CN116799106A - 晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及硅片处理的技术领域,具体公开了一种晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法。此方法包括了混合酸液前清洗、制绒、混合酸液以及氢氟酸后清洗等步骤,所得硅片进行磷扩散吸杂处理。混合酸液可以微腐蚀硅片表面去除硅片表面的金属杂质,再在微腐蚀制绒过程中使得硅片表面呈现金字塔形貌,增大硅片比表面积,从而扩大吸杂面积,同时由于制绒采用微腐蚀的制绒方式保留硅片表面的机械损伤区,通过制绒以及机械损伤区的配合,使得硅片在后续的吸杂过程中形成双吸杂中心,即使硅片背面未进行磷扩散吸杂,背面也可因为机械损伤区的存在达到较好的吸杂效果,从而使得硅片的扩散面以及背面未扩散面均可吸杂,提高硅片的吸杂效率。
Description
技术领域
本申请涉及硅片处理的技术领域,更具体地说,它涉及晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏特效应把光能转变为电能的器件。太阳能电池的核心材料为硅片,因此在晶体硅高效太阳能电池制造过程中,硅片的质量至关重要。
硅片在其生产制造过程中,不可避免的会引入各种金属杂质,如铁、铜、钴、镍等,这些杂质的掺杂在硅片中均会形成深能级,成为少子的复合中心,降低硅片的少子寿命。少子寿命越短,光照产生的过剩载流子越可能到达电池PN结,越难以受PN结电场分离作用对外产生光电流,直接导致硅片的短路电流减小,从而导致了电池片的光电转换率下降,太阳能电池整体性能下降。
为了提升硅片的质量,需要对硅片进行吸杂处理。硅片吸杂的方法是多样的,其中扩磷散吸杂以及机械损伤吸杂是两种重要的吸杂方法。目前,吸杂处理通常采用如下方法:将硅片先进行抛光,去除硅片表面的损伤层,再进行磷扩散吸杂工艺。此方法存在如下弊端:吸杂处理时将两片硅片背靠背重叠后进行磷扩散吸杂,即硅片是单面磷扩散吸杂。扩散过程中,磷仅在硅片的单面上扩散,形成重磷掺杂层以及磷硅玻璃层,后续除去重磷掺杂层以及磷硅玻璃层即可除去所含的杂质。但此工艺中一次磷扩散吸杂仅能够除去硅片单面的杂质,限制了吸杂效率。
发明内容
为了使得硅片的吸杂效率得以提升,本申请提供一种晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法。
本申请提供晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,采用如下的技术方案:
一种晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,包括如下步骤:
前清洗:将切割得到的原硅片先在混合酸液中清洗,再在去离子水中洗涤,其中,混合酸液中含有氧化剂、盐酸和氢氟酸;
制绒:将前清洗得到的硅片放入至碱液中进行制绒清洗,再在去离子水中洗涤,其中,碱液中含有浓度为0.5wt%~1wt%的强碱、浓度为0.2wt%~0.5wt%的制绒添加剂,强碱为KOH和/或NaOH,制绒温度为60~80℃,制绒时间为80~120s;
后清洗:将经过制绒处理得到的硅片放入至混合酸液中进行清洗,再在去离子水中洗涤,再放入氢氟酸溶液中洗涤,最后在去离子水中洗涤,洗涤结束后烘干;
吸杂:将经过后清洗得到的硅片进行磷扩散吸杂。
进一步的,所述混合酸液中的氧化剂为臭氧水和/或双氧水。
更进一步的,所述混合酸液中的氧化剂为浓度为40~60ppm的臭氧水。
进一步的,所述混合酸液中的盐酸的浓度为0.01wt%~0.05wt%。
进一步的,所述混合酸液中的氢氟酸的浓度为0.2wt%~0.5wt%。
更进一步的,所述前清洗步骤中混合酸液的浸泡时间为100~120s。
进一步的,所述制绒步骤中,强碱的浓度为0.8wt%,制绒添加剂的浓度为0.3wt%,制绒温度为80℃,制绒时间为100s。
更进一步的,所述制绒添加剂为光伏行业使用成熟的化学品,其主要成分为成核剂3~4wt%,脱泡剂6~8wt%,非离子表面活性剂6~8wt%以及其他助剂2~3wt%,余量用水补足。
进一步的,所述后清洗步骤中混合酸液的浸泡时间为100~120s。
进一步的,所述后清洗步骤中,氢氟酸的浓度为3wt%~10wt%。
进一步的,所述后清洗步骤中,氢氟酸的浸泡时间为100~120s。
进一步的,所述去离子水的电阻率18.2MΩ·cm。
综上所述,本申请至少具备如下优势:
第一,本申请中省略了硅片的抛光步骤,对切割后的原硅片进行清洗后,在保留硅片机械损伤的基础上,进行制绒;硅片上形成双吸杂中心,硅片的扩散面和背面均存在吸杂中心,尤其是由于硅片的背面存在机械损伤区和金字塔形貌,机械损伤区存在大量晶格缺陷,使得硅片背面在不扩散的情况下,也能够形成吸杂中心,具有一定的吸杂能力;
其次,硅片表面呈现的金字塔形貌,使得硅片的比表面积增大;同时,由于硅片表面本身存在的机械损伤,其制绒后的比表面积相比经过抛光处理的硅片的比表面积更大。在此基础上,能使硅片暴露面以及背面的吸杂面积最大化,有利于后续硅片表面充分吸杂,高效去除硅片表面的金属杂质。
第二,本申请控制制绒步骤中的强碱浓度,使得强碱的浓度适中,能够使得硅片表面的金字塔形貌较为完整,硅片表面的比表面积最大化,从而能够有效地形成高效吸杂中心。
附图说明
图1是本申请实施例1中前清洗步骤中使用的原硅片的结构示意图。
图2是本申请实施例1中制绒步骤得到的硅片结构示意图。
图3是本申请实施例1中吸杂步骤得到的硅片结构示意图。
具体实施方式
本申请人改变了硅片吸杂步骤前的前清洗工艺,在保留硅片表面机械损伤区的基础上,直接进行制绒,使得硅片表面的比表面积增大,硅片的扩散面以及背面均呈金字塔形貌,且均有机械损伤区。硅片未扩散面保留的机械损伤区域,使得硅片背面在不经过磷扩散的情况下也能形成吸杂中心。在一次吸杂步骤中,背靠背重叠硅片背面也可吸杂,而非单面吸杂,显著提升了硅片的吸杂效率。经过实际检测,本申请制得的硅片平均少子寿命较传统的清洗吸杂方式有明显提升,且其制成的电池片光电转换效率提升可达0.1%以上。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例、对比例对本申请的技术方案进行进一步说明。
实施例
实施例1
一种晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,按照如下步骤进行:
前清洗:将切割得到的原硅片放入25℃、浓度为50ppm的臭氧水、0.02wt%浓度HCl、0.3wt%浓度HF的混合酸液中浸泡100s;
将处理后的硅片放入常温下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
制绒:将前清洗得到的硅片放入温度为80℃、KOH浓度为0.5%、制绒添加剂浓度为0.3%的溶液中进行微制绒处理100s,本实施例中制绒添加剂的型号为TS53;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
后清洗:将经过制绒处理得到的硅片放入25℃、浓度为50ppm的臭氧水、0.02wt%浓度HCl、0.3wt%浓度HF的混合酸液中浸泡100s;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后的硅片放入25℃、HF浓度为5%的溶液中浸泡清洗110s;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后的硅片进行脱水烘干;
吸杂:采用管式高温磷源扩散的方式,将清洗后的硅片两片一组,以背靠背的形式放入石英舟同一卡槽,石英舟上有若干卡槽;
将插好硅片的石英舟送入管式扩散炉,并关闭炉门;
在炉内主扩散步骤温度在860℃,通入氮气、氧气、三氯氧磷(使用氮气携带)。
实施例2-3
一种晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,与实施例1的区别点在于制绒步骤中强碱的浓度不同,具体如下:
实施例2中,制绒步骤中使用的强碱浓度为0.8wt%;
实施例3中,制绒步骤中使用的强碱浓度为1wt%。
实施例4
一种晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,按照如下步骤进行:
前清洗:将切割得到的原硅片放入25℃、浓度为40ppm的臭氧水、0.05wt%浓度HCl、0.2wt%浓度HF的混合酸液中浸泡100s;
将处理后的硅片放入常温下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
