CN117506707A - 一种抛光装置、抛光系统和抛光方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种抛光装置、抛光系统和抛光方法，所述抛光装置包括：抛光盘；装卸机构，与抛光盘一一对应并位于相邻抛光盘之间；抛光机构，设置于抛光盘上方并包括两个抛光组件，所述抛光组件与抛光盘对应设置且能够经由装卸机构在抛光盘之间移动。

Description

一种抛光装置、抛光系统和抛光方法

技术领域

本发明属于化学机械抛光技术领域，具体而言，涉及一种抛光装置、抛光系统和抛光方法。

背景技术

集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing,CMP)属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。

CMP是一种全局平坦化的超精密表面加工技术，通常需要借助CMP系统对晶圆实施抛光及清洗，以实现晶圆的“干进干出”，获取符合工艺要求的晶圆。

第三代半导体材料由于其更宽的禁带宽度、高导热率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点等特性，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，使得第三代半导体材料在射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等行业具有广泛的应用。

然而，第三代半导体材料诸如以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和金刚石等，其硬度极高、抛光难度大，导致化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺的抛光效率低，因此，CMP系统的小型化成为研发的新方向，以便提高CMP系统的作业效率。

CMP系统通常包括前置单元、抛光单元和清洗单元，清洗单元通常设置于前置单元与抛光单元之间。

为实现晶圆的传输，需要在清洗单元及抛光单元内部设置多个传输模块，这会增加机械手夹持晶圆的次数，影响晶圆的传输效率；同时，晶圆传输路线较长，也会增加晶圆在外暴露的时间，容易引起二次污染；此外，抛光盘等待时间过程，会影响抛光单元的运行效率。

发明内容

本发明实施例提供了一种抛光装置、抛光系统和抛光方法，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明实施例的第一方面提供了一种抛光装置，其包括：

抛光盘；

装卸机构，与抛光盘一一对应并位于相邻抛光盘之间；

抛光机构，设置于抛光盘上方并包括两个抛光组件，所述抛光组件与抛光盘对应设置且能够经由装卸机构在抛光盘之间移动。

在一些实施例中，所述抛光机构还包括支撑件，所述抛光组件滑动连接于所述支撑件的下方。

在一些实施例中，所述支撑件架设于相邻抛光盘之间，并且，抛光盘配置的装卸机构位于抛光盘的中心连线上。

在一些实施例中，所述抛光组件能够经由所述支撑件，移动至相邻抛光盘对应的装卸机构。

在一些实施例中，所述抛光装置还包括修整组件和供液组件，其临近抛光盘设置；所述修整组件用于修整抛光盘上方的抛光垫，所述供液组件用于朝向抛光垫供给抛光液，以配合实施化学机械抛光。

本发明实施例的第二方面提供了一种抛光系统，其包括：

前置单元；

至少两个上面所述的抛光装置；

第一传输单元，设置于前置单元与抛光装置之间，以在两者之间交互晶圆；

第二传输单元，设置于相邻抛光装置之间，以在抛光装置之间交互晶圆。

在一些实施例中，抛光系统还包括缓存单元，其设置于相邻装卸机构之间，以暂存待传输晶圆；所述第二传输单元能够将缓存单元的晶圆传输至相邻抛光装置的装卸机构。

在一些实施例中，所述缓存单元包括托架，所述托架上配置有多个用于支撑晶圆的卡爪。

在一些实施例中，所述托架匹配设置于相邻装卸机构之间。

在一些实施例中，所述缓存单元包括转轴和摆臂，所述摆臂设置于转轴的上方；所述摆臂上配置有水平支撑晶圆的卡爪且能够绕转轴摆动，以便与第一传输单元及第二传输单元交互晶圆。

在一些实施例中，所述抛光装置的数量为N，则缓存单元的数量为N-1。

在一些实施例中，抛光系统还包括清洗单元，其设置于前置单元与抛光装置之间，所述第一传输单元设置于清洗单元与抛光装置之间。

本发明实施例的第三方面提供了一种抛光系统，其包括：

前置单元；

上面所述的抛光装置；

清洗单元，设置于前置单元与抛光装置之间；

第一传输单元，设置于清洗单元与抛光装置之间，以在两者之间交互晶圆。

本发明实施例的第三方面提供了一种抛光方法，其使用上面所述的抛光系统，包括：

S1，第一传输单元将待抛光晶圆传输至抛光装置的装卸机构；

S2，抛光组件将装卸机构的晶圆传输至待机的抛光盘上方，以实施抛光作业；

S3，第一传输单元将晶圆放置于缓存单元，第二传输单元将晶圆朝向相邻抛光装置传输，抛光组件自装卸机构装载晶圆并移动至抛光盘上方，以实施抛光作业。

在一些实施例中，所述第一传输单元和/或第二传输单元与缓存单元交互时，所述缓存单元对应的抛光装置处于抛光作业状态。

本发明的有益效果包括：

a.抛光组件能够沿抛光装置的纵向移动，以在相邻抛光盘配置的装卸机构之间取放晶圆，减少了机械手的配置数量，有利于实现CMP系统的小型化，有利于控制抛光装置的制造成本；

b.抛光装置包括设置于装卸机构之间的缓存单元，以便于朝向相邻抛光装置传输晶圆；

c.抛光装置采用模块化设置，可根据客户需求拼装对应的抛光系统；

d.提供的抛光系统具有传片效率高的优点，有效缩短了抛光盘的等待时间，提升了抛光装置的利用率。

附图说明

通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的优点将变得更清楚和更容易理解，这些附图只是示意性的，并不限制本发明的保护范围，其中：

图1是本发明一实施例提供的抛光装置的示意图；

图2是图1对应的抛光装置的侧视图；

图3是本发明一实施例提供的抛光系统的示意图；

图4是图3中缓存单元的示意图；

图5是图3对应的第一抛光装置的侧视图；

图6是本发明另一实施例提供的缓存单元的示意图；

图7是本发明另一实施例提供的抛光系统的示意图；

图8是本发明一实施例提供的抛光方法的流程图。

具体实施方式

下面结合具体实施例及其附图，对本发明所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。

本说明书的附图为示意图，辅助说明本发明的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本发明实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。

在本发明中，“化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)”也称为“化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)”，晶圆(Wafer,W)也称基板(Substrate)，其含义和实际作用等同。术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象，并且仅用于区分所指代的对象，而不暗示所指代的对象的特定空间顺序、时间顺序、重要性顺序，等等。在一些实施例中，取值、过程、所选择的项目、所确定的项目、设备、装置、手段、部件、组件等被称为“最佳”、“最低”、“最高”、“最小”、“最大”等等。应当理解，这样的描述旨在指示可以在许多可使用的功能选择中进行选择，并且这样的选择不需要在另外的方面或所有方面比其他选择更好、更低、更高、更小、更大或者以其他方式优选。

本发明公开内容的实施例，总体上涉及在半导体器件制造工业中使用的抛光装置、抛光系统和抛光方法。

图1是本发明一实施例提供的一种抛光装置100的示意图，抛光装置100包括：

抛光盘10，其上方设置有抛光垫(pad)，待抛光晶圆抵压于抛光垫以实施化学机械抛光；

装卸机构20，其与抛光盘10一一对应，并且，装卸机构20位于相邻抛光盘10之间；具体地，装卸机构20即为load cup，用于辅助装载及卸载晶圆；本发明中，一个抛光盘10配置有一个装卸机构20；图1中，抛光盘10沿抛光装置100的纵向设置，相邻抛光盘10之间供给配置两个抛光盘10；

抛光机构30，其设置于抛光盘10的上方；具体地，抛光机构30架设于抛光盘10上方并横跨抛光盘10对应的作业区域；抛光机构30包括两个抛光组件31(图2示出)，抛光组件31与抛光盘10对应设置；抛光组件31能够在抛光盘10之间的装卸机构20之间移动，以便装载及卸载晶圆，实现晶圆的交互。

