CN117572730A - 使用一维光刻掩模或全息干涉蚀刻的多次曝光的二维图案 - Google Patents

Abstract

本公开涉及使用一维光刻掩模或全息干涉蚀刻的多次曝光的二维图案。提供了用于在光刻胶层上生成二维图案的系统和方法。经由第一曝光将光刻胶层暴露于第一一维特征系列，该第一一维特征系列交替地提供沿着第一维度的照明强度的第一最小值和最大值。接着经由第二曝光将光刻胶层暴露于第二一维特征系列，该第二一维特征系列沿着第二维度交替地提供照明强度的第二最小值和最大值，其中该第二维度与该第二维度成角度地分离曝光旋转因数。

Description

使用一维光刻掩模或全息干涉蚀刻的多次曝光的二维图案

技术领域

本发明大体上涉及二维(2D)照明图案的创建，诸如可用于创建光刻掩模或其它制品。在集成电路和光学波导制造中，光刻或光学蚀刻是用于以下技术的一般术语，该技术使用光在衬底(诸如硅晶片或光学衬底)上产生合适材料的精细图案化薄膜以在后续刻蚀、沉积或植入操作期间保护晶片或衬底的选定区。通常，紫外光用于将几何设计从光学掩模转移到涂覆在衬底上的光敏化学品(光刻胶)。光刻胶在暴露于光的地方分解或硬化。然后通过用合适的溶剂去除涂层的较软部分来创建图案化膜。

背景技术

可以利用这些光刻工艺用于光学透镜、其他光学部件、微电子器件、半导体和微机电系统(MEMS)器件的表面处理的制造。

发明内容

在实施例中，一种方法包括：经由第一曝光将光刻胶层暴露于交替地提供沿着第一维度的照明强度的第一最小值和最大值的第一一维特征系列；以及经由第二曝光将光刻胶层暴露于交替地提供沿着第二维度的照明强度的第二最小值和最大值的第二一维特征系列，使得第二维度与第一维度成角度地分离曝光旋转因数。

经由第一曝光来暴露光刻胶层可以包括经由定位于光刻胶层和光源之间的一维(1D)掩模层将光刻胶层暴露于光源。经由第二曝光来暴露光刻胶层可以包括经由定位于光刻胶层和光源之间的1D掩模层将光刻胶层暴露于光源，并且该方法可以进一步包括在经由第二曝光来暴露光刻胶层之前使1D掩模层旋转曝光旋转因数。

经由第一曝光来暴露光刻胶层可以包括将光刻胶层暴露于两个或更多个相干光源之间的干涉图案。经由第二曝光来暴露光刻胶层可以包括将光刻胶层暴露于干涉图案，使得该方法进一步包括在经由第二曝光来暴露光刻胶层之前使干涉图案旋转曝光旋转因数。

第一一维特征系列和第二一维特征系列可以基本相同。

第一一维特征系列可以由第一组参数定义，并且第二一维特征系列可以由至少部分地不同于第一组参数的第二组参数定义。第一组参数和第二组参数可以各自包括包含间距或填充因数的群组中的一个或多个。

该方法可以进一步包括基于第二曝光之后的光刻胶层来生成一个或多个二维光刻胶掩模图案。基于暴露的光刻胶层来生成一个或多个二维光刻胶掩模图案可以包括为二维光刻胶掩模图案中的每个选择一个或多个显影参数。

在实施例中，一种系统包括：光刻胶层；第一一维特征系列，该第一一维特征系列用于在光刻胶层的第一曝光期间提供沿着第一维度的照明强度的第一最小值和最大值；和第二一维特征系列，该第二一维特征系列用于在光刻胶层的第二曝光期间交替地提供沿着第二维度的照明强度的第二最小值和最大值，使得第二维度与第一维度成角度地分离曝光旋转因数。

第一一维特征系列可以包括定位于光刻胶层和光源之间的一维(1D)掩模层，使得第一曝光包括经由1D掩模层将光刻胶层暴露于光源。第二曝光可以包括经由1D掩模层将光刻胶层暴露于光源，使得在第二曝光之前使1D掩模层旋转曝光旋转因数。

