CN117234008A - 电子装置 - Google Patents

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戴名柔
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Abstract

本揭露提供一种电子装置，包括基板、半导体层、遮光层以及间隙子。半导体层设置于基板上且具有通道区。遮光层设置于基板与通道区之间。间隙子设置于半导体层上。遮光层与间隙子以及通道区重叠。本揭露实施例的电子装置可具有经提升的开口率。

Description

电子装置
技术领域
本揭露涉及一种电子装置。
背景技术
随着现代电子产品的技术进步以及消费者的需求渐增，市面上的电子装置通常须制备成具有高分辨率；然而，具有高分辨率的电子装置易受工艺等因素影响而使其的开口率下降。
发明内容
本揭露提供一种电子装置，包括可具有提升的开口率的电子装置。
根据本揭露的实施例，电子装置包括基板、半导体层、遮光层以及间隙子。半导体层设置于基板上且具有通道区。遮光层设置于基板与通道区之间。间隙子设置于半导体层上。遮光层与间隙子以及通道区重叠。
根据本揭露的实施例，电子装置包括基板、半导体元件、遮光层以及间隙子。半导体元件设置于基板上。间隙子设置于半导体层上。遮光层设置于半导体元件与间隙子之间。遮光层与间隙子重叠。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1为本揭露第一实施例的电子装置的俯视示意图；
图2为依据图1的剖线A-A’的剖面示意图；
图3为本揭露第二实施例的电子装置的俯视示意图；
图4为本揭露第三实施例的电子装置的俯视示意图；
图5为依据图4的剖线B-B’的剖面示意图；
图6为本揭露第四实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图7为本揭露第五实施例的电子装置的局部剖面示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
术语“等于”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此。
在本揭露中，厚度、长度、宽度与面积的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、发光装置、感测装置、触控装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置包括可卷曲、可弯折或可挠式电子装置，但不以此为限。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。电子装置可例如包括二极管、液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、萤光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的显示介质或上述的组合。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organiclight emitting diode，OLED)、微型发光二极管(micro-LED、mini-LED)或量子点发光二极管(QLED、QDLED)，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、…等周边系统以支持显示装置、天线装置、穿戴式装置(例如包括增强现实或虚拟现实)、车载装置(例如包括汽车挡风玻璃)或拼接装置。
图1为本揭露第一实施例的电子装置的俯视示意图，图2为依据图1的剖线A-A’的剖面示意图。值得说明的是，图1省略了部分元件的示出。
请同时参照图1与图2，本实施例的电子装置10a包括基板100、半导体层200以及遮光层300a。
基板100可例如为可挠或不可挠基板。基板100的材料可例如包括玻璃、塑料或其组合。举例而言，基板100的材料可包括石英、蓝宝石(sapphire)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)或其他适合的材料或上述材料的组合，本揭露不以此为限。
半导体层200设置于基板100上，且具有通道区CH。详细地说，在本实施例中，电子装置10a包括有半导体元件TFT。半导体元件TFT可例如包括有栅极G、源极S、漏极D以及前述的半导体层200，但本揭露不以此为限。栅极G在基板100的法线方向N上例如与半导体层200部分重叠，其中半导体层200与栅极G重叠的区域可视为通道区CH。在一些实施例中，在栅极G与半导体层200之间设置有栅绝缘层GI。源极S与漏极D例如彼此分离，且各自与半导体层200电性连接。在一些实施例中，在源极S(或漏极D)与半导体层200之间设置有绝缘层IL1以及前述的栅绝缘层GI，其中源极S与漏极D各自通过贯穿绝缘层IL1以及栅绝缘层GI的孔洞H1与孔洞H2与半导体层200电性连接，但本揭露不以此为限。栅绝缘层GI以及绝缘层IL1的材料可例如为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂)或上述的组合，但本揭露不限于此。在一些实施例中,栅绝缘层GI和/或绝缘层IL1可以为单层结构或多层结构。半导体元件TFT例如为顶部栅极型薄膜晶体管。然而，本实施例虽然是以顶部栅极型薄膜晶体管为例，但本揭露不以此为限。
遮光层300a设置于基板100上。在本实施例中，遮光层300a可设置于基板100与半导体层200之间,举例来说遮光层300a可设置于基板100与半导体层200的通道区CH之间，但本揭露不以此为限。遮光层300a在基板100的法线方向N(例如为垂直基板100上表面的方向)上例如至少部分地与半导体层200的通道区CH重叠，藉此改善通道区CH因受外界的环境光照射而受影响劣化的情况。在本实施例中，遮光层300a在基板100的法线方向N上与半导体层200的通道区CH重叠。在一些实施例中，遮光层300a可包括反射性与穿透率皆相对低的材料。举例而言，遮光层300a可包括光阻、油墨、树酯、色料、金属及其氧化物或其他有机材料﹑或其他适合的材料或上述的组合。在一些实施例中，遮光层300a的反射率可大于或等于0％且小于70％。在一些实施例中，遮光层300a可包括钼，但本揭露不以此为限。
在一些实施例中，电子装置10a还包括有对侧基板100’。对侧基板100’例如与基板100对应设置，且对侧基板100’包括的材料可例如与基板100相同或相似，于此不再赘述。在另一些实施例中，对侧基板100’可以被封装层取代，封装层可为发光/显示单元提供保护、封装和/或平坦化的功能，且封装层可包含有机材料、无机材料、前述的排列组合或其混合物，但不以此为限。在一些实施例中，遮光图案BM以及彩色滤光片CF可设置于对侧基板100’上，但本揭露不以此为限。遮光图案BM以及彩色滤光片CF例如各自设置于对侧基板100’面对基板100的表面上，但本揭露不以此为限。在另一些实施例中，遮光图案BM以及彩色滤光片CF例如各自设置于基板100面对对侧基板100‘的表面上，但本揭露不以此为限。遮光图案BM的材料可例如是黑色树脂或反射性较低的金属材料，藉此遮蔽不欲被用户看到的电子装置10a内部的元件以及走线，以提升电子装置10a的显示效果。彩色滤光片CF可例如包括有红色滤光图案、绿色滤光图案或是蓝色滤光图案，藉此使电子装置10a具有彩色的显示画面，但本揭露不以此为限。另外，由于遮光层300a可例如包括反射性与穿透率皆相对低的材料，在其他的实施例中，可通过遮光层300a的设置取代至少部分的遮光图案BM以提升开口率。
在一些实施例中，电子装置10a还包括有显示介质层ML。显示介质层ML例如设置于基板100与对侧基板100’之间。在本实施例中，显示介质层ML的材料例如包括液晶，但本揭露不限于此。显示介质层ML具有的显示介质可例如通过半导体元件TFT与下述将介绍的像素电极PE的驱动而排列。
在一些实施例中，电子装置10a还包括有间隙子(本实施例未示出)。间隙子例如可设置于半导体层200上。在本实施例中，间隙子设置于基板100与对侧基板100’之间，以支撑基板100和/或对侧基板100’。间隙子包括的材料并无特别限制，其可例如包括有机材料和/或有机感光材料，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，间隙子可呈现梯形的实施例。
在一些实施例中，电子装置10a还包括有绝缘层BF、栅极线GL、数据线DL、绝缘层IL2、像素电极PE、绝缘层IL3以及共用电极CE。在一些实施例中，基板100与遮光层300a之间还可以设有其他绝缘层(未示出)，但本揭露并不以此为限。
绝缘层BF例如设置于基板100上。在本实施例中，绝缘层BF设置于基板100与半导体层200之间且复盖遮光层300a，但本揭露不以此为限。绝缘层BF的材料可例如包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆栈层)，但本揭露不限于此。
