CN113196497A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例提供一种显示装置,所述显示装置包括:基底,所述基底具有显示区域和位于所述显示区域周围的外围区域;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管在所述显示区域中定位在所述基底上;显示元件,所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管;以及第一电压线和第二电压线,所述第一电压线和所述第二电压线在所述外围区域中定位在所述基底上,并且供应用于驱动所述显示元件的电力,其中,所述第一电压线是公共电压线并且完全围绕所述显示区域,所述第二电压线是驱动电压线并且布置为与所述显示区域的一侧一致,并且所述第一电压线和所述第二电压线设置在不同的层上。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置。
背景技术
随着用于可视地表达各种电信号信息的显示器已经迅速地发展,正在研究和开发具有诸如薄、重量小和低功耗的优异特性的各种平板显示装置。在各种平板显示装置中,作为自发光显示装置的有机发光显示装置不需要单独的光源,并且因此,可以以低电压驱动有机发光显示装置,可以将有机发光显示装置配置成重量轻且薄的显示装置,并且有机发光显示装置可以呈现出优异的特性,包括宽视角、高对比度和快速响应速度。因此,作为下一代显示装置,有机发光显示装置成为关注的焦点。
实施例的描述
技术问题
有机发光显示装置包括多个像素,其中,以模拟驱动方法操作的有机发光显示装置的像素通过根据输入电压或电流数据的大小调节亮度来显示灰度级,并且有机发光二极管的像素通过发射具有相同的亮度但不同的发射时间的光来显示灰度级。同时,由于电力线的电阻分量,在向像素供应电力的电力线中可能出现电压降(或IR降),这可能导致显示装置的图像质量劣化。
问题解决方案
本发明的实施例提供一种显示高质量图像的显示装置。
公开的有益效果
根据本发明的显示装置可以将均匀的公共电压供应给发光装置,并且因此可以显示高质量的图像。然而,本发明的范围不限于这种效果。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是根据本发明的实施例的显示装置的像素的等效电路图。
图3是沿着图2的线I-I'截取的截面的示例的示意性截面图。
图4是图1的区域A的放大示意性平面图。
图5是沿着图4的线II-II'截取的截面的示例的示意性截面图。
图6是沿着图4的线II-II'截取的截面的另一示例的示意性截面图。
图7是图3的一部分的示意性截面图。
图8是沿着图4的线II-II'截取的截面的另一示例的示意性截面图。
图9是沿着图4的线II-II'截取的截面的另一示例的示意性截面图。
最佳模式
根据本发明的一方面的显示装置包括:基底,所述基底包括显示区域和位于所述显示区域周围的外围区域;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管在所述显示区域中位于所述基底上和显示元件,电连接到所述薄膜晶体管;以及第一电压线和第二电压线,所述第一电压线和所述第二电压线在所述外围区域中定位在所述基底上,并且供应用于驱动所述显示装置的电力,其中,所述第一电压线是公共电压线,并且所述第一电压线完全围绕所述显示区域,所述第二电压线是驱动电压线,并且所述第二电压线布置为与所述显示区域的一侧相对应,并且所述第一电压线和所述第二电压线可以布置在不同的层上。
在本实施例中,所述显示元件可以包括;像素电极,所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管;公共电极,所述公共电极位于所述像素电极上;以及中间层,所述中间层包括有机材料,且在所述像素电极和所述公共电极之间,其中,所述公共电极的所有边缘可以电连接到所述第一电压线。
在本实施例中,所述公共电极和所述第一电压线通过导电层彼此连接,并且所述导电层可以与所述像素电极具有相同的构造。
在本实施例中,所述基底还可以包括:定位在所述外围区域中的焊盘区域,所述第二电压线定位在所述显示区域的一侧和所述焊盘区域之间,并且所述第一电压线可以在垂直方向上与所述第二电压线至少部分地重叠。
在本实施例中,所述显示装置还可以包括在所述薄膜晶体管和所述显示元件之间的第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述薄膜晶体管,其中,所述第一电压线可以与位于所述第一绝缘层上的金属布线具有相同的结构,并且所述第二电压线可以与所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极具有相同的结构。
在本实施例中,所述显示装置还可以包括:驱动电路单元,所述驱动电路单元在所述外围区域中定位在所述基底上,并且将电信号传输到所述显示区域,其中,所述驱动电路单元可以由所述第一绝缘层覆盖。
在本实施例中,所述显示装置还可以包括:辅助布线,所述辅助布线布置在所述第一电压线下方,并且电连接到所述第一电压线。
在本实施例中,所述辅助布线可以与所述第二电压线位于相同的层上,并且所述辅助布线可以与所述第二电压线具有相同的结构。
在本实施例中,所述辅助布线和所述第二电压线可以定位在不同的层上。
在本实施例中,所述辅助布线可以完全沿着所述第一电压线布置。
