CN117457557B - 一种等离子体处理设备及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种等离子体处理设备及方法，属于半导体器件技术领域。本发明解决了现有利用机械手装载待刻蚀基片和移出已完成处理基片过程繁琐、效率低，不利于自动化批量处理的问题。本发明等离子体处理设备，包括箱体、承载传输机构、密封机构和通气机构；承载传输机构包括载体滑板和基片放置槽；载体滑板贯穿箱体的侧壁且在箱体内至箱体外之间进行往复运动；载体滑板上端开设基片放置槽；密封机构包括密封闸板和条形密封槽，通气机构包括气体通道、吹风管、引风管和吸尘孔。本发明通过载体滑板即可实现移入基片、承载基片进行等离子体处理操作、移出基片，操作简单且效率高，还能够及时清除等离子体反应基片和载体滑板上的颗粒，避免污染。

Description

一种等离子体处理设备及方法
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种等离子体处理设备及方法。
背景技术
半导体器件的制造过程中，等离子处理是将基片加工成设计图案的关键工艺。典型的等离子体处理工艺中，工艺气体在射频激励作用下形成等离子体，这些等离子体经过上电极和下电极之间的电场作用后与基片表面发生物理作用及化学反应，从而处理得到具有特定结构的基片。
现有等离子处理装置进行等离子体处理过程依次包括：装载待处理基片、设定处理环境产生等离子体、产生的等离子体在基片发生等离子体反应、已完成处理基片被移出反应腔后对反应腔的清洁操作、对等离子体处理反应腔的涂层操作。
现有利用机械手完成装载待处理基片和移出已完成处理基片，具体为：机械手携带一片待处理基片移入等离子体处理设备箱体内，并将其放置在基座上，机械手移出箱体，开始处理操作；处理完成后，机械手再次进入箱体内，将已完成处理的基片移出箱体外。在上述基片的装载和移出过程中，机械手只能对单片基片进行装载或移出，如果需要对多片基片进行等离子体处理时，则需要机械手的多次往复运动才能完成多片基片的装载、放置和移出，此过程繁琐且效率低，不利于自动化批量处理。
发明内容
鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种等离子体处理设备及方法，用以解决现有利用机械手装载待刻蚀基片和移出已完成处理基片过程繁琐、效率低，不利于自动化批量处理的问题。
本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：
第一方面，本发明提供了一种等离子体处理设备，包括箱体、承载传输机构、密封机构和通气机构；
承载传输机构包括载体滑板和基片放置槽；载体滑板贯穿箱体的侧壁，且载体滑板在箱体内至箱体外之间进行往复运动；载体滑板上端开设基片放置槽；
密封机构包括密封闸板和条形密封槽，条形密封槽设置在载体滑板上，密封闸板设置在箱体外壁上，密封闸板卡入条形密封槽内并与条形密封槽密封连接；
通气机构包括气体通道、吹风管、引风管和吸尘孔，吸尘孔设置在基片放置槽上且与气体通道连通；气体通道设置在载体滑板内部，气体通道包括第一导气通道、第二导气通道和导气腔，第一导气通道、导气腔和第二导气通道依次连通；吹风管设置在箱体外且与第一导气通道连通，引风管设置在箱体外且与第二导气通道连通。
进一步地，承载传输机构还包括水平滑道，水平滑道设置在箱体侧壁上，载体滑板在水平滑道上滑动。
进一步地，载体滑板设置两块以上，两块以上载体滑板依次连接。
进一步地，导气腔包括第一水平腔部、角形腔部、第二水平腔部和槽形腔部；
通过角形腔部，第一水平腔部与第二水平腔部连通；
相邻两个第二水平腔部之间设置槽形腔部。
进一步地，第一水平腔部设置两个。
进一步地，第二水平腔部设置在基片放置槽的下方。
进一步地，吸尘孔包括竖向吸尘孔和横向吸尘孔，基片放置槽的底部设置竖向吸尘孔，基片放置槽的侧壁设置横向吸尘孔。
