CN117457791B - 一种异质结电池硅片处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光伏电池技术领域，公开了一种异质结电池硅片处理方法，包括如下步骤：使用第一清洗液对所述硅片表面进行清洗，去除所述硅片表面的有机物杂质和粉尘颗粒；使用第二清洗液对所述硅片表面进行腐蚀，去除所述硅片表面的损伤层；使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质，以增加所述硅片表面亲水性；所述第三清洗液包括酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液；对所述硅片表面进行磷浆涂覆；对所述硅片进行链式吸杂处理。通过上述方法处理硅片表面，使硅片表面具有亲水性，便于磷浆涂覆时，在硅片表面铺展均匀，从而改善链式吸杂的效果。
Description
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种异质结电池硅片处理方法。
背景技术
异质结电池使用N型衬底，对少子寿命要求非常高，而金属杂质作为深能级复合中心，会降低硅片的少子寿命，尤其是拉晶后期的晶棒，由于金属杂质的分凝和富集，金属杂质比前期拉制的单晶棒金属杂质更多，导致少子寿命下降更加明显，严重影响电池的转换效率。
为了平衡硅片品质和拉晶成本，硅片吸杂技术开始重新被关注和应用。
吸杂是改善晶体质量的一种重要方式，通过吸杂可以减少硅片内的金属杂质含量，使得硅片质量一致性更好，从而使得电池的转换效率更高，少子集中度更高。目前N型硅片吸杂产业化主要采用链式吸杂，由于工艺时间短，温度可快速调控，且可以实现快速降温，是目前N型电池吸杂的一种重要途径。
在链式吸杂中磷浆涂覆在硅片表面，但是在实际生产中发现表面磷浆涂覆的均匀性非常差，吸杂效果大打折扣。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于如何解决磷浆涂覆时硅片表面涂覆均匀性差，造成链式吸杂效果差的问题。
本发明提供一种异质结电池硅片处理方法，包括如下步骤：使用第一清洗液对所述硅片表面进行清洗，去除所述硅片的表面的有机物杂质和粉尘颗粒；使用第二清洗液对所述硅片表面进行腐蚀，去除所述硅片表面的损伤层；使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质，以增加所述硅片表面亲水性；所述第三清洗液包括酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液；对所述硅片表面进行磷浆涂覆；对所述硅片进行链式吸杂处理。
可选的，所述酸性试剂包括盐酸；所述氧化性试剂包括双氧水和/或臭氧。
可选的，所述酸性试剂为盐酸，且所述氧化性试剂为双氧水时，所述第三清洗液中盐酸的质量分数为1％-10％，双氧水的质量分数为1％-10％。
可选的，所述酸性试剂为盐酸，且所述氧化性试剂为臭氧时，所述第三清洗液中盐酸的质量分数为1％-10％，臭氧的浓度为20ppm-60ppm。
可选的，所述硅片表面清洗步骤中，所述第一清洗液为质量分数2％-10％的碱与0.5％-5％的双氧水混合液。
可选的，所述硅片表面腐蚀步骤中，所述第二清洗液为质量分数1％～10％的碱液。
可选的，所述硅片表面的腐蚀深度为0.1μm-2μm。
可选的，使用第二清洗液对所述硅片表面进行腐蚀之后，使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质之前，利用去离子水对硅片表面进行清洗，以去除硅片表面残留的第二清洗液。
可选的，所述磷浆涂覆步骤中，将所述硅片置入磷浆中，使所述硅片表面浸润磷浆；之后，使用风刀吹扫硅片表面，以使磷浆均匀涂覆在硅片表面。
可选的，所述风刀吹扫的方向与硅片表面呈锐角。
本发明的上述技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的一种异质结电池硅片处理方法，包括如下步骤：使用第一清洗液对所述硅片表面进行清洗，去除所述硅片的表面的有机物杂质和粉尘颗粒；使用第二清洗液对所述硅片表面进行腐蚀，去除所述硅片表面的损伤层；使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质，以增加硅片表面亲水性；所述第三清洗液包括酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液；对所述硅片表面进行磷浆涂覆；对所述硅片进行链式吸杂处理。通过上述方法处理硅片表面，去除硅片表面的有机物杂质、粉尘颗粒和金属杂质，使硅片表面具有亲水性，便于磷浆涂覆时，在硅片表面铺展均匀，从而改善链式吸杂的效果。
进一步的，所述酸性试剂包括盐酸；所述氧化性试剂包括双氧水和/或臭氧。由于双氧水或臭氧具有极强的氧化性，在硅片表面形成极性的羟基-OH，而水是极性分子，从而使硅片表面呈亲水性；通过酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液清洗后，硅片表面疏水角度小于45°，便于磷浆涂覆时，在硅片表面铺展均匀，从而改善链式吸杂的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例中异质结电池硅片处理方法的流程示意图；
图2是固相材料表面疏水角的示意图；
图3是本发明实施例中对硅片表面进行磷浆涂覆的流程示意图。
具体实施方式
下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
在硅片单晶拉制过程中，由于硅料中存在一定比例的金属杂质，这些金属杂质在硅片中很容易形成深能级缺陷，极大的影响硅片的少子寿命。在将硅片应用于太阳能电池的制备时，硅片中的金属杂质会对太阳能电池的效率造成一定的影响。特别地，异质结太阳能电池的制备工艺温度都在200℃以下，不像同质结晶体硅太阳能电池的制备过程中有磷扩散工艺，该磷扩散工艺本身就具有吸杂作用。一旦具有较高金属含量的N型硅片用于制备异质结电池时就会造成效率低下。
吸杂是改善晶体质量的一种重要方式，吸杂方法主要是利用磷在高温条件、高辐照强度从硅片材料表面向内扩散，在硅片表面区域形成包括重掺杂区域的磷硅吸杂层，造成晶格畸变，从而使体内杂质向畸变处富集，最后通过去除磷硅吸杂层，可以极大的改善硅片在作为太阳能电池的硅片的质量。目前N型硅片吸杂产业化主要采用链式吸杂。相关技术中，链式吸杂的主要方式是磷浆通过喷淋的方式，再借助耐酸滚轮涂覆在硅片表面，由于硅片表面的亲水性较差，导致喷淋到硅片表面的磷浆分布不均匀，即使再通过滚轮涂覆，硅片表面的磷浆的均匀性仍然不好，导致吸杂效果大打折扣。
基于此，本发明提出一种异质结电池硅片处理方法，以改善硅片表面的亲水性，从而提高磷浆涂覆在硅片表面的均匀性，进而改善吸杂效果。
实施例1
本实施例提供了一种异质结电池硅片处理方法，如图1所示异质结电池硅片处理方法。
该异质结电池硅片处理方法中，具体每一步骤的详细介绍如下：
步骤S101：使用第一清洗液对所述硅片表面进行清洗，去除所述硅片的表面的有机物杂质和粉尘颗粒。
本实施例中，所述第一清洗液为质量分数2％-10％的碱与0.5％-5％的双氧水混合液。例如：碱的质量分数为2％、4％、6％、8％或10％，以及位于上述数值范围内的任意数值；双氧水的质量分数为0.5％、1％、2％、3％、4％或5％，以及位于上述数值范围内的任意数值；其中，第一清洗液清洗硅片表面时温度在50℃-80℃之间。采用碱和双氧水的混合液对硅片表面进行清洗，可以有效去除硅片表面的有机物杂质和粉尘颗粒，有机物杂质包括但不限于油脂、松香、蜡等有机物。
这里应该理解的是，本发明对清洗温度不做具体限定，可根据实际测试效果自行选择。同时，本发明对碱的成分不做具体限定，可以是氢氧化钠或氢氧化钾其中之一，也可以是二者混合。
步骤S102：使用第二清洗液对所述硅片的表面进行腐蚀，去除所述硅片的表面的损伤层。
