CN117411292A - 集成电路、电源电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够抑制端子数量增加的集成电路。本发明的集成电路包括：第一端子，该第一端子连接有第一电阻、温度检测用的第二电阻以及开关；电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出电流；开关控制电路，该开关控制电路使所述开关处于第一状态以将对应于所述第一电阻的电压施加到所述第一端子，之后使所述开关处于第二状态以将对应于所述第二电阻的电压施加到所述第一端子；存储电路；处理电路，该处理电路基于所述开关处于所述第一状态时的所述第一端子的第一电压，将所述集成电路的动作条件存储到所述存储电路；以及温度检测电路，该温度检测电路基于所述开关处于所述第二状态时的所述第一端子的第二电压来检测温度。

Description

集成电路、电源电路

技术领域

本发明涉及集成电路和电源电路。

背景技术

专利文献1公开了根据输入电压生成目标电平的输出电压的电源电路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-110173号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，电源电路一般设置有用于控制功率晶体管的开关的集成电路。在这样的集成电路中，如果设置用于确定集成电路的动作条件的专用端子，则集成电路的端子数量将增加。

本发明是鉴于上述现有的问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制端子数量增加的集成电路。

用于解决技术问题的技术手段

解决上述问题的本发明主要的第一方式是一种集成电路，包括：第一端子，该第一端子连接有第一电阻、温度检测用的第二电阻以及开关；电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出电流；开关控制电路，该开关控制电路使所述开关处于第一状态以将对应于所述第一电阻的电压施加到所述第一端子，之后使所述开关处于第二状态以将对应于所述第二电阻的电压施加到所述第一端子；存储电路；处理电路，该处理电路基于所述开关处于所述第一状态时的所述第一端子的第一电压，将所述集成电路的动作条件存储到所述存储电路；以及温度检测电路，该温度检测电路基于所述开关处于所述第二状态时的所述第一端子的第二电压来检测温度。

解决上述问题的本发明主要的第二方式是一种电源电路，包括电感器、以及对流入所述电感器的电感器电流进行控制的晶体管，且根据输入电压生成目标电平的输出电压，所述电源电路包括：第一电阻；温度检测用的第二电阻；开关；以及控制所述晶体管的开关的集成电路，所述集成电路包括：第一端子，该第一端子连接有所述第一电阻、所述第二电阻以及所述开关；电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出电流；开关控制电路，该开关控制电路使所述开关处于第一状态以将对应于所述第一电阻的电压施加到所述第一端子，之后使所述开关处于第二状态以将对应于所述第二电阻的电压施加到所述第一端子；存储电路；处理电路，该处理电路基于所述开关处于所述第一状态时的所述第一端子的第一电压，将所述集成电路的动作条件存储到所述存储电路；以及温度检测电路，该温度检测电路基于所述开关处于所述第二状态时的所述第一端子的第二电压来检测温度。

解决上述问题的本发明主要的第三方式是一种集成电路，包括：第一端子，该第一端子与所述第一电阻相连接；电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出流入所述第一电阻的电流；温度检测电路，该温度检测电路基于因来自所述电流输出电路的所述电流而产生的所述第一端子的第一电压，来检测温度；以及信号输出电路，该信号输出电路经由所述第一端子向设置在所述集成电路的外部的外部电路输出用于设定所述外部电路的动作的设定信号。

解决上述问题的本发明主要的第四方式是一种电源电路，包括电感器、以及对流入所述电感器的电感器电流进行控制的晶体管，且根据输入电压生成目标电平的输出电压，所述电源电路包括：第一电阻；以及控制所述晶体管的开关的集成电路，所述集成电路包括：第一端子，该第一端子与所述第一电阻相连接；电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出流入所述第一电阻的电流；温度检测电路，该温度检测电路基于因来自所述电流输出电路的所述电流而产生的所述第一端子的第一电压，来检测温度；以及信号输出电路，该信号输出电路经由所述第一端子向设置在所述集成电路的外部的外部电路输出用于设定所述外部电路的动作的设定信号。

发明效果

根据本发明，可以提供一种能够抑制端子数量增加的集成电路。

附图说明

图1是表示电源装置10的一个示例的图。

图2是表示可变电阻电路23的一个示例的图。

图3是表示DC-DC转换器22的一个示例的图。

图4是表示控制IC50的一个示例的图。

图5是表示通常模式下的驱动信号Vdr1、Vdr2的一个示例的图。

图6是表示突发模式下的驱动信号Vdr1、Vdr2的一个示例的图。

图7是用于说明开关控制电路114及负载检测电路115的图。

图8是用于说明电压Vca的图。

图9是用于说明电路116的图。

图10是用于说明信号Sstb的图。

图11是表示功率因素改善电路21的一个示例的图。

图12是表示功率因素改善IC605的一个示例的图。

图13是用于说明DC-DC转换器22的动作的图。

图14是表示处理电路120所执行的处理的一个示例的流程图。

具体实施方式

根据本说明书及附图的记载，至少明确了以下事项。

这里，对各附图中所示的相同或等同的结构要素、构件等赋予相同的标号，并适当地省略重复的说明。另外，在本实施方式中，“连接”是指电连接的状态，除非另有说明。因此，对于“连接”，不仅包括两个部件经由布线连接的情况，还包括例如经由电阻连接的情况。

＝＝＝＝＝本实施方式＝＝＝＝＝

<<<电源装置10的概要>>>

图1是表示电源装置10的一个示例的图。电源装置10是例如基于商用交流电压Vac来驱动负载11的装置。电源装置10构成为包含全波整流电路20、AC-DC转换器21、DC-DC转换器22和可变电阻电路23。

全波整流电路20对施加到节点N1、N2的交流电压Vac进行全波整流，并作为电压Vrec1输出。

AC-DC转换器21基于施加到节点N1、N2的交流电压Vac输出输出电压Vout1(例如400V)。另外，详细情况将在后文中阐述，但AC-DC转换器21以对应于从DC-DC转换器22发送的信号Sstb的模式进行动作。

DC-DC转换器22基于在节点N3、N4之间产生的输出电压Vout 1生成输出电压Vout2(例如，12V)。

可变电阻电路23是在后文中阐述的状态设定的情况和温度检测的情况下电阻值发生变化的电路。图2是表示可变电阻电路23的一个示例的图。可变电阻电路23构成为包含电阻100、103、104、热敏电阻101、NMOS晶体管102和电容器105。

电阻100是用于设定DC-DC转换器22的动作条件的电阻。此外，对于动作条件的设定将在后文中详细阐述。

另外，在本实施方式中，电阻100与连接DC-DC转换器22和AC-DC转换器21的线La相连接。

热敏电阻101是例如当温度上升时电阻值降低的温度检测用的电阻。在本实施方式中，热敏电阻101串联连接到电阻100。

NMOS晶体管102串联连接到电阻100，并且并联连接到热敏电阻101。因此，当NMOS晶体管102导通时，线La与接地之间的电阻值为电阻100的电阻值。另一方面，当NMOS晶体管102截止时，线La与接地之间的电阻值为电阻100和热敏电阻101的合成电阻的电阻值。这里，NMOS晶体管102的导通电阻与电阻100的电阻值相比足够小，因此忽略。

电阻103和电阻104是用于使NMOS晶体管102的状态发生变化的分压电路，对从DC-DC转换器22输出的电压Vca(后述)进行分压。详细情况将在后文中阐述，但DC-DC转换器22在启动时导通NMOS晶体管102，对线La输出规定的电流。因此，在这种情况下，线La的电压成为对应于状态设定用的电阻100的电阻值的电平。

另外，DC-DC转换器22在启动结束时截止NMOS晶体管102，对线La输出规定的电流。因此，在这种情况下，线La的电压成为对应于热敏电阻101的电阻值的电平。因此，在本实施方式中，通过使NMOS晶体管102的状态发生变化，能够将线La的电压设为对应于状态设定用的电阻100或温度检测用的热敏电阻101的电平。

电容器105是用于使线La的电压Vstb的直流电平稳定的元件。

<<<DC-DC转换器22的概述>>>

图3是表示本实施方式的DC-DC转换器22的一个示例的图。DC-DC转换器22是根据规定的输入电压Vout1(例如，400V)生成目标电平的输出电压Vout2(例如，12V)的LLC电流谐振型电源电路。

DC-DC转换器22构成为包含电容器30、31、42、NMOS晶体管32、33、变压器34、控制块35、二极管40、41、恒压电路43和发光二极管44。

电容器30使施加有输入电压Vout1的电源线和接地侧的接地线之间的电压稳定，并去除噪声等。另外，输入电压Vout1是规定电平的直流电压。

NMOS晶体管32是高边侧的功率晶体管，NMOS晶体管33是低边侧的功率晶体管。另外，在本实施方式中，作为开关元件使用NMOS晶体管32、33，但例如也可以是PMOS晶体管、双极型晶体管。

变压器34包括初级线圈L1、次级线圈L2、L3和辅助线圈L4，初级线圈L1(电感器)、次级线圈L2、L3和辅助线圈L4之间绝缘。在变压器34中，根据初级侧的初级线圈L1两端的电压的变化，在次级侧的次级线圈L2、L3中产生电压，并且根据次级线圈L2、L3的电压的变化，产生初级侧的辅助线圈L4的电压。

此外，在初级线圈L1中，一端连接有NMOS晶体管32的源极和NMOS晶体管33的漏极，另一端经由电容器31连接有NMOS晶体管33的源极。

因此，当NMOS晶体管32、33的开关开始时，次级线圈L2、L3和辅助线圈L4各自的电压发生变化。另外，初级线圈L1和次级线圈L2、L3以相同的极性电磁耦合，次级线圈L2、L3和辅助线圈L4也以相同的极性电磁耦合。

控制块35是用于控制NMOS晶体管32、33的开关的电路块，详细情况在后文中阐述。

二极管40、41对次级线圈L2、L3的电压进行整流，电容器42对整流后的电压进行滤波。其结果是，在电容器42中生成滤波后的输出电压Vout2。另外，输出电压Vout2成为目标电平的直流电压(例如，12V)。

恒压电路43是生成恒定的直流电压的电路，例如使用分路调节器来构成。

发光二极管44是发出与输出电压Vout2和恒压电路43的输出之间的差相对应的强度的光的元件，与后述的光电晶体管62一起构成光电耦合器。在本实施方式中，当输出电压Vout2的电平变高时，来自发光二极管44的光的强度变强。

＝＝＝控制块35＝＝＝

控制块35包含控制IC50、二极管60、电容器61、63、64、67、68、光电晶体管62以及电阻65、66。

控制IC50是用于控制NMOS晶体管32、33的开关的集成电路，具有端子VCC、GND、STB、BO、FB、IS、CA、HO、LO、VH。

端子VCC是施加有用于使控制IC50动作的电压Vcc的端子。

二极管60的阴极和一端接地的电容器61连接到端子VCC。详细内容将在后文中阐述，当控制IC50开始NMOS晶体管32、33的开关时，电容器61被充电。然后，电容器61的充电电压成为使控制IC50动作的电压Vcc。

端子GND例如是连接(即接地)到设有电源装置10的装置的外壳等的端子。

端子STB是当控制IC50启动时产生用于设定控制IC50的动作条件的电压Vstb的端子。此外，在本实施方式中，温度检测用的热敏电阻101连接到端子STB，因此在端子STB上产生与温度相对应的电压Vstb。此外，从端子STB输出用于设定AC-DC转换器21的动作的信号Sstb。

端子BO是施加有从AC-DC转换器21输出的电压Vout 1的端子。

端子FB是产生与输出电压Vout2相对应的反馈电压Vfb的端子，与光电晶体管62和电容器63相连接。光电晶体管62使偏置电流I1从端子FB流向接地，该偏置电流I1的大小对应于来自图3的发光二极管44的光的强度，并且电容器63被设置为用于去除端子FB与接地之间的噪声。因此，光电晶体管62作为生成灌电流的晶体管进行动作。

端子IS是施加有与DC-DC转换器22的谐振电流相对应的电压的端子。这里，在电容器64和电阻65相连接的节点处产生与初级线圈L1的谐振电流的电流值相对应的电压。电阻66和电容器67构成低通滤波器。因此，与初级线圈L1的谐振电流的电流值相应地，去除了噪声分量的电压被施加至端子IS。

此外，谐振电流的电流值随着DC-DC转换器22的输入功率而增加。

另外，DC-DC转换器22的输入功率随着负载11中消耗的功率而增加。因此，施加到端子IS的电压Vs表示与负载11的功耗相对应的电压。

端子CA将随着端子IS的电压Vs而变化的电压Vca施加到电容器68。

端子VH是施加有整流电压Vrec1的端子。另外，控制IC50基于端子VH的整流电压Vrec1而启动，对端子VCC的电容器61进行充电，生成电压Vcc。

端子HO是输出驱动NMOS晶体管32的驱动信号Vdr1的端子，与NMOS晶体管32的栅极相连接。

端子LO是输出驱动NMOS晶体管33的驱动信号Vdr2的端子，与NMOS晶体管33的栅极相连接。

另外，“负载14的状态是重负载”是指例如流过负载14的负载电流Iout的电流值大于规定值(例如，1A)的情况。此外，“负载14的状态是轻负载”是指例如流过负载14的负载电流Iout的电流值小于规定值(例如，1A)的情况。