进一步地，吹风管和引风管能够进行线性位移，且线性位移的方向与载体滑板的运动方向一致。
进一步地，承载传输机构还包括导向机构，导向机构包括支架和安装在支架上的导向辊，载体滑板在导向辊之间运动。
第二方面，本发明提供了一种等离子体处理方法，采用第一方面的等离子体处理设备进行等离子体处理的方法，包括：
S1，装载有基片的载体滑板进入箱体，密封闸板与载体滑板上的条形密封槽密封连接，箱体处于密封状态；
S2，箱体内部抽真空后，通入工作气体，电极板工作，对基片进行等离子体反应；
S3，等离子体反应结束后，对等离子体反应过程中产生的颗粒进行清尘处理；
S4，密封闸板复位，装载有已经完成等离子体反应基片的载体滑板从箱体内部水平滑出；
S5，移走已经完成等离子体反应基片，完成本次等离子体处理操作；
S6，重新装入待处理基片，返回S1开始下一次等离子体处理操作。
与现有技术相比，本发明至少可实现如下有益效果之一：
1、本发明中等离子体处理设备中承载传输机构一方面具有将基片移入和移出箱体的功能，另一方面承载传输机构上设置的基片放置槽在基片进行等离子体反应过程中具有承载基片的功能。具体为：在等离子体处理过程中基片始终放置在基片放置槽内，且随载体滑板在箱体内至箱体外进行往复运动，即通过载体滑板即可实现移入基片、承载基片进行等离子体处理反应、移出基片，操作简单且效率高。因不用在箱体内额外设置承载基片的基座，简化等离子体处理设备的结构。因基片被载体滑板由箱体外带入或带出箱体，故，可在箱体外完成对载体滑板上所有基片的装载和移取，与现有技术中利用机械手将单片基片移入和移出箱体内相比，大大提高工作效率，利于自动化批量处理。
2、本发明中等离子体处理设备通过承载传输机构和密封机构的结合得到适于等离子体反应的密闭环境，具体为：承载传输机构贯穿箱体相对的侧壁，密封机构中的密封闸板与承载传输机构上的条形密封槽密封连接形成密闭且适应于等离子反应的环境，保障箱体的密封性，利于等离子体反应过程前、等离子体反应过程中的操作。
3、本发明的通气机构包括气体通道、吸尘孔、吹风管和引风管。在基片完成等离子体反应后至移出箱体前的过程中，通过开启吹风管和引风管，及时去除等离子体作用于基片表面时产生的颗粒，避免颗粒污染已完成等离子体反应基片和载体滑板。
本发明中，上述各技术方案之间还可以相互组合，以实现更多的优选组合方案。本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分优点可从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过说明书实施例以及附图中所特别指出的内容中来实现和获得。
附图说明
附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本发明的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件；
图1为本发明中一种等离子体处理设备的结构示意图；
图2为图1中箱体的结构示意图；
图3为图1中载体滑板的结构示意图；
图4为图3中A处的局部放大结构示意图；
图5为图3中B处的局部放大结构示意图；
图6为图1中吹风机构的结构示意图；
图7为图1中引风机构的结构示意图；
图8为本发明中一种等离子体处理方法的流程示意图；
附图标记：
1-箱体，2-承载传输机构，3-密封机构，4-通气机构，5-导向机构，6-进气管、7-抽真空管、8-第一电极板，9-第二电极板；
11-开口；
21-载体滑板，22-基片放置槽；
31-密封闸板，32-条形密封槽，33-驱动推杆；
42-吸尘孔，43-吹风机构，44-引风机构；
411-第一导气通道，412-第二导气通道；
413a-第一水平腔部，413b-角形腔部，413c-第二水平腔部，413d-槽形腔部；
421-竖向吸尘孔，422-横向吸尘孔；
431-吹风管，432-吹风机；
441-引风管，442-引风机；
51-支架，52-导向辊。
具体实施方式
下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本发明的一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理，并非用于限定本发明的范围。
实施例1
本实施例公开了一种等离子体处理设备，参照图1至图3，包括箱体1、承载传输机构2、密封机构3和通气机构4；承载传输机构2包括载体滑板21和基片放置槽22；载体滑板21贯穿箱体1的侧壁，且载体滑板21在箱体1内至箱体1外之间进行往复运动；载体滑板21上端开设基片放置槽22；密封机构3包括密封闸板31和条形密封槽32，条形密封槽32设置在载体滑板21上，密封闸板31设置在箱体1外壁上，密封闸板31卡入条形密封槽32内并与条形密封槽32密封连接。通气机构4包括气体通道、吹风管431、引风管441和吸尘孔42，吸尘孔42设置在基片放置槽22上且与气体通道连通；气体通道设置在载体滑板21内部，气体通道包括第一导气通道411、第二导气通道412和导气腔，第一导气通道411、导气腔和第二导气通道412依次连通；吹风管431设置在箱体1外且与第一导气通道411连通，引风管441设置在箱体1外且与第二导气通道412连通。
本实施例中，一方面，载体滑板21通过贯穿箱体1的侧壁在箱体1内至箱体1外之间进行水平往复运动，还通过在载体滑板21上端开设基片放置槽22，基片放置在基片放置槽22上，使载体滑板21具有运载基片的功能。具体为：放置基片的基片放置槽22随载体滑板21在箱体1内至箱体1外进行水平往复运动，以实现基片移入箱体1和移出箱体1。
本实施例中，另一方面，通过设置密封机构3，密封机构3包括密封闸板31和条形密封槽32，条形密封槽32设置在载体滑板21上，密封闸板31设置在箱体1外壁，密封闸板31卡入条形密封槽32内并与条形密封槽32密封连接，实现载体滑板21与密封机构3的密封连接，以此构建得到适用于等离子体反应的密闭环境，利于后续的抽真空操作，也利于进行等离子体反应。具体为：放置有基片的基片放置槽22随载体滑板21移入箱体1内部，密封闸板卡入条形密封槽内并与条形密封槽密封连接，形成由箱体1、载体滑板21和密封机构3组成的密闭反应腔，启动等离子体反应，对基片放置槽22上放置的基片进行等离子体处理。在上述过程中，载体滑板21具有为正处于等离子体反应过程中基片提供支撑的作用，因不用在箱体1内额外设置基座，简化箱体1结构，节省成本。
本实施例中，承载传输机构2既能够进行移入或移出基片，又能够作为等离子体反应过程中基片的承载基座，且在基片移入箱体1内至移出箱体1外的过程中，承载传输机构2与基片不分离，操作简单且效率高。
本实施例中，通气机构4包括气体通道、吸尘孔42、吹风管431和引风管441。在基片完成等离子体反应后至移出箱体前的过程中，通过开启吹风管431和引风管441，及时去除等离子体作用于基片表面时产生的颗粒，避免颗粒污染已完成等离子体反应基片和载体滑板21。
进一步地，承载传输机构2还包括水平滑道，水平滑道设置在箱体1侧壁，载体滑板21在水平滑道上滑动。
在本实施例的一个具体示例中，设置于等离子体处理设备的箱体1的侧壁上开口11，水平滑道设置在开口11上，载体滑板21通过开口11实现在箱体1内至箱体1外之间的水平往复运动。
在本实施例的一个具体示例中，开口11设置一个或两个。
需要说明的是，当开口11设置一个时，承载传输机构2与开口11呈滑动连接，载体滑板21通过开口11在箱体1内至箱体1外之间进行线性往复运动。
需要说明的是，当开口11设置两个时，两个开口设置在箱体1相对的两个侧壁上，且两个开口呈对称设置，分别为左开口和右开口，承载传输机构2与两个开口分别滑动连接，载体滑板21通过左开口和右开口在箱体1内至箱体1外之间进行水平线性往复运动。在一次水平线性往复运动过程中可以完成两次经过等离子体反应基片的承载传输，具体为：承载传输机构2携带待处理基片从左开口移入箱体1，等离子体反应完成后，从右开口移出箱体1，移离已完成等离子体反应的基片，完成第一次等离子体反应基片的承载传输；待处理基片装载后，承载传输机构2携带待处理基片再从右开口移入箱体1，等离子体反应完成后，从左开口移出箱体1，移离已完成等离子体反应的基片，完成第二次等离子体反应基片的承载传输。
进一步地，载体滑板21设置一块或两块以上。
在本实施例的一个具体示例中，载体滑板21设置一块，开口11设置一个，载体滑板21通过一个开口11在箱体1内至箱体1外之间进行线性往复运动。
在本实施例的一个具体示例中，载体滑板21设置一块，开口设置两个，载体滑板21通过两个开口在箱体1内至箱体1外之间进行水平线性往复运动。具体为：两个开口相对设置，分别为左开口和右开口，载体滑板21通过左开口和右开口在箱体1内至箱体1外之间进行水平线性往复运动。
在本实施例的一个具体示例中，载体滑板21设置两块以上且结构相同，两块载体滑板21依次连接得到载体滑板组。当开口设置两个时，载体滑板组通过两个开口在箱体1内至箱体1外之间进行循环往复运动。当载体滑板组中的一块载体滑板位于正在进行等离子体反应的箱体1内时，另一块位于箱体1外，处于等待装载基片、正在装载基片、等待装载基片或正在卸载基片的过程中。
进一步地，载体滑板21上的基片放置槽22设置多个，每个基片放置槽22放置一片基片，实现同时对多片基片进行等离子体处理，提高工作效率。
进一步地，载体滑板21的正面和背面均设置条形密封槽32，且相对载体滑板21的水平中心轴对称设置，同时，在箱体1的外壁上设置与两个条形密封槽32匹配的密封闸板31，以此保证载体滑板21和箱体1的密封效果。
进一步地，为保证密封效果，条形密封槽32的内径宽度与密封闸板31的外径宽度相互配合。为增强密封效果，在条形密封槽32内安装有密封圈。为提高密封闸板31的可操作性和便携移动，设置与密封闸板31连接的驱动推杆33，驱动推杆33带动密封闸板31与条形密封槽32连接和分离。
进一步地，密封机构3还包括竖向板槽，竖向板槽设置在箱体外壁上，密封闸板31限位在竖向板槽内，且密封闸板31的两端均穿出竖向板槽，竖向板槽限定密封闸板31运动区域。
进一步地，通气机构4包括气体通道、吸尘孔42、吹风机构43和引风机构44，气体通道设置在载体滑板21内部，吸尘孔42设置在基片放置槽22上，吸尘孔42与气体通道连通；吹风机构43和引风机构44分别连接在气体通道的两端且设置在箱体1外。实现在基片完成等离子体反应后至移出箱体1前的过程中，通过开启吹风机构和引风机构，及时去除等离子体作用在基片表面时产生的颗粒，避免颗粒污染已完成等离子体反应基片和载体滑板。
需要说明的是，在载体滑板21与箱体1密闭连接的同时，建立吹风机构43与气体通道、引风机构44与气体通道的连接，且吹风机构43和引风机构44只有在基片完成等离子体反应后至基片移出箱体1之间处于工作状态，基片完成等离子体反应是指等离子体对基片表面完成等离子体反应。
还需要说明的是，吹风机构43和引风机构44的工作状态是指：吹风机构43和引风机构44处于启动状态，吹风机构43向气体通道输送洁净气体，引风机构44将气体从气体通道内引出，在此过程中，气体会通过吸尘孔42，扰动吸尘孔附近的气流，进而吸尘孔42附近的颗粒被气流带走至箱体1外，以清除等离子体作用在基片表面时产生颗粒，避免颗粒污染已完成等离子体反应的基片和载体滑板21。
进一步地，气体通道包括第一导气通道411、第二导气通道412和导气腔，第一导气通道411、导气腔和第二导气通道412依次连通，第一导气通道411和第二导气通道412分别设置在载体滑板21的两端。气体通道设置在载体滑板21内部，实现气体从载体滑板21的一边流入，从另一边流出。在气体的流动过程中，基片放置槽22上或附近的颗粒随气体流动至箱体1外。
在本实施例中，第一导气通道411和第二导气通道412的结构相同，为条形导气通道，条形导气通道从载体滑板的外侧向载体滑板的中央布置。
在本实施例中，如图4和图5所示，导气腔包括第一水平腔部413a、角形腔部413b、第二水平腔部413c和槽形腔部413d，第一水平腔部413a、角形腔部413b和第二水平腔部413c依次连通；第二水平腔部413c设置在基片放置槽22的下方，相邻两个第二水平腔部413c之间设置槽形腔部413d，槽形腔部413d的开口朝向箱体1的底部。
在本实施例中，第一水平腔部413a设置两个，分别设置设在导气腔的两端。一个第一水平腔部413a的一端与第一导气通道411连通，另一端通过角形腔部413b与第二水平腔部413c连通。另一个第一水平腔部413a的一端与第二导气通道412连通，另一端通过另一个角形腔部413b与另一个第二水平腔部413c连通。第一水平腔部413a和角形腔部413b的设置保证气体通道内的气体流经基片放置槽22侧壁的过程中，还穿过基片放置槽22侧壁上设置的吸尘孔42，为清除基片放置槽22上及附近的颗粒提供基础。
在本实施例中，第二水平腔部413c设置在基片放置槽22的下方，保证气体通道内的气体流经基片放置槽22底部时，还穿过基片放置槽22底部设置的吸尘孔42，以清除基片放置槽22底部和其附近的污染颗粒。
在本实施例中，相邻两个第二水平腔部413c之间通过槽形腔部413d连通，保证气体通道内的气体流经相邻两个基片放置槽22之间时，还穿过基片放置槽22侧壁上的吸尘孔42，以清除基片放置槽22侧壁和其附近的污染颗粒。
进一步地，如图4和图5所示，吸尘孔42包括竖向吸尘孔421和横向吸尘孔422，基片放置槽22的底部设置竖向吸尘孔421，基片放置槽22的侧壁设置横向吸尘孔422。
需要说明的是，基片放置槽22的底壁上设置竖向吸尘孔421，且竖向吸尘孔421与第二水平腔部413c连通。基片放置槽22的内壁上设置凸点或凸楞用于支撑基片，基片放置在基片放置槽22内时，通过设置的凸点或凸楞抬高基片，使基片、基片放置槽22的底部及基片放置槽22的侧壁之间围成一个空间。在等离子体作用于基片表面时产生的颗粒存在进入空间的可能，以致污染基片的背面和基片放置槽22的底面，为清除空间内的颗粒，通过基片放置槽22的底壁设置竖向吸尘孔421，第二水平腔部413c内的气体经过竖向吸尘孔421流入基片放置槽22内，扰动空间内气体，使空间内的颗粒随着气流流出空间，以清除基片背面、附着于基片放置槽22底部和漂浮于空间内的颗粒。
需要说明的是，角形腔部413b与其相邻的基片放置槽22的侧壁之间、槽形腔部413d与其相邻的基片放置槽22的侧壁之间设有横向吸尘孔422，气体通道内的气体经过横向吸尘孔422流入基片放置槽22内，然后从基片放置槽22的相对侧壁流出，在气体流过的区域内气体发生扰动，带动该区域内的颗粒随气体流动，进而实现利用气流将颗粒从基片放置槽22内或基片上移走，避免基片放置槽22或基片被颗粒污染。即：通过横向吸尘孔422不仅能够清除基片正面及基片放置槽上部区域内的污染颗粒，还能够清除基片背面、基片背面与基片放置槽所围成空间内的污染颗粒。
进一步地，吹风机构43和引风机构44设置在箱体1的外部。如图6所示，吹风机构43包括吹风管431和与吹风管431连接的吹风机432，吹风管431与气体通道连通。如图7所示，引风机构44包括引风管441和与引风管441连接的引风机442，引风管441与气体通道连通，具体为：吹风管431与第一导气通道411连通，引风管441与第二导气通道412连通。在基片完成等离子体反应后至移出箱体1的过程中，同时启动吹风机构43和引风机构44，吹风机构43向气体通道吹入洁净气体，引风机构44将气体从气体通道内引出，所引出的气体中含有等离子体作用于基片表面时产生的颗粒，以达到对基片和基片放置槽22内颗粒清除的目的。
在本实施例的一个具体实例中，吹风管431和引风管441能够进行线性位移，且线性位移的方向与载体滑板21的运动方向一致。需要说明的是，当载体滑板21为一块，进行线性往复运动时，吹风管431和引风管441随载体滑板21进行线性往复运动，具体为：吹风管431、引风管441的外侧分别连接有推杆，由推杆带动进行往复运动，且往复运动的方向与载体滑板21往复运动的方向一致，以保证能够及时对等离子体反应完成后的基片和基片放置槽内的颗粒进行清尘处理。
在本实施例的一个具体实例中，当载体滑板21设置两块以上时，两块以上的载体滑板21依次连接得到载体滑板组，当其中一块载体滑板21进入箱体1并与箱体1密闭连接的同时，通过人工手动或机械自动的方式完成吹风管431的接口和引风管441的接口与气体通道的连接。即：载体滑板组中的任意一块载体滑板移出箱体1，断开该载体滑板上的气体通道与吹风管431的接口之间的连接，同时断开该载体滑板上的气体通道和引风管441的接口之间的连接；随后将吹风管431的接口和引风管441的接口连接到即将进入箱体1的载体滑板的气体通道上。
进一步地，等离子体处理设备还包括导向机构5，导向机构5包括支架51和安装在支架51上的导向辊52，载体滑板21在导向辊52之间运动。导向机构5用于限制载体滑板21进行水平方向的运动。
在本实施例中，导向机构5设置在箱体1的外部，为保证载体滑板21的运动方向不发生变化，以载体滑板21为轴对称设置两组导向机构5。
进一步地，箱体1包括进气管6、抽真空管7、第一电极板8和第二电极板9。其中，进气管6设置在箱体1的顶部，并与设置在箱体1外部的工作气体源连接，工作时，工作气体源通过进气管6向箱体1内输入工作气体。抽真空管7与设置在箱体1外的真空泵连接，当等离子体反应结束后，通过真空泵将箱体1内的气体从箱体1内排出。第一电极板8设置在箱体1内且设置在箱体1的顶部。第二电极板9设置在箱体1内且设置在箱体1的底部。载体滑板21在箱体1内时，载体滑板21处于第一电极板8与第二电极板9之间。当第一电极板8与第二电极板9通电时，处于第一电极板8与第二电极板9之间的工作气体被电离产生等离子体，等离子体作用在基片表面进行相应的等离子体反应。
实施例2
本实施例提供了一种实施例1的等离子体处理设备进行等离子体处理的方法，如图8所示，包括：
S1，装有基片的载体滑板21进入箱体1，密封闸板31与载体滑板21上的条形密封槽32密封连接，此时箱体1处于密封状态；
载体滑板21在箱体1外部时，将待处理基片移入载体滑板21上的基片放置槽22内，待基片放置槽22被全部装满或待处理基片全部被装入基片放置槽22后，载体滑板21移入箱体1内；
箱体1上设置一个开口，载体滑板21的数量为一个，载体滑板21与开口滑动连接，通过开口，载体滑板21在箱体1内部至箱体1外部进行水平线性往复运动；
S2，箱体1内部抽真空后，通入工作气体，电极板工作，产生的等离子体在基片表面发生等离子体反应；
具体为：利用抽真空管7对箱体1内部进行抽真空操作，利用进气管6向箱体1内通入工作气体，第一电极板8和第二电极板9放电工作，工作气体发生电离产生等离子体，等离子体在基片表面发生等离子体反应；
S3，等离子体反应结束后，对等离子体反应过程中产生的颗粒进行清尘处理；
S4，密封闸板31复位，装有已完成等离子体反应基片的载体滑板21从箱体1内部水平滑出；
S5，移走已经完成等离子体反应基片，完成本次等离子体处理操作；
具体为：解除密封闸板31与载体滑板21的密闭连接，利用驱动推杆33驱动密封闸板31复位，载体滑板21从箱体1内移出，利用机械手转移载体滑板21上所有基片放置槽内的处理后基片；
S6，重新装入待处理基片，返回S1开始下一次等离子体处理操作；
具体为：利用机械手将下一批待处理基片装到载体滑板21的基片放置槽22内，返回S1开始下一次等离子体处理操作。
本实施例中，利用机械手将基片装入基片放置槽或从基片放置槽上移走基片后，再利用外置的牵引设备驱动载体滑板21进行水平往复运动，实现基片从箱体内至箱体外的自动上、下料，等离子体处理效率较高，能够进行基片的自动化批量处理。
进一步地，S1中密封闸板31与载体滑板21上的条形密封槽32密封连接，具体为：驱动推杆驱动密封闸板31卡入对应的条形密封槽32中，通过载体滑板21与密封机构3之间的密封连接，形成具有密闭状态的箱体1以便于进行等离子体反应。
进一步地，在S1和S2之间还包括，将吹风机构的吹风管的接口与载体滑板的第一导气通道连通，将引风机构的引风管的接口与载体滑板的第二导气通道连通。
进一步地，在S3中，对等离子体反应过程中产生的颗粒进行清尘处理，具体为：
S31，同时启动吹风机构43和引风机构44；
通过手动或机械自动的方式，将吹风机构43的吹风管431与载体滑板21的气体通道连通；通过手动或机械自动的方式，引风机构44的引风管441与载体滑板的气体通道连通；
S32，吹风机构43向气体通道吹入洁净气体，引风机构44将气体从气体通道内引出；
具体为：通过吹风管431，吹风机432将洁净气体吹入第一导气通道411；通过引风管441，引风机442从第二导气通道412内引出气体，因为吹风机432和引风机442同时工作，使洁净气体沿着气体通道流动，通过吸尘孔42的设置，气体带动基片放置槽上及其附近的颗粒移动至箱体外，实现清尘。
需要说明的是，当载体滑板21为一块时，吹风管431和引风管441随载体滑板21进行水平往复运动，且运动方向与载体滑板21一致，在载体滑板21移出箱体1后不需要断开气体通道与吹风管431之间的连接，也不需要断开气体通道与引风管441之间的连接。
进一步地，在基片放置槽22上设置凸点或凸棱，抬高基片，使基片的背面与基片放置槽22之间形成空间，气体通过吸尘孔进入空间，扰动基片背面、附着于基片放置槽22底部和漂浮于空间内的颗粒随着气流从另一边的吸尘孔排出空间，使得清尘处理更彻底。
实施例3
本实施例与实施例2的区别在于：
S1中，箱体1上设置两个开口，分别为左开口和右开口，载体滑板21的数量为一个，载体滑板21与两个开口滑动连接，通过左开口和右开口，载体滑板21在箱体1内至箱体1外之间进行水平线性往复运动。
在本实施例中，载体滑板21在箱体1左开口外侧时进行装载或移取基片，载体滑板21在箱体1内部时进行等离子体反应，载体滑板21在箱体1左开口外侧时进行装载或移取基片。具体为：在一次水平线性往复运动过程中，完成两批基片的等离子体反应，第一批基片的等离子体反应为载体滑板21在箱体1左开口外侧时进行装载待处理的第一批基片，待处理的第一批基片随载体滑板21从左开口进入箱体1内部并进行等离子体反应，完成等离子体反应的第一批基片随载体滑板21从右开口移出直至箱体1右侧，载体滑板21在箱体1右开口外侧时进行移取已经完成等离子体反应的第一批基片；载体滑板21在箱体1右开口外侧时进行装载待处理第二批基片，待处理的第一批基片随载体滑板21从右开口进入箱体1内部并进行等离子体反应，完成等离子体反应的第二批基片随载体滑板21从左开口移出直至箱体1左侧，载体滑板21在箱体1左开口外侧时，移取已经完成等离子体反应的第二批基片。
在本实施例中，箱体1上设置左开口和右开口，载体滑板21设置一块，通过载体滑板21的一次水平线性往复运动，完成两批基片的等离子体反应，提高等离子体处理速度。
实施例4
本实施例与实施例2的区别在于：
S1中，箱体1上设置两个开口，分别为左开口和右开口，载体滑板21的数量设置两个以上且依次连接得到载体滑板组，载体滑板组通过两个开口在箱体1内至箱体1外之间进行循环往复运动。
当载体滑板组中的一块载体滑板A移动至箱体内，并要开始进行等离子体反应，此时，与载体滑板A相连的载体滑板B位于箱体的左侧或右侧，载体滑板B的状态为以下状态中的一种，等待装载基片状态、正在装载基片状态、等待卸载基片状态或正在卸载基片状态。
本实施例与实施例2的区别还在于：在S3中，对等离子体反应过程中产生的颗粒进行清尘处理，包括：
S31，同时启动吹风机构43和引风机构44；
S32，吹风机构43向气体通道吹入洁净气体，引风机构44将气体从气体通道内引出；
S33，完成清尘处理后，同时关闭吹风机构43和引风机构44；通过手动或机械自动的方式，解除吹风机构43的吹风管431与载体滑板的气体通道连通；通过手动或机械自动的方式，解除引风机构44的引风管441与载体滑板的气体通道连通，以便于吹风管431和引风管441连接到下一块载体滑板上。
在本实施例中，箱体1上设置左开口和右开口，载体滑板21设置两块以上，以此实现在一块载体滑板21位于箱体1内时，其他载体滑板21位于箱体外侧，处于等待装载基片状态、正在装载基片状态、等待卸载基片状态或正在卸载基片状态，两块以上载体滑板21缩短下一批待处理基片的等待时间，提高等离子体处理速度。
以上，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括箱体、承载传输机构、密封机构和通气机构；
所述承载传输机构包括载体滑板和基片放置槽；所述载体滑板贯穿所述箱体的侧壁，且所述载体滑板在所述箱体内至所述箱体外之间进行往复运动；所述载体滑板上端开设所述基片放置槽；
所述密封机构包括密封闸板和条形密封槽，所述条形密封槽设置在所述载体滑板上，所述密封闸板设置在所述箱体外壁上，所述密封闸板卡入所述条形密封槽内并与所述条形密封槽密封连接；
所述通气机构包括气体通道、吹风管、引风管和吸尘孔，所述吸尘孔设置在所述基片放置槽上且与所述气体通道连通；所述气体通道设置在所述载体滑板内部，所述气体通道包括第一导气通道、第二导气通道和导气腔，所述第一导气通道、所述导气腔和所述第二导气通道依次连通；所述吹风管设置在所述箱体外且与所述第一导气通道连通，所述引风管设置在所述箱体外且与所述第二导气通道连通。
2.根据权利要求1所述等离子体处理设备，其特征在于，所述承载传输机构还包括水平滑道，所述水平滑道设置在所述箱体侧壁上，所述载体滑板在所述水平滑道上滑动。
3.根据权利要求1或2所述等离子体处理设备，其特征在于，所述载体滑板设置两块以上，两块以上所述载体滑板依次连接。
4.根据权利要求1所述等离子体处理设备，其特征在于，所述导气腔包括第一水平腔部、角形腔部、第二水平腔部和槽形腔部；
通过所述角形腔部，所述第一水平腔部与所述第二水平腔部连通；
相邻两个所述第二水平腔部之间设置所述槽形腔部。
5.根据权利要求4所述等离子体处理设备，其特征在于，所述第一水平腔部设置两个。
6.根据权利要求4所述等离子体处理设备，其特征在于，所述第二水平腔部设置在所述基片放置槽的下方。
7.根据权利要求1所述等离子体处理设备，其特征在于，所述吸尘孔包括竖向吸尘孔和横向吸尘孔，所述基片放置槽的底部设置所述竖向吸尘孔，所述基片放置槽的侧壁设置所述横向吸尘孔。
8.根据权利要求1所述等离子体处理设备，其特征在于，所述吹风管和所述引风管能够进行线性位移，且所述线性位移的方向与所述载体滑板的运动方向一致。
9.根据权利要求1-2、4-8任意一项所述等离子体处理设备，其特征在于，所述承载传输机构还包括导向机构，所述导向机构包括支架和安装在所述支架上的导向辊，所述载体滑板在所述导向辊之间运动。
10.一种等离子体处理方法，其特征在于，采用如权利要求1-9任意一项所述等离子体处理设备进行等离子体处理的方法，包括：
S1，装载有基片的载体滑板进入箱体，密封闸板与所述载体滑板上的条形密封槽密封连接，箱体处于密封状态；
S2，箱体内部抽真空后，通入工作气体，电极板工作，对所述基片进行等离子体反应；
S3，等离子体反应结束后，对等离子体反应过程中产生的颗粒进行清尘处理；
S4，所述密封闸板复位，装载有已经完成等离子体反应基片的载体滑板从所述箱体内部水平滑出；
S5，移走所述已经完成等离子体反应基片，完成本次等离子体处理操作；
S6，重新装入待处理基片，返回S1开始下一次等离子体处理操作。
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