第一一维特征系列可以包括在两个或更多个相干光源之间的干涉图案。第二一维特征系列还可以包括干涉图案，使得在第二曝光之前使干涉图案旋转曝光旋转因数。

第一一维特征系列和第二一维特征系列可以基本相同。

第一一维特征系列可以由第一组参数定义，使得第二一维特征系列由至少部分地不同于第一组参数的第二组参数定义。第一组参数和第二组参数可以各自包括包含间距或填充因数的群组中的一个或多个。

该系统可进一步包括光刻胶显影剂以基于第二曝光之后的光刻胶层来生成一个或多个二维光刻胶掩模图案。光刻胶显影剂可被配置成针对二维光刻胶掩模图案中的每个选择一个或多个显影参数。

在实施例中，一种方法包括：经由插置在光刻胶层和光源之间的掩模层，向光刻胶层提供沿着第一维度交替的照明强度的第一最小值和最大值；以及经由掩模层，向光刻胶层提供沿着与第一维度成角度地分离的第二维度交替的照明强度的第二最小值和最大值。

附图说明

通过参考附图，可以更好地理解本公开，并且本公开的许多特征和优点对于本领域技术人员而言变得显而易见。在不同附图中使用相同的附图标记指示相似或相同的项目。

图1示出了使用环形光源和一维掩模的光刻曝光场景。

图2示出了使用环形光源和一维掩模的另一光刻曝光场景。

图3示出了根据一些实施例的使用环形光源和一维掩模的光刻多次曝光场景。

图4示出了根据一些实施例的使用环形光源和一维掩模的另一光刻多次曝光场景。

图5-1至图5-4(统称为图5)描绘了根据一些实施例的通过在第二曝光之前将1D掩模旋转调整曝光旋转因数而生成的各种不同的2D光刻胶掩模图案。

图6-1至图6-4(统称为图6)描绘了根据一些实施例的通过在具有减小的曝光剂量的第二曝光之前将1D掩模旋转调整曝光旋转因数而生成的各种不同的2D光刻胶掩模图案。

图7-1至图7-4(统称为图7)描绘了根据一些实施例的通过使用由一个或多个不同参数定义的两个成角度地分离的1D掩模生成的各种不同的2D光刻胶掩模图案。

图8示出了根据一些实施例的用于在光刻胶层上生成二维图案的操作例程的示例流程图。

具体实施方式

用于2D光栅图案生成的先前蚀刻方法涉及为多个设计参数(诸如图案长度、宽度、间距、形状等)的每个变化创建单独的2D光刻掩模(掩模)。用于2D光栅图案生成的替代方法已利用电子束(e束)将相关2D图案直接写入到薄膜上以用作光刻掩模。然而，这两种先前方法都涉及用于创建大规模图案的相对长的工艺时间。

本文描述的实施例提供了经由一个或多个1D掩模或全息干涉蚀刻使用多次曝光序列来生成2D周期性纳米级图案的灵活工艺。此类工艺使得能够更快地制造例如在光学衍射光栅、半导体制造和二维纳米级光刻胶图案的其他应用中使用的2D掩模。此外，由于增加的相关联的灵活性、速度和成本效益，这种技术非常适合于研究和开发中的快速2D掩模创建。

在本文中所描述的某些实施例中，1D掩模包括基本上平面层，其具有一维交替开放特征系列(通过允许来自光源的能量穿过基本上平面层而提供强度最大值的部分或基本上透明特征)以及闭合特征(防止来自光源的能量穿过基本上平面层的部分或基本上不透明特征)，使得特征系列分别提供照明强度沿单一维度的交替最小值和最大值。

尽管下面描述了利用1D光刻掩模的多次曝光的各种这样的实施例，但是在其他实施例中，多次曝光可以利用全息干涉蚀刻(全息蚀刻)来提供基本上类似的效果。在全息蚀刻中，生成两个或更多个相干光源之间的干涉图案并将其记录在光刻胶层中。在某些实施例中，此干涉图案形成周期性一维特征系列，其以类似于经由1D掩模提供的方式提供交替的照明强度最小值和最大值。在进行一个或多个曝光后光刻工艺操作时，创建对应于周期性强度图案的光刻胶图案。

图1示出了使用环形光源101和一维(1D)掩模110的光刻曝光场景。1D掩模110的俯视描绘包括开放(透明/未阻挡)掩模部分111和闭合(不透明/阻挡)掩模部分112的交替竖直系列。图1进一步描绘通过1D掩模110暴露于环形光源101而产生的经暴露光刻胶层120的俯视图，其中俯视图中的变化说明在该光刻胶层处接收的相对所得光强度。特别地，较高强度曝光区120-1与较低强度曝光区120-2交替，该较高强度曝光区120-1与较低强度曝光区120-2直接且分别对应于1D掩模110的开放掩模部分111和闭合掩模部分112。经由相应的x轴和y轴提供1D掩模110和暴露的光刻胶层120的维度尺度，指示每个包括2μm×2μm的正方形面积。

如上所述，代替使用1D掩模110，在某些实施例中，全息蚀刻用于创建具有与经由1D掩模110的曝光所提供的参数基本相同的参数的曝光图案。

尽管本文讨论的实施例和场景在经由环形光源(诸如环形光源101)曝光的场境中呈现，但是应当理解，在各种实施例和场景中，可以使用其他类型和配置的光源。

图2示出了使用环形光源101和2μm x 2μm的1D掩模210的另一光刻曝光场景，其基本上与图1的1D掩模110相同(即，保持其相关参数)，但是相对于该1D掩模110的定向以90°的曝光旋转因数旋转地调整。因此，在图2的曝光场景中，1D掩模210的俯视描绘包括开放掩模部分211和闭合掩模部分212的交替水平系列。图2进一步包括通过1D掩模210曝光于环形光源101而产生的经暴露的光刻胶层220的俯视图，其中俯视图中的变化再次示出了在该光刻胶层处接收的所得相对光强度。特别地，较高强度曝光区220-1与较低强度曝光区220-2交替，较高强度曝光区220-1与较低强度曝光区220-2直接且分别对应于1D掩模210的开放掩模部分211和闭合掩模部分212。

图3示出了根据一些实施例的使用环形光源101和1D掩模310的光刻曝光场景。在所描绘的实施例中，环形光源101用于使用1D掩模310以竖直配置(类似于上文关于图1的1D掩模110所描述的定向)创建光刻胶层320的第一曝光，并且再次用于接着使用1D掩模310以水平配置(类似于上文关于图2的1D掩模210所描述的定向)创建相同光刻胶层320的第二曝光。结果，光刻胶层320表现出单位单元区域322的图案，每个单位单元区域由于第一曝光和第二曝光而暴露于变化的相对光强度。特别地，以类似于上面关于光刻胶层120和220所述的方式，多个单位单元区域322中的每个包括较高强度曝光区322-1和低强度曝光区322-2。

在某些实施例中，光刻胶层320可以根据各种阈值显影，每个阈值对应于不同的一组光刻胶化学性质和工艺条件参数(例如，光刻胶层厚度、加热温度等)。结果，相同的双重曝光技术可以用于产生各种柱(其中光刻胶层保留下面的材料的区域)或孔(其中光刻胶层用于去除下面的材料的区域，诸如经由一个或多个刻蚀工艺)。为了便于说明，在所描绘的实施例中，这样的化学性质和工艺条件参数的组被表示为在本文中被称为显影阈值的单个数值阈值。举例来说，在所描绘的实施例中，第一经显影的光刻胶层330对应于显影阈值0.3，而第二经显影的光刻胶层340对应于显影阈值0.35。这种不同的显影阈值可以用于从来自相同1D掩模的相同配置的曝光生成多个2D光刻胶掩模。例如，可以利用不同的显影阈值来形成互补柱/孔配置，而不是通过暴露具有相反极性的光刻胶元件来这样做。

如上所述，代替使用1D掩模310，在某些实施例中，全息蚀刻用于创建具有与经由1D掩模310的曝光所提供的参数基本相同的参数的曝光图案。

图4示出了根据一些实施例的使用环形光源101和1D掩模410的另一光刻曝光场景。在所描绘的实施例中，经由旋转调整的1D掩模410的三个单独曝光来创建具有三轴对称性的2D单位单元图案，在所示场景中，该旋转调整的1D掩模410具有400nm的示例间距参数(指示1D掩模的周期，或其重复特征之间的间隔)和50％的填充因数参数(指示一半的表面区是开放的而另一半的表面区是闭合的)。

在所描绘的实施例中，环形光源101用于以竖直配置使用1D掩模410来创建光刻胶层420的第一曝光，在本文中称为0°旋转(类似于上文关于图1的1D掩模110所描述的定向)；相同光刻胶层420的第二曝光，其中1D掩模410相对于用于第一曝光的掩模旋转地调整120°；以及相同光刻胶层420的第三曝光，其中1D掩模410相对于用于第一曝光的掩模旋转地调整240°。(应当理解，在各种实施例和场景中可以利用使用1D掩模410的替代曝光序列，诸如通过在经由1D掩模410的120°旋转暴露光刻胶层420之前经由1D掩模410的240°旋转暴露光刻胶层420，或其他序列。结果，由于第一、第二和第三曝光，光刻胶层420表现出具有变化的相对光强度的单位单元区域的三角形对称图案。

以类似于上文关于图3的经显影的光刻胶层330、340所描述的方式，可根据各种显影阈值使用上文所描述的三重曝光技术生成各种不同的经显影的光刻胶掩模图案。作为参考，图4包括显影阈值指数425，其图形地描绘了0.00和1.05之间的显影阈值的描画。

根据显影阈值指数445，使用显影阈值0.6的经显影的光刻胶层430包括由低强度曝光区域432包围的圆形高强度曝光区域431的六边形布置图案。形成对比的是，使用显影阈值0.45的经显影的光刻胶层440包括由高强度曝光区域441包围的三角形低强度曝光区域442的六边形布置图案。因此，可以利用各种显影阈值来配置和生成各种不同的经显影的光刻胶掩模图案。

如上所述，代替使用1D掩模410，在某些实施例中，全息蚀刻用于创建具有与经由1D掩模410的曝光所提供的参数基本相同的参数的曝光图案。

在各种场景和实施例中，可以通过修改一个或多个连续曝光的旋转角来调节在2D光刻掩模中生成的单位单元图案，如下所述。

图5描绘了通过以类似于上面关于图3描述的方式旋转地调整用于第二曝光的1D掩模(诸如分别为图1至图4的1D掩模110、210、310、410中的一个)而生成的八个不同的2D光刻胶掩模图案520、530、540、550、560、570、580、590。也就是说，2D光掩模图案520、530、540、550、560、570、580、590中的每个是通过下述过程生成的：经由与用于第一曝光相同的1D掩模来曝光相应光刻胶层，然后将该1D掩模旋转不同旋转角度以进行第二曝光。

特别地，通过将1D掩模旋转20°以进行第二曝光来生成光刻胶层520；通过将1D掩模旋转30°以进行第二曝光来生成光刻胶层530；通过将1D掩模旋转40°以进行第二曝光来生成光刻胶层540；通过将1D掩模旋转50°以进行第二曝光来生成光刻胶层550；通过将1D掩模旋转60°以进行第二曝光来生成光刻胶层560；通过将1D掩模旋转70°以进行第二曝光来生成光刻胶层570；通过将1D掩模旋转80°以进行第二曝光来生成光刻胶层580；以及通过将1D掩模旋转90°以进行第二曝光来生成光刻胶层590(以类似于上面关于图3描述的1D掩模310的90°旋转的方式)。

如可从图5中所描绘的相应光刻胶层看出，所得单位单元图案以及其相应内部高强度和低强度曝光区域的形状在那些相应光刻胶层之间广泛变化。因此，除了通过调节其各自的显影阈值来配置和生成不同种类的经显影的光刻胶掩模图案之外，还可以通过调整用于连续曝光的1D掩模的旋转角度来配置和生成附加种类的光刻胶掩模图案。

在各种场景和实施例中，可以通过在一个或多个连续曝光期间修改施加到2D光刻掩模的剂量来调节在2D光刻掩模中生成的单位单元图案，如下所述。

图6描绘了通过以类似于上面关于图5的2D光刻胶掩模图案520、530、540、550、560、570、580、590描述的方式旋转地调整用于第二曝光的1D掩模(诸如分别为图1至图4的1D掩模110、210、310、410中的一个)而生成的八个不同的2D光刻胶掩模图案620、630、640、650、660、670、680、690。然而，用于生成2D光刻胶掩模图案620、630、640、650、660、670、680、690的第二曝光涉及将在该第二曝光期间使用的剂量减少20％。在各种实施例和场景中，可以以各种方式修改剂量。作为非限制性示例，可以通过调整光源(诸如图1至图4的环形光源101)的强度、暴露光刻胶层的持续时间和/或光源的波长中的一个或多个来修改一个或多个连续曝光。

特别地，并且以与上面关于图5描述的方式类似的方式，通过将1D掩模旋转20°以进行第二曝光来生成光刻胶层620；通过将1D掩模旋转30°以进行第二曝光来生成光刻胶层630；通过将1D掩模旋转40°以进行第二曝光来生成光刻胶层640；通过将1D掩模旋转50°以进行第二曝光来生成光刻胶层650；通过将1D掩模旋转60°以进行第二曝光来生成光刻胶层660；通过将1D掩模旋转70°以进行第二曝光来生成光刻胶层670；通过将1D掩模旋转80°以进行第二曝光来生成光刻胶层680；以及通过将1D掩模旋转90°以进行第二曝光来生成光刻胶层690。然而，对于所有光刻胶层620、630、640、650、660、670、680、690，第二曝光的剂量减少20％。

如可从图6中所描绘的相应光刻胶层看出，所得单位单元图案以及其相应内部高强度和低强度曝光区域的形状以不同于图5的对应单位单元图案中呈现的变化的方式进行变化。特别地，第二曝光的减少的剂量导致由光刻胶层620、630、640、650、660、670、680、690呈现的相应高强度区域和低强度区域的不同伸长。

因此，除了通过调节其相应的显影阈值和/或旋转角度来配置和生成不同种类的显影光刻胶掩模图案之外，还可以通过调整对于1D掩模下面的光刻胶层连续暴露的剂量来配置和生成附加种类的光刻胶掩模图案。

在各种场景和实施例中，可以通过修改用于在一个或多个连续曝光期间将2D光刻掩模暴露于光源的第二1D掩模的一个或多个参数来调节针对该2D光刻掩模生成的单位单元图案，如下所述。

图7描绘了八个不同的2D光刻胶掩模图案720、730、740、750、760、770、780、790，其通过以类似于上面关于图5的2D光刻胶掩模图案520、530、540、550、560、570、580、590和图6的2D光刻胶掩模图案620、630、640、650、660、670、680、690描述的方式旋转地调整用于第二曝光的1D掩模(诸如分别为图1至图4的1D掩模110、210、310、410中的一个)来生成。然而，使用具有与在第一曝光期间所使用的第一1D掩模不同的参数的第二1D掩模来执行用于生成2D光刻胶掩模图案720、730、740、750、760、770、780、790的第二曝光。特别地，在图7所描绘的示例中，2D光刻胶掩模图案720、730、740、750、760、770、780、790中的每个已在第一曝光期间经由具有400nm的间距的第一1D掩模暴露于光源，然后在第二曝光期间经由具有300nm的间距(使得第二1D掩模的重复特征比第一1D掩模的重复特征更紧密地间隔开)的经旋转的第二1D掩模暴露于该光源。

在各种实施例和场景中，相应1D掩模的各种参数(或在经由全息蚀刻提供的干涉图案的相应配置中使用的那些参数)在光刻胶层的连续曝光期间可以是不同的，使得用于第一曝光的1D掩模的第一一维特征系列由第一组参数定义，并且用于一个或多个连续曝光的1D掩模的第二一维特征系列由至少部分地不同于第一组参数的第二组参数定义。作为非限制性示例，这样的参数可以包括间距、填充因数等。

作为示例，并且以与上面关于图5和图6描述的方式类似的方式，通过将1D掩模旋转20°的曝光旋转因数以进行第二曝光来生成光刻胶层720；通过将1D掩模旋转30°的曝光旋转因数以进行第二曝光来生成光刻胶层730；通过将1D掩模旋转40°的曝光旋转因数以进行第二曝光来生成光刻胶层740；通过将1D掩模旋转50°的曝光旋转因数以进行第二曝光来生成光刻胶层750；通过将1D掩模旋转60°的曝光旋转因数以进行第二曝光来生成光刻胶层760；通过将1D掩模旋转70°的曝光旋转因数以进行第二曝光来生成光刻胶层770；通过将1D掩模旋转80°的曝光旋转因数以进行第二曝光来生成光刻胶层780；以及通过将1D掩模旋转90°的曝光旋转因数以进行第二曝光来生成光刻胶层790。然而，用于第一曝光的第一1D掩模由其周期性特征之间的400nm间距定义，而用于第二曝光的第二1D掩模对应地由300nm间距定义。从相应的2D光刻胶掩模图案720、730、740、750、760、770、780、790可以看出，所得的单位单元图案以及它们相应的内部高强度和低强度曝光区域的形状以不同于图5和图6的对应单位单元图案中呈现的变化的方式进行变化。

因此，除了通过调节其相应的显影阈值、旋转角度和剂量来配置和生成不同种类的经显影的光刻胶掩模图案之外，还可以通过调整用于一个或多个连续曝光的1D掩模的一个或多个参数来配置和生成附加种类的光刻胶掩模图案。

图8示出了根据一些实施例的用于在光刻胶层上生成二维图案的操作例程800的示例流程图。

例程在框805处继续，其中提供光刻胶层。例程进行到框810。

在框810处，提供第一一维特征系列，使得特征提供沿着第一维度的照明强度的最小值和最大值。例程进行到框815。

在框815处，在第一曝光期间将光刻胶层暴露于第一一维特征系列。例程进行到框820。

在框820处，提供第二一维特征系列，使得特征提供沿着第二维度的照明强度的最小值和最大值。例程进行到框825。

在框825处，在第二曝光期间将光刻胶层暴露于第二一维特征系列。例程进行到框830。

在框830处，基于经暴露的光刻胶层来生成一个或多个二维光刻胶掩模图案。

在一些实施例中，上述技术的某些方面可以由执行软件的处理系统的一个或多个处理器来实现。软件包括存储或以其他方式有形地体现在非暂时性计算机可读存储介质上的一组或多组可执行指令。软件可以包括指令和某些数据，这些指令和某些数据在由一个或多个处理器执行时操纵该一个或多个处理器以执行上述技术的一个或多个方面。非暂时性计算机可读存储介质可以包括例如磁盘或光盘存储设备、诸如闪存的固态存储设备、高速缓存、随机存取存储器(RAM)或其他非易失性存储器设备等。存储在非暂时性计算机可读存储介质上的可执行指令可以是源代码、汇编语言代码、目标代码或由一个或多个处理器解释或以其他方式可执行的其他指令格式。

计算机可读存储介质可以包括在使用期间可由计算机系统访问以向计算机系统提供指令和/或数据的任何存储介质或存储介质的组合。这样的存储介质可以包括但不限于光学介质(例如，压缩光盘(CD)、数字多功能光盘(DVD)、蓝光光盘)、磁介质(例如，软盘、磁带或磁性硬盘驱动器)、易失性存储器(例如，随机存取存储器(RAM)或高速缓存)、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM)或闪存)或基于微机电系统(MEMS)的存储介质。计算机可读存储介质可以嵌入计算系统(例如，系统RAM或ROM)中，固定地附接到计算系统(例如，磁性硬盘驱动器)，可移除地附接到计算系统(例如，光盘或基于通用串行总线(USB)的闪存)，或者经由有线或无线网络(例如，网络可访问存储(NAS))而耦合到计算机系统。

注意，不需要上面在一般描述中描述的所有活动或要素，可以不需要特定活动或设备的一部分，并且除了所描述的那些之外，还可以执行一个或多个另外的活动或包括的元件。此外，列出活动的顺序不一定是它们被执行的顺序。而且，已经参考具体实施例描述了概念。然而，本领域普通技术人员理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的范围的情况下，可以进行各种修改和改变。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而不是限制性的，并且所有这些修改旨在包括在本公开的范围内。

上面已经关于特定实施例描述了益处、其他优点和问题的解决方案。然而，益处、优点、问题解决方案以及可能导致任何益处、优点或解决方案发生或变得更明显的任何特征不应被解释为任何或所有权利要求的关键、必需或必要特征。此外，以上公开的特定实施例仅是说明性的，因为所公开的主题可以以受益于本文教导的本领域技术人员显而易见的不同但等效的方式来修改和实践。除了在所附权利要求中描述的之外，不旨在限制本文所示的构造或设计的细节。因此，显而易见的是，上面公开的特定实施例可以被改变或修改，并且所有这样的变化被认为在所公开的主题的范围内。因此，本文所寻求的保护如所附权利要求书中所阐述。

Claims (20)

1.一种方法，包括：

经由第一曝光将光刻胶层暴露于第一一维特征系列，其中，所述第一一维特征系列提供沿着第一维度的照明强度的交替的第一最小值和最大值；以及

经由第二曝光将所述光刻胶层暴露于第二一维特征系列，其中，所述第二一维特征系列提供沿着第二维度的照明强度的交替的第二最小值和最大值，所述第二维度与所述第一维度成角度地分离曝光旋转因数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，经由所述第一曝光暴露所述光刻胶层包括经由定位于所述光刻胶层与光源之间的一维1D掩模层将所述光刻胶层暴露于所述光源。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，经由所述第二曝光暴露所述光刻胶层包括经由定位于所述光刻胶层与所述光源之间的所述1D掩模层将所述光刻胶层暴露于所述光源，并且其中，所述方法进一步包括在经由所述第二曝光暴露所述光刻胶层之前使所述1D掩模层旋转所述曝光旋转因数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，经由所述第一曝光暴露所述光刻胶层包括将所述光刻胶层暴露于两个或更多个相干光源之间的干涉图案。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，经由所述第二曝光暴露所述光刻胶层包括将所述光刻胶层暴露于所述干涉图案，并且其中，所述方法进一步包括在经由所述第二曝光暴露所述光刻胶层之前使所述干涉图案旋转所述曝光旋转因数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一一维特征系列和所述第二一维特征系列基本上相同。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一一维特征系列由第一组参数定义，并且其中，所述第二一维特征系列由第二组参数定义，所述第二组参数至少部分地不同于所述第一组参数。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一组参数和所述第二组参数各自包括间距和填充因数中的一个或多个。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括基于所述第二曝光之后的所述光刻胶层来生成一个或多个二维光刻胶掩模图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，基于所述第二曝光之后的所述光刻胶层来生成所述一个或多个二维光刻胶掩模图案包含针对所述一个或多个二维光刻胶掩模图案中的每个选择一个或多个显影参数。

11.一种系统，包括：

光刻胶层；

第一一维特征系列，所述第一一维特征系列用于在所述光刻胶层的第一曝光期间提供沿着第一维度的照明强度的第一最小值和最大值；以及

第二一维特征系列，所述第二一维特征系列用于在所述光刻胶层的第二曝光期间交替地提供沿着第二维度的照明强度的第二最小值和最大值，其中，所述第二维度与所述第一维度成角度地分离曝光旋转因数。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一一维特征系列包括定位于所述光刻胶层与光源之间的一维1D掩模层，并且其中，所述第一曝光包括经由所述1D掩模层将所述光刻胶层暴露于所述光源。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述第二曝光包括经由所述1D掩模层将所述光刻胶层暴露于所述光源，并且其中，在所述第二曝光之前所述1D掩模层被旋转所述曝光旋转因数。

14.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一一维特征系列包括两个或更多个相干光源之间的干涉图案。

15.根据权利要求14所述的系统，其中，所述第二一维特征系列包括所述干涉图案，并且其中，在所述第二曝光之前所述干涉图案被旋转所述曝光旋转因数。

16.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一一维特征系列和所述第二一维特征系列基本上相同。

17.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第一一维特征系列由第一组参数定义，并且其中，所述第二一维特征系列由第二组参数定义，所述第二组参数至少部分地不同于所述第一组参数。

18.根据权利要求11所述的系统，进一步包括光刻胶显影剂，以基于所述第二曝光之后的所述光刻胶层来生成一个或多个二维光刻胶掩模图案。

19.根据权利要求18所述的系统，其中，所述光刻胶显影剂被配置成针对所述一个或多个二维光刻胶掩模图案中的每个选择一个或多个显影参数。

20.一种方法，包括：

经由插置在光刻胶层和光源之间的掩模层，向所述光刻胶层提供沿着第一维度的照明强度的交替的第一最小值和最大值；以及

经由所述掩模层，向所述光刻胶层提供沿着第二维度的照明强度的交替的第二最小值和最大值，所述第二维度与所述第一维度成角度地分离。