CN115701254A - 电子装置 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一种电子装置包括基板、信号线以及间隔物。信号线设置在基板上且包括至少一曲线线段。间隔物设置在基板上并与所述至少一曲线线段对应设置。

Description

电子装置

技术领域

本揭露涉及一种电子装置。

背景技术

多数装置(如显示装置或光开关等)具有随机排列于多个像素中以用于支撑间隙(cell gap)的多个间隔物(spacer)。这些间隔物通常由遮光图案遮蔽住，以降低漏光。当装置需提升开口率(或是穿透率)时，多个间隔物的设置空间变得有限。

发明内容

本揭露提供一种电子装置，其可提升开口率或是穿透率。

根据本揭露的实施例，电子装置包括基板、信号线以及间隔物。信号线设置在基板上且包括至少一曲线线段。间隔物设置在基板上并与所述至少一曲线线段对应设置。

为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1、图5以及图9A至图9C是根据本揭露的一些实施例的电子装置的局部俯视示意图；

图2是图1中区域R的放大示意图；

图3以及图4分别是图1中剖线A-A’以及图2中剖线B-B’的剖面示意图；

图6A至图6D、图8A以及图8B是信号线以及间隔物的多种相对设置关系的俯视示意图；

图7是液晶分子与间隔物的相对设置关系的示意图。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包含”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

本揭露中所叙述的一结构(或层别、元件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上/上方，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接。非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介元件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构设置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。

说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。

本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的元件、或上述元件的组合，但不限于此。

在本揭露中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜(OpticalMicroscope，OM)测量而得，厚度或宽度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。另外，本揭露中所提到的术语“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本揭露所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本揭露实施例有特别定义。

在本揭露中，电子装置可包括显示装置、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)、其它合适的显示介质或前述的组合。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。在本揭露中，电子装置可包括电子元件，电子元件可包括无源元件与有源元件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、…等周边系统以支持显示装置、天线装置、穿戴式装置(例如包括增强现实或虚拟现实)、车载装置(例如包括汽车挡风玻璃)或拼接装置。

须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本揭露精神的情况下构成另一实施例。

图1、图5以及图9A至图9C是根据本揭露的一些实施例的电子装置的局部俯视示意图。图2是图1中区域R的放大示意图。图3以及图4分别是图1中剖线A-A’以及图2中剖线B-B’的剖面示意图。图6A至图6D、图8A以及图8B是信号线以及间隔物的多种相对设置关系的俯视示意图。图7是液晶分子与间隔物的相对设置关系的示意图。

请参照图1至图4，电子装置1可包括基板10、信号线12以及间隔物14。信号线12设置在基板10上且包括至少一曲线线段(如图5的曲线线段120)。间隔物14设置在基板10上并与所述至少一曲线线段120对应设置，亦即，间隔物14在电子装置1的俯视方向(如方向D3)上与所述至少一曲线线段120至少部分重叠。本揭露的电子装置1例如可应用于扩增实境且可用于调光(光开关)，以增加显示的对比度，但不以此为限。本揭露中的“曲线”例如为非直线线段或是具有至少一曲率半径的线段，曲线可例如为S型或是具有至少一反曲点的线段。

详细来说，基板10可为硬质基板或可挠基板。基板10的材料例如包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石或塑料等，但不以此为限。在一些实施例中，基板10可以是可挠基板，且基板10的材料可包括聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他合适的可挠材料或前述材料的组合，但不以此为限。

信号线12例如可为扫描线、数据线或其他种类的信号线。信号线12的材料可包括金属、金属合金、金属氧化物、透明导电材料、任何导体或上述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，信号线12可由金属或金属合金等导电性高的材料形成，以降低阻抗或利于信号传输。在另一些实施例中，信号线12可由透明导电材料形成，可以降低光学干扰(例如衍射现象)，以提升电子装置的显示质量。

图1示意性示出信号线12包括多个曲线线段，且多个曲线线段在方向D1上排列且连接成波浪形状。然而应理解，信号线12的种类、曲线线段的数量、多个曲线线段的排列方式或多个曲线线段连接所形的形状可根据实际需求改变，而不以图1所显示的为限。在其他实施例中，电子装置还包含信号线13大致沿另一方向(例如方向D2)延伸，信号线13的多个曲线线段可在方向D2上排列且相互连接，但不以此为限。于本揭露中，方向D1例如为信号线12的延伸方向，方向D2例如为信号线13的延伸方向，方向D2与方向D3可大致垂直，方向D3例如平行基板10表面的法线方向，方向D3可以垂直于方向D1及方向D2。

间隔物14可包括主间隔物、次间隔物或上述的组合。主间隔物的相对两端可分别接触有源元件阵列基板SUB-A以及对向基板SUB-B，如图4的间隔物15所示。次间隔物的一端可接触有源元件阵列基板SUB-A以及对向基板SUB-B的其中一个，且次间隔物的另一端在电子装置1未被按压时不与有源元件阵列基板SUB-A以及对向基板SUB-B的其中另一个接触，如图3的间隔物14所示。有源元件阵列基板SUB-A例如可以包括基板10以及基板10上的膜层(例如绝缘层、导电层及半导体层)，对向基板SUB-B例如可以包括基板11及基板11上的膜层(例如绝缘层、导电层)。在一些实施例中，次间隔物的最大厚度(如图3中间隔物14在方向D3上的最大厚度T14)小于主间隔物的最大厚度(如图4中间隔物15在方向D3上的最大厚度T15)。在另一些实施例中，主间隔物和/或次间隔物可以与另一支撑元件对应(未示出)设置，举例来说，当主间隔物设置于有源元件阵列基板时，一支撑元件可以设置于对向基板并于方向D3上与主间隔物至少部分重叠，也就是说主间隔物的一端接触在基板另一端的支撑元件；也可以设置另一支撑元件与次间隔物对应设置，但本揭露并不以此为限。

电子装置1可包括多个间隔物14。在本实施例中，多个间隔物14例如为多个次间隔物，但不以此为限。在其他实施例中，尽管未示出，多个间隔物14可为多个主间隔物；或者，多个间隔物14可为多个主间隔物以及多个次间隔物的组合，即一些间隔物14为主间隔物，而另一些间隔物14为次间隔物。

多个间隔物14可与信号线12的多个曲线线段对应设置。以图1为例，多个间隔物14可对应信号线12的波峰C、波谷T或上述的组合设置，即多个间隔物14可与信号线12的多个波峰C重叠设置；或者，多个间隔物14可与信号线12的多个波谷T重叠设置；或者，多个间隔物14可与波浪形状的多个波峰C以及多个波谷T重叠设置。然而应理解，多个间隔物14与多个曲线线段的相对设置关系可根据实际需求改变，而不以图1所显示的为限。

通过间隔物14与信号线12对应设置的设计，可利用信号线12或遮蔽信号线12的遮光图案(未示出)来遮蔽间隔物14，而有助于增加间隔物的设置空间及设置密度。因此，电子装置1可在维持所需的分辨率和/或开口率的同时，维持所需的回弹力或间隙的均匀度。

在一些实施例中，电子装置1还可包括介质层ML及基板11，基板10与基板11对应设置。介质层ML设置在基板10及基板11之间且具有配向方向DA。信号线12的所述至少一曲线线段120沿一方向DE延伸，所述方向DE与配向方向DA有一夹角θ，夹角θ例如大于或等于0度且小于或等于20度。

举例来说，介质层ML可包括液晶材料，但不以此为限。请参考图3及图4，电子装置1还可包括配向层AL1以及配向层AL2，配向层AL1以及配向层AL2分别设置在介质层ML的相对测，以控制介质层ML的配向方向DA。介质层ML的配向方向DA可使用偏光测定仪(如AxoScan)或相位差测量系统(如RETS)等仪器测量，但不以此为限。在另一些实施例中，可以使用光学显微镜观察间隔物周围的拖曳痕迹以测量配向方向。请参考图6A，曲线线段120的延伸方向(方向DE)可为所述曲线线段120的顶点A的切线方向TD；或者，可以围绕所述曲线线段120的最小矩形RT的长轴方向L作为曲线线段120的延伸方向(方向DE)。

如图7所示，介质层ML中邻近间隔物14的液晶分子M容易受到间隔物14的地势影响而导致配向异常/缺陷(mura)，造成漏光LL1。此外，邻近间隔物14的背对配向方向DA侧的液晶分子M容易因摩擦力不足而导致配向异常/缺陷，造成漏光LL2。可通过信号线12或与信号线12重叠设置的遮光图案(未示出)来遮蔽间隔物14，以降低漏光LL1的可视性。另一方面，可通过0度≦夹角θ≦20度的设计，来缩减漏光LL2的影响面积或在不大幅影响开口率的情况下用遮光图案遮蔽住漏光LL2。

请参考图2及图4，在一些实施例中，电子装置1还可包括有源元件AD以及另一间隔物15。有源元件AD设置在基板10上且电性连接信号线12。有源元件AD可包括晶体管，但不以此为限。举例来说，有源元件AD可包括栅极GE、半导体图案CH、源极SE以及漏极DE，但不以此为限。有源元件AD所在的区域RAD例如由围绕栅极GE、半导体图案CH、源极SE以及漏极DE的最小矩形框来定义。

间隔物15与有源元件AD的至少一部分重叠，即间隔物15与有源元件AD所在的区域RAD在方向D3上至少部分重叠。通过间隔物15与有源元件AD至少部分重叠的设计，可利用遮蔽有源元件AD的遮光图案(未示出)来遮蔽间隔物15，而有助于增加间隔物的设置空间。因此，电子装置1可在维持所需的分辨率和/或开口率的同时，维持所需的回弹力或间隙的均匀度。

间隔物15可包括主间隔物、次间隔物或上述的组合。电子装置1可包括多个间隔物15。在本实施例中，多个间隔物15例如为多个主间隔物，但不以此为限。在其他实施例中，尽管未示出，多个间隔物15可为多个次间隔物；或者，多个间隔物15可为多个主间隔物以及多个次间隔物的组合，即一些间隔物15为主间隔物，而另一些间隔物15为次间隔物。

根据不同的需求，电子装置1还可包括其他元件或膜层。举例来说，如图3以及图4所示，电子装置1还可包括遮光层LS、绝缘层BF、半导体层SL、绝缘层GI、第一导电层C1、绝缘层ILD、第二导电层C2、绝缘层PLN、第三导电层C3以及第四导电层C4，但不以此为限。电子装置1可根据不同的需求而增加或减少一个或多个元件/膜层。

有源元件阵列基板SUB-A例如包括基板10、遮光层LS、绝缘层BF、半导体层SL、绝缘层GI、第一导电层C1、绝缘层ILD、第二导电层C2、绝缘层PLN、第三导电层C3以及配向层AL1。对向基板SUB-B例如包括基板11、第四导电层C4以及配向层AL2。

遮光层LS设置在基板10上。遮光层LS可由反光材质(如金属或金属合金)或吸光材质(如黑矩阵)形成。遮光层LS可包括遮光图案LSP。遮光图案LSP可对应半导体层SL的通道区RCH设置，亦即，遮光图案LSP与通道区RCH在方向D3上重叠。

绝缘层BF设置在基板10上且覆盖遮光层LS。绝缘层BF的材料可包括无机绝缘材料，如氧化硅或氮化硅，但不以此为限。

半导体层SL设置在绝缘层BF上。半导体层SL的材料可包括氧化物半导体材料，如，铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，但不以此为限。在其他实施例中，半导体层SL的材料可包括非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(polysilicon)、金属氧化物、或上述的组合(例如有多个有源元件时)。半导体层SL可包括半导体图案CH。半导体图案CH可包括通道区RCH、源极区RSE以及漏极区RDE，但不以此为限。

绝缘层GI设置在半导体层SL上。举例来说，绝缘层GI的材料可包括无机材料，如氧化硅或氮化硅，但不以此为限。

第一导电层C1设置在绝缘层GI上。举例来说，第一导电层C1的材料包括金属或金属叠层，如铝、钼或钛/铝/钛。第一导电层C1可包括栅极GE、信号线(如图2所示的信号线13)等，但不以此为限。栅极GE对应通道区RCH设置，亦即，栅极GE与通道区RCH在方向D3上重叠。信号线13可为扫描线、数据线或其他种类的信号线。图1示意性示出信号线13包括多个曲线线段，且多个曲线线段在方向D2上排列且连接成波浪形状。然而应理解，信号线13的种类、曲线线段的数量、多个曲线线段的排列方式或多个曲线线段连接所形的形状可根据实际需求改变，而不以图1所显示的为限。

绝缘层ILD设置在第一导电层C1上。举例来说，绝缘层ILD的材料可包括无机材料，如氧化硅或氮化硅，但不以此为限。在一些实施例中，尽管未示出，绝缘层ILD可为多层绝缘材料的堆叠层。

第二导电层C2设置在绝缘层ILD上。举例来说，第二导电层C2的材料包括金属，金属氧化物或金属叠层，如铝、钼或钛/铝/钛、铟锡氧化物。第二导电层C2可包括源极SE、漏极DE、信号线(如信号线12)等，但不以此为限。源极SE贯穿绝缘层ILD以及绝缘层GI并与源极区RSE连接。漏极DE贯穿绝缘层ILD以及绝缘层GI并与漏极区RDE连接。

绝缘层PLN设置在绝缘层ILD上并覆盖第二导电层C2。举例来说，绝缘层PLN的材料包括有机材料或高分子材料，如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸类树脂(acylic-based resin)、硅胶(silicone)、聚酰亚胺聚合物(polyimide polymer)或上述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，尽管未示出，绝缘层PLN可为多层有机材料或高分子材料的堆叠层。

第三导电层C3设置在绝缘层PLN上。第三导电层C3的材料包括透明导电材料，如金属氧化物，但不以此为限。第三导电层C3可包括像素电极PE，但不以此为限。像素电极PE贯穿绝缘层PLN并与漏极DE连接。

配向层AL1设置在第三导电层C3上。配向层AL1可为光配向层，但不以此为限。

第四导电层C4以及配向层AL2依序设置在基板11面向有源元件阵列基板SUB-A的表面上。基板11可为硬质基板或可挠基板。基板11的材料可与基板10的材料相同或相似，于此不再赘述。第四导电层C4的材料包括透明导电材料，如金属氧化物，但不以此为限。第四导电层C4可为整面的导电层，但不以此为限。配向层AL2可为光配向层，但不以此为限。

请参照图5，电子装置1A与图1的电子装置1的主要差异在于多个间隔物14分别与信号线12以及信号线13重叠设置。此外，图5中介质层(未示出)的配向方向DA不同于图1中介质层(未示出)的配向方向DA，且间隔物14与信号线12(或信号线13)的相对设置关系依据介质层的配向方向DA改变，以满足信号线12的曲线线段120(或信号线13的曲线线段130)的延伸方向(方向DE)与配向方向DA之间的夹角大于或等于0度且小于或等于20度的设计。

在一些实施例中，与信号线12(或信号线13)重叠的间隔物14可为单一间隔物(如图6A所示)以具有较大的支撑强度；或者，间隔物14可为间隔物群(如图6B至图6D所示)以降低间隔物剥离(peeling)的风险。

在一些实施例中，间隔物14的形状可为直线状(如图5所示)、曲线状(如图6A、图6B所示)、点状(如图6C、图6D所示的圆形或多边形)或上述的组合，以提供不同的预压高度(prepressing height)。

在一些实施例中，为了遮蔽图7中间隔物14的背对配向方向DA侧因摩擦力不足而导致配向异常/缺陷的区域所造成的漏光LL2，如图8A以及图8B所示，可依据介质层(未示出)的配向方向DA改变间隔物14与信号线12(或信号线13)的相对设置关系，以使配向痕迹(rubbing trace)区域RT(即间隔物14的背对配向方向DA侧因摩擦力不足而导致配向异常/缺陷的区域)落在有源元件所在的区域RAD中，以利用遮蔽区域RAD的遮光图案(未示出)来遮蔽图7中的漏光LL2。

在一些实施例中，如图9A至图9C所示，信号线12和/或信号线13可为直线或折线，且两条相邻的信号线12以及两条相邻的信号线13所围成的区域可为四边形、六边形或其他多边形。在图9A至图9C中，可参照如图1或图5中信号线12的延伸方向(方向DE)与配向方向DA之间的夹角大于或等于0度且小于或等于20度的设计和/或图8A或图8B中配向痕迹区域RT落在区域RAD中的设计来降低设置间隔物14所造成的漏光。

在本发明的实施例中，通过间隔物与信号线对应设置的设计，可利用信号线或遮蔽信号线的遮光图案来遮蔽间隔物，而有助于增加间隔物的设置空间，且可不必基于分辨率和/或开口率的考虑来减少间隔物的数量或排列密度。因此，电子装置可在维持所需的分辨率和/或开口率的同时，维持所需的回弹力或间隙的均匀度。

以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

虽然本揭露的实施例及其优点已揭示如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作更改、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭露的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本揭露揭示内容中理解现行或未来所发展出的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭露使用。因此，本揭露的保护范围包括上述工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭露的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本揭露的保护范围当视随附的权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

基板；

信号线，设置在所述基板上且包括至少一曲线线段；以及

间隔物，设置在所述基板上并与所述至少一曲线线段对应设置。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

介质层，设置在所述基板上且具有配向方向，其中所述信号线的所述至少一曲线线段沿一方向延伸，所述方向与所述配向方向有一夹角，所述夹角大于或等于0度且小于或等于20度。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述间隔物包括主间隔物、次间隔物或上述的组合。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述介质层包括液晶材料。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

有源元件，设置在所述基板上且电性连接所述信号线；以及

另一间隔物，其中所述另一间隔物与所述有源元件的至少一部分重叠。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述间隔物为间隔物群。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述间隔物的形状为直线状、曲线状、点状或上述的组合。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述信号线为扫描线或数据线。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

配向层，设置在所述基板上，其中所述配向层为光配向层。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置包括多个间隔物，且所述多个间隔物对应所述信号线的波峰、波谷或上述的组合设置。

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