CN117500952A - 具有贵金属插入物和裙座的组合式溅射靶 - Google Patents

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Abstract

一种溅射靶，该溅射靶包括靶插入物和裙座结构，靶插入物包括靶金属化合物，裙座结构包括主裙座和次裙座。主裙座设置成邻近次裙座的至少一部分并且包括第一金属化合物。次裙座包括不同于第一金属化合物的第二金属化合物。

Description

具有贵金属插入物和裙座的组合式溅射靶
优先权要求
本申请要求2021年6月24日提交的美国临时申请第63/214,411号的优先权，其并入本文作为参考。
技术领域
本公开涉及用于沉积贵金属的溅射靶，特别是包括靶插入物(target insert)和裙座(skirt)结构的溅射靶。
背景技术
溅射沉积是薄膜沉积的物理气相沉积(PVD)方法。从广义上讲，溅射工艺涉及将材料从溅射靶(材料源)喷射到基板上。许多工艺和材料参数的可用性使其成为一个复杂的工艺。有益的是，溅射工艺还提供对由此产生的膜的生长和微观结构的很大程度的控制。
一种类型的溅射是离子束轰击溅射，其中将高能量离子源引向靶源(靶插入物)。离子轰击的力量赋予靶源的原子足够的能量，使被激发的原子脱离靶源(溅射)，形成粒子通量，并在基板上沉积薄膜。使用离子束溅射沉积的优势包括将基板与高能电子轰击分离，以及独立控制撞击靶的离子能量和电流密度。离子束溅射沉积的基本技术是众所周知的。
通常，任何可以物理放置在真空室中的靶源材料都可以通过离子束沉积进行溅射。这包括由单一化学元素、合金、复合材料和化合物组成的材料。在沉积具有给定化学成分的薄膜时，在靶源作为沉积材料的主要来源而被依赖的情况下，靶源可以通过真空、惰性或开放气氛熔化制备。通过感应熔化、电阻熔化、电弧熔化或类似的熔化方法使材料熔化。随后通过已知的材料加工方法将材料形成为适当的形状。可选择地，该材料可以通过多种粉末固结方法形成，例如压制和烧结、热等静压、单轴热压或类似的众所周知的技术。这些方法可以设计用于生产具有高纯度和结构完整性的材料。沉积靶通常通过接合层附接到背衬支架或背板上，以便准确放置在真空室中。接合层通常包含焊料。
当离子束穿过靶插入物以启动溅射时，由于在某些情况下处理不一致，离子束可能会接触靶本身以外的区域。很多时候，利用外裙座将靶插入物保持在一定位置。作为一个示例，美国专利No.6,755,944公开了一种离子束沉积靶源，该离子束沉积靶源由可移除的、被外部区域围绕的位于中心的内部插入物组成。当插入物被侵蚀时，可以被移除和更换，而未被离子束侵蚀的靶源的外部区域保留在与背板附接的位置。内部插入物和外部区域通过接口彼此连接，该接口包括位于内部插入物和外部区域上的相对配合表面上的互锁凸边或凹槽结构，从而在这些组件结合时形成沉积靶源。沉积靶源可以通过接合层附接到背板，该背板安装在离子束沉积机中。
外裙座可能有害地被离子束接触。结果是，裙座本身变成了靶材料，从该靶材料不利地发射出污染粒子。这种污染对期望的膜组成和特性具有有害影响。
为了改善这个问题，裙座材料可以由与靶插入物相同的高纯度(和高成本)贵金属/合金构成。遗憾的是，在溅射靶中大量使用贵金属会增加成本，尤其是在当前贵金属价格处于历史高位的时期。
因此，即使考虑到已知技术，也需要具有有效地固定靶插入物、同时将膜污染最小化或消除并降低贵金属含量和总成本的外裙座的溅射靶。
发明内容
在一个实施方案中，本公开涉及一种溅射靶，该溅射靶包括靶插入物和裙座结构。靶插入物包括靶金属化合物，并且优选地，靶金属化合物包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽、钨或银，或其组合或合金。裙座结构包括主裙座和次裙座，并且主裙座设置成邻近次裙座的至少一部分。主裙座包括第一金属化合物，例如铑、钌、铂、金、铱、钴、钽或银，或其组合。次裙座包括第二金属化合物，例如铜、镍、铝，或其组合或合金。在一个实施方案中，第二金属化合物不同于第一金属化合物。第一金属化合物任选地包括与靶插入物相同的金属。主裙座的厚度可以为10微米至6350微米，次裙座的厚度可以为100微米至25000微米，优选为100微米至6350微米，并且/或者主裙座厚度与次裙座厚度之比可以小于5:1。第一金属化合物的CTE可以为5.5至11.5，第二金属化合物的CTE可以为11.5至21.5，并且/或者第一金属化合物的CTE与第二金属化合物的CTE之间的差异可以小于200％。第一金属化合物的电导率可以为100至200，第二金属化合物的电导率可以为315至515，并且/或者第一金属化合物的电导率与第二金属化合物的电导率之间的差异可以小于200％。主裙座可以例如通过焊接或扩散接合与次裙座接合。在某些情况下，接合不是通过涂覆或镀覆来实现的。靶还可以包括设置在靶插入物下方和裙座下方的背板和/或设置在主裙座和次裙座之间的接合层。在与基板一起使用时，靶可以表现出在整个基板上的变化小于25％的沉积速率和/或在整个基板上的变化小于25％的膜均匀性。
在一个实施方案中，本公开涉及一种溅射靶，该溅射靶包括靶插入物和裙座结构，靶插入物包含靶金属化合物，裙座结构包括主裙座和次裙座，其中主裙座与次裙座接合；主裙座包括第一金属化合物，次裙座包括不同于第一金属化合物的第二金属化合物。主裙座可以例如通过焊接或扩散接合与次裙座接合。在某些情况下，接合不是通过涂覆或镀覆来实现的。靶插入物包括靶金属化合物，并且优选地，靶金属化合物包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽、钨、或银、或其组合或合金。裙座结构包括主裙座和次裙座，并且主裙座设置成邻近次裙座的至少一部分。主裙座包括第一金属化合物，例如铑、钌、铂、金、铱、钴、钽或银，或其组合。次裙座包括第二金属化合物，例如铜、镍、铝，或其组合或合金。在一个实施方案中，第二金属化合物不同于第一金属化合物。第一金属化合物任选地包括与靶插入物相同的金属。主裙座的厚度可以为10微米至6350微米，次裙座的厚度可以为100微米至25000微米，优选为100微米至6350微米，并且/或者主裙座厚度与次裙座厚度之比可以小于5:1。第一金属化合物的CTE可以为5.5至11.5，第二金属化合物的CTE可以为11.5至21.5，并且/或者第一金属化合物的CTE与第二金属化合物的CTE之间的差异可以小于200％。第一金属化合物的电导率可以为100至200，第二金属化合物的电导率可以为315至515，并且/或者第一金属化合物的电导率与第二金属化合物的电导率之间的差异可以小于200％。靶还可以包括设置在靶插入物下方和裙座下方的背板和/或设置在主裙座和次裙座之间的接合层。在与基板一起使用时，靶可以表现出在整个基板上的变化小于25％的沉积速率和/或在整个基板上的变化小于25％的膜均匀性。
在一个实施方案中，本公开涉及一种溅射靶，该溅射靶包括靶插入物和裙座结构，靶插入物包含靶金属化合物；裙座结构包括主裙座和次裙座，其中主裙座厚度与次裙座厚度之比小于5:1；主裙座包括第一金属化合物，次裙座包括不同于第一金属化合物的第二金属化合物。靶插入物包括靶金属化合物，并且优选地，靶金属化合物包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽、钨或银，或其组合或合金。裙座结构包括主裙座和次裙座，并且主裙座设置成邻近次裙座的至少一部分。主裙座包括第一金属化合物，例如铑、钌、铂、金、铱、钴、钽或银，或其组合。次裙座包括第二金属化合物，例如铜、镍、铝，或其组合或合金。在一个实施方案中，第二金属化合物不同于第一金属化合物。第一金属化合物任选地包括与靶插入物相同的金属。主裙座的厚度可以为10微米至6350微米，次裙座的厚度可以为100微米至25000微米，优选为100微米至6350微米。第一金属化合物的CTE可以为5.5至11.5，第二金属化合物的CTE可以为11.5至21.5，并且/或者第一金属化合物的CTE与第二金属化合物的CTE之间的差异可以小于200％。第一金属化合物的电导率可以为100至200，第二金属化合物的电导率可以为315至515，并且/或者第一金属化合物的电导率与第二金属化合物的电导率之间的差异可以小于200％。主裙座可以例如通过焊接或扩散接合与次裙座接合。在某些情况下，接合不是通过涂覆或镀覆来实现的。靶还可以包括设置在靶插入物下方和裙座下方的背板和/或设置在主裙座和次裙座之间的接合层。在与基板一起使用时，靶可以表现出在整个基板上的变化小于25％的沉积速率和/或在整个基板上的变化小于25％的膜均匀性。
附图说明
附图是本公开的一个实施方案的溅射靶的横截面图。
具体实施方式
简介
如上所述，常规的溅射靶可以包括靶插入物和用于将插入物保持在一定位置的裙座。通常，裙座材料由与靶插入物相同的高纯度(和高成本)贵金属/合金构成，这导致溅射靶不具有成本效益，至少部分原因是典型的靶贵金属(例如铑、金或铂)的高成本。在过去，当贵金属的成本远没有那么高时，在本领域中没有意识到要解决裙座材料的组成，特别是考虑到这种两部分或两层结构的复杂性和工艺步骤。换言之，在现有文献中没有讨论或解决两层裙座配置。
本发明人现已发现，使用包含两种组件的裙座(包含第一贵金属化合物的主裙座和包含第二(成本较低的)金属化合物的次裙座)有效地减少或消除了膜污染，同时有利地降低了溅射靶的总贵金属含量。已经发现，当如本文所述配置时，主裙座在被离子束接触时溅射具有最少杂质的高纯度沉积粒子。在某些情况下，离子束不会到达次裙座(或仅以名义上的方式接触次裙座)。当主裙座和次裙座以这种方式配置时(特别是以本文所述的厚度和厚度比)，很少有(如有)不希望的沉积粒子从整个裙座结构中释放出来。因此，主裙座和次裙座的协同组合实现了有益目标，即有效地固定靶插入物，同时将膜污染最小化或消除并降低贵金属含量和总成本。
相比之下，常规的裙座配置要么完全由昂贵的贵金属构成，要么完全由成本较低的金属构成，这样当裙座被离子束接触时会产生膜污染。这些常规的裙座配置已经显示出本文探讨的工艺/成本问题。
溅射靶
在一个实施方案中，本公开涉及一种溅射靶，该溅射靶包括靶插入物和裙座结构，该靶插入物包括靶金属，该裙座结构用于将靶插入物保持在一定位置。
有利地，裙座结构包括主裙座和次裙座(与常规的裙座配置相比)。主裙座设置成邻近次裙座的至少一部分，例如，主裙座可以层迭在次裙座的顶上。主裙座包括第一金属化合物，次裙座包括第二金属化合物。重要的是，第一金属化合物可以不同于第二金属化合物，例如，第一金属化合物包括贵金属靶金属，而第二金属化合物包括较便宜的“填料”金属。以这种方式使用第一金属化合物和第二金属化合物提供了上述益处。
在某些情况下，主裙座和次裙座(以及裙座结构中任选的其他裙座组件)配置为层。例如，主裙座可以是位于次裙座的至少一部分的顶上的层，该次裙座也可以是例如位于背板顶上的层。在某些情况下，主裙座设置成与靶插入物基本上是同平面的，例如，与靶插入物是同平面的。
如上所述，有利地，当插入物被侵蚀时，可以被移除和更换。如果要移除靶源以更有效地回收利用，则未被离子束侵蚀的裙座结构可以保留在原位置(附接到背板)或与新的中心插入物一起重复使用。前述裙座配置的优势适用于使用更换靶插入物。例如，当更换靶插入物时，可以采用相同的裙座结构，从而使得能够固定更换靶插入物，同时还将膜污染最小化或消除并降低贵金属含量和总成本。
溅射靶源可以制成多种形状和尺寸，并且可以由多种材料组成，包括但不限于金属和金属合金、复合材料、陶瓷化合物和其他化学成分(见下文讨论)。在某些情况下，溅射靶是直径为约25cm至约40cm的圆形、尺寸为约22cm×30cm的椭圆形和尺寸为约25cm×36cm的矩形。这些尺寸仅仅是示例性的并非旨在限制本公开的范围。
靶插入物和裙座结构
通常，靶插入物是众所周知的。并且靶插入物的配置可能差异很大。在某些情况下，插入物位于中心。裙座结构可以设置成邻近(至少部分地)靶插入物并且可以将插入物保持在一定位置。在某些情况下，裙座(完全地)围绕插入物并将插入物保持在一定位置。例如，插入物和裙座可以紧密地配置或彼此连接。在一些实施方案中，可以采用互锁接口来建立插入物和裙座结构之间的连接，从而防止在粒子通量中形成污染物，例如非贵金属原子。
靶插入物包括靶金属化合物(由靶金属化合物制成)。靶金属提供被溅射以在基板上形成膜的材料。靶金属化合物是众所周知的，可能变化很大，并且通常是高成本的金属或合金。靶金属化合物可以是一种或多种贵金属。示例性靶金属/合金包括但不限于铑、钌、铂、金、铱、钴、钽、钨或银，或其组合或合金。靶金属还可以包括上述金属的组合和合金。在某些情况下，靶金属为铑。广义上讲，靶金属化合物可以是可以有效溅射到基板上的任何材料或化合物。
如上所述，裙座结构包括主裙座和次裙座。在某些情况下，主裙座和次裙座彼此接合。作为示例，可以通过焊接或扩散接合来实现接合。在一些实施方案中，接合不是通过涂覆工艺或通过镀覆来实现的。本发明人已经发现，在某些情况下，由于需要额外的、不必要的加工步骤会引起问题，因此应避免涂覆和镀覆。此外，已发现在涂覆和镀覆方面的供应链问题是值得注意的。相比之下，使用其他方法，例如上面提到的那些方法，提供了接合效率，例如，整个裙座结构的热膨胀系数(CTE)的一致性，以及加工效率，还有改进的层间粘附性，这在溅射操作条件(例如较高的温度)下尤其重要。加工效率包括例如消除工艺步骤、工艺条件和流程问题。通过采用诸如焊接或扩散接合的方法，需要较少的加工步骤和/或流程。
主裙座是可能(不经意地)被离子束接触的部分。至少出于这个原因，主裙座可以由与靶金属/合金相似(如不相同)的高纯度金属/合金构成。主裙座包括第一金属化合物，该第一金属化合物可以包括上述关于靶金属提到的金属。在某些情况下，第一金属化合物包含与靶金属化合物相同的金属。在一些实施方案中，第一金属化合物和/或靶金属化合物是高纯度金属，例如几乎没有污染或没有污染(例如含有小于10wt％的其他金属，例如小于5wt％、小于3wt％、小于1wt％、小于0.5wt％或小于0.1wt％)的纯金属。
在一些实施方案中，第一金属化合物和靶金属化合物都是合金，并且合金金属中的一些同时存在于第一金属化合物和靶金属化合物中，例如，第一金属化合物和靶金属化合物中的金属可能有一些重迭。
次裙座用于与主裙座共同协作以将靶插入物固定在溅射靶中。已经发现，有利地，当使用主裙座时，次裙座的冶金(第二金属化合物的组成)可以具有成本较低的金属。本发明的一个原则是能够用至少一部分较便宜的材料有效地更换通常由更昂贵的材料制成的一些裙座(次裙座)。
第二金属化合物通常是已知的并且是成本较低的金属或合金。示例性第二金属/合金包括但不限于铜、镍、铝或(任选的)钴，或其组合或合金。在某些情况下，第二金属化合物和第一金属化合物中可以包含钴，但含量显著不同(例如含量更高)。第二金属化合物还可以包括上述金属的组合和合金。在某些情况下，第二金属是铜。在某些情况下，第二金属化合物(或在某些情况下，第一金属化合物)本身可以不是金属。第二金属(或在某些情况下，第一金属化合物)可以包括由单一化学元素、合金、复合材料、聚合物、氧化物、陶瓷、填料和其他化合物组成的材料。通常，这些材料或化合物的成本很高。其他已知的填料材料也可以考虑。
在某些情况下，本节列表中的这些组分中的一个或多个例如可通过权利要求用语被明确排除。这在本文中被考虑。例如，所公开的组合物可以排除钴作为第一金属化合物，或者可以排除铝作为第二金属化合物。此排除选项不限于这些特定示例，而是适用本文列表中的所有其他组分或步骤。这为在权利要求用语中明确排除这些组分中的一个或多个提供了支持。
本发明人进一步发现裙座结构组件的厚度是重要的。特别地，主裙座的厚度必须足以被离子束接触，而不允许离子束到达次裙座从而溅射不希望的污染物粒子。在一些实施方案中，主裙座的厚度大于10微米，例如大于20微米、大于50微米、大于100微米、大于300微米、大于500微米、大于800微米、大于1000微米、大于2000微米、大于3000微米、大于4000微米、大于5000微米或大于6000微米。就范围而言，主裙座的厚度可以为10微米至15000微米，例如100微米至10000微米、10微米至7000微米、10微米至6350微米、50微米至5000微米、100微米至4000微米，500微米至3500微米，500微米至3000微米，或1000微米至2500微米。就上限而言，主裙座的厚度可以小于15000微米，例如小于12000微米、小于10000微米、小于7000微米、小于6000微米、小于5000微米、小于4000微米、小于3500微米、小于3000微米、小于2500微米、小于2000微米或小于1500微米。
在一些情况下，次裙座的厚度大于100微米，例如大于500微米、大于800微米、大于1000微米、大于2000微米、大于3000微米、大于4000微米、大于5000微米，或大于6000微米。就范围而言，次裙座的厚度可以为100微米至25000微米，例如100微米至6350微米、500微米至20000微米、500微米至15000微米、500微米至10000微米、500微米至7000微米、1000微米至6000微米、2000微米至6000微米或3000微米至5000微米。就上限而言，次裙座的厚度可以小于25000微米，例如小于20000微米、小于15000微米、小于10000微米、小于7000微米，例如小于6000微米、小于5000微米、小于4000微米、小于3500微米、小于3000微米、小于2500微米、小于2000微米或小于1500微米。
如本文所用，“大于”和“小于”限制还可以包括与其相关联的数字。换句话说，“大于”和“小于”可以解释为“大于或等于”和“小于或等于”。可以预期的是，该用语可以随后在权利要求书中修改以包括“或等于”。例如，“大于4.0”可以被解释为并且可随后在权利要求书中被修改为“大于或等于4.0”。
重要的是，在某些情况下，主裙座厚度与次裙座厚度之比小于5:1，例如小于2:1、小于1:1、小于0.7:1、小于0.5:1、小于0.3:1、小于0.2:1或小于0.1:1。在某些情况下，主裙座比次裙座薄。在一些实施方案中，主裙座仍必须足够坚固以防止离子束到达次裙座。例如，主裙座厚度与次裙座厚度之比可以大于0.1:1，例如大于0.2:1、大于0.3:1、大于0.4:1、大于0.5:1、大于0.6:1、大于0.7:1、大于0.8:1、大于0.9:1或大于1:1。
第一金属化合物和第二金属化合物也必须彼此充分良好地相互作用。在某些情况下，金属化合物的性质不应该相差太大。
第一金属化合物的CTE(@0-100C(x10-6 C-1))可以为4至20，例如为5至19、7至15、5至11、5.5至10.5、6至10、6.5至9.5、7至9或7.5至8.5。就上限而言，第一金属化合物的CTE可以小于20，例如小于19、小于15、小于12、小于10.5、小于10、小于9.5、小于9或小于8.5。就下限而言，第一金属化合物的CTE可以大于4，例如大于5、大于5.5、大于6、大于6.5、大于7、大于7.5、大于8或大于8.5。
第二金属化合物的CTE(@0-100C(x10-6C-1))可以为4至20，例如为4至18、5至15、11.5至21.5，例如为13.5至19.5、14.5至18.5、15.5至17.5或16至17。就上限而言，第二金属的CTE可以小于21.5，例如小于20、小于19.5、小于18.5、小于17.5或小于17。就下限而言，第二金属的CTE可以大于4，例如大于6，大于8，大于10，11.5，例如大于13.5，大于14.5、大于15.5或大于16。
第一金属化合物的电导率(@0-100C(W m-1K-1))可以为50至350，例如为50至300、100至300、100至250、120至180、130至170、140至160或145至155。就上限而言，第一金属化合物的电导率可以小于350，例如小于300、小于250、小于200、小于180、小于170、小于160或小于155。就下限而言，第一金属化合物的电导率可以大于50，例如大于100、大于120、大于130、大于140或大于145。
第二金属化合物的电导率(@0-100C(W m-1K-1))可以为200至515，例如为200至450、250至400、315至515、365至465、390至440、400至430或410至420。就上限而言，第二金属化合物的电导率可以小于515，例如小于465、小于440、小于430或小于420。就下限而言，第二金属化合物的电导率可以大于200，例如大于250、大于300、大于315、大于365、大于390、大于400或大于410。
在一些实施方案中，第一金属化合物的CTE与第二金属化合物的CTE之间的差异小于200％，例如小于150％、小于100％、小于75％、小于50％、小于25％或小于10％。
在一些实施方案中，第一金属化合物的电导率和第二金属化合物的电导率之间的差异小于200％，例如小于150％、小于100％、小于75％、小于50％、小于25％或小于10％。
通过管理这些特性，主裙座和次裙座之间的接合得到了惊人地改进。例如，实现了均匀的接合和均匀的靶，例如，粘附性高并且热点被最小化或消除。作为结果，当在溅射操作中与基板一起使用时，溅射靶表现出在整个基板上的变化小于25％(例如小于20％、小于15％、小于10％、小于5％或小于1％)的沉积速率(埃/秒)。作为另一个益处，当在溅射操作中与基板一起使用时，溅射靶表现出在整个基板上的变化小于25％(例如小于20％、小于15％、小于10％、小于5％或小于1％)的膜均匀性。
接合层和其他层
除了前述组件，溅射靶还可以包括其他层。例如，溅射靶还可以包括设置在主裙座和次裙座之间的接合层。接合层可以是接合操作(例如焊接、扩散接合或镀覆操作)的结果。多个接合层是可以考虑的。接合层的组成和加工可以有很大的不同。一些接合层形成技术是已知的。在某些情况下，接合层包括焊料。
在某些情况下，溅射靶包括设置在靶插入物下方和裙座(结构)下方的背板。背板可以有很大的不同，并且可以是本领域已知的常规背板。在某些情况下，靶和/或裙座结构可以通过接合层附接到位于离子束沉积(IBD)机上的背板。
附图示出了示例性溅射靶100，该溅射靶100包括靶插入物102和裙座结构104。在该特定情况下，裙座结构104围绕并接收靶插入物102。如附图所示，裙座结构包括主裙座106和次裙座108，该主裙座106和次裙座108如本文所述被构造和配置。靶插入物102和裙座结构104设置在背板110的顶上。
在某些情况下，一旦靶被充分侵蚀以致需要更换，可将背板加热到足以熔化焊料的温度，从而允许移除侵蚀的插入物，这表现出所公开的溅射靶的组合式特性。
实施方案
以下实施方案是可以考虑的。特征和实施方案的所有组合都是可以考虑的。
实施方案1：一种溅射靶，该溅射靶包括：靶插入物，所述靶插入物包括靶金属化合物；和裙座结构，所述裙座结构包括主裙座和次裙座，所述主裙座设置成邻近次裙座的至少一部分；所述主裙座包括第一金属化合物，并且所述次裙座包括不同于第一金属化合物的第二金属化合物。
实施方案2：根据实施方案1所述的实施方案，其中所述第一金属化合物包括与所述靶插入物相同的金属。
实施方案3：根据实施方案1或2所述的实施方案，其中所述第一金属化合物包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽或银，或其组合。
实施方案4：根据实施方案1至3所述的实施方案，其中所述第二金属化合物包括铜、镍、铝，或其组合或合金。
实施方案5：根据实施方案1至4所述的实施方案，其中靶金属包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽、钨或银，或其组合或合金。
实施方案6：根据实施方案1至5所述的实施方案，其中所述主裙座的厚度为10微米至6350微米。
实施方案7：根据实施方案1至6所述的实施方案，其中所述次裙座的厚度为100微米至25000，优选为100微米至6350微米。
实施方案8：根据实施方案1至7所述的实施方案，其中主裙座厚度与次裙座厚度之比小于5:1。
实施方案9：根据实施方案1至8所述的实施方案，其中所述第一金属化合物的CTE为5.5至11.5，所述第二金属化合物的CTE为11.5至21.5，并且所述第一金属化合物的CTE与所述第二金属化合物的CTE之间的差异小于200％。
实施方案10：根据实施方案1至9所述的实施方案，其中所述第一金属化合物的电导率为100至200，所述第二金属化合物的电导率为315至515，并且所述第一金属化合物的电导率与所述第二金属化合物的电导率之间的差异小于200％。
实施方案11：根据实施方案1至10所述的实施方案，其中所述主裙座与所述次裙座接合。
实施方案12：根据实施方案1至11所述的实施方案，其中所述接合是通过焊接或扩散接合来实现的。
实施方案13：根据实施方案1至12所述的实施方案，其中所述接合不是通过涂覆或镀覆来实现的。
实施方案14：根据实施方案1至13所述的实施方案，其中所述溅射靶还包括设置在所述靶插入物下方和所述裙座下方的背板。
实施方案15：根据实施方案1至14所述的实施方案，其中所述溅射靶还包括设置在所述主裙座和所述次裙座之间的接合层。
实施方案16：根据实施方案1至15所述的实施方案，其中在与基板一起使用时，所述靶表现出在整个基板上的变化小于25％的沉积速率。
实施方案17：根据实施方案1至16所述的实施方案，其中在与基板一起使用时，所述靶表现出在整个基板上的变化小于25％的膜均匀性。
实施方案18：一种溅射靶，该溅射靶包括：靶插入物，该靶插入物包含靶金属化合物；和裙座结构，该裙座结构包括主裙座和次裙座，其中主裙座与次裙座接合；主裙座包括第一金属化合物，且次裙座包括不同于第一金属化合物的第二金属化合物。
实施方案19：根据实施方案18所述的实施方案，其中接合是通过焊接或扩散接合来实现的，并且优选地不是通过涂覆或镀覆来实现的。
实施方案20：一种溅射靶，该溅射靶包括：靶插入物，该靶插入物包含靶金属化合物；和裙座结构，该裙座结构包括主裙座和次裙座，其中主裙座厚度与次裙座厚度之比小于5:1；主裙座包括第一金属化合物，且次裙座包括不同于第一金属化合物的第二金属化合物。
实施方案21：根据实施方案20所述的实施方案，其中所述第一金属化合物包括与所述靶插入物相同的金属。
实施方案22：根据实施方案20或21所述的实施方案，其中所述第一金属化合物包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽或银，或其组合。
实施方案23：根据实施方案20至22所述的实施方案，其中所述第二金属化合物包括铜、镍、铝，或其组合或合金。
实施方案24：根据实施方案20至23所述的实施方案，其中靶金属包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽、钨或银，或其组合或合金。
实施方案25：根据实施方案20至24所述的实施方案，其中所述主裙座的厚度为10微米至6350微米。
实施方案26：根据实施方案20至25所述的实施方案，其中所述次裙座的厚度为100微米至25000微米、100微米至6350微米。
