CN117624831A - 环氧树脂组合物 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种能够用作半导体用填充材料的环氧树脂组合物。

Description

环氧树脂组合物

技术领域

本发明涉及一种能够用作半导体用填充材料的环氧树脂组合物。

背景技术

根据半导体封装件的高速传输要求，线接合(wire bonding)方式被指出具有局限性从而在转换为倒装芯片接合(flip chip bonding)方式。在以倒装芯片接合方式制造半导体时，为了电连接半导体芯片和电路基板而使用凸块(bump)，且用底部填充物(Underfill)来填充空隙以保护凸块和芯片免受温度或冲击等外部压力的影响。为此，为了确保半导体封装件的优良的可靠性和再作业性而在进行用于提高底部填充物的物性的各种研究。作为一个例子，韩国公开专利10-2010-0020355公开了一种包含双酚类环氧树脂、硫醇类固化剂以及固化促进剂的半导体元件底部填充物用液态环氧树脂组合物。

最近，对于在高密度倒装芯片的安装上适用了铜柱(pillar)凸块的半导体封装件的需求在增加，与现有焊料凸块相比，铜柱具有如下优点：能够使凸块间距变小；减少铅的使用量，因而环保性好；导热性高，因而散热特性优良；电导率高，因而能够减小寄生电阻等。

底部填充物含有大量填料(filler)，以确保密封的部位的耐湿性、耐热循环性的机械强度和尺寸稳定性。无机填料提高底部填充物的耐热循环性并控制由环氧树脂等有机材料制造的基板与半导体元件的热膨胀系数差。尤其是，在适用了铜柱的倒装芯片的情况下，在凸块与底部填充物内填料之间产生电位差，从而由于电泳效果而在铜柱周围部发生无机填料分离的现象。这样，在填料分离的情况下在超声波显微镜出现阴影差异，从而通过非破坏性检查就难以检测出空隙(void)，且由于相分离而产生仅仅树脂单独存在的区域，因此存在产生热膨胀系数、吸湿率、模量等物性差异而导致可靠性变得脆弱的问题。

发明内容

所要解决的问题

本发明是为了解决如上所述的问题而研究出的，本发明提供一种环氧树脂组合物，其将环氧树脂组合物中的填料分离长度(filler segregation)控制在25μm以下，因而树脂与填料之间的相容性和分散性优良，从而填充微细间隙时提高注入性和作业性。另外，本发明提供一种使用上述环氧树脂组合物的半导体用填充材料，例如，提供底部填充物。

解决问题所采用的方案

本发明提供一种包含环氧树脂、固化剂以及平均粒度D50相异的两种填料且填料分离长度(filler segregation)为25μm以下的环氧树脂组合物。

发明的效果

本发明将环氧树脂组合物中的填料分离长度(filler segregation)控制在25μm以下，因而能够提高树脂与填料之间的相容性和分散性，其结果，能够提高适用其的半导体封装件的产品可靠性。不仅如此，使用注入性和填充性优良的根据本发明的环氧树脂组合物则在填充基板与芯片之间的微细间隙时能够抑制产生空隙。另外，根据本发明的环氧树脂组合物示出低的热膨胀系数(CTE：coefficient of thermal expansion)和高的模量，因而在适用为半导体用填充材料、例如、适用为底部填充物时能够制造具有优良的可靠性的半导体封装件。

附图说明

图1是示出了在将现有环氧树脂组合物用作底部填充物的情况下发生的填料分离现象的图。

图2示出了测定填料分离长度的方法。

图3是观察了根据本发明的填料分离长度测定方法制备的试件的截面的电子显微镜照片。

图4示出了测定环氧树脂组合物的填充长度的方法。

具体实施方式

以下，对本发明进行详细说明。然而，本发明的范围并不是仅限定于下述内容，根据需要，各构成要素能够多样地变形或选择性地混合使用。因此，应当理解为涵盖包括在本发明的思想和技术范围内的所有变更、等同物或替代物。

本说明书中所使用的“颗粒大小D50”是通过本领域已知的常规方法测定的，例如，其可以通过激光粒度分析仪测定。“粘度”是通过本领域已知的常规方法测定的，例如，其可以在常温(25℃)下使用布鲁克菲尔德(brookfield)粘度计测定。“重均分子量”是通过本领域已知的通常的方法测定的，例如，其可以通过GPC(gel permeation chromatograph，凝胶渗透色谱)方法测定。

本发明的环氧树脂组合物包含环氧树脂、固化剂以及平均粒度D50相异的两种填料且填料分离长度(filler segregation)为25μm以下。本发明将树脂与填料的分离长度控制在25μm以下，从而抑制环氧树脂组合物固化时树脂与填料分离的现象，因而能够抑制固化物产生裂纹，在将本发明的环氧树脂组合物用作底部填充物时，能够提高半导体封装件的可靠性。另一方面，本发明的环氧树脂组合物为了在不阻碍该环氧树脂组合物的物性的范围内根据需要赋予附加功能，可以进一步包含1种以上的诸如催化剂、分散剂、消泡剂、偶联剂、着色剂等本领域通常使用的各种各样的添加剂。

环氧树脂

本发明的环氧树脂组合物包含环氧树脂作为主要树脂。上述环氧树脂可以使用本领域通常使用的环氧树脂，例如，可以使用分子结构内包含2个以上环氧基的环氧树脂。作为能够使用的环氧树脂的非限制性例子，有双酚F型环氧树脂、氨基酚型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、脂环型环氧树脂、甲酚线型酚醛树脂(novolak)型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、蒽型环氧树脂、非稠环型多环结构环氧树脂、双酚芴改性环氧树脂等，可以包含它们中的1种以上环氧树脂。作为一个例子，上述环氧树脂可以包含双酚F型环氧树脂和氨基酚型环氧树脂。在该情况下，能够适当地控制环氧树脂组合物的粘度、模量以及玻璃化转变温度。

上述双酚F型环氧树脂的粘度(25℃)可以为1,000至4,000mPa.s，环氧当量可以为120至300g/eq，重均分子量可以为250至400g/mol。

作为上述氨基酚型环氧树脂可以使用p-(2,3-环氧基丙氧基)-N,N-双(2,3-环氧基丙基)苯胺、m-(2,3-环氧基丙氧基)-N,N-双(2,3-环氧基丙基)苯胺、三缩水甘油基4-(4-氨基苯氧基)苯酚、三缩水甘油基二氨基二苯基甲烷、三缩水甘油基-p-氨基苯酚等，但不受限于它们。

上述氨基酚型环氧树脂的粘度(25℃)可以为500至700mPa.s，环氧当量可以为80至110g/eq，重均分子量可以为200至400g/mol。

上述双酚F型环氧树脂和上述氨基酚型环氧树脂可以以0.3至5:1的重量比混合使用。

上述环氧树脂组合物以环氧树脂组合物总重量为基准，可以包含10至40重量％的上述环氧树脂，例如包含10至20重量％。作为一个例子，上述环氧树脂组合物以环氧树脂组合物总重量为基准，可以包含7至30重量％的上述双酚F型环氧树脂和3至10重量％的上述氨基酚型环氧树脂。

固化剂

本发明的环氧树脂组合物包含固化剂。固化剂发挥与上述环氧树脂反应而进行组合物的固化的作用。

上述固化剂与环氧树脂进行固化反应，可以使用本领域公知的固化剂，作为一个例子，可以使用胺类固化剂。

上述固化剂的粘度(25℃)可以为150至180mPa.s，胺当量可以为35至55g/eq，胺值可以为610至650mgKOH/g。

上述环氧树脂与上述固化剂的混合比可以为1:0.8至1.2当量比。在固化剂的活性基对环氧基的当量比小于前面所述的范围的情况下，树脂组合物的固化速度会过慢，在超过前面所述的范围的情况下，固化物的强度会减小。另外，在脱出前面所述的当量比范围的情况下，由于未反应的环氧基或固化剂而会发生高温热分解。

上述环氧树脂组合物以环氧树脂组合物总重量为基准可以包含4至15重量％的上述固化剂，例如包含4至10重量％。

填料

本发明的环氧树脂组合物包含填料，上述填料可以包含平均粒度D50相异的第一无机填料和第二无机填料。作为一个例子，上述填料可以包含平均粒度D50为1至90nm的第一无机填料和平均粒度D50为0.1至1μm的第二无机填料。

如图1所示，在铜柱(Cu pillar)与由Ag/Sn合金组成的凸块(bump)之间产生金属电位差而铜柱带(-)电荷且凸块带(+)电荷。因此，在将现有环氧树脂组合物用作底部填充物的情况下，用作填料的带(-)电荷的二氧化硅因与铜柱的电荷斥力而被排斥，从而铜柱附近仅由底部填充物树脂填充而不存在填料。图1所示的上端部的黑色区域表示填料从环氧树脂中分离出去而仅由树脂形成的区域。因此，固化之后在铜柱附近的无填料的区域与有填料的区域产生CTE、模量(modulus)等物性差异，这种物性差异会对半导体基板的潜在性可靠度带来坏影响。

在本发明中，将平均粒度D50相异的2种无机填料混合使用而控制环氧树脂组合物中的钠离子(Na⁺)含量，并控制固化之后填料分离长度，从而提供一种抑制树脂与填料之间分离现象且可靠性优良的环氧树脂组合物。

上述第一无机填料可以包含平均粒度D50为1至90nm、例如为10至50nm的纳米二氧化硅(silica)，上述纳米二氧化硅发挥抑制树脂与填料分离的作用。在上述第一无机填料的平均粒度D50小于前面所述的范围的情况下，比表面积过大而引发粘度上升，因而填充性会降低，在超过前面所述的范围的情况下，比表面积小而会降低抑制树脂与填料之间分离现象的效果。

上述纳米二氧化硅可以用硅酸钠制备。在上述纳米二氧化硅的周围形成有钠离子(Na⁺)，由钠离子缓和电泳效果，其结果，能够抑制组合物中树脂与填料之间分离。

上述纳米二氧化硅可以以预分散在预分散用环氧树脂中的形态使用，在该情况下，在包含环氧树脂的树脂组合物中混合加入填料时能够提高相容性和分散性。

预分散有上述纳米二氧化硅的环氧树脂中二氧化硅的含量可以为35至45重量％，预分散有上述纳米二氧化硅的环氧树脂的粘度(25℃)可以为10,000至40,000mPa.s，环氧当量可以为255至295g/eq。

上述环氧树脂组合物以环氧树脂组合物总重量为基准可以包含2至10重量％的上述第一无机填料。在第一无机填料的含量小于前面所述的范围的情况下，电泳缓和效果不充分，因而填料树脂之间会发生相分离，在超过前面所述的范围的情况下，由于粘度上升而会导致填充性降低。

包含作为上述第一无机填料而被包含的用硅酸钠制备的纳米二氧化硅，从而在环氧树脂组合物中能够包含钠离子(Na⁺)。环氧树脂组合物中钠离子(Na⁺)为10ppm以下，例如为0.1至10ppm，作为另一个例子，可以包含1至10ppm的钠离子(Na⁺)。在钠离子(Na⁺)的含量小于前面所述的范围的情况下，电泳缓和效果不充分，因而填料树脂之间会发生相分离，在超过前面所述的范围的情况下，由于过多的离子而会导致半导体封装件内绝缘特性和电气特性降低或可靠性降低。

上述第二无机填料可以包含平均粒度D50为0.1至1μm的熔融二氧化硅(silica)，上述熔融二氧化硅对树脂赋予优良的机械物性并控制流动性。在上述第二无机填料的平均粒度D50小于前面所述的范围的情况下，由于填料的比表面积增加而导致粘度上升过大，从而填充特性会降低，在超过前面所述的范围的情况下填料被堵在凸块之间，从而会导致填充不良。

