CN117248199A - 一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法 - Google Patents
一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117248199A CN117248199A CN202311532136.2A CN202311532136A CN117248199A CN 117248199 A CN117248199 A CN 117248199A CN 202311532136 A CN202311532136 A CN 202311532136A CN 117248199 A CN117248199 A CN 117248199A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- oxide layer
- tunneling oxide
- preventing rupture
- silicon layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 19
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims description 9
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 33
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000011534 incubation Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 14
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract description 4
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 abstract description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
Abstract
本发明提供一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，通过在沉积非晶硅薄膜的同时掺杂入碳原子，薄膜中的氢原子与碳原子形成碳氢键，在退火时碳氢键不易断裂，从而避免了短时间有大量的氢气释放导致爆膜的发生；同时碳原子还降低了非晶硅薄膜的晶化率，从而减少非晶硅薄膜内应力的积累，可以有效的抑制爆膜。第一非晶硅层对隧穿氧化层起到保护作用，避免退火晶化时，磷原子和碳原子进入隧穿氧化层，破坏遂穿氧化层的钝化效果。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体是一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法。
背景技术
在制备TOPCon电池的过程中，其中有一个步骤是在硅片的背面沉积非晶硅层，一般采用PECVD设备进行沉积。
PECVD采用等离子辉光放电制备非晶硅层，会产生以下缺陷：1、PECVD沉积非晶硅膜层时，大量H进入非晶硅膜层，在之后的晶化退火过程，H聚集以氢气形式在薄膜内部形成空腔，高温激发氢气快速逸出，导致薄膜破裂；2、在沉积过程中，部分位置发生相变，在薄膜内部及与氧化硅界面产生了集中应力，最终导致薄膜爆裂脱落。上述现象会导致该区域无非晶硅钝化或非晶硅钝化效果变差，影响电池的效率及良率。
发明内容
为解决背景技术中的技术问题，本发明公开了一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法。
本发明提供一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，包括以下步骤：
S1、将N型硅片垂直插入石墨舟内，然后放入炉管；
S2、炉管内加热并保温；
S3、炉管内抽真空；
S4、在硅片背面沉积遂穿氧化层；
S5、在隧穿氧化层上沉积第一非晶硅层；
S6、在第一非晶硅层上沉积掺杂磷原子和碳原子的第二非晶硅层；
S7、炉管内充入氮气，直至炉管内的压力与大气压相等，然后从炉管内取出石墨舟，完成遂穿氧化层和原位掺杂碳原子磷原子的非晶硅薄膜的制备。
本发明通过在沉积非晶硅薄膜的同时掺杂入碳原子，薄膜中的氢原子与碳原子形成碳氢键，在退火时碳氢键不易断裂，从而避免了短时间有大量的氢气释放导致爆膜的发生；同时碳原子还降低了非晶硅薄膜的晶化率，从而减少非晶硅薄膜内应力的积累，可以有效的抑制爆膜。
第一非晶硅层对隧穿氧化层起到保护作用，避免退火晶化时，磷原子和碳原子进入隧穿氧化层，破坏遂穿氧化层的钝化效果。
加热温度过高，遂穿氧及非晶硅沉积速度较快，容易造成遂穿氧化层非晶硅层不致密，成膜质量较差，钝化效果较差；加热温度过低，反应速度过慢，会增加工艺时间，增加生成成本，基于此，进一步的设计是：S2中加热温度为410-430℃。
保温时间过长，增加工艺时间，增加生成成本，保温时间过短，石英管内温度分布不均匀性，容易出现不同温区之间温度差异较大，基于此，进一步的设计是：保温时间为3-4min。
如隧穿氧化层的过薄，影响钝化效果；过厚，无法实现载流子的遂穿，基于此，进一步的改进在于：隧穿氧化层的厚度为1-2nm。
退火晶化时，第二非晶硅层中的磷原子会扩散进入第一非晶硅层；如第一非晶硅层过厚，回形成部分盲区，此区域磷原子难以扩散进入；如第一非晶硅层过薄，磷原子会直接进入遂穿氧化层中，降低遂穿氧化层的钝化效果，基于此，进一步的改进在于：第一非晶硅层的厚度为10-20nm。
生成第一非晶硅层的具体条件为：沉积气体为SiH4，流量为2000-4000sccm。
第二非晶硅层过厚，会增加非晶硅的寄生吸收，降低太阳能电池的电流密度，过薄，限制烧结过程中烧结工艺窗口，烧结过程中容易出现烧穿现象，基于此，进一步的改进在于：第二非晶硅层的厚度为120nm。
生成第二非晶硅层的具体条件为：沉积气体为SiH4，流量为3000sccm；掺杂磷原子的沉积气体为PH3，流量为800sccm；掺杂碳原子的沉积气体为CH4，流量为2000-6000sccm。
具体实施方式
实施例一：本发明公开一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，包括以下步骤：
S1、将N型硅片垂直插入石墨舟内，然后将石墨舟放入炉管内；
S2、炉管内加热至410-430℃后，保温3-4min；本实施例中加热至420℃，保温3min；
加热温度的设置，可避免加热温度过高，遂穿氧及非晶硅沉积速度较快，造成遂穿氧化层非晶硅层不致密，成膜质量较差，钝化效果较差；避免加热温度过低，反应速度过慢，会增加工艺时间，增加生成成本；
保温时间的设置，可避免保温时间过长，增加工艺时间，增加生成成本；避免保温时间过短，石英管内温度分布不均匀性，容易出现不同温区之间温度差异较大；
S3、炉管内抽真空；
S4、在硅片背面沉积遂穿氧化层，厚度为1-2nm，本实施例中厚度为1.3nm；如此设置，避免隧穿氧化层的过薄，影响钝化效果；避免厚度过厚，无法实现载流子的遂穿；
S5、在隧穿氧化层上沉积第一非晶硅层，厚度为10-20nm；本实施例汇总厚度为10nm，沉积气体为SiH4，流量为3000sccm；第一非晶硅层的厚度设置，其理由为：退火晶化时，第二非晶硅层中的磷原子会扩散入第一非晶硅层；如第一非晶硅层过厚，回形成部分盲区，此区域磷原子难以扩散进入；如第一非晶硅层过薄，磷原子会直接进入遂穿氧化层中，降低遂穿氧化层的钝化效果；
S6、在第一非晶硅层上沉积掺杂磷原子和碳原子的第二非晶硅层，厚度为110-130nm；本实施例中厚度为120nm；生成第二非晶硅层的沉积气体为SiH4，流量为3000sccm；掺杂磷原子的沉积气体为PH3，流量为800sccm；掺杂碳原子沉积气体为CH4，流量为3000sccm；SiH4、PH3和CH4同时输入至炉管内，掺杂磷原子和碳原子的结深均为120nm；
第二非晶硅层的厚度设置，其理由为：第二非晶硅层过厚，会增加非晶硅的寄生吸收，降低太阳能电池的电流密度，过薄，限制的烧结过程中烧结工艺窗口，烧结过程中容易出现烧穿现象；
S7、炉管内充入氮气，直至炉管内的压力与大气压相等，然后从炉管内取出石墨舟，完成遂穿氧化层和原位掺杂碳原子磷原子的非晶硅薄膜的制备。
本发明通过在沉积非晶硅薄膜的同时掺杂入碳原子，薄膜中的氢原子与碳原子形成碳氢键，在退火时碳氢键不易断裂，从而避免了短时间有大量的氢气释放导致爆膜的发生；同时碳原子还降低了非晶硅薄膜的晶化率，从而减少非晶硅薄膜内应力的积累，可以有效的抑制爆膜。
第一非晶硅层对隧穿氧化层起到保护作用，避免退火晶化时，磷原子和碳原子进入隧穿氧化层，破坏遂穿氧化层的钝化效果。
实施例二：与实施例一相比，区别之处为：S6、CH4的流量为4500sccm。
实施例三：与实施例一相比，区别之处为：S6、CH4的流量为6000sccm。
对比例一：与实施例一相比，区别之处为：S6、在第一非晶硅层上沉积掺杂磷原子的第二非晶硅层，厚度为120nm；生成第二非晶硅层的沉积气体为SiH4，流量为3000sccm；掺杂磷原子的沉积气体为PH3，流量为800sccm。
通过实施例一、实施例二、实施例三和对比例一制成的太阳能电池数据如下：
| ITEM | Voc（mV） | Jsc(mA/ cm2) | FF(%) | EFF(%) |
| 实例例一 | 723.6 | 41.56 | 84.00 | 25.26 |
| 实施例二 | 725.2 | 41.59 | 83.97 | 25.32 |
| 实施例三 | 724.8 | 4157 | 83.91 | 25.28 |
| 对比例一 | 720.7 | 41.54 | 84.02 | 25.15 |
注：Voc表示开路电压，Jsc表示电流密度，FF表示填充因子，EFF表示转换效率。
从上表可以看出，采用本发明的沉积方法制备的TOPCon电池效率更高，有着更优的电性能表现。
本发明通过在制备非晶硅的同时原位掺杂碳元素减少爆膜，增加遂穿氧与掺磷多晶硅的钝化效果，从实验结果可以看到，随着非晶硅沉积过程中CH4流量的增加，原位掺杂碳元素的含量增加，Voc和Jsc增大后减小，主要是因为随着掺杂碳元素的增加可以减少爆膜，增加钝化效果，但是随着掺杂碳元素的逐渐增加，碳元素抑制非晶硅的晶化率，降低了钝化效果，随着非晶硅沉积过程中CH4流量的增加，FF表现为逐渐下降，是因为随着掺杂碳元素的增加，碳元素抑制了非晶硅的晶化，降低了磷元素的激活，降低了非晶硅中磷掺杂的浓度，增加了串阻导致FF降低，从实验结果看，采用PECVD沉积第二非晶硅层的过程中，通入SiH4和CH4的气体流量比例为1:1.5时，取得最佳的电性能效果。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (8)
1.一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将N型硅片垂直插入石墨舟内，然后放入炉管；
S2、炉管内加热并保温；
S3、炉管内抽真空；
S4、在硅片背面沉积遂穿氧化层；
S5、在隧穿氧化层上沉积第一非晶硅层；
S6、在第一非晶硅层上沉积掺杂磷原子和碳原子的第二非晶硅层；
S7、炉管内充入氮气，直至炉管内的压力与大气压相等，然后从炉管内取出石墨舟，完成遂穿氧化层和原位掺杂碳原子磷原子的非晶硅薄膜的制备。
2.根据权利要求1所述的一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，其特征在于：S2中加热温度为410-430℃。
3.根据权利要求2所述的一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，其特征在于：保温时间为3min。
4.根据权利要求1所述的一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，其特征在于：隧穿氧化层的厚度为1-2nm。
5.根据权利要求1所述的一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，其特征在于：第一非晶硅层的厚度为10-20nm。
6.根据权利要求5所述的一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，其特征在于：生成第一非晶硅层的沉积气体为SiH4，流量为2000-4000sccm。
7.根据权利要求5所述的一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，其特征在于：第二非晶硅层的厚度为110-130nm。
8.根据权利要求7所述的一种防止爆膜的PECVD沉积非晶硅的方法，其特征在于：生成第二非晶硅层的沉积气体为SiH4，流量为2000-4000sccm；掺杂磷原子的沉积气体为PH3，流量为600-1000sccm；掺杂碳原子沉积气体为CH4，流量为2000-6000sccm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311532136.2A CN117248199A (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311532136.2A CN117248199A (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117248199A true CN117248199A (zh) | 2023-12-19 |
Family
ID=89129852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311532136.2A Pending CN117248199A (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117248199A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114361295A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-15 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺 |
| CN112349816B (zh) * | 2020-11-19 | 2022-05-17 | 江苏大学 | 一种基于PECVD技术的高效低成本N型TOPCon电池的制备方法 |
| CN114520276A (zh) * | 2022-02-16 | 2022-05-20 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 钝化接触电池及其制备工艺 |
| CN115863480A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-03-28 | 江苏顺风新能源科技有限公司 | 背面多种元素掺杂的N型TOPCon太阳能电池的制备方法 |
| CN116190498A (zh) * | 2021-11-26 | 2023-05-30 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 制备隧穿氧化层和非晶硅薄膜的方法及TOPCon电池 |
-
2023
- 2023-11-17 CN CN202311532136.2A patent/CN117248199A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112349816B (zh) * | 2020-11-19 | 2022-05-17 | 江苏大学 | 一种基于PECVD技术的高效低成本N型TOPCon电池的制备方法 |
| CN116190498A (zh) * | 2021-11-26 | 2023-05-30 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 制备隧穿氧化层和非晶硅薄膜的方法及TOPCon电池 |
| CN114361295A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-15 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺 |
| CN114520276A (zh) * | 2022-02-16 | 2022-05-20 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 钝化接触电池及其制备工艺 |
| CN115863480A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-03-28 | 江苏顺风新能源科技有限公司 | 背面多种元素掺杂的N型TOPCon太阳能电池的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2022105193A1 (zh) | TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法 | |
| CN111341649A (zh) | 一种n型太阳能电池硼扩散方法 | |
| US20100105190A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device and semiconductor device manufacturing installation | |
| CN113604791B (zh) | 一种基于BCl3气体的LPCVD硼掺杂非晶硅水平镀膜方法及应用 | |
| JP2012506629A (ja) | 半導体デバイス製造方法、半導体デバイス、及び半導体デバイス製造設備 | |
| CN114520276B (zh) | 钝化接触电池及其制备工艺 | |
| CN115000246B (zh) | P型钝化接触电池制备方法及钝化接触电池 | |
| CN114420786B (zh) | 钝化接触电池的制备方法及钝化接触电池 | |
| CN112267105A (zh) | 一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺 | |
| CN114335237A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 | |
| CN116190498B (zh) | 制备隧穿氧化层和非晶硅薄膜的方法及TOPCon电池 | |
| CN114583016A (zh) | 一种TOPCon电池及其制备方法 | |
| CN111063612A (zh) | 一种提高本征非晶硅钝化效果的镀膜工艺、钝化结构、异质结太阳能电池及制备工艺 | |
| CN112011788A (zh) | 硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法 | |
| CN113193082A (zh) | 一种TOPCon太阳能电池的制备方法 | |
| CN112071950A (zh) | 一种用pecvd设备制备钝化接触电池的方法 | |
| CN117248199A (zh) | 一种防止爆膜的pecvd沉积非晶硅的方法 | |
| CN113555468B (zh) | 一种提升n型硅片硼扩散方阻均匀性的工艺 | |
| CN117153950B (zh) | 一种低温硼激活方法 | |
| CN110137307B (zh) | 一种低压环境下的高均匀性浅结扩散工艺 | |
| CN112164733A (zh) | 一种太阳能电池扩散深结制备方法 | |
| US7629236B2 (en) | Method for passivating crystal silicon surfaces | |
| CN114203832B (zh) | 具有钝化接触层并叠加复合钝化层的铸造单晶硅钝化结构 | |
| JPS6132416A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN118712242A (zh) | 一种隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |