CN117320480A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。其中，显示面板包括层叠设置第一显示基板和第二显示基板，第一显示基板包括至少一个第一薄膜晶体管，第二显示基板包括至少一个第二薄膜晶体管，显示面板还包括连接层和连接部，其中，连接层位于第一显示基板朝向第二显示基板的一侧，且连接层与第二显示基板相接触，连接层与第二显示基板相接触的表面为平坦表面；连接部贯穿连接层，第一薄膜晶体管的第一极通过连接部与第二薄膜晶体管的第一极电连接。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术领域中市场需求的多样化，对显示面板的高分辨率的要求也越来越高。但为了提升显示效果，显示面板中每个像素对应的像素驱动电路中需要应用到多个薄膜晶体管器件，薄膜晶体管器件的数量增多、占用面积也随之增大，导致像素的开口面积受限，进而限制了显示面板的分辨率。

发明内容

本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。

第一方面，本公开实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括层叠设置第一显示基板和第二显示基板，所述第一显示基板包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第二显示基板包括至少一个第二薄膜晶体管，

所述显示面板还包括连接层和连接部，其中，

所述连接层位于所述第一显示基板朝向所述第二显示基板的一侧，且所述连接层与所述第二显示基板相接触，所述连接层与所述第二显示基板相接触的表面为平坦表面；

所述连接部贯穿所述连接层，所述第一薄膜晶体管的第一极通过所述连接部与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接。

在一些实施例中，所述连接层的平均厚度为1-2.5μm。

在一些实施例中，所述第一显示基板包括依次叠置的第一衬底、第一驱动功能层和第一平坦化层，至少一个所述第一薄膜晶体管位于所述第一驱动功能层；所述第二显示基板包括依次叠置的第二衬底、第二驱动功能层和第二平坦化层，至少一个所述第二薄膜晶体管位于所述第二驱动功能层；

所述第二衬底位于所述第二驱动功能层靠近所述第一显示基板的一侧；

所述连接层中的至少部分复用为所述第一平坦化层。

在一些实施例中，所述连接部包括第一转接电极和第二转接电极，

所述第一转接电极位于所述连接层远离所述第一衬底的一侧，且通过贯穿所述连接层的第一过孔与所述第一薄膜晶体管的第一极连接；

所述第二转接电极的一端连接所述第一转接电极，所述第二转接电极的另一端与所述第二薄膜晶体管的第一极为一体结构。

在一些实施例中，所述连接层包括沿远离第一显示基板方向依次设置的第一子连接层和第二子连接层，所述第二子连接层与所述第二显示基板相接触；所述第一子连接层复用为所述第一平坦化层；

所述第一过孔贯穿所述第一子连接层和第二子连接层。

在一些实施例中，所述第一子连接层的材料包括有机绝缘材料；

所述第二子连接层的材料包括无机绝缘材料，所述无机绝缘材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的任意一种。

在一些实施例中，所述第一显示基板包括依次叠置的第一衬底、第一驱动功能层和第一平坦化层，至少一个所述第一薄膜晶体管位于所述第一驱动功能层；所述第二显示基板包括依次叠置的第二衬底、第二驱动功能层和第二平坦化层，至少一个所述第二薄膜晶体管位于所述第二驱动功能层；

所述第二平坦化层位于所述第二驱动功能层靠近所述第一显示基板的一侧；

所述连接层位于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，且与二者相接触。

在一些实施例中，所述连接部包括第三转接电极、第四转接电极和导电粒子，

所述第三转接电极位于所述第一平坦化层远离所述第一衬底的一侧，且通过所述第一平坦化层上的过孔与所述第一薄膜晶体管的第一极连接；

所述第四转接电极位于所述第二平坦化层远离所述第二衬底的一侧，且通过所述第二平坦化层上的过孔与所述第二薄膜晶体管的第一极连接；

所述第三转接电极和所述第四转接电极通过所述导电粒子电连接，所述导电粒子位于贯穿所述连接层的过孔内。

在一些实施例中，所述连接层的材料包括异方性导电胶。

在一些实施例中，所述显示面板还包括像素界定层和多个阵列排布的发光器件，所述发光器件包括依次叠置的第一电极、发光层和第二电极，

所述像素界定层位于所述第二显示基板远离所述第一显示基板的一侧，且所述像素界定层包括与所述发光器件一一对应的多个像素容纳孔；

所述发光器件的第一电极位于对应的像素容纳孔内，且所述第一电极连接所述第二薄膜晶体管的第二极。

第二方面，本公开实施例提供一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：

形成第一显示基板，所述第一显示基板包括至少一个第一薄膜晶体管；

形成第二显示基板、连接层和连接部，所述第二显示基板包括至少一个第二薄膜晶体管，所述连接层位于所述第一显示基板和所述第二显示基板之间，且所述连接层远离所述第一显示基板一侧的表面为平坦表面；所述连接部贯穿所述连接层，所述第一薄膜晶体管的第一极通过所述连接部与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接。

在一些实施例中，所述形成第一显示基板的步骤包括：

依次形成第一衬底、第一驱动功能层和第一平坦化层，以得到所述第一显示基板；其中，所述第一驱动功能层包括至少一个所述第一薄膜晶体管；所述连接层的至少部分复用为所述第一平坦化层；

所述形成第二显示基板的步骤包括：

在所述第一平坦化层远离所述第一驱动功能层的一侧，依次形成第二衬底、第二驱动功能层和第二平坦化层，以得到所述第二显示基板；其中，所述第二驱动功能层包括至少一个第二薄膜晶体管；

所述连接层包括沿远离第一显示基板方向依次设置的第一子连接层和第二子连接层，形成连接层的步骤包括：

在所述第一驱动功能层上涂覆有机绝缘材料，涂覆厚度为5-10μm；

对所述有机绝缘材料进行干刻处理，以将有机绝缘材料减薄1-3μm，并使其远离第一驱动功能层一侧的表面为平坦表面，将减薄且具有平坦表面的有机绝缘材料作为所述第一子连接层；

在所述第一子连接层上沉积无机绝缘材料，以得到所述第二子连接层。

在一些实施例中，形成第一显示基板的步骤包括：

依次形成第一衬底、第一驱动功能层和第一平坦化层，以得到所述第一显示基板；其中，所述第一驱动功能层包括至少一个所述第一薄膜晶体管；

形成第二显示基板、连接层和连接部的步骤包括：

依次形成承载背板、第二衬底、第二驱动功能层和第二平坦化层，以得到第一中间基板，其中，所述第二驱动功能层包括至少一个第二薄膜晶体管，所述承载背板包括层叠设置的玻璃背板和柔性背板，且所述柔性背板位于所述玻璃背板靠近所述第二衬底的一侧；

在所述第一显示基板上涂覆异方性导电胶材料，以形成所述连接层；

去除所述第一中间基板上的玻璃背板，以形成第二中间基板；

将所述第二中间基板与所述第一显示基板相对设置，并形成所述连接部，所述连接部将所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极连接；

去除所述第二中间基板中的所述柔性背板，其中，去除所述柔性背板后的第二中间基板作为第二显示基板。

第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括第一方面提供的显示面板。

本公开实施例中，将第一显示基板和第二显示基板层叠设置，从而将对应于同一像素区域的多个薄膜晶体管在显示面板的厚度方向上堆叠设置，如此以来，可以减少薄膜晶体管所占用的膜层面积，进而提高第一显示基板/第二显示基板的面积利用率；另外，第一显示基板和第二显示基板之间设置有连接层，连接层与第二显示基板相接触的表面为平坦表面，即连接层朝向第二显示基板一侧的表面为平坦表面，因此不会影响第二显示基板的性能，能够保证第二显示基板的显示效果，最终实现显示面板的高分辨率。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

图2为本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。

图3为本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的示意流程图。

图4为本公开实施例提供的另一种显示面板的制备方法的示意流程图。

图5a～图5g为采用图4所示的制备方法所制得中间产品的截面示意图。

图6为本公开实施例提供的又一种显示面板的制备方法的示意流程图。

图7a～图7d为采用图6所示的制备方法所制得中间产品的截面示意图。

附图标记说明：

第一显示基板1、第二显示基板2、连接层3、连接部30；

第一衬底11：第一子衬底PI1、第一子阻挡层b1、第二子衬底PI2、第二子阻挡层b2；第一缓冲层BUF1；

第一驱动功能层12：有源层Act、第一栅绝缘层GI1、栅电极层Gate、第二栅绝缘层GI2、电容的第二电极板C2、层间绝缘层ILD、源漏导电层SD；第一平坦化层/第一子连接层3a；

第一过孔V1：第一子孔V01、第二子孔V02；

第一中间基板2’、第二中间基板2”、承载背板20、玻璃背板201、PI背板202、第二衬底/第二缓冲层BUF2、第二驱动功能层22、第二平坦化层23；

连接层3：第一子连接层3a、第二子连接层3b；

连接部30：第一转接电极31、第二转接电极32、第三转接电极33、第四转接电极34、导电粒子35；

第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2：薄膜晶体管的第一极/源极t1、薄膜晶体管的第二极/漏极t2、栅极gate；有源层Act：源极连接部a1、漏极连接部a2、沟道部a0；

像素界定层PDL、发光器件的第一电极4。

具体实施方式

以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另作定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在本公开实施例中，A结构位于B结构“远离基底一侧”或“上方”，仅指在层叠关系上，A结构的层是后于B结构的层形成的，而不表示A结构与B结构有投影重叠或A结构与B结构与基底间的距离满足特定关系。

在本公开实施例中，A结构位于B结构“靠近基底一侧”或“下方”，仅指在层叠关系上，A结构的层是先于B结构的层形成的，而不表示A结构与B结构有投影重叠或A结构与B结构与基底间的距离满足特定关系。

随着显示技术领域中市场需求的多样化，对显示面板的高分辨率的要求也越来越高。但为了提升显示效果，显示面板中每个像素对应的像素驱动电路中需要应用到多个薄膜晶体管器件，薄膜晶体管器件的数量增多、占用面积也随之增大，导致像素的开口面积受限，进而限制了显示面板的分辨率。

为了解决上述技术问题中的至少一个，本公开实施例提供一种显示面板，通过将多个薄膜晶体管在显示面板厚度方向上堆叠设置，提高了显示面板的面积利用率，进而提高显示面板的分辨率。

图1为本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，显示面板，包括层叠设置第一显示基板1和第二显示基板2，第一显示基板1包括至少一个第一薄膜晶体管T1，第二显示基板2包括至少一个第二薄膜晶体管T2。

显示面板还包括连接层3和连接部30，其中，连接层3位于第一显示基板1朝向第二显示基板2的一侧，且与所述第二显示基板2相接触，连接层3与第二显示基板2相接触的表面为平坦表面；连接部30贯穿连接层3，第一薄膜晶体管T1的第一极通过连接部30与第二薄膜晶体管T2的第一极电连接。

本公开实施例中，将第一显示基板1和第二显示基板2层叠设置，从而可以将对应于同一像素区域的多个薄膜晶体管在显示面板的厚度方向上堆叠设置，如此以来，可以减少薄膜晶体管所占用的膜层面积，进而提高第一显示基板1/第二显示基板2的面积利用率；另外，第一显示基板1和第二显示基板2之间设置有连接层3，连接层3与第二显示基板2相接触的表面为平坦表面，即连接层3朝向第二显示基板2一侧的表面为平坦表面，因此不会影响第二显示基板2的性能，能够保证第二显示基板2的显示效果，最终实现显示面板的高分辨率。

需要说明的是，上述第一薄膜晶体管T1/第二薄膜晶体管T2可以是非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管中的任意一种，本公开实施例对第一薄膜晶体管T1/第二薄膜晶体管T2的类型不作限定。

上述平坦表面是指：整个表面完全平坦或具有微不平(例如，平坦表面几何结构上的轻微变化和/或偏差)的表面。可选地，平坦表面几何结构上的偏差不大于100nm(例如，不大于90nm、不大于80nm、不大于70nm、不大于60nm、不大于50nm、不大于40nm、不大于30nm、不大于20nm、不大于10nm、不大于5nm、或者不大于1nm)。可选地，平坦表面几何结构上的偏差不大于20nm。

在一些实施例中，如图1所示，连接层3的平均厚度为1-2.5μm，从而便于在连接层3上形成第一过孔V1，以使连接部30通过第一过孔V1连接第一薄膜晶体管T1的第一极。例如，连接层3的平均厚度可以是1μm、1.3μm、1.5μm、1.8μm、2μm、2.3μm、2.5μm等，本公开实施例对此不作限定。

上述“平均厚度”是指在第一显示基板1的厚度方向上，连接层3靠近第一衬底11的表面上的各点到远离第一衬底11的表面的距离的平均值。

具体实施时，可以先涂覆厚度较大的连接层3材料，以使连接层3与第二显示基板2接触的表面为平坦表面，然后通过干法刻蚀或者湿法刻蚀将厚度较大的连接层3材料减薄，有利于上下两侧显示基板之间进行过孔连接。

在一些实施例中，如图1所示，第一显示基板1包括依次叠置的第一衬底11、第一驱动功能层12和第一平坦化层，至少一个第一薄膜晶体管T1位于第一驱动功能层12；第二显示基板2包括依次叠置的第二衬底、第二驱动功能层22和第二平坦化层23，至少一个第二薄膜晶体管T2位于第二驱动功能层22；第二衬底位于第二驱动功能层22靠近第一显示基板1的一侧。

在一些实施例中，第一衬底11可以为玻璃衬底，也可以为诸如聚酰亚胺(PI)等柔性材料制作的柔性衬底，从而有利于实现柔性显示。

在一些实施例中，第一衬底11还可以包括交替设置的PI层和阻挡层，其中阻挡层的材料可以包括是无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。在一个示例中，如图1所示，第一衬底11包括依次设置的第一子衬底PI1、第一子阻挡层b1、第二子衬底PI2、第二子阻挡层b2，上述两个子衬底均采用PI材料，通过交替设置的PI层和阻挡层可以有效阻挡环境中的水汽进入第一显示基板1/显示面板，以保证显示效果。

需要说明的是，本公开实施例中第一薄膜晶体管T1/第二薄膜晶体管T2可以采用顶栅式薄膜晶体管，也可采用底栅式薄膜晶体管或者双栅薄膜晶体管，本公开实施例对此不作限定。

在一个示例中，当第一薄膜晶体管T1/第二薄膜晶体管T2采用顶栅式薄膜晶体管时，可以在有源层Act和第一衬底11之间设置遮光图形(图中未示出)，以避免环境光进入显示面板，影响有源层Act中沟通区载流子的形成。在另一个示例中，如图1所示，也可以将靠近第一驱动功能层12的阻挡层即上述第二子阻挡层b2的材料设置为遮光材料，从而可以实现为有源层Act中沟道部a0遮光，同时无需单独设置遮光层，简化制备工艺。

在一些实施例中，第一显示基板1中的第一平坦化层与连接层3为同一结构，即形成第一平坦化层得到第一显示基板1后，在第一平坦化层上制备形成第二显示基板2，为了实现第二薄膜晶体管T2与第一薄膜晶体管T1之间的电连接，需要在第一平坦化层上形成第一过孔V1，以使连接部30通过第一过孔V1连接两个薄膜晶体管。

在一些实施例中，由于第二显示基板2形成在第一显示基板1上，因此第二显示基板2中的第二衬底21只包括缓冲层即可，无需设置玻璃背板或者PI柔性背板，通过缓冲层防止或减少金属原子和/或杂质从第一显示基板1扩散到第二薄膜晶体管T2的有源层Act中，上述缓冲层可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等无机材料。

在一些实施例中，如图1所示，连接部30包括第一转接电极31和第二转接电极32，其中，第一转接电极31位于连接层3远离第一衬底11的一侧，且通过贯穿连接层3的第一过孔V1与第一薄膜晶体管T1的第一极连接；第二转接电极32的一端连接第一转接电极31，第二转接电极32的另一端与第二薄膜晶体管T2的第一极为一体结构。

应当理解的是，为了实现连接层3(第一平坦化层)的平坦性，因此该膜层具有一定的厚度，进一步地，由于光刻胶和第一平坦化层的材料具有相同的刻蚀速率，因此，在形成第一过孔V1时，需要在第一平坦化层上涂覆更厚的光刻胶材料，这样造成了光刻胶的浪费。

基于此，在一些实施例中，连接层3包括沿远离第一显示基板1方向依次设置的第一子连接层3a和第二子连接层3b，第二子连接层3b与第二显示基板2相接触；第一子连接层3a复用为第一平坦化层；连接部30的至少部分位于贯穿第一子连接层3a和第二子连接层3b的第一过孔V1内。

也就是说，本公开实施例中连接层3分为两部分，一部分是靠近第一驱动功能层12一侧的第一子连接层3a，且第一子连接层3a复用为第一平坦化层；另一部分是靠近第二显示基板2一侧的第二子连接层3b。

在形成贯穿第一子连接层3a和第二子连接层3b的第一过孔V1时，可以先在第二子连接层3b上涂覆光刻胶，通过图案化处理，形成第二子连接层3b上的第二子孔V02；然后将具有第二子孔V02的第二子连接层3b作为硬掩膜，对第一子连接层3a进行图案化处理，形成第一子连接层3a的第一子孔V01，第一子孔V01与第二子孔V02连通，得到第一过孔V1。在这个过程中，由于第二子连接层3b的刻蚀速率小于第一子连接层3a的刻蚀速率，因此即使在厚度较大的第一子连接层3a上刻蚀第一子孔V01，也不会在灰化处理中浪费过多材料。

在一些实施例中，第一子连接层3a的材料包括有机绝缘材料，该有机绝缘材料可以是聚酰亚胺、环氧树脂、亚克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料中的任意一种；第二子连接层3b的材料包括无机绝缘材料，该无机绝缘材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的任意一种。

应当理解的是，连接层3包括有机绝缘材料形成的第一子连接层3a和无机绝缘材料形成的第二子连接层3b，因此更加有利于隔绝外部环境中的水氧，以保证显示面板的显示效果。

另外，还需要说明的是，本公开实施例中在第一显示基板1上方制备形成第二显示基板2，在第二显示基板2中的第二薄膜晶体管T2为低温多晶硅薄膜晶体管时，制备低温多晶硅薄膜晶体管中多晶硅沟道层的工艺流程包括：淀积一层非晶硅，而后采用激光或者非激光的方式使非晶硅薄膜吸收能量，原子重新排列以形成多晶硅结构，上述工艺流程为准分子激光退火(ELA)工艺，在ELA结晶时会产生大量的热，此时，第二子连接层3b可以起到隔热的作用，以避免对第一子连接层3a造成损坏，进而破坏第一子连接层3a表面的平整度的问题。

综上所述，如图1所示，第一方面，连接层3具有平坦表面，进而可以在平坦表面上制备形成第二显示基板2，以保证第二显示基板2的性能。第二方面，通过将同一像素区域内的多个薄膜晶体管分别设置在第一显示基板1和第二显示基板2中，且第一显示基板1中的第一薄膜晶体管T1和第二显示基板2中的第二薄膜晶体管T2电连接，以减少多个薄膜晶体管所占用的面积，进而提高第一显示基板1/第二显示基板2中膜层面积的利用率，最终实现显示面板的高分辨率。第三方面，将第一显示基板1上的第一平坦化层复用为第一子连接层3a，并在第一子连接层3a上方设置第二子连接层3b，其中第一子连接层3a为有机材料，第二子连接层3b为无机材料，第一子连接层3a和第二子连接层3b共同形成连接层3。如此设置，使得叠层材料形成的连接层3抵抗水氧侵蚀的能力更强；第二子连接层3b小于第一子连接层3a的刻蚀速率，因此可以将第二子连接层3b作为第一子连接层3a形成过孔时的硬掩膜，避免灰化处理时造成过多的材料浪费；在制备第二显示基板2时，ELA结晶会产生大量热量，第二子连接层3b可以作为隔热层，起到隔绝热量的作用，以保护第一子连接层3a以及第一显示基板1不受损伤。

图2为本公开实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图2所示，第一显示基板1包括依次叠置的第一衬底11、第一驱动功能层12和第一平坦化层，至少一个第一薄膜晶体管T1位于第一驱动功能层12；第二显示基板2包括依次叠置的第二衬底、第二驱动功能层22和第二平坦化层23，至少一个第二薄膜晶体管T2位于第二驱动功能层22；第二平坦化层23位于第二驱动功能层22靠近第一显示基板1的一侧；连接层3位于第一平坦化层和第二平坦化层23之间，且与二者相接触。

图2中所示出的第一显示基板1与图1中所示出的第一显示基板1结构相同，图2中所示出的第二显示基板2与图1中所示出的第二显示基板2的区别在于，图1中的第二显示基板2是直接制备形成在第一显示基板1上的，图2中的第二显示基板2是单独制备形成的，其膜层结构与第一显示基板1相同，在制备完成后将第二显示基板2翻转180度，通过连接层3与第一显示基板1键合，且上下基板中的薄膜晶体管之间电连接。

本公开实施例中，同样将第一显示基板1和第二显示基板2层叠设置，从而可以将对应于同一像素区域的多个薄膜晶体管在显示面板的厚度方向上堆叠设置，进而可以减少薄膜晶体管所占用的膜层面积，进而提高显示面板的分辨率，有利于实现高PPI设计。

在一些实施例中，如图2所示，连接层3的材料包括异方性导电胶(AnisotropicConductive Film，ACF)。

应当理解的是，第二显示基板2制备完成后，翻转180度，通过ACF胶与第一显示基板1键合，且ACF胶上设置有多个导电粒子35，通过按压第二显示基板2，使得导电粒子35穿透ACF胶形成连接部30，连接部30用于连接第一薄膜晶体管T1的第一极和第二薄膜晶体管T2的第一极。

在一些实施例中，如图2所示，连接部30包括第三转接电极33、第四转接电极34和导电粒子35。第三转接电极33位于第一平坦化层远离第一衬底11的一侧，且通过第一平坦化层上的过孔与第一薄膜晶体管T1的第一极连接；第四转接电极34位于第二平坦化层23远离第二衬底的一侧，且通过第二平坦化层23上的过孔与第二薄膜晶体管T2的第一极连接；第三转接电极33和第四转接电极34通过导电粒子35电连接，导电粒子35位于贯穿连接层3的过孔内。

应当理解的是，本实施例中，第二显示基板2是单独制备形成，不是在第一显示基板1上制备形成的，因此，对第一平坦化层的平坦性要求并不高。另外第二显示基板2上也设置有第二平坦化层23，在翻转之后，第一平坦化层和第二平坦化层23相对设置，二者相对的表面可以是平坦表面，也可以是不平坦表面。进一步地，两个显示基板通过ACF胶键合，鉴于胶体具有一定的流体性，可以在按压第二显示基板2的过程中调整基板的位置，通过ACF胶填充二者之间的间隙，最终使第二显示基板2远离第一显示基板1一侧的表面为平坦表面，以便于在上方形成发光器件。

在一些实施例中，如图1、图2所示，显示面板还包括像素界定层PDL和多个阵列排布的发光器件，发光器件包括依次叠置的第一电极4、发光层和第二电极，像素界定层PDL位于第二显示基板2远离第一显示基板1的一侧，且像素界定层PDL包括与发光器件一一对应的多个像素容纳孔；发光器件的第一电极4位于对应的像素容纳孔内，且第一电极4连接第二薄膜晶体管T2的第二极。

可选地，第一电极4为金属材料制作的反射电极，第二电极为透明导电材料(例如，氧化铟锡)制作的透明电极。发光层可以包括依次叠置的：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。第一电极4位于像素界定层PDL与第二显示基板2之间，第一电极4的一部分被像素容纳孔暴露，多个发光器件的第二电极可以形成为一体结构。

本公开实施例还提供一种显示面板的制备方法，用于制备上述实施例中所提供的显示面板。

图3为本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的示意流程图，如图3所示，制备方法包括：

步骤S1，形成第一显示基板1，第一显示基板1包括至少一个第一薄膜晶体管T1。

步骤S2，形成第二显示基板2、连接层3和连接部30，第二显示基板2包括至少一个第二薄膜晶体管T2，连接层3位于第一显示基板1和第二显示基板2之间，连接层3与第二显示基板2相接触，且连接层3与第二显示基板2相接触的表面为平坦表面；连接部30贯穿连接层3，第一薄膜晶体管T1的第一极通过连接部30与第二薄膜晶体管T2的第一极电连接。

本公开实施例提供的显示基板的制备方法中，连接层3位于第一显示基板1和第二显示基板2之间，且与第二显示基板2相接触的表面为平坦表面，因此在第一显示基板1上方制备第二显示基板2时，不会影响第二显示基板2的性能；并且，将第一显示基板1和第二显示基板2层叠设置，从而可以将对应于同一像素区域的多个薄膜晶体管在显示面板的厚度方向上堆叠设置，如此以来，可以减少薄膜晶体管所占用的膜层面积，进而提高第一显示基板1/第二显示基板2的面积利用率，有利于提高显示面板的分辨率。

下面结合附图和具体示例，对本公开实施例提供的显示面板的制备方法进行详细说明。

图4为本公开实施例提供的另一种显示面板的制备方法的示意流程图，图5a～图5g为采用图4所示的制备方法所制得中间产品的截面示意图，通过图4所示的制备方法形成图1所示的显示面板。

如图4所示，显示面板的制备方法包括步骤S11-S18，具体如下：

步骤S11，如图5a所示，形成第一衬底11、第一缓冲层BUF1和第一驱动功能层12。

其中，第一衬底11包括依次设置的第一子衬底PI1、第一子阻挡层b1、第二子衬底PI2、第二子阻挡层b2，上述两个子衬底均采用PI材料，通过交替设置的PI层和阻挡层可以有效阻挡环境中的水汽进入第一显示基板1/显示面板，以保证显示效果。

第一缓冲层BUF1可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等无机材料，其配置为防止或减少金属原子和/或杂质从第一衬底11扩散到第一薄膜晶体管T1的有源层Act中。

第一驱动功能层12可以包括多个第一薄膜晶体管T1，图5中以顶栅型薄膜晶体管为例，第一薄膜晶体管T1包括栅极gate、有源层Act、源极t1和漏极t2，有源层Act位于栅极gate与第一缓冲层BUF1之间。有源层Act的材料可以包括例如无机半导体材料(例如，多晶硅、非晶硅等)、有机半导体材料、氧化物半导体材料。有源层Act包括沟道部a0和位于该沟道部a0两侧的源极连接部a1和漏极连接部a2，源极连接部a1与源极t1连接，漏极连接部a2与漏极t2连接。源极连接部a1和漏极连接部a2均可以掺杂有比沟道部a0的杂质浓度高的杂质(例如，N型杂质或P型杂质)。沟道部a0与栅极gate正对，当栅极gate加载的电压信号达到一定值时，沟道部a0中形成载流子通路使源极t1和漏极t2导通。

如图5a所示，第一驱动功能层12可以包括在第一缓冲层BUF1上依次形成的有源层Act、第一栅绝缘层GI1、栅电极层G0、第二栅绝缘层GI2、电容的第二电极板C2、层间绝缘层ILD、源漏导电层SD。

具体地，第一栅绝缘层GI1设置在有源层Act远离第一衬底11的一侧。第一栅绝缘层GI1的材料可以包括硅化合物、金属氧化物，例如，氮氧化硅、氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮碳化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。另外，第一栅绝缘层GI1可以为单层或多层。

栅电极层G0设置在第一栅绝缘层GI1远离第一衬底11的一侧。其中，栅电极层G0包括各薄膜晶体管的栅极gate、电容的第一电极板。栅电极层G0的材料可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，栅电极层G0可以包括金、金的合金、银、银的合金、铝、铝的合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、铜的合金、镍、铬、氮化铬、钼、钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锡、氧化铟锌等。栅电极层G0可以具有单层或多层。

第二栅绝缘层GI2设置在栅电极层G0远离第一衬底11的一侧，第二栅绝缘层GI2的材料可以包括例如硅化合物、金属氧化物。例如，第二栅绝缘层GI2的材料可以包括氮氧化硅、氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮碳化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。第二栅绝缘层GI2可以形成为单层或多层。

电容的第二电极板C2设置在第二栅绝缘层GI2远离第一衬底11的一侧，其材料可以与第一电极板的材料相同，具体参见上文中所列举的导电材料。

层间绝缘层ILD设置在电容的第二电极板远离第一衬底11的一侧，层间绝缘层ILD的材料可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。具体可以选择上文所列举的硅化合物和金属氧化物，这里不再赘述。

源漏导电层设置在层间绝缘层ILD远离第一衬底11的一侧。源漏导电层可以包括各晶体管的源极t1和漏极t2，源极t1与源极连接部a1电连接，漏极t2与漏极连接部a2电连接。源漏导电层可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等，例如，源漏导电层可以为金属构成的单层或多层，例如为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。

步骤S12，如图5b所示，在第一驱动功能层12上涂覆有机绝缘材料3a’，涂覆厚度为5-10μm。

上述有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、环氧树脂、亚克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料中的任意一种。

步骤S13，如图5c所示，对有机绝缘材料进行干刻处理，以将有机绝缘材料减薄1-5μm，并使其远离第一驱动功能层12一侧的表面为平坦表面，将减薄且具有平坦表面的有机绝缘材料作为第一子连接层3a。

步骤S14，如图5d所示，在第一子连接层3a上沉积无机绝缘材料，形成无机绝缘材料薄膜；对无机绝缘材料薄膜进行图案化处理，形成第二子孔V02，并将具有第二子孔V02的无机绝缘材料薄膜作为第二子连接层3b；将第二子连接层3b作为掩膜板，对第一子连接层3a进行刻蚀，以形成第一子连接层3a上的第一子孔V01；将连通的第一子孔V01和第二子孔V02作为第一过孔V1。

步骤S15，如图5e所示，在第一过孔V1内形成第一转接电极31。

步骤S16，如图5f所示，在第一转接电极31上形成第二衬底，即第二缓冲层BUF2。

上述第二缓冲层BUF2与第一缓冲层BUF1的材料相同，在此不作赘述。第二缓冲层BUF2配置为防止或减少金属原子和/或杂质从第一显示基板1扩散到第二薄膜晶体管T2的有源层Act中。

步骤S17，如图5g所示，在第二缓冲层BUF2上形成第二驱动功能层22，其中，将第二转接电极32与第二薄膜晶体管T2的第一极在同一工序中制备形成，且第二转接电极32通过贯穿第二驱动功能层22和第二缓冲层的过孔与第一转接电极31连接。

步骤S18，在第二驱动功能层22上形成第二平坦化层23；在第二平坦化层23上形成像素界定层PDL和多个阵列排布的发光器件，像素界定层PDL包括与发光器件一一对应的多个像素容纳孔，发光器件包括依次叠置的第一电极4、发光层和第二电极(图中未示出发光层和第二电极)，其中，第一电极4位于对应的像素容纳孔内，且第一电极4连接第二薄膜晶体管T2的第二极，以形成如图1所示的显示面板。

图6为本公开实施例提供的又一种显示面板的制备方法的示意流程图，图7a～图7d为采用图6所示的制备方法所制得中间产品的截面示意图，通过图6所示的制备方法形成图2所示的显示面板。

如图6所示，显示面板的制备方法包括步骤S21-S25，具体如下：

步骤S21，如图7a所示，制备形成第一显示基板1，其中，第一平坦化层上形成有第三转接电极33。

上述步骤的制备过程与图5a所示出的第一显示基板1的制备过程相同，在此不再赘述。

步骤S22，如图7b所示，制备形成第一中间基板2’，其中，第二平坦化层23上形成有第四转接电极34。

上述第一中间基板2’包括承载背板20、第二衬底、第二驱动功能层22和第二平坦化层23。其中，承载背板20包括玻璃背板201和PI背板202；第二衬底包括第二缓冲层BUF2。

需要说明的是，第二驱动功能层22中多个第二薄膜晶体管T2中包括驱动晶体管，暂不形成驱动晶体管的漏极t2。

应当理解的是，本实施例中第二显示基板2是单独制备形成，不是在第一显示基板1上制备形成的，因此，对第一平坦化层的平坦性要求并不高。另外第二显示基板2上也设置有第二平坦化层23，在翻转之后，第一平坦化层和第二平坦化层23相对设置，二者相对的表面可以是平坦表面，也可以是不平坦表面。

步骤S23，如图7c所示，通过激光剥离工艺，去除第一中间基板2’上的玻璃背板201，得到第二中间基板2”；将第二中间基板2”翻转180度，并在第一显示基板1和第二中间基板2”之间形成连接层3，即ACF胶；在ACF胶上对应第三转接电极33的位置设置至少一个导电粒子35；通过对第二中间基板2”进行按压，使得导电粒子35穿透ACF胶，进而将第三转接电极33和第四转接电极34通过导电粒子35电连接，最终形成连接第一薄膜晶体管T1的第一极和第二薄膜晶体管T2的第一极的连接部30。

步骤S24，如图7d所示，通过干刻工艺去除第二中间基板2”上的PI背板202，并在第二缓冲层BUF2上形成驱动晶体管的漏极t2，得到第二显示基板2。

步骤S25，在第二显示基板2上形成像素界定层PDL和多个阵列排布的发光器件，像素界定层PDL包括与发光器件一一对应的多个像素容纳孔，发光器件包括依次叠置的第一电极4、发光层和第二电极(图中未示出发光层和第二电极)，其中，第一电极4位于对应的像素容纳孔内，且第一电极4连接第二薄膜晶体管T2的第二极即第一电极4连接驱动晶体管的漏极，以形成如图2所示的显示面板。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述显示面板。上述显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开对此不作限定。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括层叠设置第一显示基板和第二显示基板，所述第一显示基板包括至少一个第一薄膜晶体管，所述第二显示基板包括至少一个第二薄膜晶体管，

所述显示面板还包括连接层和连接部，其中，

所述连接层位于所述第一显示基板朝向所述第二显示基板的一侧，且所述连接层与所述第二显示基板相接触，所述连接层与所述第二显示基板相接触的表面为平坦表面；

所述连接部贯穿所述连接层，所述第一薄膜晶体管的第一极通过所述连接部与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述连接层的平均厚度为1-2.5μm。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示基板包括依次叠置的第一衬底、第一驱动功能层和第一平坦化层，至少一个所述第一薄膜晶体管位于所述第一驱动功能层；所述第二显示基板包括依次叠置的第二衬底、第二驱动功能层和第二平坦化层，至少一个所述第二薄膜晶体管位于所述第二驱动功能层；

所述第二衬底位于所述第二驱动功能层靠近所述第一显示基板的一侧；

所述连接层中的至少部分复用为所述第一平坦化层。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述连接部包括第一转接电极和第二转接电极，

所述第一转接电极位于所述连接层远离所述第一衬底的一侧，且通过贯穿所述连接层的第一过孔与所述第一薄膜晶体管的第一极连接；

所述第二转接电极的一端连接所述第一转接电极，所述第二转接电极的另一端与所述第二薄膜晶体管的第一极为一体结构。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述连接层包括沿远离第一显示基板方向依次设置的第一子连接层和第二子连接层，所述第二子连接层与所述第二显示基板相接触；所述第一子连接层复用为所述第一平坦化层；

所述第一过孔贯穿所述第一子连接层和第二子连接层。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一子连接层的材料包括有机绝缘材料；

所述第二子连接层的材料包括无机绝缘材料，所述无机绝缘材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示基板包括依次叠置的第一衬底、第一驱动功能层和第一平坦化层，至少一个所述第一薄膜晶体管位于所述第一驱动功能层；所述第二显示基板包括依次叠置的第二衬底、第二驱动功能层和第二平坦化层，至少一个所述第二薄膜晶体管位于所述第二驱动功能层；

所述第二平坦化层位于所述第二驱动功能层靠近所述第一显示基板的一侧；

所述连接层位于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间，且与二者相接触。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述连接部包括第三转接电极、第四转接电极和导电粒子，

所述第三转接电极位于所述第一平坦化层远离所述第一衬底的一侧，且通过所述第一平坦化层上的过孔与所述第一薄膜晶体管的第一极连接；

所述第四转接电极位于所述第二平坦化层远离所述第二衬底的一侧，且通过所述第二平坦化层上的过孔与所述第二薄膜晶体管的第一极连接；

所述第三转接电极和所述第四转接电极通过所述导电粒子电连接，所述导电粒子位于贯穿所述连接层的过孔内。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述连接层的材料包括异方性导电胶。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括像素界定层和多个阵列排布的发光器件，所述发光器件包括依次叠置的第一电极、发光层和第二电极，

所述像素界定层位于所述第二显示基板远离所述第一显示基板的一侧，且所述像素界定层包括与所述发光器件一一对应的多个像素容纳孔；

所述发光器件的第一电极位于对应的像素容纳孔内，且所述第一电极连接所述第二薄膜晶体管的第二极。

11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

形成第一显示基板，所述第一显示基板包括至少一个第一薄膜晶体管；

形成第二显示基板、连接层和连接部，所述第二显示基板包括至少一个第二薄膜晶体管，所述连接层位于所述第一显示基板和所述第二显示基板之间，连接层与第二显示基板相接触，且所述连接层与所述第二显示基板相接触的表面为平坦表面；所述连接部贯穿所述连接层，所述第一薄膜晶体管的第一极通过所述连接部与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接。

12.根据权利要求11所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

所述形成第一显示基板的步骤包括：

依次形成第一衬底、第一驱动功能层和第一平坦化层，以得到所述第一显示基板；其中，所述第一驱动功能层包括至少一个所述第一薄膜晶体管；所述连接层的至少部分复用为所述第一平坦化层；

所述形成第二显示基板的步骤包括：

在所述第一平坦化层远离所述第一驱动功能层的一侧，依次形成第二衬底、第二驱动功能层和第二平坦化层，以得到所述第二显示基板；其中，所述第二驱动功能层包括至少一个第二薄膜晶体管；

所述连接层包括沿远离第一显示基板方向依次设置的第一子连接层和第二子连接层，形成连接层的步骤包括：

在所述第一驱动功能层上涂覆有机绝缘材料，涂覆厚度为5-10μm；

对所述有机绝缘材料进行干刻处理，以将有机绝缘材料减薄1-3μm，并使其远离第一驱动功能层一侧的表面为平坦表面，将减薄且具有平坦表面的有机绝缘材料作为所述第一子连接层；

在所述第一子连接层上沉积无机绝缘材料，以得到所述第二子连接层。

13.根据权利要求11所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

形成第一显示基板的步骤包括：

依次形成第一衬底、第一驱动功能层和第一平坦化层，以得到所述第一显示基板；其中，所述第一驱动功能层包括至少一个所述第一薄膜晶体管；

形成第二显示基板、连接层和连接部的步骤包括：

依次形成承载背板、第二衬底、第二驱动功能层和第二平坦化层，以得到第一中间基板，其中，所述第二驱动功能层包括至少一个第二薄膜晶体管，所述承载背板包括层叠设置的玻璃背板和柔性背板，且所述柔性背板位于所述玻璃背板靠近所述第二衬底的一侧；

在所述第一显示基板上涂覆异方性导电胶材料，以形成所述连接层；

去除所述第一中间基板上的玻璃背板，以形成第二中间基板；

将所述第二中间基板与所述第一显示基板相对设置，并形成所述连接部，所述连接部将所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极连接；

去除所述第二中间基板中的所述柔性背板，其中，去除所述柔性背板后的第二中间基板作为第二显示基板。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-10任意一项所述的显示面板。