作为上述熔融二氧化硅可以使用用硅烷类化合物进行表面处理的熔融二氧化硅，例如，可以使用用选自由环氧硅烷、苯基氨基硅烷、苯基硅烷以及氨基硅烷组成的组中的1种以上的硅烷类化合物进行表面处理的熔融二氧化硅。作为一个例子，可以使用用环氧硅烷进行表面处理的熔融二氧化硅。在该情况下，与环氧树脂的相容性得以提高，从而能够进一步抑制电泳导致的填料分离现象。

上述环氧树脂组合物以环氧树脂组合物总重量为基准可以包含40至70重量％的上述第二无机填料，例如包含50至70重量％。

添加剂

本发明的环氧树脂组合物为了在不阻碍环氧树脂组合物的物性的范围内根据需要赋予附加功能，可以进一步包含催化剂、分散剂、消泡剂、偶联剂、着色剂等本领域通常使用的添加剂。

催化剂控制固化速度，可以使用本领域通常使用的催化剂。例如，可以使用2,4-二氨基—[2ˊ十一烷基咪唑基-(1ˊ)]-乙基-s-三嗪等。

分散剂使树脂组合物中的二氧化硅更稳定地分散，可以使用本领域通常使用的分散剂。例如，可以使用高分子量共聚物的烷基铵盐(Alkylammonium salt of a highmolecular weight copolymer)等。

消泡剂用来去除气泡，可以使用本领域通常使用的消泡剂。

偶联剂用来增强树脂组合物的附着力，可以使用本领域通常使用的偶联剂。例如，可以使用3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷等。

着色剂用来对树脂组合物赋予颜色，可以使用本领域通常使用的着色剂。例如，可以使用碳黑等。

上述添加剂可以在本领域公知的含量范围内添加，作为一个例子，相对于环氧树脂组合物的总重量，可以分别包含0.01至10重量％，但并不限定于此。

根据本发明的环氧树脂组合物的固化之后的填料分离长度(fillersegregation)可以为25μm以下，例如为0.01至25μm。通常，在基板上形成芯片时，在将铜柱和焊料接合时，由于两者的电位差而在填充于基板与芯片之间间隙(gap)的底部填充物的加热固化中在填料与铜柱之间产生电位差，即，组合物中的填料由于电泳而移动，从而会发生填充于间隙的组合物中填料不存在的部分与形成有填料的部分分离的现象、即、树脂与填料分离的现象。其结果，在填充基板与芯片之间间隙的组合物、即、底部填充物中形成填料不存在的区域，因而无法补偿硅芯片与基板的线膨胀率之差，从而会发生在凸块出现裂纹等问题，或者会发生半导体封装件的可靠性降低的问题。

在本发明中，将树脂与填料的分离长度控制在25μm以下，从而在环氧树脂组合物固化时抑制树脂与填料分离的现象，因而能够抑制固化物出现裂纹，在将本发明的环氧树脂组合物用作底部填充物时，能够提高半导体封装件的可靠性。在树脂与填料的分离长度超过前面所述的范围的情况下，发生组合物中填料单向聚集的现象，导致产品可靠度降低，且绝缘性、耐热循环性、耐软熔(reflow)性等会降低。

用下述方法测定了树脂与填料的分离长度、即、填料分离长度。如图2所示，在形成有线(Line)/间隔物(Spacer)长度为30μm/30μm的铜图案的试片(coupon)两侧端子上施加1V的电压，并涂布足够覆盖线/间隔物图案的量的环氧树脂组合物，且在常温下放置1小时之后，在预热到175℃的板上以施加有电压的状态进行了3小时的1次固化。此后，将在165℃下进行2小时的2次固化而制备的试件用模塑材料模塑之后，研磨到线/间隔物所处的区域并利用电子显微镜观察了被研磨的截面。

图3是观察了根据本发明的填料分离长度测定方法制备的试件的截面的电子显微镜照片。图3中在端子上以头发形态发黑地形成的部分是填料从树脂分离的部分，测定其长度并算出平均值而作为填料分离长度。

根据本发明的环氧树脂组合物的填充长度可以是8至20mm。用下述方法测定了填充长度。如图4所示，在PCB(印制电路板)基板上以宽10mm的间隔附着50μm双面胶带并附着滑动玻璃而制作了评价用基材。在将制作的评价用基材放在预热到100℃的热板上并利用定量吐出器(Nordson EFD Ultimus)对基板与滑动玻璃之间的注入部吐出50mg的上述环氧树脂组合物之后，自填充开始起经过120秒之后测定了填充于滑动玻璃下面空间内的环氧树脂组合物的长度。

在环氧树脂组合物的填充长度小于前面所述的范围的情况下，填充速度太慢，导致生产效率会降低，因而会难以涂布大尺寸芯片整体。在填充长度超过前面所述的范围的情况下，填充速度过快，从而由于填充不均衡而会在芯片内部产生空隙(void)。

以下，通过实施例更具体地说明本发明。然而，下述实施例只是用来帮助理解本发明而已，本发明的范围无论在何种意义上都不限定于实施例。

[实验例1-14]

根据下表1、2的组成，将原料混合均匀，并利用三辊研磨设备进行了分散混炼，之后使用离心分离器进行脱泡而制备了各实验例的树脂组合物。用下述方法测定各实验例的树脂组合物的填料分离长度并记载在表1、2中。

在形成有线(Line)/间隔物(Spacer)长度为30μm/30μm的铜图案的试片(coupon)两侧端子上施加1V的电压，并涂布足够覆盖线/间隔物图案的量的环氧树脂组合物，且在常温下放置1小时之后，在预热到175℃的板上以施加有电压的状态进行了3小时的1次固化。此后，将在165℃下进行2小时的2次固化而制备的试件用模塑材料模塑之后，研磨到线/间隔物所处的区域并利用电子显微镜观察了被研磨的截面。在端子上以头发形态发黑地形成的部分是填料分离到阴极端子上的部分，测定其长度并算出了平均值。

[表1]

[表2]

环氧树脂1：双酚F环氧树脂(粘度(25℃)为1,100-1,500mPa.s，当量为159g/eq，分子量为318g/mol)

环氧树脂2：氨基酚型环氧树脂(p-(2,3-Epoxypropoxy)-N,N-bis(2,3-epoxypropyl)aniline：p-(2,3-环氧基丙氧基)-N,N-双(2,3-环氧基丙基)苯胺，粘度(25℃)为600mPa.s，当量为97g/eq，分子量为291g/mol)

纳米二氧化硅1：分散在环氧树脂中的纳米二氧化硅，双酚F环氧树脂60重量％以及纳米二氧化硅40重量％(粘度(25℃)为10,000-40,000mPa.s，SiO₂含量为37-43重量％，当量为255-295g/eq，二氧化硅D50为20nm)

纳米二氧化硅2：分散在环氧树脂中的纳米二氧化硅，双酚F环氧树脂60重量％以及纳米二氧化硅40重量％(粘度(25℃)为60,000mPa.s，SiO₂含量为37-43重量％，当量为295g/eq，二氧化硅D50为15nm)

纳米二氧化硅3：分散在环氧树脂中的纳米二氧化硅，脂环族环氧树脂60重量％以及纳米二氧化硅40重量％(粘度(25℃)为4,000mPa.s，SiO₂含量为37-43重量％，当量为220g/eq，二氧化硅D50为30nm)

熔融二氧化硅1：用环氧硅烷进行表面处理，D50为0.5μm，切割尺寸为3.0μm

熔融二氧化硅2：用环氧硅烷进行表面处理，D50为0.3μm，切割尺寸为1.0μm

熔融二氧化硅3：用环氧硅烷进行表面处理，D50为1.0μm，切割尺寸为5.0μm

熔融二氧化硅4：未进行表面处理，D50为0.5μm，切割尺寸为3.0μm

熔融二氧化硅5：用苯基氨基硅烷进行表面处理，D50为0.5μm，切割尺寸为3.0μm

熔融二氧化硅6：用苯基硅烷进行表面处理，D50为0.5μm，切割尺寸为3.0μm

熔融二氧化硅7：用苯基氨基硅烷进行表面处理，D50为5.0μm，切割尺寸为23.0μm熔融二氧化硅8：用苯基氨基硅烷进行表面处理，D50为2.58μm，切割尺寸为6.0μm

纳米火成二氧化硅(fumed silica)：用DDS(Dimethyldichlorosilane，二甲基二氯硅烷)进行表面处理，BET为90-130m²/g，粒度为16nm

固化剂：芳基,芳基-二乙基芳基甲基苯二胺(ar,ar-Diethylarmethylbenzenediamine)

催化剂：2,4-二氨基—[2ˊ十一烷基咪唑基-(1ˊ)]-乙基-s-三嗪(2,4-diamino—[2ˊundecylimidazolyl-(1ˊ)]-ethyl-s-triazine)

分散剂：1,2-乙二胺，与氮丙啶的聚合物，与2-丙烯酸的反应产物，2-乙基己基酯，与环氧乙烷的盐，甲基，与环氧乙烷的聚合物，单丁醚，磷酸盐(1,2-Ethanediamine,polymer with aziridine,reaction product with 2-propenoic acid,2-ethylhexylester,salt with oxirane,methyl-,polymer with oxirane,monobutyl ether,phosphate)(CAS号：398475-96-2)

偶联剂：3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane)

着色剂：碳黑(Carbon black)

[物性评价]

对于在各实验例中制备的环氧树脂组合物，用下述方法评价了物性，并将其结果示于下表3、4中。

粘度

使用布鲁克菲尔德(brookfield)粘度计测定了粘度。

填充长度

在PCB(印制电路板)基板上以宽10mm的间隔附着50μm厚的双面胶带并附着滑动玻璃而制作了评价用基材。在将制作的评价用基材放在预热到100℃的热板上并利用定量吐出器(Nordson EFD Ultimus)对基板与滑动玻璃之间的注入部吐出50mg的各环氧树脂组合物之后，自填充开始起经过120秒之后测定了填充于滑动玻璃下面空间内的环氧树脂组合物的长度。

试件制备

在接合有下述结构的倒装芯片的电路基板上利用点胶机(Protec公司的PhantasmS)在板的温度为100℃的状态下涂布了各实验例的环氧树脂组合物，之后在165℃下进行2小时的固化而制备了试件。使用各试件评价了填料沉降特性、空隙(void)特性、微分层(Micro Delamination)特性。

芯片尺寸(Chip size)：10mm×10mm

凸块高度(Bump height)：55μm

凸块间距(Bump pitch)：200μm

凸块类型(Bump type)：Cu柱(pillar)、Sn/Ag凸块(bump)

填料沉降特性

对上述制作的试件的截面部，以如下方式进行了EDS分析。在将各树脂组合物整个截面的垂直区域分割成5个区域之后，分别测定靠近芯片的最上端部区域的二氧化硅含量和靠近基板的最下端部区域的二氧化硅含量，并计算了上下端比(最上端部二氧化硅含量/最下端部二氧化硅含量)。

[评价基准]

O：上下端比为0.9以上

X：上下端比小于0.9

空隙(Void)特性

研磨上述制作的试件的水平部直至树脂组合物从芯片面暴露为止，之后用显微镜观察了固化的组合物内空隙。

[评价基准]

O：产生小于100μm的空隙

X：产生100μm以上的空隙

Cu柱(pillar)周围部分层(delamination)特性

对于上述制作的试件的截面部，用FE-SEM观察整个柱周围部而确认了柱周围部是否发生剥离(micro delamination：微分层)现象。

[评价基准]

O：未发生剥离

X：发生剥离

收缩率(％)

在以长60mm、宽12mm、厚3mm的规格形成有凹陷部的模具中填充各树脂组合物，并在180℃下进行了2小时的固化，从模具中去除固化物之后，测定长度并利用下式计算了收缩率。

收缩率(％)＝(初始长度(60mm)-测定长度)/初始长度(60mm)

[表3]

实验例1

实验例2

实验例3

实验例4

实验例5

实验例6

实验例7

实验例8

25℃下粘度(Pa.s)

15

24

12

12

25

23

14

14

填充长度(mm)

14

9

18

18

8

9

15

15

填料沉降特性

O

O

O

O

O

O

O

O

空隙(Void)特性

O

O

O

O

O

O

O

O

微分层特性

O

O

O

O

O

O

O

O

收缩率(％)

0.8

1.1

0.8

0.8

0.9

1.0

0.8

0.8

[表4]

实验例9

实验例10

实验例11

实验例12

实验例13

实验例14

25℃下粘度(Pa.s)

15

28

13

46

12

13

填充长度(mm)

14

7

16

3

19

18

填料沉降特性

O

O

O

O

X

X

空隙(Void)特性

O

O

O

O

未填充

未填充

微分层特性

O

O

X

X

未填充

未填充

收缩率(％)

0.8

0.8

0.8

0.9

0.8

0.8

如上表3、4所示，可确认出，根据本发明的实验例1-10的环氧树脂组合物在常温(25℃)下具有适当的粘度，因而在填充基板与芯片之间的间隙时，不仅填充性即填充长度、空隙特性优良且收缩率良好，而且具有优良的分散性，因而填料沉降特性和Cu柱(pillar)周围部分层(delamination)特性优良。

Claims (9)

1.一种环氧树脂组合物，其特征在于，

包含环氧树脂、固化剂以及平均粒度D50相异的两种填料，

用下述方法测定的填料分离长度为25μm以下，

所述方法如下：在形成有线/间隔物长度为30μm/30μm的铜图案的试片两侧端子上施加1V的电压，并涂布足够覆盖线/间隔物图案的量的环氧树脂组合物，在常温下放置1小时之后，在预热到175℃的板上以施加有电压的状态进行3小时的1次固化，在165℃下进行2小时的2次固化而制备试件，将上述试件用模塑材料模塑，之后研磨到线/间隔物所处的区域并利用电子显微镜观察被研磨的截面而测定分离到阴极端子上的长度。

2.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物，其中，

上述填料包含平均粒度D50为1至90nm的第一无机填料和平均粒度D50为0.1至1μm的第二无机填料。

3.根据权利要求2所述的环氧树脂组合物，其中，

上述第一无机填料包含纳米二氧化硅，上述第二无机填料包含用硅烷类化合物进行表面处理的熔融二氧化硅。

4.根据权利要求2所述的环氧树脂组合物，其中，

上述第一无机填料包含用硅酸钠制备的纳米二氧化硅。

5.根据权利要求2所述的环氧树脂组合物，其中，

相对于上述环氧树脂组合物总重量，包含10至40重量％的上述环氧树脂、4至15重量％的上述固化剂、2至10重量％的上述第一无机填料以及40至70重量％的上述第二无机填料。

6.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物，其中，

组合物中包含的钠离子为10ppm以下。

7.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物，其中，

上述环氧树脂包含双酚F型环氧树脂和氨基酚型环氧树脂，

上述双酚F型环氧树脂的25℃下的粘度为1,000至4,000mPa.s，环氧当量为120至300g/eq，重均分子量为250至400g/mol，

上述氨基酚型环氧树脂的25℃下的粘度为500至700mPa.s，环氧当量为80至110g/eq，重均分子量为200至400g/mol，

上述双酚F型环氧树脂与上述氨基酚型环氧树脂的混合比为0.3至5:1的重量比。

8.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物，其中，

所述环氧树脂组合物的用下述方法测定的填充长度为8至20mm，

所述方法如下：在PCB基板上以宽10mm的间隔附着50μm厚的双面胶带并附着滑动玻璃而制作评价用基材，在将制作的评价用基材放在预热到100℃的热板上并利用定量吐出器向基板与滑动玻璃之间的注入部吐出50mg的上述环氧树脂组合物之后，自填充开始起经过120秒之后测定填充于滑动玻璃下面空间内的环氧树脂组合物的长度。

9.一种底部填充物，其特征在于，

使用权利要求1至8中任一项所述的环氧树脂组合物。