CN117596917A - 折叠显示面板及其制备方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种折叠显示面板及其制备方法、电子设备，涉及显示技术领域，能够在提高屏幕弯折性能的同时提高屏幕在外力冲击下的可靠性。折叠显示面板，包括：依次层叠设置的衬底层、驱动背板层、发光层和薄膜封装层；在远离发光层的方向上，薄膜封装层包括依次层叠且相邻设置的第一化学气相沉积层和第一原子层沉积层，第一化学气相沉积层的厚度范围为[100,300]nm，第一原子层沉积层的厚度范围为[20,50]nm，第一化学气相沉积层和第一原子层沉积层为无机层。
Description
本申请要求于2022年8月19日递交，申请号为202210999001.6，发明名称为“折叠显示面板及其制备方法、电子设备”的中国专利申请的优先权。
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种折叠显示面板及其制备方法、电子设备。
背景技术
折叠屏需要具有可弯折的特性，基于该特性，折叠屏的表面从传统的玻璃盖板改为可折叠的柔性盖板材料，然而，这种变化对屏幕的可靠性带来不良影响，例如，屏幕在受压或磕碰等场景下，容易出现黑斑、碎亮点等显示不良。因此，如何在提高屏幕弯折性能的前提下提高屏幕在外力冲击下的可靠性成为了待解决的问题。
发明内容
一种折叠显示面板及其制备方法、电子设备，能够在提高屏幕弯折性能的同时提高屏幕在外力冲击下的可靠性。
第一方面，提供一种折叠显示面板，包括：依次层叠设置的衬底层、驱动背板层、发光层和薄膜封装层；在远离发光层的方向上，薄膜封装层包括依次层叠且相邻设置的第一化学气相沉积层和第一原子层沉积层，第一化学气相沉积层的厚度范围为[100,300]nm，第一原子层沉积层的厚度范围为[20,50]nm，第一化学气相沉积层和第一原子层沉积层为无机层。
通过依次层叠设置且在特定厚度范围内的化学气相沉积层和原子层沉积层来作为无机封装层，一方面，利用原子层沉积层薄膜致密、覆盖性好的特点，来修饰改善化学气相沉积层表面的微裂纹和微缺陷，并改善封装层在外力冲击下的可靠性，另一方面，在此基础上，将第一化学气相沉积层设计为[100,300]nm的厚度范围，配合[20,50]nm厚度范围内的第一原子层沉积层，即实现了在提高屏幕弯折性能的同时提高屏幕在外力冲击、挤压下的可靠性。
在一种可能的实施方式中，在远离发光层的方向上，薄膜封装层还包括依次层叠且相邻设置的有机缓冲层、第二化学气相沉积层和第二原子层沉积层，第二化学气相沉积层的厚度范围为[100,300]nm，第二原子层沉积层的厚度范围为[20,50]nm，第二化学气相沉积层和第二原子层沉积层为无机层；有机缓冲层位于第一原子层沉积层和第二化学气相沉积层之间。
在一种可能的实施方式中，在靠近发光层的方向上，驱动背板层包括依次层叠设置的阻挡层、缓冲层、半导体层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层、电容层、层间绝缘层、源漏金属层和钝化层；在靠近发光层的方向上，层间绝缘层包括依次层叠且相邻设置的第三化学气相沉积层和第三原子层沉积层，第三化学气相沉积层的厚度范围为[100，200]nm，第三原子层沉积层的厚度范围为[20，50]nm。
将现有技术中层间绝缘层改为通过依次层叠且相邻的第三化学气相沉积层和第三原子层沉积层来制作，并设置两者的厚度范围分别为[100，200]nm和[20，50]nm，一方面，可以通过第三化学气相沉积层来实现对TFT性能的修复作用，另一方面，可以利用原子层沉积层薄膜致密、覆盖性好的特点，来修饰改善化学气相沉积层表面的微裂纹和微缺陷，并改善驱动背板层在外力冲击、挤压下的可靠性，在此基础上，可以将第三化学气相沉积层的厚度设计的较薄，在[100,200]nm的厚度范围内，配合[20,50]nm厚度范围内的第三原子层沉积层，可以进一步提高驱动背板层的弯折性能。
在一种可能的实施方式中，阻挡层和钝化层均为原子层沉积层，通过原子层沉积层结构来改善驱动背板层在外力冲击、挤压下的可靠性。
在一种可能的实施方式中，衬底层为聚酰亚胺层，聚酰亚胺层的弹性模量大于20Gpa，能够在提高屏幕弯折性能的同时提高屏幕在外力冲击下的可靠性。
在一种可能的实施方式中，衬底层为超薄柔性玻璃，超薄柔性玻璃的厚度范围为20,50]μm，能够在提高屏幕弯折性能的同时提高屏幕在外力冲击下的可靠性。
在一种可能的实施方式中，衬底层为超高分子量聚乙烯层，超高分子量聚乙烯层的弹性模量≥30Gpa，能够在提高屏幕弯折性能的同时提高屏幕在外力冲击下的可靠性。在另一实施例中，所述村底层为聚对苯撑苯并双口恶唑层。可选地，聚对苯撑苯并双口恶唑层的弹性模量≥20Gpa。
在一种可能的实施方式中，第一化学气相沉积层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；第一原子层沉积层的材料为氧化铝或氧化铪。
在一种可能的实施方式中，第三化学气相沉积层的材料为氮化硅；第三原子层沉积层的材料为氧化铝、氧化钛、氧化硅和氧化铪。
第二方面，提供一种折叠显示面板制备方法，包括：提供依次层叠设置的衬底层、驱动背板层和发光层；在发光层远离驱动背板层的一侧通过化学气相沉积工艺形成第一化学气相沉积层，第一化学气相沉积层的厚度范围为[100,300]nm，第一化学气相沉积层为无机层；在第一化学气相沉积层远离发光层的一侧表面通过原子层沉积工艺形成第一原子层沉积层，第一原子层沉积层的厚度范围为[20,50]nm，第一原子层沉积层为无机层。
在一种可能的实施方式中，提供依次层叠设置的衬底层、驱动背板层和发光层包括：形成衬底层；在衬底层表面依次形成阻挡层、缓冲层、半导体层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层和电容层；在电容层远离半导体层的一侧通过化学气相沉积工艺形成第三化学气相沉积层，第三化学气相沉积层的厚度范围为[100，200]nm；在第三化学气相沉积层远离半导体层的一侧表面通过原子层沉积工艺形成第三原子层沉积层，第三原子层沉积层的厚度范围为[20，50]nm；在第三原子层沉积层远离半导体层的一侧依次形成源漏金属层和钝化层；在钝化层远离半导体层的一侧形成发光层。
在一种可能的实施方式中，在提供依次层叠设置的衬底层、驱动背板层和发光层的过程中，通过原子层沉积工艺形成阻挡层和钝化层。
第三方面，提供一种电子设备，包括上述的折叠显示面板。
附图说明
图1为相关技术中一种折叠屏的结构示意图；
图2为本申请实施例中一种折叠显示面板的结构示意图；
图3为本申请实施例中一种折叠显示面板的制备方法流程图；
图4为图3中方法对应的结构示意图；
图5为本申请实施中另一种折叠显示面板的结构示意图。
具体实施方式
本申请的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请。
在对本申请实施例进行说明之前，首先对相关技术及其技术问题进行介绍。如图1所示，相关技术中折叠屏可以包括盖板层117、面板层118和衬底层101，其中，盖板层117起防护作用，不同于传统屏幕，折叠屏的盖板层117主要采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene glycol terephthalate，PET)薄膜或者热塑性聚氨酯弹性体(thermoplastic polyurethanes，TPU)薄膜来进行防护，当屏幕受到冲击时，无法吸收能量或者耗散能量，防护性能较差，冲击带来的应力通过盖板层117传递至面板层118。面板层118可以包括阻挡层102、缓冲层103、半导体层104、第一栅极绝缘层105、栅极金属层106、第二栅极绝缘层107、电容层108、层间绝缘层109、源漏金属层110、平坦化层111、阳极层113、发光层114、像素定义层115和薄膜封装层116，面板层118中薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)的相关膜层中包含多个无机层，薄膜封装层(thin film encapsulate，TFE)同样包括无机层，无机层相比有机层，其耐弯折能力较差，如果面板层118中的应力无法释放，当应力超过无机层的开裂阈值时，就会引起无机层开裂，进而可能会引起黑斑、碎亮点、亮线等显示不良。为了解决上述问题，提供了本申请实施例的技术方案，下面对本申请实施例的技术方案进行说明。
如图2所示，本申请实施例提供一种折叠显示面板，包括：依次层叠设置的衬底层1、驱动背板层2、发光层3和薄膜封装层4；在远离发光层3的方向上，薄膜封装层4包括依次层叠且相邻设置的第一化学气相沉积层411和第一原子层沉积层421，第一化学气相沉积层411的厚度范围为[100,300]nm，第一原子层沉积层421的厚度范围为[20,50]nm，第一化学气相沉积层411和第一原子层沉积层421为无机层。
如图3和图4所示，本申请提供一种折叠显示面板制备方法，包括：
步骤201、提供依次层叠设置的衬底层1、驱动背板层2和发光层3；
步骤202、在发光层3远离驱动背板层2的一侧通过化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)工艺形成第一化学气相沉积层411，第一化学气相沉积层411的厚度范围为[100,300]nm，第一化学气相沉积层411为无机层；
步骤203、在第一化学气相沉积层411远离发光层3的一侧表面通过原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)工艺形成第一原子层沉积层421，第一原子层沉积层421的厚度范围为[20,50]nm，第一原子层沉积层421为无机层。
具体地，通过上述折叠显示面板制备方法即可以制备得到图2所示的折叠显示面板，其中，衬底层1可以为柔性的聚合物材料层，衬底层1作为显示面板的基板，后续显示面板膜层均在衬底层1上制作，驱动背板层2主要包括由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)构成的驱动电路，用来驱动发光层3发光，以实现显示功能。第一化学气相沉积层411可以为氧化硅SiOx、氮化硅SiNx、氮氧化硅SiOxNy等无机材料层，第一原子层沉积层421可以为氧化铝AlOx、氧化铪HfOx等无机材料层。第一化学气相沉积层411和第一原子层沉积层421属于薄膜封装层(Thin Film Encapsulate，TFE)，用于实现显示面板的封装，以隔绝外部水氧侵入发光层3或驱动背板层2中的电路，由于第一原子层沉积层421位于第一化学气相沉积层411表面，因此，可以利用原子层沉积层薄膜致密、覆盖性好的特点，来修饰改善化学气相沉积层表面的微裂纹和微缺陷，并改善封装层在外力冲击、挤压下的可靠性，在此基础上，由于提高了无机层的水氧阻隔性能，为了提高无机层的机械性能，可以将第一化学气相沉积层411的厚度设计的较薄，在[100,300]nm的厚度范围内，配合[20,50]nm厚度范围内的第一原子层沉积层421，可以进一步提高封装层的弯折性能。
本申请实施例中的折叠显示面板及其制备方法，通过依次层叠设置且在特定厚度范围内的化学气相沉积层和原子层沉积层来作为无机封装层，一方面，利用原子层沉积层薄膜致密、覆盖性好的特点，来修饰改善化学气相沉积层表面的微裂纹和微缺陷，并改善封装层在外力冲击下的可靠性，另一方面，在此基础上，将第一化学气相沉积层设计为[100,300]nm的厚度范围，配合[20,50]nm厚度范围内的第一原子层沉积层，即实现了在提高屏幕弯折性能的同时提高屏幕在外力冲击、挤压下的可靠性。
在一种可能的实施方式中，在远离发光层3的方向上，薄膜封装层4还包括依次层叠且相邻设置的有机缓冲层40、第二化学气相沉积层412和第二原子层沉积层422，第二化学气相沉积层412的厚度范围为[100,300]nm，第二原子层沉积层422的厚度范围为[20,50]nm，第二化学气相沉积层412和第二原子层沉积层422为无机层；有机缓冲层40位于第一原子层沉积层421和第二化学气相沉积层412之间。
具体地，上述折叠显示面板制备方法还包括：
步骤204、在第一原子层沉积层421远离发光层3的一侧形成有机缓冲层40，有机缓冲层40的制作工艺可以采用喷墨打印、蒸镀、等离子体化学气相沉积、旋涂、挂涂等，有机缓冲层40的材料可以为六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类材料、聚碳酸脂类材料、或聚苯乙烯等，有机缓冲层40的作用主要是对其下方的颗粒、污染物进行包裹覆盖，同时在挤压、冲击、弯折等情况下对显示面板所受的应力进行缓冲；
步骤205、在有机缓冲层40远离发光层3的一侧依次分别通过化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺形成第二化学气相沉积层412和第二原子层沉积层422。
其中，第二化学气相沉积层412采用的工艺、材料、结构可以与第一化学气相沉积层411相同，第二原子层沉积层422采用的工艺、材料、结构可以与第一原子层沉积层421相同。另外需要说明的是，图2中仅示意了一层第一化学气相沉积层411和一层第一原子层沉积层421之间叠加作为有机缓冲层40下方的无机封装层，在其他可能的实施方式中，可以设置更多数量依次交替叠加的化学气相沉积层和原子层沉积层，类似地，也可以设置更多数量依次叠加的化学气相沉积层和原子层沉积层作为有机缓冲层40上方的无机封装层。
在一种可能的实施方式中，如图5所示，在靠近发光层3的方向上，驱动背板层2包括依次层叠设置的阻挡barrier层21、缓冲buffer层22、半导体层23、第一栅极绝缘(GateInsulation，GI)层241、栅极金属层25、第二栅极绝缘层242、电容层26、层间绝缘层(InterLayer Dielectric，ILD)27、第一源漏金属层281和钝化层29；在靠近发光层3的方向上，层间绝缘层27包括依次层叠且相邻设置的第三化学气相沉积层271和第三原子层沉积层272，第三化学气相沉积层271的厚度范围为[100，200]nm，第三原子层沉积层272的厚度范围为[20，50]nm。
具体地，上述步骤201可以包括：形成衬底层1；在衬底层1表面依次形成阻挡层21、缓冲层22和半导体层23，阻挡层21和缓冲层22用于隔离Na+离子、K+离子以及作为衬底层1与晶体管之间的缓冲层作用；然后进行准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，ELA)晶化工艺以及图案化工艺，以使半导体层23形成所需要的图案，例如半导体层23形成构成晶体管沟道的图案，晶体管沟道可以通过低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)工艺制作；然后沉积第一栅极绝缘层241和栅极金属层25，并通过图案化工艺使栅极金属层25形成所需要的图案，例如栅极金属层25可以形成晶体管栅极251的图案和电容的下电极板252的图案；然后继续沉积第二栅极绝缘层242和电容层26，并通过图案化工艺使电容层26形成电容的上电极板的图案，电容层26的上电极板和下电极板252即构成了驱动电路中的电容；然后在电容层26远离半导体层23的一侧通过化学气相沉积工艺形成第三化学气相沉积层271，第三化学气相沉积层271的厚度范围为[100，200]nm，在第三化学气相沉积层271远离半导体层23的一侧表面通过原子层沉积工艺形成第三原子层沉积层272，第三原子层沉积层272的厚度范围为[20，50]nm；第三化学气相沉积层271和第三原子层沉积层272构成了层间绝缘层27，层间绝缘层27起到隔绝栅极251与源漏金属层的作用，并且可以为晶体管的多晶硅沟道提供H原子以填补缺陷；在层间绝缘层27制作完成后进行开孔工艺处理，包括在第一栅极绝缘层241、第二栅极绝缘层242、第三化学气相沉积层271和第三原子层沉积层272上形成源极通孔和漏极通孔，并进行退火及活化工艺；然后在第三原子层沉积层272远离半导体层23的一侧依次形成第一源漏金属层281和钝化层29，其中，第一源漏金属层281包括源极图案和漏极图案，源极图案通过源极通孔连接于半导体层23中沟道图案的一端，漏极图案通过漏极通孔连接于半导体层23中沟道图案的另一端，以使半导体层23中的沟道两端分别电连接于第一源漏金属层281中的源极和漏极；然后涂布第一平坦化层(Planarization Layer，PLN)291，并进行开孔工艺处理，然后沉积第二源漏金属层282，并进行图案化工艺处理，形成金属图案，其中，例如，第二源漏金属层282的部分金属图案通过第一平坦化层291上的开孔连接于第一源漏金属层281中的金属图案，第二源漏金属层282的另一部分金属图案通过第一平坦化层291、钝化层29和层间绝缘层27上的开孔连接于电容层26的上电极板；然后涂布第二平坦化层292并进行开孔，第一平坦化层291和第二平坦化层292用于为阳极提供一个平坦化的表面，利于光取出；然后沉积阳极层并进行图案化，以形成有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)的阳极31，该阳极31材料例如可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)/银Ag/ITO叠层；然后制备像素定义层32(Pixel Definition Layer，PDL)和支撑层33，像素定义层32具有开口，用于定义像素的发光区域；然后进行发光材料层3和阴极34的蒸镀，层叠的阳极31、发光层3和阴极34即形成OLED器件，OLED器件的阳极31通过第二平坦化层292上的开孔连接于第二源漏金属层282，进而连接于第一源漏金属层281，即实现了OLED器件与驱动电路之间的电连接。其中，将现有技术中层间绝缘层改为通过依次层叠且相邻的第三化学气相沉积层271和第三原子层沉积层272来制作，并设置两者的厚度范围分别为[100，200]nm和[20，50]nm，一方面，可以通过第三化学气相沉积层271来实现对TFT性能的修复作用，另一方面，可以利用原子层沉积层薄膜致密、覆盖性好的特点，来修饰改善化学气相沉积层表面的微裂纹和微缺陷，并改善驱动背板层2在外力冲击、挤压下的可靠性，在此基础上，可以将第三化学气相沉积层271的厚度设计的较薄，在[100,200]nm的厚度范围内，配合[20,50]nm厚度范围内的第三原子层沉积层272，可以进一步提高驱动背板层2的弯折性能。
在一种可能的实施方式中，阻挡层21和钝化层29均为ALD工艺形成的原子层沉积层。即在上述折叠显示面板制备方法中，在提供依次层叠设置的衬底层1、驱动背板层2和发光层3的过程中，通过原子层沉积工艺形成阻挡层21和钝化层29。原子层沉积层例如可以采用氧化硅或氧化铝材料，通过原子层沉积层结构来改善驱动背板层2在外力冲击、挤压下的可靠性。
在一种可能的实施方式中，衬底层1为聚酰亚胺(Polyimide，PI)层，聚酰亚胺层的弹性模量大于20Gpa。
具体地，该衬底层1的具体制作工艺可以为，在玻璃上涂布弹性模量大于20Gpa的PI溶液，然后通过固化工艺(一般为450摄氏度，2小时)固化成型，后续沉积阻挡层21，缓冲层22以及其余驱动背板层2制备工艺，最后贴附TPF膜进行激光剥离(Laser Lift-off，LLO)，剥离后转载至下支撑膜上。通过采用更高模量的PI材料作为衬底层1，相对于现有技术，可以提高在外力冲击或挤压下的可靠性，例如，根据仿真结果，采用弹性模量大于20Gpa的PI层作为衬底层1的折叠显示面板，相对于现有技术，具有10％的抗外力尖头冲击的效果提升、33％的抗外力挤压的效果提升。并且，采用该衬底层1后显示面板的弯折应力小于失效阈值，即弯折失效风险较低。
在一种可能的实施方式中，衬底层1为超薄柔性玻璃(Ultra-Thin Glass，UTG)，超薄柔性玻璃的厚度范围为[20,50]μm。
具体地，该衬底层1的具体制作工艺可以为，先在UTG背面沉积200-300nm厚度的富含H原子的SiNx膜层，UTG厚度约[20,50]μm，随后把UTG贴附至正常0.5mm厚度的承载玻璃上，完成正常驱动背板层2工艺后，由于驱动背板层2工艺中存在诸多高温制程，会引起背面SiNx膜层的氢爆，降低UTG与承载玻璃的附着力，因此完成驱动背板层2制程后，贴附TPF膜进行机械剥离，后续再贴附底膜。通过采用[20,50]μm厚度的UTG作为衬底层1，相对于现有技术，可以提高在外力冲击或挤压下的可靠性，例如，根据仿真结果，采用[20,50]μm厚度的UTG作为衬底层1的折叠显示面板，相对于现有技术，具有97％的抗外力尖头冲击的效果提升、65％的抗外力挤压的效果提升。并且，采用该衬底层1后显示面板的弯折应力小于失效阈值，即弯折失效风险较低。
在一种可能的实施方式中，衬底层1为超高分子量聚乙烯(Ultra High MolecularWeight Polyethylene，UHMWPE)层，超高分子量聚乙烯层的弹性模量≥30Gpa。在另一实施例中，也可以选择其它弹性模量(例如，弹性模量≥20Gpa)的HUMWPE层作为衬底层1。
具体地，该UHMWPE层的配方主要包括：超高分子量(分子量Mw>100万)的聚乙烯，以及少量的特定小分子量的聚乙烯。通过采用弹性模量≥30Gpa的UHMWPE作为衬底层1，相对于现有技术，可以提高在外力冲击或挤压下的可靠性，例如，根据仿真结果，采用弹性模量≥30Gpa的UHMWPE作为衬底层1的折叠显示面板，相对于现有技术，具有71％的抗外力尖头冲击的效果提升、46％的抗外力挤压的效果提升。并且，采用该衬底层1后显示面板的弯折应力小于失效阈值，即弯折失效风险较低。
在另一种可能的实施方式中，作为村底层1的超高分子量聚乙烯层可以替换为聚对苯撑苯并双口恶唑层。聚对苯撑苯并双口恶唑层的弹性模量≥20Gpa。由于聚对苯撑苯并双口恶唑具有耐高温特性，可以降低显示面板的制作难度，提高所述显示面板的制造良率。
在一种可能的实施方式中，第一化学气相沉积层411的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；第一原子层沉积层421的材料为氧化铝或氧化铪。
在一种可能的实施方式中，第三化学气相沉积层271的材料为氮化硅，以实现对TFT性能的修复作用；第三原子层沉积层272的材料为氧化铝、氧化钛、氧化硅和氧化铪。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括上述任意实施例的折叠显示面板。折叠显示面板的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。该电子设备可以是例如手机、平板电脑等任何具有折叠功能或折叠显示结构的电子设备。
本申请实施例中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示单独存在A、同时存在A和B、单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项”及其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项或复数项的任意组合。例如，a，b和c中的至少一项可以表示：a,b,c,a-b,a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c可以是单个，也可以是多个。
以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (14)
1.一种折叠显示面板，其特征在于，包括：
依次层叠设置的衬底层、驱动背板层、发光层和薄膜封装层；
在远离所述发光层的方向上，所述薄膜封装层包括依次层叠且相邻设置的第一化学气相沉积层和第一原子层沉积层，所述第一化学气相沉积层的厚度范围为[100,300]nm，所述第一原子层沉积层的厚度范围为[20,50]nm，所述第一化学气相沉积层和所述第一原子层沉积层为无机层。
2.根据权利要求1所述的折叠显示面板，其特征在于，
在远离所述发光层的方向上，所述薄膜封装层还包括依次层叠且相邻设置的有机缓冲层、第二化学气相沉积层和第二原子层沉积层，所述第二化学气相沉积层的厚度范围为[100,300]nm，所述第二原子层沉积层的厚度范围为[20,50]nm，所述第二化学气相沉积层和所述第二原子层沉积层为无机层；
所述有机缓冲层位于所述第一原子层沉积层和所述第二化学气相沉积层之间。
3.根据权利要求1或2所述的折叠显示面板，其特征在于，
在靠近所述发光层的方向上，所述驱动背板层包括依次层叠设置的阻挡层、缓冲层、半导体层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层、电容层、层间绝缘层、源漏金属层和钝化层；
在靠近所述发光层的方向上，所述层间绝缘层包括依次层叠且相邻设置的第三化学气相沉积层和第三原子层沉积层，所述第三化学气相沉积层的厚度范围为[100，200]nm，所述第三原子层沉积层的厚度范围为[20，50]nm。
4.根据权利要求3所述的折叠显示面板，其特征在于，
所述阻挡层和所述钝化层均为原子层沉积层。
5.根据权利要求1到4任一项所述的折叠显示面板，其特征在于，
所述衬底层为聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层的弹性模量大于20Gpa。
6.根据权利要求1到4任一项所述的折叠显示面板，其特征在于，
所述衬底层为超薄柔性玻璃，所述超薄柔性玻璃的厚度范围为[20,50]μm。
7.根据权利要求1到4任一项所述的折叠显示面板，其特征在于，
所述衬底层为超高分子量聚乙烯层，所述超高分子量聚乙烯层的弹性模量≥30Gpa。
8.根据权利要求1到4任一项所述的折叠显示面板，其特征在于，
所述衬底层为聚对苯撑苯并双口恶唑层。
9.根据权利要求1到8任一项所述的折叠显示面板，其特征在于，
所述第一化学气相沉积层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；
所述第一原子层沉积层的材料为氧化铝或氧化铪。
10.根据权利要求3到9任一项所述的折叠显示面板，其特征在于，
所述第三化学气相沉积层的材料为氮化硅；
所述第三原子层沉积层的材料为氧化铝、氧化钛、氧化硅和氧化铪。
11.一种折叠显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供依次层叠设置的衬底层、驱动背板层和发光层；
在所述发光层远离所述驱动背板层的一侧通过化学气相沉积工艺形成第一化学气相沉积层，所述第一化学气相沉积层的厚度范围为[100,300]nm，所述第一化学气相沉积层为无机层；
在所述第一化学气相沉积层远离所述发光层的一侧表面通过原子层沉积工艺形成第一原子层沉积层，所述第一原子层沉积层的厚度范围为[20,50]nm，所述第一原子层沉积层为无机层。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，
所述提供依次层叠设置的衬底层、驱动背板层和发光层包括：
形成衬底层；
在所述衬底层表面依次形成阻挡层、缓冲层、半导体层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层和电容层；
在所述电容层远离所述半导体层的一侧通过化学气相沉积工艺形成第三化学气相沉积层，所述第三化学气相沉积层的厚度范围为[100，200]nm；
在所述第三化学气相沉积层远离所述半导体层的一侧表面通过原子层沉积工艺形成第三原子层沉积层，所述第三原子层沉积层的厚度范围为[20，50]nm；
在所述第三原子层沉积层远离所述半导体层的一侧依次形成源漏金属层和钝化层；
在所述钝化层远离所述半导体层的一侧形成发光层。
13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，
在所述提供依次层叠设置的衬底层、驱动背板层和发光层的过程中，通过原子层沉积工艺形成所述阻挡层和所述钝化层。
14.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至10中任意一项所述的折叠显示面板。
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