这里，“启动”是指例如在交流电压Vac被施加到电源装置10之后，直到控制IC50中的驱动电路113输出驱动信号Vdr1、Vdr2(后述)为止的动作。

另外，在本实施方式中，控制IC50的“启动”至少包含在交流电压Vac被施加到电源装置10之后对控制IC50的各种电路进行初始设定的“状态设定期间”的动作。

<<<控制IC50的详细>>>

图4是表示控制IC50的结构的一个示例的图。控制IC50构成为包含电阻90～92、启动电路110、内部电源(REG)111、控制电路112、驱动电路113、开关控制电路114、负载检测电路115和电路116。

电阻90、91构成分压电路，其生成将整流电压Vrec1分压后的电压Vh。电阻92是使端子FB产生反馈电压Vfb的元件，该反馈电压Vfb对应于大小与图2中的发光二极管44的光的强度相对应的偏置电流I1，该电阻92的一端施加有电源电压(后述)，另一端连接到端子FB。

另外，在本实施方式中，当输出电压Vout2高于目标电平时，偏置电流I 1增加，从而反馈电压Vfb降低。另一方面，当输出电压Vout2低于目标电平时，偏置电流I1减少，从而反馈电压Vfb上升。

此外，在本实施方式中，除了电阻90～92之外，还设置了例如对输出电压Vout1进行分压并输出到控制电路112的多个电阻(未示出)，但这里为了方便而省略。

＝＝＝启动电路110＝＝＝

启动电路110在控制IC50启动时(或电源电压Vcc低于规定电平时)基于整流电压Vrec1来生成用于控制IC50动作的电源电压Vcc。具体而言，启动电路110基于整流电压Vrec1对连接到端子VCC的电容器61充电并生成电压Vcc。

另外，当电压Vcc足够高并且控制IC50的启动完成时，控制IC50停止电容器61的充电另外，在控制IC50的启动完成之后，端子VCC的电容器61被来自辅助线圈L4的电流充电。

＝＝＝内部电源111＝＝＝

内部电源111基于电源电压Vcc生成用于使控制IC50内部的各种电路(例如，控制电路112)动作的电源电压Vreg(例如，5V)。

＝＝＝控制电路112＝＝＝

控制电路112是对控制IC50进行统一控制的电路。例如，控制电路112基于电压Vstb存储控制IC50的动作条件，并且基于电压Vh、Vca、Vstb、Votp对控制IC50的各种电路的动作进行控制。具体地，控制电路112基于所输入的多个电压，输出用于控制各种电路的信号Scnt、Sclmp、Sset、Sotp、Sdis、Scom、Smode和Sope。

控制电路112是数字控制器，包含用于将电压Vh、Vca、Vout1和Vstb分别转换为数字值的AD转换器(未示出)、处理电路120和存储电路121。另外，如上所述，分压后的电压Vout1被输入到控制电路112，但是为了方便起见，这里说明为电压Vout1被输入到控制电路112。

处理电路120基于输入到控制电路112的电压，将表示控制IC50的动作条件的信息存储在存储电路121中，并且输出上述各种信号(信号Scnt等)。另外，对于处理电路120的动作将在后文中详细说明。另外，存储电路121例如构成为包含寄存器、存储器。

存储电路121存储各种信息，诸如使处理电路120动作的程序、表示控制IC 50的动作条件的信息等。这里，所谓“动作条件”，例如是控制IC50用于判定动作模式是通常模式(后述)还是突发模式(后述)的条件C1、以及控制IC50用于检测为负载11是过载状态的条件C2。另外，所谓负载11是“过载状态”，是指负载11的负载电流Iout变得大于规定电流(例如2A)的状态。

＝＝＝驱动电路113＝＝＝

驱动电路113基于信号Smode、Sope和反馈电压Vfb来控制NMOS晶体管32、33的开关。在本实施方式中，驱动电路113基于用于使驱动电路113动作的信号Sope来驱动NMOS晶体管32、33。另一方面，驱动电路113基于用于使驱动电路113的动作停止的信号Sope来停止驱动NMOS晶体管32、33。

另外，驱动电路113基于低电平(以下为L电平)的信号Smode以通常模式进行动作，并且基于高电平(以下为H电平)的信号Smode以突发模式进行动作。

这里，“通常模式”是指如图5所示驱动电路113连续地开关NMOS晶体管32、33的动作模式。另外，驱动电路113此时具有由反馈电压Vfb的电平确定的频率，将占空比恒定(例如50％)的脉冲状的驱动信号Vdr1、Vdr2分别输出到NMOS晶体管32、33。

另外，“突发模式”是指如图6所示驱动电路113交替地重复连续地开关NMOS晶体管32、33的开关期间和间歇地停止开关的停止期间的动作模式。此时的驱动信号Vdr1、Vdr2的频率也由反馈电压Vfb的电平确定。

另外，驱动电路113设置死区时间，以使NMOS晶体管32、33在通常模式、突发模式的任一种下都不同时导通，与此同时，使驱动信号Vdr1和驱动信号Vdr2互补地变化。

另外，如上所述，当输入使驱动电路113动作的信号Sope时，驱动电路113基于信号Smode和反馈电压Vfb来驱动NMOS晶体管32、33。

另一方面，驱动电路113在输入使驱动电路113的动作停止的信号Sope时停止驱动NMOS晶体管32、33。

另外，本实施方式的端子STB相当于“第一端子”，端子CA相当于“第二端子”。此外，例如，图2中的电阻100相当于“第一电阻”，热敏电阻101相当于“第二电阻”。

另外，NMOS晶体管102相当于“开关”，NMOS晶体管102的栅极电极相当于“控制电极”。另外，NMOS晶体管102导通的状态相当于“第一状态”，NMOS晶体管102截止的状态相当于“第二状态”。另外，在NMOS晶体管102导通的状态下，端子STB的电压Vstb相当于“第一电压”，在NMOS晶体管102截止的状态下，端子STB的电压Vstb相当于“第二电压”。

＝＝＝开关控制电路114和负载检测电路115＝＝＝

图7是表示开关控制电路114和负载检测电路115的一个示例的图。另外，在图7中，为了方便，将控制IC50中的端子CA、电路描绘在与图4不同的位置。

当信号Sclmp为H电平时，开关控制电路114输出用于导通可变电阻电路23的NMOS晶体管102的电压Va。另一方面，当信号Sclmp为L电平时，开关控制电路114停止电压Va的生成，并且将开关控制电路114和端子CA之间设为高阻抗。