根据本发明的另一方面的显示装置包括:基底,所述基底包括显示区域和位于所述显示区域周围的外围区域;像素电路,所述像素电路在所述显示区域中定位在所述基底上和有机发光器件,电连接到所述像素电路;第一电压线,所述第一电压线在所述外围区域中定位在所述基底上,并且将公共电压施加到所述有机发光器件;以及驱动电路单元,所述驱动电路单元在所述外围区域中定位在所述基底上并且布置在所述第一电压线和所述像素电路之间,并且将电信号传输到所述显示区域,其中,所述驱动电路单元由布置在所述显示区域和所述外围区域上方的第一绝缘层覆盖,并且所述第一电压线可以完全围绕所述显示区域,并且可以与位于所述显示区域的所述第一绝缘层上的布线具有相同的材料和相同的结构。
在本实施例中,所述有机发光器件可以包括电连接到所述第一电压线的公共电极,并且所述公共电极的所有边缘可以电连接到所述第一电压线。
在本实施例中,所述基底还可以包括位于所述外围区域中的焊盘区域以及在所述显示区域的一侧和所述焊盘区域之间的第二电压线,其中,所述第二电压线可以与所述第一电压线处于不同的高度。
在本实施例中,所述第一绝缘层可以在所述第二电压线和所述第一电压线之间。
在本实施例中,所述第一电压线可以在垂直方向上与所述第二电压线至少部分地重叠。
在本实施例中,所述显示装置还可以包括辅助布线,所述辅助布线布置在所述第一电压线下方并且电连接到所述第一电压线。
在本实施例中,所述辅助布线可以与所述第二电压线位于相同的层上,并且所述辅助布线可以与所述第二电压线具有相同的结构。
在本实施例中,所述辅助布线和所述第二电压线可以定位在不同的层上。
在本实施例中,所述显示装置还可以包括顺序地堆叠在所述有机发光器件上的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层,其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层可以在所述有机封装层外部彼此接触。
在本实施例中,所述显示装置还可以包括:第一分隔件,所述第一分隔件在所述外围区域中定位在所述基底上,并且与所述第一绝缘层分隔开,其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层可以延伸到所述第一分隔件外部。
具体实施方式
由于本发明可以具有各种修改的实施例,因此优选的实施例在附图中示出并且在详细描述中进行描述。通过参照附图描述的以下实施例,将阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而,本发明可以以许多不同的形式来实施,并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。
将理解的是,尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。
除非以单数形式中使用的表述在上下文中具有明确不同的含义,否则以单数形式中使用的表述也涵盖以复数形式的表述。
还将理解的是,在本文中所使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或元件,但是不排除存在或添加一个或多个其它特征或元件。
将理解的是,当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、另一区域或另一元件“上”时,所述层、区域或元件可以直接或间接形成在另一层、另一区域或另一元件上。即,例如,可以存在居间层、居间区域或居间元件。
为了便于说明,可能夸大了附图中的元件的尺寸。换言之,由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度,因此下面的实施例不限于此。
当可以不同地实施某个实施例时,可以与所描述的顺序不同执行特定工艺顺序。例如,两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行,或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在下文中,将参照附图详细地描述实施例。相同的附图标记用来表示相同的元件。
图1是根据本发明的实施例的显示装置的示意性平面图,图2是根据本发明的实施例的显示装置的像素的等效电路图,并且图3是沿着图1的线I-I'截取的截面的示例的示意性截面图。
参照图1至图3,根据本发明的实施例的显示装置10具有其中显示图像的显示区域DA和定位在显示区域DA周围的外围区域PA。可以理解的是,基底100包括显示区域DA和外围区域PA。
多个像素P定位在显示区域DA中。图2示出了一个像素P的等效电路图的示例。参照图2,像素P可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的显示元件200。显示元件200可以是例如有机发光器件(OLED)。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts可以连接到扫描线SL和数据线DL,并且可以根据通过扫描线SL输入的扫描信号将通过数据线DL输入的数据信号传输到驱动薄膜晶体管Td。存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压供应线PL,并且可以存储与从开关薄膜晶体管Ts接收的电压和供应给驱动电压供应线PL的驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td可以连接到驱动电压供应线PL和存储电容器Cst,并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值控制从驱动电压供应线PL流过有机发光器件OLED的驱动电流。有机发光器件OLED可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光器件OLED可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
尽管图2描述了像素P包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器Cst的情况,但是本发明不限于此。在另一实施例中,像素P的像素电路PC可以变化,诸如包括三个或更多个薄膜晶体管或者两个或更多个存储电容器。
外围区域PA可以包括焊盘区域PADA,焊盘区域PADA是各种电子装置或印刷电路板电附接到的区域,并且供应用于驱动显示元件200的电力的第一电压线70和第二电压线80可以定位。第一电压线70可以是公共电压(ELVSS)线,并且第二电压线80可以是驱动电压(ELVDD)线。第一电压线70可以直接连接到公共电极230或通过另一条布线连接到公共电极230,并且第二电压线80可以连接到驱动电压供应线PL。
第二电压线80可以在显示区域DA的一侧和焊盘区域PADA之间,并且第一电压线70可以完全围绕显示区域DA。第一电压线70和第二电压线80可以布置为在显示区域DA的一侧和焊盘区域PADA之间至少部分地彼此重叠,并且第一电压线70和第二电压线80可以布置在不同的层上,以防止第一电压线70和第二电压线80之间的短路。即,第一电压线70和第二电压线80具有距基底100不同的距离。当在显示区域DA中形成各种导电层时,第一电压线70和第二电压线80可以由相同的材料同时形成。例如,第二电压线80可以与薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极具有相同的结构,并且第一电压线70可以与布置在第一绝缘层111上的布线具有相同的结构,第一绝缘层111覆盖薄膜晶体管TFT。然而,本发明不限于此。当第一电压线70和第二电压线80处于不同的高度时,第一电压线70和第二电压线80可以与显示区域DA中的各种导电层具有相同的结构。
同时,图1可以被理解为示出了在显示装置10的制造工艺期间基底100等的状态的平面图。在最终的显示装置10或包括显示装置10的诸如智能电话的电子装置中,基底100的一部分可以弯曲以使由用户识别的外围区域PA的面积最小化。例如,基底100可以在焊盘区域PADA和显示区域DA之间弯曲,使得焊盘区域PADA的至少一部分与显示区域DA重叠。然而,将弯曲方向设置为使得焊盘区域PADA不覆盖显示区域DA而是定位在显示区域DA后面。因此,用户识别出显示区域DA占据了大部分显示装置10。
在下文中,将参照图3更详细地描述像素P的结构。像素P的像素电路PC和显示元件200定位在基底100上。
基底100可以由各种材料形成,诸如玻璃材料、金属材料或者诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺的塑料材料。
缓冲层101可以形成在基底100上。缓冲层101可以阻挡异物或湿气渗透通过基底100。例如,缓冲层101可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或/和氮氧化硅(SiON)的无机材料,并且可以是单层或多层。缓冲层101可以形成为与显示区域DA和外围区域PA相对应。
薄膜晶体管130、存储电容器140和电连接到薄膜晶体管130、存储电容器140的显示元件200可以在显示区域DA中定位在基底100上。例如,显示元件200可以是有机发光器件OLED。此外,图3的薄膜晶体管130可以与提供在像素电路PC中的(图2的)驱动薄膜晶体管Td相对应,并且存储电容器140与参照图2描述的(图2的)存储电容器Cst相对应。
薄膜晶体管130包括半导体层134和栅极电极136。半导体层134可以包括例如多晶硅。半导体层134可以包括与栅极电极136重叠的沟道区域131、以及源极区域132和漏极区域133,源极区域132和漏极区域133布置在沟道区域131的两侧并且掺杂有具有比沟道区域131高的浓度的杂质。
杂质可以包括N型杂质或P型杂质。薄膜晶体管130的源极电极和漏极电极可以分别连接到源极区域132和漏极区域133。源极电极和漏极电极可以与数据线DL形成在相同的层上。在另一实施例中,半导体层134可以包括非晶硅或有机半导体材料。在另一实施例中,半导体层134可以包括氧化物半导体。
此外,像素电路PC还可以包括如以上参照图2描述的开关薄膜晶体管(图2中的Ts)。另外,薄膜晶体管130的半导体层134和(图2的)开关薄膜晶体管Ts的半导体层可以包括不同的材料。例如,薄膜晶体管130的半导体层134和(图2的)开关薄膜晶体管Ts的半导体层中的一者可以包括氧化物半导体,并且另一者可以包括多晶硅。
栅极绝缘层103可以在半导体层134与栅极电极136之间。栅极绝缘层103可以是诸如氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机绝缘层,并且无机绝缘层可以是单层或多层。另外,存储电容器140的下部电极144位于栅极绝缘层103上。这样,位于栅极绝缘层103上的包括栅极电极136和电容器下部电极144的各种导电层可以统称为第一栅极布线。
存储电容器140包括彼此重叠的下部电极144和上部电极146。第一层间绝缘层105可以在下部电极144和上部电极146之间。
作为具有特定介电常数的层的第一层间绝缘层105可以是诸如氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机绝缘层,并且可以是单层或多层。除了电容器上部电极146之外,诸如连接布线的各种导电层可以定位在第一层间绝缘层105上。位于第一层间绝缘层105上的各种导电层可以统称为第二栅极布线。
同时,在图3中,存储电容器140与薄膜晶体管130重叠,并且第一下部电极144是薄膜晶体管130的栅极电极136。然而,本发明不限于此。在另一实施例中,存储电容器140可以不与薄膜晶体管130重叠,并且第一下部电极144可以是与薄膜晶体管130的栅极电极136分离的独立组件。
存储电容器140可以覆盖有第二层间绝缘层107。第二层间绝缘层107可以是诸如氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机绝缘层,并且可以是单层或多层。
数据线DL以及薄膜晶体管130的源极电极和漏极电极可以位于第二层间绝缘层107上。这样,位于第二层间绝缘层107上的各种导电层可以统称为第一金属布线。
驱动电压供应线PL可以位于覆盖第一金属布线的第一绝缘层111上。
第一绝缘层111可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括:诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物或它们的共混物。在实施例中,第一绝缘层111可以包括聚酰亚胺。
驱动电压供应线PL包括铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等,并且可以是单层或多层。在实施例中,驱动电压供应线PL可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。除了驱动电压供应线PL之外,诸如连接布线的各种布线可以定位在第一绝缘层111上。这样,位于第一绝缘层111上的各种导电层可以统称为第二金属布线。
同时,图3示出了还包括位于第一绝缘层111下方的下部驱动电压线PL1。下部驱动电压线PL1通过穿透第一绝缘层111的接触孔电连接到驱动电压供应线PL,以防止驱动电压ELVDD的电压降。下部驱动电压线PL1可以包括与数据线DL的材料相同的材料。即,在第一金属布线中可以包括下部驱动电压线PL1。例如,下部驱动电压线PL1和数据线DL包括铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等,并且可以是单层或多层。在实施例中,下部驱动电压线PL1和数据线DL可以具有Ti/Al/Ti或TiN/Al/Ti的多层结构。
驱动电压供应线PL由第二绝缘层113覆盖,并且第二绝缘层113可以包括:酰亚胺基聚合物、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物和它们的共混物。在实施例中,第二绝缘层113可以包括聚酰亚胺。
像素电极210位于第二绝缘层113上。像素限定层120位于像素电极210上,并且像素限定层120可以通过具有与像素相对应的开口(即,像素电极210的至少中央部分通过其暴露的开口)来限定发光区域。另外,像素限定层120可以增加像素电极210的边缘和公共电极230之间的距离,从而防止在像素电极210的边缘和公共电极230之间产生电弧等。像素限定层120可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
中间层220可以包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层220包括低分子量材料时,中间层220可以通过堆叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)而具有单一或复合结构。中间层220可以包括各种有机材料,诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。这些层可以通过气相沉积方法形成。
当中间层220包括聚合物材料时,中间层220可以具有包括HTL和EML的结构。HTL可以包括PEDOT,并且EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)和聚芴的聚合物材料。然而,中间层220不限于此,并且可以具有各种结构。例如,构成中间层220的各层中的至少一层可以一体地形成在多个像素电极210上方。可替代地,中间层220可以包括被图案化为与多个像素电极210中的每一个相对应的层。
公共电极230可以布置在显示区域DA上以覆盖显示区域DA。即,公共电极230可以相对于多个像素P一体地形成。
位于基底100上的外围区域PA可以围绕显示区域DA。外围区域PA是其中未布置像素P的区域,并且与不提供图像的非显示区域相对应。外围区域PA包括焊盘区域,该焊盘区域是各种电子装置或印刷电路板电附接到的区域,并且驱动电路单元20和第一电压线70可以定位。
驱动电路单元20可以将各种控制信号传输到显示区域DA。驱动电路单元20可以包括发光驱动电路和扫描驱动电路等。驱动电路单元20包括薄膜晶体管TFT,并且可以包括连接到薄膜晶体管TFT的布线(未示出)。驱动电路单元20中包括的薄膜晶体管TFT可以在与像素电路PC的薄膜晶体管130的工艺相同的工艺中形成。因此,驱动电路单元20包括在构成薄膜晶体管TFT的元件(例如,半导体层、栅极电极、源极电极和漏极电极等)之间的绝缘层IL。例如,栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107可以延伸到外围区域PA以形成绝缘层IL。
第一电压线70包括与在显示区域DA中布置在第一绝缘层111上的第二金属布线的材料相同的材料,并且可以在外围区域PA中位于第二层间绝缘层107上。例如,第一电压线70可以包括与驱动电压供应线PL的材料相同的材料。
第一电压线70的内边缘可以由导电层212覆盖。导电层212具有与像素电极210的构造相同的构造,并且可以连接到公共电极230。在另一实施例中,第一电压线70的内边缘可以朝向显示区域DA延伸以直接接触公共电极230。
同时,如上所述,因为公共电极230与多个显示元件200一体地形成,所以由于公共电极230的电阻,在公共电极的边缘与公共电极的中心之间可能出现电位差。因此,当如现有技术那样地通过公共电极的一些边缘提供公共电压ELVSS时,供应给布置在公共电极的中心的一个显示元件200和布置在连接到第一电压线70的公共电极的边缘处的另一显示元件200的公共电压ELVSS的大小出现差异,并且因此,在显示元件200之间可能出现亮度不平衡。随着显示区域DA的面积增加,这种现象可能增加。
然而,根据本发明,因为第一电压线70完全围绕显示区域DA并且公共电极230的所有边缘连接到第一电压线70,因此可以通过公共电极230的所有边缘将公共电压ELVSS供应给公共电极230。因此,公共电极230的电位在整个公共电极230上可以是均匀的,并且因此,防止或减少了显示元件200之间的亮度不平衡,并且因此,显示装置10可以显示高质量的图像。
同时,与第一电压线70相邻布置的驱动电路单元20可以不包括定位在与驱动电压供应线PL相同的层上的组件。例如,驱动电路单元20中包括的发光驱动电路和扫描驱动电路等可以不包括被布置在第一绝缘层111上的第二金属布线中所包括的布线。因此,由于第一电压线70包括与位于第一绝缘层111上的驱动电压供应线PL的材料相同的材料并且与驱动电压供应线PL同时形成,因此可以有效地防止与第一电压线70和像素电路PC之间的驱动电路单元20中所包括的其他布线发生短路的风险。
保护显示元件200免受外部湿气或氧气影响的封装层500可以位于公共电极230上。封装层500具有不仅延伸到其中定位有显示元件200的显示区域DA还延伸到显示区域DA外部的外围区域PA的形状。封装层500可以具有多层结构。例如,如图3中所示,封装层500可以包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530。
第一无机封装层510覆盖公共电极230,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。根据第一无机封装层510下方的结构的形状来形成第一无机封装层510的形状,并且因此,如图3中所示,第一无机封装层510的上表面是不平坦的。
有机封装层520覆盖第一无机封装层510并且具有足够的厚度,并且有机封装层520的上表面可以遍及显示区域DA是基本平坦的。有机封装层520可以包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如,聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或它们的任意组合。
第二无机封装层530覆盖有机封装层520,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层530延伸到有机封装层520外部以接触第一无机封装层510,使得有机封装层520不暴露于外部。
以这种方式,因为封装层500具有包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530的多层结构,所以即使封装层500破裂,裂纹也不会在第一无机封装层510和有机封装层520之间或在有机封装层520和第二无机封装层530之间彼此连接。以这种方式,可以防止或最小化外部湿气或氧气到显示区域DA中的渗透路径的形成。
同时,当形成封装层500时,更详细地,当形成有机封装层520时,将用于形成有机封装层520的材料限制在预设区域内是必需的。为此目的,如图3中所示,第一分隔件610可以位于外围区域PA中。更详细地,如图3中所示,第一绝缘层111可以位于基底100的外围区域PA以及显示区域DA中,并且第一分隔件610在外围区域PA中定位为与第一绝缘层111分隔开。
第一分隔件610可以具有多层结构。例如,第一分隔件610可以在远离靠近基底100的一部分的方向上包括第一层611、第二层613和第三层615。第一层611可以由与第一绝缘层111相同的材料且与第一绝缘层111同时形成,并且第二层613可以由与第二绝缘层相同的材料且与第二绝缘层同时形成。第三层615可以由与第二层613相同的材料额外地形成在第二层613上,或者当形成像素限定层120时,第三层615可以由与像素限定层120相同的材料同时形成。
另外,如图3中所示,除了第一分隔件610之外,第二分隔件620也可以在第一分隔件610和第一绝缘层111的端部之间。第二分隔件620可以位于第一电压线70上。第二分隔件620还在(图1的)外围区域PA中与第一绝缘层111分隔开。如同第一分隔件610那样,第二分隔件620也可以具有多层结构,并且可以包括比第一分隔件610更小数量的层,使得距基底100的高度低于第一分隔件610的距基底100的高度。图3示出了这样的示例,在该示例中,第二分隔件620的下层623可以由与第一分隔件610的第二层613相同的材料且与第一分隔件610的第二层613同时形成,并且位于下层623上的上层625可以由与第一分隔件610的第三层615相同的材料且与第一分隔件610的第三层615同时形成。
因此,有机封装层520的位置首先由第二分隔件620限定,使得防止用于形成有机封装层520的材料在形成有机封装层520的工艺中溢流到第二分隔件620外部。即使用于形成有机封装层520的材料部分地溢流到第二分隔件620外部,该位置也受到第一分隔件610的限制,使得用于形成有机封装层520的材料不会再朝向基底100的边缘移动。相比之下,如图3中所示,通过覆盖第二分隔件620和第一分隔件610,第一无机封装层510和第二无机封装层530形成到第一分隔件610外部。
同时,防裂纹部分630可以定位在第一分隔件610外部。防裂纹部分630可以沿着基底100的边缘的至少一部分延伸。例如,防裂纹部分630可以具有围绕显示区域DA的形状。另外,在某些部分中,防裂纹部分630可以具有不连续的形状。防裂纹部分630可以防止当在显示装置10的制造工艺期间切割母基底时或当使用显示装置10时由于冲击等可能在无机材料的绝缘层IL中出现的裂纹被传递到显示区域DA。在此,绝缘层IL可以理解为包括堆叠在基底100上的缓冲层101、栅极绝缘层103和第一层间绝缘层105。在一些情况下,绝缘层IL可以包括第二层间绝缘层107。
防裂纹部分630可以具有其中一些绝缘层IL被去除的凹槽形状。另外,如图3中所示,防裂纹部分630可以由覆盖层650覆盖。例如,当在显示区域DA中形成第一绝缘层111或第二绝缘层113时,覆盖层650可以由与第一绝缘层111或第二绝缘层113相同的材料且与第一绝缘层111或第二绝缘层113同时形成。同时,封装层500的第一无机封装层510和第二无机封装层530未延伸到防裂纹部分630。即,防裂纹部分630不由第一无机封装层510和第二无机封装层530覆盖,并且第一无机封装层510和第二无机封装层530的端部可以与防裂纹部分630分隔开。
图4是图1的区域A的放大示意性平面图,并且图5是沿着图4的线II-II'截取的截面的示例的示意性截面图。在下文中,将参照图1、图4和图5一起进行描述。
参照图1、图4和图5,第二电压线80可以在显示区域DA的一侧和焊盘区域PADA之间,并且第一电压线70可以完全围绕显示区域DA。第一电压线70和第二电压线80可以包括朝向焊盘区域PADA延伸的连接部分72和82。
公共电极230可以连接到位于显示区域DA的一侧和焊盘区域PADA之间的第一电压线70。例如,公共电极230可以通过布置在第二绝缘层113上的第二导电层213连接到第一电压线70。第二导电层213可以包括与图3的像素电极210的材料相同的材料。然而,本发明不限于此,并且公共电极230可以通过形成在第二绝缘层113和像素限定层120中的接触孔直接连接到第一电压线70。
以这种方式,由于公共电极230和第一电压线70在显示区域DA的一侧和焊盘区域PADA之间彼此连接,因此公共电极230的所有边缘可以连接到第一电压线70。因此,因为可以通过公共电极230的所有边缘将公共电压ELVSS供应给公共电极230,所以公共电极230的电位可以在整个公共电极230上更加均匀,并且因此,防止或减少了显示元件200之间的亮度不平衡,并且因此,显示装置10可以显示高质量的图像。
同时,第一电压线70和第二电压线80可以布置在不同的层上。即,第一电压线70和第二电压线80可以具有距基底100不同的距离。例如,如图5中所示,第一电压线70可以包括与布置在位于显示区域DA中的第一绝缘层111上的第二金属布线的材料相同的材料,并且第二电压线80可以包括与布置在位于显示区域DA中的第二层间绝缘层107上的第一金属布线的材料相同的材料。
以这种方式,由于第一电压线70和第二电压线80布置在不同的层上,因此第一电压线70的至少一部分可以在垂直方向上与第二电压线80重叠。因此,与第一电压线70和第二电压线80布置在相同的层上的情况相比,可以减小用于布置第一电压线70和第二电压线80的区域,并且因此,可以增加显示区域DA。同时,在图4和图5中,第一电压线70的宽度大于第二电压线80的宽度,并且第一电压线70比第二电压线80更靠近显示区域DA。然而,本发明不限于此。即,第二电压线80可以比第一电压线70更靠近显示区域DA,并且第二电压线80的宽度可以大于或等于第一电压线70的宽度。
图6是沿着图4的线II-II'截取的截面的另一示例的示意性截面图,并且图7是图3的一部分的示意性截面图。图7主要示出了图1的线II-II'的截面中的外围区域PA。在下文中,将参照图1、图6和图7一起进行描述,但是本文中将不给出与上述相同的部分的详细描述。
参照图1、图6和图7,第一电压线70和第二电压线80可以布置在不同的层上。例如,如图6中所示,第一电压线70可以包括与布置在位于显示区域DA中的第一绝缘层111上的第二金属布线的材料相同的材料,并且第二电压线80可以包括与布置在位于显示区域DA中的第二层间绝缘层107上的第一金属布线的材料相同的材料。
此外,第一电压线70可以通过布置在第二绝缘层113上的第二导电层213连接到公共电极230。在另一示例中,公共电极230可以通过形成在第二绝缘层113和像素限定层120中的接触孔直接连接到第一电压线70。
第一电压线70可以连接到位于第一电压线70下方的辅助布线75。辅助布线75布置在与第一电压线70不同的层上,以减小第一电压线70的电阻。辅助布线75可以仅布置在第一电压线70的部分区域中,或者可以布置为遍及整个第一电压线70。
例如,辅助布线75可以在显示区域DA的一侧和焊盘区域PADA之间。另外,辅助布线75可以与第二电压线80位于相同的层上,并且可以与第二电压线80具有相同的结构。在这种情况下,辅助布线75和第二电压线80可以彼此分隔开以防止短路。
当辅助布线75完全沿着第一电压线70布置时,如图7中所示,第一电压线70可以在显示区域DA的除了与焊盘区域PADA相邻的一侧之外的其余边缘处电连接到位于第一电压线70下方的辅助布线75。在此,电连接包括辅助布线75与第一电压线70直接接触或者绝缘层在辅助布线75和第一电压线70之间的情况以及辅助布线75通过接触孔连接到第一电压线70的情况。因此,可以减小第一电压线70的电阻,并且可以防止施加到公共电极230的公共电压ELVSS(参见图2)的电压降。另外,因为可以减小第一电压线70的宽度,所以可以减小(图1的)显示装置10的死区(dead area)。
同时,图6和图7示出了其中辅助布线75与薄膜晶体管TFT的源极电极S和漏极电极D包括相同的材料并且与这些层定位在相同的层上的示例,但是本发明不限于此。换言之,辅助布线75可以与薄膜晶体管TFT的栅极电极G具有相同的材料,即,辅助布线75可以与位于显示区域DA中的第一栅极布线具有相同的结构。另外,将理解的是,辅助布线75可以与位于显示区域DA中的第二栅极布线具有相同的结构。
图8和图9是各自示出图4的截面II-II'的另一示例的截面图。在下文中,在图8和图9的描述中将参照图1。
分别如图8和图9中所示,第一电压线70和第二电压线80可以如上所述地位于不同的层上,并且公共电极230可以通过布置在第二绝缘层113上的第二导电层213连接到第一电压线70,或者可以通过形成在第二绝缘层113和像素限定层120中的接触孔直接连接到第一电压线70。另外,因为第一电压线70连接到辅助布线75,所以可以减小电阻。
图8和图9与图6之间的区别在于,辅助布线75和第二电压线80位于不同的层上。图8示出了这样的示例,在该示例中,第二电压线80包括与布置在第二层间绝缘层107上的第一金属布线相同的材料,并且辅助布线75包括位于绝缘层IL上的第二栅极布线。此外,与图8相反,图9示出了第二电压线80包括与第二栅极布线相同的材料并且辅助布线75包括与第一金属线相同的材料的示例。以这种方式,当辅助布线75和第二电压线80位于不同的层上时,可以防止辅助布线75和第二电压线80之间的短路的风险。
尽管图8和图9示出了辅助布线75和第二电压线80各自具有与第二栅极布线相同的结构,但是本发明不限于此。即,辅助布线75或第二电压线80可以具有与第一栅极布线相同的结构,或者可以具有与位于第二金属布线上的附加布线相同的结构。
如上所述,已经参照附图中示出的实施例描述了本发明,但是这仅是示例性的,并且本领域普通技术人员将理解,由此对实施例的各种修改和变化是可能的。因此,本发明的真实技术保护范围应当由所附权利要求的技术精神来确定。
Claims (20)
1.一种显示装置,包括:
基底,所述基底包括显示区域和位于所述显示区域周围的外围区域;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管在所述显示区域中位于所述基底上和显示元件,所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管;以及
第一电压线和第二电压线,所述第一电压线和所述第二电压线在所述外围区域中定位在所述基底上,并且供应用于驱动所述显示元件的电力,
其中,所述第一电压线是公共电压线,并且完全围绕所述显示区域,
所述第二电压线是驱动电压线,并且布置为与所述显示区域的一侧相对应,并且
所述第一电压线和所述第二电压线位于不同的层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示元件包括:像素电极,所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管;公共电极,所述公共电极位于所述像素电极上;以及中间层,所述中间层包括有机材料,且在所述像素电极和所述公共电极之间,
其中,所述公共电极的所有边缘电连接到所述第一电压线。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述公共电极和所述第一电压线通过导电层彼此连接,并且
所述导电层与所述像素电极具有相同的构造。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基底还包括定位在所述外围区域中的焊盘区域,
所述第二电压线在所述显示区域的一侧和所述焊盘区域之间,并且
所述第一电压线在垂直方向上与所述第二电压线至少部分地重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:在所述薄膜晶体管和所述显示元件之间的第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述薄膜晶体管,
其中,所述第一电压线与位于所述第一绝缘层上的金属布线具有相同的结构,并且所述第二电压线与所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极具有相同的结构。
6.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:驱动电路单元,所述驱动电路单元在所述外围区域中定位在所述基底上,并且将电信号传输到所述显示区域,
其中,所述驱动电路单元由所述第一绝缘层覆盖。
7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:辅助布线,所述辅助布线布置在所述第一电压线下方,并且电连接到所述第一电压线。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述辅助布线与所述第二电压线位于相同的层上,并且所述辅助布线与所述第二电压线具有相同的结构。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一电压线和所述第二电压线位于不同的层上。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述辅助布线完全沿着所述第一电压线布置。
11.一种显示装置,包括:
基底,所述基底包括显示区域和位于所述显示区域周围的外围区域;
像素电路,所述像素电路在所述显示区域中定位在所述基底上和有机发光器件,所述有机发光器件电连接到所述像素电路;
第一电压线,所述第一电压线在所述外围区域中定位在所述基底上,并且将公共电压施加到所述有机发光器件;以及
驱动电路单元,所述驱动电路单元在所述外围区域中定位在所述基底上并且布置在所述第一电压线和所述像素电路之间,并且将电信号传输到所述显示区域,
其中,所述驱动电路单元由布置在所述显示区域和所述外围区域上方的第一绝缘层覆盖,并且
所述第一电压线完全围绕所述显示区域与位于所述显示区域的所述第一绝缘层上的布线具有相同的材料和相同的结构。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述有机发光器件包括电连接到所述第一电压线的公共电极,并且
所述公共电极的所有边缘电连接到所述第一电压线。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述基底还包括定位在所述外围区域中的焊盘区域以及在所述显示区域的一侧和所述焊盘区域之间的第二电压线,
其中,所述第二电压线与所述第一电压线处于不同的高度。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层在所述第二电压线和所述第一电压线之间。
15.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第一电压线在垂直方向上与所述第二电压线至少部分地重叠。
16.根据权利要求13所述的显示装置,还包括:辅助布线,所述辅助布线布置在所述第一电压线下方,并且电连接到所述第一电压线。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述辅助布线与所述第二电压线位于相同的层上,并且所述辅助布线与所述第二电压线具有相同的结构。
18.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一电压线和所述第二电压线位于不同的层上。
19.根据权利要求11所述的显示装置,还包括:顺序地堆叠在所述有机发光器件上的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层,
其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述有机封装层外部彼此接触。
20.根据权利要求19所述的显示装置,还包括:第一分隔件,所述第一分隔件在所述外围区域中定位在所述基底上,并且与所述第一绝缘层分隔开,
其中,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层延伸到所述第一分隔件外部。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104752483A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法 |
EP3041051A1 (en) * | 2014-12-31 | 2016-07-06 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
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KR100645533B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그의 제조 방법 |
JP4742835B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104752483A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法 |
WO2015099419A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | LG Display Co.,Ltd. | Top-emission type organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
EP3041051A1 (en) * | 2014-12-31 | 2016-07-06 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
CN108091634A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114156324A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示器及其制备方法 |
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