CN117438216A - 多层电子组件和制造多层电子组件的方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种多层电子组件和制造多层电子组件的方法。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极交替堆叠且相应的介电层介于所述内电极之间，其中，所述内电极中的至少一个内电极在其端部处包含金属氧化物；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。
Description
本申请要求于2022年7月21日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0090491号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电子组件和制造多层电子组件的方法。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC，一种多层电子组件)是安装在用于各种电子产品(诸如图像显示装置(例如，液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP))、计算机、智能电话和移动电话)的印刷电路板上以用于在其中充电或从其放电的片式电容器。
多层陶瓷电容器由于其具有小尺寸、确保高电容并且易于安装而可用作用于各种电子装置的组件。随着近来电子装置的组件的尺寸的减小，对多层陶瓷电容器的尺寸减小和电容增加的需求日益增加。
根据这种趋势，多层陶瓷电容器的尺寸逐渐减小。为了实现具有小体积的多层陶瓷电容器的高电容，需要增加相同体积的多层陶瓷电容器中的电介质的有效体积比，因此，内电极的厚度相应地逐渐减小。
由于使用这种多层陶瓷电容器(MLCC)的电子产品的性能提高和尺寸减小，用于信息技术(IT)应用的MLCC在具有更高的电容的同时进一步小型化。为了制造高电容小型化MLCC，需要通过使介电层和内电极变薄来增加彼此堆叠的介电层和电极层的数量。根据对介电层和内电极的厚度减小的不断增长的需求，与常规方法相比，制造MLCC的难度不断增加。各个工艺需要高水平的技术，例如，在无损坏的情况下生产薄层片材或者堆叠和压制薄层片材。另外，在没有设计余量的小型片中，诸如由台阶部引起的缺陷和可靠性劣化的问题可能更显著地发生。
发明内容
本公开的一方面可通过薄化介电层和内电极来提供小尺寸的具有高电容的多层电子组件。
本公开的另一方面可提供一种通过经由激光的选择性照射来形成内电极图案而不具有台阶部的多层电子组件和制造多层电子组件的方法。通过这样做，能够防止台阶部引起缺陷和可靠性劣化的问题。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极交替堆叠且相应的介电层介于所述内电极之间，其中，所述内电极中的至少一个内电极在其端部处包括金属氧化物；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。
根据本公开的另一方面，一种制造多层电子组件的方法可包括：形成主体，所述主体包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极交替堆叠且相应的介电层介于所述内电极之间，其中，利用激光照射所述内电极中的至少一个内电极的端部以进行曝光；以及形成外电极，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极交替堆叠且相应的介电层介于所述内电极之间，其中，所述内电极中的至少一个内电极在其端部处包含金属氧化物；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述至少一个内电极的所述端部中的所述金属氧化物接触所述外电极中的至少一个外电极。
附图说明
通过以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的多层电子组件的立体图；
图2示意性地示出了沿图1的线I-I'截取的截面图；
图3示意性地示出了沿图1的线II-II'截取的截面图；
图4示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的用于制造多层电子组件的必要工艺；
图5示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的通过选择性地照射激光以氧化电极来形成图案的工艺；
图6示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的制造多层电子组件的方法；
