CN117483890B - 一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法 - Google Patents
一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117483890B CN117483890B CN202311657793.XA CN202311657793A CN117483890B CN 117483890 B CN117483890 B CN 117483890B CN 202311657793 A CN202311657793 A CN 202311657793A CN 117483890 B CN117483890 B CN 117483890B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- nano
- solder alloy
- micro
- based solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 238000003466 welding Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 104
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 48
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
- B23K1/203—Fluxing, i.e. applying flux onto surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及微纳焊点制备领域，尤其是一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法，包括以下步骤：选取单晶基底金属，将单晶基底金属4之间相对设置；选取Sn基钎料合金单体，按设计要求该合金单体的空间取向。本发明通过添加复合助焊剂，使得温度保持在Sn基钎料合金固相线以下，在避免破坏Sn基钎料合金的晶体取向的情况下，复合助焊剂受热溶解扩散，进而形成冶金反应层，维持Sn基钎料合金的位置和空间取向；同时所制备近单晶微纳焊点内焊点承载的电流方向与Sn基钎料合金单体的面垂直，且垂直通过的面对应的Sn基钎料合金单体的电阻可按设计要求选定是最大的，可显著抑制电迁移速度，提高微焊点和电子产品的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及电子封装微纳焊点制备领域，具体涉及一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法。
背景技术
当Sn微焊点尺度小于100微米以后，电迁移和热疲劳是微纳焊点失效的两个主要原因，最新研究发现锡基微焊点的热疲劳与电迁移寿命均与焊点的晶粒取向紧密相关，因此，如何通过控制微焊点中钎料的晶体取向来提高焊点的抗电迁移性能与热疲劳性能是目前电子封装领域最新的热点问题。
当Sn基钎料合金的晶面垂直于电流方向时，微纳焊点的抗电迁移性将得到大大提高，但现有钎焊技术难以获得或其它的指定晶向的锡基钎料合金和基底金属，而且锡基钎料合金和基底金属钎焊连接时，通常需要对钎料基体加热至熔点以上直至完全熔融，发生冶金反应后再冷却凝固形成微焊点，因此无法控制钎料基体的原有晶向，从而难以获晶体取向一致或大体一致的Sn基微焊点，其可靠性更是难以做到完全相同或大体一致，导致电子产品之间的寿命参差不齐。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法。
为达到以上目的，本发明采用的技术方案为：
第一方面，一种近单晶Sn基微纳焊点制备方法，包括以下步骤：
选取单晶基底金属，将单晶基底金属之间相对设置；
选取Sn基钎料合金单体，按设计要求该Sn基钎料合金单体的空间取向，将所述Sn基钎料合金单体置于两个单晶金属基底之间，并在Sn基钎料合金单体与单晶基底金属的接触面涂抹含有纳米级SnBi钎料颗粒的复合助焊剂；
在低于Sn基钎料合金单体熔点但高于纳米级SnBi钎料颗粒熔点的温度范围内回流，加热使所述纳米级SnB i钎料颗粒在高于熔点温度下与单晶基底金属之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，从而得到近单晶微焊点。
具体的，所述Sn基钎料合金单体中Sn晶粒的空间取向在钎焊前后保持一致。
具体的，所述Sn基钎料合金单体的空间位向可按设计要求任意布置。
进一步的，所述复合助焊剂中含有一定比例的低熔点Sn58Bi共晶纳米颗粒。
进一步的，所述回流时最高回流温度低于所述Sn基钎料合金单体的固相线温度以下1-3℃。
进一步的，所述回流时温度设置范围在低于最高回流温度2-25°C范围内。
具体的，所述复合助焊剂中的合金粉为锡铋、锡铟、锡铅等低温合金中的一种。
第二方面，一种高抗电迁移性能近单晶Sn基微纳焊点，由上述的近单晶Sn基微纳焊点制备方法制备而成。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
通过添加复合助焊剂，使得温度保持在Sn基钎料合金固相线以下，在避免破坏Sn基钎料合金的晶体取向的情况下，复合助焊剂受热溶解扩散，进而形成冶金反应层，维持Sn基钎料合金的位置和空间取向；同时所制备近单晶微纳焊点内焊点承载的电流方向与单晶基底金属的面垂直，且垂直通过的面对应的单晶基底金属的电阻可按设计要求选定是最大的，可显著抑制电迁移速度，提高微焊点和电子产品的可靠性。
附图说明
图1为本发明中单晶体的空间结构示意图。
图2为本发明中提到的现有微焊点的焊缝示意图。
图3为本发明中近微焊点结构示意图。
图中：1、晶体；2、第一基底；201、晶胞一；3、晶体一；4、单晶基底金属；401、晶胞二；5、Sn基钎料合金单体。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
为了更好的理解本发明，先做如下解释限定。
单晶组织：晶体是经过结晶过程而形成的具有规则的几何外形的固体；晶体中原子或分子在空间按一定规律周期性重复的排列。
关于单晶的具体理解，如图1所示，晶体1的a边、b边和c边的长度均不同，由于各项异性的原理，电子从面101、面102和面103垂直经过时，晶体对其产生的阻力各不相同，即电阻值是不相同的；
应理解，晶体面之间的距离越小，电阻也越小，晶体面之间的距离越大，电阻值也越大。
b边和c边的长度大于a边，c边的长度大于b边,晶体的晶体结构可知，f方向和j方向的晶体的厚度均小于h方向的厚度，f方向和g方向的电子的流动经过晶体受到的电阻小于h方向电子流动经过晶体受到的电阻；
因此，在高密度电流作用下，沿f方向垂直于面101，主要原因是该方向上原子之间的距离较近，基底原子迁移速度相对h方向较快，所以容易引起扩散以及裂纹，微焊点可靠性较差，因此，例如图1所示的h方向进行流动，电阻最大，有利于减缓基底原子的迁移速度，降低引起基底原子扩散的可能性，有利于维持微焊点的稳定。
为了得到单晶，提供单晶的制备方法，具体的制备方法如下：
第一种、提拉设备实现的提拉制备法：
应理解，提拉法是一种通过拉伸单晶种子从熔体中制备完整单晶的方法。具体操作过程为：首先将所需材料加热至熔点，然后在熔体表面放置单晶种子，并慢慢将种子向熔体深处拉动，同时保持熔体温度和拉动速度的稳定。由于单晶种子受到的拉伸作用，熔体中的原子只会沿着单晶的结构方向有序排列，最终获得完整的单晶。
第二种、热型连铸装置实现的热型连铸法：
应理解，最常用的是水平热型连铸装置；
通过提拉法或者热型连铸法制备出单晶体后，然后对单晶体进行切割分块；再对具有一定空间位向单晶Sn和单晶基底按设计要求进行组合，并在接近钎料熔点219℃的某一温度(如218℃)下回流(即钎焊或连接)，钎料可与单晶基底发生冶金反应，此时可保持钎料基体的空间位向不变，从而得到性能符合设计要求的微焊点。
进一步说明，提拉法或者热型连铸法均为现有技术，在本技术领域已经成熟应用，在此不再赘述。
目前生产中的技术，钎料和基底的空间位向都是任意分布的，导致产品中微焊点的可靠性千差万别；
具体的理解，原微焊点如图2所示的，将两个第一基底2之间形成的基体中具有晶体一3，晶体一3也就是本申请中提到的单晶基底金属4，晶体一3的数量多，且晶体一3之间的空间位向杂乱无章，因此，稳定性得不到保障；
具体的，图2中所示的晶体一3的a1边、b1边和c1边，具体存在的形式可以是长方体，b1边和c1边均大于a1边的长度，c1边大于b1边的长度，因此，从晶体一3的不同面垂直穿过晶体一3的厚度是不同的，那么，受到晶体一3的电阻也是不同的，因此，在晶体一3之间的空间位向杂乱无章的情况下，电流方向经过晶体一3的电阻情况也各不相同，不利于对电子流速的控制，稳定性得不到保障。
在可选的实施例中，提出一种近单晶Sn基微纳焊点制备方法，包括以下步骤：
选取单晶基底金属4，将单晶基底金属4之间相对设置；
选取Sn基钎料合金单体5，按设计要求设置该合金单体的空间取向，将所述Sn基钎料合金单体5置于两个单晶基底金属4之间，并在Sn基钎料合金单体5与基底金属的接触面涂抹含有纳米级SnBi钎料颗粒的复合助焊剂；
具体的，如图3所示，两个单晶基底金属4空间排布完成后，在两个单晶基底金属4之间放置Sn基钎料合金单体5，Sn基钎料合金单体5的a2边、b2边和c2边具体情况是c2边和b2边的长度均大于a2边，c2边的长度大于b2边，是一个长方体形状的结构，将Sn基钎料合金单体5的空间排布情况是电流的流动方向会垂直与a2边与c2边形成的面，电流通过垂直于a2边与c2边形成的面的方式流过Sn基钎料合金单体5，且经过Sn基钎料合金单体5的厚度厚于电流垂直于c2边和b2边形成的面穿过Sn基钎料合金单体5的厚度，厚于电流垂直于a2边和b2边形成的面穿过Sn基钎料合金单体5的厚度，因此，电子流受到的电阻最大，电子的流动速度相对较慢，并且所有的Sn基钎料合金单体5排布方向统一，有利于减缓基底原子整体的迁移速度，降低引起基底原子扩散的可能性，有利于维持微焊点的稳定。
如图3所示的类似微焊点中部Sn基钎料将微纳焊点将两侧金属基底同为“单晶”，这样与中间Sn基钎料共同组成单晶Sn基微纳焊点，而且基底金属的空间位向处于电流作用下溶解度最小的晶体取向，不仅最大程度地保证微焊点性能均一并达到最佳。此外，基底金属在晶体取向一致的情况下，应该控制单晶数量，通常保持在个位数。
如图2所示的金属基底是有不同排布方向的晶胞一201组成，通过改进，将金属基底设置成单晶，如图3所示单晶之间取向一致，并且单晶内的晶胞二401取向一致。
应理解，Sn基钎料合金单体5熔点为217℃，纳米级SnBi钎料颗粒熔点为139℃，因此，回流温度大于139℃但小于217℃；
作为可选的实施例，回流温度为195℃时，205℃大于纳米级SnBi钎料颗粒熔点，205℃小于Sn基钎料合金单体5的熔点，加热使所述纳米级SnB i钎料颗粒在高于熔点温度下与基底金属之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，从而得到近单晶微焊点。
作为可选的实施例，回流温度为200℃时，200℃大于纳米级SnBi钎料颗粒熔点，200℃小于Sn基钎料合金单体5的熔点，加热使所述纳米级SnB i钎料颗粒在高于熔点温度下与基底金属之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，从而得到近单晶微焊点。
作为可选的实施例，回流温度为205℃时，205℃大于纳米级SnBi钎料颗粒熔点，205℃小于Sn基钎料合金单体5的熔点，加热使所述纳米级SnB i钎料颗粒在高于熔点温度下与基底金属之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，从而得到近单晶微焊点。