请参考图1及图2，栅极线GL与数据线DL例如设置于基板100上。在本实施例中，栅极线GL设置于栅绝缘层GI上且沿第一方向D1延伸，数据线DL设置于绝缘层IL1上且沿第二方向D2延伸，其中第一方向D1不同于第二方向D2，或是第一方向D1垂直于第二方向D2,且第一方向D1以及第二方向D2各自亦与法线方向N垂直。半导体元件TFT中的栅极G可例如与对应的栅极线GL电性连接以接收相应的栅极信号，且半导体元件TFT中的源极S可例如与对应的数据线DL电性连接以接收相应的数据信号。在一些实施例中，栅极线GL与数据线DL的材料例如可各自包括钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、镍(Ni)、铬(Cr)、钴(Co)、锆(Zr)、钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、其他合适的金属、或上述材料的合金或组合，本揭露不以此为限。栅极线GL与数据线DL可例如包括相同或不同的材料，本揭露不以此为限。在一些实施例中，栅极线GL在第二方向D2(例如为垂直第一方向D1的方向)上具有宽度WG(例如是在第二方向D2上的最大宽度)，且数据线DL在第一方向D1上具有宽度WD(例如是在第一方向D1上的最大宽度)。
绝缘层IL2例如设置于绝缘层IL1上。在本实施例中，绝缘层IL2复盖源极S且部分地复盖漏极D，即，绝缘层IL2具有暴露出部分的漏极D的孔洞H3，但本揭露不以此为限。绝缘层IL2的材料可例如包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料(例如：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂)或上述的组合，但本揭露不限于此。在本实施例中，绝缘层IL2的材料可例如为有机材料，但本揭露不限于此。
在一些实施例中，绝缘层IL2具有厚度t且在其孔洞H3处具有侧壁IL2_s，且绝缘层IL2具有的侧壁IL2_s和与基板100的表面平行的方向DS夹有夹角ω。详细地说，此处提到的方向DS例如是基板100面对或背对对侧基板100’的表面上的任一个延伸方向，因此，方向DS例如与基板100的法线方向N垂直。在一些实施例中，绝缘层IL2的孔洞H3具有下底面H3_B。在一些实施例中，孔洞H3的下底面H3_B具有边缘H3_E，且遮光层300a具有靠近边缘H3_E的边缘300E1。遮光层300a的边缘300E1与孔洞H3的边缘H3_E在方向DS上具有距离Y。
在本实施例中，遮光层300a在基板100的法线方向N上与绝缘层IL2的孔洞H3重叠，但本揭露不限于此。详细地说，在本实施例中，绝缘层IL2具有的厚度t、绝缘层IL2的侧壁IL2_s与方向DS之间的夹角ω以及遮光层300a的边缘300E1与孔洞H3的边缘H3_E之间的距离Y满足以下关系式1：t*cot(ω)≤Y≤t*cot(ω)+10μm。在一些实施例中，由于绝缘层IL2的厚度相对于其余绝缘层的厚度较厚，使得绝缘层IL2的孔洞H3的深度因此相对于其余膜层的孔洞较深。在此情况下，液晶在形成有绝缘层IL2的孔洞H3的区域的倒向受地形影响的程度较为严重，可能无法呈现如预期设计的倒向，使得液晶将无法如预期般地控制而造成液晶不连续排列(disclination)的现象，而可能产生使电子装置10a显示画面质量不佳的问题。基于此，通过使绝缘层IL2具有的厚度t、绝缘层IL2的侧壁IL2_s与方向DS之间的夹角ω以及遮光层300a的边缘300E1与孔洞H3的边缘H3_E之间的距离Y满足以上关系式1，本实施例的遮光层300a可用于遮蔽因绝缘层IL2的孔洞H3的形成而产生的液晶排列不佳的区域，藉此可改善或是提升电子装置10a的显示质量。另外，在一些实施例中，电子装置10a还包括有遮光层310，其中遮光层310与遮光层300a可例如属于同一层且为彼此分离的图案。如图1以及图2所示出，遮光层310亦在基板100的法线方向N(例如为垂直基板100上表面的方向)上至少部分地与半导体层200的通道区CH重叠，藉此改善通道区CH因受外界的环境光(例如来自背光源的光线)照射而受影响劣化的情况。值得说明的是，遮光层310与遮光层300a的差异在于：遮光层300a在基板100的法线方向N上会与绝缘层IL2的孔洞H3重叠。
另外，在另一些实施例中，当基板100与对侧基板100’对组而产生偏移时，可通过使绝缘层IL2具有的厚度t、绝缘层IL2的侧壁IL2_s与方向DS之间的夹角ω以及遮光层300a的边缘300E1与孔洞H3的边缘H3_E之间的距离Y满足以上关系式1，亦可减少因遮光图案BM无法完全地遮蔽形成有绝缘层IL2的孔洞H3的区域而造成的混色现象，其原因为遮光层300a在此实施例中可取代至少部分遮光图案BM以遮蔽因绝缘层IL2的孔洞H3的形成而产生的液晶排列不佳的区域，藉此以提升电子装置10a的显示效果。
像素电极PE设置于绝缘层IL2上。在本实施例中，像素电极PE通过绝缘层IL2的孔洞H3与漏极D电性连接，但本揭露不以此为限。像素电极PE的材料可例如包括金属氧化物导电材料(例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物)，但本揭露不以此为限。
绝缘层IL3例如设置于绝缘层IL2上。在本实施例中，绝缘层IL3复盖设置于绝缘层IL2上的像素电极PE，但本揭露不以此为限。绝缘层IL3的材料可例如包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂)或上述的组合，但本揭露不限于此。在一些实施例中，绝缘层IL3部分地填入绝缘层IL2具有的孔洞H3中，但本揭露不限于此。
共用电极CE例如设置于绝缘层IL3上。共用电极CE的材料可例如包括金属氧化物导电材料(例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物)，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，共用电极CE亦可部分地填入绝缘层IL2具有的孔洞H3中，但本揭露不限于此。
图3为本揭露第二实施例的电子装置的俯视示意图。须说明的是，图3的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图3的电子装置10b与前述的电子装置10a的差异在于：遮光层300b与位于对侧基板100’上的遮光图案BM对应设置，且遮光层300b例如可具有网状结构。举例来说，在本实施例的电子装置10b中，遮光层300b在第二方向D2上具有宽度WLS1，且遮光层300b在第一方向D1上具有宽度WLS2。并且，在本实施例的电子装置10b中，栅极线GL在第二方向D2上具有的宽度WG以及遮光层300在第二方向D2上具有的宽度WLS1满足以下关系式2：WG≤WLS1≤10*WG。数据线DL在第一方向D1上具有的宽度WD以及遮光层300在第一方向D1上具有的宽度WLS2满足以下关系式3：WD≤WLS2≤10*WD，但本揭露不以此为限。
在另一些实施例中，由于对侧基板100’包括的遮光图案BM例如设计成至少遮蔽经栅极线GL和/或数据线DL反射的光线，因此，在栅极线GL的宽度WG与遮光层300b的宽度WLS1满足关系式2且/或数据线DL的宽度WD与遮光层300b的宽度WLS2满足关系式3的情况时，遮光层300b可与遮光图案BM对应地设置(例如是沿基板100的法线方向N上遮光层300b可与遮光图案BM至少部分重叠)，藉此可使遮光层300b与遮光图案BM一同遮蔽电子装置10b内部的元件以及走线。基于此，本实施例的遮光层300b亦可具有与遮光图案BM类似的图案，但本揭露不以此为限,遮光层300b与遮光图案BM例如可以对应栅极线GL或是对应数据线DL,或是同时对应栅极线GL及数据线DL设置。在本实施例中，遮光层300b在基板100的法线方向N上可具有大于遮光图案BM的面积。在另一些实施例中，遮光层300b包括的材料例如为反射率大于或等于0％且小于70％的金属材料，因此，即使部分的遮光层300b未被遮光图案BM所遮蔽，仍可维持电子装置10b的显示质量。
详细地说，在栅极线GL的宽度WG与遮光层300b的宽度WLS1满足关系式2的情况下，遮光层300b可至少用于遮蔽经栅极线GL反射的光线(例如为环境光)。在数据线DL的宽度WD与遮光层300b的宽度WLS2满足关系式3的情况下，遮光层300b可至少用于遮蔽经数据线DL反射的光线(例如为环境光)。在另一些实施例中，由于遮光层300b可与栅极线GL以及数据线DL皆设置于同一个基板(基板100)上(例如都形成于基板100上)，因此当基板100与对侧基板100’对组而产生偏移时，可降低因遮光图案BM无法遮蔽经栅极线GL与数据线DL反射的光线而无法有良好的混色现象的机率，藉此以提升电子装置10b的显示效果。或是，在遮光层300b与遮光图案BM对应设置的实施例中，可相对减少遮光图案BM的设置面积，如此，由于在基板100上形成遮光层300b的工艺相对于在对侧基板100’上形成遮光图案BM的工艺来得稳定，因此，本实施例的电子装置10b通过遮光层300b的形成可降低遮光图案BM的设置面积，藉此可减少因工艺变异造成的开口率下降。
