CN117641985A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、栅绝缘层、栅极层、无机层间介质层、有机层间介质层、源漏金属层、平坦层，其中，所述无机层间介质层随形覆盖在所述栅极层的表面，所述有机层间介质层在远离所述衬底基板的一侧表面平齐，所述栅绝缘层、所述无机层间介质层和所述有机层间介质层上设置有暴露所述有源层的第一过孔，所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述有源层接触。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，显示基板已广泛应用于各种显示技术领域，而且也在朝着高分辨率不断发展。显示基板包括显示区和非显示区，非显示区设置有驱动电路，以输出信号，显示区内设置有显示结构层，以显示画面；非显示区内设置有用于向显示区传输相应信号的走线。

随着显示基板的屏幕分辨率越高，非显示区内的走线的数量就越多，然而，随着走线数量增多导致上层膜层在制备时会形成台阶状，在同一膜层上产生段差，尤其上层的金属层上产生的问题和风险也随之增加，上层的金属层在刻蚀时因表面不平坦带来的残留和断线等风险。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以提高显示面板的质量，提高显示效果。

第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、栅绝缘层、栅极层、无机层间介质层、有机层间介质层、源漏金属层、平坦层，其中，

所述无机层间介质层随形覆盖在所述栅极层的表面，所述有机层间介质层在远离所述衬底基板的一侧表面平齐，所述栅绝缘层、所述无机层间介质层和所述有机层间介质层上设置有暴露所述有源层的第一过孔，所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述有源层接触。

可选地，所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述第一栅绝缘层设置在所述有源层与所述第一栅极层之间，所述第二栅绝缘层设置在所述第一栅极层与所述第二栅极层之间，所述无机层间介质层设置在所述第二栅极层远离所述衬底基板的一侧。

可选地，所述源漏金属层包括第一源漏金属层和第二源漏金属层，所述平坦层包括第一平坦层和第二平坦层，所述薄膜晶体管层还包括设置在所述有机层间介质层远离所述衬底基板一侧的钝化层，所述第一源漏金属层通过所述第一过孔与所述有源层接触；所述第一平坦层设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述第二源漏金属层设置在所述第二平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层和所述第一平坦层上设置有暴露所述第一源漏金属层的第二过孔，所述第二源漏金属层通过所述第二过孔与所述第一源漏金属层接触。

可选地，所述衬底基板包括显示区以及非显示区，所述非显示区包括：

沿第一方向延伸设置的多条第一信号走线和多条第二信号走线，所述第一信号走线设置在所述第一栅极层，所述第二信号走线设置在所述第二栅极层；

沿第二方向延伸设置的多条第三信号走线，所述第三信号走线设置在所述源漏金属层上，所述第一方向与所述第二方向相交。

可选地，所述第一信号走线和所述第二信号走线依次交替设置，相邻两所述第一信号走线与所述第二信号走线之间设置有间隔，所述无机层间介质层随形覆盖在所述第二信号走线、所述间隔以及所述第一信号走线上；所述有机层间介质层填平所述间隔且在远离所述衬底基板的表面平齐。

可选地，所述薄膜晶体管层包括阵列设置的多个晶体管，所述晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极设置在所述栅极层上，所述源极和漏极设置在所述源漏金属层上，所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔与所述有源层接触。

可选地，所述有机层间介质层包括阵列设置的多个开口，所述开口暴露所述无机层间介质层的表面；

所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影分别位于所述开口在所述衬底基板上的正投影范围内。

第二方面，本申请提供了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括在所述衬底基板上依次形成的有源层、栅绝缘层、栅极层、无机层间介质层、有机层间介质层、源漏金属层、平坦层，其中，

所述无机层间介质层随形覆盖在所述栅极层的表面，所述有机层间介质层在远离所述衬底基板的一侧表面平齐，所述栅绝缘层、所述无机层间介质层和所述有机层间介质层上设置有暴露所述有源层的第一过孔，所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述有源层接触。

可选地，所述第一过孔的形成方法包括：

在随形覆盖在所述栅极层的表面的所述无机层间介质层上形成中间过孔，所述中间过孔的位置与所述第一过孔的位置对应，所述中间过孔贯穿所述无机层间介质层和所述栅绝缘层并暴露所述有源层的表面；

在所述无机层间介质层上形成有机层间介质层，所述有机层间介质层填充所述中间过孔且所述有机层间介质层在远离所述衬底基板的一侧表面平齐；

在所述有机层间介质层上形成所述第一过孔，所述第一过孔贯穿所述有机层间介质层并暴露所述有源层的表面。

第三方面，本申请提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的显示面板。

本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请实施例提供的显示面板，通过在无机层间介质层上增加有机层间介质层，为上层的源漏金属层提供平坦化表面，改善源漏金属层刻蚀时因表面不平坦带来的残留和断线等风险，可以提高显示面板的质量，提高显示效果。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本申请的实施例提供的一种显示面板的截面示意图；

图2为本申请的实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图3为本申请的实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；

图4为本申请的实施例提供的一种显示面板的缺陷检测示意图；

图5为本申请的实施例提供的一种显示面板的截面示意图；

图6为本申请的实施例提供的一种显示面板走线的结构示意图；

图7为本申请的实施例提供的一种显示面板的缺陷检测示意图；

图8为本申请的实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；

图9为本申请的实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图；

图10为本申请的实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图；

图11为本申请的实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图；

图12为本申请的实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请详见图1，本申请提供了一种显示面板，包括：

衬底基板10；

设置在所述衬底基板10上的薄膜晶体管层20，所述薄膜晶体管层20包括有源层21、栅绝缘层22、栅极层23、无机层间介质层24、有机层间介质层25、源漏金属层26、平坦层28，其中，

所述无机层间介质层24随形覆盖在所述栅极层23的表面，所述有机层间介质层25在远离所述衬底基板10的一侧表面平齐，所述栅绝缘层22、所述无机层间介质层24和所述有机层间介质层25上设置有暴露所述有源层21的第一过孔31，所述源漏金属层26通过所述第一过孔31与所述有源层21接触。

所述衬底基板10为所述显示面板中的其他膜层结构的载体，其可以为刚性基板或柔性基板，其材质包括玻璃、塑料、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的至少一种。

可选地，所述薄膜晶体管层20包括阵列设置的多个晶体管，所述晶体管包括栅极G、源极S和漏极D，所述栅极G设置在所述栅极层23上，所述源极S和漏极D设置在所述源漏金属层26上，所述源极S和所述漏极D分别通过所述第一过孔31与所述有源层21接触。

所述晶体管包括用于驱动子像素的像素驱动电路以及信号走线等，例如，信号走线包括栅线、数据线、电源线等。通常，每个子像素的像素驱动电路包括驱动晶体管、开关晶体管、电容等，并且与相应的栅线、数据线、电源线电连接。在本实施例中，薄膜晶体管可以为顶栅结构、底栅结构或者双栅结构，本申请对此并不限制。在本申请实施例中以底栅结构进行示例性描述。该驱动晶体管的源极S或者漏极D与像素电极电性连接。

需要说明的是，在不同实施例中该薄膜晶体管还可以包括更少的层或者更多层，例如设置在有源层21靠近衬底基板10一侧的缓冲层和遮光层等，本申请对此并不限制。

可选地，所述栅极层23包括第一栅极层123和第二栅极层223，所述栅绝缘层22包括第一栅绝缘层122和第二栅绝缘层222，所述第一栅绝缘层122设置在所述有源层21与所述第一栅极层123之间，所述第二栅绝缘层222设置在所述第一栅极层123与所述第二栅极层223之间，所述无机层间介质层24设置在所述第二栅极层223远离所述衬底基板10的一侧。

可选地，所述源漏金属层26包括第一源漏金属层126和第二源漏金属层226，所述平坦层28包括第一平坦层128和第二平坦层228。

所述薄膜晶体管层20还包括设置在所述有机层间介质层25远离所述衬底基板10一侧的钝化层27，所述第一源漏金属层126通过所述第一过孔31与所述有源层21接触；所述第一平坦层128设置在所述钝化层27远离所述衬底基板10的一侧，所述第二源漏金属层226设置在所述第二平坦层228远离所述衬底基板10的一侧，所述钝化层27和所述第一平坦层128上设置有暴露所述第一源漏金属层126的第二过孔32，所述第二源漏金属层226通过所述第二过孔32与所述第一源漏金属层126接触。

可选地，如图2所示，所述衬底基板10包括显示区AA以及非显示区DA。

本实施例中的显示面板可以为主动发光型显示面板，例如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板，主动矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示面板，被动矩阵有机发光二极管(Passive Matrix OLED)显示面板、量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，QLED)显示面板等。

本申请实施例的显示面板还可以是液晶显示面板，本申请不限定显示面板的类型，其可以为垂直电场型液晶显示面板，例如扭曲向列(Twisted Nematic，TN)型液晶显示面板，多畴垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)型液晶显示面板，也可以是水平电场型液晶显示面板，例如边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)型液晶显示面板或者面内转换(In-Plane Switching，IPS)型液晶显示面板。

如图3所示，本申请中所述显示区AA包括设置在所述薄膜晶体管层20远离所述衬底基板10一侧的显示层，所述显示层包括阵列设置的多个子像素，在本申请中所述子像素包括从下至上依次层叠设置的阳极30、发光层以及阴极。

本发明的发明人经研究发现，在布局所述显示面板时，由于各子像素驱动电路和所述多条信号线的结构和布局位置等因素，会导致所述驱动电路层背向所述基底的表面存在段差，而当该段差较大时，即使在所述显示层与薄膜晶体管层20之间形成平坦层28，仍然无法保证用于形成子像素中的阳极30的表面平坦，如图4所示。

本申请实施例中，所述有机层间介质层25在所述衬底基板10上的正投影与所述阳极30在所述衬底基板10上的正投影重合，通过有机层间介质层25对子像素区域内的信号线上的膜层进行平坦，有利于所述阳极30平坦性，提高显示效果。

所述显示面板还包括设置在所述显示层远离所述衬底基板10一侧的垫高部，在本实施例中，所述垫高部可以为色阻单元、黑色光阻或光刻胶等其他有机或无机物中的一种。

在本申请实施例中，所述非显示区DA内设置有阵列栅极驱动(Gate Driver OnArray，GOA)，就是利用现有薄膜晶体管液晶显示器中的阵列制程将栅极G行扫描驱动信号电路制作在阵列基板上，实现对栅极G逐行扫描的驱动方式。

本申请实施例中，如图5所示，所述非显示区DA包括：

沿第一方向延伸设置的多条第一信号走线33和多条第二信号走线34，所述第一信号走线33设置在所述第一栅极层123，所述第二信号走线34设置在所述第二栅极层223；

沿第二方向延伸设置的多条第三信号走线35，所述第三信号走线35设置在所述源漏金属层26上，所述第一方向与所述第二方向相交。

需要说明的是，本申请实施例中并不限制所述第一信号走线33和所述第二信号走线34、第三信号走线35上的信号类型，在不同实施例中根据需要进行设置。示例性地，所述第一信号走线33和所述第二信号走线34可以与驱动IC连接，所述第三信号走线35可以与显示区AA上的子像素连接，所述第一方向和所述第二方向可以为非平行设置的任一方向，本申请对此并不限制。

如图6所示，本申请实施例中示例了一种显示面板圆角区(非显示区DA)的走线方案，其中，为了提高面板利用率，所述圆角区内GOA单元与显示面板内的像素行和像素列的方向均呈锐角设置，所述第一信号走线33和所述第二信号走线34与所述GOA单元的阵列方向相同，在一些实施例中，所述第一信号走线33和所述第二信号走线34与所述圆角边框的切线方向平行布置，所述第三信号走线35与所述第一信号走线33和所述第二信号走线34的方向交叉。

在本实施例中，所述第一信号走线33和所述第二信号走线34依次交替设置，相邻两所述第一信号走线33与所述第二信号走线34之间设置有间隔D1，所述无机层间介质层24随形覆盖在所述第二信号走线34、所述间隔D1以及所述第一信号走线33上；所述有机层间介质层25填平所述间隔D1且在远离所述衬底基板10的表面平齐。

在本实施例中，所述栅绝缘层22随形覆盖在所述第一信号走线33远离所述衬底基板10的一侧并在所述第一信号走线33的两侧产生段差，所述无机层间介质层24随形覆盖在所述第二信号走线34和所述栅绝缘层22远离所述衬底基板10的一侧，并且由于间隔D1位置处两侧的段差，所述无机层间介质层24在所述间隔D1位置处形成凹槽，所述有机层间介质层25填充所述凹槽，本申请实施例中通过第一信号走线33和所述第二信号走线34交替设置的方式，可以减少相邻信号走线之间的影响，通过间隔D1的方式可以减少寄生电容。

本申请实施例中在自显示区AA延伸至非显示区DA的第一栅极层123、第二栅极层223以及源漏金属层26，以形成不同的信号线，通过在第二栅极层223和源漏金属层26之间设置无机层间介质层24和有机层间介质层25，可以提高位于上层的第三信号走线35的平坦性，可以改善第三信号走线35在刻蚀时因表面不平坦带来的残留和断线等风险。

另外，当信号走线的数量增多时，所述第一信号走线33与所述第二信号走线34之间的间距减小，导致上层的第三信号走线35还可能存在其他问题和缺陷，如图7所示，例如，第二信号走线34的边界与上方的第三信号走线35之间存在尖端放电ESD风险，工艺过程中和工作时ESD造成信号走线之间击穿形成微短路；又例如，所述无机层间介质层24在覆盖在所述间隔D1位置处时形成槽状，如果直接制备源漏金属层26，在形成交叉走线的第三信号走线35时槽内极易出现底金属残留，进而导致线间短路。

本申请实施例中，每一栅极层23上的信号走线的数量可以相同或者不同，所述第一信号走线33可以在第一栅极层123上均匀设置，所述第二信号走线34可以在第二栅极层223上均匀设置，能够使得每层栅极层23的信号走线具有安全距离，避免信号走线之间距离太近，产生短路。本申请实施例中，通过将信号走线分两层设置，相比于将信号走线设置于同一层，能够减小信号走线的排布密度，减小信号走线之间短路的风险。

本实施例中，所述第一信号走线33在衬底基板10上的正投影与所述第二信号走线34在衬底基板10上的正投影无重叠，可以避免第一信号走线33与所述第二信号走线34之间产生寄生电容，进而影响信号传输。

在本申请的一个实施例中，如图8所示，所述有机层间介质层25包括阵列设置的多个开口D2，所述开口D2暴露所述无机层间介质层24的表面；所述源极S和所述漏极D在所述衬底基板10上的正投影分别位于所述开口D2在所述衬底基板10上的正投影范围内。

本申请实施例中，通过在有机层间介质层25上设置开口D2，本申请实施例中通过去除所述薄膜晶体管上的源极S和漏极D区域上的有机层间介质层25，可以减少所述显示面板的厚度。在一些实施例中，可以控制所述薄膜晶体管层20上各层的厚度，使得所述有源层21区域内的所述无机层间介质层24的厚度与出所述有源层21外的其他区域内的所述有机层间介质层25的厚度相一致，可以提高所述有机层间介质层25的平坦效果。

可以理解的是，本申请实施例中，所述有机层间介质层25在形成无机层间介质层24后，所述有机层间介质层25在远离所述衬底基板10的一侧表面平齐，在形成开口D2后除所述开口D2外的其他表面依然平齐，在一些实施例中，所述有机层间介质层25的表面与所述有源层21上的无机层间介质层24的表面平齐。

本申请还提供了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：

S100、提供衬底基板10；

S200、在所述衬底基板10上形成薄膜晶体管层20，所述薄膜晶体管层20包括在所述衬底基板10上依次形成的有源层21、栅绝缘层22、栅极层23、无机层间介质层24、有机层间介质层25、源漏金属层26、平坦层28，其中，

所述无机层间介质层24随形覆盖在所述栅极层23的表面，所述有机层间介质层25在远离所述衬底基板10的一侧表面平齐，所述栅绝缘层22、所述无机层间介质层24和所述有机层间介质层25上设置有暴露所述有源层21的第一过孔31，所述源漏金属层26通过所述第一过孔31与所述有源层21接触。

可选地，所述第一过孔31的形成方法包括：

S210、在所述第二栅极层223的表面随形覆盖形成无机层间介质层24。

所述无机层间介质层24的材料可以为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、BPSG(硼磷硅玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)等。所述无机层间介质层24的厚度为形成后的结构如图9所示。

S220、在随形覆盖在所述栅极层23的表面的所述无机层间介质层24上形成中间过孔36，所述中间过孔36的位置与所述第一过孔31的位置对应，所述中间过孔36贯穿所述无机层间介质层24和所述栅绝缘层22并暴露所述有源层21的表面，形成后的结构如图10所示。

本实施例中可以通过对无机层间介质层24进行图案化的方式形成所述中间过孔36。所述中间过孔36的位置与待形成的所述第一过孔31的位置对应，所述中间过孔36的尺寸可以参考第一过孔31的尺寸，当然，在其他一些实施例中，所述中间过孔36的尺寸还可以大于所述第一过孔31的尺寸，以方便成型所述第一过孔31，本申请对此并不限制。

在显示技术领域中，图案化工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的图案化工艺。

S230、在所述无机层间介质层24上形成有机层间介质层25，所述有机层间介质层25填充所述中间过孔36且所述有机层间介质层25在远离所述衬底基板10的一侧表面平齐。

本申请实施例中，所述有机层间介质层25随形覆盖在所述无机层间介质层24上，并且填充所述中间过孔36。所述有机层间介质层25的材料可以为聚硅氧烷、聚硅氮烷等杂化树脂(Hybrid Resin)材料，在本申请的其他实施例中，所述有机层间介质层25的材料还可以为光敏聚酰亚胺(PSPI)等有机光敏材料，方便第一过孔31的形成。

所述有机层间介质层25的厚度为所述平坦层28有机层间介质层25可以采用沉积或涂覆的方式，沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，形成后的结构如图11所示。

S240、在所述有机层间介质层25上形成所述第一过孔31，所述第一过孔31贯穿所述有机层间介质层25并暴露所述有源层21的表面。

本实施例中可以通过对有机层间介质层25进行图案化的方式形成所述第一过孔31。本申请实施例中，所述无机层间介质层24上设置有中间过孔36，所述中间过孔36的位置与所述第一过孔31的位置相对应，所述第一过孔31形成在所述中间过孔36上，通过预先在无机层间介质层24上形成中间过孔36的方式，而后再中间过孔36中的有机层间介质层25上形成第一过孔31，可以方便第一过孔31的形成，使得第一过孔31可以贯穿有机材料的有机层间介质层25以及贯穿无机材料的无机层间介质层24和栅绝缘层22等，提高第一过孔31的成型质量并提高源漏金属层26在第一过孔31上的成型质量。形成后的结构如图12所示。

在本申请实施例中，所述方法还包括：

S250、在所述有机层间介质层25上形成多个开口D2，所述开口D2暴露所述无机层间介质层24的表面。

本申请实施例中，所述源漏金属层26形成在所述开口D2内的所述无机层间介质上，并通过所述第一过孔31与所述有源层21接触。

基于相同的构思，本申请提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的显示面板。该显示装置可以为手机、平板电脑、可穿戴设备、车载显示、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。

本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、栅绝缘层、栅极层、无机层间介质层、有机层间介质层、源漏金属层、平坦层，其中，

所述无机层间介质层随形覆盖在所述栅极层的表面，所述有机层间介质层在远离所述衬底基板的一侧表面平齐，所述栅绝缘层、所述无机层间介质层和所述有机层间介质层上设置有暴露所述有源层的第一过孔，所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述有源层接触。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述第一栅绝缘层设置在所述有源层与所述第一栅极层之间，所述第二栅绝缘层设置在所述第一栅极层与所述第二栅极层之间，所述无机层间介质层设置在所述第二栅极层远离所述衬底基板的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述源漏金属层包括第一源漏金属层和第二源漏金属层，所述平坦层包括第一平坦层和第二平坦层，所述薄膜晶体管层还包括设置在所述有机层间介质层远离所述衬底基板一侧的钝化层，所述第一源漏金属层通过所述第一过孔与所述有源层接触；所述第一平坦层设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述第二源漏金属层设置在所述第二平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层和所述第一平坦层上设置有暴露所述第一源漏金属层的第二过孔，所述第二源漏金属层通过所述第二过孔与所述第一源漏金属层接触。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板包括显示区以及非显示区，所述非显示区包括：

沿第一方向延伸设置的多条第一信号走线和多条第二信号走线，所述第一信号走线设置在所述第一栅极层，所述第二信号走线设置在所述第二栅极层；

沿第二方向延伸设置的多条第三信号走线，所述第三信号走线设置在所述源漏金属层上，所述第一方向与所述第二方向相交。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一信号走线和所述第二信号走线依次交替设置，相邻两所述第一信号走线与所述第二信号走线之间设置有间隔，所述无机层间介质层随形覆盖在所述第二信号走线、所述间隔以及所述第一信号走线上；所述有机层间介质层填平所述间隔且在远离所述衬底基板的表面平齐。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括阵列设置的多个晶体管，所述晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极设置在所述栅极层上，所述源极和漏极设置在所述源漏金属层上，所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔与所述有源层接触。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述有机层间介质层包括阵列设置的多个开口，所述开口暴露所述无机层间介质层的表面；

所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影分别位于所述开口在所述衬底基板上的正投影范围内。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括在所述衬底基板上依次形成的有源层、栅绝缘层、栅极层、无机层间介质层、有机层间介质层、源漏金属层、平坦层，其中，

所述无机层间介质层随形覆盖在所述栅极层的表面，所述有机层间介质层在远离所述衬底基板的一侧表面平齐，所述栅绝缘层、所述无机层间介质层和所述有机层间介质层上设置有暴露所述有源层的第一过孔，所述源漏金属层通过所述第一过孔与所述有源层接触。

9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一过孔的形成方法包括：

在随形覆盖在所述栅极层的表面的所述无机层间介质层上形成中间过孔，所述中间过孔的位置与所述第一过孔的位置对应，所述中间过孔贯穿所述无机层间介质层和所述栅绝缘层并暴露所述有源层的表面；

在所述无机层间介质层上形成有机层间介质层，所述有机层间介质层填充所述中间过孔且所述有机层间介质层在远离所述衬底基板的一侧表面平齐；

在所述有机层间介质层上形成所述第一过孔，所述第一过孔贯穿所述有机层间介质层并暴露所述有源层的表面。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一所述的显示面板。