虽然已经详细描述了本发明，但是在本发明的精神和范围内进行的修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的。鉴于前述讨论、与背景技术和具体实施方案有关的以上讨论的本领域中的相关知识和参考文献，其全部公开内容通过引用并入本文。另外，应该理解，下面和/或所附权利要求中记载的本发明的各方面以及各种实施方案和各种特征的部分可以全部或部分地组合或互换。在各种实施方案的前述描述中，如本领域技术人员将理解的，可以将引用另一实施方案的那些实施方案与其他实施方案适当地组合。此外，本领域普通技术人员将理解，前述描述仅是示例性的，并不意在进行限制。

Claims (15)

1.一种溅射靶，包括：
靶插入物，所述靶插入物包含靶金属化合物；和
裙座结构，所述裙座结构包括主裙座和次裙座，所述主裙座设置成邻近次裙座的至少一部分；
所述主裙座包括第一金属化合物，且所述次裙座包括不同于所述第一金属化合物的第二金属化合物。
2.根据权利要求1所述的靶，其中所述第一金属化合物包括与所述靶插入物相同的金属。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的靶，其中所述第一金属化合物包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽或银，或其组合。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的靶，其中所述第二金属化合物包括铜、镍、铝，或其组合或合金。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的靶，其中所述靶金属包括铑、钌、铂、金、铱、钴、钽、钨或银，或其组合或合金。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的靶，其中所述主裙座的厚度为10微米至6350微米。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的靶，其中所述次裙座的厚度为100微米至6350微米。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的靶，其中主裙座厚度与次裙座厚度之比小于5:1。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的靶，其中所述第一金属化合物的CTE为5.5至11.5，所述第二金属化合物的CTE为11.5至21.5，并且所述第一金属化合物的CTE与所述第二金属化合物的CTE之间的差异小于200％。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的靶，其中所述第一金属化合物的电导率为100至200，所述第二金属化合物的电导率为315至515，并且所述第一金属化合物的电导率与所述第二金属化合物的电导率之间的差异小于200％。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的靶，其中所述主裙座与所述次裙座接合。
12.根据权利要求10所述的靶，其中所述接合是通过焊接或扩散接合来实现的，优选所述接合不是通过涂覆或镀覆来实现的。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的靶，其中所述靶还包括设置在所述靶插入物下方和所述裙座下方的背板。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的靶，其中所述靶还包括设置在所述主裙座和所述次裙座之间的接合层。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的靶，其中在与基板一起使用时，所述靶表现出在整个所述基板上的变化小于25％的沉积速率和/或所述靶表现出在整个所述基板上的变化小于25％的膜均匀性。
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