图7示意性地示出了包括用于生成边缘部的单独工艺的制造方法(作为根据本公开的另一示例性实施例的制造多层电子组件的方法)；
图8示意性地示出了当应用平常的光刻工艺来制造多层电子组件时预期的制造方法；以及
图9示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的用于检测内电极中的金属氧化物的方法。
具体实施例
在下文中，现在将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
在附图中，X方向可被理解为第一方向或长度方向，Y方向可被理解为第二方向或宽度方向，并且Z方向可被理解为第三方向、厚度方向或堆叠方向，但是这些方向不限于此。
多层电子组件
图1示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的多层电子组件的立体图。
图2示意性地示出了沿图1的线I-I'截取的截面图。
图3示意性地示出了沿图1的线II-II'截取的截面图。
图4示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的用于制造多层电子组件的必要工艺。
图5示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的通过选择性地照射激光以氧化电极来形成图案的工艺。
图6是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的制造多层电子组件的方法的示图。
图7是示意性地示出包括用于生成边缘部的单独工艺的制造方法(作为根据本公开的另一示例性实施例的制造多层电子组件的方法)的示意图。
在下文中，将参照图1至图7详细描述根据本公开的示例性实施例的多层电子组件和制造多层电子组件的方法。
根据本公开的示例性实施例的多层电子组件100可包括：主体110，包括介电层111以及内电极121和122，介电层111与内电极121和122交替堆叠且相应的介电层介于内电极121和122之间；以及外电极200和300，设置在主体上并连接到内电极(参见本申请的图1和图2)。
在这种情况下，主体110可包括多个介电层111以及多个内电极121和122，多个内电极121和122分别设置在多个介电层之间。在主体中，介电层111与内电极121和122可交替堆叠。
主体110的具体形状没有特别限制，并且如图1所示，主体110可具有六面体形状或与六面体形状类似的形状。尽管主体110由于包含在主体110中的材料在制造工艺期间收缩而不具有拥有完美直线的六面体形状，但是主体110可大体上具有六面体形状。
主体110可具有在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在长度方向(X方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4并且在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
根据本公开的示例性实施例，介电层111以及内电极121和122可通过沉积技术(包括物理沉积技术或化学沉积技术)形成。因此，与根据常规方法制造的多层电子组件中的介电层和内电极相比，在根据本公开的多层电子组件中，介电层和内电极可以按几纳米至几十微米的非常薄的厚度形成。
作为示例，根据本公开的示例性实施例，介电层111的平均厚度td可以是1nm至10μm。根据本公开，由于介电层通过沉积技术形成，因此介电层可形成为薄的，从而实现多层电子组件的小型化和集成化。
在这种情况下，上述用于测量介电层的平均厚度的技术没有特别限制。即使未在本公开中描述，也可使用本领域普通技术人员所理解的其他方法和/或工具。例如，对于从通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描在主体110的在Y方向(宽度方向)上的中央部处切割的主体110的在X方向和Z方向(长度方向和厚度方向)上的截面而获得的图像中提取的介电层111中的任一个介电层，可测量在X方向(长度方向)上等距间隔的五个点处的介电层的厚度以获得平均值。
类似地，作为示例，根据本公开的示例性实施例，内电极121和122的平均厚度te可以是1nm至10μm。根据本公开，由于内电极通过沉积技术形成，因此内电极可形成为薄的，从而实现多层电子组件的小型化和集成化。
在这种情况下，上述用于测量内电极的平均厚度的技术没有特别限制。即使未在本公开中描述，也可使用本领域普通技术人员所理解的其他方法和/或工具。例如，对于从通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描在主体110的在Y方向(宽度方向)上的中央部处切割的主体110的在X方向和Z方向(长度方向和厚度方向)上的截面而获得的图像中提取的内电极121和122中的任一个内电极，可测量在X方向(长度方向)上等距间隔的五个点处的内电极的厚度以获得平均值。
