CN117529582A - 两个碳化硅层的同时生长 - Google Patents

Abstract

提供了一种用于在相应的第一衬底和第二衬底上同时生产第一外延单晶层和第二外延单晶层的系统(100)，该系统包括：第一内部容器(3)，其限定用于容纳第一源材料和第一衬底的第一腔体；第二内部容器(4)，其限定用于容纳第二源材料和第二衬底的第二腔体；隔热容器(6)，其被布置成在其中容纳第一内部容器(3)和第二内部容器(4)；外部容器(7)，其被布置成在其中容纳隔热容器(6)以及第一内部容器(3)和第二内部容器(4)；以及加热装置(8)，其被布置在外部容器(7)外部并且被配置成同时加热第一腔体和第二腔体。

Description

两个碳化硅层的同时生长

技术领域

本公开一般涉及用于单晶碳化硅层的升华生长的系统和方法。具体地，涉及用于同时生长两个外延单晶碳化硅层的系统和方法。

背景技术

近年来，对能够在高功率水平和高温下操作的电子设备的提高的能量效率的需求不断增加。硅(Si)是目前功率器件半导体中最常用的材料，碳化硅(SiC)由于其高热导率、高饱和电子漂移速度和高击穿电场强度而成为非常合适的材料。

用于通过升华生长单晶SiC层的最常见技术是通过物理气相传输(PVT)。在该技术中，单晶层将在其上生长的籽晶和源材料被放置在坩埚中并且被加热到源材料的升华温度，其通常是粉末的形式。来自源材料的蒸气物质随后沉积在籽晶上，单晶层可从籽晶生长。然而，使用粉末作为源材料具有若干缺点。由于制造工艺，粉末通常包括杂质。此外，粉末中的热分布不够均质，导致对粉末的升华的控制较少。另外的缺点是来自粉末的固体颗粒落到晶种上的风险，导致最终晶体结构中的夹杂物和杂质。

PVT的一个版本是升华夹层法(SSM)，其中代替粉末，将单片SiC板用作源材料。例如，使用板有利于控制源材料的温度均匀性。该方法的另一个优点是源材料与籽晶/衬底之间的短距离，其具有蒸气物质不与坩埚的壁反应的积极效果。

然而，该工艺仍然是耗时的，并且还不适于一次生产多于一个单晶。随着对SiC单晶的需求增加，需要增加生产容量和效率，同时保持或甚至增加质量。欧洲专利申请EP2664695 A1中公开了用于同时生长多于一个SiC单晶体的系统。两个单晶体分别在两个生长隔室中产生，并且源材料包含在向两个生长隔室进料的单个隔室中。源材料还呈粉末形式。

因此，仍然需要克服上述至少一些问题的改进的系统和方法。

发明内容

本文描述的系统和方法通过提供用于在相应的第一衬底和第二衬底上同时生产第一外延单晶层和第二外延单晶层的系统来克服这些问题，所述系统包括：第一内部容器，所述第一内部容器限定用于容纳第一源材料和所述第一衬底的第一腔体；第二内部容器，所述第二内部容器限定用于容纳第二源材料和所述第二衬底的第二腔体；隔热容器，所述隔热容器被布置成在其中容纳所述第一内部容器和所述第二内部容器；外部容器，所述外部容器被布置成在其中容纳所述隔热容器以及所述第一内部容器和所述第二内部容器；以及加热装置，所述加热装置被布置在所述外部容器外部并且被配置成同时加热所述第一腔体和所述第二腔体。

通过提供限定两个腔体的两个容器，所述两个腔体两者都被布置在同一隔热容器内，生产能力可以加倍。因为可以使用一个系统来实现两个单晶层的生产，所以每生产层的能量消耗减少了至少50％。

在本公开的一个实施方式中，还提供了加热体，该加热体在所述隔热容器内被布置在第一内部容器与第二内部容器之间，并且其中，加热装置还被配置成同时加热加热体以及第一腔体和第二腔体。

加热体具有蓄热器的功能，该蓄热器通常将热量均等地和同时地分配给系统、并且特别是第一腔体和第二腔体。通过这种布置结构，一个单个加热体足以加热两个腔体，这更节能并且因此可以减少功耗。

在本公开的一个实施方式中，第一内部容器、第二内部容器和加热体一体式形成。

在本公开的一个实施方式中，第一内部容器被布置在第二内部容器的上方。此外，第一内部容器和第二内部容器的形状是圆柱形的并且具有相同的直径。

在本公开的一个实施方式中，第一内部容器包括上部部分和下部部分，并且第二内部容器包括上部部分和下部部分，第一内部容器的下部部分与第二内部容器的上部部分基本上相同。

使第一内部容器的下部部分与第二内部容器的上部部分基本上相同，这使得两个腔体内部的热降是相等的。

本公开的一个实施方式包括用于在第一腔体中将第一源材料布置在距第一衬底预定距离处的第一装置和用于在第二腔体中将第二源材料布置在距第二衬底预定距离处的第二装置。

控制源材料与相应衬底之间的距离确保两个单晶层同时且均质地生长。

在本公开的一个实施方式中，第一源材料被布置在第一衬底的下方，并且第二源材料被布置在第二衬底的上方。

当第一内部容器被布置在第二内部容器上方时，从而提供更靠近系统中心的第一源材料和第二源材料，这种布置结构是特别有益的。此外，如果加热体被布置在内部容器之间，则源材料将更靠近加热体，因此具有足够快速的初始温度升高，以便充分快速地达到升华温度。

在本公开的一个实施方式中，隔热容器和外部容器的形状为圆柱形，并且第一源材料和第二源材料以及第一衬底和第二衬底为盘形形状。

本公开的一个实施方式还包括被布置在相应的第一内部容器和第二内部容器内部的第一碳获取器和第二碳获取器。

在本公开的一个实施方式中，加热装置能够沿着外部容器移动。

该特征的作用是可以调节第一腔体和第二腔体内的温度和热降。

本公开的目的还在于提供一种用于在相应的第一衬底和第二衬底上同时生产第一外延单晶层和第二外延单晶层的方法，该方法包括：提供第一内部容器，该第一内部容器限定用于容纳第一源材料和第一衬底的第一腔体；提供第二内部容器，该第二内部容器限定用于容纳第二源材料和第二衬底的第二腔体；将第一源材料和第一衬底布置在第一腔体中，并且将第二源材料和第二衬底布置在第二腔体中；将第一内部容器和第二内部容器布置在隔热容器内；将隔热容器布置在外部容器内；在外部容器外部提供加热装置，以同时加热第一腔体和第二腔体；将第一腔体和第二腔体排空到预定压力；将惰性气体引入第一腔体和第二腔体；通过加热装置将第一腔体和第二腔体中的温度同时升高到预定生长温度；在第一腔体和第二腔体中保持预定生长温度，直到已经实现相应的第一衬底和第二衬底上的第一外延单晶层和第二外延单晶层的预定厚度为止；冷却第一衬底和第二衬底。

通过提供第一内部容器和第二内部容器并且将两者布置在同一隔热容器内，并且使用相同的加热装置加热这两者，可以在一个系统中同时产生两个外延单晶层。生产变得更加节能、空间高效并且减少了生产时间。

在本公开的一个实施方式中，第一源材料和第二源材料是单片碳化硅。

在本公开的一个实施方式中，将第一源材料和第二源材料以及第一衬底和第二衬底布置在相应的第一腔体和第二腔体中的步骤包括将第一源材料布置在第一衬底下方并且将第二源材料布置在第二衬底上方。

在本公开的一个实施方式中，将第一内部容器和第二内部容器布置在隔热容器内的步骤包括将第一内部容器布置在第二内部容器上方。

本公开的一个实施方式还包括在第一内部容器与第二内部容器之间提供加热体。

在本公开的一个实施方式中，升高第一腔体和第二腔体的温度的步骤还包括：同时升高布置在第一内部容器和第二内部容器之间的加热体的温度。

附图说明

现在参考附图通过示例的方式描述本公开，其中：

图1示出了根据本公开的系统，

图2a至图2d示出了本公开的内部容器的上部部分和下部部分，

图3示出了根据本公开的加热体，

图4示出了根据本公开的第一内部容器布置结构，

图5示出了根据本公开的碳获取器，

图6示出了根据本公开的第二内部容器布置结构，

图7示出了根据本公开的隔热容器，

图8示出了根据本公开的方法的工艺流程。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述使用SSM同时生产两个SiC单晶层的系统100和方法的详细描述。系统100的设置和本文描述的方法被布置成同时产生基本上相同的两个SiC单晶层，并且其中在系统中用于生产每个SiC单晶层的所需空间被最小化。例如，所述SiC单晶层可以在大小/尺寸和质量方面相同，其中质量可以例如测量为晶体中的碳夹杂物的数量和位错密度或应力。例如，应力可以来自翘曲。与使用常规系统和生产方法相比，使用本文公开的系统和方法生产的SiC单晶层的质量进一步改进。

在图1中，示出了用于同时生产两个SiC单晶层的系统100，该系统100通常包括第一内部容器3、第二内部容器4、加热体5、隔热容器6、外部容器7和加热装置8。第一内部容器3限定第一腔体，该第一腔体被布置成容纳第一源材料1a和第一衬底1b，并且第二内部容器4限定第二腔体，该第二腔体被布置成容纳第二源材料2a和第二衬底2b。

加热体5以及第一内部容器3和第二内部容器4的设置相对于对称平面呈镜像对称，该对称平面将加热体5分成两个相同的部分，对称平面由图1中的虚线表示。例如，加热体5与第一内部容器3内的第一源材料1a之间的距离等于加热体5与第二内部容器4内的第二源材料2a之间的距离。此外，第一源材料1a与第一衬底1b之间的距离等于第二源材料2a与第二衬底2b之间的距离。由系统100提供的热性质(诸如温度、热降及加热速率)在第一腔体和第二腔体中基本上相同。因此，在第一内部容器3和第二内部容器4内的相应的第一衬底1b和第二衬底2b上生长的两个SiC单晶层的生长性质基本上相同。结果是两个基本上相同的SiC单晶层。

在图1所示的实施方式中，第一内部容器3、第二内部容器4和加热体5全部设置在隔热容器6内。隔热容器6设置在外部容器7内。加热装置8布置在外部容器7的外部并围绕外部容器7。加热装置8在使用期间被布置成同时加热第一腔体和第二腔体以及加热体5，使得第一源材料1a和第二源材料2a升华并且单晶层在第一衬底1b和第二衬底2b上生长。在图1所示的实施方式中，加热装置8是用于射频加热的感应线圈。此外，加热装置8可沿着外部容器7的高度方向移动，这具有如下的效果：能够调节第一腔体和第二腔体内部的温度和热降，以使得温度在第一腔体和第二腔体中相等。

系统100还包括用于排空第一内部容器3和第二内部容器4的泵。泵可以在第一内部容器3和第二内部容器4的第一腔体和第二腔体中提供介于10^-4mbar至10^-6mbar之间的压力。

在图1所示的实施方式中，第一内部容器3布置在第二内部容器4上方，并且加热体5布置在第一内部容器3和第二内部容器4之间并且与第一内部容器3和第二内部容器4接触。在另选实施方式中，加热体5与第一内部容器3和第二内部容器4一体式形成。在另选实施方式中，加热体5与第一内部容器3的下部部分(31b)和第二内部容器4的上部部分(32a)一体式形成。内部容器3、内部容器4和加热体5可以例如由高密度石墨形成。此外，加热体5可以被涂覆。这种设置使系统100中每高度单元可能产生的SiC单晶层的数量最大化。

在图1所示的实施方式中，第二内部容器4被布置在两个容器支承件9上。支承件搁置在隔热容器6的底部并具有一定的高度，使得当内部容器3、内部容器4和加热体5被布置在支承件9上时，第一内部容器3的上表面距隔热容器6的上部部分一定距离。此外，支承件9具有一定的高度，使得第二内部容器4的下表面距隔热容器6的下部部分一定距离，该距离等于第一内部容器3的上表面与隔热容器6的上部部分之间的距离。在另选实施方式中，两个容器支承件9可以是一个单个容器支承件或多个容器支承件。容器支承件9应当由承受高温的材料形成，优选高密度石墨或高熔点金属，例如钽。

图2a和图2b示出了第一内部容器3。第一内部容器3具有圆柱形形状并且包括上部部分3a和下部部分3b。在图2a和图2b的实施方式中，上部部分3a的底部边缘在内侧有斜角，并且下部部分3b的上部边缘在外侧同等地有斜角，使得上部部分3a和下部部分31b可以牢固地装配在一起，而在安装时任何一个部件都不会在侧向方向上移位。上部部分3a和下部部分3b在装配在一起时限定第一腔体，该第一腔体被布置成容纳第一源材料1a和第一衬底1b，这将参考图4更详细地描述。第一内部容器3可以由高密度石墨或具有承受高温能力的另一种合适的材料形成，并且当射频感应线圈用作加热装置8时，所述另一种合适的材料有助于耦合到所述射频感应线圈。

图2c和图2d示出了第二内部容器4。第二内部容器4具有圆柱形形状并且包括上部部分4a和下部部分4b。上部部分4a与第一内部容器3的下部部分3b基本上相同。下部部分4b与第一内部容器3的上部部分3a基本上相同。此外，第二内部容器4具有与第一内部容器3的外径和内径基本上相同的外径和内径。因此，当布置在加热体5上方和下方时，第一内部容器和第二内部容器相对于加热体5是镜像对称的。上部部分4a和下部部分4b在装配在一起时限定第二腔体，该第二腔体被布置成容纳第二源材料2a和第二衬底2b，这将参考图6更详细地描述。第二内部容器4可以由高密度石墨或具有承受高温能力的另一种合适的材料形成，并且如果使用射频感应线圈作为加热装置8，所述另一种合适的材料有助于耦合到所述射频感应线圈。

图3示出了加热体5。如关于图1所述，加热体5被布置在第二内部容器4上方且在第一内部容器3下方，并且与第一内部容器3和第二内部容器4两者接触。加热体5同时对第一内部容器3和第二内部容器4加热，并且具有如下的功能：将热量分布到第一内部容器3和第二内部容器4，使得第一腔体和第二腔体中的温度分布基本上相等。加热体5形成为具有基本上圆柱形形状的实心主体。加热体5的直径应优选为第一内部容器3和第二内部容器4的外径的50％-150％，更优选地为70％-110％。加热体5的高度优选地大于第一内部容器的下部部分3b(或第二内部容器4的顶部部分4a)的厚度的2至4倍，更优选地，该高度大于第一内部容器的下部部分3b(或第二内部容器4的顶部部分4a)的厚度的2.5至3倍。与第一腔体和第二腔体各自需要一个加热体5相比，由于仅需要一个加热体5来加热第一腔体和第二腔体两者，因此系统的总高度可以减小。因此，系统中每高度单元产生的SiC单晶层的数量被最大化。

图4示出了第一源材料1a和第一衬底1b在第一内部容器3内的布置。第一源材料1a的直径优选地大于第一衬底1b的直径。例如，第一衬底1b可以具有150mm的直径，并且第一源材料1a可以具有160mm的直径。第一源材料1a被布置在设置在第一内部容器3的下部部分3b处的至少一个第一源支承件10a上。由此，第一源材料1a被布置在距第一内部容器3的下部部分3b一定距离处。第一源材料1a例如可以是具有柱状微晶粒结构的单片多晶SiC板。其他微结构也是可能的。至少一个第一衬底支承件10b被布置在第一源材料1a上并且支承第一衬底1b，第一衬底1b由此设置在第一源材料1a上方并且距第一源材料1a一定距离。上方应理解为更靠近上部部分3a，从而进一步远离加热体5。第一源材料1a与第一衬底1b之间的距离优选为0.7mm至1.2mm。至少一个第一衬底支承件10b可以例如呈立方体的形式。此外，例如，可以存在布置在第一源材料1a的外边缘处的三个衬底支承件10b。在图4所示的实施方式中，第一碳获取器(carbon getter)11被布置在第一内部容器3的下部部分3b处，这将结合图5进一步描述。

图5示出了第一碳获取器11。碳获取器11具有环形形状，其外径基本上等于或稍微小于第一内部容器3的内径。例如，如果第一内部容器3的内径是200mm，则第一碳获取器11的外径可以是198mm。碳获取器11的内径大于第一源材料1a的直径，使得第一碳获取器11可围绕第一源材料1a。例如，如果第一源材料1a具有160mm的直径，则第一碳获取器11可以具有170mm的内径。第一源支承件10a、第一衬底支承件10b和碳获取器11全部由熔点高于2200℃且具有与从源材料蒸发的碳物质反应并形成碳化物层的能力的材料形成。这样的材料可以是但不限于钽、铌和钨。在另选实施方式中，第一碳获取器11包括多个部分。所述多个部件可以由相同或不同的材料形成。

图6示出了第二源材料2a和第二衬底2b在第二内部容器4内的布置。第二源材料2a的直径大于第二衬底2b的直径。例如，第二衬底2b可以具有150mm的直径，并且第二源材料2a可以具有160mm的直径。第二衬底2b被布置在至少一个第二衬底支承件12b上。至少一个第二衬底支承件12b被设置在第二内部容器4的下部部分4b上。第二衬底2b可以被视为按照与第一源材料1a布置在第一内部容器3中的方式类似地布置。第二源材料2a被布置在至少一个第二源支承件12a上。至少一个第二源支承件12a也被设置在下部部分4b处，并且还被布置在至少一个第二衬底支承件12b的外部，外部在这里应理解为进一步远离第二内部容器4的中心轴线。至少一个第二源支承件12a的高度大于至少一个第二衬底支承件12b的高度，使得当第二源材料2a被布置在至少一个第二源支承件12a上时，其被设置在第二衬底2b上方。上方在这里应理解为更靠近上部部分4a，并因此更靠近加热体5。例如，第二内部容器4的内部高度可以是20mm，至少一个第二源支承件12a的高度可以是17mm，并且至少一个第二衬底支承件12b的高度可以是如下高度，即，该高度使得第二衬底2b被布置在第二源材料2a下方1mm距离处。第二源材料2a例如可以是具有柱状微晶粒结构的单片多晶SiC板，并且还应当与第一源材料1a基本上相同。用于第二源材料2a的其他微结构是可能的。

图6的实施方式还包括第二碳获取器13。第二碳获取器13可以具有与第一碳获取器11相同的形状或另一形状。第二碳获取器13优选地布置在第二内部容器4的内表面上的凸缘上。例如，下部部分4b的壁可以比上部部分4a的壁厚，因此，当安装时，下部部分4b的内边缘可以进一步朝向第二内部容器4的中心轴线延伸，从而形成凸缘。第二碳获取器13由熔点高于2200℃且具有与从源材料蒸发的碳物质反应并形成碳化物层的能力的材料形成。这样的材料可以是但不限于钽、铌和钨。在另选实施方式中，第二碳获取器13包括多个部分。所述多个部分可以由相同或不同的材料形成。

第一内部容器3内部的第一源材料1a和第一衬底1b的设置以及第二内部容器4内部的第二源材料2a和第二衬底2b的设置为在相应的第一衬底1b和第二衬底2b上生长的两个单晶层提供基本上相同的生长性质。

图7示出了隔热容器6。隔热容器优选为圆柱形，由高密度石墨形成，并且进一步包括上部部分6a、中部部分6b和下部部分6c。上部部分6a和下部部分6c具有垂直于圆柱形隔热容器6的中心轴线的纤维方向。中部部分6b具有平行于中心轴线的纤维方向。优选的纤维方向如图7中的箭头所示。具有这样的纤维方向改善了散热，从而改善了隔热容器6内部的温度均匀性。上部部分6a还包括测量孔6d。孔6d应适于且足够大以容纳测量设备，例如温度测量设备。测量孔6d还应当适于在隔热容器6内保持足够的压力。在另选实施方式中，测量孔改为布置在下部部分6c中。在另选实施方式中，上部部分6a和下部部分6c各自包括测量孔。在另选实施方式中，隔热容器6不包括测量孔6d。在该实施方式中，隔热容器内的温度是根据系统的已知能量输入来计算的。隔热容器6在外部容器7内被布置在位于外部容器7底部的隔热容器支承件(未示出)上。隔热容器6优选为石英(SiO2)管。

现在将参考如上所述的系统设计来描述该方法，但是本领域的技术人员知道该设计仅是示例，并且只要实现期望的生长条件，也可以使用其他设计。

该方法包括根据以上描述的实施方式设置系统100，从而在第一内部容器中布置第一源材料1a和第一衬底1b，并且在第二内部容器中布置第二源材料2a和第二衬底2b，其中，第一SiC单晶层和第二SiC单晶层可以在相应的第一衬底1b和第二衬底2b上生长。

图8示出了该方法的工艺流程。第一步骤是排空步骤S101，其包括使用布置在外部容器7外部的泵排空系统100。具体地，第一内部容器3和第二内部容器4内部的压力应当优选地小于10^-4mbar。在排空步骤S101中，系统100被预加热。第二步是冲洗步骤S102，其中用惰性气体、优选是氩气(Ar)气体来冲洗系统100。在冲洗步骤S102之后，系统100中的压力应优选不超过5mbar，甚至更优选是1mbar。第三步是加热步骤S103，其中系统100被加热到单晶层的生长温度。示例性生长温度介于1900℃至2000℃之间。在加热步骤期间，温度以提供第一源材料和第二源材料的期望初始升华并促进在衬底处的成核的速率增加。这样的温度升高优选为10℃/min至50℃/min，甚至更优选是20℃/min至30℃/min。第四步骤是生长步骤S104，其中系统中的温度在生长温度下保持恒定，而两个单晶层在相应的第一衬底和第二衬底上生长。温度保持在该温度直到单晶层的厚度达到期望的厚度，优选至少是50μm。第五步骤是冷却步骤S105，其中将系统100和单晶层冷却至室温。

尽管已经结合所讨论的实施方式详细描述了本公开，但是在不脱离本公开的发明构思的情况下，本领域的普通技术人员可以在所附权利要求的范围内进行各种修改。例如，本文公开的系统可以适合于从除SiC之外的其他材料(诸如氮化铝(AlN))产生单晶层。在这种情况下，自然需要使用其他源材料，并且本领域技术人员知道使用具有与本文公开的源材料的性质基本上相同的性质的源材料。此外，该方法可用于在同一腔体中生产多于一层，这是本领域技术人员容易实现的。

在不脱离本公开构思的情况下，只要组合不矛盾，上述所有另选实施方式或实施方式的部分都可以自由组合。

Claims (17)

1.一种用于在相应的第一衬底和第二衬底上同时生产第一外延单晶层和第二外延单晶层的系统(100)，所述系统包括：

第一内部容器(3)，所述第一内部容器限定用于容纳第一源材料和所述第一衬底的第一腔体；

第二内部容器(4)，所述第二内部容器限定用于容纳第二源材料和所述第二衬底的第二腔体；

隔热容器(6)，所述隔热容器被布置成在该隔热容器中容纳所述第一内部容器(3)和所述第二内部容器(4)；

外部容器(7)，所述外部容器被布置成在该外部容器中容纳所述隔热容器(6)以及所述第一内部容器(3)和所述第二内部容器(4)；以及

加热装置(8)，所述加热装置被布置在所述外部容器(7)外部并且被配置成同时加热所述第一腔体和所述第二腔体。

2.根据前述权利要求中任一项所述的系统，所述系统还包括：加热体(5)，所述加热体(5)在所述隔热容器(6)内被布置在所述第一内部容器(3)与所述第二内部容器(4)之间，并且其中，所述加热装置(8)还被配置成同时加热所述加热体(5)以及所述第一腔体和所述第二腔体。

3.根据权利要求2所述的系统(100)，其中，所述第一内部容器(3)、所述第二内部容器(4)和所述加热体(5)一体式形成。

4.根据前述权利要求中任一项所述的系统(100)，其中，所述第一内部容器(3)被布置在所述第二内部容器(4)上方。

5.根据前述权利要求中任一项所述的系统(100)，其中，所述第一内部容器(3)和所述第二内部容器(4)的形状为圆柱形并且具有相同的直径。

6.根据前述权利要求中任一项所述的系统(100)，其中，

所述第一内部容器(3)包括上部部分和下部部分；

所述第二内部容器(4)包括上部部分和下部部分；并且

所述第一内部容器(3)的所述下部部分与所述第二内部容器(4)的所述上部部分基本上相同。

7.根据前述权利要求中任一项所述的系统(100)，所述系统还包括：

第一装置(314)，所述第一装置用于在所述第一腔体中将所述第一源材料布置在距所述第一衬底预定距离处；以及

第二装置(325)，所述第二装置用于在所述第二腔体中将所述第二源材料布置在距所述第二衬底预定距离处。

8.根据前述权利要求中任一项所述的系统(100)，其中，

所述第一源材料被布置在所述第一衬底下方；并且

所述第二源材料被布置在所述第二衬底上方。

9.根据前述权利要求中任一项所述的系统(100)，其中，所述隔热容器(6)和所述外部容器(7)的形状是圆柱形的，并且所述第一源材料和所述第二源材料以及所述第一衬底和所述第二衬底是盘形形状的。

10.根据前述权利要求中任一项所述的系统(100)，所述系统还包括：

被布置在所述第一内部容器(3)内部的第一碳获取器，以及

被布置在所述第二内部容器(4)内部的第二碳获取器。

11.根据前述权利要求中任一项所述的系统(100)，其中，所述加热装置(8)能够沿着所述外部容器(7)移动。

12.一种用于在相应的第一衬底和第二衬底上同时生产第一外延单晶层和第二外延单晶层的方法，所述方法包括：

提供第一内部容器(3)，所述第一内部容器限定用于容纳第一源材料和所述第一衬底的第一腔体；

提供第二内部容器(4)，所述第二内部容器限定用于容纳第二源材料和所述第二衬底的第二腔体；

将所述第一源材料和所述第一衬底布置在所述第一腔体中，并且将所述第二源材料和所述第二衬底布置在所述第二腔体中；

将所述第一内部容器(3)和所述第二内部容器(4)布置在隔热容器(6)内；

将所述隔热容器(6)布置在外部容器(7)内；

在所述外部容器(7)外部提供加热装置(8)，以同时加热所述第一腔体和所述第二腔体；

将所述第一腔体和所述第二腔体排空到预定压力；

将惰性气体引入所述第一腔体和所述第二腔体中；

通过所述加热装置(8)将所述第一腔体和所述第二腔体中的温度同时升高到预定生长温度；

在所述第一腔体和所述第二腔体中保持所述预定生长温度，直到已经实现相应的所述第一衬底和所述第二衬底上的所述第一外延单晶层和所述第二外延单晶层的预定厚度为止；

冷却所述第一衬底和所述第二衬底。

13.根据权利要求1所述的系统(100)，其中，所述第一源材料和所述第二源材料是单片碳化硅。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，将所述第一源材料和所述第二源材料以及所述第一衬底和所述第二衬底布置在相应的所述第一腔体和所述第二腔体中的步骤包括：

将所述第一源材料布置在所述第一衬底下方；以及

将所述第二源材料布置在所述第二衬底上方。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，将所述第一内部容器(3)和所述第二内部容器(4)布置在隔热容器(6)内的步骤包括：将所述第一内部容器(3)布置在所述第二内部容器(4)上方。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法，所述方法还包括：在所述第一内部容器(3)与所述第二内部容器(4)之间提供加热体(5)。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，升高所述第一腔体和所述第二腔体的温度的步骤还包括：同时升高所述加热体(5)的温度。