLM上形成中间像素电极210-2,并且可在有机绝缘层OIL上形成主像素电极210-3。更详细地,可在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)的辅助连接布线CWL上形成辅助像素电极210-1,可在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)的中间连接布线CWLM上形成中间像素电极210-2,并且可在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)的有机绝缘层OIL上形成主像素电极210-3。辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3可同时地(例如,同步地或基本上同步地)由彼此相同的材料形成。例如,在于第三有机绝缘层OIL3和第四有机绝缘层OIL4中形成接触孔之后,可通过使用溅射方法和/或类似方法将辅助像素电极形成材料沉积在衬底100的整个或基本上整个表面上。此后,可通过图案化辅助像素电极210-1的形状、中间像素电极210-2的形状和主像素电极210-3的形状来形成辅助像素电极210-1、中间像素电极210-2和主像素电极210-3。
辅助像素电极形成材料可包括导电氧化物,诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。
参照图11C,可在有机绝缘层OIL上形成像素限定层215。更详细地,像素限定层215可形成为限定辅助开口215OP-1、中间开口215OP-2和主开口215OP-3。辅助开口215OP-1可在辅助显示区域DA1处(例如,在辅助显示区域DA1中或上)排列为暴露辅助像素电极210-1的中心部分。中间开口215OP-2可在中间显示区域DA2处(例如,在中间显示区域DA2中或上)排列为暴露中间像素电极210-2的中心部分。主开口215OP-3可在主显示区域DA3处(例如,在主显示区域DA3中或上)排列为暴露主像素电极210-3的中心部分。
像素限定层215可包括阻光材料。阻光材料可包括黑色颜料、黑色染料和黑色颗粒中的至少一种。例如,阻光材料可包括Cr、CrOx和CrNx中的至少一种,或者可包括树脂、石墨、非Cr系颜料、内酰胺系颜料或苝系颜料。黑色颜料可包括苯胺黑、内酰胺黑和苝黑中的至少一种。
像素限定层215可不形成在辅助显示区域DA1的部分处(例如,在该部分中或上)。例如,像素限定层215可不形成在辅助显示区域DA1的未形成辅助像素电极210-1的部分处(例如,在该部分中或上)。由于包括阻光材料的像素限定层215没有形成在辅助显示区域DA1的该部分处(例如,在该部分中或上),因此可改善显示面板10的透光率。
参照图11D,可在有机绝缘层OIL上形成有机层300。更详细地,可在辅助显示区域DA1的未形成像素限定层215的部分处(例如,在该部分中或上)的有机绝缘层OIL上形成有机层300。有机层300可包括透明有机绝缘材料。例如,有机层300可包括聚合物系材料。聚合物系材料可为透明的。例如,有机层300可包括硅酮系树脂、丙烯酸树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺、HMDSO和聚乙烯中的至少一种。
有机层300可覆盖辅助连接布线CWL的未由像素限定层215覆盖的部分。因此,即使当第一公共层CL1、第二公共层CL2和相对电极230形成在辅助连接布线CWL上时,泄漏电流也可不在辅助显示元件DPE1之间流动,并且可不发生短路。
根据本公开的一个或多个实施方式,可实现具有高透射率并且电信号可有效地发送到其显示元件的显示装置。然而,本公开的方面和特征不限于此。
尽管已描述了一些实施方式,但本领域技术人员将容易领会的是,在不背离本公开的精神和范围的情况下在实施方式中各种修改是可能的。将理解的是,除非另有描述,否则每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。因此,如对本领域普通技术人员显而易见的,除非另有特意指示,否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此,将理解的是,前述是对各种示例性实施方式的说明,并且将不被解释为限于本文中公开的具体实施方式,并且将理解的是,对公开的实施方式的各种修改以及其它示例性实施方式旨在包括在如随附权利要求书以及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。
Claims (22)
1.一种显示装置,包括:
衬底,所述衬底包括:
第一辅助像素区域;
第二辅助像素区域,所述第二辅助像素区域在第一方向上与所述第一辅助像素区域相邻;
第三辅助像素区域,所述第三辅助像素区域在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一辅助像素区域相邻;以及
透射区域,所述透射区域在所述第一辅助像素区域与所述第二辅助像素区域之间以及在所述第一辅助像素区域与所述第三辅助像素区域之间;
像素限定层,所述像素限定层包括:
第一辅助开口,所述第一辅助开口在所述第一辅助像素区域处暴露在所述像素限定层下面的第一辅助像素电极的中心部分;
第二辅助开口,所述第二辅助开口在所述第二辅助像素区域处暴露在所述像素限定层下面的第二辅助像素电极的中心部分;以及
第三辅助开口,所述第三辅助开口在所述第三辅助像素区域处暴露在所述像素限定层下面的第三辅助像素电极的中心部分;
辅助连接布线,所述辅助连接布线在所述第一辅助像素电极、所述第二辅助像素电极或所述第三辅助像素电极下面,并且从所述第一辅助像素区域、所述第二辅助像素区域或所述第三辅助像素区域延伸到所述透射区域;以及
有机层,所述有机层在所述透射区域处。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述辅助连接布线的部分定位在所述透射区域处,并且
其中,所述有机层在所述辅助连接布线的定位在所述透射区域处的所述部分上。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述有机层覆盖所述辅助连接布线的定位在所述透射区域处的所述部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素限定层包括阻光材料。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述有机层包括透明有机绝缘材料,并且不包括阻光材料。
6.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
相对电极,所述相对电极在所述第一辅助像素电极、所述第二辅助像素电极和所述第三辅助像素电极上;
第一公共层,所述第一公共层在所述第一辅助像素电极与第一辅助发射层之间、在所述第二辅助像素电极与第二辅助发射层之间以及在所述第三辅助像素电极与第三辅助发射层之间;以及
第二公共层,所述第二公共层在所述第一辅助发射层与所述相对电极之间、在所述第二辅助发射层与所述相对电极之间以及在所述第三辅助发射层与所述相对电极之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述相对电极的部分、所述第一公共层的部分和所述第二公共层的部分定位在所述透射区域处。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述相对电极的定位在所述透射区域处的所述部分在所述有机层上,并且所述第一公共层的定位在所述透射区域处的所述部分和所述第二公共层的定位在所述透射区域处的所述部分定位在所述有机层与所述相对电极之间。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述透射区域围绕所述第一辅助像素区域、所述第二辅助像素区域和所述第三辅助像素区域。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述辅助连接布线提供为多个,以使得包括第一辅助连接布线、第二辅助连接布线和第三辅助连接布线;
所述第一辅助像素区域提供为多个,以使得包括多个第一辅助像素区域;
所述第二辅助像素区域提供为多个,以使得包括多个第二辅助像素区域;
所述第三辅助像素区域提供为多个,以使得包括多个第三辅助像素区域;
所述第一辅助连接布线将定位在所述多个第一辅助像素区域处的多个第一辅助像素电极彼此电连接;
所述第二辅助连接布线将定位在所述多个第二辅助像素区域处的多个第二辅助像素电极彼此电连接;以及
所述第三辅助连接布线将定位在所述多个第三辅助像素区域处的多个第三辅助像素电极彼此电连接。
11.根据权利要求1所述的显示装置,还包括与所述第一辅助像素区域、所述第二辅助像素区域、所述第三辅助像素区域和所述透射区域重叠的部件。
12.一种显示装置,包括:
衬底,所述衬底包括多个第一辅助像素区域和在所述多个第一辅助像素区域之间的透射区域;
像素限定层,所述像素限定层具有多个第一辅助开口,所述多个第一辅助开口在所述多个第一辅助像素区域处定位为暴露在所述像素限定层下面的多个第一辅助像素电极的中心部分;
第一辅助连接布线,所述第一辅助连接布线在所述多个第一辅助像素电极下面,并且延伸到所述透射区域;以及
有机层,所述有机层在所述透射区域处。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第一辅助连接布线的部分定位在所述透射区域处,并且
其中,所述有机层在所述第一辅助连接布线的定位在所述透射区域处的所述部分上。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述有机层覆盖所述第一辅助连接布线的定位在所述透射区域处的所述部分。
15.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述像素限定层包括阻光材料。
16.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述有机层包括透明有机绝缘材料,并且不包括阻光材料。
17.根据权利要求12所述的显示装置,还包括:
相对电极,所述相对电极在所述多个第一辅助像素电极上;
第一公共层,所述第一公共层在所述多个第一辅助像素电极与多个第一辅助发射层之间;以及
第二公共层,所述第二公共层在所述多个第一辅助发射层与所述相对电极之间。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中,所述相对电极的部分、所述第一公共层的部分和所述第二公共层的部分定位在所述透射区域处。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述相对电极的定位在所述透射区域处的所述部分在所述有机层上,并且
其中,所述第一公共层的定位在所述透射区域处的所述部分和所述第二公共层的定位在所述透射区域处的所述部分在所述有机层与所述相对电极之间。
20.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述透射区域围绕所述多个第一辅助像素区域中的每个。
21.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第一辅助连接布线将在所述多个第一辅助像素区域处的所述多个第一辅助像素电极彼此电连接。
22.根据权利要求12所述的显示装置,还包括与所述多个第一辅助像素区域和所述透射区域重叠的部件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2022-0110319 | 2022-08-31 | ||
KR1020220110319A KR20240031570A (ko) | 2022-08-31 | 2022-08-31 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117642000A true CN117642000A (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=90001362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311091635.2A Pending CN117642000A (zh) | 2022-08-31 | 2023-08-29 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240074242A1 (zh) |
KR (1) | KR20240031570A (zh) |
CN (1) | CN117642000A (zh) |
-
2022
- 2022-08-31 KR KR1020220110319A patent/KR20240031570A/ko unknown
-
2023
- 2023-07-05 US US18/347,496 patent/US20240074242A1/en active Pending
- 2023-08-29 CN CN202311091635.2A patent/CN117642000A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240031570A (ko) | 2024-03-08 |
US20240074242A1 (en) | 2024-02-29 |
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