需要指出的是，使用第一清洗液对所述硅片表面进行清洗之后，使用第二清洗液对所述硅片的表面进行腐蚀之前，优选利用去离子水采用喷淋的方式对硅片表面进行清洗，以去除硅片表面残留的药剂。
本实施例中，所述第二清洗液为质量分数1％～10％的碱液。例如：碱的质量分数为1％、3％、5％、7％、9％或10％，以及位于上述数值范围内的任意数值。对于硅片，由于在切片过程中表面容易形成具有一定厚度的机械损伤层，利用第二清洗液腐蚀硅片表面，去除硅片表面的损伤层，从而去除在线切割形成单晶硅片时金属切割线与单晶硅片接触残留在单晶硅片表面的金属杂质、以及生产单晶硅时形成的金属杂质。
在一实施例中，所述硅片表面的腐蚀深度为0.1μm-2μm，例如：0.1μm、0.3μm、0.5μm、0.7μm、0.9μm、1μm、1.5μm或2μm，以及位于上述数值范围内的任意数值。若硅片表面的腐蚀深度小于0.1μm，则在切片过程中形成的机械损伤层可能未被完全腐蚀，机械损伤层去除不干净，残留的金属杂质影响链式吸杂的效果；若硅片表面的腐蚀深度大于2μm，可能造成对硅片的浪费增加，间接增加了成本。
步骤S103：使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质，以增加硅片表面亲水性；所述第三清洗液包括酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液。
需要指出的是，使用第二清洗液对所述硅片的表面进行腐蚀之后，使用第三清洗液去除硅片表面的金属杂质之前，优选利用去离子水采用喷淋的方式对硅片表面进行清洗，以去除硅片表面残留的第二清洗液。
本实施例中，利用第三清洗液中的氧化性试剂使硅片表面具有亲水性，便于磷浆涂覆时在硅片表面铺展均匀。
本实施例异质结电池硅片处理方法中，所述酸性试剂包括盐酸；所述氧化性试剂包括双氧水和/或臭氧。盐酸可以起到中和残留碱，络合金属离子，去除金属杂质的作用；同时双氧水和/或臭氧具有极强的氧化性，在硅片表面形成极性的羟基-OH，由于极性分子的偶极矩较大，通常呈现出亲水性，从而使硅片表面呈亲水性；通过酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液清洗后，硅片表面疏水角小于45°，便于磷浆涂覆时，在硅片表面铺展均匀。经测试，经过第三清洗液清洗的硅片表面的疏水角为10°-45°，例如10°、20°、30°、40°或45°，以及位于上述数值范围内的任意数值。
关于硅片表面的疏水角，如图2所示，在水(液相)、固相材料与空气(气相)三相的交点处，沿水滴表面的切线与水和固相材料接触面所形成的夹角θ称为接触角(即疏水角)，θ在0°～180°之间，由θ的大小可估计润湿程度。θ越小，润湿性越好。如θ＝0°，材料完全润湿；θ<90°(如玻璃、混凝土及许多矿物表面)，则为亲水性的；θ>90°(如水滴在石蜡、沥青表面)为疏水性的；θ＝180°时，则为完全不润湿。硅片表面的疏水角越小，硅片表面的亲水性越强，磷浆铺展速度越快，硅片表面的磷浆铺展性越好。
需要说明的是，第三清洗液中的酸性试剂不包括氢氟酸，因为氢氟酸的腐蚀性强，极容易与硅片表面发生反应，从而腐蚀硅片。
优选的是，第三清洗液对硅片表面进行酸洗时温度在20℃-70℃之间，本发明对酸洗时的温度不做具体限定，可自行选择。
本实施例中，所述酸性试剂为盐酸，且所述氧化性试剂为双氧水，所述第三清洗液中盐酸的质量分数为1％-10％，例如：1％、3％、5％、7％、9％或10％；双氧水的质量分数为1％-10％，例如：1％、3％、5％、7％、9％或10％。第三清洗液中的盐酸可以中和残留碱，络合金属离子，去除硅片表面的金属杂质；强氧化性的双氧水在硅片表面形成极性的羟基-OH，而水是极性分子，从而使硅片表面呈亲水性。
步骤S104：对所述硅片表面进行磷浆涂覆。
磷浆成分主要为含磷溶剂、水和有机溶剂等，并且可以在硅片表面上形成磷浆层。对磷浆涂覆的方式不做限定，可以采用喷淋的方式，也可以是利用滚轮滚涂的方式，本实施例采用硅片表面浸润磷浆的方式。
需要指出的是，使用第三清洗液增加硅片表面的亲水性之后，对所述硅片的表面进行磷浆涂覆之前，优选利用去离子水采用喷淋的方式对硅片表面进行清洗，以去除硅片表面残留的第三清洗液。
本实施例，如图3所示，所述磷浆涂覆步骤中包括，步骤S1041：将所述硅片置入磷浆中，使所述硅片表面浸润磷浆，步骤S1042：之后，使用风刀吹扫硅片表面，以使磷浆均匀涂覆在硅片表面。具体的，将硅片置入磷浆中，硅片正背面可以充分浸润磷浆；之后使用风刀吹扫浸润了磷浆的硅片表面，将硅片表面多余的磷浆吹落，并通过风刀下面的槽体回收至磷浆槽体，可以实现二次使用，避免浪费，降低成本。所述风刀为本领域技术人员所公知的，风刀吹扫的方向与硅片表面呈锐角。经风刀吹扫后，硅片表面的磷浆铺展的更加均匀。风刀的风压为0.1MPa-0.3MPa，例如0.1MPa、0.2MPa或0.3MPa，以及位于上述数值范围内的任意数值。
本实施例的碎片率和磷浆的使用成本相比原有的技术方案显著降低。
步骤S105：对所述硅片进行链式吸杂处理。
由于硅片本身是疏水性的，导致在后续的磷浆涂覆过程中，即使使用滚轮对硅片表面进行整面涂覆，硅片表面仍然非常容易出现磷浆滴，导致硅片表面磷浆覆盖不完全；在后续硅片吸杂时，由于硅片表面磷浆不均匀，导致吸杂的不均匀。本实施例中，通过上述方法处理硅片表面，去除硅片表面的有机物杂质、粉尘颗粒和金属杂质，利用第三清洗液中的氧化性试剂使硅片表面具有亲水性，便于磷浆涂覆时在硅片表面铺展均匀，从而改善链式吸杂的效果；采用本实施例的异质结电池硅片处理方法，硅片吸杂后电池转换效率比常规工艺方案高0.05％以上。
具体的，链式吸杂的工艺流程包括：
步骤1：对形成有磷浆层的硅片进行链式扩散退火。相比管式退火方式，采用链式退火方式最主要优势是工艺时间短、提升生产产能，而且生产工序简单，便于规模化量产。
链式扩散退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段，所述升温阶段和所述降温阶段均分别包含具有不小于30℃/min的温度骤变度，以使得所述磷浆层与所述硅片中的硅互溶而形成磷硅吸杂层。具体地，例如将具有磷浆层的硅片通过传输设备(例如传输带)传输进入链式扩散退火炉，首先快速升温；再经过高温恒温扩散，使得磷扩散进入硅片，在硅片表面形成磷重掺杂区；最后进行快速降温退火，将金属杂质析出在磷硅吸杂层中。
链式扩散退火炉宜采用陶瓷辊道式链式扩散退火炉，一方面可以避免硅片的污染；另一方面，由于陶瓷辊道炉保温性良好，可以减小传递硅片时带走的热量，增加升降温的陡度(骤变度)。例如，升温阶段可以在5min左右很快上升到500℃ 700℃，在降温阶段可以在10min内从700℃左右骤降到60℃左右。应当理解的是，可以通过更改传输硅片的传输带的带速，来调整整体工艺时间。
对于形成磷浆层后的硅片，首先在链式扩散退火炉中进行升温，以去除磷浆层中的水分和有机溶剂。所述升温阶段包括第一升温阶段和第二升温阶段，第一升温阶段主要是烘干作用，通过加热将扩散源(即磷)中的有机物或水分挥发掉；第二升温阶段主要是使得温度上升至峰值温度，提高硅片中金属杂质的活性。
第一升温阶段的温度设置为500℃ 700℃，时间范围为2min 6min，如果第一升温温度过低、升温时间过短，则可能导致磷浆层中的水分和有机溶剂无法充分去除，使得在随后的磷扩散过程中产生气体，导致硅片出现裂纹等缺陷；如果第一升温温度过高、升温时间过长，除了导致工艺时间增加，还可能使得磷扩散与水分和有机溶剂的去除同时发生，如此由于水分和有机溶剂的挥发会产生气体，从而会使得硅片产生缺陷。
所述第二升温阶段使得温度升至800℃ 1000℃，所述第二升温阶段的升温时间范围为2min 6min。促进磷扩散。
在经过去除磷浆层中的水分和有机溶剂之后，将硅片置于恒定高温氛围中，保持稳定的扩散温度，使得扩散源(即磷)扩散进入硅片，在硅片表面形成磷重掺杂区，增加对金属杂质的溶解度，使得金属杂质迁移到扩散层，即使得硅片体内的金属杂质逐步转移至磷硅吸杂层。
恒温阶段的峰值温度设置为800℃ 1000℃，时间范围为3min 10min。如果峰值温度过低，则磷扩散过程慢，磷扩散不充分，金属杂质的溶解少，吸杂效果不明显；如果峰值温度过高，则可能在随后的降温阶段出现硅片破碎的情况。如果时间过长，则导致工艺时间增加。
降温阶段，使得金属杂质固定并析出在磷硅吸杂层，该阶段同时兼具磷扩散和退火功能。所述降温阶段包括第一降温阶段、第二降温阶段和第三降温阶段，所述第二降温阶段的降温陡度大于所述第一降温阶段和第三降温阶段的降温陡度。第一降温阶段的降温过程同时包括扩散和吸杂作用，第二降温阶段的降温陡度大于第一降温阶段和第三降温阶段的陡度，将金属杂质固定析出在磷硅吸杂层。降温陡度即在一定时间内温度下降的温度，为温度降幅与降温时间的比值，可理解为统称的降温斜度。
第一降温阶段的峰值温度逐步降低至800℃ 850℃，时间范围为2min 5min。此时仍具有磷扩散功能，可以减少单纯扩散的工艺时间，同时通过本阶段降温将金属杂质固定析出在表面的磷硅吸杂层。如果峰值温度过低，则磷扩散效果差，不利于金属杂质的固定析出；如果峰值温度过高，则达不到退火效果，从而导致后续的退火时间增加。
在所述第一降温阶段之后的所述第二降温阶段，使得温度降低至650℃750℃，降温速率50 100℃/min，所述第二降温阶段的降温时间范围为2min 10min；以进行快速降温退火，将金属杂质析出在磷硅吸杂层中，对于第二降温阶段，如果降温陡度不够，则可能出现金属杂质随温度下降反扩散到硅片中的情况，降低吸杂效果。
所述第三降温阶段使得温度降低至40℃ 100℃，所述第三降温阶段的降温时间范围为2min 10min。在整个降温阶段中，可以调节降温结构实现降温，如果降温速率不够快还可以在降温腔内壁涂以黑色，并加装水冷，也可以加装风冷扇，保证降温陡度。
本实施例，首先以较慢的速率降温，然后再以较快的速率降温，如此通过第一降温阶段以较慢的速度降温能够使得磷充分扩散，并且兼顾退火，接着在第二降温阶段以较快的降温速率进行退火，使得金属杂质析出并“冻结”在磷硅吸杂层中，从而在保证磷扩散效果的同时，缩短了退火时间，进而缩短了整体工艺时间。
也就是说，该降温阶段同时兼具持续磷扩散和退火效果，与分别进行磷扩散和退火相比，可以节省工艺时间。对于降温阶段，如果降温时间过短，则磷扩散和退火效果不足，如果降温时间过长，则导致工艺时间增加。
步骤2：去除磷硅吸杂层。所述磷硅吸杂层包括磷硅玻璃层和磷硅扩散层，在该步骤中，包括去除磷硅吸杂层，同时对硅片进行清洗。磷硅玻璃层指的是在扩散过程中，磷硅吸杂层位于外表层形成的一层磷硅玻璃层，在磷硅玻璃层与硅片之间为磷硅扩散层。
磷硅玻璃层主要采用酸性溶液去除。例如，采用质量比为2％ 10％的HF水溶液，或者2％ 12％的HCl溶液去除硅片表面的磷硅玻璃层。
在去除了磷硅玻璃层的层覆盖作用后，需要去除磷硅扩散层，例如，采用体积比为1：5的HF/HNO3混合溶液腐蚀硅片50s 150s。或者，采用质量比为2％ 12％的KOH溶液或NaOH溶液，温度范围控制在70℃ 90℃，对硅片表面的磷硅玻璃层进行腐蚀，腐蚀厚度大于1μm。避免吸杂后的硅片浸入金属离子造成硅片污染，从而实现彻底的去除磷硅扩散层，最终去除整个磷硅吸杂层。
进而，采用质量比为2％ 10％的HF/HCl混合溶液，对所述硅片进行清洁，得到完成吸杂后的洁净硅片。HF溶液具有疏水性，同时进行中和作用；HCl溶液具有络合作用，把溶液中的金属离子络合去除。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于：所述酸性试剂为盐酸，且所述氧化性试剂为臭氧，所述第三清洗液中盐酸的质量分数为1％-10％，例如：1％、3％、5％、7％、9％或10％；臭氧的浓度为20ppm-60ppm，例如：20ppm、30ppm、40ppm、50ppm或60ppm。第三清洗液中的盐酸可以中和残留碱，络合金属离子，去除硅片表面的金属杂质；强氧化性的臭氧在硅片表面形成极性的羟基-OH，而水是极性分子，从而使硅片表面呈亲水性。
关于本实施例中与实施例1相同的部分，不再详述。
采用本实施例的异质结电池硅片处理方法，硅片吸杂后电池转换效率比常规工艺方案高0.05％以上。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于：所述酸性试剂为盐酸，且所述氧化性试剂为臭氧和双氧水，所述第三清洗液中盐酸的质量分数为1％-10％，例如：1％、3％、5％、7％、9％或10％；臭氧的浓度为20ppm-60ppm，例如：20ppm、30ppm、40ppm、50ppm或60ppm。双氧水的质量分数为1％-10％，例如：1％、3％、5％、7％、9％或10％。第三清洗液中的盐酸可以中和残留碱，络合金属离子，去除硅片表面的金属杂质；强氧化性的臭氧和双氧水在硅片表面形成极性的羟基-OH，而水是极性分子，从而使硅片表面呈亲水性。
关于本实施例中与实施例1相同的部分，不再详述。
采用本实施例的异质结电池硅片处理方法，硅片吸杂后电池转换效率比常规工艺方案高0.03％以上。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种异质结电池硅片处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
使用第一清洗液对所述硅片表面进行清洗，去除所述硅片表面的有机物杂质和粉尘颗粒；
使用第二清洗液对所述硅片表面进行腐蚀，去除所述硅片表面的损伤层；
使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质，以增加所述硅片表面亲水性；所述第三清洗液包括酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液，所述酸性试剂为盐酸，所述第三清洗液中盐酸的质量分数为1％-10％；
对所述硅片表面进行磷浆涂覆；
对所述硅片进行链式吸杂处理。
2.根据权利要求1所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，所述氧化性试剂包括双氧水和/或臭氧。
3.根据权利要求2所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，所述氧化性试剂为双氧水时，双氧水的质量分数为1％-10％。
4.根据权利要求2所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，所述氧化性试剂为臭氧时，臭氧的浓度为20ppm-60ppm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，所述硅片表面清洗步骤中，所述第一清洗液为质量分数2％-10％的碱与0.5％-5％的双氧水混合液。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，所述硅片表面腐蚀步骤中，所述第二清洗液为质量分数1％～10％的碱液。
7.根据权利要求6所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，所述硅片表面的腐蚀深度为0.1μm-2μm。
8.根据权利要求1所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，使用第二清洗液对所述硅片表面进行腐蚀之后，使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质之前，利用去离子水对硅片表面进行清洗，以去除硅片表面残留的第二清洗液。
9.根据权利要求1所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，所述磷浆涂覆步骤中，将所述硅片置入磷浆中，使所述硅片表面浸润磷浆；
之后，使用风刀吹扫硅片表面，以使磷浆均匀涂覆在硅片表面。
10.根据权利要求9所述的异质结电池硅片处理方法，其特征在于，所述风刀吹扫的方向与硅片表面呈锐角。
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