CN117423783A - 一种MincroLED尖锥状结构制备方法 - Google Patents
一种MincroLED尖锥状结构制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117423783A CN117423783A CN202311389057.0A CN202311389057A CN117423783A CN 117423783 A CN117423783 A CN 117423783A CN 202311389057 A CN202311389057 A CN 202311389057A CN 117423783 A CN117423783 A CN 117423783A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor material
- material layer
- pointed cone
- cone
- micro led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 140
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 26
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种MicroLED尖锥状结构制备方法,包括：S1、制备尖锥状凹穴结构，使尖锥状结构朝下，并在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层；S2、高温收缩固化半导体材料层，形成具有半导体材料尖锥结构的中间体；S3、翻转所述中间体180°，使得所述半导体材料尖锥结构朝上；S4、利用干式非等向刻蚀，获得最终的MicroLED尖锥状结构。本发明的MicroLED尖锥状结构制备方法，通过将半导体材料压入尖锥状凹穴，利用重力原理(液体往低处流)，确保高温固化式尖锥结构仍然能保持形状、角度完整，不会出现现有技术中的坍塌现象，有利于提升成品率，满足使用要求。
Description
技术领域
本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种MicroLED尖锥状结构制备方法。
背景技术
研究表明GaN半导体发光材料的LED，在蓝宝石基板上设置尖锥结构可以通过尖锥结构实现集光效果，大大提升发光效率和亮度。现有技术中尖锥结构的制备工艺如图1所示，首先是在蓝宝石基板1上旋涂半导体材料层2，然后利用尖锥状模仁3进行压印，使得半导体材料层2具有尖锥结构，然后再对半导体材料层2进行高温固化。
然而在高温固化后，半导体材料层厚度方向会收缩50％左右，此时，会造成形成的尖锥状结构在高温固化时发生坍塌，使得最终制备成的尖锥状结构不能满足使用要求。
发明内容
本发明的目的在于解决上述问题，提供一种MincroLED尖锥状结构制备方法。
为实现上述目的，本发明提供一种MincroLED尖锥状结构制备方法，包括：
S1、制备尖锥状凹穴结构，使尖锥状结构朝下，并在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层；
S2、高温收缩固化半导体材料层，形成具有半导体材料尖锥结构的中间体；
S3、翻转所述中间体180°，使得所述半导体材料尖锥结构朝上；
S4、利用干式非等向刻蚀，获得最终的MicroLED尖锥状结构。
进一步地，所述S1包括：
在石英材料层上制作尖锥状凹穴结构，并且尖锥状结构朝下；
在所述尖锥状凹穴内蒸着含氟脱模剂；
在所述尖锥状凹穴上旋涂半导体材料层，半导体材料层高出所述石英材料层表面。
进一步地，所述S2包括：
在所述半导体材料层上侧接合蓝宝石基板；
在600～1100℃温度下对半导体材料层进行高温收缩固化，形成由上至下依次为蓝宝石基板、半导体材料层和石英材料层的中间体，此时在所述石英材料层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。
进一步地，所述S3包括：
对所述石英材料层进行脱模；
将剩余结构进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上。
进一步地，所述S2包括：
在600～1100℃温度下对半导体材料层进行高温收缩固化；
选取蓝宝石基板，在蓝宝石基板上旋涂半导体材料后去溶剂层；
翻转所述蓝宝石基板，将所述半导体材料后去溶剂层与高温收缩固化后的半导体材料层接合，形成由上至下依次为蓝宝石基板、半导体材料后去溶剂层、半导体材料层和石英材料层的中间体，此时在所述石英材料层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。
进一步地，所述步骤S3包括：
对所述石英材料层进行脱模；
将剩余结构进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上。
进一步地，所述S1包括：
在石英基板上镀着TBDB材料；
在所述TBDB材料上喷镀无定形碳层；
在所述无定形碳层上制作尖锥状凹穴结构，并且尖锥状结构朝下；
在所述尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层。
进一步地，所述S2包括：
在所述半导体材料层上接合蓝宝石基板；
加热TBDB材料至热脱黏温度，脱除TBDB材料及石英基板；
在600～1100℃温度下对半导体材料层进行高温收缩固化，形成由上至下依次为蓝宝石基板、半导体材料层和无定形碳层的中间体，此时在所述无定形碳层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。
进一步地，所述S3包括：
将所述中间体进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上；