制绒:将前清洗得到的硅片放入温度为60℃、KOH浓度为0.8%、制绒添加剂浓度为0.2%的溶液中进行微制绒处理100s,本实施例中制绒添加剂的型号为TS53;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
后清洗:将经过制绒处理得到的硅片放入25℃、浓度为40ppm的臭氧水、0.05wt%浓度HCl、0.2wt%浓度HF的混合酸液中浸泡100s;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后的硅片放入25℃、HF浓度为3%的溶液中浸泡清洗120s;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后的硅片进行脱水烘干;
吸杂:采用管式高温磷源扩散的方式,将清洗后的硅片两片一组,以背靠背的形式放入石英舟同一卡槽,石英舟上有若干卡槽;
将插好硅片的石英舟送入管式扩散炉,并关闭炉门;
在炉内主扩散步骤温度在860℃,通入氮气、氧气、三氯氧磷(使用氮气携带)。
实施例5
一种晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,按照如下步骤进行:
前清洗:将切割得到的原硅片放入25℃、浓度为60ppm的臭氧水、0.01wt%浓度HCl、0.5wt%浓度HF的混合酸液中浸泡100s;
将处理后的硅片放入常温下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
制绒:将前清洗得到的硅片放入温度为80℃、KOH浓度为0.8%、制绒添加剂浓度为0.5%的溶液中进行微制绒处理100s,本实施例中制绒添加剂的型号为TS53;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
后清洗:将经过制绒处理得到的硅片放入25℃、浓度为60ppm的臭氧水、0.01wt%浓度HCl、0.5wt%浓度HF的混合酸液中浸泡100s;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后的硅片放入25℃、HF浓度为10%的溶液中浸泡清洗100s;
将处理后的硅片放入25℃下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后的硅片进行脱水烘干;
吸杂:采用管式高温磷源扩散的方式,将清洗后的硅片两片一组,以背靠背的形式放入石英舟同一卡槽,石英舟上有若干卡槽;
将插好硅片的石英舟送入管式扩散炉,并关闭炉门;
在炉内主扩散步骤温度在860℃,通入氮气、氧气、三氯氧磷(使用氮气携带)。
对比例
对比例1
一种晶硅异质结太阳能电池吸杂方法,按照如下步骤进行处理:
将原硅片放入常温、浓度为50ppm的臭氧水、0.02%浓度HCl、0.3%浓度HF的混合液中浸泡100s;
将处理后的硅片放入常温下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后的硅片放入温度为80℃、KOH浓度为5%的溶液中进行SDE处理100s;
将处理后的硅片放入常温下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将原硅片放入常温、浓度为50ppm的臭氧水、0.02%浓度HCl、0.3%浓度HF的混合液中浸泡100s;
将处理后的硅片放入常温下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后的硅片放入常温、HF浓度为5%的溶液中浸泡清洗110s;
将处理后的硅片放入常温下电阻率为18.2MΩ·cm去离子水中浸泡100s;
将处理后硅片脱水烘干;。
吸杂:采用管式高温磷源扩散的方式,将清洗后的硅片两片一组,以背靠背的形式放入石英舟同一卡槽,石英舟上有若干卡槽;
将插好硅片的石英舟送入管式扩散炉,并关闭炉门;
在炉内主扩散步骤温度在860℃,通入氮气、氧气、三氯氧磷(使用氮气携带)。
性能检测
样品的制备:
将实施例1-5以及对比例1所得的硅片均为精确分片,硅片为166mm×166mm,硅片面积为274.15cm2规格的N型单晶硅片,最大化降低由于片源引起的测试误差;
将实施例1-5以及对比例1所得的硅片依次进行磷扩散吸杂、制绒、PECVD、PVD以及丝网印刷处理,得到电池片,其中,磷扩散吸杂、制绒、PECVD、PVD以及丝网印刷工艺等各个处理步骤中的参数均保持相同,进一步减小后续处理步骤引起的测试误差。
1.少子寿命:对PECVD工艺处理后的硅片进行少子寿命测试,在硅片的9个点上进行测试,测试仪器为WCT-120,取9次测试的平均值,单位us。
2.电池片性能检测:将丝网印刷工艺处理后的电池片进行电性能测试,对其开路电压(Uoc,单位mV)、短路电流(Isc,单位A)、填充因子(FF,单位%)、太阳能电池光电转换效率(EFF,单位%);
测试光强为1000w/m2,硅片上的光的功率P0=0.1×274.15=27.415W;
最大功率Pm=Uoc×Isc×FF;
太阳能电池光电转换效率EFF=Pm/P0×100%。
检测结果
表1.实施例1-5以及对比例1的少子寿命检测结果
表2.实施例1-5以及对比例1制成的电池片的电性能检测结果
结合实施例1-3和对比例1以及表1-2可以看出,对比例1为传统吸杂前处理工艺,先用碱液进行抛光再进行吸杂,根据实际检测结果可以看出,先抛光再吸杂制成的硅片少子寿命较短,仅为2494μs,实施例的制得的硅片的少子寿命为2835~3191μs,其中实施例2最高为3191s。并且,实施例制得的电池片最终的光电转换效率也高于对比例,其中实施例2较对比例光电转换效率高0.11%,与理论相符。
实施例1由于过低的碱浓度,形成的为绒面较差,比表面积较小,吸杂效果略差,实施例3形成的绒面尚可,但是由于腐蚀量的增加,损伤层较少导致吸杂效果略差,实施例2获得了较好损伤层及较好的比表面积,吸杂效果较好。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
且,以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于,包括如下步骤:
前清洗:将切割得到的原硅片先在混合酸液中清洗,再在去离子水中洗涤,其中,混合酸液中含有氧化剂、盐酸和氢氟酸;
制绒:将前清洗得到的硅片放入至碱液中进行制绒清洗,再在去离子水中洗涤,其中,碱液中含有浓度为0.5wt%~1wt%的强碱、浓度为0.2wt%~0.5wt%的制绒添加剂,强碱为KOH和/或NaOH,制绒温度为60~80℃,制绒时间为80~120s;
后清洗:将经过制绒处理得到的硅片放入至混合酸液中进行清洗,再在去离子水中洗涤,再放入氢氟酸溶液中洗涤,最后在去离子水中洗涤,洗涤结束后烘干;
吸杂:将经过后清洗得到的硅片进行磷扩散吸杂。
2.如权利要求1所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于:所述混合酸液中的氧化剂为臭氧水和/或双氧水。
3.如权利要求2所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于:所述混合酸液中的氧化剂为浓度为40~60ppm的臭氧水。
4.如权利要求2所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于:所述混合酸液中的盐酸的浓度为0.01wt%~0.05wt%。
5.如权利要求2所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于:所述混合酸液中的氢氟酸的浓度为0.2wt%~0.5wt%。
6.如权利要求2所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于:前清洗步骤中混合酸液的浸泡时间为100~120s。
7.如权利要求1所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于:所述制绒步骤中,强碱的浓度为0.8wt%,制绒添加剂的浓度为0.3wt%,制绒温度为70℃,制绒时间为100s。
8.如权利要求1所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于:所述后清洗步骤中混合酸液的浸泡时间为100~120s。
9.如权利要求1所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于:所述后清洗步骤中,氢氟酸的浓度为3wt%~10wt%。
10.权利要求9中任意一项所述的晶硅异质结太阳能电池高效吸杂的前清洗方法,其特征在于,后清洗步骤中,氢氟酸的浸泡时间为100~120s。
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