图4为本揭露第三实施例的电子装置的俯视示意图，且图5为依据图4的剖线B-B’的剖面示意图。须说明的是，图4以及图5的实施例可各自沿用图1以及图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图4的电子装置10c与前述的电子装置10a的差异在于：遮光层300c更与间隙子400对应设置。此处欲说明的是，图1的电子装置10a虽省略了间隙子的示出，但电子装置10a的遮光层300a亦可与间隙子对应设置。
间隙子400例如设置于半导体层200上，且遮光层300c沿基板的法线方向N上可以与间隙子400及半导体层200的通道区CH至少部分重叠。在本实施例中，间隙子400设置于基板100与对侧基板100’之间，以支撑基板100和/或对侧基板100’。间隙子400包括的材料并无特别限制，其可例如包括有机材料和/或有机感光材料，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，间隙子400的上底面400T具有的面积小于间隙子400的下底面400B具有的面积，即，间隙子400可呈现梯形的实施例。在一些实施例中，间隙子400包括侧壁400s1，且间隙子400的侧壁400s1和与基板100的表面平行的方向DS夹有夹角θ。
在一些实施例中，间隙子400在基板100的法线方向N上具有厚度T。间隙子400的厚度T例如大致为基板100与对侧基板100’之间的距离，但本揭露不限于此。在一些实施例中，间隙子400的上底面400T具有边缘400E1，且遮光层300c具有靠近间隙子400的边缘400E1的边缘300E2。遮光层300c的边缘300E2与间隙子400的边缘400E1之间在方向DS上具有距离X。
在本实施例中，遮光层300c在基板100的法线方向N上与间隙子400重叠。详细地说，在本实施例中，间隙子400具有的厚度T、间隙子400的侧壁400s1与方向DS之间的夹角θ以及间隙子400的边缘400E1与遮光层300c的边缘300E2之间的距离X可满足以下关系式4：T*cot(θ)≤X≤T*cot(θ)+15μm。由于液晶在设置有间隙子400的区域的倒向会受地形影响而无法呈现如预期设计的倒向，使得液晶分子将无法如预期控制而造成液晶不连续排列的现象，而产生使电子装置10c有显示画面质量不佳的问题。基于此，通过使间隙子400具有的厚度T、间隙子400的侧壁400s1与方向DS之间的夹角θ以及间隙子400的边缘400E1与遮光层300c的边缘300E2之间的距离X满足以上关系式4，本实施例的遮光层300c可遮蔽因间隙子400的设置而产生的(1)与间隙子400接触的刮伤区域和/或(2)与间隙子400在基板100的法线方向N重叠的液晶排列不佳的区域，藉此可维持良好的显示质量。
在一些实施例中，当基板100与对侧基板100’对组而产生偏移时，通过使间隙子400具有的厚度T、间隙子400的侧壁400s1与方向DS之间的夹角θ以及间隙子400的边缘400E1与遮光层300c的边缘300E2之间的距离X满足以上关系式4，亦可降低因遮光图案BM无法遮蔽设置有间隙子400的区域而无法有良好的混色现象的机率，藉此以提升电子装置10c的显示效果。
此外，在其他的实施例中，电子装置10c中的遮光层300c亦可在基板100的法线方向N上与绝缘层IL2的孔洞H3重叠，但本揭露不限于此。详细地说，电子装置10c亦可满足以上的关系式1，使得本实施例的遮光层300c可更用于遮蔽因绝缘层IL2的孔洞H3的形成而产生的液晶排列不佳的区域，藉此维持电子装置10c的显示质量。在另一些实施例中，间隙子400可以与孔洞H3与遮光层300c于法线方向N上至少部分重叠,以提升显示设备的开口率。在一些实施例中，间隙子400可以至少部分填入孔洞H3中，但本揭露不以此为限。
图6为本揭露第四实施例的电子装置的局部剖面示意图。须说明的是，图6的实施例可沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图6的电子装置10d与前述的电子装置10c的差异在于：间隙子400包括有主间隙子400M以及次间隙子400S，且与主间隙子400M对应设置的遮光层300d的面积可大于与次间隙子400S对应设置的遮光层300d的面积。
在本实施例中，主间隙子400M的厚度(例如电子装置10c中的间隙子400的厚度T)例如大于次间隙子400S的厚度。详细地说，主间隙子400M的下底面会与设置于基板100上的元件抵靠，且主间隙子400M的上底面会与设置于对侧基板100’上的元件抵靠。另外，次间隙子400S的下底面会与设置于基板100上的元件抵靠，且次间隙子400S的上底面会与设置于对侧基板100’上的元件之间具有一距离，但本揭露不限于此。在其他的实施例中，次间隙子400S例如可以形成于对侧基板100’上，举例来说，间隙子400S的上底面(较靠近基板100的表面)可与设置于基板100上的元件之间具有一距离，且次间隙子400S的下底面(例如靠近对侧基板100’的表面)可与设置于对侧基板100’上的元件抵靠，但本揭露并不以此为限。
由于主间隙子400M的厚度大于次间隙子400S的厚度，相对于设置有次间隙子400S的区域，液晶在设置有主间隙子400M的区域更易产生不连续排列的现象，因此，在一些实施例中，与主间隙子400M对应设置的遮光层300d的面积会大于与次间隙子400S对应设置的遮光层300d的面积。详细地说，如图6所示出，在本实施例中，与主间隙子400M对应设置的遮光层300d的第一部分300d1在第二方向D2(例如为垂直栅极线GL的延伸方向的方向)上的宽度(例如最大宽度)300W1大于与次间隙子400S对应设置的遮光层300d的第二部分300d2在第二方向D2上的宽度(例如最大宽度)300W2，使得与主间隙子400M对应设置的遮光层300d(第一部分300d1)的面积大于与次间隙子400S对应设置的遮光层300d(第二部分300d2)的面积，但本揭露不限于此。在另一些实施例中,与主间隙子400M对应设置的遮光层300d的面积会可等于与次间隙子400S对应设置的遮光层300d的面积,但本揭露并不以此为限。
图7为本揭露第五实施例的电子装置的局部剖面示意图。须说明的是，图7的实施例可沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
图7的电子装置10e与前述的电子装置10c的差异在于：遮光层包括有第一遮光层300e1以及第二遮光层300e2，其中第一遮光层300e1设置于基板100与半导体层200的通道区CH之间，且第二遮光层300e2设置于半导体元件TFT与间隙子400之间。此处欲说明的是，前述实施例的电子装置,虽未示出第二遮光层300e2，但第二遮光层300e2可以与前述的实施例混和搭配使用。
在本实施例中，第一遮光层300e1与前述的遮光层300a、遮光层300b、遮光层300c以及遮光层300d在与基板100以及半导体层200之间的设置关系类似，其主要差异在于：第一遮光层300e1未限制须在基板100的法线方向N上与孔洞H3、遮光图案BM和/或间隙子400重叠。然而，第一遮光层300e1仍在基板100的法线方向N上例如至少部分地与半导体层200的通道区CH重叠，藉此降低通道区CH因受外界的环境光照射而受影响劣化的机率。在一些实施例中，第一遮光层300e1在基板100的法线方向N上与半导体层200的通道区CH重叠。
在一些实施例中，第二遮光层300e2设置于共用电极CE与绝缘层IL3之间。第二遮光层300e2可例如与共用电极CE接触，且亦部分地填入绝缘层IL2具有的孔洞H3中，但本揭露不限于此。在本实施例中，第二遮光层300e2与间隙子400可至少部分重叠，藉此可遮蔽因间隙子400的设置而产生的(1)与间隙子400接触的刮伤区域和/或(2)与间隙子400在基板100的法线方向N实质重叠的液晶排列不佳的区域，藉此维持电子装置10e的显示质量。另外，在一些实施例中，第二遮光层300e2亦可在基板100的法线方向N上与绝缘层IL2的孔洞H3重叠，使得第二遮光层300e2可用于遮蔽因绝缘层IL2的孔洞H3的形成而产生的液晶排列不佳的区域。在另一些实施例中，遮光层可以例如为网状结构，与图6的遮光层300d的形状相似，但本揭露不以此为限。
在一些实施例中，第一遮光层300e1以及第二遮光层300e2具有的材料与前述的遮光层300a相同或相似，于此不再赘述。
根据上述，本揭露实施例的电子装置所包括的遮光层具有新颖的设计，其中此遮光层可在基板的法线方向上与间隙子至少部分重叠，或是使此遮光层满足关系式4，使得本揭露实施例的电子装置具有的开口率可因此提升。在另一些实施例，在基板上形成遮光层的工艺相对于在对侧基板上形成遮光图案的工艺来得稳定，因此，本揭露实施例的电子装置通过在基板上形成遮光层可降低遮光图案的设置面积，藉此可减少因工艺变异造成的开口率下降。在另一些实施例，在间隙子与遮光层是设置于同一个基板的情况时，本揭露实施例的电子装置通过形成遮光层，可降低因基板与对侧基板对组产生偏移造成的开口率下降的机率。
在另一些实施例中，本揭露实施例的遮光层可在基板的法线方向上更遮蔽具有较深开口(其中设置有像素电极与共用电极)的绝缘层，或是，使前述的遮光层满足关系式1，使得本揭露实施例的电子装置具有的开口率可因此提升。
在又一些实施例中，本揭露实施例的遮光层可在基板的法线方向上与遮光图案至少部分重叠，或是，使前述的遮光层满足关系式2和/或关系式3，使得本揭露实施例的电子装置具有的开口率可因此提升。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。各实施例间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
基板；
半导体层，设置于所述基板上且具有通道区；
遮光层，设置于所述基板与所述通道区之间；以及
间隙子，设置于所述半导体层上，
其中所述遮光层与所述间隙子以及所述通道区重叠。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基板具有表面,一方向平行所述基板的所述表面，所述间隙子具有第一厚度(T)，所述间隙子包括第一侧壁及上底面，所述第一侧壁与所述方向夹有第一夹角(θ)，所述上底面具有第一边缘，所述遮光层具有邻近所述第一边缘的第二边缘，所述第一边缘与所述第二边缘沿所述方向上具有第一距离(X)，
其中所述第一厚度(T)、所述第一夹角(θ)以及所述第一距离(X)满足以下关系式：
T*cot(θ)≤X≤T*cot(θ)+15μm。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述遮光层包括金属材料,其中所述遮光层的反射率大于或等于0％且小于70％。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述间隙子包括主间隙子以及次间隙子，其中所述遮光层具有对应所述主间隙子的第一部分以及对应所述次间隙子的第二部分，其中所述电子装置还包括栅极线，所述栅极线设置于所述基板上且沿第一方向延伸，所述遮光层的所述第一部分沿垂直所述第一方向的第二方向上的宽度大于所述遮光层的所述第二部分沿所述第二方向的宽度。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述栅极线在所述第二方向上具有的宽度(WG)以及所述遮光层在所述第二方向上具有的宽度(WLS1)满足以下关系式：
WG≤WLS1≤10*WG。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，还包括数据线，所述数据线在所述第一方向上具有的宽度(WD)以及所述遮光层在所述第一方向上具有的宽度(WLS2)满足以下关系式：
WD≤WLS2≤10*WD。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括对侧基板,所述对侧基板与所述基板对应设置,遮光图案设置于所述对侧基板上且与所述遮光层对应设置。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括漏极、像素电极以及绝缘层，所述漏极设置于所述基板上，所述像素电极设置于所述漏极上，所述绝缘层具有孔洞且设置于所述漏极与所述像素电极之间，所述像素电极通过所述孔洞与所述漏极电性连接，且所述孔洞与所述遮光层重叠。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述基板具有表面,一方向平行所述基板的所述表面，所述绝缘层具有第二厚度(t)，所述绝缘层包括第二侧壁，所述第二侧壁与所述方向夹有第二夹角(ω)，所述孔洞具有下底面，所述下底面具有第三边缘，所述遮光层具有靠近所述第三边缘的第四边缘，所述第三边缘与所述第四边缘沿所述方向上具有第二距离(Y)，
其中所述第二厚度(t)、所述第二夹角(ω)以及所述第二距离(Y)满足以下关系式：
t*cot(ω)≤Y≤t*cot(ω)+10μm。
10.一种电子装置，其特征在于，包括：
基板；
半导体元件，设置于所述基板上；
间隙子，设置于所述半导体元件上；以及
遮光层，设置于所述半导体元件与所述间隙子之间，
其中所述遮光层与所述间隙子重叠。
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