去除所述无定形碳层。
进一步地，所述半导体材料为QST01。
本发明的MicroLED尖锥状结构制备方法，通过将半导体材料压入尖锥状凹穴，利用重力原理(液体往低处流)，确保高温固化式尖锥结构仍然能保持形状、角度完整，不会出现现有技术中的坍塌现象，有利于提升成品率，满足使用要求。
附图说明
图1为现有技术中尖锥结构的制备工艺流程图；
图2示意性表示根据本发明一种实施方式的MicroLED尖锥状结构制备方法流程图；
图3示意性表示根据本发明第二种实施方式的MicroLED尖锥状结构制备方法流程图；
图4示意性表示根据本发明第三种实施方式的MicroLED尖锥状结构制备方法流程图；
图5示意性表示QST01性能图；
图6示意性表示QST01的性能图二。
附图中标号所代表的含义如下：
1、蓝宝石基板；2、半导体材料层；3、尖锥状模仁；4、石英材料层；5、含氟脱模剂；6、旋塗半导体材料后去溶剂；7、石英基板；8、TBDB材料；9、无定形碳层。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细地描述，实施方式不能在此一一赘述，但本发明的实施方式并不因此限定于以下实施方式。
本发明提供一种MicroLED尖锥状结构制备方法,包括：S1、制备尖锥状凹穴结构，使尖锥状结构朝下，并在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层；S2、高温收缩固化半导体材料层，形成具有半导体材料尖锥结构的中间体；S3、翻转所述中间体180°，使得所述半导体材料尖锥结构朝上；S4、利用干式非等向刻蚀，获得最终的MicroLED尖锥状结构。
按照本发明的方法，制备的MicroLED尖锥状结构不会出现坍塌现象，完全能够满足使用要求。
如图2所示，根据本发明的一种实施方式，本发明的具体方法如下：
首先在石英材料层4上制作尖锥状凹穴结构，并且尖锥状结构朝下，然后在尖锥状凹穴内蒸着含氟脱模剂5，在尖锥状凹穴上旋涂半导体材料层2，半导体材料层2高出石英材料层4表面。在半导体材料层2上侧加压力接合蓝宝石基板1。在600～1100℃温度下对半导体材料层2进行高温收缩固化，厚度收缩率约为50％，形成由上至下依次为蓝宝石基板1、半导体材料层2和石英材料层4的中间体，此时在所述石英材料层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。然后对石英材料层进行脱模，将剩余结构进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上。最终利用干式非等向刻蚀或者满足要求的尖锥结构。
如图3所示，根据本发明的第二种实施方式，本发明的MicroLED尖锥状结构制备方法包括：首先在石英材料层4上制作尖锥状凹穴结构，并且尖锥状结构朝下，然后在尖锥状凹穴内蒸着含氟脱模剂5，在尖锥状凹穴上旋涂半导体材料层2，半导体材料层2高出石英材料层4表面。在600～1100℃温度下对半导体材料层2进行高温收缩固化，厚度收缩率约为50％。然后选取蓝宝石基板1，在蓝宝石基板1上旋涂半导体材料后去溶剂6，翻转蓝宝石基板1，将半导体材料后去溶剂6与高温收缩固化后的半导体材料层2加热接合，形成由上至下依次为蓝宝石基板1、半导体材料后去溶剂层6、半导体材料层2和石英材料层4的中间体，此时在石英材料层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。对石英材料层进行脱模，
将剩余结构进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上。最终通过干式非等向刻蚀或者满足要求的尖锥结构。
如图4所示，根据本发明的第三种实施方式，本发明的MicroLED尖锥状结构制备方法,包括：在石英基板7上镀着TBDB材料8，在TBDB材料8上喷镀无定形碳层9，在无定形碳层9上制作尖锥状凹穴结构，并且尖锥状结构朝下，在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层2。在半导体材料层2上加压接合蓝宝石基板，加热TBDB材料8至热脱黏温度，脱除TBDB材料8及石英基板7。然后在在600～1100℃温度下对半导体材料层2进行高温收缩固化，厚度收缩率约为50％，形成由上至下依次为蓝宝石基板1、半导体材料层2和无定形碳层9的中间体，此时在无定形碳层9尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。接着将中间体进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上，通过氧气等离子体去除无定形碳层，最终利用干式非等向刻蚀或者满足要求的尖锥结构。
在上述各个实施方式中，半导体材料为二氧化硅类旋涂材料，例如二氧化硅材料，或者如图5和图6所示的QST01材料。
本发明的MicroLED尖锥状结构制备方法，通过将半导体材料压入尖锥状凹穴，利用重力原理(液体往低处流)，确保高温固化時尖锥结构仍然能保持形状、角度完整，不会出现现有技术中的坍塌现象，有利于提升成品率，满足使用要求。
以上所述仅为本发明的一个实施方式而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种MicroLED尖锥状结构制备方法,包括：
S1、制备尖锥状凹穴结构，使尖锥状结构朝下，并在尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层；
S2、高温收缩固化半导体材料层，形成具有半导体材料尖锥结构的中间体；
S3、翻转所述中间体180°，使得所述半导体材料尖锥结构朝上；
S4、利用干式非等向刻蚀，获得最终的MicroLED尖锥状结构。
2.根据权利要求1所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述S1包括：
在石英材料层上制作尖锥状凹穴结构，并且尖锥状结构朝下；
在所述尖锥状凹穴内蒸着含氟脱模剂；
在所述尖锥状凹穴上旋涂半导体材料层，半导体材料层高出所述石英材料层表面。
3.根据权利要求3所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述S2包括：
在所述半导体材料层上侧接合蓝宝石基板；
在600～1100℃温度下对半导体材料层进行高温收缩固化，形成由上至下依次为蓝宝石基板、半导体材料层和石英材料层的中间体，此时在所述石英材料层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。
4.根据权利要求3所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述S3包括：
对所述石英材料层进行脱模；
将剩余结构进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上。
5.根据权利要求2所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述S2包括：
在600～1100℃温度下对半导体材料层进行高温收缩固化；
选取蓝宝石基板，在蓝宝石基板上旋涂半导体材料后去溶剂；
翻转所述蓝宝石基板，将所述半导体材料后去溶剂与高温收缩固化后的半导体材料层接合，形成由上至下依次为蓝宝石基板、半导体材料后去溶剂、半导体材料层和石英材料层的中间体，此时在所述石英材料层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。
6.根据权利要求5所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述步骤S3包括：
对所述石英材料层进行脱模；
将剩余结构进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上。
7.根据权利要求1所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述S1包括：
在石英基板上镀着TBDB材料；
在所述TBDB材料上喷镀无定形碳层；
在所述无定形碳层上制作尖锥状凹穴结构，并且尖锥状结构朝下；
在所述尖锥状凹穴结构上旋涂半导体材料层。
8.根据权利要求7所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述S2包括：
在所述半导体材料层上接合蓝宝石基板；
加热TBDB材料至热脱黏温度，脱除TBDB材料及石英基板；
在600～1100℃温度下对半导体材料层进行高温收缩固化，形成由上至下依次为蓝宝石基板、半导体材料层和无定形碳层的中间体，此时在所述无定形碳层尖锥状结构凹穴内形成半导体材料尖锥结构。
9.根据权利要求8所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述S3包括：
将所述中间体进行180°翻转，使得半导体材料尖锥结构朝上；
去除所述无定形碳层。
10.根据权利要求1所述的MicroLED尖锥状结构制备方法,其特征在于，所述半导体材料为QST01。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311389057.0A CN117423783A (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 一种MincroLED尖锥状结构制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311389057.0A CN117423783A (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 一种MincroLED尖锥状结构制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117423783A true CN117423783A (zh) | 2024-01-19 |
Family
ID=89529745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311389057.0A Pending CN117423783A (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 一种MincroLED尖锥状结构制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117423783A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579434A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-12 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 无残余层纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法 |
| KR20170123531A (ko) * | 2016-04-29 | 2017-11-08 | (주)휴넷플러스 | 광학용 기판의 제조방법 |
| CN108336202A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-27 | 华灿光电股份有限公司 | 图形化蓝宝石衬底、外延片及其制作方法 |
| CN109166952A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-08 | 孙逊运 | 一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法 |
| KR20210012354A (ko) * | 2019-07-25 | 2021-02-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이의 제조방법 |
| CN116469980A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-07-21 | 浙江丽晖智能装备有限公司 | 一种蓝宝石复合衬底及其制备方法和应用 |
| CN116469968A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-07-21 | 浙江丽晖智能装备有限公司 | 一种二氧化硅-蓝宝石复合衬底及其制备方法和应用 |
-
2023
- 2023-10-25 CN CN202311389057.0A patent/CN117423783A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579434A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-12 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 无残余层纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法 |
| KR20170123531A (ko) * | 2016-04-29 | 2017-11-08 | (주)휴넷플러스 | 광학용 기판의 제조방법 |
| CN108336202A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-27 | 华灿光电股份有限公司 | 图形化蓝宝石衬底、外延片及其制作方法 |
| CN109166952A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-08 | 孙逊运 | 一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法 |
| KR20210012354A (ko) * | 2019-07-25 | 2021-02-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이의 제조방법 |
| CN116469980A (zh) * | 2023-03-17 | 2023-07-21 | 浙江丽晖智能装备有限公司 | 一种蓝宝石复合衬底及其制备方法和应用 |
| CN116469968A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-07-21 | 浙江丽晖智能装备有限公司 | 一种二氧化硅-蓝宝石复合衬底及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109192670A (zh) | 柔性半导体复合薄膜及其制备方法 | |
| CN114888237B (zh) | 一种消失模型壳的制备方法以及在模型铸造中的应用 | |
| CN117423783A (zh) | 一种MincroLED尖锥状结构制备方法 | |
| CN104708739B (zh) | 变速器橡胶活塞模具及用该模具制备变速器橡胶活塞方法 | |
| CN109719971A (zh) | 一种用于真空灌注成型的模具及其上凸模制造方法 | |
| CN104201166B (zh) | 一种tsv转接板及其制造工艺 | |
| CN101195471A (zh) | Mems器件及其制造方法 | |
| CN206116360U (zh) | 一种用于晶圆贴片的装置 | |
| CN116469968A (zh) | 一种二氧化硅-蓝宝石复合衬底及其制备方法和应用 | |
| TW201722696A (zh) | 複材管件成化之方法及裝置 | |
| CN109346401A (zh) | 提高硅表面纳米森林中金-金热压键合强度的方法 | |
| CN106342072B (zh) | 基于soi硅片的mems制作及裂片方法 | |
| CN114311453A (zh) | 一种风电叶片腹板随壳体一体灌注的方法 | |
| CN102109621B (zh) | 透镜制造方法 | |
| CN101562136B (zh) | Hbt工艺中介质平面平坦化的方法 | |
| CN106785899A (zh) | 单方向发射的氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法 | |
| CN113903655A (zh) | 自支撑氮化镓衬底的制作方法 | |
| CN102593332A (zh) | 一种led发光器件及其制作方法 | |
| CN113097120A (zh) | 一种基于金属箔基底的薄膜传感器的制备方法 | |
| CN106711163B (zh) | 在陶瓷管壳上贴装大尺寸ccd芯片的方法 | |
| CN105280541A (zh) | 一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法 | |
| CN108686524A (zh) | 碳化硅晶须补强增韧的碳化硅陶瓷中空纤维膜的制备方法 | |
| CN109466091A (zh) | 一种冰球杆的制备方法及冰球杆 | |
| CN102774018A (zh) | 免避雷线粘接的风机叶片腹板的制作方法 | |
| CN113380696B (zh) | 深槽的填充方法及深槽的填充结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |