CN117241477A - 一种混压pcb的分段除胶方法、混压pcb - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种混压PCB的分段除胶方法、混压PCB。对混压PCB按照第一预设深度进行第一次钻孔处理，以得到第一钻孔，其中，第一钻孔至少穿过各个第二材料层，且其底部为邻近第一材料层的第二材料层的底部；基于第一钻孔，至少对第二材料层进行第一次除胶；在第一次除胶结束之后，在第一钻孔的基础上按照第二预设深度进行第二次钻孔处理，以得到第二钻孔，第二钻孔至少穿过各个第一材料层且与所述第一钻孔形成通孔，第二钻孔的中心与第一钻孔的中心之间的偏差不大于阈值；基于第一钻孔与第二钻孔形成的通孔，至少对第二材料层和第一材料层进行第二次除胶。如此，使得在除胶处理之后得到光滑整齐的孔壁。

Description

一种混压PCB的分段除胶方法、混压PCB

技术领域

本申请涉及电气元器件制造技术领域，具体涉及一种混压PCB的分段除胶方法、混压PCB。

背景技术

传统PCB（Printed Circuit Board，中文名称为印制电路板）由多层图形构成，然后通过导通孔连接内层和外层，这些导通孔需要孔壁镀铜，为了保证孔壁镀铜的可靠性，需要在镀铜前进行除胶处理，除胶的作用是清理钻孔时残留在孔壁的胶渣。

混压PCB使用两种不同的材料压合在一起，材料的成份不同，除胶参数差异过大，容易造成如下异常：1.基于低损耗材料的特性进行除胶处理，容易造成对普通材料的过度咬蚀，导致导通孔内内陷以及畸形不良；2.基于普通材料的特性进行除胶处理，由于对低损耗材料的咬蚀量不够，导致导通孔内胶渣无法清理干净，造成内层连接异常。

现有技术采用控深塞孔的方法对混压PCB进行除胶处理，然而这种方法无法精确控制塞孔的深度，不能精确地保护好需要保护的位置，控制难度大。而且，采用树脂类材料进行塞孔，由于树脂类材料的清洗难度较大，从而在导通孔中容易混有树脂残留或者用于清洗树脂的药物残留。

发明内容

针对现有技术中存在的上述技术问题，提出了本申请。本申请旨在提供一种混压PCB的分段除胶方法、混压PCB，其能够在基于低损耗材料的特性，对导通孔进行除胶处理时，既能够提高对通孔的除胶的除胶效率，又能够避免普通材料受到过度腐蚀，出现孔内内陷、畸形等问题，使得在除胶处理之后得到光滑整齐的孔壁。

根据本申请的第一方案，提供一种混压PCB的分段除胶方法，所述混压PCB包括第一材料层和损耗率小于第一材料的第二材料层，所述分段除胶方法包括：对所述混压PCB按照第一预设深度进行第一次钻孔处理，以得到第一钻孔，其中，所述第一钻孔至少穿过各个第二材料层，且其底部为邻近所述第一材料层的第二材料层的底部；基于所述第一钻孔，至少对所述第二材料层进行第一次除胶；在第一次除胶结束之后，在所述第一钻孔的基础上按照第二预设深度进行第二次钻孔处理，以得到第二钻孔，所述第二钻孔至少穿过各个第一材料层且与所述第一钻孔形成通孔，所述第二钻孔的中心与所述第一钻孔的中心之间的偏差不大于阈值；

基于所述第一钻孔与第二钻孔形成的通孔，至少对所述第二材料层和第一材料层进行第二次除胶。

根据本申请的第二方案，提供一种混压PCB，所述混压PCB包括第一材料层和损耗率小于第一材料的第二材料层，且经由本申请各个实施例所述的混压PCB的分段除胶方法进行除胶处理后得到。

与现有技术相比，本申请实施例的有益效果在于：

本申请实施例对混压PCB进行分段钻孔处理，先进行第一次钻孔处理，得到第一钻孔，并对第一钻孔进行第一次除胶。由于第一钻孔并没有到达第一材料层，因此，在第一次除胶处理的过程中，不会对第一材料层进行除胶处理。在具有第一钻孔的混压PCB经过第一次除胶之后，再进行第二次钻孔处理，将第一钻孔打通，得到第二钻孔。第二钻孔贯穿整个混压PCB，成为整个混压PCB的通孔，再对通孔进行第二次除胶，第二次除胶的过程中，既实现了对第二材料的两次除胶，又实现对第一材料的一次除胶。如此，可以有效提高对混压PCB的通孔进行除胶的除胶效率，而且，避免了第一材料在进行第一次除胶时遭到刻蚀，提高了对混压PCB的通孔进行除胶的效果，得到了光滑整齐的孔壁，除胶效果较为理想。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述说明和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

在不一定按比例绘制的附图中，相同的附图标记可以在不同的视图中描述相似的部件。具有字母后缀或不同字母后缀的类似附图标记可以表示相似组件的不同示例。附图通过举例而不是以限制的方式大体上示出各种实施例，并且与说明书以及权利要求书一起用于对所公开的实施例进行说明。这样的实施例是说明性和示例性的，而并非旨在作为本方法的穷尽或排他的实施例。

图1示出根据本申请实施例所述的混压PCB的分段除胶方法的流程示意图。

图2示出根据本申请实施例所述的混压PCB的分段除胶方法的又一流程示意图。

图3示出根据本申请实施例所述的第一次钻孔处理的示意图。

图4示出根据本申请实施例所述的第二次钻孔处理的示意图。

图5示出根据本申请的实施例的样品1的两次除胶后的剖面图。

图6示出根据本申请的实施例的样品2的除胶后的剖面图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作详细说明。下面结合附图和具体实施例对本申请的实施例作进一步详细描述，但不作为对本申请的限定。

本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分。本申请中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。在本申请中，各个步骤仅仅作为执行顺序的示例，而不是限制，本申请的技术方案并不限于实施例中描述的执行顺序，执行顺序中的各个步骤可以合并执行，可以分解执行，可以调换顺序，只要不影响执行内容的逻辑关系即可。

本申请使用的所有术语（包括技术术语或者科学术语）与本申请所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。对于相关领域普通技术人员已知的方法可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述方法应当被视为说明书的一部分。

图1示出根据本申请实施例所述的混压PCB的分段除胶方法的流程示意图，图2示出根据本申请实施例所述的混压PCB的分段除胶方法的又一流程示意图。所述混压PCB（Printed Circuit Board，中文名称为印制电路板）包括第一材料层201和损耗率小于第一材料的第二材料层202，其中，所述第一材料层201是由第一材料压制而成，第二材料层202是由第二材料压制而成。按照传统的混压PCB的压制工艺，第一材料层201和第二材料层202的上、下层均具有铜层，第二材料层202被压制于第一材料层201的两侧，对于制备混压PCB的方法不做限定，可以采用现有的制备工艺得到。使用第一材料、第二材料混压而成的混合PCB，能够满足混压PCB产品性能又能够节省原料。

该实施例所述的分段除胶方法包括如图1所示的步骤101-104，各个步骤仅仅作为执行顺序的示例，而不是限制，本申请的技术方案并不限于实施例中描述的执行顺序，执行顺序中的各个步骤可以合并执行，可以分解执行，可以调换顺序，只要不影响执行内容的逻辑关系即可。

在步骤101中，对所述混压PCB按照第一预设深度进行第一次钻孔处理，以得到第一钻孔203，其中，所述第一钻孔203至少穿过各个第二材料层202，且其底部为邻近所述第一材料层201的第二材料层202的底部。具体地，如图2所示，2001表示未经过处理的混压PCB，其中，第一材料层201处于第二材料层202的中间位置附近，第二材料的耗损率小于第一材料，以达到在提高混压PCB的性能的情况下节省成本的目的。在进行第一次钻孔处理之前，测定出待钻孔的深度，即确定出第一预设深度，对于第一预设深度不做具体限定，可以根据混压PCB的结构以及第二材料层202、铜层等（可能还包括其他材料层，具体根据混压PCB的结构而定）的厚度来确定。

经过第一次钻孔处理，得到具有第一钻孔203的混压PCB 2002，通过控制钻孔以按照第一预设深度进行钻孔，得到的第一钻孔203至少穿过各个第二材料层202，第一钻孔203的底部为邻近第一材料层201的第二材料层202的底部。通过第一次钻孔处理，得到第一钻孔203，并执行步骤102，基于所述第一钻孔203，至少对所述第二材料层202进行第一次除胶。也就是说，在对未经过处理的混压PCB 2001进行第一次钻孔，对得到的具有第一钻孔203的混压PCB 2002进行第一次除胶处理。例如，将用于进行第一次除胶处理的化学试剂浸到第一钻孔203中，或者将具有第一钻孔203的混压PCB 2002置于第一次除胶处理的环境下进行除胶。由于第一钻孔203没有接触到第一材料层201，因此，在进行第一除胶处理的过程中，不会对第一材料造成刻蚀，仅是对第一钻孔203进行除胶。

在步骤103中，在第一次除胶结束之后，在所述第一钻孔203的基础上按照第二预设深度进行第二次钻孔处理，以得到第二钻孔204，所述第二钻孔204至少穿过各个第一材料层201且与所述第一钻孔203形成通孔，所述第二钻孔204的中心与所述第一钻孔203的中心之间的偏差不大于阈值。具体来说，可以提前测定出第二次钻孔处理需要钻孔的深度，作为第二预设深度，对经过第一次除胶处理的混压PCB 2003，以第一钻孔203的中心开始进行第二次钻孔处理。经过第二次钻孔处理，使得得到的第二钻孔204要穿过各个第一材料层201，并且与第一钻孔203形成通孔，其中，第一钻孔203和第二钻孔204的中心之间的偏差不大于阈值，以使得第一钻孔203和第二钻孔204对准。

在经过第二次钻孔处理之后，得到具有通孔的混压PCB 2004，基于所述第一钻孔203与第二钻孔204形成的通孔，至少对所述第二材料层202和第一材料层201进行第二次除胶（如步骤104）。在进行第二次除胶的过程中，是对整个由第一钻孔203、第二钻孔204形成的通孔进行第二次除胶，以得到两次除胶后的混压PCB 2005。例如，将整个通孔浸在化学试剂中进行除胶，由于第二材料的除胶难度大于第一材料的除胶难度，在基于第一钻孔203进行第一次除胶之后，再基于通孔进行第二次除胶，实现对第二材料层202的两次除胶以及对第一材料层201的一次除胶。如此，能够有效地提高对通孔的除胶效果，除胶后的通孔的内壁光滑整齐，不会出现内陷、粗糙等问题。

在本申请的一些实施例中，所述第一次钻孔处理包括在混压PCB和控制装置间使用导线连接，并将所述控制装置通过导线与钻针进行连接；经由所述控制装置，设置所述第一预设深度，并启动所述钻针与混压PCB接触；在所述钻针与混压PCB接触上时，所述控制装置开始计算钻孔的深度，且所述钻针按照所述第一预设深度开始钻孔。具体地，如图3所示，控制装置301被用于控制钻针302的开启以及钻孔的深度。在钻针302未接触混压PCB的表面时，由钻针302、导线以及控制装置301构成的电路处于开路状态，而在控制装置301控制钻针302启动后，在钻针302接触混压PCB的表面时，控制装置301开始计算钻针302进行钻孔的深度，并按照第一预设深度开始钻孔，其中，第一预设深度可以为0.15-0.4mm，整个钻孔的深度范围0.6-3.0mm。

如此，相比于现有的通过考虑混压PCB的厚度来进行钻孔的方法，该实施例提供的方法能够有效降低预期钻孔的深度与实际钻孔的深度的误差，以使得得到的第一钻孔203的深度更接近预期的钻孔的深度，从而使得基于第一钻孔203进行第一次除胶时不会腐蚀到第一材料层201中的第一材料。

在本申请的一些实施例中，所述第二次钻孔处理至少包括：利用第一预设数量的定位件对第一次除胶之后的混压PCB进行定位；将混压PCB分成第二预设数量的微区，各个微区包括第三预设数量的第一钻孔；获取各个微区的各个坐标原点，并基于各个坐标原点，确定出各个微区中的各个第一钻孔的对位坐标；基于各个第一钻孔的对位坐标，按照所述第二预设深度进行钻孔。在混压PCB上，可能会钻数万个第一钻孔，数量较多。而且，具有第一钻孔的混压PCB，经过第一次除胶，对第一钻孔进行刻蚀，也会导致第一钻孔的孔径等尺寸发生细微改变。因此，该实施例利用第一预设数量的定位件对第一次除胶后的混压PCB进行定位，如图4中的A（示出微区402分布方式）和B（示出基于不同微区402对各个第一钻孔定位），其中，第一预设数量为4，定位件401可以是销钉（不排除其他定位件），对混压PCB起到固定的作用。如图4中的A所示，混压PCB被分成第二预设数量的微区402，第二预设数量可以是4，也可以是其他数值，对此不做限定。在各个微区402中包括第三预设数量的第一钻孔，其中，对于第三预设数量也不做限定，第三预设数量、第二预设数量、第一预设数量均可以根据混压PCB的形状、尺寸以及第一钻孔的数量、分布和形状来确定。

基于各个微区402，可以利用CCD（Charge Coupled Device，电荷耦合器件）读取每个微区402的第一钻孔的坐标为基准坐标，推算出各个微区402的坐标原点403（如图4中的B所示），并根据坐标原点403确定出各个微区402的各个第一钻孔的对位坐标，基于对位坐标，按照在控制装置中配置的第二预设深度进行第二次钻孔处理。其中，第二预设深度可以是0.6-1.6mm。如此，相比于直接将钻针对准第一钻孔进行钻孔，能够将确定对位坐标的区域缩小到各个微区402，极大地提高了第二钻孔和第一钻孔的中心的对准度，降低了第二钻孔和第一钻孔的偏差，比如，对准度的偏差为+/-0.075mm。

在本申请的一些实施例中，基于各个第一钻孔的对位坐标，按照所述第二预设深度进行钻孔具体包括：在控制装置上设置所述第二预设深度，并启动钻针与第一钻孔的底部接触；在所述钻针与第一钻孔的底部接触上时，利用控制装置开始计算钻孔的深度，且所述钻针按照所述第二预设深度开始钻孔。也就是说，在进行第二次钻孔时，同样需要利用控制装置来对钻针的启动、关闭和钻孔的深度进行控制，从而使得预期的钻孔的深度与实际的钻孔的深度的偏差小于阈值偏差。

在本申请的一些实施例中，所述第二钻孔的孔径小于所述第一钻孔的孔径，如此，能够进一步提高第二钻孔和第一钻孔的对准度。在进行第二次钻孔处理之前，可以调整钻针的直径，以使得第二钻孔的孔径更小。回到图2，在具有第二钻孔204的混压PCB 2004上，第二钻孔204的孔径小于第一钻孔204的孔径。

在本申请的一些实施例中，所述第一次除胶包括将带有所述第一钻孔的混压PCB转移至等离子设备，利用所述等离子设备进行等离子物理除胶。所述等离子设备可以是等离子除胶机，等离子除胶机利用等离子体技术去除第二材料表面胶层，其原理是利用高频电场将气体分子激发成等离子体，产生高能量的离子和电子，使其与材料表面胶层发生化学反应，从而将胶层分解并去除。主要气体离子为 CF₄、O₂、N₂等，气体流速为0.2-0.3L/Min，工作温度为70-80度，功率为6-9kw，第一次除胶时间为30-60min。

进一步地，所述第二次除胶包括采用高锰酸钾体系进行化学除胶，化学除胶可以采用高锰酸钾溶液，有效去除通孔壁的树脂胶渣，有效微粗化孔壁树脂的表面，经过高锰酸钾容易处理后，树脂表面呈蜂巢式结构，增加了孔壁表面的表面能，使胶体钯的吸附量增加，使化学铜的沉积更加致密。其中，高锰酸钾溶液的浓度为50-70g/l，第二次除胶时间为20-40min。

在本申请的一些实施例中，所述第一材料层中的第一材料包括环氧体系树脂，所述第二材料层中的第二材料包括PPO或PTFE树脂体系。

在本申请的一些实施例中，所述定位件为销钉，所述微区的形状包括正方形、长方形、圆形，从而适用于不同形状、结构的混压PCB，有利于提高除胶方法的适用性。

在本申请的一些实施例中，提供一种混压PCB，所述混压PCB包括第一材料层和损耗率小于第一材料的第二材料层，且经由本申请各个实施例所述的混压PCB的分段除胶方法进行除胶处理后得到。

实验例：

准备好三个混压PCB分别作为样品1。首先，确定出第一钻孔的深度为0.15mm，在CCD钻孔中输入第一钻孔的深度，调节好钻针与混压PCB的表面的位置，然后，通过CCD钻孔启动钻针，钻针在CCD钻孔的驱动下下降至混压PCB的表面，并与混压PCB的表面接触。在接触时，CCD钻孔开始计算钻孔的深度，直到钻针钻孔的深度达到0.15mm，停止钻孔，并得到具有第一钻针的混压PCB。

将具有第一钻针的混压PCB置于等离子除胶机的除胶范围内，将等离子除胶机打开，气体离子为CF₄，气体流速为0.3L/Min，工作温度为80度，功率为7kw，进行等离子除胶30min后停止除胶，得到样品1的等离子体除胶混压PCB，并将除胶后的混压PCB再移动至CCD钻孔设备附近。

预先在CCD钻孔设备中设置好第二次钻孔处理的方法，利用四个销钉对混压PCB进行定位，采用CCD钻孔设备抓取与第一钻孔的对位坐标，确保第二钻孔和第一钻孔在X/Y方向上的对准度。然后，设置好第二钻孔的深度为1.6mm，通过CCD钻孔设备启动钻针开始执行钻孔，在第二次钻孔的深度达到1.6mm之后，停止钻孔。经过第二次钻孔，整个混压PCB被打通，第一钻孔和第二钻孔的中心偏移小于0.075mm，形成通孔。

配置浓度为60g/L的高锰酸钾溶液，然后，将具有第二钻孔的混压PCB的通孔中放入高锰酸钾溶液，进行浸泡30min，30min后将高锰酸钾溶液取出并洗净、晾干，得到样品1的两次除胶混压PCB。

对比例：

首先，确定出钻孔的深度为1.6mm，在CCD钻孔中输入钻孔的深度，调节好钻针与混压PCB的表面的位置，然后，通过CCD钻孔启动钻针，钻针在CCD钻孔的驱动下下降至混压PCB的表面，并于混压PCB的表面接触。在接触时，CCD钻孔开始计算钻孔的深度，直到钻针钻孔的深度达到1.6mm，停止钻孔，并得到具有通孔的混压PCB。

将具有通孔的混压PCB置于等离子除胶机的除胶范围内，将等离子除胶机打开，气体离子为CF4，气体流速为0.3L/Min，工作温度为80度，功率为7kw，进行等离子除胶30min后停止除胶。

配置浓度为60g/L的高锰酸钾溶液，然后，将等离子除胶后的混压PCB的通孔中放入高锰酸钾溶液，进行浸泡30min，30min后将高锰酸钾溶液取出并洗净、晾干，得到样品2的除胶混压PCB。

如图5所示，利用实施例的分段除胶的方法得到的样品1的混压PCB，几乎没有胶残渣，除胶效果较好，而且孔壁光滑。

然而，如图6所示，样品2的除胶混压PCB依然有较多的胶渣，除胶效果较差，并且，对于第一材料存在过度刻蚀，孔内内陷、畸形不良的问题，内层连接异常。

尽管已经在本文中描述了示例性实施例，其范围包括任何和所有基于本申请的具有等同元件、修改、省略、组合（例如，各种实施例交叉的方案）、改编或改变的实施例。权利要求书中的元件将被基于权利要求中采用的语言宽泛地解释，并不限于在本说明书中或本申请的实施期间所描述的示例，其示例将被解释为非排他性的。因此，本说明书和示例旨在仅被认为是示例，真正的范围和精神由权利要求以及其等同物的全部范围所指示。

以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如，上述示例（或其一个或更多方案）可以彼此组合使用。例如本领域普通技术人员在阅读上述描述时可以使用其它实施例。另外，在上述具体实施方式中，各种特征可以被分组在一起以简单化本申请。这不应解释为一种不要求保护的公开的特征对于任一权利要求是必要的意图。相反，本申请的主题可以少于特定的公开的实施例的全部特征。从而，权利要求书作为示例或实施例在此并入具体实施方式中，其中每个权利要求独立地作为单独的实施例，并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本申请的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。

以上实施例仅为本申请的示例性实施例，不用于限制本申请，本申请的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本申请的实质和保护范围内，对本申请做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本申请的保护范围内。

Claims (10)

1.一种混压PCB的分段除胶方法，所述混压PCB包括第一材料层和损耗率小于第一材料的第二材料层，其特征在于，所述分段除胶方法包括：

对所述混压PCB按照第一预设深度进行第一次钻孔处理，以得到第一钻孔，其中，所述第一钻孔至少穿过各个第二材料层，且其底部为邻近所述第一材料层的第二材料层的底部；

基于所述第一钻孔，至少对所述第二材料层进行第一次除胶；

在第一次除胶结束之后，在所述第一钻孔的基础上按照第二预设深度进行第二次钻孔处理，以得到第二钻孔，所述第二钻孔至少穿过各个第一材料层且与所述第一钻孔形成通孔，所述第二钻孔的中心与所述第一钻孔的中心之间的偏差不大于阈值；

基于所述第一钻孔与第二钻孔形成的通孔，至少对所述第二材料层和第一材料层进行第二次除胶。

2.根据权利要求1所述的分段除胶方法，其特征在于，所述第一次钻孔处理至少包括：

在混压PCB和控制装置间使用导线连接，并将所述控制装置通过导线与钻针进行连接；

经由所述控制装置，设置所述第一预设深度，并启动所述钻针与混压PCB接触；

在所述钻针与混压PCB接触上时，所述控制装置开始计算钻孔的深度，且所述钻针按照所述第一预设深度开始钻孔。

3.根据权利要求1所述的分段除胶方法，其特征在于，所述第二钻孔次处理至少包括：

利用第一预设数量的定位件对第一次除胶之后的混压PCB进行定位；

将混压PCB分成第二预设数量的微区，各个微区包括第三预设数量的第一钻孔；

获取各个微区的各个坐标原点，并基于各个坐标原点，确定出各个微区中的各个第一钻孔的对位坐标；

基于各个第一钻孔的对位坐标，按照所述第二预设深度进行钻孔。

4.根据权利要求3所述的分段除胶方法，其特征在于，基于各个第一钻孔的对位坐标，按照所述第二预设深度进行钻孔具体包括：

在控制装置上设置所述第二预设深度，并启动钻针与第一钻孔的底部接触；

在所述钻针与第一钻孔的底部接触上时，利用控制装置开始计算钻孔的深度，且所述钻针按照所述第二预设深度开始钻孔。

5.根据权利要求1所述的分段除胶方法，其特征在于，所述第二钻孔的孔径小于所述第一钻孔的孔径。

6.根据权利要求1所述的分段除胶方法，其特征在于，所述第一次除胶包括将带有所述第一钻孔的混压PCB转移至等离子设备，利用所述等离子设备进行等离子物理除胶。

7.根据权利要求1所述的分段除胶方法，其特征在于，所述第二次除胶包括采用高锰酸钾体系进行化学除胶。

8.根据权利要求1所述的分段除胶方法，其特征在于，所述第一材料层中的第一材料包括环氧体系树脂；所述第二材料层中的第二材料包括PPO或PTFE树脂体系。

9.根据权利要求3所述的分段除胶方法，其特征在于，所述定位件为销钉；所述微区的形状包括正方形、长方形、圆形。

10.一种混压PCB，其特征在于，所述混压PCB包括第一材料层和损耗率小于第一材料的第二材料层，且经由权利要求1-9任一项所述的混压PCB的分段除胶方法进行除胶处理后得到。