CN117219634A - 阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板。该阵列基板包括衬底；第一无机层，第一无机层设置于衬底上；第二无机层，第二无机层设置于第一无机层远离衬底的一侧；驱动电路层，驱动电路层包括有源层和导电层；导电层通过过孔与有源层电连接，第一无机层在衬底上的垂直投影位于过孔在衬底上的垂直投影内。可以增加过孔所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。同时可以提高无机层的受力均一性，进而可以降低阵列基板的断裂风险。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板

技术领域

本发明实施例涉及显示的技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板的分辨率越来越高，且边框越来越窄。当显示面板具有高分辨率和/或窄边框时，显示面板上不可避免的存在不同层的走线在垂直方向上交叠的情况，使得走线的阻容压降比较大，且不同走线之间的信号干扰比较大。此时可以增加走线层之间的绝缘层的厚度，以减小不同走线之间的信号干扰。当绝缘层的厚度比较厚时，在绝缘层上形成过孔时需要采用过刻工艺，此时容易刻蚀显示面板上的缓冲层和/或阻隔层，外界环境中的水氧容易通过刻蚀部位入侵至显示面板内部，使得显示面板的环境测试风险高，可靠性差。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，以降低阵列基板的环境测试风险，提高阵列基板的可靠性。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底；

第一无机层，所述第一无机层设置于所述衬底上；

第二无机层，所述第二无机层设置于所述第一无机层远离所述衬底的一侧；

驱动电路层，所述驱动电路层设置于所述第二无机层上，所述驱动电路层包括有源层和导电层；所述导电层通过过孔与所述有源层电连接，所述第一无机层在所述衬底上的垂直投影位于所述过孔在所述衬底上的垂直投影内。

可选地，所述衬底上设置有凹槽，所述凹槽在所述衬底上的垂直投影位于所述过孔在所述衬底上的垂直投影内，所述第一无机层填充于所述凹槽内。

可选地，所述第一无机层的厚度相等。

可选地，所述凹槽的至少部分表面为弧面；

优选地，阵列基板还包括有机层，所述第一无机层的厚度相等时，所述有机层覆盖所述第一无机层，且所述有机层远离所述第一无机层的表面与所述衬底的表面同平面设置。

可选地，所述导电层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述过孔包括第一端，所述第一端为所述过孔远离所述导电层的一端，所述凹槽在所述衬底上的垂直投影与所述第一端在所述衬底上的垂直投影重合。

可选地，所述第一无机层的最小弯折半径小于所述第二无机层的最小弯折半径。

可选地，所述有源层包括源极区和漏极区，所述导电层包括源极和漏极，所述过孔包括第一过孔和第二过孔；所述源极通过所述第一过孔与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述漏极区电连接；

所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽在所述衬底上的垂直投影位于所述第一过孔在所述衬底上的垂直投影内，所述第二凹槽在所述衬底上的垂直投影位于所述第二过孔在所述衬底上的垂直投影内。

可选地，所述第二无机层包括缓冲层和阻隔层，所述阻隔层设置于所述衬底的表面上，所述缓冲层设置于所述阻隔层上。

第二方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

采用化学气相沉积工艺在衬底上形成第一无机层，所述化学气相沉积工艺中的成膜压力参数小于零；

在所述第一无机层远离所述衬底的一侧形成第二无机层；

在所述第二无机层远离所述第一无机层的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层包括有源层和导电层；所述导电层通过过孔与所述有源层电连接，所述第一无机层在所述衬底上的垂直投影位于所述过孔在所述衬底上的垂直投影内。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。

本发明实施例的技术方案，通过在衬底上设置第一无机层，使第一无机层在衬底上的垂直投影位于过孔在衬底上的垂直投影内，使得第一无机层可以作为过孔所在位置对应的无机层，以补偿过刻导致的过孔所在位置对应的第二无机层减薄现象，从而可以增加过孔所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。同时可以避免第一无机层增加过孔所在位置外其他位置对应的无机层厚度，有利于在增加过孔所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力的基础上，提高无机层的厚度均一性。当阵列基板为可弯折阵列基板时，可以提高无机层的受力均一性，进而可以降低阵列基板的断裂风险。

附图说明

图1为相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图4为图3的虚线框内的区域局部放大示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；