开关控制电路114例如可以使用运算放大器200来实现，该运算放大器200基于H电平的信号Sclmp进行动作，并且基于L电平的信号Sclmp停止动作。本实施方式的运算放大器200中，基准电压Vref1被施加到非反相端子，并且将输出和反相端子连接。

因此，当输入H电平的信号Sclmp时，运算放大器200输出具有与基准电压Vref1的电平相等电平的电压Va。另外，详细情况将在后文中阐述，基准电压Vref1是能够导通NMOS晶体管102的电平的电压。

负载检测电路115是检测负载11的状态(这里，负载11的功耗)的电路。具体而言，负载检测电路72基于施加到端子IS的电压Vs，输出与流过负载11的负载电流Iout相对应的电压Va。

负载检测电路115构成为包含可变增益放大器210和缓冲器211。可变增益放大器210以与信号Scnt相对应的增益放大电压Vs。缓冲器211将从可变增益放大器210输出的电压作为电压Vb施加到端子CA。

另外，如上所述，电压Va、Vb都相当于施加到端子CA的电压Vca，但是，这里，对它们分别赋予了不同的标号，以便区分开关控制电路114的输出和负载检测电路115的输出。

图8是用于说明施加到端子CA的电压Vca的波形的图。这里，开关控制电路114输出的电压Va由单点划线绘制，负载检测电路115输出的电压Vb由实线绘制。

另外，详细将后文中阐述，但是在本实施方式中，当开关控制电路114正在动作时负载检测电路115不动作，当开关控制电路114停止动作时，从控制电路112输出信号Sclmp、Scnt以使得负载检测电路115动作。因此，电压Va、Vb中的任一个作为电压Vca被施加到端子CA。

本实施方式的开关控制电路114输出规定电平的电压Va作为电压Vca，因此，这里，对负载检测电路115根据负载电流Iout而输出的电压Vb进行说明。

这里，控制电路112基于所输入的电压Vca的电平使负载检测电路115的可变增益放大器210的增益变化。具体而言，如图8所示，在负载11的负载电流Iout较小的范围A1(电压Vs的电平为0～V1、电压Va的电平为0～V11的范围)内，控制电路112将可变增益放大器210的增益设为增益G1。

然后，控制电路112在负载电流Iout逐渐增大的范围A2(电压Vs的电平为V1～V2、电压Va的电平为V10～V11的范围)内，将可变增益放大器210的增益设为增益G2。然后，控制电路112在负载电流Iout较大的范围A3(电压Vs的电平为V2～V3、电压Va的电平为V10～V12的范围)内，将可变增益放大器210的增益设为增益G3。

另外，在本实施方式中，增益G1大于增益G2，增益G2大于增益G3。此外，范围A1～A3中的每一个的负载电流Iout例如为0～1mA、1mA～100mA、100mA～2A。

因此，控制电路112通过使可变增益放大器210的增益变化，从而如图8所示，电压Vb随着电压Vs(即，负载电流Iout)而变化。

此外，当负载11处于过载状态并且电压Vs的电平成为V3时，本实施方式的负载检测电路115将电压Vb(即，电压Vca)的电平设为V12。这里，“负载11处于过载状态”是指负载电流Iout大于表示过载的规定电流(例如，2A)的状态。

另外，详细内容将在后文中阐述，但是当电压Vca的电平为V12时，控制电路112使图4的驱动电路113的动作停止，以停止DC-DC转换器22的输出电压Vout2的生成。因此，从负载检测电路115输出的电压Vb(电压Vca)的电平不会高于V12。

另外，在本实施方式中，如图8所示，电压电平V12低于上述开关控制电路114输出的电压Va的电平(单点划线)。并且，对于图7的NMOS晶体管102，确定例如电阻103、104的电阻值，以使得即使电压Vb的电平为V12，该NMOS晶体管102也不导通。因此，当DC-DC转换器22生成输出电压Vout2时，NMOS晶体管102不会导通。其结果是，当DC-DC转换器22动作时，与热敏电阻101的电阻值相对应的电压Vstb始终被施加到端子STB。

另外，负载检测电路115输出的电压Va相当于“第三电压”，开关控制电路114输出的电压Vb相当于“第四电压”。此外，开关控制电路114输出的电压Vb的电平是从负载11处于空载状态时的电压Va的电平(0V)到负载11处于过载状态时的电压Va的电平(V12)范围外的电平。

＝＝电路116的详细＝＝

图9是表示图4的电路116的一个示例的图。电路116构成为包含电流输出电路300、信号输出电路301、放电电路302和过热保护电路(OTP)303。

＜＜电流输出电路300＞＞

电流输出电路300输出用于设定控制IC50的动作条件的电流Iset、以及过热保护电路308检测温度时所使用的电流Iotp。电流输出电路300构成为包含电流源400、401、NMOS晶体管402、403。

电流源400生成电流Iset，电流源401生成电流Iotp。

NMOS晶体管402是与电流源400串联连接的开关，在信号Sset为H电平的情况下导通，在为L电平的情况下截止。

NMOS晶体管403是与电流源401串联连接的开关，在信号Sotp为H电平的情况下导通，在为L电平的情况下截止。

因此，电流输出电路300在信号Sset为H电平的情况下输出电流Iset，在信号Sotp为H电平的情况下输出电流Iotp。另外，在本实施方式中，电流Iset是大于电流Iotp的电流。另外，电流Iset相当于“第一电流”，电流Iopt相当于“第二电流”。

＜＜信号输出电路301＞＞

信号输出电路301基于来自控制电路112的信号Scom输出用于设定AC-DC转换器21的动作的设定信号Sstb。另外，信号输出电路301将来自电流输出电路300的电流Iset、Iotp输出到端子STB。

信号输出电路301构成为包含NPN晶体管410、电阻411、412以及运算放大器413。

NPN晶体管410是所谓的进行二极管连接的晶体管，其集电极和基极连接到电流输出电路300的输出节点，并且发射极经由电阻411连接到端子STB。因此，电流经由NPN晶体管410和电阻411从电流输出电路300输出到端子STB。

然而，由于NPN晶体管410进行二极管连接，因此作为防止电流从端子STB流向运算放大器413的“逆流防止元件”进行动作。

另外，在本实施方式中，虽然使用了NPN晶体管410作为“逆流防止元件”，但是例如，可以使用阳极连接到电流输出电路300和运算放大器413、阴极连接到端子STB的二极管。

电阻412和运算放大器413与上述的逆流防止元件(NPN晶体管410)一起向AC-DC转换器21输出设定信号Sstb。

运算放大器413例如基于H电平的信号Scom进行动作，并且基于L电平的信号Scom停止动作。本实施方式的运算放大器413中，基准电压Vref2被施加到非反相端子，输出和反相端子经由NPN晶体管410和电阻411、412连接。

因此，当输入H电平的信号Sclmp时，运算放大器413使端子STB的电压Vstb变化成与基准电压Vref2相对应的电平。具体而言，运算放大器413在输入H电平的信号Sclmp的期间，使电压Vstb的电平变化成比基准电压Vref2要低NPN晶体管410的二极管的正向电压的电平。另外，在本实施方式中，基于H电平的信号Sclmp而变化的电压Vstb有时被称为“信号Sstb”。

另外，当信号Scom为L电平时，运算放大器413停止信号Sstb的生成，并且在运算放大器413的输出和NPN晶体管410之间设为高阻抗。

本实施方式的信号输出电路301输出信号Sstb，该信号Sstb包含表示交流电压Vac的有效值的信息和表示AC-DC转换器21的动作模式的信息。这里，交流电压Vac的有效值为100V或200V。因此，本实施方式的信号输出电路301在交流电压Vac的有效值为100V的情况下，输出成为H电平的次数为两次的信号Sstb(参见图10)。另外，信号输出电路301在交流电压Vac的有效值为200V的情况下，输出成为H电平的次数为一次的信号Sstb。此外，图10是用于说明信号Sstb的图。

另外，AC-DC转换器21的动作模式有通常模式或突发模式。因此，在使AC-DC转换器21在通常模式下动作时，本实施方式的信号输出电路301输出仅在期间Tx1成为H电平的信号Sstb。另外，在使AC-DC转换器21在突发模式下动作时，信号输出电路301输出仅在期间Tx2成为H电平的信号Sstb。另外，期间Tx1和期间Tx2是不同的期间。

因此，例如，当交流电压Vac的有效值为100V并且使AC-DC转换器21在通常模式下动作时，信号输出电路301输出仅在期间Tx1两次成为H电平的信号作为信号Sstb。另外，以下，当交流电压Vac的有效值为100V并且动作模式是通常模式时，有时表述为(有效值，工作模式)＝(100V，通常模式)。此外，详细内容将在后文中阐述，但在本实施方式中，处理电路120通过将信号Scom设为仅在期间Tx两次成为H电平，从而生成信号Sstb。

<<放电电路302>>

放电电路302是基于来自控制电路112的信号Sdis对可变电阻电路23的电容器105放电的电路。放电电路302构成为包含电阻420和NMOS晶体管421。

电阻420和NMOS晶体管421串联连接在端子STB与接地之间。当信号Sdis为H电平时，NMOS晶体管421导通并对电容器105放电。另外，电阻420是限制来自电容器105的放电电流的元件。另一方面，当信号Sdis为L电平时，NMOS晶体管421截止并停止电容器105的放电。

＜＜过热保护电路303＞＞

过热保护电路303是基于端子STB的电压Vstb检测温度并保护DC-DC转换器22的电路。过热保护电路303构成为包含电阻430、比较器431和与门电路432。

电阻430连接端子STB和比较器431的非反相输入端子。另外，与规定温度Ta(例如125℃)相对应的基准电压Vref3被施加到比较器431的反相输入端子。

当端子STB的电压Vstb高于基准电压Vref3时，比较器431输出表示热敏电阻101的温度低于规定温度Ta的L电平的电压Vo。另一方面，当端子STB的电压Vstb低于基准电压Vref3时，比较器431输出表示热敏电阻101的温度高于规定温度Ta的H电平的电压Vo。

当从控制电路112输入H电平的信号Sotp以使过热保护电路303动作时，与门电路432输出比较器431的比较结果作为电压Votp。另外，当信号Sotp为L电平时，过热保护电路303始终输出L电平的电压Votp。另外，过热保护电路303相当于检测温度的“温度检测电路”。

＜＜＜AC-DC转换器21的概要＞＞＞

图11是表示AC-DC转换器21的一个示例的图。AC-DC转换器21是根据商用电源的交流电压Vac来生成目标电平的输出电压Vout 1的升压斩波型电源电路。另外，本实施方式的AC-DC转换器21作为功率因数改善电路进行动作。

AC-DC转换器21构成为包含全波整流电路600、电容器601、604、变压器602、二极管603、功率因数改善IC605、NMOS晶体管606和电阻610、611。

全波整流电路600将对所施加的规定交流电压Vac进行全波整流后得到的整流电压Vrec2施加到电容器601和变压器602的主线圈L5。这里，交流电压Vac例如是100～240V、频率为50～60Hz的电压。

电容器601是用于对整流电压Vrec2进行滤波的元件，变压器602具有主线圈L5和磁耦合到主线圈L5的辅助线圈L6。这里，在本实施方式中，辅助线圈L6被卷绕为使得在辅助线圈L6中生成的电压的极性与在主线圈L5中生成的电压的极性相反。另外，辅助线圈L6中产生的电压Vzcd被施加到功率因数改善IC605(后述)的端子ZCD。

整流电压Vrec2被直接施加到主线圈L5，但也可以通过例如电阻(未图示出)等元件施加到主线圈L5。

此外，主线圈L5与二极管603、电容器604和NMOS晶体管606一起构成升压斩波电路。因此，电容器604的充电电压成为直流的输出电压Vout 1。另外，输出电压Vout 1例如为400V。

功率因数改善IC605是改善AC-DC转换器12的功率因数、并且控制NMOS晶体管606的开关以使输出电压Vout1的电平成为目标电平(例如400V)的集成电路。功率因数改善IC605具有端子ZCD、OUT、R和S。在功率因数改善IC605中，除了上述四个端子以外，还设置有电源用的端子、接地用的端子、相位补偿用的端子等，但为了方便，这里省略了这些端子。另外，功率因数改善IC605的详细内容将在后文中阐述。

NMOS晶体管606是用于控制AC-DC转换器21的功率的晶体管。另外，本实施方式中，NMOS晶体管606采用MOS(Metal Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体)晶体管，但是并不限于此。

NMOS晶体管176只要是能控制功率的晶体管即可，例如也可以是双极型晶体管。此外，NMOS晶体管606的栅极电极连接成利用来自端子OUT的信号进行驱动。

电阻610、611构成用于对输出电压Vout1进行分压的分压电路，并且生成在对NMOS晶体管606进行开关时使用的反馈电压Vr。另外，电阻610、611所连接的节点上所生成的反馈电压Vr被施加到端子R。

<<功率因数改善IC605的一个示例>>

图12是表示功率因素改善IC605的一个示例的图。功率因数改善IC605基于与电感器电流IL相对应的电压Vzcd、与输出电压Vout1相对应的电压Vr和信号Sstb来驱动NMOS晶体管606。功率因数改善IC605构成为包含信号检测电路700、存储电路701和驱动电路702。

信号检测电路700检测从DC-DC转换器22输出的信号Sstb，并将由信号Sstb表示的信息D1存储到存储电路701。另外，如上所述，信息D1包含交流电压Vac的有效值和AC-DC转换器21的动作模式。另外，存储电路701例如构成为包含寄存器、存储器。

另外，信号Sstb相当于AC-DC转换器21的“用于设定动作的设定信号”。

驱动电路702基于存储电路701的信息D1中表示有效值的信息来调整输出电压Vout 1的目标电平。具体地说，控制NMOS晶体管606的开关，以使得输出电压Vout1的目标电平在有效值为200V时比有效值为100V时更低。这里，当有效值为100V时的输出电压Vout 1的目标电平例如是400V，而当有效值为200V时的输出电压Vout1的目标电平例如是390V。

另外，驱动电路702在信息D1中所包含的动作模式下控制NMOS晶体管606的开关。具体地，当信息D1中所包含的动作模式是通常模式时，驱动电路702输出与图5中所例示的波形同样的驱动信号Vdr，连续地驱动NMOS晶体管606。

另一方面，当信息D1中所包含的动作模式是突发模式时，驱动电路702输出与图6中所例示的波形同样的驱动信号Vdr，交替重复开关期间和停止期间，同时驱动NMOS晶体管606。

＜＜＜DC-DC转换器22的动作＞＞＞

图13是用于说明DC-DC转换器22的动作的图。另外，图14是表示处理电路120所执行的处理S10的一个示例的流程图。这里，设为在时刻t0之前，交流电压Vac被提供给图1的电源装置10，并且全波整流电路20生成整流电压Vrec1。另外，这里，设为交流电压Vac的有效值为100V。

首先，在时刻t0，当全波整流电路20将整流电压Vrec1输出到DC-DC转换器22时，整流电压Vrec1被施加到图2的控制IC50的端子VH。其结果是，图3的启动电路110对连接到图2的端子VCC的电容器61进行充电。当生成电源电压Vcc时，控制IC50的内部电源111生成电源电压Vreg，从而控制IC50的内部电路(例如，控制电路112)处于能动作的状态。

另外，在本实施方式中，控制IC 50的“启动”是指从整流电压Vrec1被施加到端子VH之后到控制电路112在时刻t 1开始状态设定动作(后述)为止的动作。

当到达时刻t1时，控制电路112的处理电路120执行所谓的状态设定动作，以设定控制IC50的动作条件。具体地，处理电路120将信号Sclmp设为H电平，并且将信号Sset设为H电平，以获得连接到图7、图9所示的端子STB的状态设定用的电阻100的电阻值(图14的S20)。

当信号Sclmp为H电平时，图7的开关控制电路114将电压Va施加到端子STB，因此可变电阻电路23的NMOS晶体管102导通。另外，当信号Sset为H电平时，图9的电流输出电路300将电流Iset输出到端子STB。

然后，电流Iset经由端子STB、电阻100而流向接地，因此，在端子STB中产生与电阻100的电阻值和电流Iset相对应的电压Vstb。另外，在本实施方式中，例如，设为电流Iset、Iopt各自的电流值预先存储到存储电路121。

之后，如图14所示，处理电路120基于电压Vstb和电流Iset的电流值计算电阻100的电阻值(S21)。当计算电阻100的电阻值时，处理电路120将基于电阻100的电阻值所确定的控制IC50的动作条件(条件C1、C2)存储在存储电路121中(S22)。

具体而言，处理电路120基于电阻100的电阻值来决定切换通常模式和突发模式的阈值电压Vth1(即，条件C1)，并将阈值电压Vth1存储到存储电路121。在本实施方式中，处理电路120例如基于预先存储在存储电路121中的、表示阈值电压Vth1与电阻100的电阻值之间的关系的表信息来决定阈值电压Vth1。另外，处理电路120例如也可以使用规定电阻100的电阻值与阈值电压Vth1之间的关系的规定的式子来决定阈值电压Vth1。

当电压Vca大于阈值电压Vth1时，处理电路120使控制IC50以通常模式动作，当电压Vca小于阈值电压Vth时，处理电路120使控制IC 50以突发模式动作。

如上所述，在本实施方式中，利用DC-DC转换器22的利用者通过选择电阻100，从而能够事后决定控制IC50的动作模式切换时的条件C1。

另外，在本实施方式中，设为基于电阻100的电阻值来确定阈值电压Vth1(条件C1)，但是，也可以使阈值电压Vth1根据输出电压Vout1的电平进行变化。例如，也可以在输出电压Vout1为从规定电平(400V)起的规定范围内(例如±10％的范围内)时使用阈值电压Vth1，在规定范围外时变更阈值电压Vth。

具体而言，例如，当输出电压Vout 1变得大于规定范围的最大值时，可以使用较小的值(例如，阈值电压Vth1×0.9)作为阈值电压。另外，例如，当输出电压Vout1变得小于规定范围的最小值时，可以使用较大的值(例如，阈值电压Vth1×1.1)作为阈值电压。由此，即使阈值电压Vth1发生变化，也能够基于电阻100的电阻值来确定突发模式和通常模式。

此外，处理电路120基于电阻100的电阻值来决定用于判定负载11的状态是过载状态的阈值电压Vth2(即，条件C2)，并将阈值电压Vth2存储到存储电路121。在本实施方式中，处理电路120例如基于预先存储在存储电路121中的、表示阈值电压Vth2与电阻100的电阻值之间的关系的表信息来决定阈值电压Vth2。另外，处理电路120例如也可以使用规定电阻100的电阻值与阈值电压Vth2之间的关系的规定的式子来决定阈值电压Vth2。

当电压Vca大于阈值电压Vth2时，处理电路120停止驱动电路113的动作。因此，在本实施方式中，利用DC-DC转换器22的利用者通过选择电阻100，从而能够事后决定由于过载而使开关动作停止的条件C2。

此外，当到达电阻100的电阻值被存储之后的时刻t2时，处理电路120将信号Sset变更为L电平，同时使信号Sdis在规定期间变化为H电平(S23)。当信号Sset成为L电平时，电流Iset被停止。另外，当信号Sdis成为H电平时，图9中的放电电路302的NMOS晶体管421导通，从而电容器105被放电。因此，端子STB的电压Vstb几乎为零。

此后，当到达时刻t3时，处理电路120将信号Sdis、Sclmp都设为L电平(S24)。其结果是，电容器105的放电被停止，电阻100和热敏电阻101串联连接到图9所示的端子STB。

此外，当到达时刻t4，处理电路120执行输出用于设定AC-DC转换器21的动作的信号Sstb的处理。具体而言，处理电路120获取随着交流电压Vac的有效值而变化的电压Vh，并将信号Scom输出到信号输出电路301，以输出表示(有效值，动作模式)＝(100V，通常模式)的信号Sset(S25)。

另外，在启动之后的时刻t4，处理电路120必然使信号输出电路301输出表示通常模式的信号Sset。因此，在该定时，处理电路120从时刻t4、t5开始分别经过规定期间Tx1为止，输出H电平的信号Scom。

其结果是，端子STB的电压从时刻t4、t5开始分别经过规定期间Tx1为止，成为与基准电压Vref2相对应的电压。即，从时刻t4、t5开始分别经过规定期间Tx1为止，信号Sstb被输出到AC-DC转换器21。

而且，图12的功率因数改善IC605的信号检测电路700检测信号Sset((有效值，动作模式)＝(100V，通常模式))，并将检测结果存储在存储电路701中。因此，功率因数改善IC605能够进行与信号Set相对应的动作。此外，功率因数改善IC605相当于控制IC50外部的“外部电路”，信号Sset相当于“设定信号”。

此外，当到达时刻t6时，处理电路120使信号Sotp变化为H电平，以使得过热保护功能有效(S26)。其结果是，从电流输出电路300输出检测温度时使用的电流Iotp。因此，在端子STB中产生电流Iotp、以及对应于电阻100和热敏电阻101的合成电阻的电阻值的电压Vstb。也就是说，在时刻t6之后，过热保护电路303能够检测热敏电阻101的温度是否高于规定温度Ta。

另外，在时刻t6，连接到端子STB的电阻(即，电阻100和热敏电阻101)的电阻值大于在状态设定的期间(例如，时刻t 1～t3的期间)连接到端子STB的电阻100的电阻值。在这种情况下，当增大电流Iotp的电流值时，会导致电压Vstb过大。因此，在本实施方式中，使电流Iotp的电流值小于电流Istb的电流值。

另外，在本实施方式中，例如，在到达时刻t6时，处理电路120输出表示通常模式的信号Smode和使驱动电路113动作的信号Sope，因此，图4的驱动电路113开始NMOS晶体管32、33的驱动。其结果是，DC-DC转换器22生成目标电平的输出电压Vout2，并将输出电压Vout2施加到负载11。另外，在图13中，为了方便，省略了信号Smode和Sope。

例如，在时刻t7，当发生温度上升、并且热敏电阻101的电阻值减小时，电压Vstb的电平下降。另外，在图13中，为了便于理解由温度上升引起的电压Vstb的变化，为了方便，将电压Vstb降低至零。

在时刻t7，当电压Vstb降低时，图9中的过热保护电路303的电压Votp成为H电平。对于本实施方式的处理电路120，当电压Votp变为H电平后经过规定的延迟期间Td1后到达时刻t8时，处理电路120检测过热并使驱动电路113的动作停止。这里，处理电路120检测到的过热状态在图13的最下方示出。

此外，例如，当热敏电阻101的温度在时刻t9下降时，电压Vstb的电平上升。其结果是，图9中的过热保护电路303的电压Votp变为L电平。对于本实施方式的处理电路120，当电压Votp变为L电平后经过规定的延迟期间Td2后到达时刻t10时，处理电路120检测非过热状态并使驱动电路113的动作开始。

虽然在图13中未示出，但是例如在时刻t 10以后，当负载11的负载电流Iout增加并且电压Vca变得高于阈值电压Vth1时，处理电路120使驱动电路113的动作模式从通常模式变为突发模式。

如上所述，本实施方式的控制IC 50能够使用一个端子STB来执行状态设定、通信和过热检测(或过热保护)。因此，控制IC50能够在实现多个功能的同时，抑制端子数量的增加。

＝＝＝其他＝＝＝

在图9中，电阻100和热敏电阻101串联连接在端子STB和接地之间，NMOS晶体管102并联连接到热敏电阻101。在这种情况下，当NMOS晶体管102导通时，端子STB产生与电阻100相对应的电压，当NMOS晶体管102截止时，端子STB产生与热敏电阻101相对应的电压。

然而，连接到端子STB的电阻100、热敏电阻101和NMOS晶体管102的连接关系不限于图9的情况。例如，可以构成为一端连接到端子STB的开关的另一端与并联连接的电阻100或热敏电阻101中的任一个相连接。即使是这样的结构，也能够获得与本实施方式相同的效果。

＝＝＝总结＝＝＝

以上，对本实施方式的电源装置10进行了说明。本实施方式的控制IC50使用端子STB执行状态设定、通信和过热检测(或过热保护)这三个处理，但是例如也可以仅执行状态设定和过热检测这两个处理。即使在这样的情况下，也能够抑制控制IC50的端子的数量的增加。

另外，在本实施方式中，与端子CA连接的开关控制电路114输出电压Va，由此控制NMOS晶体管102的导通、截止。因此，如果与假设在开关控制电路114中设置一对专用端子的情况相比，能够削减控制IC50的端子的数量。

此外，电流输出电路300将电流Iset和电流Iotp输出到端子STB。因此，在本实施方式中，在状态设定和过热检测各自的处理中，能够将电压Vstb设为适当的电平。

此外，当结束状态设定的处理时，放电电路302对电容器105放电(例如，在图13的时刻t2)。因此，在本实施方式中，当进行状态设定的处理时，能够使电压Vstb的电平稳定，同时高精度地进行过热检测。

另外，处理电路120在与电阻100的电阻值相对应的条件C1下，决定使驱动电路113在通常模式下动作还是在突发模式下动作。如上所述，在本实施方式中，电源装置10的利用者能够设定DC-DC转换器22的动作条件。

此外，处理电路120在与电阻100的电阻值相对应的条件C2下，能够检测出负载11处于过载状态。如上所述，在本实施方式中，电源装置10的利用者能够设定DC-DC转换器22的动作条件。

另外，处理电路120在与电阻100的电阻值相对应的条件C1下，决定使驱动电路113在通常模式下动作还是在突发模式下动作。因此，在本实施方式中，电源装置10的利用者能够设定DC-DC转换器22的动作条件。

另外，在过热保护电路303中，比较器431能够检测热敏电阻101的温度是否高于规定温度Ta。

此外，信号输出电路301例如在图13的时刻t4～t6的期间，经由端子STB输出用于设定AC-DC转换器21的动作的信号Sstb。因此，在本实施方式中，能够实现通信功能，同时抑制端子的数量的增加。

此外，在输出信号Sstb期间，电流输出电路300停止向端子STB输出电流。因此，本实施方式的控制IC50能够以高精度将信号Sstb发送到AC-DC转换器21。

另外，DC-DC转换器22通过使用控制IC50，能够实现各种功能(例如，状态设定和过热保护)。

另外，本实施方式的控制IC50使用端子STB执行状态设定、通信和过热检测(或过热保护)这三个处理，但是例如也可以仅执行状态设定和通信这两个处理。即使在这样的情况下，也能够抑制控制IC50的端子的数量的增加。

另外，DC-DC转换器22通过使用控制IC50，能够实现各种功能(例如，过热检测和通信)。

上述实施方式是为了便于理解本发明，而不是为了限定地解释本发明。另外，本发明可以在不脱离其主旨的情况下进行变更或改进，并且本发明当然包含其等同发明。

标号说明

10电源装置

11负载

20、600全波整流电路

21AC-DC转换器

22DC-DC转换器

23可变电阻电路

65、66、90～92、100、103、104、411、412、420、430、610、611电阻

32、33、102、402、403、421、606NMOS晶体管

34、602变压器

35控制块

40、41、60、603二极管

43恒压电路

44发光二极管

50控制IC

30、31、42、61、63、64、67、68、105、601电容器

62光电晶体管

101热敏电阻

110启动电路

111内部电源

112控制电路

113、702驱动电路

114开关控制电路

115负载检测电路

116电路

120处理电路

121、701存储电路

200、413运算放大器

210可变增益放大器

211缓冲器

300电流输出电路

301信号输出电路

302放电电路

303过热保护电路

400、401电流源

410NPN晶体管

431比较器

432与门电路

605功率因素改善IC

700信号检测电路

VCC、GND、STB、BO、FB、IS、CA、HO、LO、VH、ZCD、OUT、R、S端子。

Claims (12)

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一端子，该第一端子连接有第一电阻、温度检测用的第二电阻以及开关；

电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出电流；

开关控制电路，该开关控制电路使所述开关处于第一状态以将对应于所述第一电阻的电压施加到所述第一端子，之后使所述开关处于第二状态以将对应于所述第二电阻的电压施加到所述第一端子；

存储电路；

处理电路，该处理电路基于所述开关处于所述第一状态时的所述第一端子的第一电压，将所述集成电路的动作条件存储到所述存储电路；以及

温度检测电路，该温度检测电路基于所述开关处于所述第二状态时的所述第一端子的第二电压来检测温度。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，

所述集成电路对电源电路的晶体管的开关进行控制，该电源电路包括电感器、以及对流入所述电感器的电感器电流进行控制的所述晶体管，且根据输入电压生成目标电平的输出电压，所述集成电路包括：

第二端子，该第二端子与控制所述开关的状态的控制电极相连接；以及

负载检测电路，该负载检测电路将与所述电源电路的功耗相对应的第三电压施加到所述第二端子，

所述开关控制电路在所述集成电路启动时，将用于使所述开关处于所述第一状态的第四电压施加到所述第二端子，

所述第四电压的电平是所述电源电路的负载从无载状态变化到过载状态时的所述第三电压的范围外的电平。

3.如权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，

所述电流输出电路在所述开关处于所述第一状态时输出第一电流，在所述开关处于所述第二状态之后输出与所述第一电流不同的第二电流。

4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，

包括放电电路，该放电电路在所述动作条件存储在所述存储电路之后、输出所述第二电流之前，对连接到所述第一端子的电容器进行放电。

5.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，

包括驱动电路，该驱动电路基于与所述输出电压相对应的反馈电压，来驱动所述晶体管，

所述动作条件包含用于判定将所述驱动电路的动作模式设为突发模式还是设为通常模式的条件，

所述处理电路基于所述第三电压和所述动作条件，使所述驱动电路的动作模式发生变化。

6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，

所述动作条件包含用于检测所述电源电路的负载为过载状态的条件，

所述处理电路基于所述第三电压和所述动作条件，控制所述驱动电路以使得在所述负载处于过载状态时停止所述晶体管的驱动。

7.如权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，

所述温度检测电路包含：

比较电路，该比较电路基于所述开关处于所述第二状态时的所述第二电压、以及基准电压，对所述温度是否高于规定温度进行检测。

8.如权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，

包括信号输出电路，该信号输出电路在所述开关处于所述第二状态之后，经由所述第一端子向设置在所述集成电路的外部的外部电路输出用于设定所述外部电路的动作的设定信号。

9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，

所述电流输出电路在输出所述设定信号的期间，停止所述电流的输出。

10.一种电源电路，

该电源电路包括电感器、以及对流入所述电感器的电感器电流进行控制的晶体管，且根据输入电压生成目标电平的输出电压，所述电源电路的特征在于，包括：

第一电阻；

温度检测用的第二电阻；

开关；以及

集成电路，该集成电路控制所述晶体管的开关，

所述集成电路包括：

第一端子，该第一端子连接有所述第一电阻、所述第二电阻以及所述开关；

电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出电流；

开关控制电路，该开关控制电路使所述开关处于第一状态以将对应于所述第一电阻的电压施加到所述第一端子，之后使所述开关处于第二状态以将对应于所述第二电阻的电压施加到所述第一端子；

存储电路；

处理电路，该处理电路基于所述开关处于所述第一状态时的所述第一端子的第一电压，将所述集成电路的动作条件存储到所述存储电路；以及

温度检测电路，该温度检测电路基于所述开关处于所述第二状态时的所述第一端子的第二电压来检测温度。

11.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一端子，该第一端子与第一电阻相连接；

电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出流入所述第一电阻的电流；

温度检测电路，该温度检测电路基于因来自所述电流输出电路的所述电流而产生的所述第一端子的第一电压，来检测温度；以及

信号输出电路，该信号输出电路经由所述第一端子向设置在所述集成电路的外部的外部电路输出用于设定所述外部电路的动作的设定信号。

12.一种电源电路，

该电源电路包括电感器、以及对流入所述电感器的电感器电流进行控制的晶体管，且根据输入电压生成目标电平的输出电压，所述电源电路的特征在于，包括：

第一电阻；

集成电路，该集成电路控制所述晶体管的开关，

所述集成电路包括：

第一端子，该第一端子与所述第一电阻相连接；

电流输出电路，该电流输出电路向所述第一端子输出流入所述第一电阻的电流；

温度检测电路，该温度检测电路基于因来自所述电流输出电路的所述电流而产生的所述第一端子的第一电压，来检测温度；以及

信号输出电路，该信号输出电路经由所述第一端子向设置在所述集成电路的外部的外部电路输出用于设定所述外部电路的动作的设定信号。