根据本公开的示例性实施例，形成介电层111的原材料没有特别限制，只要其能够获得足够的电容即可。例如，可将钛酸钡基材料、铅复合钙钛矿基材料、钛酸锶基材料等用于介电层111。其中，钛酸钡基材料可包括BaTiO3基陶瓷，并且BaTiO3基陶瓷的示例可包括BaTiO3以及其中钙(Ca)和/或锆(Zr)部分固溶在BaTiO3中的(Ba1-xCax)TiO3、Ba(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3或Ba(Ti1-yZry)O3。此时，除了诸如钛酸钡(BaTiO3)的陶瓷材料之外，根据本公开目的，用于形成介电层111的材料可包括适用于通过沉积技术形成介电层111的各种添加剂。
根据本公开的示例性实施例，内电极121和122可在厚度方向(Z方向)上与介电层111交替地设置。内电极可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替地设置成彼此面对，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。
根据本公开的示例性实施例，不仅通过减薄介电层和内电极来实现高性能和小型化，而且解决了台阶部引起缺陷和可靠性劣化的问题。
根据本公开的示例性实施例，采用了其中通过沉积技术在晶圆上形成介电层和内电极的多层陶瓷电容器(MLCC)制造方法，而不是其中执行模制、印刷、堆叠和压制的步骤的传统的多层陶瓷电容器(MLCC)制造方法。
具体地，根据本公开的示例性实施例，虽然通过沉积技术形成介电层和内电极，但是如果通过经由激光照射使内电极中的至少一个内电极的端部曝光来形成金属氧化物，则可在不产生台阶部的情况下形成内电极图案。在本申请中，内电极中的至少一个内电极在其端部处包括金属氧化物可表示：内电极中的至少一个内电极在其一个端部处包括金属氧化物、内电极中的至少一个内电极在其任意一个端部处包括金属氧化物或者内电极中的至少一个内电极在其两个端部处包括金属氧化物。
通常，在通过使用激光照射的光刻技术形成图案的情况下，需要许多精细的工艺来形成一个图案。例如，在沉积介电层和沉积内电极之后，需要重复执行化学工艺(诸如蚀刻)，这不利于环保。在化学工艺是湿法工艺的情况下，另外需要清洁和干燥工艺。特别地，对于MLCC，需要堆叠数十至数千层，因此，这样做所需的工艺数量也大大增加。如果应用上述工艺来制造MLCC，则预期如图8(图8示意性地示出了当应用平常的光刻工艺来制造多层电子组件时预期的制造方法)的工艺图中所示执行这些工艺。
然而，从图8中可看出，在通过这种制造工艺制造MLCC的情况下，解决在连接到外电极的部分处产生的台阶部的难度增加。这样具有的问题是，对于每个堆叠工艺，需要以重复的方式在台阶部中额外沉积非导体，导致所需工艺的数量增加。
为了解决该问题，根据本公开的示例性实施例，通过在形成内电极时利用激光选择性地照射内电极的在长度方向上的端部中的至少一个端部以进行选择性氧化而经由曝光形成内电极图案，从而可制造不具有台阶部的MLCC。
使用激光形成图案的技术可主要分为两种技术。第一种技术是使用激光直接加工形成图案的技术。在这种情况下，通过去除激光照射区域中的材料来形成图案。第二种技术是通过照射激光来改变材料的物理性质的技术，例如，将电介质改变为导体或增加电介质的介电常数。在这种情况下，与上述第一种技术不同，不需要去除激光照射区域。
另外，根据本公开，通过将激光选择性地短时间照射到特定位置而不去除激光照射区域来形成电极图案，该特定位置是通过沉积技术形成的内电极的区域的一部分(参见本申请的图5)。
具体地，如图5所示，通过在对激光照射区域进行加热时考虑热扩散长度w和光穿透深度t来精确地控制激光加工条件，在大气压气氛或氧化气氛中通过随后的氧化反应在内电极的端部处形成金属氧化物。因此，根据本公开的一方面，如图5所示，可在至少一个内电极的端部处形成金属氧化物。
根据本公开的示例性实施例，如图5所示，当通过向其照射激光来对特定位置进行加热时，可考虑热扩散长度w和光穿透深度t来控制曝光程度。因此，如图5所示，在根据本公开的示例性实施例的内电极的端部中的含金属氧化物的端部处，金属氧化物可形成为具有向下(即，在厚度方向(第三方向或Z方向)上向下)减小的宽度。因此，在内电极是薄层的情况下，可减少金属氧化物的宽度在Z方向上的减小，并且可通过改变诸如激光照射位置的工艺变量来进一步减少金属氧化物的宽度在Z方向上的减小。