图8为本发明实施例提供的一种步骤S710对应的阵列基板的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种在衬底上形成凹槽对应的阵列基板的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种步骤S720对应的阵列基板的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的一种步骤S730对应的阵列基板的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，该阵列基板包括层叠设置的衬底10、阻隔层11、缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14、栅极层15、第一绝缘层16、电容层17、层间绝缘层18和源漏极层19。源漏极层19包括源极和漏极，分别通过过孔与有源层13的源极区和漏极区连接。其中，层间绝缘层18的厚度比较厚，以增加栅极层15和电容层17与源漏极层19的垂直距离，减小栅极层15和电容层17上的走线与源漏极层19上的走线之间的信号干扰。当层间绝缘层18的厚度比较厚时，需要采用过刻工艺形成过孔，以实现源漏极分别与源漏极区连接。此时容易刻蚀至阻隔层11和/或缓冲层12，使得阻隔层11和/或缓冲层12被刻蚀部分比较薄，外界环境中的水氧容易通过刻蚀部位入侵至显示面板内部，使得显示面板的可靠性差。当阵列基板为可弯折阵列基板时，在阵列基板被弯折时，阻隔层11和/或缓冲层12被刻蚀的部分容易出现裂纹，外界环境中的水氧更加容易通过刻蚀部位入侵至显示面板内部，使得显示面板的环境测试风险高，可靠性差。

针对上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板。图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图2所示，阵列基板包括：

衬底110；

第一无机层120，第一无机层120设置于衬底110上；

第二无机层130，第二无机层130设置于第一无机层120远离衬底110的一侧；

驱动电路层，驱动电路层设置于第二无机层130上，驱动电路层130包括有源层140和导电层160；导电层160通过过孔B与有源层140电连接，第一无机层120在衬底110上的垂直投影位于过孔B在衬底110上的垂直投影内。

具体地，衬底110用于承载其他膜层。示例性地，当阵列基板为刚性基板时，衬底110可以为刚性衬底，例如，衬底110的材料可以为玻璃。当阵列基板为柔性基板时，衬底110可以为柔性衬底，例如，衬底110的材料可以为聚酰亚胺。

驱动电路层用于形成像素驱动电路。像素驱动电路包括晶体管和电容。有源层140包括源极区141、沟道区143和漏极区142。当晶体管为顶栅晶体管时，驱动电路层还包括栅极绝缘层和第一金属层M1，设置于有源层140远离衬底110的一侧，且栅极绝缘层设置于有源层140和第一金属层M1之间，用于实现有源层140与第一金属层M1的绝缘。第一金属层M1包括栅极，在垂直方向上与沟道区142对应设置。驱动电路层还包括第二金属层M2，用于形成电容极板，并在垂直方向上与栅极对应设置，使得栅极和电容极板共同组成电容。其中，在第一金属层M1和第二金属层M2之间还设置有绝缘层，用于绝缘第一金属层M1和第二金属层M2。驱动电路层还包括层间绝缘层150。层间绝缘层150设置于有源层140和导电层160之间，用于绝缘不同的膜层。示例性地，如图2所示，当驱动电路层包括第二金属层M2时，第二金属层M2还可以用于形成信号线。层间绝缘层150可以设置于第二金属层M2和导电层160之间，用于绝缘第二金属层M2和导电层160。导电层160包括源极161和漏极162，层间绝缘层150上设置有过孔B，源极161和漏极162分别通过过孔B与源极区141和漏极区142电连接，以形成晶体管。

层间绝缘层150的厚度比较厚，在形成过孔B时，可以采用过刻工艺。当过刻至第二无机层130时，使得第二无机层130的厚度减薄，进而导致在垂直方向上，过孔B所在位置对应的第二无机层130的厚度小于其他位置的第二无机层130的厚度。此时在衬底110上设置第一无机层120，且第一无机层120在衬底110上的垂直投影位于过孔B在衬底110上的垂直投影内，使得第一无机层120可以作为过孔B所在位置对应的无机层，以补偿过刻导致的过孔B所在位置对应的第二无机层130减薄现象，从而可以增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。同时可以避免第一无机层120增加过孔B所在位置外其他位置对应的无机层厚度，有利于在增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力的基础上，提高无机层的厚度均一性。当阵列基板为可弯折阵列基板时，可以提高无机层的受力均一性，进而可以降低阵列基板的断裂风险。

本实施例的技术方案，通过在衬底上设置第一无机层，使第一无机层在衬底上的垂直投影位于过孔在衬底上的垂直投影内，使得第一无机层可以作为过孔所在位置对应的无机层，以补偿过刻导致的过孔所在位置对应的第二无机层减薄现象，从而可以增加过孔所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。同时可以避免第一无机层增加过孔所在位置外其他位置对应的无机层厚度，有利于在增加过孔所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力的基础上，提高无机层的厚度均一性。当阵列基板为可弯折阵列基板时，可以提高无机层的受力均一性，进而可以降低阵列基板的断裂风险。

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图4为图3的虚线框内的区域局部放大示意图。如图3和图4所示，衬底110上设置有凹槽A，凹槽A在衬底110上的垂直投影位于过孔B在衬底110上的垂直投影内，第一无机层120填充于凹槽A内。

在衬底110的表面上设置凹槽A，且凹槽A内填充有第一无机层120，在凹槽A在衬底110上的垂直投影位于过孔B在衬底110上的垂直投影内时，可以使第一无机层120在衬底110上的垂直投影位于过孔B在衬底110上的垂直投影内，使得第一无机层120可以作为过孔B所在位置对应的无机层，以补偿过刻导致的过孔B所在位置对应的第二无机层130减薄现象，从而可以增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。另外，凹槽A具有向内预弯折作用。当阵列基板为可折叠阵列基板，并向内弯折时，凹槽A可以起到预弯折的作用，从而可以降低阵列基板的弯折难度，同时降低了阵列基板弯折时断裂的风险，提高了阵列基板的弯折可靠性。

在上述技术方案的基础上，继续参考图3和图4，第一无机层120的厚度相等。

具体地，第一无机层120可以为等厚膜层，在第一无机层120补偿过孔导致的过孔B所在位置对应的第二无机层130减薄现象时，可以使得不同位置的补偿厚度相等，从而可以提高阵列基板不同位置处屏蔽外界环境中水氧能力的均一性。

继续参考图3和图4，凹槽A的至少部分表面为弧面。

具体地，图3和图4中示例性地示出了凹槽A的表面均为弧面，可以避免衬底110在凹槽A处形成夹角，从而可以避免衬底110受力时在凹槽A处具有应力集中点，有效地降低了衬底110断裂的风险。示例性地，衬底110可以为柔性衬底用于可折叠阵列基板时，在折叠阵列基板时，可以避免衬底110在凹槽A处具有应力集中点，从而可以降低在折叠阵列基板时，衬底110断裂的风险。

在其他实施例中，可以设置凹槽A的部分表面为弧面。示例性地，图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图。如图5所示，凹槽A的侧面可以包括与凹槽A底面具有不同角度的多个平面。可以设置多个平面依次排布连接，且与凹槽A底面连接的平面为最后一个平面，则多个平面与底面的夹角逐渐减小。通过设置多个平面与底面的夹角不同，可以在上述凹槽A内填充第一无机层120的有益效果的基础上，同样减少衬底110在凹槽A处的应力集中现象，降低阵列基板折叠时衬底110断裂的风险。

继续参考图3至图5，阵列基板还包括有机层170，第一无机层120的厚度相等时，有机层170覆盖第一无机层120，且有机层170远离第一无机层120的表面与衬底110的表面同平面设置。

具体地，在凹槽A的表面为弧面，且第一无机层120等厚时，凹槽A靠近中心的位置的表面低于衬底110的表面。通过在第一无机层120上覆盖有机层170，使有机层170填充第一无机层120与衬底110的表面的高度差，可以提高衬底110表面的整体平坦度，从而可以后续在衬底110的表面上设置其他膜层时，有利于提高阵列基板的平坦度。

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。如图6所示，导电层160设置于有源层140远离衬底110的一侧，过孔B包括第一端，第一端为过孔B远离导电层160的一端，凹槽A在衬底110上的垂直投影与第一端在衬底110上的垂直投影重合。

具体地，在过孔B过刻时，与过孔B第一端接触的第二无机层130被刻蚀，使得与过孔B第一端接触的第二无机层130减薄。通过设置凹槽A在衬底110上的垂直投影与第一端在衬底110上的垂直投影重合，可以使得第一无机层120恰好补偿过孔B所在位置对应的被减薄的第二无机层130，不仅可以增加过孔B所在位置对应的无机层厚度，以补偿过刻导致的过孔B所在位置对应的第二无机层130减薄现象，同时可以避免第一无机层120增加过孔B所在位置外其他位置对应的无机层厚度，有利于在增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力的基础上，提高无机层的厚度均一性。当阵列基板为可弯折阵列基板时，可以提高无机层的受力均一性，进而可以降低阵列基板的断裂风险。

在上述各技术方案的基础上，第一无机层的最小弯折半径小于第二无机层的最小弯折半径。

具体地，最小弯折半径为膜层失效时达到的弯折半径。当膜层的弯折半径小于或等于最小弯折半径时，膜层失效。由于过孔的存在，使得过孔位置对应的有源层和导电层之间的层间绝缘层与其他位置的无机层的厚度不同，同时应力分布情况也不同。在凹槽内设置第一无机层，可以补偿过孔位置对应的无机层厚度。同时，可以设置第一无机层的最小弯折半径小于第二无机层的最小弯折半径，使得第一无机层的内应力比较大。其中，内应力作用于阵列基板上时，其方向由阵列基板的内部向外。在阵列基板受到外应力时，外应力的方向由外向内，使得内应力可以更多的抵消外应力的作用，提高阵列基板的抗外界应力能力。而且，可以提高过孔位置对应的无机层在同等厚度下的内应力，从而可以补偿过孔存在导致无机层不同位置的应力分布不均的现象。当阵列基板为可折叠阵列基板，并进行弯折时，可以降低无机层断裂的风险，进而可以提高阵列基板的弯折可靠性。

继续参考图6，有源层140包括源极区141和漏极区142，导电层160包括源极161和漏极162，过孔B包括第一过孔B1和第二过孔B2；源极161通过第一过孔B1与源极区141电连接，漏极162通过第二过孔B2与漏极区142电连接；

凹槽A包括第一凹槽A1和第二凹槽A2，第一凹槽A1在衬底110上的垂直投影位于第一过孔B1在衬底110上的垂直投影内，第二凹槽A2在衬底110上的垂直投影位于第二过孔B2在衬底110上的垂直投影内。

具体地，图6中示例性地示出了第一凹槽A1在衬底110上的垂直投影与第一过孔B1在衬底110上的垂直投影重合，第二凹槽A2在衬底110上的垂直投影与第二过孔B2在衬底110上的垂直投影重合。第一凹槽A1在衬底110上的垂直投影位于第一过孔B1在衬底110上的垂直投影内，使得第一凹槽A1内的第一无机层120可以作为第一过孔B1所在位置对应的无机层，可以补偿过刻第一过孔B1时，第一过孔B1所在位置对应的第二无机层130减薄的现象，从而可以增加第一过孔B1所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力。同理，第二凹槽A2在衬底110上的垂直投影位于第二过孔B2在衬底110上的垂直投影内，使得第二凹槽A2内的第一无机层120可以作为第二过孔B2所在位置对应的无机层，可以补偿过刻第二过孔B2时，第二过孔B2所在位置对应的第二无机层130减薄的现象，从而可以增加第二过孔B2所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力。进而可以同时通过第一凹槽A1内的第一无机层120以及第二凹槽A2内的第一无机层120同时补偿第一过孔B1和第二过孔B2所在位置对应的第二无机层130减薄现象，从而可以增加第一过孔B1和第二过孔B2所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。

需要说明的是，在阵列基板的制作工艺中，第一过孔B1和第二过孔B2可以在同一工艺中形成，第一过孔B1和第二过孔B2对应位置的第二无机层130的减薄程度近似相同。此时可以设置第一凹槽A1内的第一无机层120和第二凹槽A2内的第一无机层120的厚度相等，以同时补偿第一过孔B1和第二过孔B2所在位置对应的第二无机层130减薄现象。其中，第一凹槽A1内的第一无机层120和第二凹槽A2内的第一无机层120可以在同一工艺中形成。而且，当衬底110包括多个凹槽A时，不同凹槽A的深度可以相等，在不同凹槽A内的第一无机层120的厚度相等时，可以使有机层170的最大厚度相同，可以尽可能的提高阵列基板不同位置膜层的一致性。

继续参考图6，第二无机层130包括缓冲层131和阻隔层132，阻隔层132设置于衬底110的表面上，缓冲层131设置于阻隔层132上。

具体地，阻隔层132的材料为无机材料，有利于其他膜层在衬底110上形成。阻隔层132设置于衬底110的表面上，缓冲层131阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过衬底110扩散，并且在基板110的表面上提供平坦的表面。

本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，可以用于制作本发明任意实施例提供的阵列基板。图7为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图。如图7所示，该方法包括：

S710、采用化学气相沉积工艺在衬底上形成第一无机层，化学气相沉积工艺中的成膜压力参数小于零；

其中，图8为本发明实施例提供的一种步骤S710对应的阵列基板的结构示意图。如图8所示，在衬底110上可以采用化学气相沉积工艺形成第一无机层120。第一无机层120在衬底110上的垂直投影位于后续驱动电路层中的过孔B在衬底110上的垂直投影内。使得第一无机层120可以作为过孔B所在位置对应的无机层，以补偿过刻导致的过孔B所在位置对应的第二无机层130减薄现象，从而可以增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。同时可以避免第一无机层120增加过孔B所在位置外其他位置对应的无机层厚度，有利于在增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力的基础上，提高无机层的厚度均一性。当阵列基板为可弯折阵列基板时，可以提高无机层的受力均一性，进而可以降低阵列基板的断裂风险。

示例性地，在形成第一无机层120时，可以设置化学气相沉积工艺中的成膜压力参数小于零。相对于采用化学气相沉积工艺形成第二无机层时，设置成膜压力参数等于零的情况，可以使第一无机层120的最小弯折半径小于第二无机层130的最小弯折半径，使得第一无机层的内应力比较大，从而可以在阵列基板受到外应力时，第一无机层的内应力可以更多的抵消外应力的作用，提高阵列基板的抗外界应力能力。而且，可以提高过孔位置对应的无机层在同等厚度下的内应力，从而可以补偿过孔存在导致无机层不同位置的应力分布不均的现象。当阵列基板为可折叠阵列基板，并进行弯折时，可以降低无机层断裂的风险，进而可以提高阵列基板的弯折可靠性。

示例性地，第一无机层120可以为等厚膜层，有利于实现不同位置的无机层的厚度相等。

需要说明的是，当衬底110上设置有凹槽A，第一无机层120填充于凹槽A内时，可以在衬底110上形成第一无机层120之前，在衬底110上设置凹槽A。示例性地，图9为本发明实施例提供的一种在衬底上形成凹槽对应的阵列基板的结构示意图。如图9所示，衬底110上设置有凹槽A，凹槽A的数量和位置可以根据阵列基板后续制作的驱动电路层中的过孔的数量和位置设置。示例性地，凹槽A可以包括两个，分别为第一凹槽A1和第二凹槽A2。凹槽A的表面可以为弧面，可以避免衬底110在凹槽A处形成夹角，从而可以避免衬底110受力时在凹槽A处具有应力集中点，有效地降低了衬底110断裂的风险。

示例性地，凹槽的至少部分表面为弧面，可以减小衬底在凹槽处的应力集中现象，从而可以降低在折叠阵列基板时，衬底110断裂的风险。

S720、在第一无机层远离衬底的一侧形成第二无机层；

其中，图10为本发明实施例提供的一种步骤S720对应的阵列基板的结构示意图。如图10所示，当衬底110上设置有凹槽A，且凹槽A的表面为弧面，第一无机层120的厚度相等时，可以在形成第二无机层130之前，在凹槽A内形成有机层170，有机层170覆盖第一无机层120，且有机层170远离第一无机层120的表面与衬底110的表面同平面设置，从而可以填充第一无机层120与衬底110的表面的高度差，可以提高衬底110表面的整体平坦度，从而可以后续在衬底110的表面上设置其他膜层时，有利于提高阵列基板的平坦度。第二无机层130覆盖衬底110，有利于其他膜层在衬底110上形成。同时可以阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过衬底110扩散，并且在基板110的表面上提供平坦的表面。示例性地，第二无机层130包括缓冲层131和阻隔层132，阻隔层132设置于衬底110的表面上，缓冲层131设置于阻隔层132上。

S730、在第二无机层远离第一无机层的一侧形成驱动电路层，驱动电路层包括有源层和导电层；导电层通过过孔与有源层电连接，第一无机层在衬底上的垂直投影位于过孔在衬底上的垂直投影内。

其中，图11为本发明实施例提供的一种步骤S730对应的阵列基板的结构示意图。如图11所示，有源层140包括源极区141、沟道区143和漏极区142。驱动电路层还包括层间绝缘层150，层间绝缘层150设置于有源层140和导电层160之间，用于绝缘不同的膜层。导电层160包括源极161和漏极162，层间绝缘层150上设置有过孔B，源极161和漏极162分别通过过孔B与源极区141和漏极区142电连接，以形成晶体管。过孔B的过刻导致过孔B所在位置对应的第二无机层130的厚度小于其他位置的第二无机层130的厚度。此时在衬底110上设置第一无机层120，且第一无机层120在衬底110上的垂直投影位于过孔B在衬底110上的垂直投影内，使得第一无机层120可以作为过孔B所在位置对应的无机层，以补偿过刻导致的过孔B所在位置对应的第二无机层130减薄现象，从而可以增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。同时可以避免第一无机层120增加过孔B所在位置外其他位置对应的无机层厚度，有利于在增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力的基础上，提高无机层的厚度均一性。当阵列基板为可弯折阵列基板时，可以提高无机层的受力均一性，进而可以降低阵列基板的断裂风险。

当衬底110的上设置凹槽A，第一无机层120填充于凹槽A内时，在凹槽A在衬底110上的垂直投影位于过孔B在衬底110上的垂直投影内时，可以使第一无机层120在衬底110上的垂直投影位于过孔B在衬底110上的垂直投影内，使得第一无机层120可以作为过孔B所在位置对应的无机层，以补偿过刻导致的过孔B所在位置对应的第二无机层130减薄现象，从而可以增加过孔B所在位置处屏蔽外界环境中水氧的能力，降低了阵列基板的环境测试风险，提高了阵列基板的可靠性。另外，凹槽A具有向内预弯折作用。当阵列基板为可折叠阵列基板，并向内弯折时，凹槽A可以起到预弯折的作用，从而可以降低阵列基板的弯折难度，同时降低了阵列基板弯折时断裂的风险，提高了阵列基板的弯折可靠性。

本发明实施例还提供了一种显示面板。图12为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图12所示，该显示面板20包括本发明任意实施例提供的阵列基板21。

具体地，阵列基板21为本发明任意实施例提供的阵列基板，当显示面板20包括本发明任意实施例提供的阵列基板时，具备与本发明任意实施例提供的阵列基板相同的有益效果，此处不再赘述。显示面板20可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框等任何具有显示功能的产品或部件。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

第一无机层，所述第一无机层设置于所述衬底上；

第二无机层，所述第二无机层设置于所述第一无机层远离所述衬底的一侧；

驱动电路层，所述驱动电路层设置于所述第二无机层上，所述驱动电路层包括有源层和导电层；所述导电层通过过孔与所述有源层电连接，所述第一无机层在所述衬底上的垂直投影位于所述过孔在所述衬底上的垂直投影内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底上设置有凹槽，所述凹槽在所述衬底上的垂直投影位于所述过孔在所述衬底上的垂直投影内，所述第一无机层填充于所述凹槽内。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机层的厚度相等。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的至少部分表面为弧面；

优选地，还包括有机层，所述第一无机层的厚度相等时，所述有机层覆盖所述第一无机层，且所述有机层远离所述第一无机层的表面与所述衬底的表面同平面设置。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述过孔包括第一端，所述第一端为所述过孔远离所述导电层的一端，所述凹槽在所述衬底上的垂直投影与所述第一端在所述衬底上的垂直投影重合。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机层的最小弯折半径小于所述第二无机层的最小弯折半径。

7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括源极区和漏极区，所述导电层包括源极和漏极，所述过孔包括第一过孔和第二过孔；所述源极通过所述第一过孔与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述漏极区电连接；

所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽在所述衬底上的垂直投影位于所述第一过孔在所述衬底上的垂直投影内，所述第二凹槽在所述衬底上的垂直投影位于所述第二过孔在所述衬底上的垂直投影至内。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二无机层包括缓冲层和阻隔层，所述阻隔层设置于所述衬底的表面上，所述缓冲层设置于所述阻隔层上。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

采用化学气相沉积工艺在衬底上形成第一无机层，所述化学气相沉积工艺中的成膜压力参数小于零；

在所述第一无机层远离所述衬底的一侧形成第二无机层；

在所述第二无机层远离所述第一无机层的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层包括有源层和导电层；所述导电层通过过孔与所述有源层电连接，所述第一无机层在所述衬底上的垂直投影位于所述过孔在所述衬底上的垂直投影内。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。