CN117558238A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括：多个像素单元，设置于显示面板的显示区域；发光单元，设置于显示面板的非显示区域，发光单元的有机发光器件和像素单元的有机发光器件的结构相同；第一探测单元，设置于显示面板的非显示区域、且对应发光单元，第一探测单元被配置为探测发光单元的第一亮度信息，以便通过第一亮度信息的变化情况对像素单元的数据信号进行信号补偿。通过上述方法，利用探测单元探测发光单元的亮度信息，引起探测单元的电流变化，根据电流变化对像素单元的数据信号进行补偿以实现显示面板的亮度稳定。

Description

一种显示面板及其制作方法

技术领域

本申请主要涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中。由于它自发光的特性，与液晶显示屏(LCD，LiquidCrystal Display)相比，有源矩阵有机发光二极体(AMOLED，Active-matrix OrganicLight-Emitting Diode)具有高对比度、超轻薄、可弯曲等诸多优点。

有机发光二极管产品在终端市场相比于液晶显示屏还会遇到残影和亮度衰减的问题，相对于液晶显示屏背光无机发光材料，有机发光材料的稳定性会受影响；并且随着时间变化不仅使得薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)的电性发生变化，有机发光二极管器件也会发生恶化，一般薄膜晶体管器件的恶化可以通过外部或内部补偿电路实现数据输入端的补偿；但是对于有机发光二极管而言，在相同电流下会发生亮度衰减的状况，并且由于目前还没有良好的方式去探测OLED在电流不变的情况下的亮度的变化情况，所以目前没有合适的补偿方式对这种状况进行补偿。故有机发光二极管在相同电流下发生亮度衰减的问题仍亟待解决。

发明内容

本申请的主要目的是提出一种显示面板及其制作方法，以解决有机发光二极管在相同电流下发生亮度衰减，从而导致其发光效率降低以及在长时间工作的条件下发生亮度下降和产生残影的问题。

为解决上述问题，本申请提供一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括：多个像素单元，设置于显示面板的显示区域；发光单元，设置于显示面板的非显示区域，发光单元的有机发光器件和像素单元的有机发光器件的结构相同；第一探测单元，设置于显示面板的非显示区域、且对应发光单元，第一探测单元被配置为探测发光单元的第一亮度信息，以便通过第一亮度信息的变化情况对像素单元的数据信号进行信号补偿。

在一实施例中，第一探测单元包括层叠设置的第一电极层、光感层和第二电极层，光感层用于探测发光单元的亮度，以在第一电极层和第二电极层之间产生探测电流，探测电流用于表示发光单元的亮度。

在一实施例中，光感层为非晶硅层。

在一实施例中，有机发光器件包括层叠设置的阳极层、发光层和阴极层，阳极层配置为采用恒流驱动。

在一实施例中，发光层为红色发光层。

在一实施例中，显示面板还包括第二探测单元，设置于显示面板的非显示区域、且与发光单元错位设置，第二探测单元被配置为探测外部自然光的第二亮度信息，以便根据第一亮度信息和第二亮度信息的差异确定发光单元的第三亮度信息，通过第三亮度信息的变化情况对像素单元的数据信号进行信号补偿。

为解决上述问题，本申请还提供一种显示面板的制作方法，该方法包括：提供一基板；在基板上形成TFT器件和第一探测单元，第一探测单元位于非显示区域；形成有机发光器件，至少部分有机发光器件对应第一探测单元；其中，位于显示区域的TFT器件和有机发光器件形成像素单元，位于非显示区域的TFT器件和有机发光器件形成发光单元，第一探测单元被配置为探测发光单元的第一亮度信息，以便通过第一亮度信息的变化情况对像素单元的数据信号进行信号补偿。

在一实施例中，在基板上形成TFT器件和第一探测单元，包括：在基板上形成第一导电层；对第一导电层和光感层进行刻蚀，以形成遮光层和第一电极层；在第一电极层上形成光感层；在遮光层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层和光感层上形成半导体层；对半导体层进行刻蚀，以形成第一半导体层和第二半导体层；对第二半导体层进行处理，以形成第二电极层，第一电极层、光感层和第二电极层形成第一探测单元；在第一半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极层、介质层和源漏层，第一半导体层、第二绝缘层、栅极层、介质层和源漏层形成TFT器件。

在一实施例中，形成有机发光器件，包括：在TFT器件和第一探测单元上形成钝化层；在钝化层上形成保护层；在保护层上形成机发光器件。

为解决上述问题，本申请还提供一种显示装置，该显示装置包括壳体和显示面板，其中显示面板是如上述所描述的任一项显示面板或者采用如上述任一项制作方法所制作的得到的显示面板。

通过上述方法，利用显示面板中的探测单元对发光单元的发光亮度进行探测以得到亮度信息，根据检测和记录的有机发光二极管在相同电流下发生的亮度信息变化，导致探测单元中的电流产生变化，从而对像素单元的数据信号进行补偿，以保持有机发光二极管的亮度稳定不变。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本申请提供的显示面板一实施例的发光单元和探测单元结构示意图；

图2是本申请提供的显示面板一实施例的位置结构示意图；

图3是本申请提供的第二探测单元一实施例的位置示意图；

图4是本申请提供的第二探测单元一实施例的结构示意图；

图5是本申请提供的显示面板一实施例的制作方法步骤流程示意图；

图6a-图6i是本申请提供的显示面板一实施例的制作方法的结构示意图；

图7是图5中步骤S20的子步骤流程示意图；

图8是图5中步骤S30的子步骤流程示意图；

图9是本申请提供的显示装置一实施例的结构示意图。

附图标记：10a、基板；10b、偏光层；20、发光单元；21、TFT器件；211、第一半导体层；212、第二绝缘层；213、栅极层；214、介质层；215、源漏层；22、有机发光器件；221、阳极层；222、发光层；223、阴极层；30、第一探测单元；31、第一电极层；32、光感层；33、第二电极层；11、第一导电层；11a、遮光层；12、第一绝缘层；13、半导体层；14、钝化层；15、保护层；16、像素限定层；17、第一封装层；18、第二封装层；300、显示装置；200、壳体；100、显示面板；40、像素单元；50、第二探测单元。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

目前由于有机发光二极管其本身的特性，在显示的过程中会存在亮度衰减和残影等问题存在，造成画面显示的亮度不均匀性，影响观看时的体验，故本申请提出一种显示面板方案，通过在显示面板中单独构建一种光电检测模块，对画面显示进行实时检测，并根据检测到的亮度信息进行补偿，以稳定整个面板显示时的画面亮度的均一稳定性。

参阅图1和图2所示，图1是本申请提供的显示面板一实施例的发光单元和探测单元结构示意图；图2是本申请提供的显示面板一实施例的位置结构示意图。具体地，该显示面板100包括：发光单元20、第一探测单元30、像素单元40；其中，多个像素单元40设置于显示面板100的显示区域(AA区)；发光单元20设置于显示面板的非显示区域(AA区之外)，发光单元20的有机发光器件22和像素单元40的有机发光器件22的结构相同；第一探测单元30设置于显示面板100的非显示区域、且对应发光单元20，第一探测单元30被配置为探测发光单元20的第一亮度信息，以便通过第一亮度信息的变化情况对像素单元40的数据信号进行信号补偿。

其中，发光单元20还包括TFT器件21，TFT薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)器件是一种场效应管，用作独立的开关，根据数据信息的电信号使像素快速的改变条件以使其非常快速的导通或关闭，是平板显示驱动线路和平板接收传感器线路的核心线路器件工艺，即可以通过放大外部信号，形成驱动电极波形，也可以接受外部光电转换器生成电信号成为传感器信号源处理单元。有TFT显示驱动背板和TFT图像传感器两大类，有CMOS(驱动部分电路为n–MOS和p–MOS构成)和PMOS(驱动部分电路为p–MOS构成)两种技术。

具体地，在一实施例中，TFT器件21包括：第一半导体层211、第二绝缘层212、栅极层213、介质层214和源漏层215；在一实施例中，第一半导体层211为氧化铟镓锌(indiumgallium zinc oxide，缩写IGZO)，可选地，第一半导体层211的材料可采用包括但不限于α-Si(非晶硅)、LTPS(低温多晶硅)、a-Si：H(氢化非晶硅)、ITO(氧化铟锡)等材料，可根据不同的开关阈值或使用需求进行设定。

在一实施例中，第一绝缘层12的材料采用SiOx(硅氧化物)，其中的氧化亚硅是一种无机化合物，属于硅的不完全氧化物。

在一实施例中，栅极层(gate)213材料可采用包括但不限于镍、镍锰合金(例如NiMn3和NiMn5)、镍铬合金(例如NiCr9)以及镍钼铁合金(例如NiMo-20和NiMo-25)或其他合适的栅极材料及其组合。

在一实施例中，介质层214采用ILD工艺，介质层214是硅器件与金属层之间及金属层与金属层的电绝缘层，ILD工艺是指在器件和第一层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离，ILD介质层可以有效的隔离金属互连线和器件，降低金属与衬底之间的寄生电容，改善金属横跨不同的区域而形成寄生的场效应晶体管，在一实施例中ILD的介质材料是氧化硅材料，在其他实施例中，介质层可采用其他工艺制成，介质层可采用的材料包括但不限于SIO2(二氧化硅)、BPSG(硼磷硅玻璃)、PGS(磷硅酸盐玻璃)、Polymers(高分子材料)、Si3N4(氮化硅)、Aerogels(气凝胶)以及low-k类介质等。

在一实施例中，源漏层215包括源极结构(source)和漏极结构(drain)，源漏层的材料可采用包括但不限于N型半导体材料或P型半导体材料，例如，对于硅、锗类半导体材料，掺杂磷、砷、锑等Ⅴ族元素所形成的N型或P型半导体材料。

可选地，在一实施例中，如图2所示，其中，第一探测单元30设置在显示区域的外侧，数量为6个，分别设置在显示区域的四个角落以及两个长边的中间位置；其中，第一探测单元30的位置布局可采用不同的方案设计并根据实际需求进行设定，第一探测单元30的数量可根据实际使用的需求条件或不同的设计方案进行设定。

其中，在一般显示制作流程中，色阻层一般通过颜料或染料作为着色剂从而获得红、绿、蓝三种颜色，而在本申请一实施例中，发光单元20不存在显示功能，而是为了给第一探测单元30做检测使用，所以为了使发光单元20的亮度提高并让第一探测单元30可以吸收到更多的光，故在实施例中的发光单元20中不存在RGB色阻。

可选地，在一实施例中，第一探测单元30包括层叠设置的第一电极层31、光感层32和第二电极层33，光感层32用于探测发光单元20的亮度，以在第一电极层31和第二电极层33之间产生探测电流，探测电流用于表示发光单元20的亮度。

其中，第一探测单元30设置于基板10a上，与发光单元20为同一流程的不同步骤制成；在一实施例中，第一探测单元30为光电探测器，其中光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料的导电率发生改变，将光信号转换为电信号，在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测等。

可选地，在一实施例中，光感层32为非晶硅层；其中的非晶硅(amorphous siliconα-Si)又称作无定形硅，是单质硅的一种形态，常常应用于光电传感器、太阳能电池等领域。

可选地，在一实施例中，第一探测单元30的第一电极层31采用LS金属层制作而成，其中的第一电极层31与第一半导体层211采用同种材料，一张掩膜版刻蚀而成；在其他实施例中，上述的第一电极层31和第一半导体层211也可采用不同材料，或是不同的制作流程分别刻蚀而成，第一电极层31的材料也可采用包括但不限于铬、钛、金、银、铜、铝、ITO、它们的组合或其他合适的导电材料及其组合，根据实际方案或需求进行设定。

可选地，在一实施例中，有机发光器件22包括层叠设置的阳极层221、发光层222和阴极层223，阳极层221配置为采用恒流驱动；通常地，有机发光器件22在电场的驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的现象，基本原理是有机发光器件的阳极和阴极在一定的电压驱动下，使电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层222，并在发光层222中相遇，电子进入空洞时，以光的能量形式释放出来；其中的发光层222在通电时通常发射出红光、蓝光或绿光这三原色，以不同的组合形式呈现出多种色彩显示，发光层222可包括HIL(Hole Injection Layer，空穴注入层)、HTL(Hole Transfer Layer，空穴传输层)、EML(Emitting Layer，发射层)和ETL(Electron Transfer Layer，电子转移层)中的一种或多种；其中的阳极层221和阴极层223的材料可采用包括但不限于铬、钛、金、银、铜、铝、ITO、它们的组合或其他合适的导电材料及其组合，其中阳极层221和阴极层223的材料可以相同也可以不相同，具体情况根据实际需求情况进行设定。

可选地，在一实施例中，发光层为红色发光层；在上述实施例中，感光材料选用的是非晶硅材料，而非晶硅材料属于近红外半导体，故在实施例中，设定发光单元20的发光层为红色发光层以便第一探测单元30可以更好的接收来自发光单元20的光照亮度。

可选地，在一实施例中，显示面板100还包括第二探测单元50，设置于显示面板100的非显示区域、且与发光单元20错位设置，第二探测单元50被配置为探测外部自然光的第二亮度信息，以便根据第一亮度信息和第二亮度信息的差异确定发光单元20的第三亮度信息，通过第三亮度信息的变化情况对像素单元40的数据信号进行信号补偿。其中，第二探测单元50中，不包括发光单元20中的有机发光器件22，为单独的光电探测器件。

可选地，在一实施例中，参阅图3和图4，图3是本申请提供的第二探测单元一实施例的位置示意图；图4是本申请提供的第二探测单元一实施例的结构示意图。其中，第二探测单元50中不存在有机发光器件22或者使有机发光器件22不发光，用作与第一探测单元进行对比；第二探测单元50用于接收外部环境光线，根据外部环境光线采集到的亮度信息与第一探测单元30采集到的发光单元20的亮度信息进行比对，其中，第一探测单元30采集到的亮度信息可包括来自发光单元20的亮度信息和来自外部环境光线的亮度信息，而第二探测单元50不存在发光单元20的亮度信息，只有来自外部环境光线的亮度信息，从而使第一探测单元30探测到的亮度信息与第二探测单元50探测到的亮度信息进行比对以消除外部环境光线对第一探测单元30所造成的干扰影响，以保证第一探测单元30的探测精度；在一实施中，如图所示，设定第二探测单元50的数量为6个，并设置在第一探测单元30的相邻右侧，其中，第二探测单元50的位置布局可采用不同的方案设计并根据实际需求进行设定，第二探测单元50的数量亦可根据第一探测单元30的数量或实际使用的需求条件进行设定。

为解决上述问题，本申请还提供一种显示面板的制作方法，参阅图5和图6a-图6i，图5是本申请提供的显示面板一实施例的制作方法步骤流程示意图。图6a-图6i是本申请提供的显示面板一实施例的制作方法的结构示意图。该显示面板制作方法，包括如下步骤：

步骤S10：提供一基板；

如图6a所示，其中，基板10a在整个显示面板中起到支撑的作用，用于承载各种元器件及材料，基板有很多分类方式，按照材料可分为塑胶基板、陶瓷基板、金属基板等；按照封装方式分为打线基板、倒装基板；按照层数分为单面板、双面板、多层板等。

在一实施例中该衬底的材料采用玻璃基板，而玻璃基板一般被用作载板来使用；在另一实施例中，该衬底的材料采用柔性基板，其中，柔性基板采用柔性PI(聚酰亚胺)薄膜作为基板。

在一实施例中，该基板10a为玻璃基板并在基板10a下方设置有偏光层10b。

步骤S20：在基板上形成TFT器件和第一探测单元，第一探测单元位于非显示区域；

参阅图7所示，图7是图5中步骤S20的子步骤流程示意图。

步骤S21：在基板上形成第一导电层。

如图6a所示，在基板10a上形成第一导电层，第一导电层的材料如上述结构中的描述相同，在此不再赘述；在一实施例中，第一导电层的形成方式可采用包括但不限于PVD(物理气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、ALD(原子层沉积)、ALD沉积材料等方式完成形成过程。

步骤S22：对第一导电层和光感层进行刻蚀，以形成遮光层和第一电极层。

如图6b所示，其中，对第一导电层采用一张掩膜版进行刻蚀处理，以得到遮光层11a和第一电极层31；采用一张掩膜版进行刻蚀以形成遮光层11a和第一电极层31不会增加刻蚀过程所需掩膜版的数量，并且可以减少对应的流程步骤，减少所需的材料成本，提升面板制造的效率，有利于生产制造。

其中的掩膜版通常也被称为光罩、光掩膜、光刻掩膜版，是半导体芯片光刻过程中的设计图形的载体，通过光刻和刻蚀，实现图形到硅晶圆片上的转移。掩膜版通常根据需求不同，选择不同的玻璃基板，一般是选择低热膨胀系数、低钠含量、高化学稳定性及高光穿透性等性能的石英玻璃为主流，在上面镀厚约100nm的不透光铬膜和厚约20nm的氧化铬来减少光反射。

在其他实施例中，也可采用光刻胶的形式进行刻蚀，其中的光刻胶是图形转移介质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上。目前广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工制作，是电子制造领域关键材料。光刻胶一般由感光剂(光引发剂)、感光树脂、溶剂与助剂构成，其中光引发剂是核心成分，对光刻胶的感光度、分辨率起到决定性作用。光刻胶根据化学反应原理不同，可以分为正型光刻胶与负型光刻胶。

步骤S23：在第一电极层上形成光感层。

如图6c所示，其中的光感层32材料包括但不限于非晶硅、碲镉汞、锑化铟等材料；在一实施例中，光感层32采用非晶硅制成。

步骤S24：在遮光层上形成第一绝缘层。

如图6d所示，第一绝缘层的材料与形成过程与上述描述相同，在此不再赘述。

步骤S25：在第一绝缘层和光感层上形成半导体层；

步骤S26：对半导体层进行刻蚀，以形成第一半导体层和第二半导体层。

如图6e和图6f所示，其中，所述半导体层也是通过一张掩膜版刻蚀形成第一半导体和第二半导体，这里的过程可以使得在增加第一探测单元30的形成过程中不会增加其所需掩膜版的数量，并且可以减少对应的流程步骤，减少所需的材料成本，提升面板制造的效率，有利于生产制造。

步骤S27：对第二半导体层进行处理，以形成第二电极层，第一电极层、光感层和第二电极层形成第一探测单元。

如图6g所示，图6g右侧的结构构成第一探测单元。

在一实施例中，对第二半导体进行氧化或者是掺杂等处理，将第二半导体转换为导体，从而用作第一探测单元30的第二电极；例如，对IGZO(氧化铟镓锌)进行氧化处理实现导体化。

步骤S28：在第一半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极层、介质层和源漏层，第一半导体层、第二绝缘层、栅极层、介质层和源漏层形成TFT器件。

如图6g所示，其中的TFT器件21是一种主动驱动元件，也可以理解为一种使用TFT元件的主动驱动技术。用TFT驱动的OLED就是一般称为AMOLED；用TFT驱动的LCD一般称为TFT-LCD，也可以称为AMLCD。

其中所描述的第一半导体层211、第二绝缘层212、栅极层213、介质层214和源漏层215所采用的材料与上述结构中描述的相同，在此不再赘述。

步骤S30：形成有机发光器件，至少部分有机发光器件对应第一探测单元。

参阅图6g～图6i所示，图6g～图6i是形成有机发光器件22的结构示意图。

其中，位于显示区域的TFT器件21和有机发光器件22形成像素单元40，位于非显示区域的TFT器件21和有机发光器件22形成发光单元20，第一探测单元30被配置为探测发光单元20的第一亮度信息，以便通过第一亮度信息的变化情况对像素单元40的数据信号进行信号补偿。

参阅图8所示，图8是图5中步骤S30的子步骤流程示意图。

步骤S31：在TFT器件和第一探测单元上形成钝化层。

如图6g所示，可选地，在一实施例中，采用氮化硅作为钝化层材料，可选地，钝化层可选用其他钝化层材料或其他钝化层封装技术进行钝化层封装，例如，使用高密度聚乙烯材料(HDPE)和AL-LI合金利用三次结构钝化层封装技术进行封装。

其中，以PECVD制备的氮化硅薄膜已大规模的应用于硅集成电路工艺中作为钝化层，因氮化硅的致密性的有点，可以有效的组个水汽和氧气的侵入，因此常应用于OLED器件的封装。

步骤S32：在钝化层上形成保护层。

如图6h所示，可选地，在一实施例中，在完成TFT器件21和第一探测单元30的制备后对其整个结构进行封装保护，在本实施例中采用透明光刻胶作为封装保护层，由于发光单元和第一探测单元30需要发光和亮度检测，故封装保护层也可采用其他满足条件的透明保护层进行封装保护。

步骤S33：在保护层上形成机发光器件。

如图6h所示，在有机发光器件22中还包括像素界定层16，其像素界定层16的设置使得有机发光层的形成更加便捷，并且避免了相邻像素单元的有机发光层的混色，为像素单元的面积、形状、排布等设置提供了控制性高、简单易行的途径。

其中，有机发光器件22包括层叠设置的阳极层221、发光层222和阴极层223，阳极层221配置为采用恒流驱动。其中，发光层222材料是OLED器件中最重要的材料，一般发光材料应该具备较高的发光效率和良好的电子或空穴传输性能。按化合物的分子结构，有机发光材料一般分为两大类：高分子聚合物和小分子有机化合物，具体地，高分子聚合物通常是导电共轭聚合物或半导体共轭聚合物，可用旋涂方法成膜，制作简单，成本低，但其纯度不易提高，在耐久性，亮度和颜色方面比小分子有机化合物差；小分子有机化合物能用真空蒸镀方法成膜，按分子结构又分为有机小分子发光材料和配合物发光材料。有机小分子发光材料主要为有机染料，具有化学修饰性强，选择范围广，易于提纯，量子效率高，可产生红、绿、蓝、黄等各种颜色发射峰等优点，但多数在固态时存在浓度淬灭等问题。配合物发光材料介于有机与无机物之间，既有有机物的高荧光量子效率，又有无机物的高稳定性，被视为很有应用前景的一类发光材料。其中，阳极层221材料主要作器件的阳极之用，要求其功函数尽可能的高，以便提高空穴的注入效率；而阴极层223材料主要作器件的阴极之用，阴极材料的金属功函数越低，电子注入就越容易，发光效率就越高，工作中产生的焦耳热就会越少，器件寿命会有较大的提高；阳极层221和阴极层223所可采用的材料与上述结构中描述相同，在此不再赘述。

如图6i所示，可选地，在一实施例中，在整个面板的工序完成后对其进行封装，例如，在有机发光器件22上采用薄膜封装形成第一封装层17，在第一封装层上采用金属箔形成第二封装层18。

其中，传统OLED封装技术是对刚性基板上制作电极和各有机功能层进行的封装，一般是给器件加一个盖板，并附干燥剂，再通过环氧树脂等密封胶将基板和盖板相结合；而薄膜封装是目前封装的主流技术，薄膜封装材料主要分为无机封装材料、有机封装材料和无机有机复合封装材料，其中无机有机复合封装材料兼具了无机封装材料水氧阻隔性好和有机封装材料成膜性好的优势，是OLED封装材料的主流选择。

为解决上述问题，本申请还提供一种显示装置，参阅图9，图9是本申请提供的显示装置一实施例的结构示意图。该显示装置300包括壳体200和显示面板100，其中显示面板100是如上述实施例中介绍的任一显示面板100或通过上述制作方法制造的显示面板100，以通过该显示面板100对该显示装置200提供稳定的画面输出。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

多个像素单元，设置于所述显示面板的显示区域；

发光单元，设置于所述显示面板的非显示区域，所述发光单元的有机发光器件和所述像素单元的有机发光器件的结构相同；

第一探测单元，设置于所述显示面板的非显示区域、且对应所述发光单元，所述第一探测单元被配置为探测所述发光单元的第一亮度信息，以便通过所述第一亮度信息的变化情况对所述像素单元的数据信号进行信号补偿。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一探测单元包括层叠设置的第一电极层、光感层和第二电极层，所述光感层用于探测所述发光单元的亮度，以在所述第一电极层和所述第二电极层之间产生探测电流，所述探测电流用于表示所述发光单元的亮度。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述光感层为非晶硅层。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光器件包括层叠设置的阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层配置为采用恒流驱动。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述发光层为红色发光层。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二探测单元，设置于所述显示面板的非显示区域、且与所述发光单元错位设置，所述第二探测单元被配置为探测外部自然光的第二亮度信息，以便根据所述第一亮度信息和所述第二亮度信息的差异确定所述发光单元的第三亮度信息，通过所述第三亮度信息的变化情况对所述像素单元的数据信号进行信号补偿。

7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板的制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成TFT器件和第一探测单元，所述第一探测单元位于非显示区域；

形成有机发光器件，至少部分所述有机发光器件对应所述第一探测单元；

其中，位于显示区域的所述TFT器件和所述有机发光器件形成像素单元，位于非显示区域的所述TFT器件和所述有机发光器件形成发光单元，所述第一探测单元被配置为探测所述发光单元的第一亮度信息，以便通过所述第一亮度信息的变化情况对所述像素单元的数据信号进行信号补偿。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成TFT器件和第一探测单元，包括：

在所述基板上形成第一导电层；

对所述第一导电层进行刻蚀，以形成遮光层和第一电极层；

在所述第一电极层上形成光感层；

在所述遮光层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层和所述光感层上形成半导体层；

对所述半导体层进行刻蚀，以形成第一半导体层和第二半导体层；

对所述第二半导体层进行处理，以形成第二电极层，所述第一电极层、所述光感层和所述第二电极层形成所述第一探测单元；

在所述第一半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极层、介质层和源漏层，所述第一半导体层、所述第二绝缘层、所述栅极层、所述介质层和所述源漏层形成所述TFT器件。

9.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述形成有机发光器件，包括：

在所述TFT器件和所述第一探测单元上形成钝化层；

在所述钝化层上形成保护层；

在所述保护层上形成机发光器件。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括壳体和显示面板，其中所述显示面板是如权利要求1-6任一项所述的显示面板，或包括采用如权利要求7-9任一项所述的显示面板的制作方法制作得到的显示面板。