因此，根据本公开，能够仅通过曝光工艺形成电极图案，同时省略使用常规光刻技术沉积和去除光致抗蚀剂(PR)的工艺。因此，如图4所示，可大大减少必要工艺的数量。此外，由于没有材料被直接去除，因此能够制造不具有台阶部的MLCC(如具有图4所示的成品主体的结构的MLCC)。
下面将详细描述根据本公开的多层电子组件的上述特征结构。也就是说，在根据本公开的多层电子组件中，内电极121和122中的至少一个在其至少一个端部处包含金属氧化物。
这里，端部是指位于内电极121和122中的任一个内电极的在长度方向(即，第一方向或X方向)上的两端处的部分。因此，位于第一内电极121的在长度方向(即，第一方向或X方向)上的两端处的部分将被称为第一内电极121的端部141和142。类似地，位于第二内电极122的在长度方向(即，第一方向或X方向)上的两端处的部分将被称为第二内电极122的端部151和152。
另外，在本公开中，用于测量上述内电极中是否包含金属氧化物的技术没有特别限制。即使未在本公开中描述，也可使用本领域普通技术人员所理解的其他方法和/或工具。图9示意性地示出了根据本公开的示例性实施例的用于检测内电极中的金属氧化物的方法，在图9中示出了测量技术作为示例。具体地，制备10个MLCC。随后，暴露每个MLCC，使得附接有外电极的一侧朝上，随后进行环氧树脂模制。然后，相对于MLCC的总厚度T，将MLCC抛光1/4T以暴露内电极、介电层和边缘部。然后，对于暴露的截面，使用成分分析设备(诸如能量色散谱仪(EDS)/X射线衍射仪(XRD)/X射线光电子能谱仪(XPS))检查内电极和内电极的端部是否检测到钛酸钡(BT)和金属氧化物。
根据本公开的示例性实施例，如图2所示，第一内电极121的一个端部141可接触第一外电极200，并且在第一内电极121的另一端部142处可形成有金属氧化物。在这种情况下，第一内电极121的另一端部142处的金属氧化物可接触第二外电极300。此外，在第一内电极121的一个端部141的一部分中也可形成有金属氧化物。
另外，根据本公开的示例性实施例，如图2所示，第二内电极122的一个端部152可接触第二外电极300，并且在第二内电极122的另一端部151处可形成有金属氧化物。在这种情况下，第二内电极122的另一端部151的金属氧化物可接触第一外电极200。此外，在第二内电极122的一个端部152的一部分中也可形成有金属氧化物。
另外，根据本公开的示例性实施例，包含在内电极中的至少一个内电极中的金属氧化物可通过以下方式来形成：通过激光照射使内电极(该内电极通过物理沉积技术或化学沉积技术形成)的在长度方向(即，第一方向或X方向)上的端部中的一个端部曝光。
以这种方式，可通过选择性地将激光仅照射到内电极的端部来产生电极图案。此时，为了产生电极不连通的部分(而不是产生电极)的目的，执行光的选择性照射。电极的不连通可通过使电极氧化(而不是直接去除电极)来实现。此外，上述电极的氧化可使用由照射激光产生的热作用来实现。
根据本公开的示例性实施例，通过使用上述技术在内电极中的至少一个内电极中形成金属氧化物，能够使当形成多层电子组件的主体时在平常的光刻技术中所需的化学工艺(诸如蚀刻和湿法工艺)最少化。通过这样做，可使化学品的使用最少化，从而以利于环保的方式执行该工艺，并使辅助材料消耗的成本最少化。此外，由于也可使湿法工艺最少化，因此能够省略干燥或清洁工艺，并使由水分引起的缺陷最少化。
此外，根据本公开的示例性实施例，可通过在制造工艺期间改变光掩模或设置激光束路径来以各种方式形成电极图案。具体地，可通过替换掩模或改变软件来在一个设备中实现各种图案，这使得能够少量生产各种产品。此外，即使当制造一个片时，也能够改变沉积图案，从而使得能够在片的上部、中部和下部实现不同的图案。根据本公开，由于可在设计多层电子组件时进行各种修改，因此可极大地提高设计的自由度。
根据本公开的示例性实施例，金属氧化物可以是包含在内电极中的金属的氧化物。作为用于内电极的材料，可使用诸如镍(Ni)或铜(Cu)的金属。因此，包含在内电极的端部中的金属氧化物可以是镍(Ni)氧化物或铜(Cu)氧化物。铜(Cu)氧化物可以是铜(I)氧化物和/或铜(II)氧化物。
具体而言，在内电极利用镍(Ni)金属形成的情况下，包含在内电极的端部中的金属氧化物可以是氧化镍(Ni)。类似地，在内电极利用铜(Cu)金属形成的情况下，包含在内电极的端部中的金属氧化物可以是氧化铜(Cu)。
根据本公开的示例性实施例，如图2所示，第一内电极121的除了形成金属氧化物的端部142之外的其余区域可与第四表面4间隔开，并且第一内电极121中没有形成金属氧化物的端部141可通过第三表面3暴露。类似地，第二内电极122的除了形成金属氧化物的端部151之外的其余区域可与第三表面3间隔开，并且第二内电极122中没有形成金属氧化物的端部152可通过第四表面4暴露。
然而，在第一内电极121中形成金属氧化物的端部142可通过第四表面4暴露。类似地，在第二内电极122中形成金属氧化物的端部151可通过第三表面3暴露。
根据本公开的示例性实施例，当从第一内电极121和第二内电极122中排除形成有金属氧化物的端部142和151时，第一内电极121和第二内电极122可交替地暴露于第三表面3和第四表面4(第三表面3和第四表面4分别是主体的在长度方向(即，第一方向或X方向)上的相对端表面)，并且分别连接到第一外电极200和第二外电极300。
也就是说，根据本公开的示例性实施例，当从内电极121和122中排除形成有金属氧化物的端部142和151时，第一内电极121可不连接(或电连接)到第二外电极300，并且可连接(或电连接)到第一外电极200。类似地，第二内电极122可不连接(或电连接)到第一外电极200，并且可连接(或电连接)到第二外电极300。
因此，当从内电极121和122中排除形成有金属氧化物的端部142和151时，第一内电极121可形成为与第四表面4间隔开预定距离，并且第二内电极122可形成为与第三表面3间隔开预定距离。
在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过设置在它们之间的介电层111彼此电断开。
如上所述，根据本公开，可通过选择性地照射激光以暴露于大气中的水分和/或氧气来形成包含氧化物的端部142和151，而不是去除需要与内电极121和122绝缘的部分。因此，能够制造不具有台阶部的MLCC，因此，预期可消除由台阶部引起的缺陷。
多层电子组件100可包括外电极200和300，外电极200和300分别设置在主体110上并分别连接到内电极121和122。具体地，外电极可包括在长度方向(即，第一方向或X方向)上彼此相对的第一外电极200和第二外电极300。在这种情况下，内电极可包括第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122分别连接到(或电连接到)第一外电极200和第二外电极300。
在本示例性实施例中，描述了具有两个外电极200和300的多层电子组件100的结构，但是外电极200和300的数量、形状等可根据内电极121和122的形状或出于其他目的而改变。
另外，外电极200和300可使用任何材料(诸如金属)形成，只要其具有导电性即可，并且可考虑电特性、结构稳定性等来确定用于外电极200和300的具体材料。此外，外电极200和300可具有多层结构。
例如，外电极200和300可包括设置在主体110上的电极层131a和131b以及形成在电极层上的镀层132a和132b。作为示例，电极层131a和131b可以是各自包含导电金属和树脂的树脂基电极。
可选地，电极层131a和131b中的每个电极层可具有在主体上形成树脂基电极的形式。此外，电极层131a和131b中的每个电极层可通过将包含导电金属的片材转印到主体上来形成。
具有优异导电性的材料可用作包含在电极层131a和131b中的导电金属，并且对导电金属没有特别限制。例如，导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)和它们的合金中的一种或更多种。
镀层132a和132b可用于改善安装特性。镀层132a和132b在类型方面没有特别限制，并且可以是各自包含Ni、Sn、Pd和它们的合金中的至少一种的镀层。此外，镀层132a和132b中的每个可由多个层形成。
作为更具体的示例，镀层132a和132b中的每个镀层可以是Ni镀层或Sn镀层，并且具体地，可以是Sn镀层。可选地，镀层132a和132b中的每个镀层可具有其中Ni镀层和Sn镀层依次形成在上述电极层上的形式，或者其中Sn镀层、Ni镀层和Sn镀层可依次形成在上述电极层上的形式。此外，镀层132a和132b中的每个镀层可包括多个Ni镀层和/或多个Sn镀层。
根据本公开的示例性实施例，如图3所示，主体110可包括：电容形成部A，设置在主体110中，并且通过包括设置成彼此面对的第一内电极121和第二内电极122且使介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间来形成电容；以及覆盖部112和113，分别形成在电容形成部A的上表面和下表面上。对形成电容器的电容有贡献的电容形成部A可通过重复堆叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且使介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间来形成。
根据本公开的示例性实施例，上覆盖部112和下覆盖部113中的每个覆盖部可通过在电容形成部A的上表面和下表面中的相应一个表面上沿厚度方向堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层(多个介电层)来形成，并且可基本上用于防止内电极由于物理应力或化学应力而被损坏。
根据本公开的示例性实施例，上覆盖部112和下覆盖部113可包含与介电层111相同的材料，且不包括内电极。
也就是说，根据本公开的示例性实施例，上覆盖部112和下覆盖部113可包含陶瓷材料，例如，钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料。在这种情况下，不必特别限制覆盖部112和113中的每个覆盖部的厚度tp。
另外，根据本公开的示例性实施例，边缘部114和115可设置在电容形成部A的侧表面上。
根据本公开的示例性实施例，边缘部114和115可包括设置在电容形成部A的一个侧表面上的边缘部114和设置在电容形成部A的另一侧表面上的边缘部115。也就是说，边缘部114和115可设置在电容形成部A的的在宽度方向(第二方向或Y方向)上彼此相对的两个侧表面上。
根据本公开的示例性实施例，如图3所示，边缘部114和115可指：在主体110的在宽度-厚度(Y-Z)方向上切割的截面中，第一内电极121和第二内电极122的两端与主体110的外表面之间的区域。
根据本公开的示例性实施例，边缘部114和115可基本上用于防止内电极由于物理应力或化学应力而被损坏。
根据本公开的示例性实施例，边缘部114和115可根据在堆叠介电层和内电极的工艺、使内电极曝光的工艺和切割层叠体的工艺期间是否产生边缘部而通过两种技术中的一种形成。
具体地，根据本公开的示例性实施例的制造方法，如图6和图7所示，可重复堆叠介电层的工艺、堆叠内电极的工艺和通过利用激光选择性地照射内电极以进行曝光来形成电极图案的工艺，直到达到期望的设计厚度或期望的设计层数，以形成层叠体。在使用激光照射通过曝光形成电极图案的上述工艺中，在准备用于曝光的激光之后，可准备适用于掩模投影技术的光学系统、线光束和台、光束扫描器等。此后，可通过照射激光束来形成氧化物图案。随后，可通过使用切割锯、激光、电火花加工(EDM)、化学蚀刻等切割层叠体来制造片。
在这种情况下，如图6的操作(8)和(9)所示，可通过将曝光部分控制为与片的切割面对准来形成边缘部114和115而无需用于形成边缘部114和115的单独的工艺。
可选地，如图7的操作(8)至(10)所示，可通过以下方式来形成边缘部114和115：以内电极暴露于电容形成部A的在宽度方向(即，第二方向或Y方向)上彼此相对的两个侧表面的方式切割层叠体，然后在电容形成部A的在宽度方向(即，第二方向或Y方向)上彼此相对的两个侧表面上堆叠多个介电层。
另外，在下文中，将描述根据本公开的另一示例性实施例的制造多层电子组件的方法。
根据本公开的另一示例性实施例的制造多层电子组件的方法可包括：形成主体，主体包括介电层和内电极，介电层和内电极交替堆叠且相应的介电层介于内电极之间，其中，利用激光照射内电极中的至少一个内电极的端部以进行曝光；以及形成外电极，外电极设置在主体上并连接到内电极。
在这种情况下，关于沉积技术、介电层、内电极、主体和外电极，以上描述可相同地应用于制造多层电子组件的方法。
另外，根据本公开的示例性实施例，可执行激光的照射，使得能量密度阈值满足1J/cm2或更小。
不需要特别限制多层电子组件100的尺寸。然而，为了实现小型化和高电容两者，需要通过使介电层和内电极减薄来增加彼此堆叠的介电层和内电极的数量。因此，当多层电子组件100具有0402(长×宽＝0.4mm×0.2mm)或更小的尺寸时，根据本公开的可靠性改善效果可更显著。
考虑到制造误差、外电极的尺寸等，当多层电子组件100具有0.44mm或更小的长度和0.22mm或更小的宽度时，根据本公开的可靠性改善效果可更显著。这里，多层电子组件100的长度可指多层电子组件100在第二方向上的最大尺寸，并且多层电子组件100的宽度可指多层电子组件100在第三方向上的最大尺寸。
如上所述，作为本公开的若干效果之一，能够通过使介电层和内电极减薄来提供小尺寸的具有高电容的多层电子组件。
作为本公开的若干效果中的另一效果，能够通过经由激光的选择性照射形成内电极图案来提供不具有台阶部的多层电子组件和制造多层电子组件的方法。因此，能够防止台阶部引起缺陷和可靠性劣化的问题。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员来说将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变化。
Claims (22)
1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极交替堆叠且相应的介电层介于所述内电极之间，其中，所述内电极中的至少一个内电极在其端部处包括金属氧化物；以及
外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述金属氧化物是包括在所述内电极中的所述至少一个内电极中的金属的氧化物。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述金属氧化物是氧化Ni或氧化Cu。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述外电极包括在第一方向上彼此相对的第一外电极和第二外电极，并且
所述内电极包括分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极的第一内电极和第二内电极。
5.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极的一个端部接触所述第一外电极，并且在所述第一内电极的另一端部中设置有所述金属氧化物。
6.根据权利要求5所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极的所述另一端部中的所述金属氧化物接触所述第二外电极。
7.根据权利要求5所述的多层电子组件，其中，在所述第一内电极的所述一个端部的至少一部分中也设置有所述金属氧化物。
8.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，所述第二内电极的一个端部接触所述第二外电极，并且在所述第二内电极的另一端部中设置有所述金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的多层电子组件，其中，所述第二内电极的所述另一端部中的所述金属氧化物接触所述第一外电极。
10.根据权利要求8所述的多层电子组件，其中，在所述第二内电极的所述一个端部的至少一部分中也设置有所述金属氧化物。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层和所述内电极通过沉积技术形成。
12.一种制造多层电子组件的方法，所述方法包括：
形成主体，所述主体包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极交替堆叠且相应的介电层介于所述内电极之间，其中，利用激光照射所述内电极中的至少一个内电极的端部以进行曝光；以及
形成外电极，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述介电层和所述内电极通过沉积技术形成。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，执行所述激光的照射，使得能量密度阈值满足1J/cm2或更小。
15.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极交替堆叠且相应的介电层介于所述内电极之间，其中，所述内电极中的至少一个内电极在其端部处包括金属氧化物；以及
外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述至少一个内电极的所述端部中的所述金属氧化物接触所述外电极中的至少一个外电极。
16.根据权利要求15所述的多层电子组件，其中，所述金属氧化物是氧化Ni或氧化Cu。
17.根据权利要求16所述的多层电子组件，其中，所述外电极包括在第一方向上彼此相对的第一外电极和第二外电极，并且
所述内电极包括分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极的第一内电极和第二内电极。
18.根据权利要求17所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极在其端部处包括所述金属氧化物，并且所述第一内电极的所述端部中的所述金属氧化物接触所述第二外电极。
19.根据权利要求17所述的多层电子组件，其中，所述第二内电极在其端部处包括所述金属氧化物，并且所述第二内电极的所述端部中的所述金属氧化物接触所述第一外电极。
20.一种制造根据权利要求1-11和15-19中任一项所述的多层电子组件的方法，所述方法包括：
利用激光照射所述至少一个内电极，
其中，所述方法不包括去除激光照射的区域。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，执行照射，使得能量密度阈值满足1J/cm2或更小。
22.根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括在照射之前，通过沉积技术形成所述至少一个内电极。
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