作为可选的实施例，回流温度为210℃时，205℃大于纳米级SnBi钎料颗粒熔点，205℃小于Sn基钎料合金单体5的熔点，加热使所述纳米级SnB i钎料颗粒在高于熔点温度下与基底金属之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，从而得到近单晶微焊点。
在实施过程中，复合助焊剂还含有Sn58Bi低熔点合金的纳米颗粒。
可选择的实施过程中，所述回流时最高温度低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度；
进一步的实施过程中，所述回流时最高回流温度低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度以下1-3℃。
应理解，Sn基钎料合金单体5的固相线温度具体为Sn基钎料合金单体5的熔点。
具体的实施例如下：
实施例A1，回流时最高温度低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度1℃，且高于纳米级SnBi钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
实施例A2，回流时最高温度低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度2℃，且高于纳米级SnBi钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
实施例A3，回流时最高温度低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度3℃，且高于纳米级SnBi钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散，进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
由实施例A1、A2和A3可以得出，回流时最高温度低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度以下1-3℃，且高于纳米级SnBi钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点。
进一步的实施过程中，所述回流时温度设置范围在低于最高回流温度2-25℃范围内。
应理解，最高回流温度为Sn基钎料合金单体5的熔点。
具体的实施例如下：
实施例B1，回流时温度设置为低于最高回流温度2℃，也同时满足低于所述Sn基钎料合金单体5的熔点，且高于纳米级SnB i钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
实施例B2，回流时最高温度设置为低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度8℃，且高于纳米级SnBi钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
实施例B3，回流时温度设置范围在低于最高回流温度14℃，也同时满足低于所述Sn基钎料合金单体5的熔点，且高于纳米级SnB i钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnB i钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
实施例B4，回流时最高温度设置为低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度20℃，且高于纳米级SnB i钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnB i钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
实施例B5，回流时温度设置为低于最高回流温度25℃，也同时满足低于所述Sn基钎料合金单体5的熔点，且高于纳米级SnB i钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
由实施例B1、B2、B3、B4和B5可以得出，回流时温度设置范围在低于最高回流温度2-25℃范围内，且高于纳米级SnB i钎料颗粒熔点的温度的情况下，加热使纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下在单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，得到近单晶微焊点；
类比实施：
本发明不局限于上述可选实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是落入本发明权利要求界定范围内的技术方案，均落在本发明的保护范围之内。
如对于Cu/Sn/Cu微焊点，单晶Cu和单晶Sn按照设计所要求的结构布置，然后在小于Sn熔点(231.9℃)1.9℃的温度，即229℃下按前述制备工艺和方法钎焊，即可得到本发明中所述的近单晶Cu/Sn/Cu微焊点。
Claims (6)
1.一种近单晶Sn基微纳焊点制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
选取单晶基底金属(4)，将单晶基底金属(4)之间相对设置；
选取Sn基钎料合金单体(5)，按设计要求该Sn基钎料合金单体(5)的空间取向，将所述Sn基钎料合金单体(5)置于两个单晶基底金属(4)之间，并在Sn基钎料合金单体(5)与单晶基底金属(4)的接触面涂抹含有纳米级SnBi钎料颗粒的复合助焊剂；
在低于Sn基钎料合金单体(5)熔点但高于纳米级SnBi钎料颗粒熔点的温度范围内回流，加热使所述纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下与单晶基底金属(4)之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，从而得到近单晶微焊点；
所述回流时最高回流温度低于所述Sn基钎料合金单体(5)的固相线温度以下1-3℃；
所述回流时温度设置范围在低于最高回流温度2-25℃范围内。
2.根据权利要求1所述的一种近单晶Sn基微纳焊点制备方法，其特征在于：所述Sn基钎料合金单体(5)中Sn晶粒的空间取向在钎焊前后保持一致。
3.根据权利要求1所述的一种近单晶Sn基微纳焊点制备方法，其特征在于：所述Sn基钎料合金单体(5)的空间位向可按设计要求任意布置。
4.根据权利要求1所述的一种近单晶Sn基微纳焊点制备方法，其特征在于：所述复合助焊剂还含有低熔点Sn58Bi共晶纳米颗粒。
5.根据权利要求1所述的一种近单晶Sn基微纳焊点制备方法，其特征在于：所述复合助焊剂中还包括合金粉，合金粉为锡铋、锡铟、锡铅等低温合金中的一种。
6.一种高抗电迁移性能近单晶Sn基微纳焊点，其特征在于，由权利要求1-4任一项所述的近单晶Sn基微纳焊点制备方法制备而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311657793.XA CN117483890B (zh) | 2023-12-06 | 2023-12-06 | 一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311657793.XA CN117483890B (zh) | 2023-12-06 | 2023-12-06 | 一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117483890A CN117483890A (zh) | 2024-02-02 |
| CN117483890B true CN117483890B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=89670987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311657793.XA Active CN117483890B (zh) | 2023-12-06 | 2023-12-06 | 一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117483890B (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106513890A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-03-22 | 大连理工大学 | 一种电子封装微焊点的制备方法 |
| CN106735663A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-05-31 | 大连理工大学 | 一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构 |
| CN107999994A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-08 | 深圳市福英达工业技术有限公司 | 微米/纳米颗粒增强型复合焊料及其制备方法 |
| CN110560815A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-13 | 重庆理工大学 | 一种具有[100]择尤取向的全imc微焊点的制备方法 |
| CN110744163A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-04 | 重庆理工大学 | 一种抗热迁移微焊点结构及其制备方法 |
| CN112338306A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-09 | 大连理工大学 | 一种多次回流过程中调控微焊点Sn晶粒取向的方法 |
| CN113725185A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 江苏师范大学 | 一种可实现芯片垂直堆叠的Sn基钎料及其键合方法 |
| CN115411006A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-11-29 | 大连理工大学 | 一种基于纳米晶铜基体的微焊点及其制备方法 |
| CN117066619A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-11-17 | 桂林电子科技大学 | 一种微电子用Sn58Bi钎料合金微互连焊点的时效强化工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI404588B (zh) * | 2011-07-06 | 2013-08-11 | Univ Yuan Ze | 一種控制銲點結構中錫晶體結構取向的方法 |
-
2023
- 2023-12-06 CN CN202311657793.XA patent/CN117483890B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106513890A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-03-22 | 大连理工大学 | 一种电子封装微焊点的制备方法 |
| CN106735663A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-05-31 | 大连理工大学 | 一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构 |
| CN107999994A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-08 | 深圳市福英达工业技术有限公司 | 微米/纳米颗粒增强型复合焊料及其制备方法 |
| CN110560815A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-13 | 重庆理工大学 | 一种具有[100]择尤取向的全imc微焊点的制备方法 |
| CN110744163A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-02-04 | 重庆理工大学 | 一种抗热迁移微焊点结构及其制备方法 |
| CN112338306A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-09 | 大连理工大学 | 一种多次回流过程中调控微焊点Sn晶粒取向的方法 |
| CN113725185A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 江苏师范大学 | 一种可实现芯片垂直堆叠的Sn基钎料及其键合方法 |
| CN115411006A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-11-29 | 大连理工大学 | 一种基于纳米晶铜基体的微焊点及其制备方法 |
| CN117066619A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-11-17 | 桂林电子科技大学 | 一种微电子用Sn58Bi钎料合金微互连焊点的时效强化工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117483890A (zh) | 2024-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhao et al. | Structure and properties of Sn-Cu lead-free solders in electronics packaging | |
| WO2019100445A1 (zh) | 微米/纳米颗粒增强型复合焊料及其制备方法 | |
| Zhang et al. | Development of SnAg-based lead free solders in electronics packaging | |
| EP3266558B1 (en) | Multi-layer preform sheet | |
| KR20140063662A (ko) | 솔더 조성물 | |
| JP6556197B2 (ja) | 金属粒子 | |
| WO2015081622A1 (zh) | 一种具备尺寸效应的纳米级/微米级颗粒混合型无铅焊料膏及其制备方法 | |
| Ma et al. | Nucleation, grain orientations, and microstructure of Sn-3Ag-0.5 Cu soldered on cobalt substrates | |
| JP2002057177A (ja) | はんだボールおよびその製造方法 | |
| CN106513890A (zh) | 一种电子封装微焊点的制备方法 | |
| CN110961826B (zh) | 一种纳米imc均匀增强锡基合金接头的制备方法 | |
| Bang et al. | Intermetallic compound formation and mechanical property of Sn-Cu-xCr/Cu lead-free solder joint | |
| CN114559179A (zh) | 一种Sn-Ag-Cu低熔点无铅钎料及其制备方法 | |
| JP2005103645A (ja) | はんだボールおよびその製造方法 | |
| WO2006063134A2 (en) | Low-melting pre-alloy compositions | |
| CN104668570A (zh) | 无铅焊料合金粉的制造方法 | |
| Qiao et al. | Strategies for inducing heredity of β-Sn texture in micro solder joints during multi-reflow process | |
| CN117483890B (zh) | 一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法 | |
| TWI343295B (zh) | ||
| JP3649384B2 (ja) | はんだボールおよびその製造方法 | |
| CN115411006A (zh) | 一种基于纳米晶铜基体的微焊点及其制备方法 | |
| CN109661289A (zh) | 用于焊点预调节或修复的热处理 | |
| CN110977238B (zh) | 一种纳米imc均匀增强锡基焊料及其制备方法 | |
| CN105081500A (zh) | 一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法 | |
| TW202130828A (zh) | 無鉛且無銻之焊料合金、焊球、及焊料接頭 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |