CN117563260A - 一种高纯乙硅烷制备系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高纯乙硅烷制备系统，涉及化学制备装置技术领域，包括反应釜，所述反应釜的出口端设置有分离器，所述分离器的出口端设置有精馏塔，所述精馏塔上固定安装有外框，所述外框的内部固定安装有外环，所述外环上转动安装有多个套环，所述套环上固定安装有两个填料框，所述外框上设置有清洗机构；所述外框上设置有驱动机构，所述驱动机构驱使各层套环错时转动，以使得各层的填料框在同一驱动件进行转动并在转动更换过程中进行清洗。本发明使得填料框内的填料错开清洗，避免大量填料同时转动清洗时，上层填料清洗下来的化学组分影响下层的清洗效果，且更换填料时可直接进行清洗，大大提高清洗效率。
Description
技术领域
本发明涉及化学制备装置技术领域，具体涉及一种高纯乙硅烷制备系统。
背景技术
高纯乙硅烷是太阳能电池、非晶硅膜、化学沉积等过程中重要的原料，主要应用包括半导体技术生长氮化硅膜，氧化硅膜，在化学沉积工艺中，与硅烷比较具有沉积速度快、沉积温度低特点。可以防止无定形硅中产生球状凸起，提高沉积的均一性，主要使用在20纳米以下高端芯片制造。在离子注入中，乙硅烷束流强，效果优于其他离子源。在半导体工艺中用于外延和扩散工艺，使用乙硅烷，可以使用价格低的玻璃取代昂贵的石英玻璃做LCD的基板；
乙硅烷在生产过程中需要使用精馏塔进行提纯，而精馏塔在长时间使用后其内部填料会产生残留，因此需要对其进行清理以及更换，避免影响后续反应，而现有填料的清洗需要将其完全取出进行清洗然后再换入，填料的一取一放需要耗费大量时间，从而影响生产的进度。
发明内容
本发明的目的是提供一种高纯乙硅烷制备系统，以解决现有技术中的上述不足之处。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高纯乙硅烷制备系统，包括反应釜，所述反应釜的出口端设置有分离器，所述分离器的出口端设置有精馏塔，所述精馏塔上固定安装有外框，所述外框的内部固定安装有外环，所述外环上转动安装有多个套环，所述套环上固定安装有两个填料框，所述外框上设置有清洗机构；所述外框上设置有驱动机构，所述驱动机构驱使各层套环错时转动，以使得各层的填料框在同一驱动件进行转动并在转动更换过程中进行清洗，且填料框在转动时将对内部填料进行连续性震动，使得清洁液在填料上带动化学组分快速震落。
作为优选，所述驱动机构包括固定安装在外框上的伺服电机，所述伺服电机的输出端固定安装有连接杆，所述连接杆上固定安装有直杆，所述直杆上竖直滑动安装有滑杆，所述外环上开设有与滑杆尺寸相适配的螺旋槽；
所述套环上开设有滑槽。
作为优选，所述外框上滑动安装有插板，所述插板的截面呈T形，所述插板的短臂端和外框之间固定安装有第一弹簧，所述插板位于外框内部的一端开设有弧形槽。
作为优选，所述插板上固定安装有挡条。
作为优选，所述填料框内固定安装有顶环，所述填料框内滑动安装有底环。
作为优选，所述套环内竖直滑动安装有圆环，所述圆环上滑动安装有伸缩块，所述圆环上固定安装有连接绳，所述套环内转动安装有连接轴，所述套环的内部转动安装有转块，所述连接绳远离圆环的一端和转块固定连接；
所述套环内滑动安装有错位杆，所述底环的底端固定安装有底块，所述错位杆靠近底块的一端设置有倒角，所述错位杆上固定安装有凸杆，所述转块上圆周阵列设置有若干抵接块。
作为优选，所述套环上固定安装有连接板，所述连接板远离套环的一端和填料框固定连接，所述错位杆上固定安装有凸板，所述凸板和连接板内壁之间固定安装有复位弹簧。
作为优选，所述转块上固定安装有转轴，所述转轴和套环之间固定安装有卷簧。
作为优选，所述伸缩块上开设有通槽，所述套环的内底壁固定安装有插块，所述伸缩块远离滑杆的一端和圆环之间固定安装有第二弹簧。
作为优选，所述外环上开设有环槽，所述套环的内壁固定安装有凸块。
在上述技术方案中，本发明提供一种高纯乙硅烷制备系统，具备以下有益效果：驱动机构驱动一个直杆转动可带动多层套环错时转动，即当直杆转动时，先带动第一层的套环转动，从而使得第一层的两个填料框进行转动对换位置，当第一层两个填料框位置对换完成后，直杆将继续转动从而带动第二层套环转动，以此使得第二层两个填料框转动对换位置，依次类推使得三层填料框错时转动，从而使得填料框内的填料错开清洗，避免大量填料同时转动清洗时，上层填料清洗下来的化学组分影响下层的清洗效果，且更换填料时可直接进行清洗，大大提高清洗效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的立体结构示意图；
图2为本发明实施例提供的图1的部分结构示意图；
图3为本发明实施例提供的图2的A处结构示意图；
图4为本发明实施例提供的填料框的部分结构示意图；
图5为本发明实施例提供的图4的部分结构示意图；
图6为本发明实施例提供的图5的B处结构示意图；
图7为本发明实施例提供的直杆的部分结构示意图；
图8为本发明实施例提供的圆环的部分结构示意图；
图9为本发明实施例提供的伸缩块的部分结构示意图；
图10为本发明实施例提供的套环的部分结构示意图。
附图标记说明：
1、精馏塔；21、外框；22、伺服电机；23、连接杆；24、外环；241、环槽；242、螺旋槽；25、直杆；26、滑杆；31、圆环；32、伸缩块；321、通槽；33、连接绳；34、连接轴；35、转块；36、抵接块；37、错位杆；371、凸杆；372、凸板；38、底块；39、插块；4、挡板；51、填料框；52、顶环；53、底环；54、套环；541、滑槽；55、连接板；61、插板；62、挡条；7、挡块；8、清洗机构。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合附图对本发明作进一步的详细介绍。
请参阅图1-10，一种高纯乙硅烷制备系统，包括反应釜，反应釜的出口端设置有分离器，分离器的出口端设置有精馏塔1，精馏塔1上固定安装有外框21，外框21的内部固定安装有外环24，外环24上转动安装有多个套环54，套环54上固定安装有两个填料框51，外框21上设置有清洗机构8；外框21上设置有驱动机构，驱动机构驱使各层套环54错时转动，以使得各层的填料框51在同一驱动件进行转动并在转动更换过程中进行清洗，且填料框51在转动时将对内部填料进行连续性震动，使得清洁液在填料上带动化学组分快速震落；
其中每两个填料框51固定安装在一个套环54上，多层套环54独立转动，而驱动机构驱动一个直杆25转动可带动多层套环54错时转动，即当直杆25转动时，先带动第一层的套环54转动，从而使得第一层的两个填料框51进行转动对换位置，当第一层两个填料框51位置对换完成后，直杆25将继续转动从而带动第二层套环54转动，以此使得第二层两个填料框51转动对换位置，依次类推使得三层填料框51错时转动，从而使得填料框51内的填料错开清洗，避免大量填料同时转动清洗时，上层填料清洗下来的化学组分影响下层的清洗效果。
本发明的另一个实施例中：驱动机构包括固定安装在外框21上的伺服电机22，伺服电机22的输出端固定安装有连接杆23，连接杆23上固定安装有直杆25，直杆25上竖直滑动安装有滑杆26，外环24上开设有与滑杆26尺寸相适配的螺旋槽242；
套环54上开设有滑槽541；
其中通过伺服电机22带动直杆25转动，直杆25将带动滑杆26进行转动，此时滑杆26位于螺旋槽242内，随着直杆25的转动，滑杆26将沿着螺旋槽242下降，同时滑杆26也跟随直杆25进行转动，这时滑杆26将通过滑槽541带动套环54转动，此时套环54将在外环24表面转动，从而带动其上的两个填料框51进行位置更换，同时填料框51在转动至清洗机构8下方时，清洗机构8的水流将冲洗填料框51内的填料，其中清洗机构8包括进水管和出水喷头，从而方便对填料进行高压冲洗，且三层填料框51在同一驱动源带动直杆25同频转动的情况错时更换并清洗，当滑杆26在螺旋槽242内向下移动时，滑杆26带动第一个套环54转动180°后将从第一个套环54的底端移出并进入第二个套环54内，这时滑杆26将不再带动第一个套环54转动，同时滑杆26将带动第二个套环54转动，而这时第一个套环54将停止转动，此时三层填料框51错时转动将使得各层填料框51内的填料错开清洗，从而使得清洗的效果更好；
其中滑槽541的上下两端均朝外开口设置，呈外“八”形，其中螺旋槽242半圈的高度和套环54的高度相一致，因此滑杆26通过螺旋槽242进行移动时，滑杆26跟随半圈螺旋槽242进行移动后，将从套环54的顶端移动至套环54的底端，同时外八形的开口设置使得滑杆26更容易进入套环54的滑槽541内。
本发明的另一个实施例中：外框21上滑动安装有插板61，插板61的截面呈T形，插板61的短臂端和外框21之间固定安装有第一弹簧，插板61位于外框21内部的一端开设有弧形槽；
其中插板61上弧形槽的两尖端设置有圆角，当填料框51靠近插板61时，其将抵接在圆角上，从而推动插板61朝外框21外移动，同时弧形槽的尺寸和填料框51的尺寸相适配，当填料框51通过套环54转动180°后，此时被清洗过的填料框51将转动至于插板61正对设置，此时插板61将在其表面第一弹簧的拉动下通过弧形槽紧紧卡在填料框51上，从而限制填料框51的自由转动。
本发明的另一个实施例中：插板61上固定安装有挡条62；
其中通过挡条62限制插板61插入外框21内的深度太深。
本发明的另一个实施例中：填料框51内固定安装有顶环52，填料框51内滑动安装有底环53；
其中顶环52和底环53上均固定安装有承载网，填料放置在底环53上配合顶环52对其进行限制。
本发明的另一个实施例中：套环54内竖直滑动安装有圆环31，圆环31上滑动安装有伸缩块32，圆环31上固定安装有连接绳33，套环54内转动安装有连接轴34，套环54的内部转动安装有转块35，连接绳33远离圆环31的一端和转块35固定连接；
套环54内滑动安装有错位杆37，底环53的底端固定安装有底块38，错位杆37靠近底块38的一端设置有倒角，错位杆37上固定安装有凸杆371，转块35上圆周阵列设置有若干抵接块36；
其中连接绳33缠绕在转块35上，且连接绳33通过连接轴34向下设置，当滑杆26在螺旋槽242和滑槽541内下移时，滑杆26将带动伸缩块32下移，此时伸缩块32将带动圆环31下移，圆环31将拉动连接绳33移动，而连接绳33远离圆环31的一端缠绕在转块35上，当圆环31拉动连接绳33移动时，连接绳33将带动转块35进行转动，随着转块35的转动，转块35上的抵接块36将抵接凸杆371移动，这时凸杆371将带动错位杆37移动，从而使得错位杆37抵接底块38，这时底块38将带动底环53上升，同时若干抵接块36间隔设置，当一个抵接块36从凸杆371表面完全移走时，错位杆37将在复位弹簧的拉动下复位，从而使得凸杆371接受下一个抵接块36的抵接，从而使得错位杆37在抵接块36和复位弹簧的配合下高频往复移动，而在转动填料框51进行更换的同时被动式的进行震动，使得底环53上下震动，以此使得底环53上的各填料配合清洗液更好的震掉化学组分，从而提高清洗效果。
本发明的另一个实施例中：套环54上固定安装有连接板55，连接板55远离套环54的一端和填料框51固定连接，错位杆37上固定安装有凸板372，凸板372和连接板55内壁之间固定安装有复位弹簧；
其中错位杆37滑动贯穿连接板55，当凸杆371被抵接块36推动进行移动时，复位弹簧将被拉伸，随着凸杆371和抵接块36的脱离，此时复位弹簧将拉动错位杆37复位。
本发明的另一个实施例中：转块35上固定安装有转轴，转轴和套环54之间固定安装有卷簧；
其中当圆环31下降时，连接绳33拉动转块35转动，此时卷簧将蓄能，同时转块35通过转轴和套环54转动，当滑杆26从伸缩块32上脱离后，卷簧将释放，从而带动转块35朝反方向转动，此时转块35将收卷连接绳33，从而拉动圆环31上升，同时抵接块36两端均设置有斜边，从而使得转块35无论正转反转均不会被凸杆371所阻碍转动。
本发明的另一个实施例中：伸缩块32上开设有通槽321，套环54的内底壁固定安装有插块39，伸缩块32远离滑杆26的一端和圆环31之间固定安装有第二弹簧；
其中当圆环31移动至下方时，此时插块39将插入通槽321内，这时插块39将与通槽321的斜边相抵接，从而推动伸缩块32将其收缩至圆环31内，从而使得滑杆26得以从伸缩块32上移走，其中伸缩块32远离第二弹簧的一端设置有斜边，当滑杆26上移时，滑杆26将抵接在伸缩块32的斜边上，从而使得伸缩块32朝远离滑杆26的方向移动，使得滑杆26得以上升。
本发明的另一个实施例中：外环24上开设有环槽241，套环54的内壁固定安装有凸块；
其中凸块滑动插设在环槽241内，此时套环54通过凸块和环槽241的配合在外环24表面进行转动。
其中精馏塔1上开设有开槽，精馏塔1的内壁固定安装有电动推杆，电动推杆的输出端固定安装有弧形挡板4，开槽的内顶壁固定安装有挡块7；当需要对填料进行清洗更换时，通过电动推杆使得挡板4下将，这时开槽将被打开，此时填料框51得以被转出精馏塔1，同时挡板4上开设有凹槽，凹槽的尺寸和连接板55的尺寸相适配，当填料框51位于精馏塔1内部时，升起挡板4，此时挡板4上的凹槽将卡在连接板55上，限制套环54的转动，同时挡板4配合挡块7将对连接板55四周进行密封。
以上只通过说明的方式描述了本发明的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本发明权利要求保护范围的限制。
Claims (10)
1.一种高纯乙硅烷制备系统，包括反应釜，所述反应釜的出口端设置有分离器，所述分离器的出口端设置有精馏塔(1)，其特征在于，所述精馏塔(1)上固定安装有外框(21)，所述外框(21)的内部固定安装有外环(24)，所述外环(24)上转动安装有多个套环(54)，所述套环(54)上固定安装有两个填料框(51)，所述外框(21)上设置有清洗机构(8)；
所述外框(21)上设置有驱动机构，所述驱动机构驱使各层套环(54)错时转动，以使得各层的填料框(51)在同一驱动件进行转动并在转动更换过程中进行清洗，且填料框(51)在转动时将对内部填料进行连续性震动，使得清洁液在填料上带动化学组分快速震落。
2.根据权利要求1所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述驱动机构包括固定安装在外框(21)上的伺服电机(22)，所述伺服电机(22)的输出端固定安装有连接杆(23)，所述连接杆(23)上固定安装有直杆(25)，所述直杆(25)上竖直滑动安装有滑杆(26)，所述外环(24)上开设有与滑杆(26)尺寸相适配的螺旋槽(242)；
所述套环(54)上开设有滑槽(541)。
3.根据权利要求2所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述外框(21)上滑动安装有插板(61)，所述插板(61)的截面呈T形，所述插板(61)的短臂端和外框(21)之间固定安装有第一弹簧，所述插板(61)位于外框(21)内部的一端开设有弧形槽。
4.根据权利要求3所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述插板(61)上固定安装有挡条(62)。
5.根据权利要求1所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述填料框(51)内固定安装有顶环(52)，所述填料框(51)内滑动安装有底环(53)。
6.根据权利要求5所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述套环(54)内竖直滑动安装有圆环(31)，所述圆环(31)上滑动安装有伸缩块(32)，所述圆环(31)上固定安装有连接绳(33)，所述套环(54)内转动安装有连接轴(34)，所述套环(54)的内部转动安装有转块(35)，所述连接绳(33)远离圆环(31)的一端和转块(35)固定连接；
所述套环(54)内滑动安装有错位杆(37)，所述底环(53)的底端固定安装有底块(38)，所述错位杆(37)靠近底块(38)的一端设置有倒角，所述错位杆(37)上固定安装有凸杆(371)，所述转块(35)上圆周阵列设置有若干抵接块(36)。
7.根据权利要求6所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述套环(54)上固定安装有连接板(55)，所述连接板(55)远离套环(54)的一端和填料框(51)固定连接，所述错位杆(37)上固定安装有凸板(372)，所述凸板(372)和连接板(55)内壁之间固定安装有复位弹簧。
8.根据权利要求6所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述转块(35)上固定安装有转轴，所述转轴和套环(54)之间固定安装有卷簧。
9.根据权利要求6所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述伸缩块(32)上开设有通槽(321)，所述套环(54)的内底壁固定安装有插块(39)，所述伸缩块(32)远离滑杆(26)的一端和圆环(31)之间固定安装有第二弹簧。
10.根据权利要求2所述的一种高纯乙硅烷制备系统，其特征在于，所述外环(24)上开设有环槽(241)，所述套环(54)的内壁固定安装有凸块。
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