图2是图1中抛光装置100的侧视图，抛光机构30还包括支撑件32，支撑件32设置于机台框架的上方，支撑件32配置有直线驱动模块，抛光组件31滑动连接于支撑件32的下方。具体地，抛光组件31能够在直线驱动模块的带动下，沿支撑件32的长度方向移动，以在相邻抛光盘10之间的装卸机构20取放晶圆，实现晶圆的便捷交互。

本发明中，支撑件32架设于相邻抛光盘10之间，并且，抛光盘10的中心连线与支撑件32的中心线重合，以保证抛光组件31传输晶圆的路径与抛光组件31抛光作业往复移动的路径相同。

具体地，支撑件32的端部位于抛光盘10中心的正上方，使得抛光机构30的抛光组件31能够在抛光垫对应的抛光区域自如移动，以适当改变抛光晶圆与抛光区域的接触情况，获取符合工艺要求的晶圆。

本发明中，抛光组件31能够移动至相邻抛光盘10对应的装卸机构20，以取放晶圆。具体的，图2中，抛光装置100包括第一抛光盘10A和第二抛光盘10B，第一抛光盘10A对应配置有第一装卸机构20A和第一抛光组件31A，相应地，第二抛光盘10B配置有第二装卸机构20B和第二抛光组件31B。

在一些实施例中，第一抛光组件31A能够沿支撑件32的长度方向朝向第二抛光盘10B移动，并停止在第二装卸机构20B的上方，以自第二装卸机构20B取放晶圆。此时，第二抛光盘10B配置的第二抛光组件31B在第二抛光盘10B的上方作业，以防止第一抛光组件31A与第二抛光组件31B发生干涉。同理，第二抛光组件31B也可以自第一装卸机构20A取放晶圆。

可以理解的是，抛光装置100还包括修整组件40和供液组件50，如图1所示，修整组件40和供液组件50临近抛光盘10设置；其中，修整组件40用于修整抛光盘10上方的抛光垫，供液组件50用于朝向抛光垫供给抛光液，以配合实施化学机械抛光。

具体地，化学机械抛光时，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在晶圆与抛光垫之间流动，供液组件50供给的抛光液在抛光垫的传输和旋转离心力的作用下均匀分布，以在晶圆和抛光垫之间形成一层液体薄膜，液体中的化学成分与晶圆产生化学反应，将不溶物质转化为易溶物质，然后通过磨粒的微机械摩擦将这些化学反应物从晶圆表面去除，溶入流动的液体中带走，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中去除表面材料实现表面平坦化处理，从而达到全局平坦化的目的。同时，修整组件40能够移除残留在抛光垫表面的杂质颗粒，例如抛光液中的研磨颗粒以及从晶圆表面脱落的废料等，以修整和活化抛光垫表面，维持良好的抛光特性。

同时，本发明还提供了一种抛光系统1000，其示意图，如图3所示；一种抛光系统1000包括：

前置单元200；

图1示出的抛光装置100，其中，抛光装置100的数量为两个；即第一抛光装置100A和第二抛光装置100B，两个抛光装置100形成抛光单元；

第一传输单元300，其设置于前置单元200与抛光装置100之间，以在两者之间交互晶圆；

第二传输单元400，其设置于相邻抛光装置100之间，以在第一抛光装置100A与第二抛光装置100B之间交互晶圆。

可以理解的是，抛光装置100的数量至少为两个，其也可以为三个、四个等，以满足不同的抛光制程。

图3所示的实施例中，第一传输单元300配置有两个机械手，机械手能够将待抛光的晶圆放置于抛光装置100中的装卸机构20，以便抛光组件31装载晶圆；或者，机械手抓取装卸机构20的晶圆，朝向前置单元200所在的方向传输。可以理解的是，本发明中，第一传输单元300配置的机械手的数量与抛光系统1000的生产节拍有关，第一传输单元300也可以仅配置一个机械手。

在一些实施例中，第一传输单元300可以沿横向移动，以扩大第一传输单元300触及的范围，提高晶圆传递的便捷性。

第二传输单元400为机械手，其设置于相邻抛光装置100之间，并且，抛光装置100配置的装卸机构20围绕第二传输单元400设置，以便于第二传输单元400自装卸机构20取放晶圆。

进一步地，抛光系统1000还包括缓存单元500，缓存单元500设置于相邻装卸机构20之间，以暂存待传输晶圆；具体的，抛光装置100设置一个缓存单元500，缓存单元500包括托架510，如图4所示，托架510上配置有四个卡爪520，卡爪520分散设置，以便水平支撑晶圆。

托架510匹配设置于相邻装卸机构20之间，即缓存单元500的托架510嵌设于相邻装卸机构20之间的间隙中，以在避免部件干涉的条件下，为暂时存放的晶圆提供放置空间。

本发明中，第二传输单元400能够将缓存单元500的晶圆传输至相邻抛光装置100的装卸机构20，使得晶圆能够沿抛光系统1000的横向传输，以便在不同抛光装置100的内部实施化学机械抛光；同时，第二传输单元400能够将完成抛光的晶圆朝向前置单元200所在位置传输。

具体的，图3所示的实施例中，第二传输单元400设置于第一抛光装置100A和第二抛光装置100B之间，第二传输单元400能够抓取第一抛光装置100A中装卸机构20的晶圆并将其传输至第二抛光装置100B中的装卸机构20，以便晶圆按照抛光工艺实施化学机械抛光。

需要说明的是，在第二传输单元400自缓存单元500抓取晶圆时，缓存单元500所在的抛光装置100中的抛光组件31位于抛光盘10的上方，以有效防止抛光组件31与缓存单元500发生干涉。

图5是图3实施例中第一抛光装置100A的侧视图，在抛光机构30的第一抛光组件31A朝向第二装卸机构20B移动时，第一抛光组件31A的底部位于缓存单元500的上方，以防止两者发生干涉。作为本发明的一个实施例，抛光机构30的抛光组件31可以配置竖向驱动装置，以便驱动抛光组件31沿竖直方向移动。

本发明中，由于装卸机构20上部的托板可沿竖直方向移动，进而配合抛光组件31装载托板上的晶圆。因此，在一些实施例中，抛光机构30的抛光组件31也可以不竖向移动，而利用装卸机构20的托板的竖向移动来实现晶圆的装载；具体的，在抛光组件31自装卸机构20装载晶圆时，装卸机构20的托板可适应性调整其上晶圆的竖向位置；同时，抛光组件31的承载头的气膜可以膨胀及伸缩，以适应性调整承载头的竖向微位移，以便实现晶圆的装载及卸载。作为本发明的一个实施例，缓存单元500上的托架510也可以沿竖直方向移动，以防止其与移动的抛光组件31发生干涉。具体的，第二传输单元400抓取晶圆时，缓存单元500的托架510处于高位，同时，抛光组件31在抛光盘10上方抛光作业。相应地，在抛光组件31自装卸机构20装载或卸载晶圆时，缓存单元500的托架510处于低位，以避免托架510与抛光组件31发生干涉。

在一些实施例中，缓存单元500包括转轴530和摆臂540，如图6所示，摆臂540设置于转轴530的上方，摆臂540上配置有水平支撑晶圆的卡爪520，并且，摆臂540能够绕转轴530摆动，以便于第一传输单元300及第二传输单元400交互晶圆。

如此设置，摆臂540水平支撑的晶圆不在抛光组件31的移动路径上，以避免两者发生干涉；并且，摆臂540可以绕转轴530水平摆动，以便于晶圆的快速交互。具体的，当第一传输单元300需要将晶圆朝向图3示出的第二抛光装置100B传输时，图6示出的摆臂540绕转轴530朝向第一传输单元300摆动，以便于第一传输单元300将晶圆放置于缓存单元500；接着，摆臂540带动水平支撑的晶圆朝向第二传输单元400摆动，以便于第二传输单元400抓取晶圆并传输至第二抛光装置100B的装卸机构20。

本发明中，抛光系统1000对应的抛光装置100的数量为N，则抛光系统1000对应配置的缓存单元500的数量为N-1。这是因为远离前置单元200的抛光装置100也可以不配置缓存单元500。具体的，图3所示的实施例中，抛光系统1000对应的抛光装置100的数量为两个，而缓存单元500的数量为一个。

图3中，抛光系统1000还包括清洗单元600，其设置于前置单元200与抛光装置100之间，相应地，第一传输单元300设置于清洗单元600与抛光装置100之间。

本发明中，清洗单元600包括多个清洗模块，其中，清洗模块可以采用水平清洗的模式处理完成抛光的晶圆，也可以采用竖直清洗的模式处理完成抛光的晶圆。此处的清洗模块包括刷洗、兆声清洗、干燥等功能模块。图3所示的实施例中，清洗模块沿抛光系统1000的横向设置，并且，大致对称设置于抛光系统1000纵向的端面，以便于操作人员开展日常维护工作。

图7是本发明另一实施例提供的一种抛光系统1000的示意图，该实施例中，抛光系统1000包括：

前置单元200；

图1示出的抛光装置100；

清洗单元600，其设置于前置单元200与抛光装置100之间；

第一传输单元300，其设置于清洗单元600与抛光装置100之间，以在两者之间交互晶圆。

本实施例中，抛光机构30的抛光组件31能够沿抛光系统1000的纵向移动，以便在抛光盘10配置的装卸机构20之间取放晶圆，进而减少机械手的配置，提高晶圆传输的便捷性。

此外，本发明还提供了一种抛光方法，其使用图3示出的抛光系统1000，其流程图，如图8所示，该抛光方法包括：

S1，第一传输单元300将待抛光晶圆传输至抛光装置100的装卸机构20；

S2，抛光组件31将装卸机构20的晶圆传输至待机的抛光盘10的上方，以实施抛光作业；

S3，第一传输单元300将晶圆放置于缓存单元500，第二传输单元400将晶圆朝向相邻抛光装置100传输，抛光组件31自装卸机构20装载晶圆并移动至抛光盘10上方，以实施抛光作业。

以上抛光方法仅示出了晶圆在抛光装置100的作业情况，下面简述晶圆在前置单元200及清洗单元600的作业情况：晶圆需要借助前置单元200中的内置机械手将晶圆传输至清洗单元600的清洗缓存单元610(图3示出)，以便第一传输单元300自清洗缓存单元抓取晶圆并传输至抛光装置100的装卸机构20中；当晶圆完成抛光后，第一传输机构300将抛光后的晶圆放置于清洗单元600的清洗模块中，清洗完成的晶圆可以再放置于清洗缓存单元610中，再由前置机械手将晶圆传输至前置单元200的FOUP中。

为了保证晶圆在清洗单元600内部传输的便捷性，第一传输单元300也可以沿抛光系统1000的横向移动，是的其上的夹持爪能够覆盖各个清洗模块及清洗缓存单元610。

需要说明的是，第一传输单元300和/或第二传输单元400与缓存单元500交互时，缓存单元500对应的抛光装置100处于抛光作业状态。

即在第一传输单元300和/或第二传输单元400朝向缓存单元500放置晶圆时，抛光装置100对应的抛光组件31远离装卸机构20而位于抛光盘10的上方，以防止抛光组件31与第一传输单元300或第二传输单元400发生干涉。

需要说明的是，本申请提供的抛光装置及抛光系统，也可以应用于第三代半导体材料晶圆的化学机械抛光，具体可以用于对由第三代半导体材料加工的4英寸、6英寸或者8英寸晶圆，例如4、6、8英寸的GaN晶圆，或者8英寸的SiC晶圆等。

另外，由于第三代半导体材料的生长难度较高，存在温场难以控制、生长速度缓慢、良品参数要求高、晶体扩径难度大等问题，使得第三代半导体材料的晶圆尺寸主要为6-8寸，随着技术的发展以及对生长问题的克服，第三代半导体材料的晶圆尺寸可能扩张为12寸甚至大于12寸，其同样适用本申请提供的方案/设备，均在本申请的保护范围内。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (15)

1.一种抛光装置，其特征在于，包括：

抛光盘；

装卸机构，与抛光盘一一对应并位于相邻抛光盘之间；

抛光机构，设置于抛光盘上方并包括两个抛光组件，所述抛光组件与抛光盘对应设置且能够经由装卸机构在抛光盘之间移动。

2.如权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述抛光机构还包括支撑件，所述抛光组件滑动连接于所述支撑件的下方。

3.如权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，所述支撑件架设于相邻抛光盘之间，并且，抛光盘配置的装卸机构位于抛光盘的中心连线上。

4.如权利要求3所述的抛光装置，其特征在于，所述抛光组件能够经由所述支撑件，移动至相邻抛光盘对应的装卸机构。

5.如权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述抛光装置还包括修整组件和供液组件，其临近抛光盘设置；所述修整组件用于修整抛光盘上方的抛光垫，所述供液组件用于朝向抛光垫供给抛光液，以配合实施化学机械抛光。

6.一种抛光系统，其特征在于，包括：

前置单元；

至少两个权利要求1至5任一项所述的抛光装置；

第一传输单元，设置于前置单元与抛光装置之间，以在两者之间交互晶圆；

第二传输单元，设置于相邻抛光装置之间，以在抛光装置之间交互晶圆。

7.如权利要求6所述的抛光系统，其特征在于，还包括缓存单元，其设置于相邻装卸机构之间，以暂存待传输晶圆；所述第二传输单元能够将缓存单元的晶圆传输至相邻抛光装置的装卸机构。

8.如权利要求7所述的抛光系统，其特征在于，所述缓存单元包括托架，所述托架上配置有多个用于支撑晶圆的卡爪。

9.如权利要求8所述的抛光系统，其特征在于，所述托架匹配设置于相邻装卸机构之间。

10.如权利要求7所述的抛光系统，其特征在于，所述缓存单元包括转轴和摆臂，所述摆臂设置于转轴的上方；所述摆臂上配置有水平支撑晶圆的卡爪且能够绕转轴摆动，以便与第一传输单元及第二传输单元交互晶圆。

11.如权利要求7所述的抛光系统，其特征在于，所述抛光装置的数量为N，则缓存单元的数量为N-1。

12.如权利要求6所述的抛光系统，其特征在于，还包括清洗单元，其设置于前置单元与抛光装置之间，所述第一传输单元设置于清洗单元与抛光装置之间。

13.一种抛光系统，其特征在于，包括：

前置单元；

权利要求1至5任一项所述的抛光装置；

清洗单元，设置于前置单元与抛光装置之间；

第一传输单元，设置于清洗单元与抛光装置之间，以在两者之间交互晶圆。

14.一种抛光方法，其特征在于，使用权利要求6至12任一项所述的抛光系统，包括：

S1，第一传输单元将待抛光晶圆传输至抛光装置的装卸机构；

S2，抛光组件将装卸机构的晶圆传输至待机的抛光盘上方，以实施抛光作业；

S3，第一传输单元将晶圆放置于缓存单元，第二传输单元将晶圆朝向相邻抛光装置传输，抛光组件自装卸机构装载晶圆并移动至抛光盘上方，以实施抛光作业。

15.如权利要求14所述的抛光方法，其特征在于，所述第一传输单元和/或第二传输单元与缓存单元交互时，所述缓存单元对应的抛光装置处于抛光作业状态。